KR100927077B1 - 광 반도체 장치 및 광 반도체 장치의 제조 방법 - Google Patents

광 반도체 장치 및 광 반도체 장치의 제조 방법 Download PDF

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Abstract

코스트를 억제하면서, 기체의 광 열화에 의한 휘도의 저하를 방지할 수 있는 광 반도체 장치를 제공한다. 광 반도체 장치(1A)에서, 오목부(2a)를 갖는 기체(2)와, 오목부(2a) 내에 형성되고, 광을 방사하는 발광 소자(3)와, 기체(2)에 형성되고 오목부(2a)의 측면을 덮어, 발광 소자(3)에 의해 방사된 광이 오목부(2a)의 측면에 입사하는 것을 억제하는 억제 부재(4)와, 오목부(2a) 내에 형성되고, 발광 소자(3)를 밀봉하는 투광성 부재(5)를 구비한다.
광 반도체 장치, 오목부, 기체, 발광 소자, 억제 부재, 투광성 부재

Description

광 반도체 장치 및 광 반도체 장치의 제조 방법{OPTICAL SEMICONDUCTOR DEVICE AND MANUFACTURING METHOD THEREOF}
본 발명은, 발광 소자를 구비하는 광 반도체 장치 및 그 제조 방법에 관한 것이다.
광 반도체 장치는, 조명이나 표시 장치 등의 다양한 장치의 광원으로서 넓은 분야에서 이용되고 있다. 이 광 반도체 장치로서는, 발광 소자에 의해 방사된 광과, 그 광에 의해 여기된 형광체에 의해 방사된 광을 합치어 백색광 등을 얻는 광 반도체 장치가 제안되어 있다(예를 들면, 특허 문헌 1 참조).
이 광 반도체 장치는, 발광 다이오드(LED) 등의 발광 소자와, 그 발광 소자를 수용하는 컵 형상의 오목부를 갖는 기체(基體)를 구비하고 있다. 그 오목부에는, 발광 소자를 밀봉하는 투광성 부재가 형성되어 있다. 또한, 기체는 몰드 수지에 의해 몰드 성형되어 있다. 또한, 투광성 부재는 입자 형상의 형광체를 혼합한 투광성 수지 재료에 의해 형성되어 있다.
이와 같은 광 반도체 장치에서는, 발광 소자로부터 방사된 광의 일부는, 투광성 부재를 통과하여 방출되고, 다른 일부는 오목부의 측면(측벽)에 의해 반사되 어 방출된다. 이 때, 오목부의 측면에 입사하는 광은, 기체에 의해 반사 혹은 흡수된다. 또한, 광의 반사율은, 입사하는 광의 파장에 의존하고, 일반적으로 파장이 짧은 쪽이 낮아진다.
여기서, 반사율을 향상시키기 위해, TiO2 등의 반사 필러를 기체의 몰드 수지에 혼입시키는 것이 행해지고 있다. 이 경우의 자외 영역의 반사율은 10％ 이하이다. 따라서, 자외 영역의 반사율도 향상시키기 위해, 기체의 수지에 부분적, 즉 오목부의 측면에만 은 도금을 실시한 광 반도체 장치도 제안되어 있다. 또한, 기체의 광 열화를 방지하기 위해, 기체로서 광 열화가 대부분 생기지 않은 세라믹 기판을 이용하는 것이 행해지고 있다. 이 경우에는, 발광 소자의 방열이 고려되어, 세라믹 기판으로서 질화 알루미늄의 기판이 이용된다.
[특허 문헌 1] 일본 특허 공개 제2005-311136호 공보
그러나, 기체의 수지에 부분적으로 은 도금을 실시하는 것은, 마스크 등의 복잡한 제조 공정이 필요하게 되어, 코스트를 상승시키게 된다. 또한, 질화 알루미늄 등의 세라믹 기판을 이용하는 것은, 세라믹 기판이 고가이므로，코스트를 상승키게 된다.
또한, 이러한 발광 소자의 광 에너지가 발광 소자의 발광 효율의 향상이나 구동 전류의 증가 등에 따라서 증가하면, 기체의 광 열화는 가속된다. 이 기체의 광 열화에 수반하여 그 광반사율이 점점 저하되므로, 출력되는 광의 양이 감소하여, 휘도가 저하된다.
본 발명은, 상기를 감안하여 이루어진 것이며, 그 목적은 코스트를 억제하면서, 기체의 광 열화에 의한 휘도의 저하를 방지할 수 있는 광 반도체 장치 및 그 제조 방법을 제공하는 것이다.
본 발명의 실시 형태에 따른 제1 특징은, 광 반도체 장치에서, 수지에 의해 형성된, 오목부를 갖는 기체와, 오목부 내에 형성되고, 광을 방사하는 발광 소자와, 기체에 형성되고 오목부의 측면에 덮어, 발광 소자에 의해 방사된 광이 오목부의 측면에 입사하는 것을 억제하는 억제 부재와, 오목부 내에 형성되고, 발광 소자를 밀봉하는 투광성 부재를 구비하고, 억재 부재의 일부는 기체에 매몰되어 있는 것이다.
본 발명의 실시 형태에 따른 제2 특징은, 광 반도체 장치의 제조 방법에서, 억제 부재를 형성하는 공정과, 형성한 억제 부재를 기체의 오목부의 측면을 덮도록 위치가 정해져, 억제 부재의 일부가 매몰되도록 기체를 형성하는 공정과, 형성한 기체의 오목부 내에, 광을 방사하는 발광 소자를 형성하는 공정과, 발광 소자를 형성한 오목부 내를 투광성 부재에 의해 밀봉하는 공정을 갖는 것이다.
본 발명에 따르면, 코스트를 억제하면서, 기체의 광 열화에 의한 휘도의 저하를 방지할 수 있다.
(제1 실시 형태)
본 발명의 제1 실시 형태에 대해 도 1 내지 도 7을 참조하여 설명한다.
도 1 및 도 2에 도시한 바와 같이, 본 발명의 제1 실시 형태에 따른 광 반도체 장치(1A)는, 오목부(2a)를 갖는 기체(2)와, 오목부(2a) 내에 형성되고 광을 방사하는 발광 소자(3)와, 기체(2)에 형성되고 오목부(2a)의 측면(측벽)을 덮어, 발광 소자(3)에 의해 방사된 광이 오목부(2a)의 측면에 입사하는 것을 억제하는 억제 부재(4)와, 오목부(2a) 내에 형성되고 발광 소자(3)를 밀봉하는 투광성 부재(5)와, 발광 소자(3)에 각각 접속되고 오목부(2a)의 저면으로부터 외부까지 연신하는 한 쌍의 리드부(6, 7)를 구비하고 있다.
기체(2)는, 그 대략 중앙에 위치가 정해져 형성된 오목부(2a)를 갖고 있다. 이 오목부(2a)는, 예를 들면 컵 형상, 즉 역원추대 형상으로 형성되어 있고, 그 내부에 발광 소자(3)를 수용하는 수용부이다. 이 오목부(2a)의 측면은, 오목부(2a)의 저면으로부터 외부를 향해 넓어지도록 경사져 있다. 이와 같은 기체(2)는, 예를 들면 백색의 몰드 수지에 의해 형성되어 있다. 몰드 수지로서는, 예를 들면 폴리아미드계 수지 등의 열가소성 수지를 이용한다.
발광 소자(3)는, 오목부(2a)의 저면의 대략 중앙에 위치가 정해져 리드부(6) 상에 탑재되어 있다. 이 발광 소자(3)의 저면 전극(도 2 중의 하면)은, 예를 들면 은 페이스트 등의 접합 부재(도시하지 않음)에 의해 리드부(6)에 접합되어 전기적으로 접속되어 있다. 또한, 발광 소자(3)의 표면 전극(도 2 중의 상면)은, 예를 들면 금 와이어 등의 접속 부재(8)에 의해 리드부(7)에 전기적으로 접속되어 있다. 또한, 발광 소자(3)로서는, 예를 들면 발광 다이오드(LED) 등을 이용한다.
억제 부재(4)는, 오목부(2a)의 측면을 덮어 발광 소자(3)에 의해 출사된 광을 반사하는 반사 부재(4a)와, 그 반사 부재(4a)에 고착되어 절연성을 갖는 절연 부재(4b)에 의해 구성되어 있다.
반사 부재(4a)는, 도 3에 도시한 바와 같이, 예를 들면 깔때기 형상으로 형성되어 있다. 이 반사 부재(4a)는, 역원추대 형상으로 원통형으로 형성된 원통부(B1)와, 그 원통부(B1)로부터 신장하는 연부(B2)와, 그 연부(B2)로부터 외부를 향해 각각 수평하게 신장하는 한 쌍의 연신부(B3)를 갖고 있다. 여기서 반사 부재(4d)에 한 쌍의 연신부(B3)를 형성함으로써, 억제 부재(4)를 기체(2) 상에 형성하는 경우, 한 쌍의 연신부(B3)를 기체(2)에 매몰시켜 억제 부재(4)를 형성하는 것이 가능하게 되므로, 억제 부재(4)와 기체(2)와의 결합력을 향상시킬 수 있다.
이와 같은 반사 부재(4a)는, 예를 들면 구리 등의 금속 재료에 의해 형성되어 있다. 또한, 반사 부재(4a)는, 예를 들면 판금 부재를 펀칭 가공함으로써 형성되어 있다. 이 반사 부재(4a)의 표면에는, 예를 들면 은 도금이 실시되어 있다. 또한, 파장이 350 ㎚인 광에 대한 은의 반사율은, 백색의 몰드 수지보다 훨씬 높고, 약 80％이다.
절연 부재(4b)는, 억제 부재(4)가 기체(2)에 형성된 상태에서, 억제 부재(4)의 반사 부재(4a)와 한 쌍의 리드부(6, 7)와의 접촉을 방지하도록 반사 부재(4a)에 형성되어 있다(도 2 참조). 이에 의해, 억제 부재(4)의 반사 부재(4a)와 한 쌍의 리드부(6, 7)와의 접촉이 방지되므로, 발광 소자(3)에 대한 전압 인가시에 반사 부재(4a)에 전류가 흐르는 것을 방지할 수 있다.
이와 같은 절연 부재(4b)는, 예를 들면 백색의 몰드 수지에 의해 형성되어 있다. 몰드 수지로서는, 예를 들면 열가소성 수지 등을 이용한다. 또한, 절연 부재(4b)와 기체(2)는, 동일 재료에 의해 형성되어도 되고, 다른 재료에 의해 형성되어도 된다.
투광성 부재(5)는, 오목부(2a) 내에 형성되고 발광 소자(3)를 밀봉하는 부재이다. 이 투광성 부재(5)는, 발광 소자(3)로부터 방사된 광을 방출하기 위한 방출면(5a)을 갖고 있다(도 2 참조). 이 방출면(5a)은, 외부 분위기에 접하는 노출면이며, 발광 소자(3)로부터 방사된 광을 방출하는 광 출력면으로서 기능한다.
이와 같은 투광성 부재(5)는, 예를 들면 입자 형상의 형광체를 혼합한 형광체 혼합 수지 등의 투광성 수지 재료에 의해 형성되어 있다. 투광성 수지 재료로서는, 예를 들면 실리콘 수지 등을 이용한다. 여기서, 형광체는, 발광 소자(3)로부터 방사된 광의 파장을 변환하는 물질이며, 예를 들면 발광 소자(3)의 광의 파장보다도 긴 파장을 갖는 광을 방출한다. 이 형광체로서는, 예를 들면 청색의 광을 방사하는 발광 소자(3)를 이용한 경우, 황색광을 방출하는 형광체를 이용하거나, 혹은 황색광을 방출하는 형광체와 적색광을 방출하는 형광체의 양방을 이용하거나 한다.
한 쌍의 리드부(6, 7)는, 발광 소자(3)에 외부로부터 전력을 공급하기 위한 리드 프레임이다. 도 4에 도시한 바와 같이, 리드부(6)는 발광 소자(3)가 재치되 는 평면부(6a)와, 그 평면부(6a)에 연통하여 산형 형상으로 굴곡하는 굴곡부(6b)를 갖고 있다. 또한, 리드부(7)는 발광 소자(3)로부터 신장하는 접속 부재(8)가 접합되는 평면부(7a)와, 그 평면부(7a)에 연통하여 산형 형상으로 굴곡하는 굴곡부(7b)를 갖고 있다.
이와 같은 한 쌍의 리드부(6, 7)는, 오목부(2a)의 저면으로부터 외부까지 각각 인출되어 있다. 이들 리드부(6, 7)는, 예를 들면 구리 등의 금속 재료에 의해 형성되어 있다. 또한, 한 쌍의 리드부(6, 7)의 표면에는, 예를 들면 은 도금이 실시되어 있다.
여기서, 금형을 이용하여 기체(2)를 몰드 성형하는 경우에는, 기체(2)를 형성하기 위한 몰드 수지가, 각 리드부(6, 7)가 재치되는 금형의 평면과 각 리드부(6, 7)의 굴곡부(6b, 7b)의 공간에 유입된다. 이에 의해, 각 굴곡부(6b, 7b)는 기체(2)에 의해 둘러싸이게 되므로, 각 리드부(6, 7)와 기체(2)의 결합력을 향상시킬 수 있다.
다음에, 이와 같은 광 반도체 장치(1A)의 발광 동작에 대해 설명한다.
한 쌍의 리드부(6, 7)에 전압이 인가되어, 발광 소자(3)에 전력이 공급되면, 발광 소자(3)는 광을 방사한다. 그 광의 일부는, 투광성 부재(5)를 통과하여 그대로 방출면(5a)으로부터 방출되고, 다른 일부는 억제 부재(4)의 반사 부재(4a)에 의해 반사되어 방출면(5a)으로부터 방출된다. 또한, 광의 일부가, 투광성 부재(5)에 함유되는 형광체에 입사한다. 이에 의해, 형광체는 여기되어 광을 방사한다. 그 광의 일부도 투광성 부재(5)를 통과하여 방출면(5a)으로부터 방출되고, 다른 일부 도 억제 부재(4)의 반사 부재(4d)에 의해 반사되어 방출면(5a)으로부터 방출된다. 이와 같이 하여, 발광 소자(3)에 의해 방사된 광과, 그 광에 의해 여기된 형광체에 의해 방사된 광이 혼합되어, 투광성 부재(5)의 방출면(5a)으로부터 방출된다.
이와 같은 발광 동작에서, 발광 소자(3) 및 형광체에 의해 방사된 광의 일부는, 억제 부재(4)의 반사 부재(4a)에 의해, 투광성 부재(5)의 방출면(5a)을 향해 반사된다. 이에 의해, 광이 기체(2)에 입사하는 것이 억제되므로, 기체(2)의 광 열화를 방지할 수 있다. 그 결과로서, 기체(2)의 광 열화에 의한 휘도의 저하를 방지할 수 있다.
다음으로, 광 반도체 장치(1A)의 제조 공정에 대해 설명한다.
광 반도체 장치(1A)의 제조 공정에서는, 도 5에 도시한 바와 같이, 억제 부재(4)를 형성하고, 도 6에 도시한 바와 같이, 형성한 억제 부재(4)를 오목부(2a)의 측면을 덮도록 위치가 정해져, 기체(2)를 형성하고, 도 7에 도시한 바와 같이, 형성한 기체(2)의 오목부(2a) 내에 발광 소자(3)를 형성하고, 도 8에 도시한 바와 같이, 발광 소자(3)를 형성한 오목부(2a) 내를 투광성 부재(5)에 의해 밀봉한다.
상세하게 설명하면, 도 5에 도시한 바와 같이, 처음에 판금 부재로부터 펀칭 가공에 의해 반사 부재(4a)를 형성한다. 그 후, 절연 부재(4b)를 성형하기 위한 금형에 반사 부재(4a)를 부착하고, 예를 들면 인젝션 몰드법을 이용하여, 백색의 몰드 수지에 의해 절연 부재(4b)를 형성하면서 반사 부재(4a)에 고착한다. 이에 의해, 억제 부재(4)가 완성된다.
다음으로, 도 6에 도시한 바와 같이, 한 쌍의 리드부(6, 7) 상의 소정 위치에 억제 부재(4)를 위치가 정해져 기체(2)를 성형하기 위한 금형에, 한 쌍의 리드부(6, 7) 및 억제 부재(4)를 부착하고, 예를 들면 인젠션 몰드법을 이용하여, 백색의 몰드 수지에 의해, 오목부(2a)를 갖는 기체(2)를 성형한다. 이에 의해, 기체(2)가 완성된다. 이 때, 백색의 몰드 수지가, 각 리드부(6, 7)가 재치되는 금형의 평면과 각 리드부(6, 7)의 굴곡부(6b, 7b)와의 공간에 유입된다. 이에 의해, 각 굴곡부(6b, 7b)는 기체(2)에 의해 둘러싸이게 된다.
그 후, 도 7에 도시한 바와 같이, 오목부(2a)의 저면에 위치하는 리드부(6)의 평면부(6a)의 표면에, 예를 들면 은 페이스트 등의 접합 부재를 도포하고, 그 위에 발광 소자(3)를 재치하고, 발광 소자(3)와 리드부(6)를 접합한다. 다음으로, 예를 들면 금 와이어 등의 접속 부재(8)에 의해, 발광 소자(3)의 상면 전극과 리드부(7)의 평면부(7a)를 전기적으로 접속한다. 이에 의해, 발광 소자(3)가 기체(2)의 오목부(2a) 내에 형성된다.
마지막으로, 기체(2)의 오목부(2a) 내에 실리콘 수지를 충전하고, 발광 소자(3)를 밀봉한다. 이에 의해, 실리콘 수지제의 투광성 부재(5)가 기체(2)의 오목부(2a) 내에 형성되어, 도 2에 도시한 바와 같이, 광 반도체 장치(1A)가 완성된다.
여기서, 한 쌍의 리드부(6, 7)로서는, 예를 들면 표면에 두께 2㎛의 은 도금을 실시한 두께 200㎛의 리드부를 이용한다. 또한, 발광 소자(3)로서는, 예를 들면 크기가 900×900×200㎛3 청색의 발광 다이오드를 이용한다. 또한, 형광체로서는, 예를 들면 청색광을 황색광으로 변환하는 황색의 형광체를 이용한다. 또한, 억제 부재(4)의 반사 부재(4a)의 굽힘 각도는 45도이며, 그 발광 소자(3) 측의 개구부의 직경은 0.3㎜이다.
이상 설명한 바와 같이, 본 발명의 제1 실시 형태에 따르면, 오목부(2a)의 측면을 덮어, 발광 소자(3)로부터 방사된 광이 오목부(2a)의 측면에 입사하는 것을 억제하는 억제 부재(4)를 기체(2)에 형성함으로써, 기체(2)의 오목부(2a)에 부분적으로 은 도금을 실시하거나, 질화 알루미늄 등의 세라믹 기판을 이용하거나 하는 일 없이, 발광 소자(3)로부터 방사된 광이 기체(2)에 입사하는 것이 억제되어, 기체(2)의 광 열화가 방지된다. 이에 의해, 코스트를 억제하면서, 기체(2)의 광 열화에 의한 휘도의 저하를 방지할 수 있다. 그 결과로서, 저코스트이면서 높은 휘도를 장기간 유지할 수 있다.
또한, 억제 부재(4)는, 발광 소자(3)에 의해 방사된 광을 반사하므로, 투광성 부재(5)의 방출면(5a)으로부터의 광 출력 효율이 상승하므로, 발광 소자(3)의 휘도를 향상시킬 수 있다.
또한, 억제 부재(4)의 일부가 기체(2)에 매몰되어 있으므로, 억제 부재(4)와 기체(2)의 결합력이 향상되어, 억제 부재(4)가 기체(2)로부터 떨어져 버리는 것이 방지되므로, 광 반도체 장치(1A)의 부품 신뢰성을 향상시킬 수 있다.
(제2 실시 형태)
본 발명의 제2 실시 형태에 대해 도 8을 참조하여 설명한다. 본 발명의 제2 실시 형태에서는, 제1 실시 형태와 다른 부분에 대해 설명한다. 또한, 제2 실시 형태에서는, 제1 실시 형태에서 설명한 부분과 동일 부분에 동일 부호를 붙이고, 그 설명도 생략한다.
도 8에 도시한 바와 같이, 본 발명의 제2 실시 형태에 따른 광 반도체 장치(1B)에서는, 억제 부재(4)가 반사 부재(4a)에 의해 구성되어 있다. 또한, 한 쌍의 리드부(6, 7)에는, 절연성을 갖는 절연층(9)이 형성되어 있다. 또한, 연부(B2)에는, 단차부(B4)가 형성되어 있다.
절연층(9)은, 반사 부재(4a)에 대향하는 위치에 형성되어 있다. 즉, 절연층(9)은, 반사 부재(4a)의 발광 소자(3) 측의 선단부에 대향시켜 원환 형상으로 한 쌍의 리드부(6, 7) 상에 형성되어 있다. 이에 의해, 반사 부재(4a)가 기체(2)에 형성된 상태에서, 반사 부재(4a)와 한 쌍의 리드부(6, 7)와의 접촉이 방지되므로, 발광 소자(3)에 대한 전압 인가시에 반사 부재(4a)에 전류가 흐르는 것을 방지할 수 있다.
단차부(B4)는, 연부(B2)를 오목부(2a)의 저면 방향으로 굴곡시킴으로써 원환 형상으로 형성되어 있다. 이에 의해, 반사 부재(4a)를 기체(2) 상에 형성하는 경우, 단차부(B4)를 기체(2)에 매몰시켜 반사 부재(4a)를 형성하는 것이 가능하게 되므로, 반사 부재(4a)와 기체(2)와의 결합력을 향상시킬 수 있다.
이상 설명한 바와 같이, 본 발명의 제2 실시 형태에 따르면, 제1 실시 형태와 마찬가지의 효과를 얻을 수 있다. 또한, 억제 부재(4)를 반사 부재(4a)만으로 구성함으로써, 억제 부재(4)의 제조를 간략화할 수 있다. 또한, 단차부(B4)가 기체(2)에 매몰되어 있으므로, 억제 부재(4)와 기체(2)와의 결합력을 더 향상시킬 수 있다.
(다른 실시 형태)
또한, 본 발명은, 전술한 실시 형태에 한하는 것은 아니며, 그 요지를 일탈하지 않는 범위에서 여러 가지의 변경 가능하다.
예를 들면, 전술한 실시 형태에서는, 각종의 수치를 예로 들고 있지만, 그들 수치는 예시이며, 한정되는 것은 아니다.
도 1은, 본 발명의 제1 실시 형태에 따른 광 반도체 장치의 개략 구성을 도시하는 사시도.
도 2는, 도 1의 S1-S1선 단면도.
도 3은, 도 1 및 도 2에 도시한 광 반도체 장치가 구비하는 억제 부재의 개략 구성을 도시하는 사시도.
도 4는, 도 1 및 도 2에 도시한 광 반도체 장치가 구비하는 한 쌍의 리드부의 개략 구성을 도시하는 사시도.
도 5는, 도 1 및 도 2에 도시한 광 반도체 장치의 제조 방법을 설명하는 제1 공정 단면도.
도 6은, 제2 공정 단면도.
도 7은, 제3 공정 단면도.
도 8은, 본 발명의 제2 실시 형태에 따른 광 반도체 장치의 개략 구성을 도시하는 단면도.
<도면의 주요 부분에 대한 부호의 설명>
1A, 1B : 광 반도체 장치 2 : 기체
2a : 오목부 3 : 발광 소자
4 : 억제 부재 5 : 투광성 부재

Claims (5)

  1. 수지에 의해 형성된, 오목부를 갖는 기체(基體)와,
    상기 오목부 내에 형성되고, 광을 방사하는 발광 소자와,
    상기 기체에 형성되고 상기 오목부의 측면을 덮어, 상기 발광 소자에 의해 방사된 상기 광이 상기 오목부의 측면에 입사하는 것을 억제하는 억제 부재와,
    상기 오목부 내에 형성되고, 상기 발광 소자를 밀봉하는 투광성 부재
    를 구비하고,
    상기 억제 부재의 일부는, 상기 기체에 매몰되어 있는 것을 특징으로 하는 광 반도체 장치.
  2. 제1항에 있어서,
    상기 억제 부재는, 상기 발광 소자에 의해 방사된 상기 광을 반사하는 것을 특징으로 하는 광 반도체 장치.
  3. 삭제
  4. 억제 부재를 형성하는 공정과,
    형성한 상기 억제 부재를 기체(基體)의 오목부의 측면을 덮도록 위치가 정해져, 상기 억제 부재의 일부가 매몰되도록 상기 기체를 형성하는 공정과,
    형성한 상기 기체의 상기 오목부 내에, 광을 방사하는 발광 소자를 형성하는 공정과,
    상기 발광 소자를 형성한 상기 오목부 내를 투광성 부재에 의해 밀봉하는 공정을 갖는 것을 특징으로 하는 광 반도체 장치의 제조 방법.
  5. 제4항에 있어서,
    상기 억제 부재는, 상기 발광 소자에 의해 방사된 상기 광을 반사하는 것을 특징으로 하는 광 반도체 장치의 제조 방법.
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Families Citing this family (21)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
DE102008038748B4 (de) * 2008-08-12 2022-08-04 OSRAM Opto Semiconductors Gesellschaft mit beschränkter Haftung Oberflächenmontierbares, optoelektronisches Halbleiterbauteil
US8378369B2 (en) * 2008-09-09 2013-02-19 Showa Denko K.K. Light emitting unit, light emitting module, and display device
CN102714267B (zh) * 2009-11-19 2015-05-20 住友化学株式会社 半导体用封装以及散热形引线框架
DE102009055786A1 (de) * 2009-11-25 2011-05-26 Osram Opto Semiconductors Gmbh Gehäuse, optoelektronisches Bauteil und Verfahren zur Herstellung eines Gehäuses
DE102009058421A1 (de) 2009-12-16 2011-06-22 OSRAM Opto Semiconductors GmbH, 93055 Verfahren zur Herstellung eines Gehäuses für ein optoelektronisches Halbleiterbauteil, Gehäuse und optoelektronisches Halbleiterbauteil
JP5528900B2 (ja) * 2010-04-30 2014-06-25 ローム株式会社 発光素子モジュール
KR20120108437A (ko) 2011-03-24 2012-10-05 삼성전자주식회사 발광소자 패키지
JP2014011029A (ja) * 2012-06-29 2014-01-20 Toshiba Lighting & Technology Corp 照明装置
CN102403418A (zh) * 2011-11-09 2012-04-04 东莞勤上光电股份有限公司 一种大功率led的散热结构的制作方法
CN108565329A (zh) * 2011-11-17 2018-09-21 株式会社流明斯 发光元件封装体以及包括该发光元件封装体的背光单元
US8575645B2 (en) * 2011-11-22 2013-11-05 GEM Weltronics TWN Corporation Thin multi-layer LED array engine
CN103208488A (zh) * 2012-01-12 2013-07-17 盈胜科技股份有限公司 薄型多层式阵列型发光二极管光引擎
JP6102187B2 (ja) 2012-10-31 2017-03-29 日亜化学工業株式会社 発光装置用パッケージ及びそれを用いた発光装置
JP6107136B2 (ja) 2012-12-29 2017-04-05 日亜化学工業株式会社 発光装置用パッケージ及びそれを備える発光装置、並びにその発光装置を備える照明装置
JP6484396B2 (ja) 2013-06-28 2019-03-13 日亜化学工業株式会社 発光装置用パッケージ及びそれを用いた発光装置
KR102252156B1 (ko) * 2014-07-08 2021-05-17 엘지이노텍 주식회사 발광 소자 패키지
JP6671117B2 (ja) 2014-07-08 2020-03-25 エルジー イノテック カンパニー リミテッド 発光素子パッケージ
JP6573356B2 (ja) * 2015-01-22 2019-09-11 大口マテリアル株式会社 リードフレーム
CN107833903B (zh) * 2016-09-15 2022-10-18 伊乐视有限公司 具有光管理***的发光显示器
JP7140956B2 (ja) * 2017-10-25 2022-09-22 日亜化学工業株式会社 発光装置、パッケージ及びそれらの製造方法
JPWO2020045604A1 (ja) * 2018-08-31 2021-08-12 パナソニックＩｐマネジメント株式会社 半導体素子搭載用パッケージ及び半導体装置

Citations (4)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPH0997928A (ja) * 1995-09-29 1997-04-08 Rohm Co Ltd Ｌｅｄ表示器、およびｌｅｄ表示器の反射ケース
KR100439402B1 (ko) * 2001-12-24 2004-07-09 삼성전기주식회사 발광다이오드 패키지
KR100587020B1 (ko) 2004-09-01 2006-06-08 삼성전기주식회사 고출력 발광 다이오드용 패키지
KR100643471B1 (ko) 2005-11-24 2006-11-10 엘지전자 주식회사 발광소자 패키지 및 그 제조방법

Family Cites Families (19)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US6274890B1 (en) * 1997-01-15 2001-08-14 Kabushiki Kaisha Toshiba Semiconductor light emitting device and its manufacturing method
JP4125848B2 (ja) * 1999-12-17 2008-07-30 ローム株式会社 ケース付チップ型発光装置
US6578989B2 (en) * 2000-09-29 2003-06-17 Omron Corporation Optical device for an optical element and apparatus employing the device
DE60137972D1 (de) * 2001-04-12 2009-04-23 Matsushita Electric Works Ltd Lichtquellenbauelement mit led und verfahren zu seiner herstellung
JP2003152228A (ja) * 2001-11-12 2003-05-23 Sumitomo Bakelite Co Ltd Ｌｅｄ用ケース及びｌｅｄ発光体
JP3910517B2 (ja) 2002-10-07 2007-04-25 シャープ株式会社 Ｌｅｄデバイス
JP2004134699A (ja) * 2002-10-15 2004-04-30 Toyoda Gosei Co Ltd 発光装置
JP4081394B2 (ja) * 2003-03-18 2008-04-23 京セラ株式会社 発光素子収納用パッケージおよび発光装置
JP4383088B2 (ja) * 2003-04-30 2009-12-16 株式会社住友金属エレクトロデバイス 発光素子収納用パッケージ
JP4341951B2 (ja) * 2003-05-07 2009-10-14 シチズン電子株式会社 発光ダイオード及びそのパッケージ構造
JP2005019919A (ja) * 2003-06-30 2005-01-20 Toyoda Gosei Co Ltd 発光装置
JP2005079167A (ja) * 2003-08-28 2005-03-24 Kyocera Corp 発光素子収納用パッケージおよび発光装置
JP2005251824A (ja) * 2004-03-02 2005-09-15 Agilent Technol Inc 発光ダイオード
US7053414B2 (en) * 2004-04-12 2006-05-30 Lite-On Technology Corporation Optical semiconductor component to prevent electric leakage and provide different driving voltages
JP2005311136A (ja) 2004-04-22 2005-11-04 Matsushita Electric Works Ltd 発光装置
WO2006016398A1 (ja) * 2004-08-10 2006-02-16 Renesas Technology Corp. 発光装置および発光装置の製造方法
JP2006222271A (ja) * 2005-02-10 2006-08-24 Ngk Spark Plug Co Ltd 発光素子実装用基板
CN100464436C (zh) * 2005-04-25 2009-02-25 日本特殊陶业株式会社 接线板
KR100665216B1 (ko) * 2005-07-04 2007-01-09 삼성전기주식회사 개선된 측벽 반사 구조를 갖는 측면형 발광다이오드

Patent Citations (4)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPH0997928A (ja) * 1995-09-29 1997-04-08 Rohm Co Ltd Ｌｅｄ表示器、およびｌｅｄ表示器の反射ケース
KR100439402B1 (ko) * 2001-12-24 2004-07-09 삼성전기주식회사 발광다이오드 패키지
KR100587020B1 (ko) 2004-09-01 2006-06-08 삼성전기주식회사 고출력 발광 다이오드용 패키지
KR100643471B1 (ko) 2005-11-24 2006-11-10 엘지전자 주식회사 발광소자 패키지 및 그 제조방법

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Publication number Publication date
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