KR980005677A - 반도체 소자의 실리사이드 형성방법 - Google Patents
반도체 소자의 실리사이드 형성방법 Download PDFInfo
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Abstract
본 발명은 반도체 소자의 실리사이드 형성방법에 관한 것으로, 보다 구체적으로 금속 실리사이드내의 잉여 실리콘을 완전히 제거하기 위한 반도체 소자의 실리사이드 형성방법에 관한것이다. 본 발명은 금속 실리사이드막이 증착되고, 층간 절연막이 형성되기 이전에 수소 분위기 하에서 어닐링 공정을 진행하여 주므르써, 금속 실리사이드 내의 실리콘 원자를 외확산시켜준다. 이로써, 금속 실리사이드내의 실리콘 함유량이 감소되어, 금속 실리사이드의 막질 전도 특성이 개선된다.
Description
본 내용은 요부공개 건이므로 전문내용을 수록하지 않았음
제 1a도 및 제1b도는 종래의 반도체 소자의 실리사이드 형성방법을 설명하기 위한 단면도.
Claims (6)
- 반도체 기판상에 폴리실리콘막을 증착하는 단계; 상기 폴리실리콘막 상부에 전이 금속 실리사이드막을 적층하는 단계; 및 상기 전이 금속 실리사이드막내의 전이 금속막을 이루는 원자에 대한 실리콘의 원자의 비가 2.2내지 2.3이 되도록 상기 결과물을 어닐링하는 단계를 포함하는 것을 특징으로 반도체 소자의 실리사이드 형성방법.
- 제1항에 있어서, 상기 전이 금속막은 텅스텐인 것을 특징으로 하는 반도체 소자의 실리사이드 형성방법.
- 제1항 또는 제2항에 있어서, 상기 어닐링 단계는 수소 분위기하에서 진행하는 것을 특징으로 하는 반도체 소자의 실리사이드 형성방법.
- 제3항에 있어서, 상기 어닐링 단계에서의 수소 플로우량은 9 내지 10slm인 것을 특징으로 하는 반도체 소자의 실리사이드 형성방법.
- 제1항에 있어서, 상기 어닐링은 싱글 웨이퍼 챔버에서 이루어지는 것을 특징으로 하는 반도체 소자의 실리사이드 형성방법.
- 제1항에 있어서, 상기 어닐링 온도는 800℃ 내지 1000℃인 것을 특징으로 하는 반도체 소자의 실리사이드 형성 방법.※ 참고사항 : 최초출원 내용에 의하여 공개하는 것임.
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Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
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| US6573180B2 (en) | 2001-03-23 | 2003-06-03 | Samsung Electronics Co., Ltd. | PECVD method of forming a tungsten silicide layer on a polysilicon layer |
| KR100753401B1 (ko) * | 2001-06-15 | 2007-08-30 | 주식회사 하이닉스반도체 | 플래쉬 메모리 소자의 제조방법 |
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1996
- 1996-06-21 KR KR1019960022856A patent/KR100209931B1/ko not_active IP Right Cessation
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| KR100447031B1 (ko) * | 2001-03-23 | 2004-09-07 | 삼성전자주식회사 | 텅스텐 실리사이드막의 형성방법 |
| KR100753401B1 (ko) * | 2001-06-15 | 2007-08-30 | 주식회사 하이닉스반도체 | 플래쉬 메모리 소자의 제조방법 |
Also Published As
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| KR100209931B1 (ko) | 1999-07-15 |
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