KR900010788A - 집적회로소자의 출력 궤환 제어회로 - Google Patents
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Abstract
내용 없음
Description
본 내용은 요부공개 건이므로 전문내용을 수록하지 않았음
제1도는 집적회로 소자의 하나인 일반적인 MOS형 메모리 소자의 기본적 구성을 나타낸 블럭도, 제2도는 본 발명에 의한 집적회로 소자의 출력궤한 제어회로를 나타낸 도면.
Claims (1)
- 특정된 기능 블럭을 형성하는 셀 어레이의 기본 셀에서 독출된 미약한 신호를 증폭하여 내보내는 집적회로 소자의 출력단에 있어서, 상기한 셀에서 나오는 미약한 신호를 증폭하며 상태천이 검출블럭으로부터의 궤환 제어클럭이 인가될 디스에이블 단자를 구비한 I/O 라인 센스증폭기(SA')와, 상기한 I/O 라인 센스증폭기(SA')의 출력을 증폭하며 상태천이 검출블럭으로부터의 궤환제어클럭이 인가될 디스에이블 단자를 구비한 리드 드라이버(RD')와, 상기한 리드 드라이버(RD')의 출력 신호를 상태천이 검출블럭으로부터의 궤한제어클럭의 레벨에 따라 래치 또는 전송하는 출력 래치/전송 블럭(OLB)과, 상기한 출력 래치/전송 블럭(OLB)의 출력노드(Do)를 프리차지클럭에 동기하여 프리차지시키는 프리차지 블럭(PRB)과, 상기한 출력노드(Do)의 출력상태의 천이 여부를 검출하여 궤환제어클럭을 발생하는 상태천이 검출 블럭(STD)등을 포함하는 것에 의해, 상기한 출력노드(Do)가 프리차지 상태에서 상태천이를 일으킬 경우 상기한 상태천이 검출블럭(STD)으로부터의 궤환제어클럭이 I/O라인 센스증폭기(SA') 및 리드 드라이버(RD')를 디스에이블 시킴과 아울러 출력래치/전송 블럭(OLB)의 현 출력을 래치시킴과 동시에 데이터 흐름을 차단하며, 새로운 사이클에서 프리차지클럭에 동기하여 출력노드(Do)가 다시 프리차지 상태로 복원되는 경우 상기한 궤환 제어 클럭이 리세트 상태로 되어 상기한 I/O라인 센스증폭기(SA'), 리드 드라이버(RD') 및 래치/전송블럭(OLB)이 활성화되어 새로운 데이터 입력에 대한 통로가 형성되도록 구성된 것을 특징으로 하는 집적회로 소자의 출력 궤환 제어 회로.※ 참고사항 : 최초출원 내용에 의하여 공개하는 것임.
Priority Applications (5)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
KR1019880017888A KR910008101B1 (ko) | 1988-12-30 | 1988-12-30 | 반도체 메모리 소자의 피드백형 데이타 출력 회로 |
JP1227633A JPH0748306B2 (ja) | 1988-12-30 | 1989-09-04 | 集積回路素子の出力フィードバック制御回路 |
GB8920389A GB2227140B (en) | 1988-12-30 | 1989-09-08 | Output feedback control circuit for integrated circuit device |
DE3930932A DE3930932A1 (de) | 1988-12-30 | 1989-09-15 | Ausgangsrueckkopplungssteuerschaltung fuer integrierte schaltung |
US07/407,756 US5015891A (en) | 1988-12-30 | 1989-09-15 | Output feedback control circuit for integrated circuit device |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
KR1019880017888A KR910008101B1 (ko) | 1988-12-30 | 1988-12-30 | 반도체 메모리 소자의 피드백형 데이타 출력 회로 |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
KR900010788A true KR900010788A (ko) | 1990-07-09 |
KR910008101B1 KR910008101B1 (ko) | 1991-10-07 |
Family
ID=19280906
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
KR1019880017888A KR910008101B1 (ko) | 1988-12-30 | 1988-12-30 | 반도체 메모리 소자의 피드백형 데이타 출력 회로 |
Country Status (5)
Country | Link |
---|---|
US (1) | US5015891A (ko) |
JP (1) | JPH0748306B2 (ko) |
KR (1) | KR910008101B1 (ko) |
DE (1) | DE3930932A1 (ko) |
GB (1) | GB2227140B (ko) |
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1988
- 1988-12-30 KR KR1019880017888A patent/KR910008101B1/ko not_active IP Right Cessation
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- 1989-09-04 JP JP1227633A patent/JPH0748306B2/ja not_active Expired - Fee Related
- 1989-09-08 GB GB8920389A patent/GB2227140B/en not_active Expired - Lifetime
- 1989-09-15 US US07/407,756 patent/US5015891A/en not_active Expired - Lifetime
- 1989-09-15 DE DE3930932A patent/DE3930932A1/de active Granted
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Publication number | Publication date |
---|---|
JPH0748306B2 (ja) | 1995-05-24 |
GB8920389D0 (en) | 1989-10-25 |
GB2227140B (en) | 1993-04-07 |
DE3930932C2 (ko) | 1992-07-09 |
GB2227140A (en) | 1990-07-18 |
JPH0316092A (ja) | 1991-01-24 |
US5015891A (en) | 1991-05-14 |
DE3930932A1 (de) | 1990-07-05 |
KR910008101B1 (ko) | 1991-10-07 |
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Legal Events
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---|---|---|---|
A201 | Request for examination | ||
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G160 | Decision to publish patent application | ||
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