KR970008347A - 반도체 소자의 금속층 형성방법 - Google Patents
반도체 소자의 금속층 형성방법 Download PDFInfo
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Abstract
본 발명은 반도체 소자의 금속층 형성방법에 관한 것으로, 콘택홀내에서의 금속의 층덮힘을 향상시키기 위하여 금속(Metal)을 증착하기 전에 베리어(Barrier) 금속층의 표면에 존재하는 산화물을 제거시키므로써 소자의 신뢰성이 향상될 수 있도록 한 반도체 소자의 금속층 형성방법에 관한 것이다.
Description
본 내용은 요부공개 건이므로 전문내용을 수록하지 않았음
제1A 내지 제1D도는 본 발명에 따른 반도체 소자의 금속층 형성 방법을 설명하기 위한 소자의 단면도.
Claims (4)
- 반도체 소자의 금속층 형성방법에 있어서, 접합부 형성된 실리콘기판상에 절연층을 형성하고, 상기 접합부가 노출되도록 상기 절연층을 패터닝하여 콘택홀을 형성한 상태에서 베리어 금속층을 형성하기 위하여 전체 상부면에 제1티타늄층을 형성한 후 인-시투로 티타늄나이트라이드층을 형성하는 단계와, 상기 단계로부터 상기 티타늄나이트라이드층의 전도성을 향상시키기 위하여 열처리공정을 실시하는 단계와, 상기 단계로부터 상기 열처리공정후 상기 베리어 금속층의 표면에 생성된 산화물을 제거하는 단계와, 상기 단계로부터 전체 상부면에 제2티타늄층을 형성하고, 인-시투로 상기 콘택트홀이 충분히 매립되도록 금속층을 형성하는 단계로 이루어지는 것을 특징으로 하는 반도체 소자의 금속층 형성방법.
- 제1항에 있어서, 상기 제1 및 제2티타늄층은 450 내지 550℃의 고온에서 250내지 350Å의 두께로 형성되는 것을 특징으로 하는 반도체 소자의 금속층 형성방법.
- 제1항에 있어서, 상기 티타늄나이트라이드층은 1.0E-7이하의 고진공 및 450 내지 550℃의 고온에서 650 내지 750A의 두께로 형성되는 것을 특징으로 하는 반도체 소자의 금속층 형성방법.
- 제1항에 있어서, 상기 산화물은 아르곤 원자를 이용한 ECR 방법으로 제거되는 것을 특징으로 하는 반도체 소자의 금속층 형성방법.※ 참고사항 : 최초출원 내용에 의하여 공개하는 것임.
Priority Applications (1)
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KR1019950019396A KR970008347A (ko) | 1995-07-04 | 1995-07-04 | 반도체 소자의 금속층 형성방법 |
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Publications (1)
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KR970008347A true KR970008347A (ko) | 1997-02-24 |
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KR1019950019396A KR970008347A (ko) | 1995-07-04 | 1995-07-04 | 반도체 소자의 금속층 형성방법 |
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Cited By (2)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
WO2022119376A1 (ko) * | 2020-12-03 | 2022-06-09 | 주식회사 젠스엔지니어링 | 암모니아의 분해 혼합가스로부터 수소의 분리 및 정제방법 |
WO2023128071A1 (ko) * | 2021-12-31 | 2023-07-06 | 한국에너지기술연구원 | 암모니아 분해가스로부터 수소 정제용 압력변동흡착장치 및 이를 이용한 수소 정제 방법 |
-
1995
- 1995-07-04 KR KR1019950019396A patent/KR970008347A/ko not_active Application Discontinuation
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WO2022119376A1 (ko) * | 2020-12-03 | 2022-06-09 | 주식회사 젠스엔지니어링 | 암모니아의 분해 혼합가스로부터 수소의 분리 및 정제방법 |
KR20220078120A (ko) * | 2020-12-03 | 2022-06-10 | 주식회사 젠스엔지니어링 | 암모니아의 분해 혼합가스로부터 수소의 분리 및 정제방법 |
WO2023128071A1 (ko) * | 2021-12-31 | 2023-07-06 | 한국에너지기술연구원 | 암모니아 분해가스로부터 수소 정제용 압력변동흡착장치 및 이를 이용한 수소 정제 방법 |
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