TWI746974B - 熱電奈米感測器及其製造方法與應用方法 - Google Patents

熱電奈米感測器及其製造方法與應用方法 Download PDF

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TWI746974B
TWI746974B TW108116090A TW108116090A TWI746974B TW I746974 B TWI746974 B TW I746974B TW 108116090 A TW108116090 A TW 108116090A TW 108116090 A TW108116090 A TW 108116090A TW I746974 B TWI746974 B TW I746974B
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林宗宏
曹育翔
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國立清華大學
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    • G01K7/00—Measuring temperature based on the use of electric or magnetic elements directly sensitive to heat ; Power supply therefor, e.g. using thermoelectric elements
    • G01K7/02—Measuring temperature based on the use of electric or magnetic elements directly sensitive to heat ; Power supply therefor, e.g. using thermoelectric elements using thermoelectric elements, e.g. thermocouples
    • G01K7/028—Measuring temperature based on the use of electric or magnetic elements directly sensitive to heat ; Power supply therefor, e.g. using thermoelectric elements using thermoelectric elements, e.g. thermocouples using microstructures, e.g. made of silicon
    • G—PHYSICS
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    • G01K—MEASURING TEMPERATURE; MEASURING QUANTITY OF HEAT; THERMALLY-SENSITIVE ELEMENTS NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
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Abstract

本發明係提供一種熱電奈米感測器的製造方法，其包含：準備一第一導電材料；於第一導電材料上形成複數碲奈米結構物；準備一第二導電材料；以及將第二導電材料形成於此些碲奈米結構物上。當一待測物與熱電奈米感測器中的碲奈米結構物反應而生成碲化物奈米結構物時，或是因待測物吸附而造成熱電奈米感測器之電阻值改變時，熱電奈米感測器受溫度變化而產生之電訊號輸出改變。藉此，可檢測出待測物之成分及濃度。

Description

熱電奈米感測器及其製造方法與應用方法
本發明係關於一種感測器；更特別言之，本發明係關於一種熱電奈米感測器及其製造方法與應用方法。
隨著現代人對健康的重視程度逐漸提高，對於防治環境污染相關的議題已被顯著提及。因此，如何檢測環境中中有害物質之環境工程，已逐漸受到重視。各式水溶液為人類或動物的日常飲用所需，或為工業製造、機器運轉所需，故防治水汙染為環境工程中重要的一個分類。習知量測水中有害的金屬離子(例如：汞離子等)濃度的技術，係透過冷蒸氣源吸收光譜儀、火焰式原子吸收光譜儀、螢光光譜儀或感應耦合電漿放射收光譜儀等光學儀器進行量測，其係利用汞離子的吸收光或放射光強度進行定量。然而，前述光學測量方式具有許多限制。舉例而言，測試樣品須根據儀器種類的不同，經過不同的前處理方式方可進行測試。此外，此種光譜儀因需裝配有光學組件，因此造成其體積龐大且攜帶不易。再者，精密的光學組件不僅成本高昂，亦造成人員操作上的限制。
奈米科技的發展，已為解決上述檢測環境污染的問題帶來嶄新的契機。當材料小至奈米尺度時，將使表面原子對非表面原子比例提高，表面效應將大幅顯現。此外，於奈米尺度下，材料之電子能階量化現象，或稱為量子尺寸效應(Quantum size effect)將更為顯著。因此，奈米材料具有與習知材料具有相當差異的物質特性。據此，發展如何利用奈米材料吸收環境中之物質之能量後所產生之物性變化，進行環境檢測的方法或儀器設備，已成為重要趨勢。
本發明係提供一種熱電奈米感測器及其製造方法與應用方法。熱電奈米感測器中之碲奈米結構物可與一待測物反應而產生碲化物奈米結構物，或是因待測物吸附而造成熱電奈米感測器之電阻值改變。於施加一溫度變化時，熱電奈米感測器可因熱電效應而產生不同電訊號輸出。藉此，可透過量測電訊號輸出而推估待測物之成分及濃度。
於本發明一實施方式中，揭示一種熱電奈米感測器的製造方法，其包含：準備一第一導電材料；於第一導電材料上形成複數碲奈米結構物；準備一第二導電材料；以及將第二導電材料形成於此些碲奈米結構物上。
於上述實施方式之熱電奈米感測器的製造方法中，可更包含：形成一圖案化層於第一導電材料上；以及透過圖案化層將此些碲奈米結構物分隔成複數區域。
於上述實施方式之熱電奈米感測器的製造方法中，可更包含：形成一隔離層於此些碲奈米結構物及第二導電材料之間。
於上述實施方式之熱電奈米感測器的製造方法中，形成此些複數碲奈米結構物係可透過一化學合成法、一化學沉積法或一物理沉積法。
於本發明另一實施方式中，揭示一種熱電奈米感測器，其包含一第一導電材料、複數碲奈米結構物、一隔離層以及一第二導電材料。此些碲奈米結構物位於第一導電材料上。隔離層位於複數碲奈米結構物上。第二導電材料位於複數碲奈米結構物上。
於上述實施方式之熱電奈米感測器中，更包含一圖案化層。圖案化層位於第一導電材料上，且將此些碲奈米結構物分隔成複數區域。
於上述實施方式之熱電奈米感測器中，圖案化層之材質可為聚對苯二甲酸乙二酯、聚乙烯、聚丙烯、聚氯乙烯、聚對苯二甲酸乙二酯、聚苯乙烯或聚碳酸酯。
於上述實施方式之熱電奈米感測器中，隔離層之材質可為聚吡咯、聚苯胺、聚噻吩、聚苯硫醚、聚乙炔、聚苯基乙炔或其衍生物。
於上述實施方式之熱電奈米感測器中，此些碲奈米結構物可受一溫度變化而產生一電訊號輸出。
於上述實施方式之熱電奈米感測器中，各碲奈米結構物可與一待測物反應形成一碲化物奈米結構物。
於上述實施方式之熱電奈米感測器中，碲化物奈米結構物可受一溫度變化而產生一電訊號輸出。
於上述實施方式之熱電奈米感測器中，一待測物可吸附於各碲奈米結構物上，令熱電奈米感測器之一電阻值改變。
於上述實施方式之熱電奈米感測器中，碲奈米結構物為一零維結構物、一一維結構物或一二維結構物。
於本發明又一實施方式中，揭示一種上述熱電奈米感測器的應用方法，其包含：令一待測物與熱電奈米感測器之各碲奈米結構物反應形成一碲化物奈米結構物；施加一溫度變化於各碲化物奈米結構物，令各碲化物奈米結構物產生一電訊號輸出；以及透過熱電奈米感測器之第一導電材料及第二導電材料量測電訊號輸出。
於上述實施方式之熱電奈米感測器的應用方法中，更包含：由電訊號輸出推估待測物之一成分或一濃度。
於上述實施方式之熱電奈米感測器的應用方法中，待測物可為一金屬離子。
於本發明再一實施方式中，提供一種上述熱電奈米感測器的應用方法，其包含：令一待測物吸附於熱電奈米感測器之各碲奈米結構物上，令熱電奈米感測器之一電阻值改變；施加一溫度變化於熱電奈米感測器，令碲熱電奈米感測器產生一電訊號輸出；以及透過熱電奈米感測器之第一導電材料及第二導電材料量測此電訊號輸出。
100‧‧‧熱電奈米感測器
110‧‧‧第一導電材料
120‧‧‧碲奈米結構物
121‧‧‧碲化汞奈米結構物
130‧‧‧圖案化層
140‧‧‧隔離層
150‧‧‧第二導電材料
S101、S102、S103、S104‧‧‧步驟
S201、S202、S203、S204、S205、S206‧‧‧步驟
S301、S302、S303、S304‧‧‧步驟
S401、S402、S403、S404‧‧‧步驟
第1圖係繪示依據本發明一實施例之熱電奈米感測器的製造方法之流程示意圖；第2圖係繪示依據本發明另一實施例之熱電奈米感測器的製造方法之流程示意圖；第3圖係繪示依據本發明又一實施例之熱電奈米感測器的結構示意圖；第4A圖係繪示依據第3圖實施例之熱電奈米感測器的一種應用方法之流程示意圖；第4B圖係繪示依據第3圖實施例之熱電奈米感測器的另一種應用方法之流程示意圖；第5圖係繪示第3圖實施例之熱電奈米感測器與汞離子反應前之側剖面(CROSS-SECTIONAL)電子顯微鏡圖；第6圖係繪示第3圖實施例之熱電奈米感測器與汞離子反應後之側剖面電子顯微鏡圖；第7圖係繪示第3圖實施例之熱電奈米感測器與汞離子反應前之X-射線能譜儀(EDX)成分分析圖；第8圖係繪示第3圖實施例之熱電奈米感測器與汞離子反應後之X-射線能譜儀成分分析圖；第9圖係繪示第3圖實施例之熱電奈米感測器與汞離子反應前之高解析度電子顯微鏡圖；第10圖係繪示第3圖實施例之熱電奈米感測器與汞離子反應後之高解析度電子顯微鏡圖； 第11A圖係繪示碲奈米結構物於常溫時之表面電位顯微鏡之量測訊號圖；第11B圖係繪示碲化汞奈米結構物於常溫時之表面電位顯微鏡之量測訊號圖；第11C圖係繪示碲奈米結構物於加熱後之表面電位顯微鏡之量測訊號圖；第11D圖係繪示碲化汞奈米結構物於加熱後之表面電位顯微鏡之量測訊號圖；以及第12圖係繪示應用第3圖實施例之熱電奈米感測器對不同金屬離子進行量測之電訊號輸出比較圖。
於下列的描述中，將參照所附圖式說明本發明之具體實施例。許多實務上的細節將在以下敘述中一併說明。然而，這些實務上的細節不應該用以限制本發明。亦即，在本發明部分實施例中，這些實務上的細節是非必要的。此外，為簡化圖式起見，一些習知慣用的結構與元件在圖式中將以簡單示意的方式繪示之；並且重複之元件將可能使用相同的編號表示之。
請參照第1圖。第1圖係繪示依據本發明一實施例的熱電奈米感測器的製造方法之流程示意圖。本發明所揭示的熱電奈米感測器的製造方法，包含步驟S101、步驟S102、步驟S103以及步驟S104。步驟S101係準備一第一導電材料。步驟S102係於第一導電材料上形成複數碲奈米結構物。步驟 S103係準備一第二導電材料。步驟S104係將第二導電材料形成於此些碲奈米結構物上。上述於第一導電材料上形成複數碲奈米結構物係可透過一化學合成法、一化學沉積法或一物理沉積法。化學或物理沉積法可為化學或物理氣相或液相沉積法等，不以此為限。
第2圖係繪示依據本發明另一實施例之熱電奈米感測器的製造方法之流程示意圖。於此實施例展示以化學合成法形成複數碲奈米結構物。第2圖實施例中，包含步驟S201、步驟S202、步驟S203、步驟S204、步驟S205及步驟S206。步驟S201係準備一第一導電材料。步驟S202係準備一碲前驅物。步驟S203係準備一還原劑。步驟S204係將碲前驅物及還原劑於第一導電材料上反應形成複數碲奈米結構物。步驟S205係準備一第二導電材料。步驟S206係將第二導電材料形成於此些碲奈米結構物上。
於上述步驟S202中，碲前驅物材質可為Te、TeO、TeO2、TeO3、Te2O5、H2TeO3、K2TeO3、Na2TeO3、H2TeO4、K2TeO4、Na2TeO4、H2Te等。
於上述步驟S203中，還原劑材質可為N2H4或其他可還原碲前驅物反應之材質。
以上述製造方法所製成之熱電奈米感測器之原理、結構、材質及其操作機制將於後續段落描述之。
請參照第3圖。第3圖係繪示依據本發明又一實施例之熱電奈米感測器100的結構示意圖。熱電奈米感測器100包含一第一導電材料110、複數碲奈米結構物120、一圖案化 層130、一隔離層140以及一第二導電材料150。複數碲奈米結構物120位於第一導電材料110上。圖案化層130位於第一導電材料110上，並將此些碲奈米結構物120分隔成複數區域，此複數區域可用以同時量測不同之待測物。圖案化層130之材質可為聚乙烯、聚丙烯、聚氯乙烯、聚對苯二甲酸乙二酯(PET)、聚苯乙烯或聚碳酸酯，但不以此為限。隔離層140位於此些碲奈米結構物120上，並於此些碲奈米結構物120上形成有第二導電材料150。同時，可使用隔離層140隔絕第一導電材料110及第二導電材料150以避免於量測時產生不必要之電性錯誤(例如：短路)。隔離層140之材質可為聚吡咯、聚苯胺、聚噻吩、聚苯硫醚、聚乙炔、聚苯基乙炔或其衍生物，例如聚(3,4-亞乙二氧基噻吩)聚苯乙烯磺酸鹽(PEDOT：PSS)，但不以此為限。第一導電材料110可直接作為複數碲奈米結構物120之成長基板。並且，可作為熱電奈米感測器100之一電極。第一導電材料110的材質可選用鋁，但不以此為限。第二導電材料150可為金屬、導電氧化物或導電高分子等，其材質可包含銦錫氧化物、金、銀、鉑、鋁、鎳、銅、鈦、鉻、硒或由上述金屬形成的合金，但不以此為限。第二導電材料150係可作為熱電奈米感測器100之另一電極。碲奈米結構物120可為一零維結構物、一一維結構物或一二維結構物。零維結構物可例如為奈米粒子；一維結構物可例如為奈米線、奈米棒；二維結構物可例如為奈米薄膜。
請參照第4A圖及第4B圖。第4A圖係繪示依據第3圖實施例之熱電奈米感測器100的一種應用方法之流程示意 圖。第4B圖係繪示依據第3圖實施例之熱電奈米感測器100的另一種應用方法之流程示意圖。熱電奈米感測器100的一種應用方法，繪示於第4A圖中，包含：步驟S301係令一待測物與熱電奈米感測器100之各碲奈米結構物120反應形成一碲化物奈米結構物；步驟S302係施加一溫度變化於碲化物奈米結構物，令碲化物奈米結構物產生一電訊號輸出；步驟S303係透過熱電奈米感測器100之第一導電材料110及第二導電材料150量測此電訊號輸出；步驟S304係由此電訊號輸出推估待測物之一成分或一濃度。熱電奈米感測器100的另一種應用方法，繪示於第4B圖中，包含：步驟S401係令一待測物吸附於熱電奈米感測器100之各碲奈米結構物120上，令熱電奈米感測器100之一電阻值改變；步驟S402係施加一溫度變化於熱電奈米感測器100，令熱電奈米感測器100產生一電訊號輸出；步驟S403係透過熱電奈米感測器100之第一導電材料110及第二導電材料150量測此電訊號輸出；步驟S404係由此電訊號輸出推估待測物之一成分或一濃度。於上述實施例中，碲奈米結構物120本身即具有熱電效應，亦即受到溫度變化時，可產生電訊號輸出(例如：電壓)。溫度變化可為溫度上升(加熱)或溫度下降(致冷)。且基於奈米尺度，其熱電效應相當顯著。當碲奈米結構物120與含有某種材質的待測物反應而產生碲化物奈米結構物時，所產生之碲化物奈米結構物亦具有相當顯著的熱電效應，其熱電效應甚至較碲奈米結構物120本身之熱電效應為大。抑或，待測物直接吸附於碲奈米結構物120上，造成熱電奈米感測器100之電阻值改變，此時亦可因熱電效應產生電 訊號輸出。因此，於第4A圖中，待測物與碲奈米結構物120反應而產生碲化物奈米結構物；於第4B圖中，待測物並未與碲奈米結構物120發生反應產生新的化合物，而直接吸附於碲奈米結構物120上。並非所有材質均可與碲奈米結構物120反應形成碲化物奈米結構物且具有熱電效應。因此，可透過所產生之熱電效應導致之電訊號輸出，檢測是否有特定材質的待測物。同時，因熱電效應所產生之輸出電壓之值，與待測物之濃度存在有一定比例關係，因此可透過輸出電壓推估待測物之濃度。後續將以此熱電奈米感測器100檢測環境中之汞離子(Hg2+)為實施例說明之。須知汞離子僅為可與碲奈米結構物120反應形成碲化物奈米結構物並產生顯著熱電效應之其中一種材質，但不以此為限，另有其餘材質亦可能與碲奈米結構物120反應形成碲化物奈米結構物並產生顯著熱電效應。本發明之熱電奈米感測器100係屬於一種無須外部供電之感測器，因其係基於熱電效應而可自行產生輸出電壓。檢測時，首先將含有汞離子之水溶液，滴入熱電奈米感測器100上，同時，將熱電奈米感測器100置於60℃的環境中30分鐘，以使熱電奈米感測器100與水溶液充分混合。此時，水溶液中的汞離子將與熱電奈米感測器100中之碲奈米結構物120反應形成碲化汞奈米結構物，並產生顯著的熱電效應，而可產生輸出電壓。此輸出電壓可由熱電奈米感測器100之二電極(第一導電材料110、第二導電材料150)取出。以下將說明上述熱電奈米感測器100與水溶液中之汞離子產生反應之各種驗證分析。
請參照第5圖及第6圖。第5圖係繪示第3圖實施例之熱電奈米感測器100與汞離子反應前之側剖面(CROSS-SECTIONAL)電子顯微鏡圖；第6圖係繪示第3圖實施例之熱電奈米感測器100與汞離子反應後之側剖面電子顯微鏡圖。由第5圖中，可觀察到具平滑的表面型態的碲奈米結構物120的形成。由第6圖中，已可觀察到奈米結構物的表面型態由平滑轉換成粗糙。同時，亦可觀察第6圖中之奈米結構物之直徑大於第5圖中之奈米結構物之直徑，此係因碲化汞奈米結構物121的形成所導致。
請參照第7圖及第8圖。第7圖係繪示第3圖實施例之熱電奈米感測器100與汞離子反應前之X-射線能譜儀(EDX)成分分析圖；第8圖係繪示第3圖實施例之熱電奈米感測器100與汞離子反應後之X-射線能譜儀成分分析圖。於第7圖中，反應前僅可偵測到碲的成分。於第8圖中，反應後除可偵測到碲的成分外，亦可偵測到汞的成分。此可說明，汞離子確實與熱電奈米感測器100中之碲奈米結構物120產生反應而產生碲化汞奈米結構物121。
請參照第9圖及第10圖。第9圖係繪示第3圖實施例之熱電奈米感測器100與汞離子反應前之高解析度電子顯微鏡圖；第10圖係繪示第3圖實施例之熱電奈米感測器100與汞離子反應後之高解析度電子顯微鏡圖。第9圖中，因僅有碲奈米結構物120的形成，故可觀察到分別於(001)及(010)晶格平面的碲奈米結構物120，並產生0.59nm及0.39nm的晶面間距(interplanar spacing)。於第10圖中，可觀察到，由於在產生 碲化汞奈米結構物121的過程中，使晶格產生缺陷或錯位，致使其晶面間距改變，於碲化汞奈米結構物121的晶格平面(220)及(111)，分別產生0.22nm及0.37nm的晶面間距。
請參照第11A、11B、11C及11D圖。第11A圖係繪示碲奈米結構物120於常溫時之表面電位顯微鏡之量測訊號圖；第11B圖係繪示碲化汞奈米結構物121於常溫時之表面電位顯微鏡之量測訊號圖；第11C圖係繪示碲奈米結構物120於加熱後之表面電位顯微鏡之量測訊號圖；第11D圖係繪示碲化汞奈米結構物121於加熱後之表面電位顯微鏡之量測訊號圖。當未加熱時，無論是碲奈米結構物120(第11A圖)或是碲化汞奈米結構物121(第11B圖)，皆未觀察到電訊號輸出(反應電壓峰值於0mV)的變化。當加熱後，形成溫度變化而產生熱電效應，此時無論是碲奈米結構物120(第11C圖)或是碲化汞奈米結構物121(第11D圖)，皆可觀察到明顯的電訊號輸出(反應電壓之峰值皆大於0mV)的變化。再者，由第11C圖及第11D圖中，可觀察到碲化汞奈米結構物121所產生之電訊號輸出(反應電壓峰值約於7.5mV)，明顯大於碲奈米結構物120的電訊號輸出(反應電壓峰值約於2.5mV)。可說明碲奈米結構物120及碲化汞奈米結構物121兩者皆有明顯的熱電效應，且碲化汞奈米結構物121的熱電效應大於碲奈米結構物120的熱電效應。藉此，可提高對汞離子檢測的選擇性及鑑別率。
請參照第12圖。第12圖係繪示應用第3圖實施例之熱電奈米感測器100對不同金屬離子進行量測之電訊號輸出比較圖。進行量測之樣品，係取自於環境中所存在之飲用水、 湖水或河水等。量測時，將此些水溶液滴於熱電奈米感測器100上，並將熱電奈米感測器100置於一加熱環境中以形成溫度變化，並置放一段時間以使熱電效應反應完全。由第12圖中，可以觀察到汞離子之輸出電壓，顯著大於其他金屬離子之輸出電壓。此顯示汞離子確實與熱電奈米感測器100發生反應，並基於碲化汞奈米結構物121的強烈熱電效應，可使熱電奈米感測器100具有高選擇性，可有效鑒別出汞離子的存在。更進一步，若對汞離子的濃度與其輸出電壓隨時間變化的關係進行分析，更可進一步定量出汞離子濃度。
由上述無論是影像分析、成分分析或是電性分析，皆可證明反應後的碲化汞奈米結構物121，以及熱電效應的存在。
由上述，本發明係以碲奈米結構物120作為熱電奈米感測器100的主要感測單元，待測物不需任何前置處理，可直接滴在熱電奈米感測器100上進行感測。當待測物中含有汞離子時，汞離子會與碲奈米結構物120結合產生碲化汞奈米結構物121，而不同濃度的汞離子會形成不同數量的碲化汞奈米結構物121。由於碲奈米結構物120與碲化汞奈米結構物121的熱電效應差異相當大，當熱電奈米感測器100加熱或致冷時，碲化汞奈米結構物121會主動輸出明顯的電訊號，此電訊號與汞離子的濃度具有一定比例關係，故可藉由分析電訊號大小，即可以得知待測物中汞離子的濃度，達到定量的目的。
雖然本發明已以實施方式揭露如上，然其並非用以限定本發明，任何熟習此技藝者，在不脫離本發明的精神和 範圍內，當可作各種的更動與潤飾，因此本發明的保護範圍當視後附的申請專利範圍所界定者為準。
S301、S302、S303、S304‧‧‧步驟

Claims (15)

  1. 一種熱電奈米感測器的製造方法，其包含：準備一第一導電材料；於該第一導電材料上形成複數奈米結構物，各該奈米結構物由碲組成；準備一第二導電材料；以及將該第二導電材料形成於該些奈米結構物上。
  2. 如申請專利範圍第1項所述的熱電奈米感測器的製造方法，更包含：形成一圖案化層於該第一導電材料上；以及透過該圖案化層將該些奈米結構物分隔成複數區域。
  3. 如申請專利範圍第1項所述的熱電奈米感測器的製造方法，更包含：形成一隔離層於該些奈米結構物及該第二導電材料之間。
  4. 如申請專利範圍第1項所述的熱電奈米感測器的製造方法，其中形成該些複數奈米結構物係透過一化學合成法、一化學沉積法或一物理沉積法。
  5. 一種熱電奈米感測器，其包含：一第一導電材料； 複數奈米結構物，位於該第一導電材料上，各該奈米結構物由碲組成；一隔離層，位於該些奈米結構物上；以及一第二導電材料，位於該些奈米結構物上。
  6. 如申請專利範圍第5項所述的熱電奈米感測器，更包含：一圖案化層，位於該第一導電材料上，其中該圖案化層將該些奈米結構物分隔成複數區域。
  7. 如申請專利範圍第6項所述的熱電奈米感測器，其中該圖案化層之材質為聚對苯二甲酸乙二酯、聚乙烯、聚丙烯、聚氯乙烯、聚對苯二甲酸乙二酯、聚苯乙烯或聚碳酸酯。
  8. 如申請專利範圍第5項所述的熱電奈米感測器，其中該隔離層之材質為聚吡咯、聚苯胺、聚噻吩、聚苯硫醚、聚乙炔、聚苯基乙炔或其衍生物。
  9. 如申請專利範圍第5項所述的熱電奈米感測器，其中該些奈米結構物受一溫度變化而產生一電訊號輸出。
  10. 如申請專利範圍第5項所述的熱電奈米感測器，其中各該奈米結構物與一待測物反應形成一化物奈米結構物。
  11. 如申請專利範圍第10項所述的熱電奈米感測器，其中該化物奈米結構物受一溫度變化而產生一電訊號輸出。
  12. 如申請專利範圍第5項所述的熱電奈米感測器，其中一待測物吸附於各該奈米結構物上，令該熱電奈米感測器之一電阻值改變。
  13. 如申請專利範圍第5項所述的熱電奈米感測器，其中該奈米結構物為一零維結構物、一一維結構物或一二維結構物。
  14. 一種熱電奈米感測器的應用方法，其包含：提供一熱電奈米感測器，該熱電奈米感測器包含：一第一導電材料；複數碲奈米結構物，位於該第一導電材料上；一隔離層，位於該些碲奈米結構物上；及一第二導電材料，位於該些碲奈米結構物上； 令一待測物與該熱電奈米感測器之各該碲奈米結構物反應形成一碲化物奈米結構物；施加一溫度變化於各該碲化物奈米結構物，令各該碲化物奈米結構物產生一電訊號輸出；透過該熱電奈米感測器之該第一導電材料及該第二導電材料量測該電訊號輸出；以及由該電訊號輸出推估該待測物之一成分或一濃度。
  15. 一種熱電奈米感測器的應用方法，其包含：提供一熱電奈米感測器，該熱電奈米感測器包含：一第一導電材料；複數碲奈米結構物，位於該第一導電材料上；一隔離層，位於該些碲奈米結構物上；及一第二導電材料，位於該些碲奈米結構物上；令一待測物吸附於該熱電奈米感測器之各該碲奈米結構物上，令該熱電奈米感測器之一電阻值改變；施加一溫度變化於該熱電奈米感測器，令該碲熱電奈米感測器產生一電訊號輸出；透過該熱電奈米感測器之該第一導電材料及該第二導電材料量測該電訊號輸出；以及由該電訊號輸出推估該待測物之一成分或一濃度。
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