JP3754568B2 - 量子細線の製造方法 - Google Patents
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Description
【発明の属する技術分野】
この発明は、絶縁性基板上あるいは絶縁層を介した半導体基板上に量子サイズ効果を生じさせ得る程度に微小な金属または半導体からなる量子細線を形成する量子細線の製造方法に関する。
【0002】
【従来の技術】
今や、産業の基幹となったエレクトロニクスの進歩を支えてきた大規模集積回路(LSI)は、微細化によって、大容量,高速,低消費電力等の性能を飛躍的に向上させてきた。
しかしながら、素子のサイズが0.1μm以下になると、従来の素子による動作原理の限界に到達すると考えられ、新しい動作原理に基づいた新しい素子の研究が活発に行われている。この新しい素子として、ナノメータサイズの量子ドットや量子細線と呼ばれる微細構造を有するものがある。上記ナノメータサイズの量子ドットは、種々の量子効果デバイスと共に、特にクーロンブロッケード現象を利用した単電子デバイスヘの応用のために、盛んに研究が行われている。また、上記ナノメータサイズの量子細線は、量子効果を利用した超高速トランジスタへの応用が期待されている。
【0003】
特に、上記ナノメータサイズの量子細線においては、半導体結晶中における電子の波長(ド・ブロイ波長)と同程度の幅を持つ半導体層に電子を閉じ込めることによって上記電子の自由度を制限し、これによって生ずる量子化現象を利用して新しい動作原理に基づく半導体量子デバイスを作製する試みが行われている。すなわち、半導体層中における電子の波長は約10nmであるから、チャネル幅を電子の波長(幅10nm)程度とすると、上記電子はこの細線中を殆ど散乱を受けずに移動できるために、電子の移動度が上昇することが理論的に導き出されている。
【0004】
したがって、上述のような量子細線を平面上に多数配列した伝導層を作成し、この伝導層内の電子数をゲート電極の作用によって制御することで、従来のトランジスタに比して高速性に優れた量子細線トランジスタを作製することができるのである。また、上述のような量子細線をレーザの発光層に多数組み込むことによって、小さい注入電流でもシャープなスペクトルを有する高効率で高周波特性に優れた半導体レーザ素子を得ることができるのである。
【0005】
従来、上記量子細線の形成方法として、以下の(1)〜(3)の文献に記載されようなものが提案されている。
(1) 特開平5-55141号公報
図9は、上記(1)の文献に開示された「異方性エッチングを利用したSOI基板上のSi細線の製造方法」を示す工程図である。
【0006】
図9において、先ず、図9(a)に示すように、シリコン基板1,絶縁膜2および結晶シリコン層3からなる(100)SOI(シリコン・オン絶縁体)基板上に、図9(b)に示すようにマスク材層4を堆積した後、後に量子細線を形成する領域にストライプ状の窓を形成する。
【0007】
次に、図9(c)に示すように、上記窓内の結晶シリコン層3をKOH等によって、(111)面を露出させながら異方性エッチングで除去する。そうした後、図9(d)に示すように、マスク材層4を除去する。最後に、図9(e)に示すように再度KOH等を用いて異方性エッチングを行うと、(100)面のエッチ速度が速いのに対して(111)面のエッチ速度が遅いので、二つの面が(111)面によって構成された三角柱からなる量子細線5が形成される。
【0008】
(2) 特開平5-29632号公報
図10は、上記(2)の文献に開示された「異方性エッチングを利用したSi基板上のSi細線の製造方法」を示す工程図である。
【0009】
図10において、まず、図10(a)に示すように、シリコン(100)基板11上に、酸化シリコン膜もしくは窒化シリコン膜からなるエッチングマスク12を形成する。次に、図10(b)に示すように、シリコン異方性エッチング液を用いてシリコン(100)基板11をエッチングし、三角状の縦断面を有する凸部を形成する。
【0010】
次に、図10(c)に示すように、エッチングマスク12を除去し、窒化シリコン膜13を形成後、上記凸部の頂部を覆うように、レジストパターン14を形成する。そして、図10(d)に示すように、上記レジストパターン14をマスクとして、窒化シリコン膜13およびシリコン(100)基板11をエッチングする。
【0011】
次に、図10(e)に示すように、上記レジストパターン14を除去した後、シリコン(100)基板11を酸化する。その場合、窒化シリコン膜13が耐酸化マスクとなるため、上記凸部の頂部付近に酸化されない領域15が残る。最後に、図10(f)に示すように、窒化シリコン膜13を除去すると、シリコン(100)基板11とは絶縁分離された、シリコン細線(上記領域)15が上記凸部の頂上に形成される。
【0012】
(3) 特開平5−29613号公報
図11は、上記(3)の文献に開示された「チタンシリサイド化を利用したSi稜線部へのゲート電極形成におけるSi細線素子の製造方法」を示す工程図である。
【0013】
図11において、先ず、図11(a)に示すように、シリコン基板21上にシリコン酸化膜パターン22を形成する。続いて、図11(b)に示すように、シリコン異方性エッチングによって、三角状の縦断面を有する凸部を形成する。そうした後、図11(c)に示すように、シリコン酸化膜パターン22を除去して上記凸部を露出させる。
【0014】
次に、図11(d)に示すように、酸化を行ってゲート絶縁膜23を形成する。そうした後、多結晶シリコン膜を堆積させ、不純物をドーピングし、導電型の多結晶シリコン膜24とする。さらに、チタン膜25を堆積させた後、レジスト27の塗布とエッチバックとを行う。こうして、上記凸部の稜線部26のみを露出させて他の領域はレジスト27で被覆する。そして、図11(e)に示すように、上記凸部の稜線部26上のチタン膜25を除去する。
【0015】
次に、図11(f)に示すように、上記レジスト27を除去した後、熱処理を行ってシリサイド化反応させ、チタンシリサイド膜28を形成する。その場合、上記凸部の稜線部26上の多結晶シリコン膜29はシリサイド化されず、多結晶シリコンのまま残る。次に、図11(g)に示すように、フッ酸処理を行い、チタンシリサイド膜28を除去することによって、稜線部26上の多結晶シリコン膜29およびゲート絶縁膜23のみが残り、量子細線29から成るゲート電極が形成される。その場合、稜線部26におけるゲート電極29に対向する頂部がチャネル領域として使用される。
【0016】
【発明が解決しようとする課題】
しかしながら、上記文献(1)〜(3)に記載された従来の量子細線の形成方法には、以下のような問題がある。すなわち、文献(1)では、基板がSOIである場合にのみ有効な方法であり、従来から使用されているSi基板に適用することができないという問題がある。Si基板に比べてSOI基板の値段は10倍〜20倍であり、更にコストを低くするためにはSi基板を用いて量子細線を形成できる方が望ましい。
【0017】
また、上記文献(2)では、Si基板を使用できるためコストを低く抑えることができる。ところが、三角状の縦断面を有するSi基板11の頂部にSi細線15を形成するためにSi基板11表面の凹凸が大きくなる。したがって、Si基板11の表面の平坦性が悪くなるために、単電子トランジスタの形成が困難となる。
【0018】
また、上記文献(3)では、上記文献(2)の場合と同様に、三角状の縦断面を有するSi基板21の頂上にSi細線29を形成するため、Si基板21表面の凹凸が大きくなる。したがって、Si基板21の表面の平坦性が悪くなるため、単電子トランジスタの形成が困難であると共に、上記凸部の稜線部26に在るチャネル領域はSi基板21に連なっているので、完全な電子の閉じ込め領域とは成り得ないという問題がある。
【0019】
そこで、この発明の目的は、Si基板あるいはGaAs基板等の半導体基板を用い、量子細線形成後の半導体基板表面の平坦性がよく単電子デバイスや量子効果デバイスを容易に形成でき、且つ、完全な電子の閉じ込め領域を形成できる量子細線の製造方法を提供することにある。
【0020】
【課題を解決するための手段】
上記目的を達成するため、請求項1にかかる発明の量子細線の製造方法は、半導体基板表面上に第1絶縁膜を堆積させた後,レジストパターニングを行い,上記第1絶縁膜に対して等方性エッチングを行ってエッチングマスクを形成する工程と、上記エッチングマスクを用いて上記半導体基板を異方性エッチングし,上記半導体基板の表面に半導体突起部を形成する工程と、上記エッチングマスクを除去した後,上記半導体基板上に第2絶縁膜を堆積させて上記半導体突起部を埋め戻し,上記第2絶縁膜の表面を平坦化する工程と、上記半導体基板上における量子細線が形成される領域以外の領域を覆うレジストパターンを形成し,上記レジストパターンをマスクとして上記第2絶縁膜に対して異方性エッチングを行い,上記半導体突起部の頂を上記第2絶縁膜の表面に露出させて半導体露出部を形成する工程と、上記レジストパターンを除去した後,上記半導体露出部に量子細線をエピタキシャル成長させる工程と、上記量子細線の下部を酸化し,上記量子細線と半導体基板とを絶縁分離する工程を備えたことを特徴としている。
【0021】
上記構成によれば、一般的な成膜技術,リソグラフィ技術およびエッチング技術を用いて、半導体基板表面に、後に半導体細線が成長される半導体突起部が形成される。こうして、量子細線の位置制御が行われる。また、上記半導体突起部が形成された後、半導体基板表面に第2絶縁膜が堆積されて上記半導体突起部が埋め戻される。こうして、後に上記量子細線を用いた単電子デバイスまたは量子効果デバイスの形成が容易に行えるように、上記半導体表面の平坦性が向上される。また、上記量子細線の下部が酸化されて上記量子細線と半導体基板とが絶縁分離される。こうして、完全な電子の閉じ込め領域が形成される。
【0022】
さらに、上記第2絶縁膜を異方性エッチングして形成された半導体露出部に上記量子細線がエピタキシャル成長される。こうして、結晶性に優れ、大きさが均一な量子細線が、再現性よく形成される。以上のごとく、請求項1に係る発明においては、特殊な微細加工技術を用いることなく、製造コストを低減し、高歩留まりで生産性の高い量産性に適した量子細線の製造方法が実現される。
【0023】
また、請求項2に係る発明の量子細線の製造方法は、半導体基板表面上に第1絶縁膜を堆積させた後,レジストパターニングを行い,上記第1絶縁膜に対して異方性エッチングを行ってエッチングマスクを形成する工程と、上記エッチングマスクを用いて上記半導体基板に対して結晶面異方性エッチングを行い,上記半導体基板の表面に,先端が鋭角な半導体凸部を形成する工程と、上記エッチングマスクを除去した後,上記半導体基板上に第2絶縁膜を堆積させて上記半導体凸部を埋め戻し,上記第2絶縁膜の表面を平坦化する工程と、上記半導体基板上における量子細線が形成される領域以外の領域を覆うレジストパターンを形成し,上記レジストパターンをマスクとして上記第2絶縁膜を異方性エッチングし,上記半導体凸部の頂を上記第2絶縁膜の表面に露出させて半導体露出部を形成する工程と、上記レジストパターンを除去した後,上記半導体露出部に量子細線をエピタキシャル成長させる工程と、上記量子細線の下部を酸化し,上記量子細線と半導体基板とを絶縁分離する工程を備えたことを特徴としている。
【0024】
上記構成によれば、半導体基板に対して、水酸化カリウム水溶液等の面方位の違いによるエッチング速度差を利用した結晶面異方性エッチングが行われて、上記半導体基板の表面に半導体凸部が形成される。こうして、比較的容易に半導体基板表面に突起部が形成され、量子細線の位置制御が行われる。また、上記半導体凸部が形成された後、半導体基板表面に第2絶縁膜が堆積されて上記半導体凸部が埋め戻される。こうして、後に上記量子細線を用いた単電子デバイスまたは量子効果デバイスの形成が容易に行えるように、上記半導体表面の平坦性が向上される。また、上記量子細線の下部が酸化されて上記量子細線と半導体基板とが絶縁分離される。こうして、完全な電子の閉じ込め領域が形成される。
【0025】
さらに、上記第2絶縁膜を異方性エッチングして形成された半導体露出部に上記量子細線がエピタキシャル成長される。こうして、結晶性に優れ、大きさが均一な量子細線が、再現性よく形成される。以上のごとく、請求項2に係る発明においては、特殊な微細加工技術を用いることなく、製造コストを低減し、高歩留まりで生産性の高い量産性に適した量子細線の製造方法が実現される。
【0026】
また、請求項3に係る発明は、請求項1あるいは請求項2に係る発明の量子細線の製造方法において、上記量子細線をエピタキシャル成長させる工程では、上記半導体露出部が形成された半導体基板を反応室に導入して,上記反応室内が10-6Torr以下の高真空になるように排気した後、上記反応室内に原料ガスを流し,その原料ガス分圧が10-2Torr以下の圧力下で,上記量子細線の気相成長を行うようになっていることを特徴としている。
【0027】
上記構成によれば、上記反応室内が一旦10-6Torr以下の高真空になるように大気の成分や水分等の不純物が排気されて、高清浄な雰囲気にしてエピタキシャル成長が促される。そして、エピタキシャル成長に際しては、原料ガス分圧が10-2Torr以下の圧力下に制御されることによって、絶縁性薄膜の全面で速やかに膜成長が始まることが防止され、量子細線が上記半導体露出部のみに選択気相成長される。こうして、一般的な高真空CVD装置を用いて、反応室内の真空度,原料ガスの導入量,導入時間や基板温度等が制御されて、所望の大きさの量子細線が均一に再現性よく形成される。
【0028】
また、請求項4に係る発明は、請求項3に係る発明の量子細線の製造方法において、上記原料ガスとして、SiH4,Si2H6,Si3H8,SiH2Cl2またはSiCl4のうち何れか一つを用いて、上記量子細線としてシリコン細線を形成することを特徴としている。
【0029】
上記構成によれば、上記反応ガスとしてSiH4,Si2H6,Si3H8,SiH2ClまたはSiCl4のうちの何れか一つを用いてシリコンからなる量子細線が形成されて、上記量子細線の大きさの均一性や再現性がさらによくなる。
【0030】
また、請求項5に係る発明は、請求項3に係る発明の量子細線の製造方法において、上記原料ガスとしてGeH4,Ge2H6あるいはGeF4のうち何れか一つを用い、上記量子細線としてゲルマニウム細線を形成することを特徴としている。
【0031】
上記構成によれば、上記反応ガスとしてGeH4,Ge2H6またはGeF4のうちの何れか一つを用いてゲルマニウムからなる量子細線が形成されて、量子細線の大きさの均一性や再現性がさらによくなる。
【0032】
また、請求項6に係る発明は、請求項3に係る発明の量子細線の製造方法において、上記原料ガスとして、SiH4,Si2H6,Si3H8,SiH2Cl2またはSiCl4のうちの何れか一つと、GeH4,Ge2H6あるいはGeF4のうち何れか一つとの混合ガスを用いて、上記量子細線としてシリコンゲルマニウム細線を形成することを特徴としている。
【0033】
上記構成によれば、上記反応ガスとしてSiH4,Si2H6,Si3H8,SiH2ClまたはSiCl4のうちの何れか一つと、GeH4,Ge2H6またはGeF4のうちの何れか一つとの混合ガスを用いて、シリコンゲルマニウムからなる量子細線が形成されて、量子細線の大きさの均一性や再現性がさらによくなる。
【0034】
また、請求項7に係る発明は、請求項3に係る発明の量子細線の製造方法において、有機アルミニウムを用いて、上記量子細線としてアルミニウム細線を形成することを特徴としている。
【0035】
上記構成によれば、原料としてジメチル・アルミニウム・ハイドライド(DMAH:(CH3)2AlH)等の有機アルミニウムを用いて、アルミニウムからなる量子細線が形成されて、細線の大きさの均一性や再現性がさらによくなる。
【0036】
【発明の実施の形態】
以下、この発明を図示の実施の形態により詳細に説明する。
<第1実施の形態>
図1は、本実施の形態の量子細線の製造方法における各工程での基板断面図である。図1において、先ず、図1(a)に示すように、シリコン基板31上に、酸化あるいはCVD(化学蒸着)法等によって、膜厚0.1μm程度の上記第1絶縁膜としての第1酸化膜32を形成する。続いて、フォトリソグラフィによってレジストパターン33を形成する。そして、レジストパターン33をマスクとして、フッ酸等によって等方性エッチングを行い、レジストパターン33a下の第1酸化膜32に突起34を形成する。
【0037】
次に、上記レジストパターン33を除去した後、第1酸化膜32をマスクとして、ドライエッチングによる異方性エッチングによってシリコン基板31をエッチングする。その場合、シリコン基板31と第1酸化膜32とのエッチングの選択比を1:1程度にする。このような選択比とすることによって、図1(b)に示すように、シリコン基板31の表面における突起34の下にSi突起部35が形成される。
【0038】
次に、図1(c)に示すように、膜厚1μm程度の上記第2絶縁膜としての第2酸化膜36を形成してSi突起部35間を埋め、続いて、CMP(化学機械研磨)法等によって表面を平坦化する。このCMP処理後におけるシリコン基板31の平坦面上の第2酸化膜36の膜厚は、平坦性を良くするためにできる限り薄くしておく必要があり、例えば0.1μm以下程度とする。続いて、量子細線形成領域のみを開口したレジストパターン37を形成し、このレジストパターン37をマスクとして第2酸化膜36を異方性エッチングし、Si突起部35の頂部35aを露出させる。
【0039】
次に、基板全体を高真空CVD装置と同等の反応室内に設置する。そして、上記反応室内を10-8Torr程度の真空になるまで排気した後に、基板温度を550℃〜600℃程度にして、シラン(SiH4)ガスあるいはジシラン(Si2H6)ガスを供給し、そのガス分圧が10-2Torr以下になるように制御することによって、Si基板31が露出している部分(以下、Si露出部と言う)35aにSi細線38をエピタキシャル成長させる。その場合、後に酸化によってSi細線38をSi基板31と分離させる必要があるため、Si露出部35aの幅より大きめに成長させる。ここで、上記エピタキシャル成長に際しては、原料ガスの分圧が、10-2Torr以下になるようにしている。したがって、絶縁性薄膜の全面で速やかに膜成長が始まることが防止されて、Si細線38がSi露出部35aのみに選択気相成長される。
【0040】
尚、上記Si細線38のエピタキシャル成長に先立って、Si露出部35aのエッチングによるダメージを取り除くために、Si露出部35aの表面に犠牲酸化膜を形成し、適当な時間ウエットエッチングを行ってもよい。また、上記反応室内の真空排気は、10-8Torrに限らず10-6Torr以下であれば差し支えない。
【0041】
最後に、図1(e)(図1(d)におけるA部拡大図)に示すように、酸化を行って、Si細線38の下部を第3酸化膜39と成し、Si細線38とSi基板31とを第3酸化膜39で分離して、量子細線38が形成されるのである。
【0042】
上述のように、本実施の形態においては、通常の成膜技術,フォトリソグラフィ技術及びエッチング技術を駆使して、Si基板31上にSi突起部35を形成した後、第2酸化膜36を形成してSi突起部35間を埋め、CMP法等によって表面を平坦化する。そうした後、量子細線形成領域の第2酸化膜36を異方性エッチングして、Si突起部35の頂部35aを露出させる。そして、Si露出部35aにSi細線38をエピタキシャル成長させ、酸化によって形成された第3酸化膜39によってSi細線38とSi基板31とを分離するようにしている。
【0043】
したがって、本実施の形態によれば、SOI等の特殊な基板ではなく従来から使用されているSi基板31にSi細線38を形成できる。したがって、低コストで量子細線を形成できる。また、表面にSi突起部35が形成されたSi基板31上に第2酸化膜36を形成してSi突起部35間を埋めてCMPによって表面を平坦化するので、Si細線38の周囲を平坦にできる。したがって、後にSi細線38を用いて単電子デバイスや量子効果デバイスを形成する場合の配線等を容易にできる。また、量子細線38とSi基板31とを第3酸化膜39で分離するので、量子細線38の底面側がSi基板31と接しておらず、完全に電子を閉じ込めることができる。
【0044】
さらに、上記Si細線38をSi基板31の突起部35に形成されたSi露出部35aにエピタキシャル成長によって形成するので、Si基板31と同等の結晶性を得ることができる。また、Si露出部35aは、一般的な成膜技術,リソグラフィ技術およびエッチング技術を用いて形成できる。したがって、特殊な微細加工技術を用いることなく量子細線38を形成できる。すなわち、本実施の形態によれば、製造コストを低減できると共に、高歩留まりで生産性の高い量産性に適した量子細線の製造方法を実現できるのである。
【0045】
<第2実施の形態>
図2は、本実施の形態の量子細線の製造方法における各工程での基板断面図である。図2において、先ず、図2(a)に示すように、シリコン基板41上に、酸化あるいはCVD法等によって、膜厚0.1μm程度の上記第1絶縁膜としての第1酸化膜42を形成する。続いて、フォトリソグラフィによってレジストパターン43を形成し、このレジストパターン43をマスクとして異方性エッチングを行って第1酸化膜42をパターニングする。
【0046】
次に、図2(b)に示すように、上記レジストパターン43を除去した後、第1酸化膜42をマスクとして結晶面異方性エッチングを行い、シリコン基板41をエッチングして三角状の縦断面を有するSi凸部44を形成する。上記結晶面異方性エッチングとは以下のようなエッチングである。すなわち、例えばエッチング液として水酸化カリウム(KOH)の水溶液を用いた場合、(111)面のエッチング速度は(100)面のエッチング速度に比べて格段に遅いために、(111)面が露出する形状でエッチングが進行するものである。上記エッチング液として、上記水酸化カリウムの他に、水酸化ナトリウム液、ヒドラジン液、エチレンジアミンとバイカテコールとの混合液、硝酸銅を添加した弗化アンモニウム等、結晶面によって異方性エッチングが可能なものであれば同様の効果が得られる。尚、シリコン基板41をエッチングする場合のマスク材料として酸化膜42を使用しているが、シリコン窒化膜等のシリコンをエッチングする場合にエッチングを防止できるものであれば、どのような材料であっても差し支えない。
【0047】
次に、図2(c)に示すように、上記第1酸化膜42を除去した後、膜厚1μm程度の上記第2絶縁膜としての第2酸化膜45を形成してSi凸部44間を埋め、CMP法等によって表面を平坦化する。このCMP処理後におけるシリコン基板41の平坦面上の第2酸化膜45の膜厚は、平坦性を良くするために、できる限り薄くしておく必要がある。例えば0.1μm以下程度とする。続いて、量子細線形成領域のみを開口したレジストパターン46を形成し、このレジストパターン46をマスクとして第2酸化膜45を異方性エッチングして、Si凸部44の頂部44aを露出させる。
【0048】
次に、基板全体を高真空CVD装置と同等の反応室内に設置する。そして、上記反応室内を10-8Torr程度の真空になるまで排気した後に、基板温度を550℃〜600℃程度にして、シラン(SiH4)ガスあるいはジシラン(Si2H6)ガスを供給し、そのガス分圧が10-2Torr以下になるように制御することによって、図2(d)に示すように、Si基板41が露出している部分(以下、Si露出部と言う)44aにSi細線47をエピタキシャル成長させる。その場合、後に酸化によってSi細線47をSi基板41と分離させる必要があるため、Si細線47をSi露出部44aの幅より大きめに成長させる。ここで、上記エピタキシャル成長に際しては、原料ガス分圧が10-2Torr以下になるようにしている。したがって、絶縁性薄膜の全面で速やかに膜成長が始まることが防止されて、Si細線47がSi露出部44aのみに選択気相成長される。
【0049】
尚、上記Si細線47のエピタキシャル成長に先立って、Si露出部44aのエッチングによるダメージを取り除くために、Si露出部44aの表面に犠牲酸化膜を形成し、適当な時間ウエットエッチングを行ってもよい。また、上記反応室内の真空排気は、10-8Torrに限らず10-6Torr以下であれば差し支えない。
【0050】
最後に、図2(e)(図2(d)におけるB部拡大図)に示すように、酸化を行って、Si細線47の下部を第3酸化膜48と成し、Si細線47とSi基板41とを第3酸化膜48で分離して、量子細線47が形成されるのである。
【0051】
上述のように、本実施の形態においては、通常の成膜技術,フォトリソグラフィ技術およびエッチング技術を駆使して、Si基板41の表面に(111)面が露出した三角状の縦断面を有するSi凸部44を形成した後、第2酸化膜45を形成してSi凸部44間を埋め、CMP法等によって表面を平坦化する。そうした後、量子細線形成領域の第2酸化膜45を異方性エッチングし、Si凸部44の頂部を露出させてSi露出部44aとなす。そして、Si露出部44aにSi細線47をエピタキシャル成長させ、酸化によって形成された第3酸化膜48によってSi細線47とSi基板41とを分離するようにしている。
【0052】
したがって、本実施の形態によれば、SOI等の特殊な基板ではなく従来から使用されているSi基板41にSi細線47を形成できる。したがって、低コストで量子細線を形成できる。また、表面にSi凸部44が形成されたSi基板41上に第2酸化膜45を形成してSi凸部44間を埋めてCMPによって表面を平坦化するので、Si細線47の周囲を平坦にできる。したがって、後にSi細線47を用いて単電子デバイスや量子効果デバイスを形成する場合の配線等を容易にできる。また、Si細線47とSi基板41とを第3酸化膜48で分離するので、量子細線47の底面側がSi基板41と接しておらず、完全に電子を閉じ込めることができる。
【0053】
さらに、上記Si細線47をSi基板41のSi凸部44に形成されたSi露出部44aにエピタキシャル成長によって形成するので、Si基板41と同等の結晶性が得られる。また、Si露出部44aは、一般的な成膜技術,リソグラフィ技術およびエッチング技術を用いて形成できる。したがって、特殊な微細加工技術を用いることなく量子細線47を形成できる。すなわち、本実施の形態によれば、製造コストを低減できると共に、高歩留まりで生産性の高い量産性に適した量子細線の製造方法を実現できるのである。
【0054】
<第3実施の形態>
本実施の形態は、上記第1実施の形態あるいは第2実施の形態によって形成された量子細線を用いた半導体素子に関する。図3(a)は、上記半導体素子としての不揮発性メモリ(フラッシュEEPROM(電気的消去書き込み可能ランダム・アクセス・メモリ)等)の平面図である。また、図3(b)は、図3(a)におけるC−C矢視断面図である。
【0055】
図3(a)および図3(b)に示すように、本不揮発性メモリは、シリコン基板51に素子分離領域52で囲まれた長方形状の領域53を形成する。そして、領域53の略中央に、領域53の長手方向に対して略直角方向に、上記第1実施の形態あるいは第2実施の形態(図3は第1実施の形態)によって、ナノメータサイズの量子細線55を形成する。そして、シリコン基板51上に形成された上記第2,第3酸化膜(図1(e)参照)をトンネル酸化膜54とする一方、量子細線55を浮遊ゲート領域とする。その後、トンネル酸化膜54上および量子細線55上に膜厚10nmのコントロールゲート絶縁膜56をCVD法によって形成する。次に、上記コントロールゲート絶縁膜56上にゲート電極57を形成した後、ゲート電極57をマスクとして不純物をイオン注入してソース領域58およびドレイン領域59を形成する。また、ソース領域58とドレイン領域59との間にチャネル領域60が形成される。こうして、チャネル領域60とゲート電極57との間の浮遊ゲート領域を量子細線55で構成した不揮発性メモリを構成するのである。
【0056】
図3(c)は、図3(a)におけるD−D矢視断面図である。本実施の形態においては、図3(a)に示すソース領域58およびドレイン領域59に対して略直角に交差するように、量子細線55を配置している。したがって、量子細線55を上記浮遊ゲート領域として用いることによって、浮遊ゲート領域の蓄積電荷を減らすことができる。したがって、消費電力が極めて少ない、超高密度で大容量の不揮発性メモリを実現することができるのである。
【0057】
すなわち、本実施の形態によれば、一般的な成膜技術,リソグラフィ技術およびエッチング技術を用いてSi量子細線55を形成できるため、低コストで歩留まりが良く、且つ、生産性の高い、量産に適した不揮発性メモリを実現することができるのである。尚、上記量子細線55は、シリコンに限らず、他の半導体材料や金属材料であっても差し支えない。
【0058】
<第4実施の形態>
図4(a)は、上記半導体素子としてのMOSFETの平面図である。また、図4(b)は図4(a)におけるE−E矢視断面図であり、図4(c)は図4(a)におけるF−F矢視断面図である。
【0059】
図4(a)乃至図4(c)に示すように、本MOSFETにおいては、シリコン基板61上に、第1実施の形態あるいは第2実施の形態(図4は第1実施の形態)によって絶縁層(上記第2,第3酸化膜)62と量子細線63とを形成する。その後、絶縁層62および量子細線63上に膜厚30nmのゲート絶縁膜64をCVD法によって形成する。そして、ゲート絶縁膜64上にゲート電極65を形成した後、そのゲート電極65をマスクとして不純物イオンを注入して、量子細線63中にソース領域66およびドレイン領域67を形成する。その場合、量子細線63におけるソース領域66とドレイン領域67との間がチャネル領域68となる。
【0060】
上記構成において、上記量子細線63の幅を、一般的な成膜技術,リソグラフィ技術及びエッチング技術を用いて、10nm以下に形成することが可能である。したがって、チャネル領域68を量子細線63の幅方向に量子化させて1次元伝導を示すようにできる。すなわち、本実施の形態によれば、低コストで歩留まりが良く、生産性の高い量産に適した超高速のMOSFETを得ることができるのである。
【0061】
<第5実施の形態>
図5は、上記半導体素子としての発光素子の断面を示す。図5に示す発光素子においては、シリコン基板71上に、上記第1実施の形態あるいは第2実施の形態(図5は第1実施の形態)を用いて、絶縁層(上記第2,第3酸化膜)72と直径10nm以下の複数の量子細線73とを形成する。そして、絶縁層72上および量子細線73上に膜厚30nmのゲート絶縁膜74をCVD法によって形成し、さらにゲート絶縁膜74上にITO(インジュウム錫酸化物)等で透明なゲート電極75を形成する。
【0062】
上記構成において、上記量子細線73の直径は10nm以下であるから、量子閉込め効果によって直接遷移型のバンド構造をとる。そして、ゲート電極75とシリコン基板71との間に電圧を印加することによって絶縁膜72とゲート絶縁膜74との間にトンネル電流が流れ、そのトンネル電流によって量子細線73に電子が注入されて、量子細線73に電子の遷移が生じて発光する。すなわち、本実施の形態によれば、小さい注入電流でもシャープなスペクトルを有する高効率で高周波特性に優れた発光素子が得られるのである。
【0063】
その場合、上記量子細線73は、一般的な成膜技術,リソグラフィ技術およびエッチング技術を用いてシリコンで形成される。したがって、低コストで歩留まりが良くかつ生産性の高い量産に適した発光素子を実現することができる。
【0064】
<第6実施の形態>
図6(a)は、上記半導体素子としての発光素子の断面を示す。図6(a)に示す発光素子においては、シリコン基板81上に、上記第1実施の形態あるいは第2実施の形態(図5は第1実施の形態)によって、絶縁層(上記第2,第3酸化膜)82と直径数十nm以下の複数の量子細線83とを形成する。そして、絶縁層82上および量子細線83上に膜厚30nmの絶縁膜84をCVD法により形成する。さらに、フォトレジストマスク(図示せず)を用いて、量子細線83の一部にN型の不純物をイオン注入してN型不純物領域85を形成する。同様に、同じ量子細線83におけるN型不純物領域85以外の領域にP型の不純物イオンを注入して、P型不純物領域86を形成する。
【0065】
上記構成において、上記量子細線83の直径は数十nm以下であるから量子閉込め効果によって直接遷移型のバンド構造となっており、N型不純物領域85とP型不純物領域86の境界領域にはPN接合が形成される。したがって、図6(b)に示すようなPN接合のバンド構造が形成され、N型不純物領域85とP型不純物領域86との間に電圧を印加することによって、PN接合部分で矢印(G)で示すように電子90と正孔91との再結合が生じて光87が放射されることなる。尚、図6(b)中、88は導電帯であり、89は価電子帯である。
【0066】
その場合、上記量子細線83は、一般的な成膜技術,リソグラフィ技術およびエッチング技術を用いてシリコンで形成される。したがって、低コストで歩留まりが良くかつ生産性の高い量産に適した発光素子を実現することができる。
【0067】
<第7実施の形態>
図7は、上記半導体素子としての発光素子の作成手順を示す平面図である。図7において、先ず、図7(a)に示すように、シリコン基板101上に、上記第1実施の形態あるいは第2実施の形態に記載された工程によって、図1(c)あるいは図2(c)に示す如く上記第2酸化膜からSi基板101を露出させるSi露出部102を形成する。その場合、Si基板101表面におけるSi露出部102以外の部分は絶縁層(上記第2酸化膜)で覆われている。そして、Si露出部102の一部を第1窒化膜103で覆う。
【0068】
次に、図7(b)に示すように、上記第1実施の形態または第2実施の形態に記載された量子細線成長工程によって、第1窒化膜103で覆われていないSi露出部102の部分にSi細線104を成長させる。次に、図7(c)に示すように、第1窒化膜103を除去して第1窒化膜103によって覆われていたSi露出部102の部分を露出させる一方、Si細線104部分を覆うように第2窒化膜105を形成する。
【0069】
次に、図7(d)に示すように、上記第1実施の形態あるいは第2実施の形態に記載された量子細線成長工程によって、原料ガスにモノシラン(SiH4)およびモノゲルマン(GeH4)を用いて、第2窒化膜105で覆われていないSi露出部102の部分にSiGe細線106を成長させる。次に、図7(e)に示すように、第2窒化膜105を除去した後、SiGe細線106と、SiGe細線106の図中左側に在るSi細線104aと、SiGe細線106の図中右側に在るSi細線104bの夫々に、適当なイオンが注入される。こうして本発光素子が得られる。
【0070】
図8に、上記構成の発光素子のバンド構造を示す。上記SiGeはSiに比べてバンドギヤップが小さいためにダブルヘテロ構造をとり、電子113と正孔114がSiGe細線106に集中する。したがって、矢印(H)で示す電子113と正孔114の再結合が効率よく行われて、光115が放射されることなる。尚、図8中、111は導電帯であり、112は価電子帯である。
【0071】
その場合、上記Si細線104およびSiGe量子細線106は、一般的な成膜技術,リソグラフィ技術およびエッチング技術を用いてSiまたはSiGeで形成される。したがって、低コストで歩留まりが良くかつ生産性の高い量産に適した高効率の発光素子を実現することができる。
【0072】
尚、上記第1実施の形態乃至第7実施の形態においては、上記半導体基板としてSi基板を用いたが、これに限らずSi以外の半導体基板でもよい。また、上記量子細線をシリコンで形成する場合に原料ガスとしてジシラン(Si2H6)を用いたが、モノシラン(SiH4),トリシラン(Si3H8),ジクロルシラン(SiH2Cl2)またはテトラクロロシラン(SiCl4)のうち何れか一つを用いてもよい。また、上記量子細線をゲルマニウムで形成する場合には、原料ガスとして、モノゲルマン(GeH4),ジゲルマン(Ge2H6)あるいは四フツ化ゲルマニウム(GeF4)のうち何れか一つを用いればよい。また、量子細線をシリコンゲルマニウムで形成する場合には、上記原料ガスとして、モノシラン(SiH4),ジシラン(Si2H6),トリシラン(Si3H8),ジクロルシラン(SiH2Cl2)あるいはテトラクロロシラン(SiCl4)のうちの何れか一つと、モノゲルマン(GeH4),ジゲルマン(Ge2H6)あるいは四フツ化ゲルマニウム(GeF4)のうち何れか一つとの混合ガスを用いればよい。また、上記量子細線をアルミニウムで形成する場合には、原料として、DMAH((CH3)2AlH)等の有機アルミニウムを用いればよい。
【0073】
さらに、上記量子細線の材料は、上記半導体としてのシリコン,ゲルマニウムあるいはシリコンゲルマニウム、および、金属としてのアルミニウムに限定するものではない。また、この発明は、特殊な微細加工装置を用いることなく導電性の材料の超微細な細線を形成できることから、高密度のLSIの配線に適用することもできる。また、この発明によって製造される量子効果デバイスや単電子バイスの基本となる量子細線を有する半導体素子はSi系LSIと同一の基板上に搭載でき、この半導体素子を発光素子や光電変換素子に応用することによって、電子回路と光通信回路とを融合することができる。
【0074】
【発明の効果】
以上より明らかなように、請求項1に係る発明の量子細線の製造方法は、半導体基板表面上に堆積された第1絶縁膜に等方性エッチングを行ってエッチングマスクを形成し、上記エッチングマスクを用いて上記半導体基板を異方性エッチングして半導体突起部を形成し、第2絶縁膜を堆積させて上記半導体突起部を埋め戻した後に表面を平坦化し、上記第2絶縁膜における量子細線が形成される領域に対して異方性エッチングを行って半導体露出部を形成し、上記半導体露出部に量子細線をエピタキシャル成長するので、SOIの場合に限らず、従来から使用されているSi基板等の半導体基板を用いて量子細線を形成することができ、低コストで量子細線を形成できる。また、上記第2絶縁膜を堆積して上記半導体突起部を埋め戻してその表面を平坦化するので、後に行われる上記量子細線を用いた単電子デバイスまたは量子効果デバイスの形成を容易にできる。さらに、上記量子細線の下部を酸化して上記量子細線と半導体基板とを絶縁分離するので、上記量子細線を完全な電子の閉じ込め領域にできる。さらに、上記量子細線は、上記第2絶縁膜を異方性エッチングして形成された半導体露出部にエピタキシャル成長するので、結晶性に優れ、大きさが均一な量子細線を、再現性よく形成できる。
【0075】
すなわち、この発明によれば、特殊な微細加工技術を用いることなく、製造コストを低減し、高歩留まりで生産性の高い量産性に適した量子細線の製造方法を実現できるのである。
【0076】
また、請求項2に係る発明の量子細線の製造方法は、半導体基板表面上に堆積された第1絶縁膜に異方性エッチングを行ってエッチングマスクを形成し、上記エッチングマスクを用いて上記半導体基板を結晶面異方性エッチングして半導体凸部を形成し、第2絶縁膜を堆積させて上記半導体凸部を埋め戻した後に表面を平坦化し、上記半導体基板上における量子細線が形成される領域に対して異方性エッチングを行って半導体露出部を形成し、上記半導体露出部に量子細線をエピタキシャル成長するので、SOIの場合に限らず、従来から使用されているSi基板等の半導体基板を用いて量子細線を形成することができ、低コストで量子細線を形成できる。また、上記第2絶縁膜を堆積して上記半導体突起部を埋め戻して表面を平坦化するので、後に行われる上記量子細線を用いた単電子デバイスまたは量子効果デバイスの形成を容易にできる。さらに、上記量子細線の下部を酸化して上記量子細線と半導体基板とを絶縁分離するので、上記量子細線を完全な電子の閉じ込め領域にできる。さらに、上記量子細線は、上記第2絶縁膜を異方性エッチングして形成された半導体露出部にエピタキシャル成長するので、結晶性に優れ、大きさが均一な量子細線を、再現性よく形成できる。
【0077】
すなわち、この発明によれば、特殊な微細加工技術を用いることなく、製造コストを低減し、高歩留まりで生産性の高い量産性に適した量子細線の製造方法を実現できるのである。
【0078】
また、請求項3に係る発明の量子細線の製造方法は、上記半導体露出部に量子細線を形成する工程において、上記半導体露出部が形成された基板を反応室内に導入して10-6Torr以下の高真空になるように排気した後、上記反応室内に原料ガスを流し、その原料ガス分圧が10-2Torr以下の圧力下で上記半導体露出部にのみ上記量子細線をエピタキシャル成長させるので、一般的な高真空CVD装置を用いて、所望の大きさの量子細線を均一に再現性よく形成できる。その際に、原料ガス分圧が10-2Torr以下の圧力下に制御されるので、絶縁性薄膜の全面で速やかに膜成長が始まることを防止でき、選択的に上記半導体露出部にのみ量子細線を成長できる。
【0079】
また、請求項4に係る発明の量子細線の製造方法は、上記反応ガスとしてSiH4,Si2H6,Si3H8,SiH2ClまたはSiCl4のうちの何れか一つを用いて、シリコンからなる量子細線を形成するので、上記量子細線の大きさの均一性や再現性をさらによくできる。
【0080】
また、請求項5に係る発明の量子細線の製造方法は、上記反応ガスとしてGeH4,Ge2H6またはGeF4のうちの何れか一つを用いて、ゲルマニウムからなる量子細線を形成するので、上記量子細線の大きさの均一性や再現性をさらによくできる。
【0081】
また、請求項6に係る発明の量子細線の製造方法は、上記反応ガスとしてSiH4,Si2H6,Si3H8,SiH2ClまたはSiCl4のうちの何れか一つと、GeH4,Ge2H6またはGeF4のうちの何れか一つとの混合ガスを用いて、シリコンゲルマニウムからなる量子細線を形成するので、上記量子細線の大きさの均一性や再現性をさらによくできる。
【0082】
また、請求項7に係る発明の量子細線の製造方法は、原料として上記DMAH((CH3)2AlH)等の有機アルミニウムを用いて、アルミニウムからなる量子細線を形成するので、上記量子細線の大きさの均一性や再現性を更によくできる。
【図面の簡単な説明】
【図1】 この発明の量子細線の製造方法を示す基板断面図である。
【図2】 図1とは異なる量子細線の製造方法を示す基板断面図である。
【図3】 この発明の半導体素子としての不揮発性メモリを示す図である。
【図4】 図3と異なる半導体素子としてのMOSFETを示す図である。
【図5】 図3および図4とは異なる半導体素子としての発光素子を示す図である。
【図6】 図3〜図5とは異なる半導体素子としての発光素子とそのバンド構造を示す図である。
【図7】 図3〜図6とは異なる半導体素子としての発光素子の作成手順を示す図である。
【図8】 図7に示す発光素子のバンド構造を示す図である。
【図9】 従来のSOI基板を用いたSi細線の製造方法を示す工程図である。
【図10】 従来の異方性エッチングを利用したSi細線形成方法を示す工程図である。
【図11】 従来のチタンシリサイド化を利用したSi細線形成方法を示す工程図である。
【符号の説明】
31,41,51,61,71,81,101…シリコン基板、
32,42…第1酸化膜、
33,37,43,46…レジストパターン、
35…Si突起部、 35a,44a,102…Si露出部
36,45…第2酸化膜、 38,47,104…Si細線、
39,48…第3酸化膜、 44…Si凸部、
52…素子分離領域、 54…トンネル酸化膜、
55,63,73,83…量子細線、 56…コントロールゲート絶縁膜、
57,65,75…ゲート電極、 58,66…ソース領域、
59,67…ドレイン領域、 60,68…チャネル領域、
62,72,82,84…絶縁層、 64,74…ゲート絶縁膜、
85…N型不純物領域、 86…P型不純物領域、
103…第1窒化膜、 105…第2窒化膜、
106…SiGe細線。
Claims (7)
- 半導体基板表面上に第1絶縁膜を堆積させた後、レジストパターニングを行い、上記第1絶縁膜に対して等方性エッチングを行ってエッチングマスクを形成する工程と、
上記エッチングマスクを用いて上記半導体基板を異方性エッチングし、上記半導体基板の表面に半導体突起部を形成する工程と、
上記エッチングマスクを除去した後、上記半導体基板上に第2絶縁膜を堆積させて上記半導体突起部を埋め戻し、上記第2絶縁膜の表面を平坦化する工程と、
上記半導体基板上における量子細線が形成される領域以外の領域を覆うレジストパターンを形成し、上記レジストパターンをマスクとして上記第2絶縁膜に対して異方性エッチングを行い、上記半導体突起部の頂を上記第2絶縁膜の表面に露出させて半導体露出部を形成する工程と、
上記レジストパターンを除去した後、上記半導体露出部に量子細線をエピタキシャル成長させる工程と、
上記量子細線の下部を酸化し、上記量子細線と半導体基板とを絶縁分離する工程を備えたことを特徴とする量子細線の製造方法。 - 半導体基板表面上に第1絶縁膜を堆積させた後、レジストパターニングを行い、上記第1絶縁膜に対して異方性エッチングを行ってエッチングマスクを形成する工程と、
上記エッチングマスクを用いて上記半導体基板に対して結晶面異方性エッチングを行い、上記半導体基板の表面に先端が鋭角な半導体凸部を形成する工程と、
上記エッチングマスクを除去した後、上記半導体基板上に第2絶縁膜を堆積させて上記半導体凸部を埋め戻し、上記第2絶縁膜の表面を平坦化する工程と、
上記半導体基板上における量子細線が形成される領域以外の領域を覆うレジストパターンを形成し、上記レジストパターンをマスクとして上記第2絶縁膜を異方性エッチングし、上記半導体凸部の頂を上記第2絶縁膜の表面に露出させて半導体露出部を形成する工程と、
上記レジストパターンを除去した後、上記半導体露出部に量子細線をエピタキシャル成長させる工程と、
上記量子細線の下部を酸化し、上記量子細線と半導体基板とを絶縁分離する工程を備えたことを特徴とする量子細線の製造方法。 - 請求項1あるいは請求項2に記載の量子細線の製造方法において、
上記量子細線をエピタキシャル成長させる工程では、
上記半導体露出部が形成された半導体基板を反応室に導入して、上記反応室内が10-6Torr以下の高真空になるように排気した後、
上記反応室内に原料ガスを流し、その原料ガス分圧が10-2Torr以下の圧力下で、上記量子細線の気相成長を行うようになっていることを特徴とする量子細線の製造方法。 - 請求項3に記載の量子細線の製造方法において、
上記原料ガスとしてモノシラン(SiH4),ジシラン(Si2H6),トリシラン(Si3H8),ジクロルシラン(SiH2Cl2)またはテトラクロロシラン(SiCl4)のうち何れか一つを用いて、上記量子細線としてシリコン細線を形成することを特徴とする量子細線の製造方法。 - 請求項3に記載の量子細線の製造方法において、
上記原料ガスとして、モノゲルマン(GeH4),ジゲルマン(Ge2H6)あるいは四フツ化ゲルマニウム(GeF4)のうち何れか一つを用いて、上記量子細線としてゲルマニウム細線を形成することを特徴とする量子細線の製造方法。 - 請求項3に記載の量子細線の製造方法において、
上記原料ガスとしてモノシラン(SiH4),ジシラン(Si2H6),トリシラン(Si3H8),ジクロルシラン(SiH2Cl2)またはテトラクロロシラン(SiCl4)のうちの何れか一つと、モノゲルマン(GeH4),ジゲルマン(Ge2H6)または四フツ化ゲルマニウム(GeF4)のうち何れか一つとの混合ガスを用いて、上記量子細線としてシリコンゲルマニウム細線を形成することを特徴とする量子細線の製造方法。 - 請求項3に記載の量子細線の製造方法において、
有機アルミニウムを用いて、上記量子細線としてアルミニウム細線を形成することを特徴とする量子細線の製造方法。
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