KR970063670A - 반도체 소자의 베리어 금속층 형성 방법 - Google Patents

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Abstract

본 발명은 반도체 소자의 베리어 금속층 형성 방법에 관한 것으로, 콘택 홀의 크기 감소에 따른 금속층과 접합부간의 접촉 저항의 증가를 방지하기 위하여 접합부와 금속층간의 계면에 몰리브덴티타늄실리콘층을 형성하므로써 반도체 소자의 고집적화에 따라 증가되는 콘택 저항을 감소시켜 소자의 특성이 향상되도록 한 반도체 소자의 베리어 금속층 형성 방법에 관한 것이다.

Description

반도체 소자의 베리어 금속층 형성 방법
본 내용은 요부공개 건이므로 전문내용을 수록하지 않았음
제2a도 내지 제2d도는 본 발명에 따른 반도체 소자의 베리어 금속층 형성 방법을 설명하기 위한 소자의 단면도.

Claims (8)

  1. 반도체 소자의 베리어 금속층 형성 방법에 있어서, 접합부가 형성된 실리콘 기판상에 절연층을 형성하고, 상기 접합부가 노출되도록 상기 절연층을 패터닝하여 콘택 홀을 형성하는 제1단계와, 상기 제1단계로부터 전체 상부면에 몰리브덴티타늄을 증착하는 제2단계와, 상기 제2단계로부터 상기 접합부의 실리콘 기판 및 상기 몰리브덴티타늄의 계면에 몰리브덴티타늄실리콘층이 형성되도록 1차 열처리 공정을 실시하는 제3단계와, 상기 제3단계로부터 상기 제1열처리 공정시 미반응된 티타늄을 제거하는 제4단계와, 상기 제4단계로부터 전체 상부면에 티타늄나이트라이드를 증착한 후 2차 열처리 공정을 실시하는 제5단계로 이루어지는 것을 특징으로 하는 반도체 소자의 베리어 금속층 형성 방법.
  2. 제1항에 있어서, 상기 몰리브덴티타늄은 300 내지 500A의 두께로 중착된 것을 특징으로 하는 반도체소자의 베리어 금속층 형성 방법.
  3. 제1항에 있어서, 상기 제1차 열처리 공정은 600 내지 750℃의 온도에서 급속 열처리 방법으로 실시되는 것을 특징으로 하는 반도체 소자의 베리어 금속층 형성 방법.
  4. 제1항에 있어서, 상기 미반응된 티타늄은 NH4F+H2O2+H2O을 이용한 습식 식각 공정에 의해 제거되는 것을 특징으로 하는 반도체 소자의 베리어 금속층 형성 방법.
  5. 제1항에 있어서, 상기 티타늄나이트라이드는 1000 내지 1200A의 두께로 중착된 것을 특징으로 하는 반도체 소자의 베리어 금속층 형성 방법.
  6. 제1항에 있어서, 상기 2차 열처리 공정은 질소 가스 분위기하에서 실시되는 것을 특징으로 하는 반도체 소자의 베리어 금속층 형성 방법.
  7. 제1항에 있어서, 상기 제4단계로부터 전체 상부면에 티타늄 및 티타늄나이트라이드를 순차적으로 증착한 후 2차 열처리 공정을 실시하는 단계로 이루어지는 것을 특징으로 하는 반도체 소자의 베리어 금속층 형성 방법.
  8. 제7항에 있어서, 상기 티타늄은 100 내지 400A 두께로 증착되며, 상기 티타늄나이트라이드는 800 내지 1200A 두께로 증착되는 것을 특징으로 하는 반도체 소자의 베리어 금속층 형성 방법.
    ※ 참고사항 : 최초출원 내용에 의하여 공개하는 것임.
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