KR970013444A - 반도체 집적 회로 장치, 반도체 집적 회로 장치의 이상 원인 구명 방법 및 반도체 집적 회로 장치의 동작 검증 방법 - Google Patents

Abstract

설정한 내부 전압치를, 장치를 패키징한 후에도 분해하지 않고 알 수 있는 반도체 집적 회로 장치 및 반도체 집적 회로 장치를 이용한 반도체 집적 회로 장치의 이상 원인 구명 방법을 제공하고 있다. NAND형 EEPROM이 형성된 반도체 칩 내에 설치되어, 이 NAND형 EEPROM이 필요로 하는 기입용 내부 전압(VPP)을 발생하는 고전압 발생 회로(42)와, 이 발생회로(42)가 발생시키는 전압(VPP)의 값을 침마다 임으로 설정하는 설정 전압 선택회로(100)와, NAND형 EEPROM의 내부 신호중, 임의로 설정된 전압(VPP)의 값을 알 수 있는 신호로서, 설정용 신호(LTF)를, 칩의 밖으로 추출하기 위한 멀티플렉서(130)을 구비한다.

Description

반도체 집적 회로 장치, 반도체 집적 회로 장치의 이상 원인 구명 방법 및 반도체 집적 회로 장치의 동작 검증 방법

본 내용은 요부공개 건이므로 전문내용을 수록하지 않았음

도1은 본 발명의 제1실시 형태에 관한 NAND형 EEPROM의 블럭도.

Claims (9)

1. 집적 회로가 형성된 반도체 칩과, 상기 칩 내에 설치되어, 상기 집적 회로에 필요한 동작 전압을 발생하는 발생 수단과, 상기 발생 수단이 발생하는 동작 전압의 값을 칩마다 임의로 설정하는 설정 수단과, 상기 집적 회로의 내부 신호중, 상기 임의로 설정된 동작 전압의 값을 알 수 있는 신호를 상기 칩의 밖으로 추출하는 추출 수단을 포함하는 것을 특징으로 하는 반도체 집적 회로 장치.
2. 집적 회로가 형성된 반도체 칩과, 상기 칩 내에 설치되어, 상기 집적 회로에 필요한 동작 전압을 발생하는 발생 수단과, 상기 발생 수단이 발생하는 동작 전압의 값을 칩마다 임의로 설정하는 설정 수단과, 상기 설정 수단이 설정하는 동작 전압의 값을 반영구적으로 결정하는 결정수단과, 상기 결정 수단이 상기 동작 전압의 값을 반영구적으로 결정하기 전에, 상기 설정 수단이 설정하는 동작 전압의 값을 상기 칩의 외부에서 다양하게 변경시키는 변경수단을 포함하는 것을 특징으로 하는 반도체 집적 회로 장치.
3. 집적 회로가 형성된 반도체 칩과, 상기 칩 내에 설치되어, 상기 집적 회로에 필요한 동작 전압을 발생하는 발생 수단과, 상기 발생 수단이 발생하는 동작 전압의 값을 칩마다 임의로 설정하는 제1설정 수단과, 상기 발생 수단이 발생하는 동작 전압의 값을 칩마다 상기 제1설정 수단이 설정하는 동작 전압의 값과 상이한 다른 값으로 임의로 설정하는 제2설정 수단을 포함하는 것을 특징으로 하는 반도체 집적 회로 장치.
4. 제2항에 있어서, 상기 집적 회로의 내부 신호중, 상기 임의로 설정된 동작 전압의 값을 알 수 있는 신호를, 상기 칩의 밖으로 추출하는 추출 수단을 더 포함하는 것을 특징으로 하는 반도체 집적 회로 장치.
5. 제3항에 있어서, 상기 집적 회로의 내부 신호중에서 상기 임의로 설정된 동작 전압의 값을 알 수 있는 신호를, 상기 칩의 밖으로 추출하는 추출 수단을 더 포함하는 것을 특징으로 하는 반도체 집적 회로 장치.
6. 집적 회로가 형성된 반도체 칩과, 상기 칩 내에 설치되어, 상기 집적 회로에 필요한 동작 전압을 발생하는 발생 수단과, 상기 발생 수단이 발생하는 동작 전압의 값을 칩마다 임의로 설정하는 제1설정 수단과, 상기 발생 수단이 발생하는 동작 전압의 값을 칩마다 상기 제1설정 수단이 설정하는 동작 전압의 값과 상이한 다른 값으로 임의로 설정하는 제2설정 수단과, 상기 제1설정 수단이 설정하는 동작 전압의 값을 반영구적으로 결정하는 제1결정수단과, 상기 제1결정 수단이 상기 동작 전압의 값을 반영구적으로 결정하기 전에, 상기 제1설정 수단이 설정하는 동작 전압의 값을, 상기 칩의 외부에서 다양하게 변경시키는 제1변경수단과, 상기 제2설정 수단이 설정하는 동작 전압의 값을 반영구적으로 결정하는 제2결정수단, 상기 제2결정 수단이 상기 동작 전압의 값을 반영구적으로 결정하기 전에, 상기 제2설정 수단이 설정하는 동작 전압의 값을 상기 칩의 외부에서 다양하게 변경시키는 제2변경 수단을 포함하는 것을 특징으로 하는 반도체 집적 회로 장치.
7. 제6항에 있어서, 상기 집적 회로의 내부 신호중, 상기 임의로 설정된 동작 전압의 값을 알 수 있는 신호를, 상기 칩의 밖으로 추출하는 추출 수단을 더 포함하는 것을 특징으로 하는 반도체 집적 회로 장치.
8. 반도체 칩 내에 집적 회로에 필요한 동작 전압을 발생하는 발생 수단을 갖는 반도체 집적 회로 장치의 이상 원인 구명 방법에 있어서, 상기 집적 회로의 내부 신호중, 상기 발생 수단이 발생한 동작 전압의 값을 알 수 있는 신호를 상기 칩의 밖으로 추출하고, 상기 추출된 신호로부터 상기 발생 수단이 발생한 동작 전압의 값을 특정하고, 상기 동작 전압의 값과 상기 이상과의 인과 관계를 조사하는 것을 특징으로 하는 반도체 집적 회로 장치의 이상 원인 구명 방법.
9. 반도체 칩 내에 집적 회로에 필요한 동작 전압을 발생하는 발생 수단을 갖고,본 발생 수단이 발생하는 동작 전압의 값을 칩마다 임의로 설정할 수 있는 반도체 집적 회로 장치의 동작 검증 방법에 있어서, 상기 칩의 외부로부터 상기 설정 수단이 설정하는 동작 전압의 값을 가설정하고, 가설정된 값으로 집적 회로를 동작시키고, 이 동작을 검증하는, 이러한 조작을 반복하는 것을 특징으로 하는 반도체 집적 회로 장치의 동작 검증 방법.

   ※ 참고사항 : 최초출원 내용에 의하여 공개하는 것임.