KR970063749A - 반도체장치 및 그 제조방법 - Google Patents

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토시오 스가노
세이이치로오 쯔쿠이
켄스케 쯔네다
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가나이 쓰토무
가부시키가이샤 히타치세이사쿠쇼
야마모토 마사유키
히타치 도오부 세미콘덕터 가부시키가이샤
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Abstract

메모리 모듈(MM)에 있어서, 모듈 배선기판(5)에는 메모리(1)의 기능전환용 핀(FP0,FP1)으로 입력되는 기능 전환신호를 임의로 전환하는 기능 전환수단(KK1,KK2)이 설치된다. 또한 이들 기능 전환수단(KK1,KK2)에 의해, 기능 전환신호가 비접속상태, 전원전압(Vcc) 및 접지전위(Vss)의 어느 것으로부터 임의로 전환된다. 이들 신호는 실장되는 모든 메모리(1)로 일괄해서 입력되어 판독모드 및 리프레쉬 사이클을 포함하는 기능을 전환하여 임의로 설정한다.

Description

반도체장치 및 그 제조방법
본 내용은 요부공개 건이므로 전문내용을 수록하지 않았음
제1도는 본 발명의 실시형태 1에 의한 메모리의 주요부 구조를 나타내는 설명도.
제2도는 본 발명의 실시형태 1에 의한 메모리의 핀 배치도.
제3도는 본 발명의 실시형태 1에 의한 메모리의 내부 결선을 나타내는 설명도.
제4도는 본 발명의 실시형태 1에 의한 메모리의 모드 전환동작을 설명하는 테이블.
제5도는 본 발명에 의한 메모리가 실장된 메모리 모듈의 일실시예의 결선도.
제6도는 본 발명의 실시형태 1에 의한 메모리가 실장된 모듈 배선기판을 나타내는 배선도.

Claims (38)

  1. 기능 전환신호의 상태에 따라 기능을 선택하는 기능전환용 외부단자를 포함하는 적어도 하나의 반도체장치 및, 상기 반도체장치가 실장되고, 상기 기능전환용 외부단자로 입력되는 임의의 기능 전환신호를 선택하는 기능 전환수단을 포함하는 프린트 배선기판을 구비하는 것을 특징으로 하는 메모리 모듈.
  2. 제1항에 있어서, 상기 기능 전환수단은, 상기 프린트 배선기판상에 형성되고, 상기 프린트 배선기판상에 실장되는 상기 반도체장치의 기능전환용 외부단자와 전기적으로 접속되는 제1노드와, 상기 프린트 배선기판상에 형성되고, 전원전압과 접속되는 제2노드 및, 상기 프린트 배선기판상에 형성되고, 기준전압과 접속되는 제3노드를 포함하고, 상기 제1노드와 제2노드 또는 상기 제1노드와 제3노드 사이에 도통수단이 설치되거나 또는 설치되지 않고, 상기 기능전환용 외부단자로 입력되는 기능 전환신호를 일괄해서 전환하는 수단인 것을 특징으로 하는 메모리 모듈.
  3. 제1항에 있어서, 상기 기능 전환수단은, 상기 프린트 배선 기판의 코너부 또는 그 근방에 배치되는 것을 특징으로 하는 메모리 모듈.
  4. 제1항에 있어서, 상기 기능 전환수단에 의해 전환되는 상기 반도체장치의 기능은, 판독모드를 포함하는 것을 특징으로 하는 메모리 모듈,
  5. 제1항에 있어서, 상기 기능 전환수단에 의해 전환되는 상기 반도체장치의 기능은, 리프레쉬 사이클을 포함하는 것을 특징으로 하는 메모리 모듈.
  6. 제1항에 있어서, 상기 기능 전환수단에 의해 전환되는 상기 반도체장치의 기능은, 판독모드 및 리프레쉬 사이클을 포함하는 것을 특징으로 하는 메모리 모듈.
  7. 제1항에 있어서, 상기 반도체장치는, 워드구성 전환신호의 상태에 따라 워드구성을 선택하는 워드구성 전환용 외부단자를 더 포함하고, 상기 프린트 배선기판은, 상기 워드구성 전환용 외부단자로 미리 설정된 워드구성전환신호를 입력하는 워드구성 설정배선을 더 포함하는 것을 특징으로 하는 메모리 모듈.
  8. 워드구성 전환신호의 상태에 따라 워드구성을 선택하는 워드구성 전환용 외부단자를 포함하는 적어도 하나의 반도체 장치 및, 상기 반도체 장치가 실장되고, 상기 반도체장치의 전환된 워드구성에 대응하는 전용배선을 포함하는 전용 프린트 배선기판을 구비하는 것을 특징으로 하는 메모리 모듈.
  9. 제8항에 있어서, 상기 워드구성 전환용 외부단자로 입력되는 임의의 워드구성 전환신호를 선택하기 위해 상기 전용 프린트 배선기판상에 실장되는 워드구성 전환수단을 더 구비하는 것을 특징으로 하는 메모리 모듈.
  10. 제9항에 있어서, 상기 워드구성 전환수단은, 상기 반도체장치를 실장하는 것에 의해 소정의 워드 구성 전환신호가 상기 워드구성 전환용 외부단자로 입력되도록 상기 전용 프린트 배선기판상에 배선되어 소정의 워드구성으로 전환되도록 조절되는 워드구성 설정배선을 포함하는 것을 특징으로 하는 메모리 모듈.
  11. 제9항에 있어서, 상기 워드구성 전환수단은, 상기 전용 프린트 배선 기판상에 형성되고, 상기 전용 프린트 배선 기판상에 실장되는 상기 반도체 장치의 워드구성 전환용 외부단자와 전기적으로 접속되는 제4노드와, 상기 전용 프린트 배선기판상에 형성되고, 전원전압과 접속되는 제5노드 및, 상기 전용 프린트 배선기판상에 형성되고, 기준전압과 접속되는 제6노드를 포함하고, 상기 제4노드와 제5노드 또는 제4노드와 제6노드 사이에 도통수단이 설치되거나 또는 설치되지 않고, 상기 워드구성 전환용 외부단자로 입력되는 워드구성 전환신호를 일괄해서 전환하는 수단인 것을 특징으로 하는 메모리 모듈.
  12. 제8항에 있어서, 상기 반도체 장치는, 기능 전환신호의 상태에 따라 기능을 선택하는 기능전환용 외부단자를 더 포함하고, 상기 전용 프린트 배선기판은, 상기 기능전환용 외부단자로 입력되는 임의의 기능 전환신호를 선택하는 기능 전환수단을 더 포함하는 것을 특징으로 하는 메모리 모듈.
  13. 제12항에 있어서, 상기 기능 전환수단은, 상기 전용 프린트 배선기판상에 형성되고, 상기 전용 프린트 배선기판상에 실장되는 상기 반도체장치의 기능전환용 외부단자와 전기적으로 접속되는 제1노드와, 상기 전용 프린트 배선기판상에 형성되고, 전원전압과 접속되는 제2노드 및, 상기 전용 프린트 배선기판상에 형성되어, 기준전압과 접속되는 제3노드를 포함하고, 상기 제1노드와 제2노드 또는 상기 제1노드와 제3노드 사이에 도통 수단이 설치되거나 또는 설치되지 않고, 상기 기능전환용 외부단자로 입력되는 기능전환신호를 일괄해서 전환하는 수단인 것을 특징으로 하는 메모리 모듈.
  14. 제12항에 있어서, 상기 기능 전환수단에 의해 전환되는 상기 반도체장치의 기능은, 판독모드를 포함하는 것을 특징으로 하는 메모리 모듈.
  15. 제12항에 있어서, 상기 기능 전환수단에 의해 전환되는 상기 반도체장치의 기능은, 리프레쉬 사이클을 포함하는 것을 특징으로 하는 메모리 모듈.
  16. 제12항에 있어서, 상기 기능 전환수단에 의해 전환되는 상기 반도체장치의 기능은, 판독모드 및 리프레쉬 사이클을 포함하는 것을 특징으로 하는 메모리 모듈.
  17. 제12항에 있어서, 상기 기능 전환수단은, 상기 적어도 하나의 반도체장치를 실장하는 것에 의해 소전의 기능 전환신호가 상기 기능전환용 외부단자로 입력되도록 상기 전용 프린트 배선 기판상에 배선되어 소정의 기능으로 전환되도록 조절되는 기능 설정배선을 포함하는 것을 특징으로 하는 메모리 모듈.
  18. 워드구성 전환용 외부단자로 입력되는 워드구성 전환신호에 기초해서 소정의 워드구성을 전환하는 반도체장치와, 복수의 워드구성에 대응하는 복수 종류의 전용 프린트 배선 기판을 준비하고, 상기 복수 종류의 전용 프린트 배선기판으로부터 상기 반도체장치의 요구되는 워드구성에 대응하는 하나의 상기 전용 프린트 배선기판을 선택하는 공정 및 상기 선택된 하나의 전용 프린트 배선기판상에 상기 반도체장치를 실장하는 공정을 구비하는 것을 특징으로 하는 메모리 모듈의 제조방법.
  19. 워드구성 전환용 외부단자로 입력되는 워드구성 전환신호에 기초해서 워드구성을 선택하고, 기능전환용 외부단자로 입력되는 기능 전환신호에 기초해서 기능을 선택하는 반도체장치와, 도통수단을 실장하거나 또는 실장하지 않고, 상기 기능전환용 외부단자로 입력되는 임의의 기능 전환신호를 선택하는 기능 전환수단이 설치되어, 복수의 워드구성에 대응하는 복수 종류의 전용 프린트 배선기판을 준비하고, 상기 복수 종류의 전용 프린트 배선기판으로부터 상기 반도체장치의 요구되는 워드 구성에 대응하는 하나의 상기 전용 프린트 배선기판을 선택하는 공정과, 상기 선택된 하나의 전용 프린트 배선기판상에 상기 반도체장치를 실장하는 공정 및 상기 도통수단이 설치되거나 또는 설치되지 않고, 임의의 기능을 선택하는 공정을 구비하는 것을 특징으로 하는 메모리 모듈의 제조방법.
  20. 워드구성 전환용 외부단자로 입력되는 워드구성 전환신호에 기초해서 소정의 워드구성을 선택하고, 기능 전환용 외부단자로 입력되는 기능 전환신호에 기초해서 소정의 기능을 선택하는 반도체장치 및 복수의 워드구성과 복수의 기능의 전환동작에 대응하는 복수 종류의 전용 프린트 배선기판을 준비하고, 상기 복수 종류의 전용 프린트 배선기판으로부터 상기 반도체장치의 요구되는 워드구성 및 기능의 전환동작에 대응하는 하나의 상기 전용 프린트 배선기판을 선택하는 공정 및, 상기 선택된 하나의 전용 프린트 배선기판상에 상기 반도체장치를 실장하는 공정을 구비하는 것을 특징으로 하는 메모리 모듈의 제조방법.
  21. 배치된 배선을 가지는 배선기판과, 반도체장치 및, 기능 전환회로를 구비하고, 상기 반도체장치는, 상기 배선기판상에 실장되어 내부기능를 선택하는 기능 전환단자를 포함하고, 상기 기능 전환회로는, 상기 배선 기판상에 배치되어 상기 반도체장치의 기능 전환단자와 전기적으로 접속되는 것을 특징으로 하는 메모리 모듈.
  22. 제21항에 있어서, 상기 기능 전환회로는, 제1전극, 제2전극 및 제3전극을 포함하고 상기 제1전극은, 상기 기능 전환단자와 전기적으로 접속되며, 상기 제2전극은, 전원전압이 공급되고, 상기 제3전극은, 접지전위가 공급되며, 상기 반도체장치의 기능은, 상기 제1전극과 제2전극 또는 상기 제1전극과 제3전극 사이를 도통상태 또는 비도통 상태로 하는 것에 의해 전환되는 것을 특징으로 하는 메모리 모듈.
  23. 제22항에 있어서, 상기 기능 전환회로의 제1전극과 제2전극 또는 제1전극과 제3전극 사이를 도통상태로 하는 도통용 소자를 더 구비하는 것을 특징으로 하는 메모리 모듈.
  24. 제22항에 있어서, 상기 기능 전환회로에 의해 전환되는 상기 반도체 장치의 기능은, 판독모드를 포함하는 것을 특징으로 하는 메모리 모듈.
  25. 제22항에 있어서, 상기 기능 전환회로에 의해 전환되는 상기 반도체장치의 기능은, 리프레쉬 사이클을 포함하는 것을 특징으로 하는 메모리 모듈.
  26. 배치된 배선을 가지는 배선기판과, 반도체장치와, 기능 전환회로 및, 워드구성 설정배선을 구비하고, 상기 반도체장치는, 상기 배선기판상에 실장되어 내부 기능을 전환하는 기능 전환단자와 워드구성을 선택하는 워드구성 전환단자를 포함하고, 살기 기능 전환회로는, 상기 배선 기판상에 배치되어 상기 반도체장치의 기능 전환단자와 전기적으로 접속되는 것을 특징으로 하는 메모리 모듈.
  27. 제26항에 있어서, 상기 기능 전환회로는, 제1전극, 제2전극 및 제3전극을 포함하고, 상기 제1전극은, 상기 기능 전환단자와 전기적으로 접속되며, 상기 제2전극은, 전원전압이 공급되고, 상기 제3전극은, 접지전위가 공급되며, 상기 반도체장치의 기능은, 상기 제1전극과 제2전극 또는 상기 제1전극과 제3전극 사이를 도통상태 또는 비도통 상태로 하는 것에 의해 전환되는 것을 특징으로 하는 메모리 모듈.
  28. 제27항에 있어서, 상기 기능 전환회로의 제1전극과 제2전극 또는 제1전극과 제3전극 사이를 도통 상태로 하는 도통소자를 더 구비하는 것을 특징으로 하는 메모리 모듈.
  29. 제27항에 있어서, 상기 기능 전환회로에 의해 전환되는 상기 반도체장치의 기능은, 판독모드를 포함하는 것을 특징으로 하는 메모리 모듈.
  30. 제27항에 있어서, 상기 기능 전환회로에 의해 전환되는 상기 반도체장치의 기능은, 리프레쉬 사이클을 포함하는 것을 특징으로 하는 메모리 모듈.
  31. 배선을 가지는 배선기판과, 반도체장치와, 기능 전환회로 및, 워드구성 전환회로를 구비하고, 상기 반도체장치는, 상기 배선 기판상에 실장되어 내부 기능을 선택하는 기능 전환단자와 워드구성을 선택하는 워드구성 전환단자를 포함하고, 상기 기능 전환회로는, 상기 배선기판상에 배치되어 상기 반도체장치의 기능 전환단자와 접속되며, 상기 워드구성 전환회로는, 상기 배선 기판상에 배치되어 상기 워드구성 전환단자와 전기적으로 접속되는 것을 특징으로 하는 메모리 모듈.
  32. 제31항에 있어서, 상기 기능 전환회로는, 제1전극, 제2전극 및 제3전극을 포함하고, 상기 제1전극은, 상기 기능 전환단자와 전기적으로 접속되며, 상기 제2전극은, 전원전압이 공급되고, 상기 제3전극은, 접지전위가 공급되며, 상기 반도체장치의 기능은, 상기 제1전극과 제2전극 또는 상기 제1전극과 제3전극 사이를 도통상태 또는 비도통 상태로 하는 것에 의해 전환되는 것을 특징으로 하는 메모리 모듈.
  33. 제32항에 있어서, 상기 워드구성 전환회로는, 제4전극, 제5전극 및 제6전극을 포함하고, 상기 제4전극은, 상기 워드구성 전환단자와 전기적으로 접속되며, 상기 제5전극은, 전원전압이 공급되고, 상기 제6전극은, 접지전위가 공급되며, 상기 반도체장치의 워드구성은, 상기 제4전극과 제5전극 또는 상기 제4전극과 제6전극 사이를 도통상태 또는 비도통상태로 하는 것에 의해 전환되는 것을 특징으로 하는 메모리 모듈.
  34. 제33항에 있어서, 상기 기능 전환회로에 의해 전환되는 상기 반도체장치의 기능은, 판독모드를 포함하는 것을 특징으로 하는 메모리 모듈.
  35. 제33항에 있어서, 상기 기능 전환회로에 의해 전환되는 상기 반도체장치의 기능은, 리프레쉬 사이클을 포함하는 것을 특징으로 하는 메모리 모듈.
  36. 제33항에 있어서, 상기 기능 전환회로의 제1전극과 제2전극 또는 제1전극과 제3전극 사이의 전기적인 접속은, 도통소자를 통해 이루어지는 것을 특징으로 하는 메모리 모듈.
  37. 제36항에 있어서, 상기 워드구성 전환회로의 제4전극과 제5전극 또는 제4전극과 제6전극 사이의 전기적인, 접속은 도통소자를 통해 이루어지는 것을 특징으로 하는 메모리 모듈.
  38. 배선을 가지는 배선기판과, 반도체장치와, 기능 설정회로 및, 워드구성 설정회로를 구비하고, 상기 반도체장치는, 상기 배선 기판상에 실장되어 기능을 선택하는 기능 전환단자와 워드구성을 선택하는 워드구성 전환단자를 포함하고, 상기 기능 설정회로는, 상기 배선 기판상에 배치되어 상기 반도체장치의 기능 전환단자와 접속되며, 상기 워드구성 설정회로는, 상기 배선 기판상에 배치되어 상기 워드구성 전환단자와 전기적으로 접속되는 것을 특징으로 하는 메모리 모듈.
    ※ 참고사항 : 최초출원 내용에 의하여 공개하는 것임.
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