KR890016679A - 반도체장치 - Google Patents
반도체장치 Download PDFInfo
- Publication number
- KR890016679A KR890016679A KR1019890004598A KR890004598A KR890016679A KR 890016679 A KR890016679 A KR 890016679A KR 1019890004598 A KR1019890004598 A KR 1019890004598A KR 890004598 A KR890004598 A KR 890004598A KR 890016679 A KR890016679 A KR 890016679A
- Authority
- KR
- South Korea
- Prior art keywords
- conductive
- impurity region
- semiconductor device
- conductive impurity
- layer
- Prior art date
Links
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 title claims description 31
- 239000012535 impurity Substances 0.000 claims 26
- 239000000758 substrate Substances 0.000 claims 10
- 239000004020 conductor Substances 0.000 claims 2
Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L29/00—Semiconductor devices specially adapted for rectifying, amplifying, oscillating or switching and having potential barriers; Capacitors or resistors having potential barriers, e.g. a PN-junction depletion layer or carrier concentration layer; Details of semiconductor bodies or of electrodes thereof ; Multistep manufacturing processes therefor
- H01L29/66—Types of semiconductor device ; Multistep manufacturing processes therefor
- H01L29/68—Types of semiconductor device ; Multistep manufacturing processes therefor controllable by only the electric current supplied, or only the electric potential applied, to an electrode which does not carry the current to be rectified, amplified or switched
- H01L29/76—Unipolar devices, e.g. field effect transistors
- H01L29/772—Field effect transistors
- H01L29/78—Field effect transistors with field effect produced by an insulated gate
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L27/00—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate
- H01L27/02—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate including semiconductor components specially adapted for rectifying, oscillating, amplifying or switching and having potential barriers; including integrated passive circuit elements having potential barriers
- H01L27/0203—Particular design considerations for integrated circuits
- H01L27/0248—Particular design considerations for integrated circuits for electrical or thermal protection, e.g. electrostatic discharge [ESD] protection
- H01L27/0251—Particular design considerations for integrated circuits for electrical or thermal protection, e.g. electrostatic discharge [ESD] protection for MOS devices
- H01L27/0255—Particular design considerations for integrated circuits for electrical or thermal protection, e.g. electrostatic discharge [ESD] protection for MOS devices using diodes as protective elements
Landscapes
- Engineering & Computer Science (AREA)
- Power Engineering (AREA)
- Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
- Physics & Mathematics (AREA)
- Condensed Matter Physics & Semiconductors (AREA)
- General Physics & Mathematics (AREA)
- Computer Hardware Design (AREA)
- Ceramic Engineering (AREA)
- Metal-Oxide And Bipolar Metal-Oxide Semiconductor Integrated Circuits (AREA)
- Semiconductor Integrated Circuits (AREA)
- Insulated Gate Type Field-Effect Transistor (AREA)
Abstract
내용 없음
Description
본 내용은 요부공개 건이므로 전문내용을 수록하지 않았음
제1도는 본 발명의 1실시예에 관한 반도체장치의 단면도. 제2도는 본 발명의 1실시예에 관한 반도체장치의 패턴평면도. 제3도는 본 발명의 다른 실시예에 따른 반도체장치의 단면도.
Claims (4)
- 제1도전형 불순물층과 제2도전형 불순물층을 갖춘 반도체기판의 제1도전형 불순물층의 일부상에 형성된 절연게이트형 반도체장치와 다이오드소자로 구비되는 반도체장치에 있어서, 상기 절연게이트형 반도체장치가, 상기 반도체기판의 제1도전형 불순물층(17)의 일부상에 소오스(4) 및 드레인(5)으로 되는 제2도전형 불순물영역을 각각 형성하고, 이들 영역간의 상기 반도체기판의 제1도전형 불순물층(17)의 일부상에 얇은 절연층(6)을 매개로 게이트로 되는 도전성물질층(7)을 형성한 구조이며, 상기 다이오드소자가, 상기 반도체기판의 제1도전형 불순물층(17)의 일부에 형성된 첫번째 제2도전형 불순물영역(15)과, 상기 반도체기판의 제1도전형 불순물층(17)의 일부에 형성되면서 상기 첫번째 제2도전형 불순물영역(15)과 상기 반도체기판의 제2도전형 불순물층(13)에 의해 주위를 둘러싼 구조의 제1도전형 불순물영역(14) 및, 해당 제1도전형 불순물영역(14)의 일부상에 형성된 두번째 제2도전형 불순물영역(16)으로 구성되어 있고, 상기 절연게이트 반도체장치의 소오스(9)와 상기 다이오드소자의 첫번째 제2도전형 불순물영역(15)이 접속되고 상기 절연게이트형 반도체장치의 게이트(8)와 상기 다이오드소자의 두번째 제2도전형 불순물영역(16)이 접속되어 있는 것을 특징으로 하는 반도체장치.
- 제1항에 있어서, 절연게이트형 반도체장치가 같은 극성을 갖는 2개의 절연게이트형 반도체장치가 종속으로 접속된 것을 특징으로 하는 반도체장치.
- 제1도전형 반도체기판의 일부상에 형성된 절연게이트형 반도체장치와 다이오드소자를 갖춘 반도체장치에 있어서, 상기 절연게이트형 반도체장치가, 상기 제1도전형 불순물층(17)의 일부상에 소오스(9) 및 드레인(10)으로 되는 제2도전형 불순물영역을 각각 형성시키고, 이들 영역간 상기 제1도전형 반도체기판(17)의 일부상에 얇은 절연층(6)을 거쳐 게이트로 되는 도전성물질(7)을 형성한 구조이고, 상기 다이오드소자가, 상기 제1도전형 반도체기판(17)의 일부에 형성된 첫번째 제2도전형 불순물영역(15)과, 상기 제1도전형 반도체기판(17)의 일부상에 형성되면서 상기 첫번째 제2도전형 불순물영역(15)에 의해 주위를 둘러싸므로 전기적으로 상기 제1도전형 반도체기판(17)으로 불리된 제1도전형 불순물영역(14′) 및, 해당 제1도전형 불순물영역(14′)의 일부상에 형성된 두번째 제2도전형 불순물영역(16)으로 구성되어 있으며, 상기 절연게이트형 반도체장치의 소오스(4)와 상기 다이오드소자의 첫번째 제2도전형 불순물영역(15)이 접속되고 상기 절연게이트형 반도체장치의 게이트(7)와 상기 다이오드소자의 두번째 제2도던형 불순물영역(16)이 접속되어 있는 것을 특징으로 하는 반도체장치.
- 제3항에 있어서, 절연게이트형 반도체장치가 같은 극성을 갖는 2개의 절연게이트형 반도체장치를 종속으로 접속된 것을 특징으로 하는 반도체장치.※ 참고사항 : 최초출원 내용에 의하여 공개하는 것임.
Applications Claiming Priority (3)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP63-86622 | 1988-04-08 | ||
JP88-86622 | 1988-04-08 | ||
JP63086622A JPH0716005B2 (ja) | 1988-04-08 | 1988-04-08 | 半導体装置 |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
KR890016679A true KR890016679A (ko) | 1989-11-29 |
KR920005514B1 KR920005514B1 (ko) | 1992-07-06 |
Family
ID=13892123
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
KR1019890004598A KR920005514B1 (ko) | 1988-04-08 | 1989-04-07 | 반도체장치 |
Country Status (3)
Country | Link |
---|---|
US (1) | US4928157A (ko) |
JP (1) | JPH0716005B2 (ko) |
KR (1) | KR920005514B1 (ko) |
Families Citing this family (17)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
WO1990014690A1 (en) * | 1989-05-17 | 1990-11-29 | David Sarnoff Research Center, Inc. | Voltage stress alterable esd protection structure |
GB8911360D0 (en) * | 1989-05-17 | 1989-07-05 | Sarnoff David Res Center | Electronic charge protection devices |
US5212398A (en) * | 1989-11-30 | 1993-05-18 | Kabushiki Kaisha Toshiba | BiMOS structure having a protective diode |
JPH0465878A (ja) * | 1990-07-06 | 1992-03-02 | Fuji Electric Co Ltd | 半導体装置 |
DE69326749T2 (de) * | 1993-02-17 | 2000-05-11 | Stmicroelectronics S.R.L., Agrate Brianza | Nichtflüchtiger Speicher mit Schutzdiode |
JP3353388B2 (ja) * | 1993-06-23 | 2002-12-03 | 株式会社デンソー | 電力用半導体装置 |
JPH07106555A (ja) * | 1993-10-01 | 1995-04-21 | Mitsubishi Electric Corp | 入力保護回路 |
US5682047A (en) * | 1995-06-07 | 1997-10-28 | Lsi Logic Corporation | Input-output (I/O) structure with capacitively triggered thyristor for electrostatic discharge (ESD) protection |
US5637887A (en) * | 1995-06-07 | 1997-06-10 | Lsi Logic Corporation | Silicon controller rectifier (SCR) with capacitive trigger |
EP0757389B1 (en) * | 1995-07-31 | 2001-09-26 | STMicroelectronics S.r.l. | High voltage driver circuit for inductive loads |
US6794719B2 (en) * | 2001-06-28 | 2004-09-21 | Koninklijke Philips Electronics N.V. | HV-SOI LDMOS device with integrated diode to improve reliability and avalanche ruggedness |
US7719091B2 (en) * | 2002-06-28 | 2010-05-18 | M/A-Com Technology Solutions Holdings, Inc. | Diode with improved switching speed |
KR100790475B1 (ko) * | 2006-09-22 | 2008-01-02 | 주식회사 애버드 | 전원라인을 이용한 데이터 통신방법 및 장치 |
GB2449514B (en) * | 2007-01-26 | 2011-04-20 | Filtronic Compound Semiconductors Ltd | A diode assembly |
US9806190B2 (en) * | 2010-10-28 | 2017-10-31 | Texas Instruments Incorporated | High voltage drain extension on thin buried oxide SOI |
US8964341B2 (en) * | 2012-04-26 | 2015-02-24 | Globalfoundries Singapore Pte. Ltd. | Gate dielectric protection |
JP6539035B2 (ja) | 2014-01-08 | 2019-07-03 | ローム株式会社 | チップ部品 |
Family Cites Families (8)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US4044373A (en) * | 1967-11-13 | 1977-08-23 | Hitachi, Ltd. | IGFET with gate protection diode and antiparasitic isolation means |
US4595941A (en) * | 1980-12-03 | 1986-06-17 | Rca Corporation | Protection circuit for integrated circuit devices |
US4402003A (en) * | 1981-01-12 | 1983-08-30 | Supertex, Inc. | Composite MOS/bipolar power device |
US4400711A (en) * | 1981-03-31 | 1983-08-23 | Rca Corporation | Integrated circuit protection device |
JPS5825264A (ja) * | 1981-08-07 | 1983-02-15 | Hitachi Ltd | 絶縁ゲート型半導体装置 |
JPS58192359A (ja) * | 1982-05-07 | 1983-11-09 | Hitachi Ltd | 半導体装置 |
JPS60247940A (ja) * | 1984-05-23 | 1985-12-07 | Hitachi Ltd | 半導体装置およびその製造方法 |
JPS63228667A (ja) * | 1987-03-18 | 1988-09-22 | Hitachi Ltd | 半導体装置 |
-
1988
- 1988-04-08 JP JP63086622A patent/JPH0716005B2/ja not_active Expired - Fee Related
-
1989
- 1989-04-05 US US07/333,370 patent/US4928157A/en not_active Expired - Lifetime
- 1989-04-07 KR KR1019890004598A patent/KR920005514B1/ko not_active IP Right Cessation
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
JPH0716005B2 (ja) | 1995-02-22 |
US4928157A (en) | 1990-05-22 |
JPH01258470A (ja) | 1989-10-16 |
KR920005514B1 (ko) | 1992-07-06 |
Similar Documents
Publication | Publication Date | Title |
---|---|---|
KR890016679A (ko) | 반도체장치 | |
KR870005464A (ko) | 반도체장치 | |
KR850005733A (ko) | 반도체 기억장치 | |
KR890003036A (ko) | 반도체장치 | |
KR880004580A (ko) | 전력 mosfet와 제어회로가 통합된 반도체소자 | |
KR920013780A (ko) | 고전압 용도에 적합한 직접 회로 장치 | |
KR970072395A (ko) | 반도체 장치 | |
KR850000804A (ko) | 반도체 장치 | |
KR920007199A (ko) | 반도체기억장치 | |
KR900004022A (ko) | 불휘발성 반도체 기억장치 | |
KR910003661A (ko) | 불휘발성 반도체장치 | |
KR910019235A (ko) | 반도체기억장치 | |
KR900019261A (ko) | 반도체장치 | |
KR880700466A (ko) | 정전기 보호 집적 회로 | |
KR920015577A (ko) | 반도체장치 | |
KR870008395A (ko) | 절연게이트 전계효과 트랜지스터 | |
KR910019260A (ko) | 반도체장치및 그의 제조방법 | |
JPS56162875A (en) | Semiconductor device | |
KR910010656A (ko) | 대전력용 반도체장치 | |
KR900002462A (ko) | 반도체 장치 | |
KR900013654A (ko) | 반도체 장치 | |
KR910008844A (ko) | 반도체 장치 | |
KR920001749A (ko) | 개량된 절연게이트형 트랜지스터를 갖는 반도체장치 | |
KR850005169A (ko) | 우물영역을 갖는 반도체기판상에 형성되는 mis형 반도체장치 | |
KR910020740A (ko) | 반도체기억장치 |
Legal Events
Date | Code | Title | Description |
---|---|---|---|
A201 | Request for examination | ||
E902 | Notification of reason for refusal | ||
G160 | Decision to publish patent application | ||
E701 | Decision to grant or registration of patent right | ||
GRNT | Written decision to grant | ||
FPAY | Annual fee payment |
Payment date: 20060630 Year of fee payment: 15 |
|
LAPS | Lapse due to unpaid annual fee |