KR970003663A - 반도체 소자의 금속배선 형성방법 - Google Patents
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Abstract
본 발명은 반도체 소자의 금속배선 형성방법이 개시된다.
본 발명은 확산방지층으로 사용되는 시준된 티타늄 나이트라이드 증착공정조건을 조절하여 확산방지층의 표면 평활도를 개선시킴에 의해 콘택홀에서의 알루미늄 층덮힘을 개선할 수 있다. 시준된 티타늄 나이트라이드 증착공정의 조건은 반응압력을 3 내지 6mTorr로 하고, 직류 전력을 3 내지 18㎾로 하고, 반응온도를 200 내지 500℃로 하고, 불활성 기체를 아르곤 10 내지 25SCCM과 질소 60 내지 70SCCM으로 하고, 증착속도를 3 내지 15A/sec로 한다. 따라서, 본 발명은 알루미늄의 층덮힘을 개선함에 의해 소자의 신뢰성을 향상시킬 수 있다.
Description
본 내용은 요부공개 건이므로 전문내용을 수록하지 않았음
제2A 및 2B도는 본 발명에 의한 반도체 소자의 금속배선 형성방법을 설명하기 위해 도시한 소자의 단면도.
Claims (2)
- 반도체 소자의 금속배선 형성방법에 있어서, 기판상에 소자를 전기적으로 절연 및 보호하는 절연층을 형성하고, 상기 절연층의 소정부분을 식각하여 상기 기판의 소정부분이 노출된 콘택홀을 형성하는 단계와, 상기 콘택홀을 포함한 상기 절연층상에 티타늄을 증착하여 점착층을 형성하는 단계와, 상기 점착층상에 시준된 티타늄 나이트라이드를 증착하여 표면 평활도가 우수한 확산방지층을 형성하는 단계와, 상기 확산방지층상에 티타늄을 증착하여 젖음층을 형성하는 단계와, 상기 젖음층상에 알루미늄을 증착한 후, 금속배선 마스크를 사용한 식각공정으로 금속배선을 형성하는 단계로 이루어지는 것을 특징으로 하는 반도체 소자의 금속배선 형성방법.
- 제1항에 있어서, 상기 확산방지층은 반응압력을 3내지 6mTorr로 하고, 직류 전력을 3 내지 18㎾로 하고, 반응온도를 200 내지 500℃로 하고, 불활성 기체를 아르곤 10 내지 25SCCM과 질소 60 내지 70SCCM으로 하고, 증착속도를 3 내지 15A/sec로 하여 시준된 티타늄 나이트라이드를 증착하여 형성되는 것을 특징으로 하는 반도체 소자의 금속배선 형성방법.※ 참고사항 : 최초출원 내용에 의하여 공개하는 것임.
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