KR890016679A - 반도체장치 - Google Patents

반도체장치 Download PDF

Info

Publication number
KR890016679A
KR890016679A KR1019890004598A KR890004598A KR890016679A KR 890016679 A KR890016679 A KR 890016679A KR 1019890004598 A KR1019890004598 A KR 1019890004598A KR 890004598 A KR890004598 A KR 890004598A KR 890016679 A KR890016679 A KR 890016679A
Authority
KR
South Korea
Prior art keywords
conductive
impurity region
semiconductor device
conductive impurity
layer
Prior art date
Application number
KR1019890004598A
Other languages
English (en)
Other versions
KR920005514B1 (ko
Inventor
다이라 마츠나가
다카시 기무라
Original Assignee
아오이 죠이치
가부시키가이샤 도시바
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by 아오이 죠이치, 가부시키가이샤 도시바 filed Critical 아오이 죠이치
Publication of KR890016679A publication Critical patent/KR890016679A/ko
Application granted granted Critical
Publication of KR920005514B1 publication Critical patent/KR920005514B1/ko

Links

Classifications

    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L29/00—Semiconductor devices specially adapted for rectifying, amplifying, oscillating or switching and having potential barriers; Capacitors or resistors having potential barriers, e.g. a PN-junction depletion layer or carrier concentration layer; Details of semiconductor bodies or of electrodes thereof ; Multistep manufacturing processes therefor
    • H01L29/66—Types of semiconductor device ; Multistep manufacturing processes therefor
    • H01L29/68—Types of semiconductor device ; Multistep manufacturing processes therefor controllable by only the electric current supplied, or only the electric potential applied, to an electrode which does not carry the current to be rectified, amplified or switched
    • H01L29/76—Unipolar devices, e.g. field effect transistors
    • H01L29/772—Field effect transistors
    • H01L29/78—Field effect transistors with field effect produced by an insulated gate
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L27/00—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate
    • H01L27/02—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate including semiconductor components specially adapted for rectifying, oscillating, amplifying or switching and having potential barriers; including integrated passive circuit elements having potential barriers
    • H01L27/0203—Particular design considerations for integrated circuits
    • H01L27/0248—Particular design considerations for integrated circuits for electrical or thermal protection, e.g. electrostatic discharge [ESD] protection
    • H01L27/0251—Particular design considerations for integrated circuits for electrical or thermal protection, e.g. electrostatic discharge [ESD] protection for MOS devices
    • H01L27/0255—Particular design considerations for integrated circuits for electrical or thermal protection, e.g. electrostatic discharge [ESD] protection for MOS devices using diodes as protective elements

Landscapes

  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • Power Engineering (AREA)
  • Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
  • Physics & Mathematics (AREA)
  • Condensed Matter Physics & Semiconductors (AREA)
  • General Physics & Mathematics (AREA)
  • Computer Hardware Design (AREA)
  • Ceramic Engineering (AREA)
  • Metal-Oxide And Bipolar Metal-Oxide Semiconductor Integrated Circuits (AREA)
  • Semiconductor Integrated Circuits (AREA)
  • Insulated Gate Type Field-Effect Transistor (AREA)

Abstract

내용 없음

Description

반도체장치
본 내용은 요부공개 건이므로 전문내용을 수록하지 않았음
제1도는 본 발명의 1실시예에 관한 반도체장치의 단면도. 제2도는 본 발명의 1실시예에 관한 반도체장치의 패턴평면도. 제3도는 본 발명의 다른 실시예에 따른 반도체장치의 단면도.

Claims (4)

  1. 제1도전형 불순물층과 제2도전형 불순물층을 갖춘 반도체기판의 제1도전형 불순물층의 일부상에 형성된 절연게이트형 반도체장치와 다이오드소자로 구비되는 반도체장치에 있어서, 상기 절연게이트형 반도체장치가, 상기 반도체기판의 제1도전형 불순물층(17)의 일부상에 소오스(4) 및 드레인(5)으로 되는 제2도전형 불순물영역을 각각 형성하고, 이들 영역간의 상기 반도체기판의 제1도전형 불순물층(17)의 일부상에 얇은 절연층(6)을 매개로 게이트로 되는 도전성물질층(7)을 형성한 구조이며, 상기 다이오드소자가, 상기 반도체기판의 제1도전형 불순물층(17)의 일부에 형성된 첫번째 제2도전형 불순물영역(15)과, 상기 반도체기판의 제1도전형 불순물층(17)의 일부에 형성되면서 상기 첫번째 제2도전형 불순물영역(15)과 상기 반도체기판의 제2도전형 불순물층(13)에 의해 주위를 둘러싼 구조의 제1도전형 불순물영역(14) 및, 해당 제1도전형 불순물영역(14)의 일부상에 형성된 두번째 제2도전형 불순물영역(16)으로 구성되어 있고, 상기 절연게이트 반도체장치의 소오스(9)와 상기 다이오드소자의 첫번째 제2도전형 불순물영역(15)이 접속되고 상기 절연게이트형 반도체장치의 게이트(8)와 상기 다이오드소자의 두번째 제2도전형 불순물영역(16)이 접속되어 있는 것을 특징으로 하는 반도체장치.
  2. 제1항에 있어서, 절연게이트형 반도체장치가 같은 극성을 갖는 2개의 절연게이트형 반도체장치가 종속으로 접속된 것을 특징으로 하는 반도체장치.
  3. 제1도전형 반도체기판의 일부상에 형성된 절연게이트형 반도체장치와 다이오드소자를 갖춘 반도체장치에 있어서, 상기 절연게이트형 반도체장치가, 상기 제1도전형 불순물층(17)의 일부상에 소오스(9) 및 드레인(10)으로 되는 제2도전형 불순물영역을 각각 형성시키고, 이들 영역간 상기 제1도전형 반도체기판(17)의 일부상에 얇은 절연층(6)을 거쳐 게이트로 되는 도전성물질(7)을 형성한 구조이고, 상기 다이오드소자가, 상기 제1도전형 반도체기판(17)의 일부에 형성된 첫번째 제2도전형 불순물영역(15)과, 상기 제1도전형 반도체기판(17)의 일부상에 형성되면서 상기 첫번째 제2도전형 불순물영역(15)에 의해 주위를 둘러싸므로 전기적으로 상기 제1도전형 반도체기판(17)으로 불리된 제1도전형 불순물영역(14′) 및, 해당 제1도전형 불순물영역(14′)의 일부상에 형성된 두번째 제2도전형 불순물영역(16)으로 구성되어 있으며, 상기 절연게이트형 반도체장치의 소오스(4)와 상기 다이오드소자의 첫번째 제2도전형 불순물영역(15)이 접속되고 상기 절연게이트형 반도체장치의 게이트(7)와 상기 다이오드소자의 두번째 제2도던형 불순물영역(16)이 접속되어 있는 것을 특징으로 하는 반도체장치.
  4. 제3항에 있어서, 절연게이트형 반도체장치가 같은 극성을 갖는 2개의 절연게이트형 반도체장치를 종속으로 접속된 것을 특징으로 하는 반도체장치.
    ※ 참고사항 : 최초출원 내용에 의하여 공개하는 것임.
KR1019890004598A 1988-04-08 1989-04-07 반도체장치 KR920005514B1 (ko)

Applications Claiming Priority (3)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP63-86622 1988-04-08
JP88-86622 1988-04-08
JP63086622A JPH0716005B2 (ja) 1988-04-08 1988-04-08 半導体装置

Publications (2)

Publication Number Publication Date
KR890016679A true KR890016679A (ko) 1989-11-29
KR920005514B1 KR920005514B1 (ko) 1992-07-06

Family

ID=13892123

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
KR1019890004598A KR920005514B1 (ko) 1988-04-08 1989-04-07 반도체장치

Country Status (3)

Country Link
US (1) US4928157A (ko)
JP (1) JPH0716005B2 (ko)
KR (1) KR920005514B1 (ko)

Families Citing this family (17)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
WO1990014690A1 (en) * 1989-05-17 1990-11-29 David Sarnoff Research Center, Inc. Voltage stress alterable esd protection structure
GB8911360D0 (en) * 1989-05-17 1989-07-05 Sarnoff David Res Center Electronic charge protection devices
US5212398A (en) * 1989-11-30 1993-05-18 Kabushiki Kaisha Toshiba BiMOS structure having a protective diode
JPH0465878A (ja) * 1990-07-06 1992-03-02 Fuji Electric Co Ltd 半導体装置
DE69326749T2 (de) * 1993-02-17 2000-05-11 Stmicroelectronics S.R.L., Agrate Brianza Nichtflüchtiger Speicher mit Schutzdiode
JP3353388B2 (ja) * 1993-06-23 2002-12-03 株式会社デンソー 電力用半導体装置
JPH07106555A (ja) * 1993-10-01 1995-04-21 Mitsubishi Electric Corp 入力保護回路
US5682047A (en) * 1995-06-07 1997-10-28 Lsi Logic Corporation Input-output (I/O) structure with capacitively triggered thyristor for electrostatic discharge (ESD) protection
US5637887A (en) * 1995-06-07 1997-06-10 Lsi Logic Corporation Silicon controller rectifier (SCR) with capacitive trigger
EP0757389B1 (en) * 1995-07-31 2001-09-26 STMicroelectronics S.r.l. High voltage driver circuit for inductive loads
US6794719B2 (en) * 2001-06-28 2004-09-21 Koninklijke Philips Electronics N.V. HV-SOI LDMOS device with integrated diode to improve reliability and avalanche ruggedness
US7719091B2 (en) * 2002-06-28 2010-05-18 M/A-Com Technology Solutions Holdings, Inc. Diode with improved switching speed
KR100790475B1 (ko) * 2006-09-22 2008-01-02 주식회사 애버드 전원라인을 이용한 데이터 통신방법 및 장치
GB2449514B (en) * 2007-01-26 2011-04-20 Filtronic Compound Semiconductors Ltd A diode assembly
US9806190B2 (en) * 2010-10-28 2017-10-31 Texas Instruments Incorporated High voltage drain extension on thin buried oxide SOI
US8964341B2 (en) * 2012-04-26 2015-02-24 Globalfoundries Singapore Pte. Ltd. Gate dielectric protection
JP6539035B2 (ja) 2014-01-08 2019-07-03 ローム株式会社 チップ部品

Family Cites Families (8)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US4044373A (en) * 1967-11-13 1977-08-23 Hitachi, Ltd. IGFET with gate protection diode and antiparasitic isolation means
US4595941A (en) * 1980-12-03 1986-06-17 Rca Corporation Protection circuit for integrated circuit devices
US4402003A (en) * 1981-01-12 1983-08-30 Supertex, Inc. Composite MOS/bipolar power device
US4400711A (en) * 1981-03-31 1983-08-23 Rca Corporation Integrated circuit protection device
JPS5825264A (ja) * 1981-08-07 1983-02-15 Hitachi Ltd 絶縁ゲート型半導体装置
JPS58192359A (ja) * 1982-05-07 1983-11-09 Hitachi Ltd 半導体装置
JPS60247940A (ja) * 1984-05-23 1985-12-07 Hitachi Ltd 半導体装置およびその製造方法
JPS63228667A (ja) * 1987-03-18 1988-09-22 Hitachi Ltd 半導体装置

Also Published As

Publication number Publication date
JPH0716005B2 (ja) 1995-02-22
US4928157A (en) 1990-05-22
JPH01258470A (ja) 1989-10-16
KR920005514B1 (ko) 1992-07-06

Similar Documents

Publication Publication Date Title
KR890016679A (ko) 반도체장치
KR870005464A (ko) 반도체장치
KR850005733A (ko) 반도체 기억장치
KR890003036A (ko) 반도체장치
KR880004580A (ko) 전력 mosfet와 제어회로가 통합된 반도체소자
KR920013780A (ko) 고전압 용도에 적합한 직접 회로 장치
KR970072395A (ko) 반도체 장치
KR850000804A (ko) 반도체 장치
KR920007199A (ko) 반도체기억장치
KR900004022A (ko) 불휘발성 반도체 기억장치
KR910003661A (ko) 불휘발성 반도체장치
KR910019235A (ko) 반도체기억장치
KR900019261A (ko) 반도체장치
KR880700466A (ko) 정전기 보호 집적 회로
KR920015577A (ko) 반도체장치
KR870008395A (ko) 절연게이트 전계효과 트랜지스터
KR910019260A (ko) 반도체장치및 그의 제조방법
JPS56162875A (en) Semiconductor device
KR910010656A (ko) 대전력용 반도체장치
KR900002462A (ko) 반도체 장치
KR900013654A (ko) 반도체 장치
KR910008844A (ko) 반도체 장치
KR920001749A (ko) 개량된 절연게이트형 트랜지스터를 갖는 반도체장치
KR850005169A (ko) 우물영역을 갖는 반도체기판상에 형성되는 mis형 반도체장치
KR910020740A (ko) 반도체기억장치

Legal Events

Date Code Title Description
A201 Request for examination
E902 Notification of reason for refusal
G160 Decision to publish patent application
E701 Decision to grant or registration of patent right
GRNT Written decision to grant
FPAY Annual fee payment

Payment date: 20060630

Year of fee payment: 15

LAPS Lapse due to unpaid annual fee