KR100991573B1 - 나노센서 - Google Patents

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KR100991573B1
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찰스 엠. 리버
박홍군
큉키아오 웨이
이 쿠이
웬지 리앙
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프레지던트 앤드 펠로우즈 오브 하버드 칼리지
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Abstract

나노와이어들로 구성된 전기 장치들이 그들의 제조 및 사용 방법과 함께 설명된다. 상기 나노와이어는 코어 영역과 상기 코어 영역을 둘러싸는 외측 영역을 포함하는 나노와이어일 수 있다. 나노와이어들의 표면은 선택적으로 기능화될 수 있다. 나노검출기 장치들이 설명된다.
나노검출기 장치, 나노와이어, 마이크로채널, 반응 엔티티, 어날라이트, 나노센서

Description

나노센서{NANOSENSORS}
본 발명은 국립 과학 재단 승인 제981226호 및 네이벌 연구소 협정 번호 제N00014-00-0-0476호에 의해 후원되었다. 정부는 본 발명에 일정 권리를 갖는다.
본 출원은, 2001년 5월 18일자로 출원된 "나노와이어 및 나노튜브 나노센서" 및 2000년 12월 11일자로 출원된 "나노와이어 및 나노튜브 나노센서" 각각이 본 명세서에서 참조되어, 일반적으로 소유되고, 미국 가특허 출원 일련번호 제60/292,035호에 대해 35 U.S.C. §119(e)하에 우선권을 주장한다.
본 발명은 일반적으로 나노와이어 및 나노스케일 장치에 관한 것이며 특히, 샘플에 존재하도록 기대되는 분해자의 존재 또는 부재를 검출하기 위한 나노와이어 또는 기능적 나노와이어를 갖는 나노스케일 장치 및 이와 동일하게 사용하기 위한 방법에 관한 것이다.
나노와이어는 이상적으로 대전 운반체 및 엑시톤의 효과적인 수송에 적합하므로, 나노스케일 전자 및 광전자 공학에 대한 중요한 빌딩 블록이 되도록 예상된다. 탄소 나노튜브에서 전기 수송의 연구는 전계 효과 트랜지스터, 단일 전자 트랜지스터 및 조정 접합점의 생성을 유도한다.
본 발명은 일련의 나노스케일 장치 및 이와 동일하게 사용되는 방법을 제공한다.
일 태양에서, 본 발명은 나노스케일 장치를 제공한다. 장치는 샘플 노출 영역 및 나노와이어에 의해 형성되고, 나노와이어의 적어도 일부는 샘플 노출 구역에서 샘플에 의해 접근 가능하다(addressable). 일 실시예에서, 장치는 나노와이어와 관련된 특성을 판단할 수 있도록 검출기를 더 포함한다.
다른 실시예에서, 장치는 샘플 노출 영역 및 나노와이어를 포함하는 샘플 카세트이다. 나노와이어의 적어도 일부분은 샘플 노출 구역에서 샘플에 의해 접근 가능하고, 샘플 카세트는 나노와이어로 합체된 특성을 판단할 수 있는 검출기로 효과적으로 접속될 수 있다.
다른 실시예에서, 장치는 적어도 하나의 나노와이어의 특성으로 변화를 측정하기 위한 적어도 하나의 나노와이어 및 수단을 포함하는 센서이다.
다른 실시예에서, 장치는 벌크 나노와이어의 코어 영역 및 기능적 부분의 외부 영역을 포함하는 기능적 나노와이어를 포함한다.
본 발명의 다른 태양은 나노와이어가 어날라이트(analyte)를 포함하는 것으로 예상되는 샘플과 접촉될 때 나노와이어의 특성 변화를 판단하는 방법을 제공한다.
다른 방법은 나노와이어가 약 10 마이크로리터보다 적은 양을 갖는 샘플과 접촉될 때 나노와이어와 합체된 특성에서 변화 측정을 포함한다.
다른 방법은 어날라이트를 포함하는 것으로 예상되는 샘플에서 어날라이트의 존재 또는 양의 판단을 포함한다. 나노와이어와 샘플의 접촉에 의해 발생되는 나노와이어의 특성의 변화가 측정된다.
어날라이트를 검출하기 위한 다른 방법은 샘플을 갖는 나노와이어와 접촉 및 나노와이어와 합체된 특성의 판단을 포함한다. 나노와이어의 특성에서 변화는 샘플에서 어날라이트의 존재 또는 양을 나타낸다.
다른 방법은 샘플을 갖는 전기 도체와 접촉하고 접촉의 결과인 도체의 특성에서 변화를 측정함으로써 샘플에서 어날라이트의 존재 또는 양의 판단을 포함한다. 10 분자량 보다 적은 어날라이트는 특성에서 변화에 기여한다.
본 발명의 다른 태양은 나노와이어 센서, 단일 해석기, 단일 피드백 구성요소 및 간섭 이동 구성요소를 포함하는 일체형 다기능 시스템을 제공한다.
본 발명의 다른 태양은 반도체 나노와이어를 포함하는 나노와이어 센서 장치 및 선택된 부분에 대해 특이성을 갖는 결합 협력자를 포함한다. 나노와이어는 또한 소스 전극을 형성하도록 도체와 전기 접촉하는 제1 단부 및 드레인 전극을 형성하도록 도체와 접촉하는 제2 단부를 갖는다.
본 발명의 다른 태양은 소정의 전류-전압 특성을 갖는 어날라이트-게이트 전계 효과 트랜지스터를 포함하고 화학적 또는 생물적 센서로서 사용하기 위해 적용된다. 전계 효과 트랜지스터는 제1 절연 재료, 소스 전극, 드레인 전극 및 소스와 드레인 전극 사이에 배치된 반도체 나노와이어로 형성된 기판과 나노와이어의 표면상에 배치된 어날라이트-특이성 결합 파트너를 포함한다. 대상 어날라이트 및 결합 협력자 사이의 결합 이벤트 발생은 전계 효과 트랜지스터의 전류-전압 특성에서 검출가능한 변화를 야기한다. 본 발명의 다른 태양은 적어도 100 어날라이트 게이트 전계 효과 트랜지스터의 어레이를 제공한다.
본 발명의 다른 장점, 신규한 특징 및 목적들은, 개략적이며 범위 내에 제한되지 않는 첨부한 도면과 결합하여 고려될 때, 본 발명의 실시예에 제한되지 않는 다음의 상세한 설명으로부터 명백할 것이다. 도면에서, 다양한 도면으로 도시된 동일하거나 거의 동일한 각각의 구성요소는 하나의 도면 부호로 표현된다. 본 발명을 명확히 하기 위해서, 모든 구성요소를 모든 도면에서 나타내지 않고, 이 기술분야의 당업자가 본 발명을 이해하는데 필수적이지 않은 본 발명의 모든 실시예의 모든 구성요소도 도시하지 않았다.
본 발명은 기능화된 나노와이어를 포함하는 일련의 기술 및 장치를 제공할 수 있다.
본 발명은 나노와이어를 포함하는 일련의 기술 및 장치를 제공한다. 본 발명의 일 태양은 기능화된 나노와이어를 제공한다. 나노와이어에 대한 이용이 많이 개발되어져 왔지만, 상이하고 더욱 중요한 이용은 나노와이어가 그 표면에서 또는 그 표면에 인접한 부분에서 기능화되는 본 발명에 의해 용이하게 된다. 하나의 특 정한 경우에, (예를 들어, 반응 엔티티에 의해) 균일하게 또는 불균일하게 기능화됨에 의해, 기능화된 나노와이어와 다양한 물질, 예를 들면 분자 물질의 상호작용이 가능하게 되고, 상기 상호작용은 기능화된 나노와이어의 특성의 변화를 발생시키며, 이는 나노스케일 센서 장치용 기구를 제공할 수 있다. 본 발명의 다른 태양은 나노와이어 또는 기능화된 나노와이어를 포함하는 센서이다. 본 발명의 다른 태양은 이하에서 더욱 상세히 기술된다.
여기 사용된 바와 같이, "나노와이어"는 길이에 따른 임의의 지점에서 연장된 나노스케일 반도체이며, 적어도 하나의 단면 치수를 갖고, 임의의 경우에, 두 직각 교차 치수가 500 나노미터보다 적고, 양호하게는 200 나노미터보다 적고, 더욱 양호하게는 150 나노미터보다 적고, 더욱 양호하게는 70 나노미터보다 적고, 더욱 양호하게는 50 나노미터보다 적고, 더욱 양호하게는 20 나노미터보다 적고, 더욱 양호하게는 10 나노미터보다 적고, 더욱 양호하게는 50 나노미터보다 적다. 다른 실시예에서, 단면 치수는 2 나노미터 또는 1 나노미터보다 적을 수 있다. 실시예의 일 세트에서, 나노와이어는 0.5 나노미터부터 200 나노미터까지의 범위에서 적어도 하나의 단면 치수를 갖는다. 나노와이어가 핵(코어) 및 외부 영역을 갖도록 설명될 때, 상기 치수는 핵에 관한 것이다. 연장된 반도체의 단면은 원형, 정사각형, 직사각형, 타원형 및 관형에 제한되지 않지만, 이를 포함하는 임의의 형상을 가질 수 있다. 규칙 및 불규칙한 형상도 포함된다. 본 발명의 나노와이어가 형성될 수 있는 재료의 예에 제한되지 않은 리스트는 이하에 나타난다. 나노튜브는 본 발명에서 이용법을 발견한 한 종류의 나노와이어이며, 일 실시예에서, 본 발명의 장치는 나노튜브를 갖는 같은 크기의 와이어를 포함한다. 여기에서 사용된 바와 같이, "나노튜브"는 중공의(hollow) 핵을 갖는 나노와이어이고, 이 기술 분야의 당업자에게 알려진 나노와이어를 포함한다. "비-나노튜브 나노와이어"는 나노튜브가 아닌 임의의 나노와이어이다. 본 발명의 실시예의 일 세트에서, (이것이 위치된 환경의 나노튜브에서 고유하지 않은 보조 반응 엔티티을 포함하지 않는) 수정되지 않은 표면을 갖는 비-나노튜브 나노와이어는 나노와이어 또는 나노튜브가 사용될 수 있을 때 여기서 기술된 본 발명의 임의의 장치로 이용된다. "와이어"는 적어도 반도체 또는 금속만큼의 전도성을 갖는 임의의 재료를 의미한다. 예를 들어, "전기 전도성" 또는 "전도체"라는 용어가, "전도성" 와이어 또는 나노와이어와 관련해 사용될 때, 전하가 그 자체를 통과하기 위한 와이어의 능력을 의미한다. 양호하게 전기 전도성 재료는 대략 10-3이하, 더욱 양호하게는 10-4이하, 가장 양호하게는 10-6 또는 10-7 옴미터 이하의 저항을 갖는다.
본 발명은 나노와이어(들)가 노출된 샘플에서 어날라이트(analyte)를 판단하기 위해 구성되고 배열된 시스템의 일부를 양호하게 형성하는 하나의 나노와이어 또는 나노와이어들을 포함한다. 문단에서, "판단"은 샘플에서 어날라이트의 양 및/또는 존재를 판단하는 것을 의미한다. 어날라이트의 존재는 나노와이어에서 특성, 전형적으로 전기 특성 또는 광학 특성에서 변화를 판단함으로써 판단될 수 있다. 예를 들어, 어날라이트는 나노와이어 또는 광학 특성의 전기 전도성에서 검출가능한 변화를 야기한다. 일 실시예에서, 나노와이어는 어날라이트를 판단하기 위 한 고유의 능력을 포함한다. 나노와이어는 기능화될 수 있는데, 즉, 나노와이어는 어날라이트가 결합하여 상기 나노와이어에 측정가능한 특성 변화를 유도하도록 표면 기능적 부분을 포함할 수 있다. 결합 이벤트는 특이성 또는 비특이성일 수 있다. 기능적 부분은 -OH, -CHO, -COOH, -SO3H, -CN, -NH2, -SH, -COSH, COOR, 활로겐화물에 제한되지 않지만, 이를 포함하는 그룹으로부터 선택된 단순한 그룹; 아미노산, 단백질, 당, DNA, 항체, 항원 및 효소에 제한되지 않지만 이를 포함하는 생체 고분자물; 폴리아미드, 폴리에스테르, 폴리이미드, 폴리아크릴에 제한되지 않지만, 이를 포함하는 중합체 그룹으로부터 선택된 나노와이어 핵의 직경보다 적은 사슬 길이를 갖는 합체된 중합체 사슬; 금속 요소, 산화물, 황화물, 질화물, 셀레나이드, 중합체 및 중합체 겔이 될 수 있는 금속, 반도체 및 절연체의 금속 그룹에 제한되지 않지만 이를 포함하는 나노와이어 핵의 표면을 피복하는 얇은 코팅을 포함한다. 다른 실시예에서, 본 발명은 어날라이트가 나노와이어의 특성에서 변화를 판단함으로써 판단될 수 있는 것처럼 나노와이어와 관련하여 위치된, 어날라이트와 상호작용하는 반응 엔티티 및 나노와이어를 포함한다.
"반응 엔티티"라는 용어는 어날라이트와 상호작용하여 나노와이어의 특성에서의 검출가능한 변화를 야기할 수 있는 임의의 물질을 의미한다. 반응 엔티티는 나노와이어 및 어날라이트 사이의 반응을 강화할 수 있거나, 나노와이어에 대해 높은 친화력을 갖는 새로운 화학적 종을 생성하거나, 나노와이어 주변에 어날라이트를 강화할 수 있다. 반응 엔티티는 어날라이트를 결합하도록 결합 협력자를 포함 할 수 있다. 예를 들어, 반응 엔티티는 핵산, 항체, 당, 탄수화물 또는 단백질이 될 수 있다. 이와 달리, 반응 엔티티는 중합체, 촉매 또는 양자점이 될 수 있다. 촉매인 반응 엔티티는 나노와이어에서 검출가능한 변화를 야기하는 제품을 발생하고, 즉 나노와이어와 전기적으로 결합된 제품의 임의적 결합 협력자로 결합에 의한 어날라이트를 포함하는 반응을 촉진시킬 수 있다. 다른 예의 반응 엔티티는 나노와이어에서 검출가능한 변화를 야기할 수 있는 제품을 생산하는, 어날라이트와 반응하는 반응 엔티티이다. 반응 엔티티는 나노와이어 상의 코팅, 즉 나노와이어에서 검출가능한 변화를 차례로 야기하는 중합체의 전도체에서 변화를 야기하는 분자, 예를 들어 기체 샘플을 인식하는 중합체의 코팅을 포함할 수 있다.
"양자점"이라는 용어는 이 기술 분야에서 당업자에게 알려져 있고, 일반적으로 도트의 크기에 의존하여 상이한 색상에서 빛을 흡수하고 재빨리 재방출하는 반도체 또는 금속 나노입자를 의미한다. 예를 들어, 5 나노미터 양자점이 붉은색 빛을 방출하는 동안, 2 나노미터 양자점은 초록색 빛을 방출한다. 카드뮴 셀레나이드 양자점 나노촉매는 캘리포니아, 헤이워드의 퀀텀 도트(Quantum Dot)사로부터 입수가능하다.
"결합 협력자"라는 용어는 특이성 어날라이트와 함께 결합을 경험할 수 있는 분자 또는 그 "결합 협력자"는 이 기술 분야에서 당업자에게 알려진 특이성, 반특이성, 비특이성 결합 협력자를 포함한다. 예를 들어, 단백질 A는 대개 "비특이성" 또는 반특이성 바인더로 여겨진다. 결합 협력자(예를 들어, 단백질, 핵산, 항체 등)를 참조할 때, "특이성 바인드"라는 용어는 불균일 분자(예를 들어, 단백질 및 다른 생물 체제)의 혼합물에서 바인딩 쌍의 하나 또는 다른 멤버의 존재 및/또는 동일성을 판단하는 반응을 의미한다. 따라서, 예를 들어, 수용체/리간드 결합 쌍의 경우에, 리간드는 분자의 복합 혼합물 또는 그 반대로부터 수용체를 명확하게 및/또는 우선적으로 선택한다. 효소는 특히 기판에 결합하고, 핵산은 특히 그 상보물에 결합하고, 항체는 특히 항원에 결합한다. 다른 실시예는 그 상보물에 특히 결합하는(잡종이 되는) 핵산 및 항원 등과 특히 결합하는 항체를 포함한다.
결합은 이온 상호작용 및/또는 전자쌍 공유 상호작용 및/또는 하이드로포빅 상호작용 및/또는 반데르 발스 상호작용 등에 제한되지 않지만, 이를 포함하는 다양한 메카니즘 중의 하나 또는 그 이상일 수 있다.
"유체"라는 용어는 용기의 윤곽을 유동하고 일치하는 물질로서 정의된다. 전형적으로 유체는 정지 절단력을 철회할 수 없는 재료이다. 절단력이 유체에 가해질 때, 이것은 연속적이고 영구적인 변형을 경험한다. 전형적 유체는 액체 및 기체를 포함하지만, 자유 유동 고체 입자도 포함할 수 있다.
"샘플"이라는 용어는 임의의 세포, 조직, 또는 생물적 소스("생물학적 샘플")로부터 유체 또는 세럼 또는 물 등을 포함하는, 본 발명에 따라 평가된 생물학적 또는 비생물학적 임의의 다른 매체를 의미한다. 샘플은 생물로부터 도출된 생물학적 샘플(예를 들어, 인간, 인간이 아닌 동물, 무척추 동물, 식물, 진균류, 조류, 박테리아 및 바이러스 등)에 제한되지 않지만, 인간 소비에 대해 설계된 식량으로부터 도출된 샘플, 가축 식량, 우유, 장기 기증 샘플 등 동물 소비에 대해 설계된 식량을 포함하는 샘플, 혈액 공급에 대해 설계된 혈액의 샘플, 물 공급 등으 로부터의 샘플을 포함한다. 샘플의 일 실시예는 특정 핵산 결과물의 존재 또는 부재를 판단하도록 인간 또는 동물로부터 도출된 샘플이다.
"함유가 예상되는 샘플"은 특정 구성요소가 공지되지 않은 구성요소의 함유물과 관련한 샘플을 의미한다. 예를 들어, 질병을 갖는다고 공지되지는 않았지만, 퇴행성 질병 또는 비퇴행성 질병 등, 질병을 갖는다고 예상되는 인간으로부터 유체 샘플은 퇴행성 질병의 포함이 예상되는 샘플을 의미한다. 문단에서 "샘플"은 인간 또는 다른 동물로부터 생리학적 샘플 등 자연 발생 샘플 및 가축에게 공급되는 식량 등으로부터의 샘플을 포함한다. 인간 또는 동물로부터 취득된 전형적인 샘플은 조직 생체검사, 세포, 전혈(whole blood), 세럼 또는 다른 피 조각, 소변, 시각적 분비물, 타액, 중추신경 분비물, 분비물, 또는 편도선, 림프 마디, 바늘 생체실험으로부터의 다른 샘플을 포함한다.
반응 엔티티 등 나노와이어 및 어날라이트 또는 다른 일부분을 참조하여 이용될 때, "전기적으로 결합된"이라는 용어는 전자가 하나에서 다른 것까지 이동할 수 있는, 또는 하나의 전기적 특성에서의 변화가 다른 것에 의해 판단될 수 있는 어날라이트, 다른 부분 및 나노와이어 사이의 관계를 의미한다. 이것은 물질들 사이를 유동하는 전자, 또는 나노와이어에 의해 판단될 수 있는 대전, 산화 등의 상태에서 변화를 포함할 수 있다. 예를 들어, 전기적 결합은 어날라이트 또는 다른 일부분 및 나노와이어 사이의 직접 공유 결합, (예를 들어, 연결자에 의한) 간접 공유 결합, 어날라이트(또는 다른 부분) 및 나노와이어 또는 다른 결합(예를 들어, 하이드로포빅 결합) 사이의 직접 또는 간접 이온 결합을 포함할 수 있다. 일부 경 우에, 실제 결합이 필요로 될 수 없고 어날라이트 또는 다른 일부분은 나노와이어 표면과 단지 접촉될 수 있다. 어날라이트와 나노와이어 사이에 전자 터널링을 허용하도록 나노와이어가 어날라이트와 충분히 가까울 때 나노와이어 및 어날라이트 또는 다른 부분 사이의 임의의 접촉이 반드시 필수적이지는 않다.
여기서 상호 교환가능하게 사용된 "폴리펩티드", "펩티드" 및 "단백질"이라는 용어는 아미노산 잔기의 중합체를 의미한다. 이 용어는 하나 이상의 아미노산 잔기가 대응하는 자연 발생 아미노산뿐만 아니라, 자연 발생 아미노산 중합체의 인공 화학 아날로그일 때 아미노산 중합체에 적용한다. 이 용어는 또한 폴리펩티드를 구성하는 아미노산과 결합하는 전통적 펩티드 결합 상의 변형을 포함한다.
"핵산" 또는 "올리고뉴클레오티드" 또는 여기서 문법적으로 동일한 용어는 적어도 두 개의 핵산이 서로 공유 결합됨을 의미한다. 본 발명의 핵산은 양호하게는 단일 꼬임 또는 이중 꼬임이고, 비록 일부 경우에 이하의 윤곽과 같이, 핵산 아날로그가 예를 들어, 포스포라마이드(phosphoramide)(베오케이지 등(1993) 테트라헤드론 49(10):1925) 및 그 참조; 레친거(1970) 제이. 오르그. 켐.(Chem.) 35:3800; 스프린즐 등(1977) 유어. 제이. 바이오켐.(Biochem.) 81;579; 레친거 등(1986) 뉴클. 애시드 레. 14;3487; 사와이 등(1984) 켐. 레트. 805, 레친거 등(1988) 제이. 암. 켐. 소크. 110;4470; 및 파우웰 등(1986) 케미카 스크립타 26;1419), 포스포로티오에이트(phosphorothioate)(마그 등(1991) 핵산 레스.(Res.) 19;1437; 및 미국 특허 제5,644,048호), 포스포로디티오에이트 (phosphorodithioate) (브리우 등(1989) 제이. 암. 켐. 소크. 111;2324, 0-메틸포포로아미다이트 결합(O-methylphosphoroamidite linkages)(오스포드 대학 출판부, 실용적 접근; 에크스테인 올리고뉴클레오티드 및 아날로그 참조) 및 펩티드 핵산 백본(backbone) 및 결합(에그홀름(1992) 제이. 암. 켐. 소크. 114:1895; 메이에르 등(1992) 켐. 인트. 에드.엔글. 31:1008; 니엘슨(1993) 네이쳐 365:556; 칼슨 등(1996) 네이쳐 380:207)을 포함하는, 선택적 백본을 가질 수 있게 포함된다. 다른 아날로그 핵산은 양의 백본(덴시 등(1995) 프록. 나틀. 아카드. 에스시. 미국 92: 6097; 비이온 백본(미국 특허 제5,386,023호, 제5,637,684호, 제5,602,240호, 제5,216,141호 및 제4,469,863호; 앤규(1991) 켐. 인틀. 에드. 영국 30:423; 레친거 등(1988) 제이. 암. 켐. 소크. 110:4470; 레친거 등(1994) 뉴클레오사이드 & 뉴클레오티드 13:1597; 에드. 와이. 에스. 산후이 및 피. 단 쿡의 "안티센스 연구에서 탄수화물 변형"의 ASC 심포지움 시리즈 580의 2 및 3장; 메스막커 등(1994) 바이오오르가닉 & 메디신널 켐. 레트. 4:395; 제프 등(1994) 제이. 바이오몰 NMR 34;17; 테트라헤드론 레트. 37:743(1996)) 및 미국 특허 제5,235,033호 및 제5,034,506호 및 에드. 와이. 에스. 산후이와 피. 단 쿡의 안티센스 연구에서 탄수화물 변형의 ASC 심포지움 시리즈 580의 6 및 7장에서 기술된 것을 포함하는 비-리보스 백본을 갖는 것을 포함한다. 하나 이상의 카보사이클릭 슈가(carbocyclic sugars)를 포함하는 핵산은 또한 핵산(젠킨 등(1995) 켐. 소크. 레브. 페이지 169-176 참조)의 정의 내에 포함될 수 있다. 몇 개의 핵산 아날로그는 1997년 6월 2일 C&E 뉴스 35페이지, 라울에서 기재되어 있다. 리보스-포스페이트 백본의 변형은 라벨 등 추가 부분의 추가물을 촉진하도록, 또는 생체 환경에서 이러한 분자의 안정성 및 절반의 수명을 증가하도록 될 수 있다.
여기서 이용된 바와 같이, "항체"는 면역 항체 글로불린 또는 면역 항체 글로불린 유전자의 파편에 의해 실질적으로 암호화된 하나 이상의 폴리펩티드를 구성하는 단백질 또는 당단백을 의미한다. 인지된 면역 항체 글로불린 유전자는 무수한 면역 항체 글로불린 가변 영역 유전자뿐만 아니라, 카파, 람다, 알파, 감마, 델타, 입실론 및 뮤 일정 영역 유전자를 포함한다. 경량 사슬은 카파 또는 람다 중 하나로 정의된다. 중량 사슬은 IgG, IgM, IgA, IgD 및 IgE 차례로 면역 글로불린 항체 분류를 정의하는 각각, 감마, 뮤, 알파, 델타 또는 입실론으로 정의된다. 전형적 면역 글로불린 항체(항체) 구조적 단위는 테트라머를 포함하도록 알려져 있다. 각각이 테트라머는 하나는 "경량"(약 25kD) 및 하나는 "중량" 사슬(약 50-70kD)을 갖는 각각의 폴리펩티드 사슬의 두 개의 동일한 쌍으로 구성된다. 각각의 사슬의 N-단부는 최초로 항원 인지의 책임을 맡은 100 내지 110 또는 그 이상의 아미노산의 가변 영역을 정의한다. 가변 경량 사슬(VL) 및 가변 중량 사슬(VH)이라는 용어는 각각 가볍고, 중량 사슬을 의미한다.
항체는 다양한 펩티다아제를 갖는 소화에 의해 생성된 다수의 특성 있는 파편으로 또는 접촉 면역 항체 글로불린으로 존재한다. 따라서, 예를 들어, 펩신은 이황화물 결합에 의해 VH-CH1로 결합된 경량 사슬인 Fab의 2분자사슬, F(ab)'2를 생성하도록 힌지 영역에서 2황화물 결합 아래의(즉, Fc 도메인으로 향하는) 항체를 소화한다. F(ab)'2 는 힌지 영역에서 2황화물이 끊어지기 위한 느슨한 상태 아래 에서 감소될 수 있다. Fab' 모노머는 (다른 항체 조각의 더욱 상세한 설명에 대한 엔. 와이., 라벤 출판사에서 폴(1993)에 의한 기초 면역학 참조) 힌지 영역의 일부분을 갖는 필수적인 Fab이다. 다양한 항체 조각이 접촉 항체의 소화에 관하여 정의되는 동안, 기술 중 하나는 파편이 화학적으로 재조합형 DNA 방법론을 이용함으로써, 또는 "파지 디스플레이" 방법(바우간 등(1996)에 의한 자연 생물 공학, 14(3) 및 PCT/US96/10287 참조)에 의해 새로이 합성될 수 있음이 이해될 것이다. 양호한 항체는 단일 사슬 항체, 즉 가변 중량 및 가변 경량 항체가 연속적 폴리펩티드를 형성하도록 함께 (직접 또는 펩티드 결합을 통해) 결합되는 단일 사슬 Fv(scFv) 항체를 포함한다.
본 발명의 일 태양은 전자 감지 요소가 될 수 있는 감지 요소 및 어날라이트의 포함이 예상되거나 포함하는 샘플(예를 들어, 유체 샘플)에서 어날라이트의 존재 또는 부재를 검출할 수 있는 나노와이어를 포함한다. 예를 들어, 본 발명의 나노스케일 센서는 pH 또는 금속 이온의 존재를 검출하기 위한 화학적 출원; 단백질, 핵산(예를 들어, DNA, RNA 등), 당 또는 탄수화물 및/또는 금속 이온을 검출하기 위한 생물학적 출원; 및 pH, 금속 이온 또는 인터레스트(interest)의 다른 어날라이트를 검출하기 위한 환경적 용도로 이용될 수 있다. 본 발명의 다른 태양은 나노와이어의 전기적 특성에서 변화를 판단하도록 구조되고 배열된 검출기 및 나노와이어를 포함하는 제품을 제공한다. 나노와이어의 적어도 일부는 어날라이트의 포함이 예상되거나 포함하는 샘플에 의해 접근 가능하다. "유체에 의해 접근 가능한(addressable)"이라는 표현은 유체에 존재하는 것으로 예상되는 어날라이트가 나 노와이어와 접촉할 수 있도록 유체가 나노와이어에 대해 위치될 수 있는 것으로 정의된다. 유체는 나노와이어와 접촉 또는 인접될 수 있다.
여기서 기술된 도시되어진 실시예 전부에서, 임의의 나노와이어는 탄소 나노튜브, 나노로드, 나노와이어, 유기 및 무기 전도성과 반도체 중합체 등을 포함한다. 분자 와이어가 될 수 없지만, 다양한 작은 나노스코픽-스케일 치수인 다른 전도성 또는 반도체 요소는 일부 경우, 예를 들어, 주요 그룹과 금속 원자계 와이어형 실리콘, 변이 금속-포함 와이어, 갈륨 비화물, 갈륨 질화물, 인듐 인화물, 게르마늄, 카드뮴 셀레나이드 구조 등 무생물 구조에서 또한 이용될 수 있다. 나노와이어의 많은 다양성은 부적절한 실험 없이, 나노와이어를 포함하여 여기서 기재된 기술과 유사한 방식으로 전자 장치에 유용한 패턴으로 표면에 결합 및/또는 적용될 수 있다. 나노와이어는 길이가 적어도 1 미크론, 양호하게는 적어도 3 미크론, 더욱 양호하게는 5 미크론, 더욱 양호하게는 적어도 10 또는 20 미크론, 두께(높이 및 폭)가 양호하게는 100 나노미터 이하, 더욱 양호하게는 75 나노미터 이하, 더욱 양호하게는 약 50 나노미터이하, 더욱 양호하게는 약 25 나노미터 이하로 형성될 수 있다. 와이어는 적어도 약 2:1, 양호하게는 약 10:1보다 큰, 더욱 양호하게는 약 1000:1보다 큰 영상비(두께에 대한 길이)를 갖는다. 본 발명의 장치에서 사용하기 위한 양호한 나노와이어는 나노튜브 또는 나노와이어 중 하나가 될 수 있다. 나노튜브(즉, 탄소 나노튜브)는 공동형이다. 나노와이어(즉, 실리콘 나노와이어)는 중실형(solid)이다.
나노튜브가 선별되는지, 나노와이어가 선별되는지 간에, 본 발명에서 사용되는 나노와이어 및 다른 도체 또는 반도체의 선택에 대한 크리테리아가 기초가 되고, 일부 경우에, 주로 나노와이어 자체가 어날라이트와 상호접촉할 수 있는지에 따라, 또는 적절한 반응 엔티티, 즉 결합 파트너가 나노와이어의 표면에 쉽게 부착될 수 있는지, 또는 적절한 반응 엔티티, 즉 결합 파트너가 나노와이어의 표면 근처에 있는지에 달려 있다. 나노와이어를 포함하는 적절한 도체 또는 반도체의 선택은 본 기재에 의해 이 기술분야의 당업자에 의해 명백하고 쉽게 재생될 수 있다.
본 발명에서 사용될 수 있는 나노튜브는 유일 전자 및 극소 전자공학에 특히 적합한 화학적 특성을 나타내는 단일 벽의 나노튜브(SWNTs)를 포함한다. 구조적으로, SWNTs는 약 0.5 nm 내지 약 5nm의 치수의 직경으로 솔기가 없는 튜브로 회전된 단일 그래핀 시트로 형성된다. 직경 및 헬리시티 상에 의존하여, SWNTs는 하나의 치수 금속 또는 반도체로 작동할 수 있고 금속 및 반도체 나노튜브의 혼합물로써 현재 이용가능할 수 있다. SWNTs를 포함하여, 나노튜브의 제조 방법 및 특징은 공지되어 있다. 나노튜브의 단부 및/또는 측면 상의 선택적 기능화의 방법은 또한 공지되어 있고, 본 발명은 극소 전자공학에 대한 이러한 능력을 이용할 수 있다. 나노튜브의 기본 구조적/전기적 특징은 접속 또는 입력/출력 신호를 생성하도록 될 수 있고, 나노튜브는 분자 크기 구조와 조화를 이루는 크기를 가질 수 있다.
본 발명의 양호한 나노와이어는 개별 나노와이어이다. 여기서 이용된 "개별 나노와이어"는 다른 나노와이어와 접촉하지 않는(그러나 크로스 바 어레이에서 개개의 나노와이어 사이에서 요구될 수 있는 타입의 접촉부를 제외하지 않는) 나노와이어를 의미한다. 예를 들어, 전형적인 개별 나노와이어는 약 0.5 nm 만큼 적은 두께를 가질 수 있다. 이는 고질의 재료이지만, 약 2 내지 약 5 나노미터 또는 그 이상의 직경을 갖고 많은 개별 나노와이어를 포함하는 로프로 형성된 재료를 생산하는 레이저 증발 기술에 의해 최초로 생산된 나노와이어와 대조적이다(본 명세서에서 참조된, 사이언스 273, 483-486(1996)의 테스 등에 의한 "금속 탄소 나노튜브의 촉매 로프" 참조). 나노와이어 로프가 본 발명에서 이용될 수 있는 동안, 개별 나노와이어는 양호하다.
본 발명은 극소 전자공학에 대해 나노튜브 등 고질의 개별 나노와이어를 합성하기 위해 금속 결정된 CVD를 이용할 수 있다. 표면상에 직접 개별 와이어를 준비하도록 요구된 CVD 합성 절차 및 대량 형태는 공지되어 있고, 이 기술 분야의 당업자에 의해 쉽게 수행될 수 있다. 예를 들어, 콩 등에 의해 네이쳐 395호 878-881(1998)의 "패턴화된 실리콘 웨이퍼 상의 개별 단일 벽 탄소 나노튜브의 합성"; 콩 등에 의해, 케미컬. 피직스. 레트. 292, 567-574(1998)의 "단일 벽 탄소 나노튜브에 대한 메탄의 화학적 수증기 침전" 둘 다 본 명세서에서 참고한다. 예를 들어, 모라레스 등에 의해 사이언스 279, 208-211(1998)의 "결정 반도체 나노와이어의 합성에 대한 레이저 제거 방법"은 본 명세서에서 참고된다.
이와 달리, 나노와이어는 필요에 따라 n형 또는 p형 반도체를 생성하도록 적절한 불순물로 도핑된 반도체를 포함할 수 있다. 예를 들어, 실리콘은 붕소, 알루미늄, 인 또는 비소로 도핑될 수 있다. 레이저 촉매 성장은 실리콘 나노와이어의 증기 상 성장 동안 불순물이 제어가능하게 유도되어질 수 있다.
나노와이어의 제어된 도핑은 예를 들어 n형 또는 p형 반도체를 형성하도록 수행될 수 있다. 다양한 실시예에서, 본 발명은 인듐 인화물, 갈륨 비화물, 갈륨 질화물, 카드뮴 셀레나이드 및 아연 셀레나이드로부터 선택된 반도체의 제어된 도핑을 포함한다. 아연, 카드뮴 또는 마그네슘에 제한되지 않지만, 이를 포함하는 불순물은 실시예의 이러한 세트에서 p형 반도체를 형성할 수 있고, 텔루르, 황, 셀레늄 또는 게르마늄에 제한되지 않지만 이를 포함하는 불순물은 이러한 재료로부터 n형 반도체를 형성하도록 불순물로써 이용될 수 있다. 이러한 재료는 직접 밴드 결함 반도체 재료를 형성하고 도핑된 실리콘은 이 기술 분야에서 당업자에게 잘 알려져 있다. 본 발명은 다양하게 사용되기 위한 임의의 도핑된 실리콘 또는 직접 밴드 결함 반도체 재료의 사용을 계획한다.
나노와이어 성장, 배치, 도핑 및 SiNWs(긴 나노스케일 반도체)의 실시예는 레이저 조력 촉매 성장(LCG)을 이용하여 합성될 수 있다. 도2 및 도3에서 도시된 바와 같이, 소정의 재료(즉, InP) 및 촉매 재료(즉, Au)로 구성된 상보적 목표의 레이저 증발은 버퍼 가스로 충돌을 통해 액체 나노크러스터로 재빨리 농축한 고온, 밀도 수증기를 생성한다. 액체 나노크러스터가 소정의 상으로 과포화될 때 성장은 시작하고 반응물이 이용 가능하다면 길게 연속한다. 나노와이어가 고온 반응 지역밖으로 통과할 때 또는 온도가 떨어질 때 성장이 종결한다. Au은 일반적으로 긴 나노스케일 반도체의 넓은 범위를 증가하기 위한 촉매로 이용된다. 그러나, 촉매는 단지 Au에만 제한되지 않는다. (Ag, Cu, Zn, Cd, Fe, Ni, Co...)등 재료의 넓은 범위는 촉매로써 이용될 수 있다. 일반적으로, 임의의 금속은 소정의 반도체 재료를 갖는 합금을 형성할 수 있지만, 촉매로써 이용될 수 있는 소정의 반도체의 요소를 갖는 더욱 안정한 합성물을 형성할 수는 없다. 버퍼 가스는 Ar, N2 및 다른 활성 가스가 될 수 있다. 때때로, H2 및 버퍼 가스의 혼합물은 잔여 산소에 의해 바람직하지 않은 산화를 피하게 된다. 반응 가스는 또한 바람직할 때(즉, GaN에 대한 암모니아) 유도될 수 있다. 이러한 공정의 중요한 점은 결과적으로 크기를 한정하고 결정 나노와이어의 성장 방향을 제시하는 액체 나노크러스터를 발생하는 레이저 제거이다. 최종 나노와이어의 직경은 성장 환경(즉, 배경 압력, 온도, 유동률...)을 제어함으로써 차례로 변화될 수 있는 촉매 크러스터의 크기에 의해 판단된다. 예를 들어, 낮은 압력은 일반적으로 더욱 적은 직경을 갖는 나노와이어를 생산한다. 게다가 직경은 동일한 직경 촉매 크러스터를 이용함으로써 될 수 있다.
LCG로써 동일한 기본 원칙으로, 만약 (나노크러스터가 얼마나 균일한지에 의존하여 10-20 % 변화보다 적은) 동일한 직경 나노크러스터가 촉매 크러스터로써 이용된다면, 동일한 크기(직경) 분포를 갖는 나노와이어는 도4에서 도시된 바와 같이 촉매 크러스터의 크기에 의해 나노와이어의 직경이 판단될 때 생성될 수 있다. 성장 시간을 제어함으로써, 상이한 길이를 갖는 나노와이어는 성장될 수 있다.
LCG를 갖는, 나노와이어는 상보적 대상(즉, InP의 n형 토핑용 Ge)으로 하나 이상의 불순물을 유동함으로써 쉽게 도핑될 수 있다. 도핑 농도는 상보적 대상에서 유도된 전형적으로 0-20 %, 도핑 요소의 상대적 양을 제어함으로써 제어될 수 있다.
레이저 제거는 나노와이어의 성장을 위한 촉매 크러스터와 수증기 상 반응 엔티티 및 다른 관련된 긴 나노스케일 구조를 발생하기 위한 방법으로 이용될 수 있지만, 마모는 레이저 제거에 제한되지 않는다. 많은 방법은 나노와이어 성장(즉, 열적 증발)을 위한 수증기 상 및 촉매 크러스터를 발생하기 위해 이용될 수 있다.
나노와이어를 성장하기 위해 이용될 수 있는 다른 기술은 촉매 화학적 수증기 침전(C-CVD)이다. C-CVD는 C-CVD 방법에서의 것을 제외하고 LCG로서 동일한 기본 원칙을 이용하고, 반응 분자(즉, 시레인 및 불순물)는 (레이저 증발로부터 수증기 소스에 대응된) 수증기 상 분자로부터 형성된다.
C-CVD에서, 나노와이어는 도핑 요소를 기체 상 반응 엔티티(예컨대, p형 및 n형 도핑 나노와이어용 디보란(diborane) 및 포스판(phosphane)) 내로 주입함으로써 도핑될 수 있다. 도핑 농도는 복합물 대상 내로 주입된 도핑 요소의 상대량을 제어함으로써 제어될 수 있다. 반드시 가스 반응 엔티티에서와 동일한 도핑율을 갖는 신장된 나노스케일 반도체를 얻어야 하는 것은 아니다. 그러나, 성장 조건(예컨대, 기온, 압력 등)을 제어함으로써, 동일한 도핑 농도를 갖는 나노와이어가 재생될 수 있다. 그리고, 도핑 농도는 간단히 가스 반응 엔티티의 비율을 변화시킴으로써(예컨대, 1 ppm 내지 10%) 넓은 범위에 걸쳐 변화될 수 있다.
나노와이어와 같은 신장된 나노스케일 반도체를 성장시키는 데 사용될 수 있는 여러 가지 다른 기술들이 있다. 예컨대, 다양한 임의 재료의 나노와이어가 기체-고체 공정을 통해 기체 상으로부터 직접 성장될 수 있다. 또한, 나노와이어는 도5에 도시된 바와 같이 표면 단계의 에지 상에 증착시킴으로써, 또는 다른 형태로 패턴된 표면에 의해 생산될 수도 있다. 또한, 나노와이어는 예컨대 도6에 도시된 바와 같이 신장된 형판의 임의의 형태 내에, 또는 위에 증착되어 성장할 수 있다. 다공성 막은 다공성 실리콘, 음극 알루미나 또는 이중 블록(diblock) 공중합체 및 임의의 다른 유사한 구조물일 수 있다. 천연 섬유는 DNA 분자, 단백질 분자, 탄소 나노튜브 및 임의의 다른 신장된 구조물일 수 있다. 전술된 모든 기법들을 위해, 원재료는 기체 상 보다는 용매 상으로부터 얻어질 수 있다. 용매 상 동안에, 형판은 전술된 형판에 부가하여 계면 활성제 분자에 의해 형성된 종렬 교질 입자일 수도 있다.
전술된 하나 이상의 기법을 사용하여, 반도체 나노와이어를 포함하는 신장된 나노스케일 반도체 및 도핑된 반도체 나노와이어가 성장될 수 있다. 그러한 벌크 도핑된 반도체는 반도체와 불순물을 포함하는 재료의 다양한 조합을 포함할 수 있다. 이하는 그러한 재료들의 대략의 리스트이다. 다른 재료들이 사용될 수 있다. 이러한 재료들을 포함하지만, 이들에 한정되지는 않는다.
기본 반도체:
실리콘(Si), 게르마늄(Ge), 주석(Sn), 셀렌(Se), 텔루르(Te), 붕소(B), 다이아몬드, 인(P)
기본 반도체의 고체 용매:
B-C, B-P(BP6), B-Si, Si-C, Si-Ge, Si-Sn, Ge-Sn
Ⅳ-Ⅳ 그룹 반도체:
탄화실리콘(SiC)
Ⅲ-Ⅴ 반도체:
BN/BP/BAs, AlN/AlP/AlAs/AlSb, GaN/GaP/GaAs/GaSb. InN/InP/InAs/InSb,
Ⅲ-Ⅴ 그룹의 합금:
두 개 이상의 위의 조성(예컨대: AlGaN, GaPAs, InPAs, GaInN, AlGaInN, GaInAsP 등)의 임의의 조합
Ⅱ-Ⅵ 반도체:
ZnO/ZnS/ZnSe/ZnTe, CdS/CdSe/CdTe, HgS/HgSe/CdTe, HgS/HgSe/HgTe, BeS/BeSe/BeTe/MgS/MgSe
Ⅱ-Ⅵ 및 Ⅲ-Ⅴ 반도체의 합금:
(예컨대, (GaAs)X(ZnS)1-X와 같은) 하나의 Ⅱ-Ⅵ 복합물과 하나의 Ⅲ-Ⅴ 복합물의 조합
Ⅳ-Ⅵ 반도체:
GeS, GeSe, GeTe, SnS, SnSe, SnTe, PbO, PbS, PbSe, PbTe
Ⅰ-Ⅶ 반도체:
CuF, CuCl, CuBr, CuI, AgF, AgCl, AgBr, AgI
다른 반도체 복합물:
Ⅱ-Ⅳ-Ⅴ2: BeSiN2, CaCN2, ZnGeP2, CdSnAs2, ZnSnSb2 등
Ⅰ-Ⅳ2-Ⅴ3: CuGeP3, CuSi2P3 등
Ⅰ-Ⅲ-Ⅵ2: Cu, Ag)(Al, Ga, In, Tl, Fe)(S, Se, Te)2
Ⅳ3-Ⅴ4: Si3N4, Ge3N4 등
Ⅲ2-Ⅵ3: Al2O3, (Al, Ga, In)2(S, Se, Te)3 등
Ⅲ2-Ⅳ-Ⅵ: Al2CO 등
그룹Ⅳ 반도체 재료에서는, p형 불순물은 그룹Ⅲ으로부터 선택될 수 있고, n형 불순물은 그룹Ⅴ로부터 선택될 수 있다. 실리콘 반도체 재료에서는, p형 불순물은 B, Al 및 In으로 구성된 그룹으로부터 선택될 수 있고, n형 불순물은 P, As 및 Sn으로 구성된 그룹으로부터 선택될 수 있다. 그룹 Ⅲ-Ⅴ 반도체 재료에서는, p형 불순물은 Mg, Zn, Cd 및 Hg를 포함하는 그룹Ⅱ, 또는 C 및 Si를 포함하는 그룹Ⅳ로부터 선택될 수 있다. n형 불순물은 Si, Ge, Sn, S, Se 및 Te로 구성된 그룹으로부터 선택될 수 있다. 본 발명이 이러한 불순물로 한정되지 않음이 이해될 것이다.
나노와이어는 제 위치에서 성장되거나, 성장 후에 증착된다. 조립체 또는 성장 후 표면 상의 나노와이어의 제어된 위치 설정은 전기장을 사용하여 나노와이어를 정렬시킴으로써 수행된다. 전기장은 전극들 사이에서 발생하고, 나노와이어는 (선택적으로 부유하는 유체 내의 전극들 사이의 영역 내로 유입된) 전극들 사이에 위치되며, 전기장 내에 정렬되어 사이의 거리를 연결하고 각각의 전극을 접촉시키도록 이루어질 수 있다.
다른 배열에서, 각각의 접촉점은 서로 대향하는 관계로 배열되어, 서로를 향하는 지점을 형성하도록 테이퍼진다. 그러한 지점들 사이에 생성된 전기장은 사이 의 거리를 연결하는 단일 나노와이어를 유인하여 각각의 전극을 접촉시킨다. 이러한 방법으로 각각의 나노와이어는 각각의 전기 접점 쌍들 사이에 용이하게 조립될 수 있다. 다중 교차점(제2 방향과 수직하거나 대체로 수직한 다중 평행 와이어에 의해 교차되는 제1 방향으로 평행한 다중 와이어)을 포함하는 교차된 와이어 배열은 바람직하게는 교차된 와이어의 대향 단부가 놓인 위치에서 제1 위치 설정 교차점(전극)에 의해 용이하게 형성될 수 있다. 전극 또는 접점은 통상적인 마이크로 구조물 기법을 통해 제작될 수 있다.
이러한 조립 기법은 유체가 나노와이어가 바람직하게 위치 설정된 위치와 정렬하는 방향으로, 그리고 부유된 나노와이어를 포함하는 유체를 지향시키는 장치를 향하도록 하는 위치 설정법으로 대신하거나 보완될 수 있다.
다른 배열은 선택적으로 나노와이어를 유인하지 않는 영역에 의해 둘러싸인 나노와이어를 선택적으로 유인하는 영역을 포함하는 표면을 형성하는 것을 포함한다. 예컨대, -NH2는 표면에 특정 패턴으로 존재할 수 있고, 패턴은 아민을 유인하는 기능을 하는 표면을 갖는 나노와이어 또는 나노튜브를 유인할 것이다. 표면은 전자 비임 패터닝과 같은 공지된 기법, 각각 인용문헌으로 본 명세서에 참조된 1996년 7월 26일에 공개된 특허 국제 제WO96/29629호 또는 1996년 4월 30일에 등록된 미국 특허 제5,512,131호와 같은 "소프트 리소그래피" 기법을 사용하여 패턴될 수 있다.
화학적으로 패턴되어 자체 조립된 단층 위에 사전 형성된 나노와이어의 조립 체를 안내하는 기법은 공지되었다. 안내된 나노스케일 회로 원자력 현미경(AFM)의 조립체를 위해 SAM을 패터닝하는 일예는 SAM이 제거되는 곳에서 고해상도로 SAM에 패턴을 그리는데 사용된다. 예컨대, 패턴은 나노스코픽 교차 어레이를 만드는 실시예에서 선형인 라인의 평행 어레이 또는 교차 어레이의 선형일 수 있다. 다른 기법에서, 마이크로컨텍트 인쇄는 패턴된 SAM을 기판에 적용하는 데 사용될 수 있다. 다음에, 패턴된 표면 내의 개방 영역(선형 SAM 사이의 SAM이 없는 선형 영역)은 나노튜브와 같은 나노와이어를 갖고 매우 특정한 방법으로 상호 작용하는 아미노 처리된 SAM으로 충전된다. 결론적으로, 아미노 처리된 SAM 재료의 라인에 의해 분리된 선형 SAM부를 포함하는 기판 상에 패턴된 SAM이다. 물론, 와이어 증착이 바람직한 영역에 대응하는 아미노 처리된 SAM 재료의 영역에 임의의 양호한 패턴이 형성될 수 있다. 그 후에, 패턴된 표면은, 예컨대 나노튜브와 같은 와이어 부유체 내에 침지되어 와이어가 SAM의 영역에 위치되는 어레이를 생성하도록 세척된다. 나노튜브가 사용된 곳에, 디메틸 포마마이드(dimethyl formamide)와 같은 유기체 용매가 나노튜브의 부유체를 형성하도록 사용될 수 있다. 다른 나노와이어의 부유 및 증착은 선택된 용매로 용이하게 달성된다.
임의의 다양한 기판 및 SAM 형성 재료는 화이트사이드 등에 허여되어 1996년 6월 26일에 공개되고 본 명세서에 인용문헌으로 참조된 특허 국제 공개 제WO 96/29629호에 기재된 바와 같은 마이크로컨텍트 인쇄 기법에 따라 사용될 수 있다. 패턴된 SAM 표면은 다양한 나노와이어 또는 나노스케일 전자 요소를 안내하도록 사용될 수 있다. SAM 형성 재료는 적절하게 노출된 화학 기능으로 다양한 전자 요소 를 안내하도록 선택될 수 있다. 나노튜브를 포함하는 전자 요소는 특히 패턴된 SAM 표면의 특정한 소정 영역에 부착되도록 화학적으로 처리될 수 있다. 적절한 기능 그룹은 SH, NH3 등을 포함하지만 이에 한정되지는 않는다. 나노튜브는 특히 공지된 바와 같이 외표면 상의 화학적 기능화에 적절하다.
SAM 유도된 표면 이외에 화학적으로 패턴된 표면이 사용될 수 있고, 화학적으로 패턴된 다양한 기법이 공지되었다. 화학적으로 패턴된 표면의 적절한 예시인 화학 및 기법은 본 명세서에 인용문헌으로 참조된, 히드버 등에게 허여된 "촉매 콜로이드의 마이크로컨텍트 인쇄"라는 명칭의 특허 국제 공개 제WO 97/34025호 및 각각 란도에게 허여된 미국 특허 제3,873,359호, 제3,873,360호, 제3,900,614호 등의 특허에 기재된다. 화학적으로 패턴된 표면의 다른 예시는 마이크로 상으로 분리된 블록 공중합체 구조물이다. 이러한 구조물은 밀집한 라멜라 상의 적층물을 제공한다. 이러한 상의 단면은 일련의 "레인"을 나타내고, 각각의 레인은 단일층을 나타낸다. 블록 공중합체는 통상 교차형 블록이고 나노와이어의 성장 및 조립체를 요구함으로써 다양한 범위를 제공할 수 있다. 추가적인 기법은 리버 등에게 허여되어 2001년 1월 11일에 공개되었고 본 명세서에 인용문헌으로 참조된 특허 국제 공개 제WO 01/03208호에 개시된다.
본 발명에 사용된 나노와이어와 관련된 화학 변화는 와이어의 특성을 변화시키고 다양한 형태의 전자 장비를 생성할 수 있다. 어날라이트의 존재는 나노와이어의 결합제와의 전자결합을 통해 나노와이어의 전기 특성을 변화시킬 수 있다. 바람직하다면, 나노와이어는 특정 어날라이트에 대한 화학적 또는 생물학적 특이성을 위해 선택된 특이성 반응 엔티티, 결합 파트너 또는 특이성 결합 파트너에 의해 코팅될 수 있다.
반응 엔티티는 나노와이어에서 탐지 가능한 변화를 일으키도록 나노와이어에 대해 위치된다. 반응 엔티티는 나노와이어의 100 나노미터 내에 위치될 수 있고, 바람직하게는 나노와이어의 50 나노미터 내에 위치될 수 있고, 더욱 바람직하게는 나노와이어의 10 나노미터 내에 위치될 수 있으며, 근접도는 당해 분야의 숙련자들에 의해 결정된다. 일실시예에서, 반응 엔티티는 나노스코픽 와이어로부터 5 나노미터 이내에 위치된다. 다른 실시예에서, 반응 엔티티는 나노와이어의 4 nm, 3 nm, 2 nm 및 1 nm에 위치된다. 양호한 실시예에서, 반응 엔티티는 연결자를 통해 나노와이어에 부착된다.
본 명세서에서 사용된 바와 같이, 하나의 종류가 다른 종류에 대해 또는 제품의 표면에 "부착된"이라는 표현은 상기 종류가 공유 부착, 특이성 생물학적 결합(예컨대, 비오틴/스트렙타비딘), 킬레이트(chelate)/금속 결합과 같은 등위 결합을 통한 부착 등에 의해 화학적 또는 생화학적으로 결합된 것을 의미한다. 예컨대, 본문의 "부착된"이라는 표현은 다중 화학 연결, 다중 화학/생물학적 연결 등을 포함하고, 폴리스티렌 비이드 상에 합성된 펩타이드와 같은 결합, 단백질 A와 같은 단백질에 결합되는 항체에 특정 화학적으로 결합되어 공유적으로 비이드에 부착되는 결합, GST와 같은 분자의 일부(유전자 공학을 통한)를 형성하여 특히 표면(예컨대, GST의 경우에 글루타티오네)에 공유적으로 체결되는 결합 쌍에 생물학적으로 묶이는 결합 등을 포함하지만 이에 한정되지는 않는다. 다른 예시로서, 티올은 금을 공유 결합시키기 때문에 티올에 부분 공유적으로 연결되는 것은 금 표면에 체결되게 한다. "공유 결합"은 하나 이상의 전자 결합을 통해 부착되는 것을 의미한다. 예를 들어, EDC/NHS 화학적 성질을 통해, 차례로 금 표면에 부착되는 카르복실기 알킬 티올에 공유적으로 결합되는 것은 그 표면에 공유적으로 결합한다.
본 발명의 다른 태양은 샘플 노출 영역을 포함하는 제품을 구비하며, 나노와이어는 어날라이트의 존재 및 부재를 감지할 수 있다. 샘플 노출 영역은 나노와이어에 매우 근접한 임의의 영역일 수 있고, 샘플 노출 영역 내의 샘플은 나노와이어의 적어도 일부에 접근된다. 샘플 노출 영역의 예시는 벽, 채널, 마이크로채널 및 젤을 포함하지만 이에 한정되지는 않는다. 양호한 실시예에서, 샘플 노출 영역은 나노와이어에 근접한 샘플을 유지하거나, 샘플 내의 어날라이트를 감지하기 위해 샘플을 나노와이어를 향하도록 안내할 수 있다. 나노와이어는 샘플 노출 영역에 인접하여 위치되거나 샘플 노출 영역 내에 있을 수 있다. 다르게는, 나노와이어는 유체 내로 삽입되거나 유체 유동 경로 내에 삽입된 것을 탐지할 수 있다. 나노와이어 프로브는 마이크로 니들을 포함할 수 있고, 샘플 노출 영역은 생물학적 샘플에 의해 접근될 수 있다. 이러한 배열에서, 마이크로 니들 프로브를 생물학적 샘플 내에 삽입하도록 구성되고 배열된 장치는 샘플 노출 영역을 형성하는 마이크로 니들로 둘러싸인 영역일 것이고, 샘플 노출 영역의 샘플은 나노와이어에 의해 접근 가능하며, 그 반대도 가능하다. 유체 유동 채널은 1997년 9월 18일에 공개되어 본 명세서에 인용문헌으로 참조된 특허 국제 공개 제WO 97/33737호에 개시된 바와 같 은 다양한 기법을 사용하여 본 발명(마이크로 채널)에 유용한 크기 및 스케일로 생성될 수 있다.
본 발명의 다른 태양에서, 제품은 복수의 하나 이상의 어날라이트의 존재 또는 부재를 탐지할 수 있는 복수의 나노와이어를 포함할 수 있다. 각각의 나노와이어는 전술된 바와 같이 다르게 도핑될 수 있어서, 어날라이트로의 각각의 나노와이어 민감도를 변화시킨다. 다르게는, 각각의 나노와이어는 특정 어날라이트와 상호 작용하는 능력에 기초하여 선택될 수 있다. 복수의 나노와이어는 무작위적으로 지향되거나 서로 평행할 수 있다. 다르게는, 복수의 나노와이어들은 기판에 어레이로 배향될 수 있다.
도1a는 본 발명의 제품의 일례를 도시한다. 도1a에서, 나노 검출 장치(10)는 기판(16)의 상부면(18)위에 위치된 단일 나노와이어(38)로 구성된다. 칩 캐리어(12)는 기판(16) 및 전기 연결부(22)를 지지하기 위한 상부면(14)을 구비한다. 칩 캐리어(12)는 전극(36)으로의 전기 연결부(22)들의 연결을 허용하는 임의의 절연 재료로 제조될 수 있다. 양호한 실시예에서, 칩 캐리어는 에폭시이다. 칩 캐리어의 상부면(14)은, 예를 들어 평면, 볼록 및 오목을 포함하는 임의의 형상일 수 있다. 양호한 실시예에서, 칩 캐리어의 상부면(14)은 평면이다.
도1a에 도시된 바와 같이, 기판(16)의 하부면(20)은 칩 캐리어의 상부면(14)에 인접하여 위치되고 전기 연결부(22)를 지지한다. 기판(16)은, 예를 들어 중합체, 실리콘, 석영 또는 유리로 전형적으로 제조될 수 있다. 양호한 실시예에서, 기판(16)은 600 nm의 이산화실리콘으로 코팅된 실리콘으로 제조된다. 기판(16)의 상부면(18) 및 하부면(20)은 평면, 볼록 및 오목과 같은 임의의 형상일 수 있다. 양호한 실시예에서, 기판(16)의 하부면(20)은 칩 캐리어(12)의 상부면(14)의 윤곽을 따른다. 유사하게는, 몰드(20)는 모두 임의의 형상일 수 있는 상부면(26) 및 하부면(28)을 구비한다. 양호한 실시예에서, 금형(24)의 하부면(26)은 기판(16)의 상부면(18)의 윤곽을 따른다.
몰드(24)는 몰드(24)의 상부면(26)의 도1a에 도시된 유체 입구(32)와 유체 출구(34)를 구비하는, 마이크로채널로서 본문에서 도시되는 샘플 노출 구역(30)을 구비한다. 나노와이어의 적어도 일부가 샘플 노출 구역(30) 내에 위치되도록 나노와이어(38)가 위치설정된다. 전극(36)들은 나노와이어(38)를 전기 연결부(22)에 연결시킨다. 전기 연결부(22)들은 나노와이어의 전기적인 특성 또는 다른 특성에서의 변화를 측정하는 검출기(도시 안됨)에 선택적으로 연결된다. 도3a 및 도3b는 본 발명의 일 실시예의 각각 낮은 및 높은 해상도 주사 전자 현미경사진이다. 단일 실리콘 나노와이어(38)는 2개의 금속 전극(36)들에 연결된다. 도7은 2개의 전극에 대하여 위치된 전형적인 SWNT의 원자력 현미경 상을 도시한다. 도7에 도시된 바와 같이, 전극(36)들 사이의 거리는 대략 500 nm이다. 양호한 실시예들에서, 전극 거리들은 50 nm내지 대략 20000 nm, 더 양호하게는 대략 100 nm 내지 대략 10000 nm, 가장 양호하게는 대략 500 nm 내지 5000 nm이다.
검출기가 존재할 경우, 나노와이어와 관련된 특성을 판단할 수 있는 임의의 검출기가 사용될 수 있다. 특성은 전자, 광학 등일 수 있다. 나노와이어의 전자 특성은, 예를 들어 그 도전율, 저항율 등일 수 있다. 나노와이어와 관련된 광학 특성은 방출이 p-n 접합부에서 발생하는 나노와이어가 방출 나노와이어인 그 방출 강도 또는 방출 파장을 포함할 수 있다. 예를 들어, 검출기는 사용될 수 있는 전자 또는 자기 특성(예를 들어, 전압, 전류, 도전율, 저항, 임피던스, 인덕턴스, 전하등)에서의 변화를 측정하도록 구성될 수 있다. 검출기는 전력원 및 전압계 또는 전류계를 전형적으로 포함한다. 일 실시예에서, 1nS 이하의 컨덕턴스가 검출될 수 있다. 양호한 실시예에서, 수천 nS의 범위에 있는 컨덕턴스가 검출될 수 있다. 종 또는 어날라이트(analyte)의 농도는 마이크로몰 이하에서부터 몰 농도 및 그 이상까지 검출될 수 있다. 종래의 검출기들을 갖춘 나노와이어들을 이용함으로써, 민감도는 단일 분자에까지 확장될 수 있다. 일 실시예에서, 본 발명의 제품은 나노와이어에 자극을 전달할 수 있고, 검출기는 자극으로부터 기인하는 신호를 판단하도록 구성 및 배치된다. 예를 들어, p-n 접합을 포함하는 나노와이어는 자극(전자 전류)이 전달될 수 있고, 검출기는 자극으로 기인하는 신호(전자 방사)를 판단하도록 구성 및 배열된다. 이러한 장치에서, 나노와이어와 어날라이트 또는 나노와이어 근방에 위치된 반응 엔티티(reaction entity)와의 상호작용은 검출가능한 방식으로 신호에 영향을 줄 수 있다. 다른 예에서, 반응 엔티티가 양자점인 경우에, 양자점은 하나의 파장의 전자 방사를 수신하고 다양한 파장의 전자 방사를 방출하도록 구성될 수 있다. 자극이 전자 방사인 경우에, 이는 어날라이트와의 상호작용에 의해 영향을 받을 수 있고, 검출기는 그로부터 기인하는 신호에서의 변화를 검출할 수 있다. 자극들의 예들은 일정한 전류/전압, 교류 전압 및 광과 같은 전자 방사를 포함한다.
일 예에서, 검출 및/또는 정량화되는 어날라이트, 예를 들어 특정 화학물을 포함하는 것으로 추측되는 유체와 같은 샘플은 나노와이어(38) 또는 그 근방에서 대응 반응 엔티티를 구비하는 나노와이어(38)와 접촉한다. 유체에 존재하는 어날라이트는 대응 반응 엔티티와 결합하고 예를 들어 종래의 전자장치를 사용하면서 검출되는 나노와이어의 전기 특성들에서의 변화를 일으킨다. 어날라이트가 유체에 존재하지 않으면, 나노와이어의 전기 특성들은 변화되지 않은 상태로 남아 있고, 검출기는 무변화를 측정할 것이다. 특정 화학물의 존재 유무는 나노와이어의 전기 특성들에서의 변화 또는 그 결핍을 모니터링함으로써 판단될 수 있다. 용어 "판단"은 압전 측정, 전기화학 측정, 전자기 측정, 광검출, 기계적 측정, 음향학적 측정, 중량 측정등을 통해 종의 정량적 또는 정성적 분석을 가리킨다. "판단"은 예를 들어 2개의 종들 사이의 결합의 검출과 같은 종들 사이의 상호작용을 검출하거나 또는 정량화한다.
특히, 본 발명에서 사용하는 양호한 유동 채널(30)들은 "마이크로채널"이다. 용어 "마이크로채널"은 낮은 레이놀드수, 즉 유체 역학이 관성력보다 점성력에 의해 지배되는 작동을 제공하는 치수들을 구비하는 채널에 대하여 본문에서 사용된다. 때때로, 점성력에 대한 관성력의 비로 지칭되는 레이놀드수는 다음과 같이 주어진다.
Re = ρd2/ητ+ ρu d/η
여기에서, u는 속도 벡터이고, ρ는 유체 밀도이고, η는 유체 점성이고, d 는 채널의 특성 길이이며, τ는 속도가 변하는 동안의 시간 스케일(여기에서, u/t=δu/dt)이다. 용어 "특성 길이"는 종래에 알려진 바와 같이, 레이놀드수를 결정하는 치수용으로 본문에 사용된다. 원통형 채널에 대해서 이는 직경이다. 직사각형 채널에 대해서, 이는 더 작은 폭 및 깊이에 주로 의존한다. V형 채널에 대해서는, 이는 "V"의 최상부의 폭등에 의존한다. 다양한 형상들의 채널에 대한 레이놀드수의 계산은 유체 역학의 교재에서 발견될 수 있다[예를 들면, "유체 역학"(그랭거-1995년), "수치적 유체 역학의 기본"(메이어-1982)].
정상 상태에서의 유체 유동 거동(τ-> 무한대)은 레이놀드 수, 즉 Re= ρu d/η에 의해 특징된다. 소형의 크기 및 저속으로 인해, 마이크로제작 유체 시스템들은 낮은 레이놀드수 구역(대략 1 미만의 레이놀드수)에서 종종 있게 된다. 이러한 구역에서, 난류 및 제2 유동을 일으키고 이에 따라 유동 내에서의 혼합이 일으키는 관성 영향들은 무시가능하고, 점성 영향이 역학을 지배한다. 이러한 상태하에서, 채널을 통하는 유동은 대체적으로 층류이다. 특히 양호한 실시예들에서, 전형적인 어날라이트 함유 유체를 갖춘 채널은 대략 0.001이하, 더 양호하게는 대략 0.0001이하의 레이놀드수를 제공한다.
레이놀드수는 채널 치수뿐만 아니라 유체 밀도, 유체 점성, 유체 속도 및 속도가 변하는 시간스케일에 영향을 받으므로, 채널 치수에 대한 절대적인 상한치는 정확하게 결정되지 않는다. 사실상, 양호하게 설계된 채널 형상을 구비하고, 난류는 R < 100 및 아마도 R < 1000에 대해서 회피될 수 있어서, 상대적으로 큰 채널 크기를 고처리율 장치들은 가능하다. 양호한 채널 특성 길이 범위는 대략 1 mm 미 만, 양호하게는 대략 0.5 mm미만, 더 양호하게는 200 마이크론 이하이다.
일 실시예에서, 유체 유동 채널(30)과 같은 샘플 노출 구역은 폴리디메틸 실록산(P은) 몰드를 사용함으로써 형성될 수 있다. 채널들은 생성되고 표면에 인가될 수 있고, 몰드는 제거될 수 있다. 몇몇 실시예들에서, 채널들은 상기 언급된 특허 출원들과 국제 공개물에 설명된 바와 같이, 포토리소그래피를 사용함으로써 마스터를 제조하고 마스터 상에 PDMS를 성형함으로써 수비게 제조된다. 큰 조립체 또한 가능하다.
도1b는 도1a의 나노 검출 장치(10)가 다중 나노와이어(38a 내지 38h)[도시 안됨]을 추가적으로 포함하는 본 발명의 다른 실시예를 도시한다. 도1b에서, 와이어 상호연결부(40a 내지 40h)들은 대응 나노와이어(38a 내지 38h)를 각각 전기 연결부(22a 내지 22h)[도시 안됨]에 연결한다. 양호한 실시예에서, 각각의 나노와이어(38a 내지 38h)는 유체에서의 다양한 어날라이트를 검출하도록 선택된 유일한 반응 엔티티를 구비한다. 이와 같이, 몇몇 어날라이트들의 유무는 한번의 시험동안 하나의 샘플을 사용하면서 결정될 수 있다.
도2a는 나노와이어(38)가 어날라이트(44)를 검출하기 위한 결합 협력자(42)인 반응 엔티티로 변경될 수 있는 나노 검출 장치의 일부를 개략적으로 도시한다. 도2b는 어날라이트(44)가 특정 결합 협력자(42)에 부착되는 도2a의 나노 검출 장치의 일부를 개략적으로 도시한다. 나노와이어들의 표면을 선택적으로 기능화하는 것은 예를 들어 실록산 파생물들로 나노와이어를 기능화함으로써 실행될 수 있다. 예들 들어, 나노와이어는 도포될 변성 화학물들을 포함하는 용액에 장치를 담금으 로써 나노 검출 장치의 구성 후 변성될 수 있다. 다르게는, 미세유체 채널은 화학물들을 나노와이어에 전달하는데 사용될 수 있다. 예를 들어, 아민기는 산소 플라즈마 또는 산 및/또는 산화제에 의해 나노 검출 장치를 먼저 친수성으로 만들고 아미노 시레인을 함유하는 용액에 나노 검출 장치를 담금으로써 부착될 수 있다. 예를 통하여, DNA 탐침은 상기 설명된 바와 같은 아민기를 먼저 부착하고 필요하다면, 2기능 가교제를 함유하는 용액에 변성된 나노 검출 장치를 담그고, 및 DNA 탐침을 함유하는 용액에 변성된 나노 검출 장치를 담금으로써 부착될 수 있다. 과정은 바이어스 전압을 나노와이어에 인가함으로써 가속화되고 증진될 수 있고, 바이어스 전압은 반응종의 성질에 따라 양 또는 음일 수 있고, 예를 들어 양 바이어스 전압은 음대전된 DNA 탐침 종들이 나노와이어 표면 근처에 이르는데 도움을 주고 표면 아미노기와의 그 반응 가능성을 높인다.
도4a는 백게이트(46)를 구비하는 나노 센서의 다른 실시예를 개략적으로 도시한다. 도4b는 -10V 내지 +10V의 범위의 백게이트 전압에서 컨덕턴스 대 시간을 도시한다. 도4c는 컨덕턴스 대 백게이트 전압을 도시한다. 백게이트는 나노와이어로부터 전하 전달자를 주입 또는 제거하는데 사용될 수 있다. 따라서, 이는 나노와이어 센서의 민감도 및 동작 범위를 제어하고 나노와이어에 어날라이트를 이끄는데 사용될 수 있다.
도5a 및 도5b는 pH의 함수로서 단일 실리콘 나노와이어에 대하여 원상태, 도포된 경우에 대한 각각의 컨덕턴스를 도시한다. 도4에 도시된 바와 같이, 실리콘 나노와이어의 컨덕턴스는 샘플이 변할 때 7 내지 2.5에서 변한다. 도5의 실리콘 나노와이어는 나노와이어의 표면에서 아민기에 노출되도록 변성된다. 도5는 도4에서의 반응과 비교될 때 pH에 대한 반응의 변화를 도시한다. 도5의 변성된 나노와이어는 예를 들어 피의 생체 상태들에 존재하는 것과 같은 더 연한 상태에 대한 반응을 도시한다.
도6은 올리고뉴클리오티드제 반응 엔티티로 변성된 표면을 구비하는 실리콘 나노와이어에 대한 컨덕턴스를 도시한다. 컨덕턴스는 보족 올리고뉴클리오티드 어날라이트가 부착된 올리고뉴클리오티드제와 결합되는 곳에서 급격하게 변한다.
도8a는 단일벽 나노튜브에 대한 게이트 전압에서의 변화에 따른 정전 환경에서의 변화를 도시한다. 도8b 및 도8c는 단일벽 탄소 나노튜브의 NaCL 및 CrClx에 의해 유도된 컨덕턴스에서의 변화를 도시한다.
도9a는 하이드록실 표면기를 갖춘 나노 센서가 2 내지 9의 pH 레벨로 노출될 때 컨덕턴스에서의 변화를 도시한다. 도9b는 아민기로 변성된 나노센서들이 2 내지 9의 pH 레벨로 노출될 때 컨덕턴스에서의 변화를 도시한다. 도9c는 pH 레벨에서의 변화에 따른 나노센서들의 상대적인 컨덕턴스를 도시한다. 결과들은 넓은 pH에서의 선형 반응을 도시하고, 이는 장치가 생체 유체의 pH 상태를 측정하거나 또는 모니터링하는데 적합하는 것을 명백하게 설명한다.
도10a는 블랭크 완충 용액에 먼저 노출되고 어날라이트를 함유하는 용액, 즉250 nM 스트렙타비딘에 노출될 때, 반응 엔티티 BSA 비오틴으로 변성된 실리콘 나노와이어(SiNW)의 컨덕턴스에서의 증가를 도시한다. 도10b는 블랭크 완충 용액에 먼저 노출되고 25 nM 스트렙타비딘을 함유하는 용액에 노출될 때, 반응 엔티티 BSA 비오틴으로 변성된 SiNW의 컨덕턴스에서의 증가를 도시한다. 도10c는 블랭크 완충 용액에 먼저 노출되고 스트렙타비딘에 노출될 때, 베어 SiNW의 컨덕턴스에서의 무변화를 도시한다. 도10d는 블랭크 완충 용액에 먼저 노출되고 d-비오틴 스트렙타비딘을 함유하는 용액에 노출될 때, BSA 비오틴으로 변성된 SiNW의 컨덕턴스를 도시한다. 도10e는 블랭크 완충 용액에 노출되고 스트랩타비딘을 함유하는 용액에 노출되고 다시 블랭크 완충 용액에 노출된 비오틴 변성 나노센서의 컨덕턴스에서의 변화를 도시한다. 도10f는 다르게는 완충 용액 및 스트랩타비딘을 함유하는 용액에 노출될 때 베어 SiNW의 컨덕턴스에서의 무변화를 도시한다. 이러한 결과들은 나노와이어 센서가 매우 높은 정밀도로 바이오-마커들의 특정 검출에 적당하다는 것을 나타낸다.
도11a는 블랭크 완충 용액에 먼저 노출되고 안티비오틴을 함유하는 용액에 노출될 때 BSA-비오틴 변성 SiNW의 컨덕턴스에서의 감소를 도시한다. 컨덕턴스는 블랭크 완충 용액으로 안티비오틴을 함유하는 용액을 대체할 때 증가되고, 다시 안티비오틴을 함유하는 용액에 나노센서를 노출할 때 감소된다. 도11a는 비오틴과 안티비오틴 사이의 가역 결합을 나타낸다. 도11b는 완충 용액, 이후에 안티비오틴을 함유하는 용액과 접촉하는 동안 베어 SiNW의 컨덕턴스를 도시한다. 도11c는 버퍼에 노출되는 동안 BSA-비오틴 변성 SiNW, 다른 IgG 타입 항체, 비오틴에 대한 IgGl 항사슬 안티비오틴의 컨덕턴스에서의 변화를 도시한다. 도11c는 IgG 타입 항체의 존재에 의해 방해받지 않고 BSA 비오틴 변성 SiNW 가 안티비오틴의 존재를 검출하는 것을 나타낸다. 이러한 결과들은 실제 생체 상태하에서 동적 바이오-마커 모니터링에 대한 나노와이어 센서의 가능성을 나타낸다.
아민 변성 SiNW는 금속 이온들의 존재를 또한 검출할 수 있다. 도12a는 블랭크 완충 용액 및 1mM Cu(Ⅱ)를 함유하는 용액에 교대로 노출될 때, 아민 변성 SiNW의 컨덕턴스에서의 변화를 도시한다. 도12b는 아민 변성 SiNW가 0.1 mM 내지 1 mM의 Cu(Ⅱ)의 농도들에 노출될 때, 컨덕턴스에서의 증가를 도시한다. 도12c는 Cu(Ⅱ)농도에 대한 컨덕턴스에서의 증가를 도시한다. 도12d는 블랭크 완충 용액에 먼저 노출되고 이후에 1 mM의 Cu(Ⅱ)에 노출될 때, 비변성 SiNW의 컨덕턴스에서의 무변화를 도시한다. 도12e는 블랭크 완충 용액에 먼저 노출되고 이후에 1 mM의 Cu(Ⅱ)-EDTA에 노출될 때, 아민 변성 SiNW의 컨덕턴스에서의 무변화를 도시하고, EDTA는 변성 SiNW와 결합되는 Cu(Ⅱ)의 능력을 방해한다. 이러한 결과들은 무기 화학 분석에서 사용되는 나노와이어 센서의 가능성을 나타낸다.
도13a는 칼슘 결합 단백질인 칼모듀린(calmodulin)으로 변성된 실리콘 나노와이어의 컨덕턴스를 나타낸다. 도13a에서, 구역 1은 블랭크 완충 용액에 노출될 때, 칼모듀린 변성 실리콘의 컨덕턴스를 도시한다. 구역 2는 하향 화살표로 도3에서 표시된 칼슘 이온들을 함유하는 용액에 노출될 때, 동일한 나노와이어의 컨덕턴스에서의 강하를 도시한다. 구역 3은 상향 화살표로 지시된, 블랭크 완충 용액과 재차 접촉되는 동일한 나노와이어의 컨덕턴스에서의 증가를 도시한다. 그 원래 레벨로 컨덕턴스의 연속적인 복귀는 칼슘 이온이 칼모듀린 변성 나노와이어에 가역가능하게 결합된다는 것을 나타낸다. 도13b는 블랭크 완충 용액에 먼저 노출되고 이후에 칼슘 이온을 함유하는 용액에 노출될 때, 비변성 나노와이어의 컨덕턴스에서 의 무변화를 도시한다.
상기 언급된 바와 같이, 일 실시예에서, 본 발명은 샘플에 존재하는 것으로 추측되는 어날라이트의 존재 유무를 판단하는데 나노스케일 전기 기반 센서를 제공한다. 나노스케일은 매크로스케일 센서에 위해 제공되는 검출에서보다 훨씬 큰 감도를 제공한다. 게다가, 나노스케일 센서들에 사용되는 샘플 크기는 대략 10 마이크로리터이하, 양호하게는 대략 1 마이크로리터 이하, 더 양호하게는 0.1 마이크로리터이하이다. 샘플 크기는 대략 10 나노리터 이하일 수 있다. 나노스케일 센서는 생물학적 종에 독특한 접근가능성을 허용하고, 생체내 및 생체외의 응용분야에서 모두 사용될 수 있다. 생체내에 사용될 때, 나노스케일 센서 및 대응하는 방법은 최소 침입 과정을 얻을 수 있게 한다.
도14a는 도핑 농도 및 나노와이어 직경과 비교하여 5개의 전하까지 검출하는 민감도의 계산을 도시한다. 도시된 바와 같이, 나노와이어의 감도는 도핑 농도를 변화시키거나 또는 나노와이어의 직경을 제어함으로써 제어될 수 있다. 예를 들어, 나노와이어의 도핑 농도를 증가시키면, 더 많은 전하를 검출하는 나노와이어의 능력을 증가시킨다. 또한, 20 nm 와이어는 동일한 수의 전하를 검출하도록 5 nm의 나노와이어보다 더 적은 도핑을 필요로 한다. 도14b는 나노와이어의 직경과 비교하여 단일 전하를 검출하기 위하여 임계 도핑 밀도의 계산을 도시한다. 다시, 20 nm의 나노와이어는 단일 전하를 검출하기 위해 5 nm 나노와이어보다 더 적은 도핑을 필요로 한다.
도15는 InP 나노와이어의 개략도를 도시한다. 나노와이어는 균일할 수 있거 나 또는 n 및 p 불순물의 불연속 부분을 포함할 수 있다. 도15b는 pH가 변할 때 시간에 따른 나노와이어의 발광에서의 변화를 도시한다. 도시된 바와 같이, 나노와이어의 광 방사의 강도는 결합 레벨에 대해 변화한다. pH가 증가할 때, 광 강도는 감소하고, pH가 감소할 때 광 강도는 증가한다. 본 발명의 일 실시예는 마이크로어레이에서의 각각의 전극을 통해 스위프함으로써 개별적으로 접근된 광 신호 검출을 고려한다. 본 발명의 다른 실시예는 전기 검출기와 결합된 광학 센서와 같은 2개의 신호 검출기를 고려한다.
도16a는 나노와이어 센서의 일 실시예를 나타낸다. 도16a에 도시된 바와 같이, 본 발명의 나노와이어 센서는 단일 분자의 불순물첨가된 실리콘(50)을 포함한다. 불순물첨가된 실리콘은 튜브형이고, 불순물첨가는 n-불순물첨가형 또는 p-불순물첨가형일 수 있다. 2가지의 형식으로, 불순물첨가된 실리콘 나노와이어는 전압이 인가될 수 있는 고저항 반도체 재료를 형성한다. 튜브의 내부면 및 외부면은 그위에 형성된 산화물을 가지고, 튜브의 표면은 FET 장치의 게이트(52)로서 기능을 수행할 수 있고, 튜브의 양 단부의 전기 접촉부들은 튜브 단부들이 드레인(56) 및 소스(58)로서 기능을 수행하게 한다. 기술된 실시예에서, 장치는 대칭이고 장치의 양단부는 드레인 또는 드레인 또는 소스로 간주될 수 있다. 도시할 목적으로, 도16a의 나노와이어는 소스로서의 좌측 및 드레인으로서의 우측을 형성한다. 도16a는 나노와이어 장치가 2개의 도체 요소(54)들에 배치되고 전기 연결되는 것을 또한 도시한다.
도16a 및 도16b는 화학적/또는 리간드-게이트 전계 효과 트랜지스터(FET)의 일례를 도시한다. FET는 전자의 기술분야에서 또한 알려져 있다. 요약하면, FET는 하나는 드레인에 연결되고 다른 하나는 소스에 연결되는 2개의 전극들 사이의 도체가 소스와 드레인 사이의 채널에서의 전하 전달자의 유용성에 영향을 미치는 3-단자 장치이다. FET는 1989년 캠브리지 대학 출판사, 저자가 폴 호로위즈 및 윈필드 힐인, 2판인 "전자공학의 기술"(113페이지 내지 174페이지 참조)에 더 상세하게 설명되고, 그 전체 내용들은 레퍼런스로 본문에서 합체된다. 전하 전달자의 이러한 유용성은 게이트 전극으로 또한 아려진 제3 "제어 전극"에 인가된 전압에 의해 제어된다. 채널에서의 도전성은 채널을 가로질러 전기장을 만드는 게이트 전극에 인가된 전압에 의해 제어된다. 도16a 및 도16b의 장치는 화학물 또는 리간드가 채널의 도전율을 변화시키는 전기장을 만드는 게이트에 전압을 제공함으로 인해 화학물 또는 리간드-FET로 간주될 수 있다. 채널에서의 도전율에서의 이러한 변화는 채널을 통한 전류의 흐름에 영향을 준다. 이러한 이유로, FET는 게이트에서의 전압이 채널, 소스 및 드레인을 통하는 전류를 제어하는 트랜스컨덕턴트(transconductant) 장치로서 종종 지칭된다. FET의 게이트는 예를 들어, 접합 FET(JFET)에서와 같은 반도체 접합을 사용하거나 또는 금속 산화막 반도체 FET(MOSFET)에서와 같은 산화물 절연체를 사용하면서 도전 채널로부터 절연된다. 이에 따라, 도A 및 도B에서, 나노와이어 센서의 SIO2 외부면은 게이트에 대한 게이 절연으로서 기능을 수행할 수 있다.
응용분야에서, 도A에 도시된 나노와이어 장치는 샘플과 접촉되거나 또는 샘플 유동로 내에 배치될 수 있는 FET 장치를 제공한다. 샘플 내에서의 관심 요소들 은 나노와이어 장치의 표면과 접촉할 수 있고, 소정의 상태하에서 결합되거나 또는 다르게는 표면에 부착될 수 있다.
이러한 목적으로, 장치의 외부면은 반응 엔티티, 예를 들어 관심의 부분(moiety)에 대하여 특정한 결합 협력자일 수 있다. 결합 협력자는 샘플 내의 관심의 부분들이 나노와이어 장치의 외부면에 부착되거나 또는 결합되도록 부분들을 끌어당기거나 또는 결합된다. 이러한 예는 나노와이어 장치의 표면에 결합되는 관심 부분(60)[스케일로 도시 안됨]이 기술되는 도16c에 도시된다.
또한, 도16c를 참조하여 부분들이 증대될 때 도시되는 것은 소모 구역(62)은 와이어를 통하는 전류를 제한하는 나노와이어 장치내에 생성된다. 소모 구역은 채널의 타입에 따라 구멍들 또는 전자로 소모될 수 있다. 이는 아래의 도16d에서 개략적으로 도시된다. 부분은 게이트/드레인 접합부를 가로질러 전압차로 이르게 하는 전하를 갖는다.
본 발명의 나노스케일 센서는 실시간 데이터를 수집할 수 있다. 실시간 데이터는, 예를 들어 특정 화학 또는 생물학적 반응의 반응률을 모니터하도록 사용될 수 있다. 생체 상태 또는 체내에 존재하는 약물 농도는 약물 이송 시스템을 제어도하도록 사용될 수 있는 실시간 신호를 또한 만들 수 있다. 예를 들어, 본 발명은 일 태양에서, 나노와이어 검출기, 판독기 및 컴퓨터 제어 반응 시스템을 포함하는 통합 시스템을 포함한다. 이러한 예에서, 나노와이어는 화학물 또는 약물을 억제하거나 방출하게 하는 컴퓨터 제어 반응 시스템에 신호를 제공하면서, 샘플에서의 어날라이트의 평행상태에서의 변화를 검출한다. 이는 그 소형 크기 및 낮은 에 너지 요구조건으로 인해 약물 또는 화학물 이식 장치로서 특히 유용하다. 본 기술 분야의 당업자들은 본 발명과 관련하여 사용하기에 적합한 이식 장치, 판독기 및 컴퓨터 제어 반응 시스템들을 구성하기 위한 파라미터들 및 요구조건들을 잘 알고 있다. 이는 센서로서 나노와이어들의 본문에서의 개시물들과 연결된 본 기술 분야의 당업자들의 지식은 이식 장치, 실시간 측정 장치, 통합 시스템 등을 가능하게 한다. 이러한 시스템들은 하나 또는 개별적 또는 동시에 복수의 생체 특성들을 모니터링할 수 있게 할 수 있다. 이러한 생체 특성들은, 예를 들어 산소 농도, 이산화탄소 농도, 포도당 레벨, 특정 약물의 농도, 특정 약물 부산물의 농도등을 포함할 수 있다. 통합 생체 장치들은 본 발명의 센서에 의해 감지된 상태에 따라 기능을 수행할 수 있도록 구성될 수 있다. 예를 들어, 본 발명의 나노와이어 센서는 글루코오스 레벨을 감지할 수 있고, 결정된 글루코오스 레벨에 기초하여 적절한 제어기 기구를 통해 대상물 내로 인슐린의 방출하게 할 수 있다.
다른 실시예에서, 제품은 샘플 노출 구역 및 나노와이어를 포함하는 카세트를 포함할 수 있다. 샘플 노출 구역의 샘플에서의 어날라이트의 검출은 샘플들이 한 위치에 모이게 하고 다른 위치에서 검출되게 허용하면서 카세트가 검출 장치와 분리된다. 카세트는 나노와이어와 관련된 특성을 결정할 수 있는 검출 장치에 작동식 연결될 수 있다. 본문에서 사용될 때, 다른 장치와 부착되고 상호작용하는 능력을 가질 때 장치는 "작동식 연결가능"이다.
다른 실시예에서, 하나 이상의 나노와이어들은 미세유체 채널에 위치될 수 있다. 하나 이상의 다양한 나노와이어들은 다양한 어날라이트를 검출하거나 또는 동일한 어날라이트의 유동율을 측정하도록 다양한 위치들에서 동일한 마이크로채널을 가로지를 수 있다. 다른 실시예에서, 미세유체 채널에 위치된 하나 이상의 나노와이어들은 마이크로 니들 프로브 또는 딥(dip) 또는 판독 프로프에서 복수의 분석 요소들 중 하나를 형성할 수 있다. 마이크로 니들 프로브는 이식가능하고 실시간으로 동시에 몇몇 어날라이트를 검출할 수 있다. 다른 실시예에서, 미세유체 채널에 위치된 하나 이상의 나노와이어들은 카세트 또는 칩 장치상의 랩에 대한 마이크로어레이에서의 분석 요소들 중 하나를 형성할 수 있다. 본 기술 분야의 당업자들은 카세트 또는 칩 장치 상의 랩은 고처리량 화학 분석 및 복합적 약물 발견에 특히 적합하다는 것을 알 것이다. 게다가, 나노스케일 센서를 사용하는 관련 방법은 다른 감지 기술에서와 같이 인식표시를 요구하지 않는다는 점에서 빠르고 단순하다. 하나의 나노스케일 센서에서 다중 나노와이어를 포함하는 능력은 단일 샘플에 존재하는 것으로 추측되는 다양한 어날라이트의 동시적인 검출을 또한 허용한다. 예를 들어, 나노스케일 pH 센서는 각각이 다양한 pH 레벨을 검출하는 복수의 나노스케일 와이어를 포함할 수 있고, 또는 다중 나노스케일 와이어를 갖춘 나노스케일 올리고 센서는 다중 시퀀스 또는 시퀀스들의 조합들을 검출하도록 사용될 수 있다.
본 기술 분야의 당업자들은 본문에 언급된 모든 파라미터들은 예를 의미하고 실질적인 파라미터들은 본 발명의 방법들 및 장치들이 사용되는 특정 응용분야에 달려있다는 것을 용이하게 평가할 것이다. 따라서, 상기 실시예들은 단지 예로서만 제공되고, 첨부된 청구범위 및 그 상응물들 내에서 본 발명은 특정하게 설명된 것과 다르게 실시될 수 있음을 이해할 것이다.
도1a는 나노스케일 검출기의 개략도이다.
도1b는 나노와이어의 평행 어레이를 갖는 나노스케일 검출기의 개략도이다.
도2a는 나노와이어가 상보적 결합 협력자를 검출하기 위해 결합제로 변성된 나노스케일 검출기의 개략도이다.
도2b는 상보적 결합 협력자가 결합제에 고정될 때, 도2a의 나노스케일 검출기의 개략도이다.
도3a는 두 금속 전극에 접속된 단일 실리콘 나노와이어의 저 해상도 스캐닝 전자 현미경 사진이다.
도3b는 두 금속 전극에 접속된 단일 실리콘 나노와이어 장치의 고 해상도 스캐닝 전자 현미경 사진이다.
도4a는 백게이트를 갖는 나노스케일 셈서의 다른 실시예의 개략도이다.
도4b는 컨덕턴스 대 다양한 백게이트 전압을 갖는 시간을 도시한다.
도4c는 컨덕턴스 대 백게이트 전압을 도시한다.
도5a는 pH의 기능으로서 단일 실리콘 나노와이어에 대한 컨덕턴스를 도시한다.
도5b는 표면에서 아민기를 노출하도록 변성되는 단일 실리콘 나노와이어에 대한 pH 대 컨덕턴스를 도시한다.
도6은 올리고뉴클레오티드제로 변성된 표면을 갖는 실리콘 나노와이어에 대한 시간 대 컨덕턴스를 도시한다.
도7은 전형적인 단일 벽 나노튜브 검출기의 원자력 현미경 사용한 화상이다.
도8a는 공기에서 단일 벽화된 탄소 나노튜브 장치에 대한 전류-전압(I-V) 측정값을 도시한다.
도8b는 NaCl에서 도8a의 단일 벽화된 탄소 나노튜브에 대한 전류-전압(I-V) 측정값을 도시한다.
도8c는 CrClx에서 도8b의 단일 벽화된 탄소 나노튜브에 대한 전류-전압(I-V) 측정값을 도시한다.
도9a는 2부터 9까지 pH 레벨로 노출될 때 하이드록실기가 변성된 나노센서의 컨덕턴스를 도시한다.
도9b는 2부터 9까지 pH 레벨로 노출될 때 아민기가 변성된 나노센서의 컨덕턴스를 도시한다.
도9c는 pH 레벨에서 변화를 갖는 나노센서의 상대적 컨덕턴스를 도시한다.
도10a는 먼저 블랭크 완충 용액으로, 다음으로 250 nM 스트렙타비딘을 포함하는 용액으로 노출되는 바와 같이, BSA 비오틴으로 변성된 SiNW의 컨덕턴스를 도시한다.
도10b는 먼저 블랭크 완충 용액으로, 다음으로 25 pM 스트렙타비딘을 포함하는 용액으로 노출되는 바와 같이, BSA 비오틴으로 변성된 SiNW의 컨덕턴스를 도시한다.
도10c는 먼저 블랭크 완충 용액으로, 다음으로 스트렙타비딘을 포함하는 용액으로 노출되는 바와 같이, 베어 SiNW의 컨덕턴스를 도시한다.
도10d는 완충 용액으로, 다음으로 d-비오틴 스트렙타비딘을 포함하는 용액으로 노출되는 바와 같이, BSA 비오틴으로 변성된 SiNW의 컨덕턴스를 도시한다.
도10e는 블랭크 완충 용액으로, 다음으로 스트렙타비딘을 포함하는 용액으로, 다시 블랭크 완충 용액으로 노출된 비오틴으로 변성된 나노센서의 컨덕턴스를 도시한다.
도10f는 완충 용액 및 스트렙타비딘을 포함하는 용액으로 선택적으로 노출되는 바와 같이, 베어 SiNW의 컨덕턴스를 도시한다.
도11a는 먼저 완충 용액으로, 다음으로 안티비오틴을 포함하는 용액으로 노출되는 바와 같이, BSA-비오틴으로 변성된 SiNW의 컨덕턴스를 도시한다.
도11b는 완충 용액 및 다음으로 안티비오틴을 포함하는 용액과 접촉하는 동안베어 SiNW의 컨덕턴스를 도시한다.
도11c는 완충, 다른 IgG형 항체, 다음으로 안티비오틴에 노출되는 동안 BSA-비오틴으로 변성된 SiNW의 컨덕턴스를 도시한다.
도12a는 블랭크 완충 용액 및 1 mM Cu(Ⅱ)를 포함하는 용액으로 선택적으로 노출될 때, SiNW으로 변성된 아민의 컨덕턴스를 도시한다.
도12b는 0.1 mM 내지 1 mM까지 Cu(Ⅱ)의 농도로 노출된 SiNW으로 변성된 아민의 컨덕턴스를 도시한다.
도12c는 Cu(Ⅱ)의 농도 대 컨덕턴스를 도시한다.
도12d는 먼저 블랭크 완충 용액에, 다음으로 1 mM Cu(Ⅱ)-EDTA에 노출될 때 변성되지 않은 SiNW의 컨덕턴스를 도시한다.
도12e는 먼저 블랭크 완충 용액에, 다음으로 1 mM Cu(Ⅱ)-EDTA에 노출될 때 아민-변성된 SiNW의 컨덕턴스를 도시한다.
도13a는 완충 용액에, 다음으로 칼슘이온을 포함하는 용액으로 노출되는 단백질 변성된 실리콘 나노와이어의 컨덕턴스를 도시한다.
도13b는 완충 용액에, 다음으로 칼슘이온을 포함하는 용액으로 노출되는 베어 실리콘 나노와이어의 컨덕턴스를 도시한다.
도14a는 도핑 농도 및 나노와이어 직경과 비교하여 5 농도까지 검출하기 위한 민감성의 계산을 도시한다.
도14b는 단일 전하를 검출하기 위한 나노와이어 직경과 비교된 초기 도핑 밀도의 계산을 도시한다.
도15a는 InP 나노와이어의 개략도이다.
도15b는 pH가 변화함에 따른 시간 동안 도15a의 나노와이어의 발광에서 변화를 도시한다.
도16a는 나노와이어 센서, 특히 화학 또는 리간드-게이티 전계 효과 트랜지스터(FET)의 일 실시예를 도시한다.
도16b는 도16a의 나노와이어의 다른 도면을 도시한다.
도16c는 표면에서 일부분을 갖는 도16a의 나노와이어를 도시한다.
도16d는 소모 영역을 갖는 도16c의 나노와이어를 도시한다.

Claims (38)

  1. 어날라이트를 검출하기 위한 나노와이어 센서 장치이며,
    샘플 노출 영역과,
    제1 및 제2 전극과,
    상기 샘플 노출 영역 내의 샘플이 나노와이어의 적어도 일부분에 접근 가능하도록 배열되고 상기 제1 및 제2 전극 사이에서 연결되는 중실형 반도체 나노와이어와,
    상기 나노와이어에 부착되어 전기적으로 결합된 반응 엔티티를 포함하고,
    상기 나노와이어는 나노와이어의 성장 후 상기 장치의 기판의 표면 상에 위치되고,
    샘플 내의 어날라이트와 상기 반응 엔티티 사이의 상호작용은 상기 나노와이어의 전기 특성에서의 검출가능한 변화를 일으키고,
    상기 반도체 나노와이어는 소스 전극을 형성하는 제1 전극과 전기 접촉하는 제1 단부와, 드레인 전극을 형성하는 제2 전극과 전기 접촉하는 제2 단부와, 게이트 전극을 형성하도록 그 위에 형성된 산화물을 갖는 외부 표면을 갖고,
    상기 반응 엔티티는, 샘플 내의 관심 부분에 대하여 특이성을 갖고 상기 외부 표면에 결합되는 결합제이고, 상기 게이트 전극에서의 전압은 화학적 게이트 전계 효과 센서 장치를 제공하도록 상기 결합제에 대한 상기 부분의 결합에 반응하여 변화하는 나노와이어 센서 장치.
  2. 미리 결정된 전류-전압 특성을 갖고 화학적 또는 생물학적 센서로서 사용하도록 구성되는 어날라이트 게이트 전계 효과 트랜지스터를 포함하는 장치이며,
    상기 트랜지스터는,
    마이크로채널을 포함하는 샘플 노출 영역과,
    제1 및 제2 전극과,
    상기 샘플 노출 영역 내의 샘플이 나노와이어의 적어도 일부분에 접근 가능하도록 배열되고 상기 제1 및 제2 전극 사이에서 연결되는 중실형 반도체 나노와이어와,
    상기 나노와이어에 부착되어 전기적으로 결합된 반응 엔티티를 포함하고,
    상기 나노와이어는 나노와이어의 성장 후 상기 장치의 기판의 표면 상에 위치되고, 상기 기판은 제1 절연 재료로 형성되며, 상기 제1 전극은 상기 기판 상에 배치된 소스 전극을 형성하고, 상기 제2 전극은 상기 기판 상에 배치된 드레인 전극을 형성하며,
    샘플 내의 어날라이트와 상기 반응 엔티티 사이의 상호작용은 상기 나노와이어의 전기 특성에서의 검출가능한 변화를 일으키고, 상기 반응 엔티티는 상기 나노와이어의 표면 상에 배치된 어날라이트 특이성 결합제이며,
    상기 반도체 나노와이어는 미리 결정된 전류-전압 특성을 갖는 전계 효과 트랜지스터를 형성하도록 상기 소스와 드레인 전극들 사이에 배치되고,
    타겟 어날라이트와 상기 결합제 사이에서 일어나는 결합은 상기 전계 효과 트랜지스터의 상기 전류-전압 특성에서의 검출가능한 변화를 일으키는, 어날라이트 게이트 전계 효과 트랜지스터를 포함하는 장치.
  3. 제1항 또는 제2항에 있어서, 상기 샘플 노출 영역은 웰부(well)를 포함하는 장치.
  4. 제1항 또는 제2항에 있어서, 상기 반도체 나노와이어는 실리콘 나노와이어인 장치.
  5. 제1항 또는 제2항에 있어서, 상기 반도체 나노와이어는 p-n 접합을 포함하는 장치.
  6. 제1항 또는 제2항에 있어서, 상기 반응 엔티티는 상기 어날라이트의 결합 협력자를 포함하는 장치.
  7. 제6항에 있어서, 상기 결합 협력자는 상기 나노와이어 표면 상의 화학기를 포함하고, 상기 화학기는 -OH, -CHO, -COOH, -SO3H, -CN, NH2, -SH, -COSH, -COOR,할로겐화물로 구성된 그룹으로부터 선택되는 장치.
  8. 제6항에 있어서, 상기 결합 협력자는 DNA, DNA의 절편, 항체, 항원, 단백질 및 효소로 구성된 그룹으로부터 선택된 특정 생체 분자 수용기를 포함하는 장치.
  9. 제6항에 있어서, 상기 결합 협력자는 상기 나노와이어의 표면 상에 폴리머 체인을 포함하고, 상기 체인은 폴리아미드, 폴리에스테르, 폴리아크릴, 폴리이미드로 구성된 폴리머의 그룹으로부터 선택되는 장치.
  10. 제6항에 있어서, 상기 결합 협력자는 나노와이어의 표면 상의 코팅을 포함하고, 상기 코팅은 산화물, 황화물 및 셀레나이드로 구성된 그룹으로부터 선택되는 장치.
  11. 제1항 또는 제2항에 있어서, 상기 반응 엔티티는 핵산, 항체, 당, 탄수화물 및 단백질로 구성된 그룹으로부터 선택되는 장치.
  12. 제1항 또는 제2항에 있어서, 상기 반응 엔티티는 촉매를 포함하는 장치.
  13. 제1항 또는 제2항에 있어서, 상기 반응 엔티티는 양자점을 포함하는 장치.
  14. 제1항 또는 제2항에 있어서, 상기 반응 엔티티는 폴리머를 포함하는 장치.
  15. 삭제
  16. 제1항 또는 제2항에 있어서, 상기 반응 엔티티는 상기 나노와이어에 직접 부착되는 장치.
  17. 제1항 또는 제2항에 있어서, 상기 장치는 복수의 나노와이어를 포함하는 장치.
  18. 제17항에 있어서, 상기 복수의 나노와이어는 평행하게 배열되고 한 쌍의 전극에 의해 연결되는 장치.
  19. 제17항에 있어서, 상기 복수의 나노와이어는 서로 평행하게 배열되고, 다중 쌍의 전극들에 의해 각각 연결되는 장치.
  20. 제19항에 있어서, 상기 복수의 나노와이어는 상이하고, 각각은 다양한 어날라이트를 검출할 수 있는 장치.
  21. 제17항에 있어서, 상기 복수의 나노와이어는 임의적으로 배향되는 장치.
  22. 삭제
  23. 제1항 또는 제2항에 있어서, 상기 장치는 기판의 표면 상에 형성된 센서 어레이의 복수의 나노와이어 센서 중 하나인 장치.
  24. 제23항에 있어서, 상기 기판은 유리, 이산화규소 도포 실리콘 및 폴리머로 구성된 그룹으로부터 선택되는 장치.
  25. 제1항 또는 제2항에 있어서, 상기 나노와이어는 나노와이어 코어 영역과 외측 영역을 포함하고, 상기 외측 영역은 상기 나노와이어 코어에 화학적 또는 물리적으로 결합되는 기능적 부분을 포함하는 장치.
  26. 제25항에 있어서, 상기 코어는 Si, GaN, AlN, InN, GaAs, AlAs, InAs, InP, GaP, SiC, CdSe, ZnSe, ZnTe, ZnO, SnO2 및 TiO2로 구성된 그룹으로부터 선택된 재료를 포함하는 장치.
  27. 제25항에 있어서, 상기 외측 영역의 기능적 부분은 -OH, -CHO, -COOH, -SO3H, -CN, NH2, -SH, -COSH, -COOR 및 할로겐화물로 구성된 그룹으로부터 선택되는 장치.
  28. 제25항에 있어서, 상기 기능적 부분은 아미노산, 단백질, DNA, 항체, 항원 및 효소로 구성된 그룹으로부터 선택되는 장치.
  29. 제25항에 있어서, 상기 기능적 부분은 폴리아미드, 폴리에스테르, 폴리이미드 및 폴리아크릴로 구성된 그룹으로부터 선택된, 나노와이어 코어의 직경 미만의 체인 길이를 갖는 폴리머 체인을 포함하는 장치.
  30. 제25항에 있어서, 상기 기능적 부분은 금속, 반도체 및 절연체로 구성된 그룹으로부터 선택된, 나노와이어 코어의 표면을 덮는 코팅을 포함하는 장치.
  31. 제30항에 있어서, 상기 코팅은 금속 요소, 산화물, 황화물, 질화물, 셀레나이드, 폴리머 및 폴리머 겔로 구성된 그룹으로부터 선택되는 장치.
  32. 삭제
  33. 삭제
  34. 제1항에 따른 장치를 제공하는 단계와,
    어날라이트를 함유하는 것으로 생각되는 샘플과 상기 중실형 반도체 나노와이어를 접촉시키는 단계와,
    상기 반응 엔티티와 어날라이트 사이의 상호 작용이 나노와이어의 전기 특성에서의 검출가능한 변화를 일으키도록 하는 단계와,
    상기 나노와이어의 특성에서의 변화를 판정하는 단계를 포함하는 방법.
  35. 제34항에 있어서, 상기 나노와이어와 샘플을 접촉시키는 단계 이전에 우선 상기 나노와이어의 특성을 측정하는 단계를 더 포함하는 방법.
  36. 제34항에 있어서, 상기 나노와이어와 샘플을 접촉시키는 경우에 상기 샘플은 10 마이크로리터 미만의 체적을 갖는 방법.
  37. 제34항에 있어서, 상기 어날라이트의 하나의 분자는 검출된 전기 특성에서의 변화에 기여하는 방법.
  38. 삭제
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ES (1) ES2312490T3 (ko)
WO (1) WO2002048701A2 (ko)

Cited By (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
WO2013042946A1 (ko) * 2011-09-20 2013-03-28 주식회사 세라젬메디시스 모듈형 바이오센서

Families Citing this family (663)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
EP2224508B1 (en) 1999-07-02 2016-01-06 President and Fellows of Harvard College Method of separating metallic and semiconducting nanoscopic wires
US20060175601A1 (en) * 2000-08-22 2006-08-10 President And Fellows Of Harvard College Nanoscale wires and related devices
KR100995457B1 (ko) 2000-08-22 2010-11-18 프레지던트 앤드 펠로우즈 오브 하버드 칼리지 나노센서 제조 방법
US7301199B2 (en) * 2000-08-22 2007-11-27 President And Fellows Of Harvard College Nanoscale wires and related devices
KR20030055346A (ko) 2000-12-11 2003-07-02 프레지던트 앤드 펠로우즈 오브 하버드 칼리지 나노센서
US7250147B2 (en) 2001-01-29 2007-07-31 Tour James M Process for derivatizing carbon nanotubes with diazonium species
GB2412370B (en) * 2001-01-29 2005-11-09 Univ Rice William M Process for derivatizing carbon nanotubes with diazonium species and compositions thereof
JP3578098B2 (ja) * 2001-03-16 2004-10-20 富士ゼロックス株式会社 電気接続体の製造方法、電気接続体および電気配線方法
US8029734B2 (en) * 2001-03-29 2011-10-04 The Board Of Trustees Of The Leland Stanford Junior University Noncovalent sidewall functionalization of carbon nanotubes
KR101008294B1 (ko) * 2001-03-30 2011-01-13 더 리전트 오브 더 유니버시티 오브 캘리포니아 나노구조체 및 나노와이어의 제조 방법 및 그로부터 제조되는 디바이스
US7459312B2 (en) * 2001-04-18 2008-12-02 The Board Of Trustees Of The Leland Stanford Junior University Photodesorption in carbon nanotubes
US20030148380A1 (en) 2001-06-05 2003-08-07 Belcher Angela M. Molecular recognition of materials
US20030113714A1 (en) * 2001-09-28 2003-06-19 Belcher Angela M. Biological control of nanoparticles
AU2002330851A1 (en) * 2001-06-06 2002-12-23 Reytech Corporation Functionalized fullerenes, their method of manufacture and uses thereof
KR100439579B1 (ko) * 2001-06-07 2004-07-12 학교법인 포항공과대학교 유기 나노관의 합성 및 이를 주형으로 이용한 초미세 금속나노선의 합성
US7141416B2 (en) * 2001-07-12 2006-11-28 Burstein Technologies, Inc. Multi-purpose optical analysis optical bio-disc for conducting assays and various reporting agents for use therewith
US7186381B2 (en) * 2001-07-20 2007-03-06 Regents Of The University Of California Hydrogen gas sensor
US7563711B1 (en) 2001-07-25 2009-07-21 Nantero, Inc. Method of forming a carbon nanotube-based contact to semiconductor
US6706402B2 (en) 2001-07-25 2004-03-16 Nantero, Inc. Nanotube films and articles
US7259410B2 (en) 2001-07-25 2007-08-21 Nantero, Inc. Devices having horizontally-disposed nanofabric articles and methods of making the same
US6919592B2 (en) 2001-07-25 2005-07-19 Nantero, Inc. Electromechanical memory array using nanotube ribbons and method for making same
KR100455284B1 (ko) * 2001-08-14 2004-11-12 삼성전자주식회사 탄소나노튜브를 이용한 고용량의 바이오분자 검출센서
EP2261173A1 (en) * 2001-11-20 2010-12-15 Wm. Marsh Rice University Coated fullerene interconnect device
US6921462B2 (en) 2001-12-17 2005-07-26 Intel Corporation Method and apparatus for producing aligned carbon nanotube thermal interface structure
US6882767B2 (en) * 2001-12-27 2005-04-19 The Regents Of The University Of California Nanowire optoelectric switching device and method
US7956525B2 (en) 2003-05-16 2011-06-07 Nanomix, Inc. Flexible nanostructure electronic devices
US20060228723A1 (en) * 2002-01-16 2006-10-12 Keith Bradley System and method for electronic sensing of biomolecules
US7955559B2 (en) 2005-11-15 2011-06-07 Nanomix, Inc. Nanoelectronic electrochemical test device
US20070178477A1 (en) * 2002-01-16 2007-08-02 Nanomix, Inc. Nanotube sensor devices for DNA detection
US6894359B2 (en) 2002-09-04 2005-05-17 Nanomix, Inc. Sensitivity control for nanotube sensors
US20030134433A1 (en) * 2002-01-16 2003-07-17 Nanomix, Inc. Electronic sensing of chemical and biological agents using functionalized nanostructures
US20050279987A1 (en) * 2002-09-05 2005-12-22 Alexander Star Nanostructure sensor device with polymer recognition layer
US20040132070A1 (en) * 2002-01-16 2004-07-08 Nanomix, Inc. Nonotube-based electronic detection of biological molecules
US20070208243A1 (en) * 2002-01-16 2007-09-06 Nanomix, Inc. Nanoelectronic glucose sensors
US8154093B2 (en) * 2002-01-16 2012-04-10 Nanomix, Inc. Nano-electronic sensors for chemical and biological analytes, including capacitance and bio-membrane devices
US8152991B2 (en) 2005-10-27 2012-04-10 Nanomix, Inc. Ammonia nanosensors, and environmental control system
US20050003459A1 (en) * 2002-01-30 2005-01-06 Krutzik Siegfried Richard Multi-purpose optical analysis disc for conducting assays and related methods for attaching capture agents
US20080021339A1 (en) * 2005-10-27 2008-01-24 Gabriel Jean-Christophe P Anesthesia monitor, capacitance nanosensors and dynamic sensor sampling method
US7714398B2 (en) * 2002-09-05 2010-05-11 Nanomix, Inc. Nanoelectronic measurement system for physiologic gases and improved nanosensor for carbon dioxide
AU2003225839A1 (en) * 2002-03-15 2003-09-29 Nanomix. Inc. Modification of selectivity for sensing for nanostructure device arrays
US20070048181A1 (en) * 2002-09-05 2007-03-01 Chang Daniel M Carbon dioxide nanosensor, and respiratory CO2 monitors
US7522040B2 (en) * 2004-04-20 2009-04-21 Nanomix, Inc. Remotely communicating, battery-powered nanostructure sensor devices
US7547931B2 (en) * 2003-09-05 2009-06-16 Nanomix, Inc. Nanoelectronic capnometer adaptor including a nanoelectric sensor selectively sensitive to at least one gaseous constituent of exhaled breath
US7312095B1 (en) 2002-03-15 2007-12-25 Nanomix, Inc. Modification of selectivity for sensing for nanostructure sensing device arrays
US20070048180A1 (en) * 2002-09-05 2007-03-01 Gabriel Jean-Christophe P Nanoelectronic breath analyzer and asthma monitor
EP1353170A3 (en) * 2002-03-28 2004-02-04 Interuniversitair Micro-Elektronica Centrum (IMEC) Field effect transistor for sensing applications
US20040026684A1 (en) * 2002-04-02 2004-02-12 Nanosys, Inc. Nanowire heterostructures for encoding information
US6872645B2 (en) 2002-04-02 2005-03-29 Nanosys, Inc. Methods of positioning and/or orienting nanostructures
AU2003243165A1 (en) * 2002-04-26 2003-11-10 The Penn State Research Foundation Integrated nanomechanical sensor array chips
US6905667B1 (en) 2002-05-02 2005-06-14 Zyvex Corporation Polymer and method for using the polymer for noncovalently functionalizing nanotubes
US20040067530A1 (en) * 2002-05-08 2004-04-08 The Regents Of The University Of California Electronic sensing of biomolecular processes
US7687258B1 (en) * 2002-05-20 2010-03-30 Maki Wusi C Direct electric biological agent detector
US6548313B1 (en) * 2002-05-31 2003-04-15 Intel Corporation Amorphous carbon insulation and carbon nanotube wires
US7304128B2 (en) 2002-06-04 2007-12-04 E.I. Du Pont De Nemours And Company Carbon nanotube binding peptides
US6914279B2 (en) * 2002-06-06 2005-07-05 Rutgers, The State University Of New Jersey Multifunctional biosensor based on ZnO nanostructures
US7948041B2 (en) 2005-05-19 2011-05-24 Nanomix, Inc. Sensor having a thin-film inhibition layer
US7022617B2 (en) * 2002-06-26 2006-04-04 Cornell Research Foundation, Inc. Small scale wires with microelectromechanical devices
DE10229267A1 (de) * 2002-06-28 2004-01-29 Philips Intellectual Property & Standards Gmbh Vorrichtung zur optischen Signalverarbeitung und nichtlineares optisches Bauelement
US6946851B2 (en) * 2002-07-03 2005-09-20 The Regents Of The University Of California Carbon nanotube array based sensor
US7335908B2 (en) 2002-07-08 2008-02-26 Qunano Ab Nanostructures and methods for manufacturing the same
EP1387169B1 (en) * 2002-08-02 2006-05-24 Sony Deutschland GmbH Method of attaching hydrophilic species to hydrophilic macromolecules and immobilizing the hydrophilic macromolecules on a hydrophobic surface
JP2006516335A (ja) 2002-08-21 2006-06-29 ニューヨーク・ユニバーシティ 脳と機械のインターフェースのシステムおよび方法
US7287412B2 (en) * 2003-06-03 2007-10-30 Nano-Proprietary, Inc. Method and apparatus for sensing hydrogen gas
US6849911B2 (en) * 2002-08-30 2005-02-01 Nano-Proprietary, Inc. Formation of metal nanowires for use as variable-range hydrogen sensors
US20060263255A1 (en) * 2002-09-04 2006-11-23 Tzong-Ru Han Nanoelectronic sensor system and hydrogen-sensitive functionalization
US20070114573A1 (en) * 2002-09-04 2007-05-24 Tzong-Ru Han Sensor device with heated nanostructure
AU2003298998A1 (en) 2002-09-05 2004-04-08 Nanosys, Inc. Oriented nanostructures and methods of preparing
WO2004027336A1 (en) * 2002-09-17 2004-04-01 Midwest Research Institute Carbon nanotube heat-exchange systems
US20050064508A1 (en) 2003-09-22 2005-03-24 Semzyme Peptide mediated synthesis of metallic and magnetic materials
US6583014B1 (en) * 2002-09-18 2003-06-24 Taiwan Semiconductor Manufacturing Company Horizontal surrounding gate MOSFETS
US7015471B2 (en) * 2002-09-25 2006-03-21 North Carolina State University Surface plasmon resonance systems and methods having a variable charge density layer
JP4009683B2 (ja) * 2002-09-26 2007-11-21 アークレイ株式会社 分析用具の製造方法
US7135728B2 (en) 2002-09-30 2006-11-14 Nanosys, Inc. Large-area nanoenabled macroelectronic substrates and uses therefor
CA2499944A1 (en) 2002-09-30 2004-04-15 Nanosys, Inc. Integrated displays using nanowire transistors
WO2004032191A2 (en) * 2002-09-30 2004-04-15 Nanosys, Inc. Applications of nano-enabled large area macroelectronic substrates incorporating nanowires and nanowire composites
US7051945B2 (en) 2002-09-30 2006-05-30 Nanosys, Inc Applications of nano-enabled large area macroelectronic substrates incorporating nanowires and nanowire composites
CN1745468B (zh) * 2002-09-30 2010-09-01 纳米***公司 大面积纳米启动宏电子衬底及其用途
US7067867B2 (en) * 2002-09-30 2006-06-27 Nanosys, Inc. Large-area nonenabled macroelectronic substrates and uses therefor
US7619562B2 (en) * 2002-09-30 2009-11-17 Nanosys, Inc. Phased array systems
AU2003283973B2 (en) * 2002-09-30 2008-10-30 Oned Material Llc Large-area nanoenabled macroelectronic substrates and uses therefor
US6717358B1 (en) * 2002-10-09 2004-04-06 Eastman Kodak Company Cascaded organic electroluminescent devices with improved voltage stability
WO2004034025A2 (en) * 2002-10-10 2004-04-22 Nanosys, Inc. Nano-chem-fet based biosensors
DE10247679A1 (de) * 2002-10-12 2004-04-22 Fujitsu Ltd., Kawasaki Halbleitergrundstruktur für Molekularelektronik und Molekularelektronik-basierte Biosensorik
AU2003285092A1 (en) * 2002-10-29 2004-05-25 Cornell Research Foundation, Inc. Chemical-sensitive floating gate field effect transistor
AU2003291385A1 (en) * 2002-11-08 2004-06-03 Nanomix, Inc. Nanotube-based electronic detection of biological molecules
US20040093497A1 (en) * 2002-11-08 2004-05-13 Arangio Joseph P. Authentication and ownership system, method and database
AU2003283778A1 (en) 2002-11-18 2004-06-15 Koninklijke Philips Electronics N.V. Dispersion of nanowires of semiconductor material
AU2003304249A1 (en) * 2002-11-19 2005-01-13 William Marsh Rice University Method for creating a functional interface between a nanoparticle, nanotube or nanowire, and a biological molecule or system
US7253014B2 (en) * 2002-11-19 2007-08-07 William Marsh Rice University Fabrication of light emitting film coated fullerenes and their application for in-vivo light emission
US7162308B2 (en) * 2002-11-26 2007-01-09 Wilson Greatbatch Technologies, Inc. Nanotube coatings for implantable electrodes
US7163659B2 (en) * 2002-12-03 2007-01-16 Hewlett-Packard Development Company, L.P. Free-standing nanowire sensor and method for detecting an analyte in a fluid
US7491428B2 (en) 2002-12-04 2009-02-17 The United States Of America As Represented By The Administrator Of The National Aeronautics And Space Administration Controlled deposition and alignment of carbon nanotubes
US7898005B2 (en) * 2002-12-09 2011-03-01 The Regents Of The University Of California Inorganic nanotubes and electro-fluidic devices fabricated therefrom
US7355216B2 (en) * 2002-12-09 2008-04-08 The Regents Of The University Of California Fluidic nanotubes and devices
US7211143B2 (en) * 2002-12-09 2007-05-01 The Regents Of The University Of California Sacrificial template method of fabricating a nanotube
ATE544867T1 (de) * 2002-12-11 2012-02-15 Centre Nat Rech Scient Methode zur elektronischen detektion wenigstens einer spezifischen interaktion zwischen einem proben- und einem zielmolekül
US20040126802A1 (en) * 2002-12-12 2004-07-01 Affymetrix, Inc. Nanotube-based microarrays
JP4434575B2 (ja) * 2002-12-13 2010-03-17 キヤノン株式会社 熱電変換素子及びその製造方法
JP4428921B2 (ja) * 2002-12-13 2010-03-10 キヤノン株式会社 ナノ構造体、電子デバイス、及びその製造方法
US20040200734A1 (en) * 2002-12-19 2004-10-14 Co Man Sung Nanotube-based sensors for biomolecules
US6936496B2 (en) 2002-12-20 2005-08-30 Hewlett-Packard Development Company, L.P. Nanowire filament
JP2006515231A (ja) * 2003-02-07 2006-05-25 ウイスコンシン アラムニ リサーチ ファンデーション ナノシリンダー−修飾された表面
US20040186459A1 (en) * 2003-03-20 2004-09-23 Michael Shur Fluid delivery to cells and sensing properties of cells using nanotubes
US7432522B2 (en) 2003-04-04 2008-10-07 Qunano Ab Nanowhiskers with pn junctions, doped nanowhiskers, and methods for preparing them
JP4701161B2 (ja) 2003-04-04 2011-06-15 キューナノ エービー 正確に位置決めされたナノウィスカおよびナノウィスカアレイ、およびそれらを作成する方法
US7135057B2 (en) * 2003-04-16 2006-11-14 Hewlett-Packard Development Company, L.P. Gas storage medium and methods
US7579077B2 (en) * 2003-05-05 2009-08-25 Nanosys, Inc. Nanofiber surfaces for use in enhanced surface area applications
US20050038498A1 (en) * 2003-04-17 2005-02-17 Nanosys, Inc. Medical device applications of nanostructured surfaces
US20060122596A1 (en) * 2003-04-17 2006-06-08 Nanosys, Inc. Structures, systems and methods for joining articles and materials and uses therefor
US7972616B2 (en) 2003-04-17 2011-07-05 Nanosys, Inc. Medical device applications of nanostructured surfaces
US7415299B2 (en) * 2003-04-18 2008-08-19 The Regents Of The University Of California Monitoring method and/or apparatus
JP4171917B2 (ja) * 2003-04-22 2008-10-29 コミサリア ア レネルジィ アトミーク ナノチューブまたはナノワイヤの少なくとも１つの電気特性を変更するための方法およびそれを含むトランジスタ
US7410904B2 (en) * 2003-04-24 2008-08-12 Hewlett-Packard Development Company, L.P. Sensor produced using imprint lithography
TWI427709B (zh) * 2003-05-05 2014-02-21 Nanosys Inc 用於增加表面面積之應用的奈米纖維表面
US7803574B2 (en) 2003-05-05 2010-09-28 Nanosys, Inc. Medical device applications of nanostructured surfaces
CA2526946A1 (en) 2003-05-14 2005-04-07 Nantero, Inc. Sensor platform using a non-horizontally oriented nanotube element
US9234867B2 (en) 2003-05-16 2016-01-12 Nanomix, Inc. Electrochemical nanosensors for biomolecule detection
US7935989B2 (en) * 2003-05-23 2011-05-03 Japan Science And Technology Agency Single-electron transistor, field-effect transistor, sensor, method for producing sensor, and sensing method
JP4774476B2 (ja) * 2004-02-16 2011-09-14 独立行政法人科学技術振興機構 センサー
US7910064B2 (en) * 2003-06-03 2011-03-22 Nanosys, Inc. Nanowire-based sensor configurations
US20070240491A1 (en) * 2003-06-03 2007-10-18 Nano-Proprietary, Inc. Hydrogen Sensor
KR100525764B1 (ko) * 2003-06-13 2005-11-04 한국과학기술원 전도성 탄소나노튜브를 이용한 바이오센서 및 그 제조방법
US7244799B2 (en) * 2003-07-09 2007-07-17 Kansas State University Research Foundation Siloxanes and methods of synthesis thereof using metallic nanoparticle catalysts
US7091120B2 (en) 2003-08-04 2006-08-15 Nanosys, Inc. System and process for producing nanowire composites and electronic substrates therefrom
US20050036905A1 (en) * 2003-08-12 2005-02-17 Matsushita Electric Works, Ltd. Defect controlled nanotube sensor and method of production
JP4669213B2 (ja) 2003-08-29 2011-04-13 独立行政法人科学技術振興機構 電界効果トランジスタ及び単一電子トランジスタ並びにそれを用いたセンサ
JP2005077210A (ja) * 2003-08-29 2005-03-24 National Institute For Materials Science 生体分子検出素子及びそれを用いた核酸解析方法
KR100746867B1 (ko) * 2003-08-29 2007-08-07 도쿠리쓰교세이호징 가가쿠 기주쓰 신코 기코 전계 효과 트랜지스터 및 단일 전자 트랜지스터
US7632234B2 (en) * 2003-08-29 2009-12-15 Medtronic, Inc. Implantable biosensor devices for monitoring cardiac marker molecules
WO2005062031A1 (en) * 2003-09-05 2005-07-07 Nanomix, Inc. Nanoelectronic capnometer adapter
US7416993B2 (en) 2003-09-08 2008-08-26 Nantero, Inc. Patterned nanowire articles on a substrate and methods of making the same
JP2007505323A (ja) * 2003-09-12 2007-03-08 ナノミックス・インコーポレーテッド 二酸化炭素用ナノ電子センサー
US7235159B2 (en) * 2003-09-17 2007-06-26 Molecular Nanosystems, Inc. Methods for producing and using catalytic substrates for carbon nanotube growth
US20050214197A1 (en) * 2003-09-17 2005-09-29 Molecular Nanosystems, Inc. Methods for producing and using catalytic substrates for carbon nanotube growth
DE10344814B3 (de) * 2003-09-26 2005-07-14 Infineon Technologies Ag Speichervorrichtung zur Speicherung elektrischer Ladung und Verfahren zu deren Herstellung
US7399400B2 (en) 2003-09-30 2008-07-15 Nano-Proprietary, Inc. Nanobiosensor and carbon nanotube thin film transistors
US7132298B2 (en) * 2003-10-07 2006-11-07 Hewlett-Packard Development Company, L.P. Fabrication of nano-object array
US7223611B2 (en) * 2003-10-07 2007-05-29 Hewlett-Packard Development Company, L.P. Fabrication of nanowires
WO2005045409A1 (ja) * 2003-11-07 2005-05-19 Osaka Prefecture 電気抵抗型検出センサおよび検出方法
GB0326049D0 (en) * 2003-11-07 2003-12-10 Qinetiq Ltd Fluid analysis apparatus
US7118881B2 (en) * 2003-12-05 2006-10-10 Northwestern University Micro/nano-fabricated glucose sensors using single-walled carbon nanotubes
KR20050055456A (ko) * 2003-12-08 2005-06-13 학교법인 포항공과대학교 산화아연계 나노막대를 이용한 바이오센서 및 이의 제조방법
US20050244811A1 (en) * 2003-12-15 2005-11-03 Nano-Proprietary, Inc. Matrix array nanobiosensor
US7208094B2 (en) 2003-12-17 2007-04-24 Hewlett-Packard Development Company, L.P. Methods of bridging lateral nanowires and device using same
EP1695072A4 (en) * 2003-12-18 2011-08-10 Nanomix Inc NANOELECTRONIC CAPNOMETER ADAPTER
US20070196239A1 (en) * 2003-12-22 2007-08-23 Koninklijke Philips Electronics N.V. Optical nanowire biosensor based on energy transfer
FR2864109B1 (fr) * 2003-12-23 2006-07-21 Commissariat Energie Atomique Croissance organisee de nano-structures
EP1547688A1 (en) * 2003-12-23 2005-06-29 STMicroelectronics S.r.l. Microfluidic device and method of locally concentrating electrically charged substances in a microfluidic device
US7180174B2 (en) * 2003-12-30 2007-02-20 Intel Corporation Nanotube modified solder thermal intermediate structure, systems, and methods
US7456052B2 (en) * 2003-12-30 2008-11-25 Intel Corporation Thermal intermediate apparatus, systems, and methods
US7923109B2 (en) 2004-01-05 2011-04-12 Board Of Regents, The University Of Texas System Inorganic nanowires
DE102004001340A1 (de) * 2004-01-08 2005-08-04 Infineon Technologies Ag Verfahren zum Herstellen eines Nanoelement-Feldeffektransistors, Nanoelement-Feldeffekttransistor und Nanoelement-Anordnung
DE102004003374A1 (de) * 2004-01-22 2005-08-25 Infineon Technologies Ag Halbleiter-Leistungsschalter sowie dafür geeignetes Herstellungsverfahren
US20110039690A1 (en) 2004-02-02 2011-02-17 Nanosys, Inc. Porous substrates, articles, systems and compositions comprising nanofibers and methods of their use and production
US8025960B2 (en) * 2004-02-02 2011-09-27 Nanosys, Inc. Porous substrates, articles, systems and compositions comprising nanofibers and methods of their use and production
US7553371B2 (en) * 2004-02-02 2009-06-30 Nanosys, Inc. Porous substrates, articles, systems and compositions comprising nanofibers and methods of their use and production
US7354850B2 (en) 2004-02-06 2008-04-08 Qunano Ab Directionally controlled growth of nanowhiskers
US20090227107A9 (en) * 2004-02-13 2009-09-10 President And Fellows Of Havard College Nanostructures Containing Metal Semiconductor Compounds
DE102004010635B4 (de) * 2004-03-02 2006-10-05 Micronas Gmbh Vorrichtung zur Durchführung von Messungen an Biokomponenten
US20070190155A1 (en) * 2004-03-05 2007-08-16 Leary James F Molecular programming of nanoparticle systems for an ordered and controlled sequence of events for gene-drug delivery
US8048377B1 (en) 2004-03-08 2011-11-01 Hewlett-Packard Development Company, L.P. Immobilizing chemical or biological sensing molecules on semi-conducting nanowires
KR100584188B1 (ko) * 2004-03-08 2006-05-29 한국과학기술연구원 나노선 광센서 및 이를 포함하는 키트
US7595528B2 (en) 2004-03-10 2009-09-29 Nanosys, Inc. Nano-enabled memory devices and anisotropic charge carrying arrays
WO2005089165A2 (en) 2004-03-10 2005-09-29 Nanosys, Inc. Nano-enabled memory devices and anisotropic charge carrying arrays
KR100534204B1 (ko) * 2004-03-17 2005-12-07 한국과학기술연구원 나노선이 보조된 레이저 탈착/이온화 질량분석 방법
US7115971B2 (en) 2004-03-23 2006-10-03 Nanosys, Inc. Nanowire varactor diode and methods of making same
WO2005108966A1 (ja) * 2004-03-23 2005-11-17 Japan Science And Technology Agency バイオセンサ
US20050212531A1 (en) * 2004-03-23 2005-09-29 Hewlett-Packard Development Company, L.P. Intellectual Property Administration Fluid sensor and methods
US7407738B2 (en) * 2004-04-02 2008-08-05 Pavel Kornilovich Fabrication and use of superlattice
JP4521482B2 (ja) * 2004-04-26 2010-08-11 オリンパス株式会社 Ｓｐｍカンチレバー及びその製造方法
US20050279274A1 (en) * 2004-04-30 2005-12-22 Chunming Niu Systems and methods for nanowire growth and manufacturing
US7727820B2 (en) * 2004-04-30 2010-06-01 Hewlett-Packard Development Company, L.P. Misalignment-tolerant methods for fabricating multiplexing/demultiplexing architectures
US7683435B2 (en) * 2004-04-30 2010-03-23 Hewlett-Packard Development Company, L.P. Misalignment-tolerant multiplexing/demultiplexing architectures
US7785922B2 (en) 2004-04-30 2010-08-31 Nanosys, Inc. Methods for oriented growth of nanowires on patterned substrates
US7105428B2 (en) 2004-04-30 2006-09-12 Nanosys, Inc. Systems and methods for nanowire growth and harvesting
US7247531B2 (en) * 2004-04-30 2007-07-24 Hewlett-Packard Development Company, L.P. Field-effect-transistor multiplexing/demultiplexing architectures and methods of forming the same
US20050241959A1 (en) * 2004-04-30 2005-11-03 Kenneth Ward Chemical-sensing devices
US20090263912A1 (en) * 2004-05-13 2009-10-22 The Regents Of The University Of California Nanowires and nanoribbons as subwavelength optical waveguides and their use as components in photonic circuits and devices
CA2567156A1 (en) * 2004-05-17 2006-07-20 Cambrios Technology Corp. Biofabrication of transistors including field effect transistors
US7497133B2 (en) 2004-05-24 2009-03-03 Drexel University All electric piezoelectric finger sensor (PEFS) for soft material stiffness measurement
US8075863B2 (en) 2004-05-26 2011-12-13 Massachusetts Institute Of Technology Methods and devices for growth and/or assembly of nanostructures
US20050265648A1 (en) * 2004-06-01 2005-12-01 Daniel Roitman Evanescent wave sensor containing nanostructures and methods of using the same
US7776758B2 (en) 2004-06-08 2010-08-17 Nanosys, Inc. Methods and devices for forming nanostructure monolayers and devices including such monolayers
US7968273B2 (en) 2004-06-08 2011-06-28 Nanosys, Inc. Methods and devices for forming nanostructure monolayers and devices including such monolayers
TW201341440A (zh) * 2004-06-08 2013-10-16 Sandisk Corp 奈米結構之沉積後包封：併入該包封體之組成物、裝置及系統
US8563133B2 (en) 2004-06-08 2013-10-22 Sandisk Corporation Compositions and methods for modulation of nanostructure energy levels
US8088483B1 (en) 2004-06-08 2012-01-03 Nanosys, Inc. Process for group 10 metal nanostructure synthesis and compositions made using same
WO2005122235A2 (en) * 2004-06-08 2005-12-22 Nanosys, Inc. Methods and devices for forming nanostructure monolayers and devices including such monolayers
US20070264623A1 (en) * 2004-06-15 2007-11-15 President And Fellows Of Harvard College Nanosensors
US8536661B1 (en) 2004-06-25 2013-09-17 University Of Hawaii Biosensor chip sensor protection methods
WO2006000790A1 (en) 2004-06-25 2006-01-05 Btg International Limited Formation of nanowhiskers on a substrate of dissimilar material
US20050285160A1 (en) * 2004-06-28 2005-12-29 Chang Peter L Methods for forming semiconductor wires and resulting devices
JP2008506254A (ja) * 2004-07-07 2008-02-28 ナノシス・インコーポレイテッド ナノワイヤーの集積及び組み込みのためのシステムおよび方法
US7194912B2 (en) * 2004-07-13 2007-03-27 United States Of America As Represented By The Administrator Of The National Aeronautics And Space Administration Carbon nanotube-based sensor and method for continually sensing changes in a structure
FR2873492B1 (fr) 2004-07-21 2006-11-24 Commissariat Energie Atomique Nanocomposite photoactif et son procede de fabrication
WO2007013872A2 (en) * 2004-07-22 2007-02-01 The Board Of Trustees Of The University Of Illinois Sensors employing single-walled carbon nanotubes
US20060024814A1 (en) * 2004-07-29 2006-02-02 Peters Kevin F Aptamer-functionalized electrochemical sensors and methods of fabricating and using the same
JP2008511008A (ja) * 2004-08-24 2008-04-10 ナノミックス・インコーポレーテッド Ｄｎａ検出用ナノチューブセンサー装置
US8558311B2 (en) 2004-09-16 2013-10-15 Nanosys, Inc. Dielectrics using substantially longitudinally oriented insulated conductive wires
US8089152B2 (en) * 2004-09-16 2012-01-03 Nanosys, Inc. Continuously variable graded artificial dielectrics using nanostructures
US7365395B2 (en) 2004-09-16 2008-04-29 Nanosys, Inc. Artificial dielectrics using nanostructures
EP1792320A4 (en) 2004-09-21 2010-08-04 Nantero Inc RESISTIVE ELEMENTS USING CARBON NANOTUBES
US20060084128A1 (en) * 2004-09-22 2006-04-20 Hongye Sun Enzyme assay with nanowire sensor
WO2007001402A2 (en) 2004-09-30 2007-01-04 E. I. Du Pont De Nemours And Company Redox potential mediated, heterogeneous, carbon nanotube biosensing
WO2007001398A2 (en) * 2004-09-30 2007-01-04 E. I. Du Pont De Nemours And Company Small molecule mediated biosensing using carbon nanotubes in homogeneous format
WO2006137899A2 (en) 2004-09-30 2006-12-28 E. I. Du Pont De Nemours And Company Nanosensors for detecting analytes and method of detecting analyteshave been developed in which the redox potential of a redox effector in solution is altered thereby causing changes in the carbon nanotube (30) conductance. the analyte may be detected in solution, eliminating the need for immobilizing the analyte on a support.
US20060194263A1 (en) * 2004-09-30 2006-08-31 Salah Boussaad Small molecule mediated, heterogeneous, carbon nanotube biosensing
WO2006124055A2 (en) * 2004-10-12 2006-11-23 Nanosys, Inc. Fully integrated organic layered processes for making plastic electronics based on conductive polymers and semiconductor nanowires
KR20070045255A (ko) * 2004-10-14 2007-05-02 가부시끼가이샤 도시바 Ｆｅｔ-기반의 핵산 검출 센서
US7473943B2 (en) 2004-10-15 2009-01-06 Nanosys, Inc. Gate configuration for nanowire electronic devices
US7567414B2 (en) 2004-11-02 2009-07-28 Nantero, Inc. Nanotube ESD protective devices and corresponding nonvolatile and volatile nanotube switches
WO2006052891A1 (en) * 2004-11-09 2006-05-18 The Regents Of The University Of California Analyte identification using electronic devices
US7785785B2 (en) 2004-11-12 2010-08-31 The Board Of Trustees Of The Leland Stanford Junior University Charge perturbation detection system for DNA and other molecules
US7582534B2 (en) * 2004-11-18 2009-09-01 International Business Machines Corporation Chemical doping of nano-components
CA2585009C (en) 2004-11-24 2014-09-30 Nanosys, Inc. Contact doping and annealing systems and processes for nanowire thin films
US7348592B2 (en) 2004-11-29 2008-03-25 The United States Of America As Represented By The Secretary Of The Navy Carbon nanotube apparatus and method of carbon nanotube modification
US7560366B1 (en) 2004-12-02 2009-07-14 Nanosys, Inc. Nanowire horizontal growth and substrate removal
US8154002B2 (en) 2004-12-06 2012-04-10 President And Fellows Of Harvard College Nanoscale wire-based data storage
US8278011B2 (en) 2004-12-09 2012-10-02 Nanosys, Inc. Nanostructured catalyst supports
EP1829141B1 (en) 2004-12-09 2013-05-29 Nanosys, Inc. Nanowire-based membrane electrode assemblies for fuel cells
US7939218B2 (en) * 2004-12-09 2011-05-10 Nanosys, Inc. Nanowire structures comprising carbon
US7842432B2 (en) * 2004-12-09 2010-11-30 Nanosys, Inc. Nanowire structures comprising carbon
EP1825038B1 (en) 2004-12-16 2012-09-12 Nantero, Inc. Aqueous carbon nanotube applicator liquids and methods for producing applicator liquids thereof
WO2006067276A1 (en) * 2004-12-23 2006-06-29 Nanolab Systems Oy Utilization of nanowires in chemical and biological analysis
US7235475B2 (en) * 2004-12-23 2007-06-26 Hewlett-Packard Development Company, L.P. Semiconductor nanowire fluid sensor and method for fabricating the same
JP2008525822A (ja) * 2004-12-28 2008-07-17 ナノミックス・インコーポレーテッド ポリヌクレオチド配列のｄｎａ検出／認識用ナノ電子装置
KR100604229B1 (ko) * 2004-12-29 2006-07-28 학교법인고려중앙학원 네트워크 형태로 연결된 반도체 나노선을 이용한 가스센서제작방법
US7569850B2 (en) * 2005-01-24 2009-08-04 Lawrence Livermore National Security, Llc Lipid bilayers on nano-templates
US7375012B2 (en) * 2005-02-28 2008-05-20 Pavel Kornilovich Method of forming multilayer film
WO2006103872A1 (ja) * 2005-03-28 2006-10-05 National University Corporation Hokkaido University カーボンナノチューブ電界効果トランジスタ
US7977054B2 (en) 2005-03-29 2011-07-12 The Trustees Of The University Of Pennsylvania Single walled carbon nanotubes functionally adsorbed to biopolymers for use as chemical sensors
WO2008097261A2 (en) * 2006-07-13 2008-08-14 The Trustees Of The University Of Pennsylvania Single walled carbon nanotubes with functionally adsorbed biopolymers for use as chemical sensors
JP2008534018A (ja) 2005-03-29 2008-08-28 アプレラ コーポレーション 核酸分析ナノワイヤベースシステム
WO2006105146A2 (en) 2005-03-29 2006-10-05 Arkal Medical, Inc. Devices, systems, methods and tools for continuous glucose monitoring
US20060220006A1 (en) * 2005-04-01 2006-10-05 Yong Chen Molecular-doped transistor and sensor
US9287356B2 (en) 2005-05-09 2016-03-15 Nantero Inc. Nonvolatile nanotube diodes and nonvolatile nanotube blocks and systems using same and methods of making same
US8941094B2 (en) 2010-09-02 2015-01-27 Nantero Inc. Methods for adjusting the conductivity range of a nanotube fabric layer
US20060246576A1 (en) * 2005-04-06 2006-11-02 Affymetrix, Inc. Fluidic system and method for processing biological microarrays in personal instrumentation
JP4742650B2 (ja) * 2005-04-08 2011-08-10 東レ株式会社 カーボンナノチューブ組成物、バイオセンサーおよびそれらの製造方法
JP2008538728A (ja) * 2005-04-13 2008-11-06 ナノシス・インク． ナノワイヤー分散組成物およびその使用
US8262998B2 (en) * 2005-04-15 2012-09-11 Branislav Vlahovic Detection methods and detection devices based on the quantum confinement effects
WO2006116424A2 (en) * 2005-04-26 2006-11-02 Nanosys, Inc. Paintable nanofiber coatings
US7491423B1 (en) * 2005-05-02 2009-02-17 Sandia Corporation Directed spatial organization of zinc oxide nanostructures
US9196615B2 (en) 2005-05-09 2015-11-24 Nantero Inc. Nonvolatile nanotube diodes and nonvolatile nanotube blocks and systems using same and methods of making same
US9911743B2 (en) 2005-05-09 2018-03-06 Nantero, Inc. Nonvolatile nanotube diodes and nonvolatile nanotube blocks and systems using same and methods of making same
US7835170B2 (en) 2005-05-09 2010-11-16 Nantero, Inc. Memory elements and cross point switches and arrays of same using nonvolatile nanotube blocks
WO2006124625A2 (en) * 2005-05-12 2006-11-23 Nanosys, Inc. Use of nanoparticles in film formation and as solder
US7598127B2 (en) 2005-05-12 2009-10-06 Nantero, Inc. Nanotube fuse structure
US20100227382A1 (en) 2005-05-25 2010-09-09 President And Fellows Of Harvard College Nanoscale sensors
JP4825968B2 (ja) * 2005-05-26 2011-11-30 国立大学法人九州大学 カーボンナノチューブセンサ及びその製造方法
US7396676B2 (en) 2005-05-31 2008-07-08 Agilent Technologies, Inc. Evanescent wave sensor with attached ligand
CA2609042A1 (en) * 2005-06-02 2006-12-07 Nanosys, Inc. Light emitting nanowires for macroelectronics
US20060275911A1 (en) * 2005-06-03 2006-12-07 Shih-Yuan Wang Method and apparatus for moleclular analysis using nanostructure-enhanced Raman spectroscopy
US20060275779A1 (en) * 2005-06-03 2006-12-07 Zhiyong Li Method and apparatus for molecular analysis using nanowires
US7947485B2 (en) * 2005-06-03 2011-05-24 Hewlett-Packard Development Company, L.P. Method and apparatus for molecular analysis using nanoelectronic circuits
WO2006132659A2 (en) 2005-06-06 2006-12-14 President And Fellows Of Harvard College Nanowire heterostructures
US7915122B2 (en) 2005-06-08 2011-03-29 Nantero, Inc. Self-aligned cell integration scheme
US7278324B2 (en) 2005-06-15 2007-10-09 United States Of America As Represented By The Administrator Of The National Aeronautics And Space Administration Carbon nanotube-based sensor and method for detection of crack growth in a structure
US7262991B2 (en) * 2005-06-30 2007-08-28 Intel Corporation Nanotube- and nanocrystal-based non-volatile memory
KR20080036627A (ko) * 2005-08-03 2008-04-28 나노-프로프리어터리, 인크. 연속 범위의 수소 센서
US7426848B1 (en) * 2005-08-05 2008-09-23 United States Of America As Represented By The Administrator Of The National Aeronautics And Space Administration Gas composition sensing using carbon nanotube arrays
WO2007024702A2 (en) * 2005-08-19 2007-03-01 Bioquantix Corporation Active control of epileptic seizures and diagnosis based on critical systems-like behavior
US8240190B2 (en) * 2005-08-23 2012-08-14 Uwm Research Foundation, Inc. Ambient-temperature gas sensor
US8268405B2 (en) 2005-08-23 2012-09-18 Uwm Research Foundation, Inc. Controlled decoration of carbon nanotubes with aerosol nanoparticles
KR100691276B1 (ko) * 2005-08-25 2007-03-12 삼성전기주식회사 나노와이어 발광 소자 및 제조방법
KR100647699B1 (ko) * 2005-08-30 2006-11-23 삼성에스디아이 주식회사 나노 반도체 시트, 상기 나노 반도체 시트의 제조방법,상기 나노 반도체 시트를 이용한 박막 트랜지스터의제조방법, 상기 나노 반도체 시트를 이용한 평판표시장치의 제조방법, 박막 트랜지스터, 및 평판 표시장치
CA2621397A1 (en) 2005-09-06 2007-03-15 Nantero, Inc. Method and system of using nanotube fabrics as joule heating elements for memories and other applications
WO2008054364A2 (en) 2005-09-06 2008-05-08 Nantero, Inc. Carbon nanotubes for the selective transfer of heat from electronics
CN101395463B (zh) * 2005-09-22 2011-05-25 皇家飞利浦电子股份有限公司 包括至少两个线栅的发光传感器
EP1938381A2 (en) * 2005-09-23 2008-07-02 Nanosys, Inc. Methods for nanostructure doping
WO2008136787A2 (en) * 2005-10-24 2008-11-13 Western Michigan University Research Foundation Integrated sensor microsystem comprising a carbon nanotube sensor and method for detecting biomolecules in liquid with said system
US7335526B2 (en) * 2005-10-31 2008-02-26 Hewlett-Packard Development Company, L.P. Sensing system
US20070096164A1 (en) * 2005-10-31 2007-05-03 Peters Kevin F Sensing system
US20080038714A1 (en) * 2005-11-02 2008-02-14 Affymetrix, Inc. Instrument to Pneumatically Control Lab Cards and Method Thereof
US8075852B2 (en) 2005-11-02 2011-12-13 Affymetrix, Inc. System and method for bubble removal
US20080311585A1 (en) * 2005-11-02 2008-12-18 Affymetrix, Inc. System and method for multiplex liquid handling
US8007267B2 (en) * 2005-11-02 2011-08-30 Affymetrix, Inc. System and method for making lab card by embossing
US20070099288A1 (en) * 2005-11-02 2007-05-03 Affymetrix, Inc. Microfluidic Methods, Devices, and Systems for Fluid Handling
US7833616B2 (en) * 2005-11-16 2010-11-16 Hewlett-Packard Development Company, L.P. Self-aligning nanowires and methods thereof
CN100386264C (zh) * 2005-11-18 2008-05-07 太原理工大学 一种无机化合物氮化镓纳米线的制取方法
US20070127164A1 (en) * 2005-11-21 2007-06-07 Physical Logic Ag Nanoscale Sensor
EP1952467B9 (en) 2005-11-21 2012-03-14 Nanosys, Inc. Nanowire structures comprising carbon
US8562937B2 (en) 2005-12-19 2013-10-22 Nantero Inc. Production of carbon nanotubes
US7741197B1 (en) 2005-12-29 2010-06-22 Nanosys, Inc. Systems and methods for harvesting and reducing contamination in nanowires
JP2009522197A (ja) 2005-12-29 2009-06-11 ナノシス・インコーポレイテッド パターン形成された基板上のナノワイヤの配向した成長のための方法
US20090017477A1 (en) * 2005-12-30 2009-01-15 Harri Harma Method for determination of concentration, charge or unit size of a substance
US8264137B2 (en) 2006-01-03 2012-09-11 Samsung Electronics Co., Ltd. Curing binder material for carbon nanotube electron emission cathodes
KR100704007B1 (ko) 2006-01-17 2007-04-04 한국과학기술연구원 화학발광 및 형광을 이용한 신속진단키트 및 이의 사용방법
US7683303B2 (en) * 2006-01-17 2010-03-23 Sri International Nanoscale volumetric imaging device having at least one microscale device for electrically coupling at least one addressable array to a data processing means
US7417119B2 (en) * 2006-01-17 2008-08-26 Sri International Nanoscale array biomolecular bond enhancer device
US20070178507A1 (en) * 2006-01-31 2007-08-02 Wei Wu Method and apparatus for detection of molecules using nanopores
US7826336B2 (en) 2006-02-23 2010-11-02 Qunano Ab Data storage nanostructures
US20090299213A1 (en) * 2006-03-15 2009-12-03 President And Fellows Of Harvard College Nanobioelectronics
EP2570490B1 (en) * 2006-03-17 2017-06-28 The Government of the United States of America, as represented by The Department of Health and Human Services Apparatus for microarray binding sensors having biological probe materials using carbon nanotube transistors
US20100049021A1 (en) * 2006-03-28 2010-02-25 Jina Arvind N Devices, systems, methods and tools for continuous analyte monitoring
US20090131778A1 (en) * 2006-03-28 2009-05-21 Jina Arvind N Devices, systems, methods and tools for continuous glucose monitoring
US20080154107A1 (en) * 2006-12-20 2008-06-26 Jina Arvind N Device, systems, methods and tools for continuous glucose monitoring
KR100842886B1 (ko) * 2006-04-04 2008-07-02 재단법인서울대학교산학협력재단 나노선을 이용한 식품 첨가물 ｌ-글루타민산나트륨 검출용바이오센서 및 이의 제조 방법
US8512641B2 (en) * 2006-04-11 2013-08-20 Applied Nanotech Holdings, Inc. Modulation of step function phenomena by varying nanoparticle size
JP4989101B2 (ja) * 2006-04-27 2012-08-01 独立行政法人科学技術振興機構 ＧｅＳｎ半導体デバイスの製造方法
US7924413B2 (en) * 2006-04-28 2011-04-12 Hewlett-Packard Development Company, L.P. Nanowire-based photonic devices
US8679630B2 (en) * 2006-05-17 2014-03-25 Purdue Research Foundation Vertical carbon nanotube device in nanoporous templates
JP2009540333A (ja) 2006-06-12 2009-11-19 プレジデント アンド フェロウズ オブ ハーバード カレッジ ナノセンサーおよび関連技術
WO2007148653A1 (ja) * 2006-06-21 2007-12-27 Panasonic Corporation 電界効果トランジスタ
US20100248209A1 (en) * 2006-06-30 2010-09-30 Suman Datta Three-dimensional integrated circuit for analyte detection
KR100777973B1 (ko) * 2006-07-13 2007-11-29 한국표준과학연구원 다중선형전극 센서 유닛으로 이루어진 바이오센서
TW200806829A (en) * 2006-07-20 2008-02-01 Univ Nat Central Method for producing single crystal gallium nitride substrate
WO2008018726A1 (en) * 2006-08-07 2008-02-14 Seoul National University Industry Foundation Nanostructure sensors
EP2049436B1 (en) * 2006-08-11 2012-10-17 Agency for Science, Technology and Research Nanowire sensor, nanowire sensor array and method of fabricating the same
US8278216B1 (en) 2006-08-18 2012-10-02 Novellus Systems, Inc. Selective capping of copper
US20080292835A1 (en) * 2006-08-30 2008-11-27 Lawrence Pan Methods for forming freestanding nanotube objects and objects so formed
US20080058726A1 (en) * 2006-08-30 2008-03-06 Arvind Jina Methods and Apparatus Incorporating a Surface Penetration Device
US8323789B2 (en) 2006-08-31 2012-12-04 Cambridge Enterprise Limited Nanomaterial polymer compositions and uses thereof
EP2057211B1 (en) * 2006-08-31 2013-01-02 Cambridge Enterprise Limited Optical nanomaterial compositions
US20090066348A1 (en) * 2006-09-06 2009-03-12 Young Shik Shin Apparatus and method for quantitative determination of target molecules
WO2008030395A1 (en) * 2006-09-07 2008-03-13 California Institute Of Technology Apparatus and method for quantitative determination of target molecules
US8058640B2 (en) 2006-09-11 2011-11-15 President And Fellows Of Harvard College Branched nanoscale wires
US8174084B2 (en) * 2006-09-19 2012-05-08 Intel Corporation Stress sensor for in-situ measurement of package-induced stress in semiconductor devices
EP2069773A2 (en) * 2006-09-22 2009-06-17 Koninklijke Philips Electronics N.V. Semiconductor sensor device, diagnostic instrument comprising such a device and method of manufacturing such a device
KR100758285B1 (ko) * 2006-09-27 2007-09-12 한국전자통신연구원 바이오 센서, 그 제조방법 및 이를 구비한 바이오 감지장치
JP5023326B2 (ja) * 2006-09-28 2012-09-12 国立大学法人北海道大学 検出装置および検出方法
US8257676B2 (en) * 2006-10-03 2012-09-04 Sandia Corporation Method for synthesizing carbon nanotubes
WO2008045433A1 (en) 2006-10-10 2008-04-17 Massachusetts Institute Of Technology Absorbant superhydrophobic materials, and methods of preparation and use thereof
US7388200B2 (en) * 2006-10-19 2008-06-17 Hewlett-Packard Development Company, L.P. Sensing method and nanosensing device for performing the same
US7592679B1 (en) * 2006-10-19 2009-09-22 Hewlett-Packard Development Company, L.P. Sensor and method for making the same
US8384136B2 (en) * 2006-10-19 2013-02-26 Hewlett-Packard Development Company, L.P. Demultiplexed nanowire sensor array for detection of chemical and biological species
CA2858359C (en) * 2006-11-01 2018-04-03 Ventana Medical Systems, Inc. Haptens, hapten conjugates, compositions thereof and method for their preparation and use
JP2010509171A (ja) * 2006-11-07 2010-03-25 ナノシス・インク． ナノワイヤー成長用システム及び方法
JP5009993B2 (ja) 2006-11-09 2012-08-29 ナノシス・インク． ナノワイヤの配列方法および堆積方法
WO2008063901A1 (en) * 2006-11-17 2008-05-29 Trustees Of Boston University Nanochannel-based sensor system for use in detecting chemical or biological species
EP2095100B1 (en) 2006-11-22 2016-09-21 President and Fellows of Harvard College Method of operating a nanowire field effect transistor sensor
US8481335B2 (en) * 2006-11-27 2013-07-09 Drexel University Specificity and sensitivity enhancement in cantilever sensing
WO2009046251A2 (en) * 2007-10-05 2009-04-09 Drexel University Specificity and sensitivity enhancement in piezoelectric cantilever sensing
US7992431B2 (en) * 2006-11-28 2011-08-09 Drexel University Piezoelectric microcantilevers and uses in atomic force microscopy
EP2100125A4 (en) * 2006-11-28 2012-02-15 Univ Drexel PIEZOELECTRIC MICROCANTILEVER SENSORS FOR BIOSENSORS
US7631697B2 (en) * 2006-11-29 2009-12-15 Schlumberger Technology Corporation Oilfield apparatus comprising swellable elastomers having nanosensors therein and methods of using same in oilfield application
US7786024B2 (en) * 2006-11-29 2010-08-31 Nanosys, Inc. Selective processing of semiconductor nanowires by polarized visible radiation
US8262900B2 (en) 2006-12-14 2012-09-11 Life Technologies Corporation Methods and apparatus for measuring analytes using large scale FET arrays
US8349167B2 (en) 2006-12-14 2013-01-08 Life Technologies Corporation Methods and apparatus for detecting molecular interactions using FET arrays
US11339430B2 (en) 2007-07-10 2022-05-24 Life Technologies Corporation Methods and apparatus for measuring analytes using large scale FET arrays
CA2672315A1 (en) 2006-12-14 2008-06-26 Ion Torrent Systems Incorporated Methods and apparatus for measuring analytes using large scale fet arrays
US20080150003A1 (en) * 2006-12-20 2008-06-26 Jian Chen Electron blocking layers for electronic devices
US20080150009A1 (en) * 2006-12-20 2008-06-26 Nanosys, Inc. Electron Blocking Layers for Electronic Devices
US7847341B2 (en) 2006-12-20 2010-12-07 Nanosys, Inc. Electron blocking layers for electronic devices
US8686490B2 (en) 2006-12-20 2014-04-01 Sandisk Corporation Electron blocking layers for electronic devices
US20080150004A1 (en) * 2006-12-20 2008-06-26 Nanosys, Inc. Electron Blocking Layers for Electronic Devices
EP2126986B1 (en) 2006-12-22 2019-09-18 QuNano AB Led with upstanding nanowire structure and method of producing such
US8049203B2 (en) 2006-12-22 2011-11-01 Qunano Ab Nanoelectronic structure and method of producing such
US8183587B2 (en) 2006-12-22 2012-05-22 Qunano Ab LED with upstanding nanowire structure and method of producing such
WO2008079078A1 (en) 2006-12-22 2008-07-03 Qunano Ab Elevated led and method of producing such
US9806273B2 (en) * 2007-01-03 2017-10-31 The United States Of America As Represented By The Secretary Of The Army Field effect transistor array using single wall carbon nano-tubes
US7544591B2 (en) * 2007-01-18 2009-06-09 Hewlett-Packard Development Company, L.P. Method of creating isolated electrodes in a nanowire-based device
US9487877B2 (en) * 2007-02-01 2016-11-08 Purdue Research Foundation Contact metallization of carbon nanotubes
US8456150B2 (en) * 2007-02-01 2013-06-04 Drexel University Hand-held phase-shift detector for sensor applications
WO2008099345A1 (en) * 2007-02-16 2008-08-21 Koninklijke Philips Electronics N. V. Use of nanowires for in vivo analysis of cells
US7838809B2 (en) * 2007-02-17 2010-11-23 Ludwig Lester F Nanoelectronic differential amplifiers and related circuits having carbon nanotubes, graphene nanoribbons, or other related materials
JP2008209249A (ja) * 2007-02-27 2008-09-11 National Institutes Of Natural Sciences 酸素ガス検出素子、及び酸素ガス検出素子用ナノワイヤ
US8110883B2 (en) 2007-03-12 2012-02-07 Nantero Inc. Electromagnetic and thermal sensors using carbon nanotubes and methods of making same
JP4530034B2 (ja) * 2007-03-30 2010-08-25 株式会社イデアルスター ガスセンサー、そのための気体検知モジュール、およびこれらを用いた気体計測システム
WO2008134363A1 (en) * 2007-04-25 2008-11-06 The Regents Of The University Of Michigan Tunable elastomeric nanochannels for nanofluidic manipulation
US7682789B2 (en) * 2007-05-04 2010-03-23 Ventana Medical Systems, Inc. Method for quantifying biomolecules conjugated to a nanoparticle
US7892610B2 (en) * 2007-05-07 2011-02-22 Nanosys, Inc. Method and system for printing aligned nanowires and other electrical devices
TWI461350B (zh) 2007-05-22 2014-11-21 Nantero Inc 使用奈米結構物之三極管及其製造方法
US8465634B2 (en) * 2007-05-23 2013-06-18 Arizona Board Of Regents Systems and methods for integrated electrochemical and electrical detection
WO2008153744A2 (en) 2007-05-23 2008-12-18 Ventana Medical Systems, Inc. Polymeric carriers for immunohistochemistry and in situ hybridization
US8197650B2 (en) * 2007-06-07 2012-06-12 Sensor Innovations, Inc. Silicon electrochemical sensors
US9170228B2 (en) * 2007-06-08 2015-10-27 Bharath R. Takulapalli Nano structured field effect sensor and methods of forming and using same
US8198658B2 (en) * 2007-06-13 2012-06-12 Samsung Electronics Co., Ltd. Device and method for detecting biomolecules using adsorptive medium and field effect transistor
US7663202B2 (en) * 2007-06-26 2010-02-16 Hewlett-Packard Development Company, L.P. Nanowire photodiodes and methods of making nanowire photodiodes
US8039379B1 (en) 2007-07-02 2011-10-18 Novellus Systems, Inc. Nanoparticle cap layer
US7994640B1 (en) * 2007-07-02 2011-08-09 Novellus Systems, Inc. Nanoparticle cap layer
US7709298B2 (en) 2007-07-18 2010-05-04 Hewlett-Packard Development Company, L.P. Selectively altering a predetermined portion or an external member in contact with the predetermined portion
US10011481B2 (en) * 2007-07-24 2018-07-03 Technion Research And Development Foundation Ltd. Chemically sensitive field effect transistors and uses thereof in electronic nose devices
US7991480B2 (en) * 2007-08-28 2011-08-02 Cardiac Pacemakers, Inc. Medical device electrodes having cells disposed on nanostructures
US7894914B2 (en) * 2007-08-28 2011-02-22 Cardiac Pacemakers, Inc. Medical device electrodes including nanostructures
US7778512B2 (en) * 2007-08-28 2010-08-17 Scenterra, Inc. Light-pipe array system
US7759063B2 (en) * 2007-08-29 2010-07-20 International Business Machines Corporation DNA-based functionalization of single walled carbon nanotubes for directed assembly
EP2195648B1 (en) 2007-09-12 2019-05-08 President and Fellows of Harvard College High-resolution molecular graphene sensor comprising an aperture in the graphene layer
US7501636B1 (en) 2007-09-20 2009-03-10 The United States Of America As Represented By The Administrator Of The National Aeronautics And Space Administration Nanotunneling junction-based hyperspectal polarimetric photodetector and detection method
US8609333B2 (en) * 2007-10-01 2013-12-17 University Of Southern California Detection of methylated DNA and DNA mutations
KR101465961B1 (ko) * 2007-10-09 2014-12-01 삼성전자주식회사 유전자 검출 방법 및 장치
US20090099427A1 (en) * 2007-10-12 2009-04-16 Arkal Medical, Inc. Microneedle array with diverse needle configurations
DE102007054691A1 (de) * 2007-11-14 2009-05-20 Leibniz-Institut Für Neue Materialien Gemeinnützige Gmbh Verwendung von nanostrukturierten Oberflächen und Verfahren zum Anreichern oder Isolieren von zellulären Subpopulationen
US8241569B2 (en) 2007-11-23 2012-08-14 Drexel University Lead-free piezoelectric ceramic films and a method for making thereof
US8940521B2 (en) * 2007-11-29 2015-01-27 General Electric Company Composite detection devices having in-line desalting and methods of making the same
US9409769B2 (en) 2007-11-30 2016-08-09 General Electric Company Nanostructured devices for detecting and analyzing biomolecules
KR100906154B1 (ko) * 2007-12-05 2009-07-03 한국전자통신연구원 반도체 나노선 센서 소자 및 이의 제조 방법
EP2219572A4 (en) 2007-12-06 2014-05-28 Nanosys Inc RESORBABLE HEMOSTATIC STRUCTURES ENHANCED BY NANOMATERIAL AND BANDING MATERIALS
US8319002B2 (en) 2007-12-06 2012-11-27 Nanosys, Inc. Nanostructure-enhanced platelet binding and hemostatic structures
KR101058369B1 (ko) 2007-12-10 2011-08-22 한국전자통신연구원 나노점을 이용한 바이오 센서 및 그 제조 방법
SG153674A1 (en) * 2007-12-11 2009-07-29 Nanyang Polytechnic A method of doping and apparatus for doping
KR100940524B1 (ko) 2007-12-13 2010-02-10 한국전자통신연구원 고감도 반도체 ｆｅｔ 센서 및 그 제조방법
KR20090065124A (ko) * 2007-12-17 2009-06-22 한국전자통신연구원 실리콘 나노선을 이용한 바이오 센서 및 그 제조 방법
KR100969478B1 (ko) * 2008-01-07 2010-07-14 고려대학교 산학협력단 Ｐｄｍｓ를 이용한 나노 소자의 제조방법
US8361297B2 (en) * 2008-01-11 2013-01-29 The Penn State Research Foundation Bottom-up assembly of structures on a substrate
US7786466B2 (en) * 2008-01-11 2010-08-31 International Business Machines Corporation Carbon nanotube based integrated semiconductor circuit
KR100958307B1 (ko) * 2008-01-30 2010-05-19 한국과학기술연구원 나노채널이 집적된 3차원 금속 나노와이어 갭 전극을포함하는 바이오센서, 그 제작방법 및 상기 바이오센서를포함하는 바이오 디스크 시스템
US20110177493A1 (en) * 2008-02-15 2011-07-21 The Regents Of The University Of California Using highly sensitive suspended carbon nanotubes for molecular-level sensing based on optical detection
IL189576A0 (en) * 2008-02-18 2008-12-29 Technion Res & Dev Foundation Chemically sensitive field effect transistors for explosive detection
WO2009126378A2 (en) 2008-03-11 2009-10-15 Drexel University Enhanced detection sensitivity with piezoelectric microcantilever sensors
US8961757B2 (en) * 2008-03-18 2015-02-24 Arizona Board Of Regents, A Body Corporate Of The State Of Arizona Acting For And On Behalf Of Arizona State University Nanopore and carbon nanotube based DNA sequencer
WO2009117522A2 (en) * 2008-03-18 2009-09-24 Reinhart, Kevin Nanopore and carbon nanotube based dna sequencer and a serial recognition sequencer
WO2009124111A2 (en) * 2008-04-01 2009-10-08 Trustees Of Boston University Glucose sensor employing semiconductor nanoelectronic device
US8232544B2 (en) * 2008-04-04 2012-07-31 Nokia Corporation Nanowire
JP5129011B2 (ja) * 2008-04-24 2013-01-23 シャープ株式会社 ナノ構造体を用いたセンサ素子、分析チップ、分析装置
KR101110805B1 (ko) 2008-05-07 2012-02-24 재단법인서울대학교산학협력재단 고선택성 생체전자코로 유용한 후각 수용체로 기능화된 트랜지스터 및 이를 이용하는 바이오센서
CN101582450B (zh) * 2008-05-16 2012-03-28 清华大学 薄膜晶体管
CN102066928B (zh) 2008-05-16 2015-08-05 德瑞索大学 评估组织的***和方法
EP2281193B1 (en) * 2008-05-29 2012-08-15 Technion Research and Development Foundation, Ltd. Carbon nanotube structures in sensor apparatuses for analyzing biomarkers in breath samples
CA2720728C (en) 2008-06-05 2018-04-03 Ventana Medical Systems, Inc. Compositions comprising nanomaterials and method for using such compositions for histochemical processes
KR100991011B1 (ko) 2008-06-10 2010-10-29 한국화학연구원 금속 나노입자가 고정화된 탄소나노튜브를 포함하는 바이오센서 및 그 제조방법
WO2009155359A1 (en) 2008-06-20 2009-12-23 Nantero, Inc. Nram arrays with nanotube blocks, nanotube traces, and nanotube planes and methods of making same
GB2461127B (en) * 2008-06-25 2010-07-14 Ion Torrent Systems Inc Methods and apparatus for measuring analytes using large scale FET arrays
WO2010008480A2 (en) 2008-06-25 2010-01-21 Ion Torrent Systems Incorporated Methods and apparatus for measuring analytes using large scale fet arrays
US8093667B2 (en) * 2008-06-30 2012-01-10 Intel Corporation Flexible gate electrode device for bio-sensing
CN102150037B (zh) * 2008-07-11 2014-06-04 康奈尔大学 集成电荷传感器的纳米流体通道及基于该纳米流体通道的方法
US8222127B2 (en) 2008-07-18 2012-07-17 Micron Technology, Inc. Methods of forming structures having nanotubes extending between opposing electrodes and structures including same
US20100053624A1 (en) * 2008-08-29 2010-03-04 Kyung-Hwa Yoo Biosensor
ES2574137T3 (es) 2008-09-03 2016-06-15 Quantumdx Group Limited Estrategias y métodos de detección de ácidos nucleicos mediante biosensores
WO2010037085A1 (en) * 2008-09-29 2010-04-01 The Board Of Trustees Of The University Of Illinois Dna sequencing and amplification systems using nanoscale field effect sensor arrays
FR2936604B1 (fr) * 2008-09-29 2010-11-05 Commissariat Energie Atomique Capteurs chimiques a base de nanotubes de carbone, procede de preparation et utilisations
WO2010039941A2 (en) * 2008-10-02 2010-04-08 University Of New Haven Bionanosensor detection device
WO2010042514A1 (en) 2008-10-06 2010-04-15 Arizona Board Of Regents Nanopore and carbon nanotube based dna sequencer and a serial recognition elements
US7880163B2 (en) * 2008-10-06 2011-02-01 Imec Nanostructure insulated junction field effect transistor
KR100980738B1 (ko) * 2008-10-10 2010-09-08 한국전자통신연구원 반도체 나노와이어 센서 소자의 제조 방법 및 이에 따라 제조된 반도체 나노와이어 센서 소자
DE112009002564T5 (de) * 2008-10-20 2011-09-29 Hewlett-Packard Development Company, L.P. Nanodraht-Bolometer-Photodetektor
US20100137143A1 (en) 2008-10-22 2010-06-03 Ion Torrent Systems Incorporated Methods and apparatus for measuring analytes
US20100301398A1 (en) 2009-05-29 2010-12-02 Ion Torrent Systems Incorporated Methods and apparatus for measuring analytes
US9006133B2 (en) 2008-10-24 2015-04-14 Oned Material Llc Electrochemical catalysts for fuel cells
US20100108132A1 (en) * 2008-10-30 2010-05-06 General Electric Company Nano-devices and methods of manufacture thereof
US20100204062A1 (en) * 2008-11-07 2010-08-12 University Of Southern California Calibration methods for multiplexed sensor arrays
WO2010059687A2 (en) * 2008-11-18 2010-05-27 The United States Of America, As Represented By The Secretary, Department Of Health And Human Services A semiconductor for measuring biological interactions
US7915637B2 (en) 2008-11-19 2011-03-29 Nantero, Inc. Switching materials comprising mixed nanoscopic particles and carbon nanotubes and method of making and using the same
US7940381B2 (en) * 2008-11-26 2011-05-10 International Business Machines Corporation Semiconductor nanowire electromagnetic radiation sensor
US8039909B2 (en) * 2008-11-26 2011-10-18 International Business Machines Corporation Semiconductor nanowires charge sensor
US8169006B2 (en) * 2008-11-29 2012-05-01 Electronics And Telecommunications Research Institute Bio-sensor chip for detecting target material
JP4843077B2 (ja) * 2008-12-03 2011-12-21 韓國電子通信研究院 トランジスタ構造のバイオセンサー及びその製造方法
KR101136881B1 (ko) 2008-12-03 2012-04-20 한국전자통신연구원 트랜지스터 구조의 바이오 센서 및 그의 제조방법
US8481324B2 (en) 2008-12-04 2013-07-09 Technion Research And Development Foundation Ltd. Apparatus and methods for diagnosing renal disorders
WO2010065967A2 (en) * 2008-12-05 2010-06-10 Nanoivd, Inc. Microfluidic-based lab-on-a-test card for a point-of-care analyzer
US20100143887A1 (en) * 2008-12-05 2010-06-10 Electronics And Telecommunications Research Institute Biosensor and method for detecting biomolecules by using the biosensor
DE102008060992A1 (de) * 2008-12-08 2010-06-17 MAX-PLANCK-Gesellschaft zur Förderung der Wissenschaften e.V. Sortierung biologischer Proben an nanostrukturierten Grenzflächen
WO2010077622A1 (en) * 2008-12-08 2010-07-08 Arizona Board Of Regents, Acting For And On Behalf Of Arizona State University Electrical devices including dendritic metal electrodes
KR101539669B1 (ko) * 2008-12-16 2015-07-27 삼성전자주식회사 코어-쉘 타입 구조물 형성방법 및 이를 이용한 트랜지스터 제조방법
US20100159572A1 (en) * 2008-12-22 2010-06-24 General Electric Company Device and associated method
US7981772B2 (en) * 2008-12-29 2011-07-19 International Business Machines Corporation Methods of fabricating nanostructures
US8715981B2 (en) * 2009-01-27 2014-05-06 Purdue Research Foundation Electrochemical biosensor
US7884004B2 (en) * 2009-02-04 2011-02-08 International Business Machines Corporation Maskless process for suspending and thinning nanowires
WO2010096331A1 (en) * 2009-02-11 2010-08-26 Duke University Sensors incorporating antibodies and methods of making and using the same
US8148264B2 (en) 2009-02-25 2012-04-03 California Institue Of Technology Methods for fabrication of high aspect ratio micropillars and nanopillars
TWI394948B (zh) 2009-03-17 2013-05-01 Univ Nat Chiao Tung 無須標定之感測器
FR2943421B1 (fr) 2009-03-18 2012-11-30 Commissariat Energie Atomique Detection et quantification electrique de derives mercuriques
WO2010115143A1 (en) * 2009-04-03 2010-10-07 University Of Southern California Surface modification of nanosensor platforms to increase sensitivity and reproducibility
US8872154B2 (en) * 2009-04-06 2014-10-28 Purdue Research Foundation Field effect transistor fabrication from carbon nanotubes
US20120036919A1 (en) * 2009-04-15 2012-02-16 Kamins Theodore I Nanowire sensor having a nanowire and electrically conductive film
JP5686988B2 (ja) 2009-05-04 2015-03-18 シャープ株式会社 燃料電池用膜電極複合体に用いられる触媒層、それを用いる燃料電池用膜電極複合体、燃料電池、およびその製造方法
DK3859830T3 (da) 2009-05-19 2022-04-11 Oned Mat Inc Nanostrukturerede materialer til batterianvendelser
US20120135158A1 (en) 2009-05-26 2012-05-31 Sharp Kabushiki Kaisha Methods and systems for electric field deposition of nanowires and other devices
US8673627B2 (en) 2009-05-29 2014-03-18 Life Technologies Corporation Apparatus and methods for performing electrochemical reactions
US8776573B2 (en) 2009-05-29 2014-07-15 Life Technologies Corporation Methods and apparatus for measuring analytes
JP5299105B2 (ja) * 2009-06-16 2013-09-25 ソニー株式会社 二酸化バナジウムナノワイヤとその製造方法、及び二酸化バナジウムナノワイヤを用いたナノワイヤデバイス
US8623288B1 (en) 2009-06-29 2014-01-07 Nanosys, Inc. Apparatus and methods for high density nanowire growth
WO2011017077A2 (en) * 2009-07-27 2011-02-10 Trustees Of Boston University Nanochannel-based sensor system with controlled sensitivity
EP2462051A4 (en) 2009-08-07 2013-06-26 Nanomix Inc MAGNETIC CARBON NANOTUBES BASED BIO RECOGNITION
KR101269173B1 (ko) 2009-09-08 2013-05-29 연세대학교 산학협력단 박막 집적 전자소자를 이용한 박테리아 및 바이러스의 측정방법 및 측정장치
EP2475612A4 (en) * 2009-09-11 2017-09-13 Jp Laboratories, Inc. Monitoring devices and processes based on transformation, destruction and conversion of nanostructures
FR2950436B1 (fr) 2009-09-18 2013-09-20 Commissariat Energie Atomique Appareil et procede de detection et/ou de quantification de composes d'interet presents sous forme gazeuse ou en solution dans un solvant
US9376713B2 (en) * 2009-09-23 2016-06-28 The Board Of Trustees Of The University Of Illinois Label free detection of nucleic acid amplification
WO2011038228A1 (en) 2009-09-24 2011-03-31 President And Fellows Of Harvard College Bent nanowires and related probing of species
US20110086368A1 (en) * 2009-10-08 2011-04-14 Drexel University Method for immune response detection
US8722427B2 (en) * 2009-10-08 2014-05-13 Drexel University Determination of dissociation constants using piezoelectric microcantilevers
US8895950B2 (en) 2009-10-23 2014-11-25 Nantero Inc. Methods for passivating a carbonic nanolayer
US8351239B2 (en) 2009-10-23 2013-01-08 Nantero Inc. Dynamic sense current supply circuit and associated method for reading and characterizing a resistive memory array
US8551806B2 (en) 2009-10-23 2013-10-08 Nantero Inc. Methods for passivating a carbonic nanolayer
US8614492B2 (en) 2009-10-26 2013-12-24 International Business Machines Corporation Nanowire stress sensors, stress sensor integrated circuits, and design structures for a stress sensor integrated circuit
US9134265B2 (en) 2009-11-05 2015-09-15 Kake Educational Institution Gas sensitive material comprising microcrystalline selenium and gas sensor using same
NZ599527A (en) 2009-11-09 2014-04-30 Spotlight Technology Partners Llc Fragmented hydrogels
CN102695500A (zh) 2009-11-09 2012-09-26 聚光灯技术合伙有限责任公司 多糖基水凝胶
US8809093B2 (en) * 2009-11-19 2014-08-19 California Institute Of Technology Methods for fabricating self-aligning semicondutor heterostructures using silicon nanowires
KR101283685B1 (ko) * 2009-11-23 2013-07-08 한국전자통신연구원 환경가스 센서 및 그의 제조방법
US9018684B2 (en) * 2009-11-23 2015-04-28 California Institute Of Technology Chemical sensing and/or measuring devices and methods
US8008146B2 (en) * 2009-12-04 2011-08-30 International Business Machines Corporation Different thickness oxide silicon nanowire field effect transistors
US20120028820A1 (en) 2009-12-29 2012-02-02 Nanosense Inc. Hybrid sensor array
JP5896922B2 (ja) 2010-02-12 2016-03-30 ナンテロ，インク． ナノチューブファブリック層又はフィルム内の密度、多孔率及び／又は間隙サイズを制御するための方法
USPP22463P3 (en) * 2010-02-16 2012-01-17 Menachem Bornstein Gypsophila plant named ‘Pearl Blossom’
US9121823B2 (en) * 2010-02-19 2015-09-01 The Trustees Of The University Of Pennsylvania High-resolution analysis devices and related methods
EP2552826A4 (en) 2010-03-30 2013-11-13 Nantero Inc METHOD FOR ARRANGING NANOSCOPIC ELEMENTS IN NETWORKS, FIBERS AND FILMS
US10661304B2 (en) 2010-03-30 2020-05-26 Nantero, Inc. Microfluidic control surfaces using ordered nanotube fabrics
CA2796965C (en) 2010-04-28 2019-04-16 Kimberly-Clark Worldwide, Inc. Method for increasing permeability of an epithelial barrier
EP2563453B1 (en) 2010-04-28 2017-02-08 Kimberly-Clark Worldwide, Inc. Nanopatterned medical device with enhanced cellular interaction and method for its forming
RU2585159C2 (ru) 2010-04-28 2016-05-27 Кимберли-Кларк Ворлдвайд, Инк. Устройство доставки лекарственного средства, применяемого при ревматоидном артрите
MX336139B (es) 2010-04-28 2016-01-08 Kimberly Clark Co Dispositivos medicos para la entrega de arn de interferencia corta.
US8420455B2 (en) 2010-05-12 2013-04-16 International Business Machines Corporation Generation of multiple diameter nanowire field effect transistors
US8445337B2 (en) 2010-05-12 2013-05-21 International Business Machines Corporation Generation of multiple diameter nanowire field effect transistors
US8519479B2 (en) 2010-05-12 2013-08-27 International Business Machines Corporation Generation of multiple diameter nanowire field effect transistors
BR112012030016B8 (pt) 2010-05-24 2021-05-18 Siluria Technologies Inc processo para preparar etileno a partir de metano e método para preparar um produto a jusante de etileno
IL206241A0 (en) * 2010-06-08 2010-12-30 Fernando Patolsky Modified nanowires for use in detecting nitro - containing chemicals
KR101237052B1 (ko) * 2010-06-09 2013-02-25 성균관대학교산학협력단 그라핀 세포 자극기 및 그것의 제조방법
WO2012050646A2 (en) 2010-06-29 2012-04-19 The Trustees Of The University Of Pennsylvania Biomimetic chemical sensors using nanoelectronic readout of olfactory receptors
CN106932456B (zh) 2010-06-30 2020-02-21 生命科技公司 用于测试isfet阵列的方法和装置
CN106449632B (zh) 2010-06-30 2019-09-20 生命科技公司 阵列列积分器
JP2013533482A (ja) 2010-06-30 2013-08-22 ライフ テクノロジーズ コーポレーション イオン感応性電荷蓄積回路および方法
FR2962052B1 (fr) * 2010-07-02 2015-04-03 Commissariat Energie Atomique Materiau comprenant des nanotubes ou des nanofils greffes dans une matrice, procede de preparation et utilisations
JP5876044B2 (ja) 2010-07-03 2016-03-02 ライフ テクノロジーズ コーポレーション 低濃度ドープドレインを有する化学的感応性センサ
KR20120010513A (ko) 2010-07-26 2012-02-03 삼성전자주식회사 바이오 물질 수용소자와 그 제조 및 동작방법
US9000783B2 (en) * 2010-08-02 2015-04-07 Wafertech, Llc Solid state sensor for metal ion detection and trapping in solution
KR101663183B1 (ko) 2010-08-26 2016-10-06 삼성전자주식회사 열전재료, 이를 포함하는 열전모듈과 열전장치
EP2617061B1 (en) 2010-09-15 2021-06-30 Life Technologies Corporation Methods and apparatus for measuring analytes
US8580099B2 (en) * 2010-09-20 2013-11-12 University Of South Carolina InN nanowire based multifunctional nanocantilever sensors
WO2012039812A1 (en) 2010-09-24 2012-03-29 Life Technologies Corporation Matched pair transistor circuits
JP5401636B2 (ja) * 2010-10-25 2014-01-29 独立行政法人科学技術振興機構 試料中の被検出物質の検出方法
US20120097521A1 (en) * 2010-10-25 2012-04-26 University Of Massachusetts Nanostructured apparatus and methods for producing carbon-containing molecules as a renewable energy resource
JP5294339B2 (ja) * 2010-10-25 2013-09-18 独立行政法人科学技術振興機構 試料中の被検出物質の検出方法
US9103762B2 (en) 2010-10-28 2015-08-11 Eth Zurich Method for electrical detection of biomolecules by metal dissolution and Assay kit therefore
DE102010062224A1 (de) * 2010-11-30 2012-05-31 Endress + Hauser Conducta Gesellschaft für Mess- und Regeltechnik GmbH + Co. KG Messvorrichtung zur Bestimmung einer Konzentration einer vorgegebenen Ionenart in einer Messflüssigkeit
WO2012075445A2 (en) 2010-12-03 2012-06-07 The Regents Of The University Of California Nanowire field-effect transistor biosensor with improved sensitivity
WO2012083258A2 (en) 2010-12-16 2012-06-21 Sensor Innovations, Inc. Electrochemical sensors
US8518736B2 (en) * 2010-12-29 2013-08-27 Georgia Tech Research Corporation Growth and transfer of monolithic horizontal nanowire superstructures onto flexible substrates
US8450131B2 (en) 2011-01-11 2013-05-28 Nanohmics, Inc. Imprinted semiconductor multiplex detection array
JP6046058B2 (ja) * 2011-03-04 2016-12-14 ザ リージェンツ オブ ザ ユニバーシティ オブ カリフォルニア 可逆的なイオン及び分子検出又は移動用ナノポアデバイス
WO2012122501A1 (en) * 2011-03-09 2012-09-13 Arizona Board Of Regents, For And On Behalf Of, Arizona State University Molecular transistor
EA029867B1 (ru) 2011-05-24 2018-05-31 Силурия Текнолоджиз, Инк. Катализаторы для нефтехимического катализа
JP5462219B2 (ja) * 2011-05-25 2014-04-02 株式会社日立製作所 グラフェンセンサ、該センサを利用した物質種分析装置および該センサを利用した物質種検知方法
WO2012170630A2 (en) * 2011-06-10 2012-12-13 President And Fellows Of Harvard College Nanoscale wires, nanoscale wire fet devices, and nanotube-electronic hybrid devices for sensing and other applications
WO2013033359A1 (en) 2011-08-31 2013-03-07 The Trustees Of The University Of Pennsylvania Carbon nanotube biosensors and related methods
WO2013036377A1 (en) * 2011-09-08 2013-03-14 The Regents Of The University Of California Sensor for law force-noise detection in liquids
US8221711B1 (en) * 2011-09-13 2012-07-17 Empire Technology Development Llc Nanosorbents and methods of use thereof
CN104039382B (zh) 2011-10-27 2018-01-12 金伯利-克拉克环球有限公司 高粘度生物活性剂的经皮递送
KR20140079429A (ko) 2011-10-27 2014-06-26 킴벌리-클라크 월드와이드, 인크. 생체활성 제제를 전달하기 위한 이식형 기구
US20170246439A9 (en) 2011-10-27 2017-08-31 Kimberly-Clark Worldwide, Inc. Increased Bioavailability of Transdermally Delivered Agents
US20130115453A1 (en) * 2011-11-03 2013-05-09 Nanyang Technological University Hybrid nanostructure, a method for forming the hybrid nanostructure, and an electrode including a plurality of the hybrid nanostructures
US20130158322A1 (en) 2011-11-29 2013-06-20 Siluria Technologies, Inc. Polymer templated nanowire catalysts
US9970984B2 (en) 2011-12-01 2018-05-15 Life Technologies Corporation Method and apparatus for identifying defects in a chemical sensor array
US20130186758A1 (en) * 2011-12-09 2013-07-25 University Of Delaware Current-carrying nanowire having a nanopore for high-sensitivity detection and analysis of biomolecules
TWI472069B (zh) 2011-12-19 2015-02-01 Ind Tech Res Inst 熱電複合材料
US20130201316A1 (en) 2012-01-09 2013-08-08 May Patents Ltd. System and method for server based control
US8821798B2 (en) 2012-01-19 2014-09-02 Life Technologies Corporation Titanium nitride as sensing layer for microwell structure
US8747748B2 (en) 2012-01-19 2014-06-10 Life Technologies Corporation Chemical sensor with conductive cup-shaped sensor surface
KR101327762B1 (ko) 2012-01-27 2013-11-11 연세대학교 산학협력단 나노 와이어와 지지층을 포함하는 신경소자
US9446397B2 (en) 2012-02-03 2016-09-20 Siluria Technologies, Inc. Method for isolation of nanomaterials
US9689826B2 (en) 2012-03-11 2017-06-27 Technion Research And Development Foundation Ltd. Detection of chronic kidney disease and disease progression
KR101890703B1 (ko) 2012-03-23 2018-08-22 삼성전자주식회사 무선 주파수를 이용한 센싱 장치 및 이의 제조 방법
US9095823B2 (en) * 2012-03-29 2015-08-04 Lockheed Martin Corporation Tunable layered membrane configuration for filtration and selective isolation and recovery devices
US9425254B1 (en) * 2012-04-04 2016-08-23 Ball Aerospace & Technologies Corp. Hybrid integrated nanotube and nanostructure substrate systems and methods
EP4235174A3 (en) 2012-04-09 2024-01-24 Takulapalli, Bharath Field effect transistor, device including the transistor, and methods of forming and using same
US9638717B2 (en) 2012-05-03 2017-05-02 President And Fellows Of Harvard College Nanoscale sensors for intracellular and other applications
US9204821B2 (en) 2012-05-09 2015-12-08 Isense Medical Corp. Method of and apparatus for detecting upper respiratory bacterial infection from exhaled mammalian breath and colorimetric sensor array cartridge
US9835634B2 (en) 2012-05-17 2017-12-05 The Board Of Trustees Of The University Of Illinois Coupled heterogeneous devices for pH sensing
WO2013173754A1 (en) * 2012-05-17 2013-11-21 The Board Of Trustees Of The University Of Illinois Coupled heterogeneous devices for ph sensing
CA3125016C (en) 2012-05-24 2024-04-30 Lummus Technology Llc Catalytic forms and formulations
US10980919B2 (en) 2016-04-14 2021-04-20 Lockheed Martin Corporation Methods for in vivo and in vitro use of graphene and other two-dimensional materials
US10376845B2 (en) 2016-04-14 2019-08-13 Lockheed Martin Corporation Membranes with tunable selectivity
US10653824B2 (en) 2012-05-25 2020-05-19 Lockheed Martin Corporation Two-dimensional materials and uses thereof
US10118130B2 (en) 2016-04-14 2018-11-06 Lockheed Martin Corporation Two-dimensional membrane structures having flow passages
US8786331B2 (en) 2012-05-29 2014-07-22 Life Technologies Corporation System for reducing noise in a chemical sensor array
US20150129426A1 (en) * 2012-06-05 2015-05-14 Middle Tennessee State University Electrochemical sensing nanocomposite
US10088477B2 (en) * 2012-07-30 2018-10-02 The Regents Of The University Of California Biomolecular detection test strip design
WO2014031709A1 (en) * 2012-08-24 2014-02-27 President And Fellows Of Harvard College Nanoscale wire probes
WO2014036002A1 (en) * 2012-08-28 2014-03-06 Northeastern University Tunable heterojunction for multifunctional electronics and photovoltaics
JP6035087B2 (ja) * 2012-09-06 2016-11-30 セイコーインスツル株式会社 ガスセンサ、ガス測定装置、及びガスセンサの製造方法
US9786850B2 (en) 2012-09-07 2017-10-10 President And Fellows Of Harvard College Methods and systems for scaffolds comprising nanoelectronic components
US9457128B2 (en) * 2012-09-07 2016-10-04 President And Fellows Of Harvard College Scaffolds comprising nanoelectronic components for cells, tissues, and other applications
IN2015DN02565A (ko) 2012-09-12 2015-09-11 Harvard College
EP2906720A4 (en) 2012-10-10 2016-06-01 Univ Arizona SYSTEMS AND DEVICES FOR DETECTING MOLECULES AND METHOD FOR THE PRODUCTION THEREOF
BR112015008202B1 (pt) 2012-10-16 2021-02-09 Koninklijke Philips N.V dispositivo para a detecção quantitativa de uma substância em uma amostra de fluido e uso de um dispositivo
DE102012021933B4 (de) 2012-11-09 2015-12-31 Airbus Defence and Space GmbH Optischer pH-Wert-Sensor
WO2014091401A2 (en) * 2012-12-10 2014-06-19 Perseus-Biomed Inc. Dynamic denervation procedures and systems for the implementation thereof
US9080968B2 (en) 2013-01-04 2015-07-14 Life Technologies Corporation Methods and systems for point of use removal of sacrificial material
US9841398B2 (en) 2013-01-08 2017-12-12 Life Technologies Corporation Methods for manufacturing well structures for low-noise chemical sensors
EP2946205A4 (en) 2013-01-20 2016-08-24 Tracense Systems Ltd SYSTEMS AND METHODS FOR IDENTIFYING EXPLOSIVES
US8962366B2 (en) 2013-01-28 2015-02-24 Life Technologies Corporation Self-aligned well structures for low-noise chemical sensors
US10049871B2 (en) 2013-02-06 2018-08-14 President And Fellows Of Harvard College Anisotropic deposition in nanoscale wires
BR112015019449A2 (pt) 2013-02-14 2018-02-06 Weber Paul sistemas, aparelhos e métodos para a dissecção de tecidos
US20140239504A1 (en) * 2013-02-28 2014-08-28 Hwei-Ling Yau Multi-layer micro-wire structure
TW201504140A (zh) 2013-03-12 2015-02-01 Lockheed Corp 形成具有均勻孔尺寸之多孔石墨烯之方法
US8963216B2 (en) 2013-03-13 2015-02-24 Life Technologies Corporation Chemical sensor with sidewall spacer sensor surface
US8841217B1 (en) 2013-03-13 2014-09-23 Life Technologies Corporation Chemical sensor with protruded sensor surface
KR101748314B1 (ko) * 2013-03-14 2017-06-16 휴렛-팩커드 디벨롭먼트 컴퍼니, 엘.피. 물질을 검출하기 위한 디바이스 및 이러한 디바이스를 제조하는 방법
US9116117B2 (en) 2013-03-15 2015-08-25 Life Technologies Corporation Chemical sensor with sidewall sensor surface
EP2972280B1 (en) 2013-03-15 2021-09-29 Life Technologies Corporation Chemical sensor with consistent sensor surface areas
EP2969184A4 (en) 2013-03-15 2016-12-21 Siluria Technologies Inc CATALYSTS FOR PETROCHEMICAL CATALYSIS
JP6581074B2 (ja) 2013-03-15 2019-09-25 ライフ テクノロジーズ コーポレーション 一貫性のあるセンサ表面積を有する化学センサ
FR3004000B1 (fr) * 2013-03-28 2016-07-15 Aledia Dispositif electroluminescent avec capteur integre et procede de controle de l'emission du dispositif
US9650732B2 (en) 2013-05-01 2017-05-16 Nantero Inc. Low defect nanotube application solutions and fabrics and methods for making same
US10458942B2 (en) 2013-06-10 2019-10-29 Life Technologies Corporation Chemical sensor array having multiple sensors per well
US9572918B2 (en) 2013-06-21 2017-02-21 Lockheed Martin Corporation Graphene-based filter for isolating a substance from blood
US9435896B2 (en) * 2013-07-31 2016-09-06 Globalfoundries Inc. Radiation detector based on charged self-assembled monolayers on nanowire devices
KR101527707B1 (ko) * 2013-08-21 2015-06-09 한양대학교 에리카산학협력단 수소이온농도 측정 센서 및 그 제조 방법
US10654718B2 (en) 2013-09-20 2020-05-19 Nantero, Inc. Scalable nanotube fabrics and methods for making same
US10378044B1 (en) * 2013-10-01 2019-08-13 FemtoDx Methods for increasing the molecular specificity of a nanosensor
EP2863332A1 (en) 2013-10-15 2015-04-22 One Drop Diagnostics Sàrl System and method for controlling access to analytical results of a diagnostic test assay
CA2927332A1 (en) 2013-10-22 2015-04-30 Ramot At Tel-Aviv University Ltd. Method and system for sensing
US20220011262A1 (en) * 2013-12-03 2022-01-13 FemtoDx Debye length modulation
US20150316502A1 (en) * 2013-12-03 2015-11-05 FemtoDx Debye length modulation
US20150179738A1 (en) * 2013-12-19 2015-06-25 Sk Innovation Co., Ltd. Flexible nano structure
KR20160142282A (ko) 2014-01-31 2016-12-12 록히드 마틴 코포레이션 다공성 비-희생 지지층을 사용하여 2차원 물질로 복합 구조를 형성하기 위한 프로세스
US10336713B2 (en) 2014-02-27 2019-07-02 Arizona Board Of Regents, Acting For And On Behalf Of, Arizona State University Triazole-based reader molecules and methods for synthesizing and use thereof
WO2015187227A2 (en) 2014-03-13 2015-12-10 Duke University Electronic platform for sensing and control of electrochemical reactions
US9896772B2 (en) 2014-03-13 2018-02-20 Innosense Llc Modular chemiresistive sensor
WO2015168601A2 (en) 2014-05-02 2015-11-05 Siluria Technologies, Inc. Heterogeneous catalysts
WO2015171699A1 (en) 2014-05-07 2015-11-12 President And Fellows Of Harvard College Controlled growth of nanoscale wires
EP2950124A1 (en) * 2014-05-28 2015-12-02 Paul Scherrer Institut Integrated photonic nanowires-based waveguide
US9857498B2 (en) 2014-06-05 2018-01-02 Baker Hughes Incorporated Devices and methods for detecting chemicals
US9899234B2 (en) 2014-06-30 2018-02-20 Lam Research Corporation Liner and barrier applications for subtractive metal integration
JP2017534311A (ja) 2014-09-02 2017-11-24 ロッキード・マーチン・コーポレーション 二次元膜材料をベースとする血液透析膜および血液濾過膜、ならびにそれを用いた方法
US11415546B2 (en) 2014-09-05 2022-08-16 The Trustees Of The University Of Pennsylvania Volatile organic compound-based diagnostic systems and methods
HUE054014T2 (hu) 2014-09-17 2021-08-30 Lummus Technology Inc Katalizátorok metán oxidatív csatolására és etán oxidatív dehidrogenálására
US10352899B2 (en) * 2014-10-06 2019-07-16 ALVEO Technologies Inc. System and method for detection of silver
US20170352542A1 (en) 2014-10-30 2017-12-07 President And Fellows Of Harvard College Nanoscale wires with tip-localized junctions
CA2967022A1 (en) * 2014-11-07 2016-05-12 Proteosense Devices, systems, and methods for the detection of analytes
US9263260B1 (en) * 2014-12-16 2016-02-16 International Business Machines Corporation Nanowire field effect transistor with inner and outer gates
US10077472B2 (en) 2014-12-18 2018-09-18 Life Technologies Corporation High data rate integrated circuit with power management
US9666748B2 (en) 2015-01-14 2017-05-30 International Business Machines Corporation Integrated on chip detector and zero waveguide module structure for use in DNA sequencing
US9299430B1 (en) 2015-01-22 2016-03-29 Nantero Inc. Methods for reading and programming 1-R resistive change element arrays
US10481135B1 (en) 2015-03-13 2019-11-19 Howard University Separation devices and sensors including two dimensional materials that change properties when exposed to components separated from a sample
WO2016161246A1 (en) * 2015-04-03 2016-10-06 President And Fellows Of Harvard College Nanoscale wires with external layers for sensors and other applications
JP6511957B2 (ja) * 2015-05-22 2019-05-15 富士通株式会社 ガスセンサ及び情報処理システム
EP3277510B1 (en) * 2015-07-31 2018-11-21 Hewlett-Packard Development Company, L.P. Printer with an air pressurization system and method of building up air pressure in a printing fluid supplier
AU2016303048A1 (en) 2015-08-05 2018-03-01 Lockheed Martin Corporation Perforatable sheets of graphene-based material
MX2018001559A (es) 2015-08-06 2018-09-27 Lockheed Corp Modificacion de nanoparticula y perforacion de grafeno.
US9972649B2 (en) 2015-10-21 2018-05-15 Massachusetts Institute Of Technology Nanowire FET imaging system and related techniques
TWI579559B (zh) 2015-10-30 2017-04-21 財團法人工業技術研究院 感測元件及其製造方法
US20180333086A1 (en) * 2015-11-11 2018-11-22 Elenza, Inc. Calcium sensor and implant
KR101742073B1 (ko) * 2015-12-01 2017-06-01 주식회사 페타룩스 할로겐화구리 반도체 기반 전자소자 및 이를 포함하는 기억소자 및 논리소자
US10386351B2 (en) 2015-12-07 2019-08-20 Nanohmics, Inc. Methods for detecting and quantifying analytes using gas species diffusion
US10386365B2 (en) 2015-12-07 2019-08-20 Nanohmics, Inc. Methods for detecting and quantifying analytes using ionic species diffusion
JP2019501383A (ja) 2015-12-09 2019-01-17 ラモット・アット・テル・アビブ・ユニバーシテイ・リミテッドＲａｍｏｔ Ａｔ Ｔｅｌ Ａｖｉｖ Ｕｎｉｖｅｒｓｉｔｙ Ｌｔｄ． 修飾ナノ構造体による検知のための方法およびシステム
JP6758620B2 (ja) * 2016-03-09 2020-09-23 国立大学法人東海国立大学機構 ナノワイヤデバイス、該ナノワイヤデバイスを含む分析装置、サンプルの加熱処理方法及びサンプルの分離方法
JP2017166947A (ja) 2016-03-16 2017-09-21 株式会社東芝 ガス検出装置
CA3020686A1 (en) 2016-04-14 2017-10-19 Lockheed Martin Corporation Method for treating graphene sheets for large-scale transfer using free-float method
KR20190018411A (ko) 2016-04-14 2019-02-22 록히드 마틴 코포레이션 그래핀 결함의 선택적 계면 완화
WO2017180133A1 (en) 2016-04-14 2017-10-19 Lockheed Martin Corporation Methods for in situ monitoring and control of defect formation or healing
CN109313157B (zh) 2016-04-19 2024-03-29 巴拉什·塔库拉帕里 纳米孔传感器、包括传感器的结构和装置、以及形成和使用它的方法
KR101871572B1 (ko) * 2016-04-19 2018-06-27 포항공과대학교 산학협력단 병원균 검출용 자성 복합 나노 입자 및 그 제조 방법
US9934848B2 (en) 2016-06-07 2018-04-03 Nantero, Inc. Methods for determining the resistive states of resistive change elements
US9941001B2 (en) 2016-06-07 2018-04-10 Nantero, Inc. Circuits for determining the resistive states of resistive change elements
EP3500857B1 (en) * 2016-08-22 2023-10-04 Ramot at Tel-Aviv University Ltd. Methods and systems for detecting bioanalytes
US20180113093A1 (en) * 2016-08-30 2018-04-26 FemtoDx Semiconductor-sensor based near-patient diagnostic system and methods
CN106935501B (zh) * 2016-10-19 2023-08-22 中国人民解放军国防科学技术大学 一种聚苯乙烯微球模板组装金颗粒制备单电子晶体管的方法
WO2018084602A1 (ko) * 2016-11-02 2018-05-11 주식회사 엘지화학 가스감지센서
EP3537140B1 (en) * 2016-11-02 2023-12-27 LG Chem, Ltd. Use of a gas detecting sensor
WO2018178992A1 (en) 2017-03-29 2018-10-04 Ramot At Tel-Aviv University Ltd. Method and system for separating biomolecules from a mixture containing same
US10900924B2 (en) * 2017-06-19 2021-01-26 International Business Machines Corporation Porous nanostructured electrodes for detection of neurotransmitters
EP3652721A1 (en) 2017-09-04 2020-05-20 NNG Software Developing and Commercial LLC A method and apparatus for collecting and using sensor data from a vehicle
KR102029180B1 (ko) * 2017-09-21 2019-10-08 한국과학기술연구원 황화주석(II)(SnS) 박막 형성 방법
GB2568298A (en) * 2017-11-13 2019-05-15 Univ Stellenbosch Methods, systems and devices for detecting inflammation
KR102493590B1 (ko) * 2018-02-27 2023-01-30 연세대학교 산학협력단 아세틸렌 감지 센서, 이의 제조방법 및 이를 포함하는 아세틸렌 감지 시스템
US20210231599A1 (en) * 2018-05-04 2021-07-29 LeNano Diagnostics Inc. Biosensor for the Detection of an Analyte
JP2020150930A (ja) * 2018-07-06 2020-09-24 国立大学法人東海国立大学機構 生体分子を分離するための流体デバイス及び方法
WO2020035852A2 (en) 2018-08-14 2020-02-20 Neurotrigger Ltd. Method and apparatus for transcutaneous facial nerve stimulation and applications thereof
JPWO2020054773A1 (ja) * 2018-09-11 2021-08-30 国立大学法人東海国立大学機構 生体分子分離用デバイス、およびその作動方法
TWI765209B (zh) * 2019-01-18 2022-05-21 國立陽明交通大學 用來偵測全細胞細菌之以場效電晶體為主的生物感測器以及包含生物感測器的生物感測器組
EP3888346A4 (en) 2019-02-19 2022-08-24 Edgy Bees Ltd. ESTIMATION OF THE REAL-TIME DELAY OF A VIDEO STREAM
US11768262B2 (en) 2019-03-14 2023-09-26 Massachusetts Institute Of Technology Interface responsive to two or more sensor modalities
WO2020191206A1 (en) * 2019-03-20 2020-09-24 The Regents Of The University Of California Bio mime tic nanovilli chips for enhanced capture of tumor-derived extracellular vesicles
CN109920912B (zh) * 2019-03-28 2023-02-03 江苏师范大学 一种多功能突触仿生器件及其制备方法
TWI746974B (zh) * 2019-05-09 2021-11-21 國立清華大學 熱電奈米感測器及其製造方法與應用方法
US20220213425A1 (en) 2019-06-24 2022-07-07 President And Fellows Of Harvard Cell scaffold comprising an electronic circuit
US11630007B2 (en) * 2019-06-24 2023-04-18 Clemson University Graphene/polymer heterostructure-based flexible and biocompatible pressure/strain sensor
GB2603352B (en) * 2019-10-04 2024-05-15 Nat Univ Singapore Haemostatic device, haemostatic coating dispersion and hydrophobic surface
KR102455443B1 (ko) * 2021-02-22 2022-10-18 제일기술(주) 트랜지스터 기반 비효소 당센서 및 이의 제조방법
JPWO2022181400A1 (ko) * 2021-02-25 2022-09-01
CN115165991B (zh) * 2022-07-06 2023-11-07 岭南师范学院 一种还原型谷胱甘肽光电化学传感器的制备方法

Family Cites Families (218)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US646189A (en) * 1900-01-22 1900-03-27 Neff E Parish Bicycle-frame.
US3444100A (en) 1963-10-30 1969-05-13 Trancoa Chem Corp Radiation resistant semiconductor grade silicon containing a metal oxide
US3873359A (en) 1971-11-26 1975-03-25 Western Electric Co Method of depositing a metal on a surface of a substrate
US3873360A (en) 1971-11-26 1975-03-25 Western Electric Co Method of depositing a metal on a surface of a substrate
US3900614A (en) 1971-11-26 1975-08-19 Western Electric Co Method of depositing a metal on a surface of a substrate
JPS6194042A (ja) 1984-10-16 1986-05-12 Matsushita Electric Ind Co Ltd 分子構築体およびその製造方法
US4939556A (en) 1986-07-10 1990-07-03 Canon Kabushiki Kaisha Conductor device
JPS63128246A (ja) * 1986-11-19 1988-05-31 Seitai Kinou Riyou Kagakuhin Shinseizou Gijutsu Kenkyu Kumiai 電界効果トランジスタ型酸素ガスセンサ
JPH01301570A (ja) 1988-02-26 1989-12-05 Hitachi Chem Co Ltd 石綿スレートの補修方法
US5089545A (en) 1989-02-12 1992-02-18 Biotech International, Inc. Switching and memory elements from polyamino acids and the method of their assembly
US5023139A (en) 1989-04-04 1991-06-11 Research Corporation Technologies, Inc. Nonlinear optical materials
EP0605408A1 (en) 1989-10-18 1994-07-13 Research Corporation Technologies, Inc. Coated particles and methods of coating particles
US5225366A (en) 1990-06-22 1993-07-06 The United States Of America As Represented By The Secretary Of The Navy Apparatus for and a method of growing thin films of elemental semiconductors
US5332910A (en) 1991-03-22 1994-07-26 Hitachi, Ltd. Semiconductor optical device with nanowhiskers
US5247602A (en) 1991-09-16 1993-09-21 Eastman Kodak Company Blue transparent second harmonic generator
US5274602A (en) 1991-10-22 1993-12-28 Florida Atlantic University Large capacity solid-state memory
JP3243303B2 (ja) 1991-10-28 2002-01-07 ゼロックス・コーポレーション 量子閉じ込め半導体発光素子及びその製造方法
US5475341A (en) 1992-06-01 1995-12-12 Yale University Sub-nanoscale electronic systems and devices
US5252835A (en) 1992-07-17 1993-10-12 President And Trustees Of Harvard College Machining oxide thin-films with an atomic force microscope: pattern and object formation on the nanometer scale
EP0622439A1 (en) 1993-04-20 1994-11-02 Koninklijke Philips Electronics N.V. Quantum sized activator doped semiconductor particles
US5453970A (en) 1993-07-13 1995-09-26 Rust; Thomas F. Molecular memory medium and molecular memory disk drive for storing information using a tunnelling probe
AU8070294A (en) 1993-07-15 1995-02-13 President And Fellows Of Harvard College Extended nitride material comprising beta -c3n4
US5512131A (en) 1993-10-04 1996-04-30 President And Fellows Of Harvard College Formation of microstamped patterns on surfaces and derivative articles
US6180239B1 (en) 1993-10-04 2001-01-30 President And Fellows Of Harvard College Microcontact printing on surfaces and derivative articles
US5776748A (en) 1993-10-04 1998-07-07 President And Fellows Of Harvard College Method of formation of microstamped patterns on plates for adhesion of cells and other biological materials, devices and uses therefor
US5900160A (en) 1993-10-04 1999-05-04 President And Fellows Of Harvard College Methods of etching articles via microcontact printing
US5936703A (en) 1993-10-13 1999-08-10 Nof Corporation Alkoxysilane compound, surface processing solution and contact lens
JP3254865B2 (ja) 1993-12-17 2002-02-12 ソニー株式会社 カメラ装置
EP0659911A1 (en) 1993-12-23 1995-06-28 International Business Machines Corporation Method to form a polycrystalline film on a substrate
CN1040043C (zh) 1994-04-29 1998-09-30 武汉大学 纳米级超微传感器及其制作方法
US5620850A (en) 1994-09-26 1997-04-15 President And Fellows Of Harvard College Molecular recognition at surfaces derivatized with self-assembled monolayers
DE4438543A1 (de) * 1994-10-28 1996-05-02 Bayer Ag Beschichtete Polycarbonatformkörper
WO1996014206A1 (en) 1994-11-08 1996-05-17 Spectra Science Corporation Semiconductor nanocrystal display materials and display apparatus employing same
US5581091A (en) 1994-12-01 1996-12-03 Moskovits; Martin Nanoelectric devices
US5866434A (en) 1994-12-08 1999-02-02 Meso Scale Technology Graphitic nanotubes in luminescence assays
US5449627A (en) 1994-12-14 1995-09-12 United Microelectronics Corporation Lateral bipolar transistor and FET compatible process for making it
US5539214A (en) * 1995-02-06 1996-07-23 Regents Of The University Of California Quantum bridges fabricated by selective etching of superlattice structures
US5524092A (en) 1995-02-17 1996-06-04 Park; Jea K. Multilayered ferroelectric-semiconductor memory-device
WO1996029629A2 (en) 1995-03-01 1996-09-26 President And Fellows Of Harvard College Microcontact printing on surfaces and derivative articles
CN1192097C (zh) 1995-03-10 2005-03-09 梅索磅秤技术有限公司 多阵列、多特异性的电化学发光检验
US5747180A (en) 1995-05-19 1998-05-05 University Of Notre Dame Du Lac Electrochemical synthesis of quasi-periodic quantum dot and nanostructure arrays
US5824470A (en) 1995-05-30 1998-10-20 California Institute Of Technology Method of preparing probes for sensing and manipulating microscopic environments and structures
US6190634B1 (en) 1995-06-07 2001-02-20 President And Fellows Of Harvard College Carbide nanomaterials
US5751156A (en) 1995-06-07 1998-05-12 Yale University Mechanically controllable break transducer
US5757038A (en) 1995-11-06 1998-05-26 International Business Machines Corporation Self-aligned dual gate MOSFET with an ultranarrow channel
WO1997019208A1 (en) 1995-11-22 1997-05-29 Northwestern University Method of encapsulating a material in a carbon nanotube
US6036774A (en) 1996-02-26 2000-03-14 President And Fellows Of Harvard College Method of producing metal oxide nanorods
US5897945A (en) 1996-02-26 1999-04-27 President And Fellows Of Harvard College Metal oxide nanorods
DE19610115C2 (de) 1996-03-14 2000-11-23 Fraunhofer Ges Forschung Detektion von Molekülen und Molekülkomplexen
US6060121A (en) 1996-03-15 2000-05-09 President And Fellows Of Harvard College Microcontact printing of catalytic colloids
US6355198B1 (en) 1996-03-15 2002-03-12 President And Fellows Of Harvard College Method of forming articles including waveguides via capillary micromolding and microtransfer molding
CA2248576C (en) 1996-03-15 2006-01-24 President And Fellows Of Harvard College Method of forming articles and patterning surfaces via capillary micromolding
US5640343A (en) 1996-03-18 1997-06-17 International Business Machines Corporation Magnetic memory array using magnetic tunnel junction devices in the memory cells
RU2099808C1 (ru) 1996-04-01 1997-12-20 Евгений Инвиевич Гиваргизов Способ выращивания ориентированных систем нитевидных кристаллов и устройство для его осуществления (варианты)
US5942443A (en) 1996-06-28 1999-08-24 Caliper Technologies Corporation High throughput screening assay systems in microscale fluidic devices
US5726524A (en) 1996-05-31 1998-03-10 Minnesota Mining And Manufacturing Company Field emission device having nanostructured emitters
JP2000516708A (ja) * 1996-08-08 2000-12-12 ウィリアム・マーシュ・ライス・ユニバーシティ ナノチューブ組立体から作製された巨視的操作可能なナノ規模の装置
JPH10106960A (ja) * 1996-09-25 1998-04-24 Sony Corp 量子細線の製造方法
US6038060A (en) 1997-01-16 2000-03-14 Crowley; Robert Joseph Optical antenna array for harmonic generation, mixing and signal amplification
US5908692A (en) 1997-01-23 1999-06-01 Wisconsin Alumni Research Foundation Ordered organic monolayers and methods of preparation thereof
US6683783B1 (en) 1997-03-07 2004-01-27 William Marsh Rice University Carbon fibers formed from single-wall carbon nanotubes
US5997832A (en) 1997-03-07 1999-12-07 President And Fellows Of Harvard College Preparation of carbide nanorods
EP1015384B1 (en) 1997-03-07 2005-07-13 William Marsh Rice University Carbon fibers formed from single-wall carbon nanotubes
JP3183845B2 (ja) 1997-03-21 2001-07-09 財団法人ファインセラミックスセンター カーボンナノチューブ及びカーボンナノチューブ膜の製造方法
US5847565A (en) 1997-03-31 1998-12-08 Council Of Scientific And Industrial Research Logic device
WO1998048456A1 (en) 1997-04-24 1998-10-29 Massachusetts Institute Of Technology Nanowire arrays
US5864823A (en) 1997-06-25 1999-01-26 Virtel Corporation Integrated virtual telecommunication system for E-commerce
US6069380A (en) 1997-07-25 2000-05-30 Regents Of The University Of Minnesota Single-electron floating-gate MOS memory
US7001996B1 (en) * 1997-08-21 2006-02-21 The United States Of America As Represented By The Secretary Of The Army Enzymatic template polymerization
US6187165B1 (en) 1997-10-02 2001-02-13 The John Hopkins University Arrays of semi-metallic bismuth nanowires and fabrication techniques therefor
US5903010A (en) 1997-10-29 1999-05-11 Hewlett-Packard Company Quantum wire switch and switching method
JP3740295B2 (ja) 1997-10-30 2006-02-01 キヤノン株式会社 カーボンナノチューブデバイス、その製造方法及び電子放出素子
US6004444A (en) 1997-11-05 1999-12-21 The Trustees Of Princeton University Biomimetic pathways for assembling inorganic thin films and oriented mesoscopic silicate patterns through guided growth
US6762056B1 (en) 1997-11-12 2004-07-13 Protiveris, Inc. Rapid method for determining potential binding sites of a protein
US6123819A (en) * 1997-11-12 2000-09-26 Protiveris, Inc. Nanoelectrode arrays
US20030135971A1 (en) * 1997-11-12 2003-07-24 Michael Liberman Bundle draw based processing of nanofibers and method of making
US5985173A (en) 1997-11-18 1999-11-16 Gray; Henry F. Phosphors having a semiconductor host surrounded by a shell
US6207392B1 (en) 1997-11-25 2001-03-27 The Regents Of The University Of California Semiconductor nanocrystal probes for biological applications and process for making and using such probes
JP3902883B2 (ja) 1998-03-27 2007-04-11 キヤノン株式会社 ナノ構造体及びその製造方法
US6287765B1 (en) 1998-05-20 2001-09-11 Molecular Machines, Inc. Methods for detecting and identifying single molecules
JP2000041320A (ja) 1998-05-20 2000-02-08 Yazaki Corp グロメット
US6159742A (en) 1998-06-05 2000-12-12 President And Fellows Of Harvard College Nanometer-scale microscopy probes
US6203864B1 (en) 1998-06-08 2001-03-20 Nec Corporation Method of forming a heterojunction of a carbon nanotube and a different material, method of working a filament of a nanotube
JP4137239B2 (ja) * 1998-08-03 2008-08-20 株式会社堀場製作所 Ｉｓｆｅｔアレイ
US7416699B2 (en) * 1998-08-14 2008-08-26 The Board Of Trustees Of The Leland Stanford Junior University Carbon nanotube devices
US6346189B1 (en) 1998-08-14 2002-02-12 The Board Of Trustees Of The Leland Stanford Junior University Carbon nanotube structures made using catalyst islands
ATE440073T1 (de) 1998-09-18 2009-09-15 Univ Rice William M Chemische derivatisierung von einwandigen kohlenstoffnanoríhren um ihre solvatation zu erleichtern und verwendung derivatisierter nanoríhren
JP4630459B2 (ja) 1998-09-24 2011-02-09 インディアナ・ユニバーシティ・リサーチ・アンド・テクノロジー・コーポレーション 水溶性発光量子ドットおよびその生体分子コンジュゲート
EP1135792A4 (en) 1998-09-28 2005-06-08 Xidex Corp METHOD FOR PRODUCING CARBON NANOROES AS FUNCTIONAL ELEMENTS OF MEMS COMPONENTS
US6705152B2 (en) 2000-10-24 2004-03-16 Nanoproducts Corporation Nanostructured ceramic platform for micromachined devices and device arrays
US6468657B1 (en) * 1998-12-04 2002-10-22 The Regents Of The University Of California Controllable ion-exchange membranes
JP3754568B2 (ja) 1999-01-29 2006-03-15 シャープ株式会社 量子細線の製造方法
US20020013031A1 (en) 1999-02-09 2002-01-31 Kuen-Jian Chen Method of improving the reliability of gate oxide layer
US6624420B1 (en) 1999-02-18 2003-09-23 University Of Central Florida Lutetium yttrium orthosilicate single crystal scintillator detector
EP1159761B1 (en) 1999-02-22 2010-04-21 Joseph E. Clawson, Jr. Electronic nanostructure device
US6149819A (en) 1999-03-02 2000-11-21 United States Filter Corporation Air and water purification using continuous breakpoint halogenation and peroxygenation
US6143184A (en) 1999-03-02 2000-11-07 United States Filter Corporation Air and water purification using continuous breakpoint halogenation
US6314019B1 (en) 1999-03-29 2001-11-06 Hewlett-Packard Company Molecular-wire crossbar interconnect (MWCI) for signal routing and communications
US6256767B1 (en) 1999-03-29 2001-07-03 Hewlett-Packard Company Demultiplexer for a molecular wire crossbar network (MWCN DEMUX)
US7030408B1 (en) 1999-03-29 2006-04-18 Hewlett-Packard Development Company, L.P. Molecular wire transistor (MWT)
US6128214A (en) 1999-03-29 2000-10-03 Hewlett-Packard Molecular wire crossbar memory
US6459095B1 (en) 1999-03-29 2002-10-01 Hewlett-Packard Company Chemically synthesized and assembled electronics devices
US7112315B2 (en) 1999-04-14 2006-09-26 The Regents Of The University Of California Molecular nanowires from single walled carbon nanotubes
US6270074B1 (en) 1999-04-14 2001-08-07 Hewlett-Packard Company Print media vacuum holddown
AUPP976499A0 (en) 1999-04-16 1999-05-06 Commonwealth Scientific And Industrial Research Organisation Multilayer carbon nanotube films
US20030124509A1 (en) * 1999-06-03 2003-07-03 Kenis Paul J.A. Laminar flow patterning and articles made thereby
US6361861B2 (en) 1999-06-14 2002-03-26 Battelle Memorial Institute Carbon nanotubes on a substrate
EP2224508B1 (en) 1999-07-02 2016-01-06 President and Fellows of Harvard College Method of separating metallic and semiconducting nanoscopic wires
US6538367B1 (en) 1999-07-15 2003-03-25 Agere Systems Inc. Field emitting device comprising field-concentrating nanoconductor assembly and method for making the same
US6322713B1 (en) 1999-07-15 2001-11-27 Agere Systems Guardian Corp. Nanoscale conductive connectors and method for making same
US6465132B1 (en) 1999-07-22 2002-10-15 Agere Systems Guardian Corp. Article comprising small diameter nanowires and method for making the same
US6286226B1 (en) * 1999-09-24 2001-09-11 Agere Systems Guardian Corp. Tactile sensor comprising nanowires and method for making the same
US6340822B1 (en) 1999-10-05 2002-01-22 Agere Systems Guardian Corp. Article comprising vertically nano-interconnected circuit devices and method for making the same
US6741019B1 (en) 1999-10-18 2004-05-25 Agere Systems, Inc. Article comprising aligned nanowires
US6437329B1 (en) 1999-10-27 2002-08-20 Advanced Micro Devices, Inc. Use of carbon nanotubes as chemical sensors by incorporation of fluorescent molecules within the tube
US6974706B1 (en) 2003-01-16 2005-12-13 University Of Florida Research Foundation, Inc. Application of biosensors for diagnosis and treatment of disease
US20050037374A1 (en) * 1999-11-08 2005-02-17 Melker Richard J. Combined nanotechnology and sensor technologies for simultaneous diagnosis and treatment
EP1247089B1 (en) * 1999-12-15 2008-07-23 Board Of Trustees Of The Leland Stanford Junior University Carbon nanotube devices
US6248674B1 (en) 2000-02-02 2001-06-19 Hewlett-Packard Company Method of aligning nanowires
EP1263887A1 (en) 2000-02-04 2002-12-11 Massachusetts Institute Of Technology Insulated nanoscopic pathways, compositions and devices of the same
US6503375B1 (en) * 2000-02-11 2003-01-07 Applied Materials, Inc Electroplating apparatus using a perforated phosphorus doped consumable anode
US6294450B1 (en) * 2000-03-01 2001-09-25 Hewlett-Packard Company Nanoscale patterning for the formation of extensive wires
AU2001249323A1 (en) 2000-03-22 2001-10-03 University Of Massachusetts Nanocylinder arrays
US6720240B2 (en) * 2000-03-29 2004-04-13 Georgia Tech Research Corporation Silicon based nanospheres and nanowires
JP4089122B2 (ja) 2000-03-31 2008-05-28 株式会社リコー 接触型帯電器の製造方法、該方法によって得られる接触型帯電器、帯電方法および画像記録装置
US6479028B1 (en) 2000-04-03 2002-11-12 The Regents Of The University Of California Rapid synthesis of carbon nanotubes and carbon encapsulated metal nanoparticles by a displacement reaction
US7323143B2 (en) * 2000-05-25 2008-01-29 President And Fellows Of Harvard College Microfluidic systems including three-dimensionally arrayed channel networks
US6440637B1 (en) 2000-06-28 2002-08-27 The Aerospace Corporation Electron beam lithography method forming nanocrystal shadowmasks and nanometer etch masks
EP1170799A3 (de) 2000-07-04 2009-04-01 Infineon Technologies AG Elektronisches Bauelement und Verfahren zum Herstellen eines elektronischen Bauelements
US6468677B1 (en) * 2000-08-01 2002-10-22 Premark Rwp Holdings Inc. Electroluminescent high pressure laminate
US20060175601A1 (en) 2000-08-22 2006-08-10 President And Fellows Of Harvard College Nanoscale wires and related devices
KR100995457B1 (ko) 2000-08-22 2010-11-18 프레지던트 앤드 펠로우즈 오브 하버드 칼리지 나노센서 제조 방법
US7301199B2 (en) 2000-08-22 2007-11-27 President And Fellows Of Harvard College Nanoscale wires and related devices
US20020146714A1 (en) 2000-09-11 2002-10-10 Lieber Charles M. Direct haplotyping using carbon nanotube probes
US6716409B2 (en) 2000-09-18 2004-04-06 President And Fellows Of The Harvard College Fabrication of nanotube microscopy tips
WO2002026624A1 (en) 2000-09-29 2002-04-04 President And Fellows Of Harvard College Direct growth of nanotubes, and their use in nanotweezers
JP2004511762A (ja) 2000-10-10 2004-04-15 バイオフォース　ナノサイエンシズ　インコーポレイテッド ナノスケールセンサー
JP3811004B2 (ja) 2000-11-26 2006-08-16 喜萬 中山 導電性走査型顕微鏡用プローブ
KR20030055346A (ko) * 2000-12-11 2003-07-02 프레지던트 앤드 펠로우즈 오브 하버드 칼리지 나노센서
US20020084502A1 (en) 2000-12-29 2002-07-04 Jin Jang Carbon nanotip and fabricating method thereof
US6958216B2 (en) 2001-01-10 2005-10-25 The Trustees Of Boston College DNA-bridged carbon nanotube arrays
US6586095B2 (en) 2001-01-12 2003-07-01 Georgia Tech Research Corp. Semiconducting oxide nanostructures
AU2002344316A1 (en) 2001-01-19 2002-11-25 California Institute Of Technology Carbon nanobimorph actuator and sensor
EP1374310A4 (en) 2001-03-14 2008-02-20 Univ Massachusetts NANOFABRICATION
US8029734B2 (en) * 2001-03-29 2011-10-04 The Board Of Trustees Of The Leland Stanford Junior University Noncovalent sidewall functionalization of carbon nanotubes
WO2002080360A1 (en) 2001-03-30 2002-10-10 California Institute Of Technology Pattern-aligned carbon nanotube growth and tunable resonator apparatus
KR101008294B1 (ko) 2001-03-30 2011-01-13 더 리전트 오브 더 유니버시티 오브 캘리포니아 나노구조체 및 나노와이어의 제조 방법 및 그로부터 제조되는 디바이스
US7459312B2 (en) 2001-04-18 2008-12-02 The Board Of Trustees Of The Leland Stanford Junior University Photodesorption in carbon nanotubes
US7232460B2 (en) * 2001-04-25 2007-06-19 Xillus, Inc. Nanodevices, microdevices and sensors on in-vivo structures and method for the same
US6902720B2 (en) 2001-05-10 2005-06-07 Worcester Polytechnic Institute Cyclic peptide structures for molecular scale electronic and photonic devices
US7132275B2 (en) 2001-05-14 2006-11-07 The John Hopkins University Multifunctional magnetic nanowires
CA2447728A1 (en) 2001-05-18 2003-01-16 President And Fellows Of Harvard College Nanoscale wires and related devices
US20030048619A1 (en) * 2001-06-15 2003-03-13 Kaler Eric W. Dielectrophoretic assembling of electrically functional microwires
US6846565B2 (en) 2001-07-02 2005-01-25 Board Of Regents, The University Of Texas System Light-emitting nanoparticles and method of making same
AU2002354929A1 (en) * 2001-07-16 2003-03-03 The Trustees Of Columbia University In The City Of New York Antibodies specific for nanotubes and related methods and compositions
DE60234776D1 (de) 2001-07-20 2010-01-28 Harvard College Übergangsmetalloxid-nanodrähte und diese enthaltende vorrichtungen
KR100455284B1 (ko) * 2001-08-14 2004-11-12 삼성전자주식회사 탄소나노튜브를 이용한 고용량의 바이오분자 검출센서
AU2002341621A1 (en) * 2001-09-10 2003-03-24 Meso Scale Technologies, Llc Methods, reagents, kits and apparatus for protein function analysis
US7482168B2 (en) * 2001-09-15 2009-01-27 The Regents Of The University Of California Photoluminescent polymetalloles as chemical sensors
US20030073071A1 (en) * 2001-10-12 2003-04-17 Jurgen Fritz Solid state sensing system and method for measuring the binding or hybridization of biomolecules
JP3816788B2 (ja) 2001-11-22 2006-08-30 株式会社東芝 不揮発性半導体記憶装置
KR20040054801A (ko) * 2001-11-26 2004-06-25 소니 인터내셔널(유로파) 게엠베하 실온에 근접한 온도에서 조작 및 제조되는, 1ｄ 반도체재료의 화학 감지 재료로서의 용도
US20030124717A1 (en) * 2001-11-26 2003-07-03 Yuji Awano Method of manufacturing carbon cylindrical structures and biopolymer detection device
US7385262B2 (en) * 2001-11-27 2008-06-10 The Board Of Trustees Of The Leland Stanford Junior University Band-structure modulation of nano-structures in an electric field
WO2003054931A1 (en) 2001-12-12 2003-07-03 Jorma Virtanen Method and apparatus for nano-sensing
US6882767B2 (en) 2001-12-27 2005-04-19 The Regents Of The University Of California Nanowire optoelectric switching device and method
US20030134433A1 (en) * 2002-01-16 2003-07-17 Nanomix, Inc. Electronic sensing of chemical and biological agents using functionalized nanostructures
US7073157B2 (en) 2002-01-18 2006-07-04 California Institute Of Technology Array-based architecture for molecular electronics
CN1444259A (zh) 2002-03-12 2003-09-24 株式会社东芝 半导体器件的制造方法
US20040026684A1 (en) * 2002-04-02 2004-02-12 Nanosys, Inc. Nanowire heterostructures for encoding information
US6872645B2 (en) 2002-04-02 2005-03-29 Nanosys, Inc. Methods of positioning and/or orienting nanostructures
US20030189202A1 (en) 2002-04-05 2003-10-09 Jun Li Nanowire devices and methods of fabrication
US20040067530A1 (en) * 2002-05-08 2004-04-08 The Regents Of The University Of California Electronic sensing of biomolecular processes
US20040136866A1 (en) * 2002-06-27 2004-07-15 Nanosys, Inc. Planar nanowire based sensor elements, devices, systems and methods for using and making same
US7335908B2 (en) * 2002-07-08 2008-02-26 Qunano Ab Nanostructures and methods for manufacturing the same
AU2003261205A1 (en) 2002-07-19 2004-02-09 President And Fellows Of Harvard College Nanoscale coherent optical components
ATE360873T1 (de) * 2002-07-25 2007-05-15 California Inst Of Techn Sublithographische nanobereichs- speicherarchitektur
US7572393B2 (en) * 2002-09-05 2009-08-11 Nanosys Inc. Organic species that facilitate charge transfer to or from nanostructures
EP2399970A3 (en) * 2002-09-05 2012-04-18 Nanosys, Inc. Nanocomposites
US6878871B2 (en) * 2002-09-05 2005-04-12 Nanosys, Inc. Nanostructure and nanocomposite based compositions and photovoltaic devices
AU2003298998A1 (en) * 2002-09-05 2004-04-08 Nanosys, Inc. Oriented nanostructures and methods of preparing
CA2499944A1 (en) 2002-09-30 2004-04-15 Nanosys, Inc. Integrated displays using nanowire transistors
US7051945B2 (en) * 2002-09-30 2006-05-30 Nanosys, Inc Applications of nano-enabled large area macroelectronic substrates incorporating nanowires and nanowire composites
US7135728B2 (en) 2002-09-30 2006-11-14 Nanosys, Inc. Large-area nanoenabled macroelectronic substrates and uses therefor
AU2003283973B2 (en) 2002-09-30 2008-10-30 Oned Material Llc Large-area nanoenabled macroelectronic substrates and uses therefor
US7067867B2 (en) * 2002-09-30 2006-06-27 Nanosys, Inc. Large-area nonenabled macroelectronic substrates and uses therefor
WO2004034025A2 (en) 2002-10-10 2004-04-22 Nanosys, Inc. Nano-chem-fet based biosensors
US7163659B2 (en) * 2002-12-03 2007-01-16 Hewlett-Packard Development Company, L.P. Free-standing nanowire sensor and method for detecting an analyte in a fluid
US6815706B2 (en) * 2002-12-17 2004-11-09 Hewlett-Packard Development Company, L.P. Nano optical sensors via molecular self-assembly
US6969121B2 (en) 2003-02-24 2005-11-29 Cornell Drajan Chair construction
US20040191517A1 (en) * 2003-03-26 2004-09-30 Industrial Technology Research Institute Self-assembling nanowires
US7274208B2 (en) 2003-06-02 2007-09-25 California Institute Of Technology Nanoscale wire-based sublithographic programmable logic arrays
US7091120B2 (en) * 2003-08-04 2006-08-15 Nanosys, Inc. System and process for producing nanowire composites and electronic substrates therefrom
US7067328B2 (en) * 2003-09-25 2006-06-27 Nanosys, Inc. Methods, devices and compositions for depositing and orienting nanostructures
US20050253137A1 (en) 2003-11-20 2005-11-17 President And Fellows Of Harvard College Nanoscale arrays, robust nanostructures, and related devices
US7662706B2 (en) * 2003-11-26 2010-02-16 Qunano Ab Nanostructures formed of branched nanowhiskers and methods of producing the same
US20090227107A9 (en) 2004-02-13 2009-09-10 President And Fellows Of Havard College Nanostructures Containing Metal Semiconductor Compounds
WO2005093831A1 (en) 2004-02-13 2005-10-06 President And Fellows Of Harvard College Nanostructures containing metal-semiconductor compounds
US7595528B2 (en) 2004-03-10 2009-09-29 Nanosys, Inc. Nano-enabled memory devices and anisotropic charge carrying arrays
WO2005089165A2 (en) 2004-03-10 2005-09-29 Nanosys, Inc. Nano-enabled memory devices and anisotropic charge carrying arrays
US20050202615A1 (en) 2004-03-10 2005-09-15 Nanosys, Inc. Nano-enabled memory devices and anisotropic charge carrying arrays
US7057881B2 (en) 2004-03-18 2006-06-06 Nanosys, Inc Nanofiber surface based capacitors
US7115971B2 (en) 2004-03-23 2006-10-03 Nanosys, Inc. Nanowire varactor diode and methods of making same
US7105428B2 (en) * 2004-04-30 2006-09-12 Nanosys, Inc. Systems and methods for nanowire growth and harvesting
JP2007538274A (ja) 2004-05-13 2007-12-27 ザ　リージェンツ　オブ　ザ　ユニヴァーシティ　オブ　カリフォルニア サブ波長光導波路としてのナノワイヤ及びナノリボン並びに、これらナノ構造の光学回路及び光学素子の構成要素への利用
US7129154B2 (en) 2004-05-28 2006-10-31 Agilent Technologies, Inc Method of growing semiconductor nanowires with uniform cross-sectional area using chemical vapor deposition
WO2005122235A2 (en) 2004-06-08 2005-12-22 Nanosys, Inc. Methods and devices for forming nanostructure monolayers and devices including such monolayers
JP2008506254A (ja) * 2004-07-07 2008-02-28 ナノシス・インコーポレイテッド ナノワイヤーの集積及び組み込みのためのシステムおよび方法
WO2006084128A2 (en) 2005-02-04 2006-08-10 Brown University Apparatus, method and computer program product providing radial addressing of nanowires
US20060269927A1 (en) 2005-05-25 2006-11-30 Lieber Charles M Nanoscale sensors
WO2006132659A2 (en) 2005-06-06 2006-12-14 President And Fellows Of Harvard College Nanowire heterostructures
US20090299213A1 (en) 2006-03-15 2009-12-03 President And Fellows Of Harvard College Nanobioelectronics
WO2007145701A2 (en) 2006-04-07 2007-12-21 President And Fellows Of Harvard College Nanoscale wire methods and devices
US8058640B2 (en) 2006-09-11 2011-11-15 President And Fellows Of Harvard College Branched nanoscale wires
WO2008123869A2 (en) 2006-11-21 2008-10-16 President And Fellows Of Harvard College Millimeter-long nanowires
EP2095100B1 (en) 2006-11-22 2016-09-21 President and Fellows of Harvard College Method of operating a nanowire field effect transistor sensor
US7647113B2 (en) 2006-12-21 2010-01-12 Ams Research Corporation Electrode implantation in male external urinary sphincter
US20120094192A1 (en) * 2010-10-14 2012-04-19 Ut-Battelle, Llc Composite nanowire compositions and methods of synthesis

Cited By (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
WO2013042946A1 (ko) * 2011-09-20 2013-03-28 주식회사 세라젬메디시스 모듈형 바이오센서

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