KR100665216B1 - 개선된 측벽 반사 구조를 갖는 측면형 발광다이오드 - Google Patents

개선된 측벽 반사 구조를 갖는 측면형 발광다이오드 Download PDF

Info

Publication number
KR100665216B1
KR100665216B1 KR1020050059590A KR20050059590A KR100665216B1 KR 100665216 B1 KR100665216 B1 KR 100665216B1 KR 1020050059590 A KR1020050059590 A KR 1020050059590A KR 20050059590 A KR20050059590 A KR 20050059590A KR 100665216 B1 KR100665216 B1 KR 100665216B1
Authority
KR
South Korea
Prior art keywords
type led
side type
led
metal layer
lead frame
Prior art date
Application number
KR1020050059590A
Other languages
English (en)
Inventor
김홍민
Original Assignee
삼성전기주식회사
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by 삼성전기주식회사 filed Critical 삼성전기주식회사
Priority to KR1020050059590A priority Critical patent/KR100665216B1/ko
Priority to US11/478,621 priority patent/US7687815B2/en
Priority to JP2006184094A priority patent/JP4592650B2/ja
Priority to CNB2006100957598A priority patent/CN100433390C/zh
Application granted granted Critical
Publication of KR100665216B1 publication Critical patent/KR100665216B1/ko
Priority to US12/618,445 priority patent/US8268651B2/en

Links

Images

Classifications

    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L33/00—Semiconductor devices with at least one potential-jump barrier or surface barrier specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
    • H01L33/48—Semiconductor devices with at least one potential-jump barrier or surface barrier specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof characterised by the semiconductor body packages
    • H01L33/483—Containers
    • H01L33/486—Containers adapted for surface mounting
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L33/00—Semiconductor devices with at least one potential-jump barrier or surface barrier specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
    • H01L33/48—Semiconductor devices with at least one potential-jump barrier or surface barrier specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof characterised by the semiconductor body packages
    • H01L33/62—Arrangements for conducting electric current to or from the semiconductor body, e.g. lead-frames, wire-bonds or solder balls
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
    • H01L2224/01—Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/42—Wire connectors; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/47—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process
    • H01L2224/48—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process of an individual wire connector
    • H01L2224/4805—Shape
    • H01L2224/4809—Loop shape
    • H01L2224/48091—Arched
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
    • H01L2224/01—Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/42—Wire connectors; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/47—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process
    • H01L2224/48—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process of an individual wire connector
    • H01L2224/481—Disposition
    • H01L2224/48151—Connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive
    • H01L2224/48221—Connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive the body and the item being stacked
    • H01L2224/48245—Connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive the body and the item being stacked the item being metallic
    • H01L2224/48247—Connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive the body and the item being stacked the item being metallic connecting the wire to a bond pad of the item
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
    • H01L2224/01—Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/42—Wire connectors; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/47—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process
    • H01L2224/48—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process of an individual wire connector
    • H01L2224/481—Disposition
    • H01L2224/48151—Connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive
    • H01L2224/48221—Connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive the body and the item being stacked
    • H01L2224/48245—Connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive the body and the item being stacked the item being metallic
    • H01L2224/48257—Connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive the body and the item being stacked the item being metallic connecting the wire to a die pad of the item
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
    • H01L2924/01—Chemical elements
    • H01L2924/01046—Palladium [Pd]
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
    • H01L2924/01—Chemical elements
    • H01L2924/01078—Platinum [Pt]
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
    • H01L2924/01—Chemical elements
    • H01L2924/01079—Gold [Au]
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L33/00—Semiconductor devices with at least one potential-jump barrier or surface barrier specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
    • H01L33/44—Semiconductor devices with at least one potential-jump barrier or surface barrier specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof characterised by the coatings, e.g. passivation layer or anti-reflective coating
    • H01L33/46—Reflective coating, e.g. dielectric Bragg reflector

Abstract

본 발명은 측방으로 빛을 방출하도록 측면에 LED 창이 형성된 측면형 발광다이오드에 관한 것이다. 본 발명의 측면형 LED는 본 발명의 측면형 LED는 단자가 되는 한 쌍의 리드 프레임; 상기 리드 프레임의 일면에 부착되어 상기 리드 프레임과 전기적으로 연결된 LED 칩; 상기 리드 프레임을 봉지하면서 상기 LED 칩 둘레에 상기 LED 창이 되는 오목부가 형성된 패키지 본체; 상기 오목부의 측벽 내면에 일체로 형성된 고반사율 금속층; 상기 LED 칩을 봉지하도록 상기 오목부에 채워져 상기 LED 창을 형성하는 투명 봉지부; 및 상기 금속층의 하측면과 접촉하며 상기 오목부의 측벽 안으로 일부가 삽입된 상태로 상기 리드 프레임 상에 형성되어, 상기 리드 프레임을 상기 금속층으로부터 절연시키기는 절연층을 포함한다. 이와 같이, 본 발명의 측면형 LED는 광 효율과 방열 효율을 향상시킬 수 있도록 개선된 측벽 반사 구조를 갖는다.
측면형 LED, 반사층, 절연층, 중간막, 보호막, 오목부

Description

개선된 측벽 반사 구조를 갖는 측면형 발광다이오드{SIDE-VIEW LIGHT EMITTING DIODE HAVING IMPROVED SIDE-WALL REFLECTION STRUCTURE}
도 1은 일반적인 측면형 LED를 광원으로 사용하는 백라이트 장치의 단면도이다.
도 2는 종래기술에 따른 측면형 LED의 일례를 보여주는 정면도이다.
도 3은 도 2의 III-III 선을 따라 절단한 단면도이다.
도 4는 종래기술에 따른 측면형 LED의 다른 예를 보여주는 정면도이다.
도 5는 도 4의 V-V 선을 따라 절단한 단면도이다.
도 6은 도 5의 분해도이다.
도 7은 본 발명의 제1 실시예에 따른 측면형 LED의 정면도이다.
도 8은 도 7의 VIII-VIII 선을 따라 절단한 단면도이다.
도 9는 본 발명의 제1 실시예에 따른 측면형 LED에서 반사층에 의한 반사 및 방열을 설명하는 단면도이다.
도 10은 본 발명의 제1 실시예에 따른 측면형 LED의 동작 중의 열 분포를 보여주는 도면이다.
도 11은 종래기술에 따른 측면형 LED의 동작 중의 열 분포를 보여주는 도면 이다.
도 12는 본 발명의 제2 실시예에 따른 측면형 LED의 도 8에 대응하는 단면도이다.
도 13은 본 발명의 제3 실시예에 따른 측면형 LED의 도 8에 대응하는 단면도이다.
도 14는 본 발명의 제4 실시예에 따른 측면형 LED의 도 8에 대응하는 단면도이다.
도 15a 내지 15f는 본 발명에 따른 측면형 LED의 제작 과정을 보여주는 단면도이다.
<도면의 주요 부분의 부호의 설명>
102, 202: LED 칩 114, 214: 측벽
120, 122; 220, 222: 리드 프레임 124, 224: 절연층
126, 226: 반사층 128, 228: 중간막
130, 230: 보호막 140, 240: 투명 봉지부
본 발명은 측방으로 빛을 방출하도록 측면에 LED 창이 형성된 측면형 발광다 이오드에 관한 것이며, 더 구체적으로는 광 효율과 방열 효율을 향상시킬 수 있도록 개선된 측벽 반사 구조를 갖는 측면형 발광다이오드에 관한 것이다.
모니터, 휴대전화 및 PDA(Personal Digital Assistant) 등에 장착된 액정표시장치(LCD)는 자체 광원이 없기 때문에 외부 조명을 필요로 하며, 일반적으로 백라이트 장치를 조명 장치로 사용한다. 백라이트 장치는 LCD를 후방에서부터 조명하며, CCFL(Cold Cathode Fluorescent Lamp), 발광다이오드(Light Emitting Diode: LED) 등을 광원으로 한다.
한편, 휴대 전화와 PDA 등의 소형 LCD에 장착되는 백라이트 장치는 측면형 LED를 광원으로 사용한다. 이와 같은 측면형 LED는 측방으로 빛을 방출하도록 측면으로 LED 창이 형성되어 있으며, 통상 도 1에 도시한 것과 같이 백라이트 장치에 장착된다.
도 1을 참조하면, 백라이트 장치(50)는 기판(52) 상에 평탄한 도광판(54)이 배치되고 이 도광판(54)의 측면에는 복수의 측면형 LED(1)(하나만 도시)가 어레이 형태로 배치된다. LED(1)에서 도광판(54)으로 입사된 빛(L)은 도광판(54)의 밑면에 제공된 미세한 도트 패턴에서 반사 시트(56)에 의해 상부로 반사되어 도광판(54)에서 출사된 다음 도광판(54) 상부의 액정 패널(58)에 백라이트를 제공하게 된다.
도 2는 도 1에 도시한 것과 같은 종래기술의 LED(1)의 일례를 보여주는 정면도이고, 도 3은 도 2의 III-III 선을 따라 절단한 단면도이다.
도 2와 3을 참조하면, LED(1)는 패키지 본체(10), 이 패키지 본체(10) 내에 배치된 한 쌍의 리드 프레임(20, 22) 및 리드 프레임(20)에 장착된 LED 칩(30)을 포함한다.
패키지 본체(10)는 통상 고반사율 수지를 성형하여 이루어진 것으로, 리드 프레임(20, 22)을 중심으로 전반부(10a)와 후반부(10b)로 구분할 수 있다. 전반부(10a)에는 오목부(12)와 그 둘레의 벽(14)이 형성되어 있다. 오목부(12)는 바닥이 납작하고 전방 즉 도 3의 상부 방향으로 넓어져 전체적으로 바닥이 납작한(잘린) V자 또는 U자 형태를 갖는다. 이는 LED 칩(30)에서 발생한 빛을 도 3의 화살표(A) 방향으로 안내하기 위함이다. 이와 같은 오목부(12) 형상에 의해, 벽(14)은 화살표(A) 방향으로 갈수록 두께가 좁아지고, 벽(14)의 내면(16)은 사면으로 형성된다.
또한, 오목부(12)의 내부에는 투명 봉지부(40)가 채워져 LED 칩(30)을 외부로부터 밀봉한다. 한편, 상기 봉지부(40)에는 상기 LED 칩(30)에서 발생하는 광 또는 자외선을 예컨대 백색광으로 변환시키는 형광 물질 등이 함유될 수도 있다.
한편, LED 칩(30)은 와이어(W)에 의해 리드 프레임(20, 22)에 전기적으로 연결되고, 리드 프레임(20, 22)은 일부가 패키지 본체(10) 밖으로 연장되어 외부 단자를 형성한다.
이와 같은 종래 기술의 LED(1)는 아래와 같은 단점을 갖는다.
먼저, 패키지 본체(10)를 구성하는 물질은 대략 75%의 반사율을 갖는다. 즉, LCD 칩(30)에서 발생한 빛이 벽(14)의 내면(16)에서 반사될 때 상당량 흡수되고 일부는 벽(14)을 투과하기도 한다. 이는 LED(10)에서 전방 즉 화살표(A) 방향으로 조사되는 빛의 양을 감소시키므로 바람직하지 않다.
아울러, 벽(14)의 내면(16)에서 흡수되거나 벽(14)을 투과하는 동안 흡수된 빛은 벽(14) 내부에서 열로 전환되어 벽(14)의 온도를 증가시킨다. 이와 같이 빛이 열로 전환되는 것은 벽(14)의 내면(16)에서 특히 집중적으로 일어나 내면(16)과 그 주변 영역 즉 벽(14)과 투명 봉지부(40)의 온도를 높인다. 이렇게 되면, 벽(14)과 특히 투명 봉지부(40) 등에 유해한 영향을 주게 되어 바람직하지 않다.
이와 같은 종래 기술의 측면형 LED의 문제점을 극복하기 위한 방안으로 도 4 내지 6에 도시한 형태의 측면형 LED가 제안되었다. 이들 도면에서, 도 4는 종래기술에 따른 측면형 LED의 다른 예를 보여주는 정면도이고, 도 5는 도 4의 V-V 선을 따라 절단한 단면도이며, 도 6은 도 5의 분해도이다.
도 4 내지 6에 도시한 바와 같이, 측면형 LED(1)의 오목부(12)의 둘레 즉 측벽(14)의 내면에 한 쌍의 반사 부재(18a, 18b)를 설치한다. 이들 반사 부재(18a, 18b)는 얇은 판금 형태의 고반사율 금속으로 형성한다. 이와 같이, 반사 부재(18a, 18b)를 설치하면, LED 칩(30)에서 발생한 빛을 화살표(A) 방향으로 전방으로 반사할 수 있으므로 LED(1)의 광 효율을 향상시킬 수 있다. 또한, 벽(14)의 내면에서 빛이 흡수되지 않으므로 방열 효과도 기대할 수 있다.
하지만, 이러한 반사 구조는 다음과 같은 단점이 있다. 반사 부재(18a, 18b)는 얇은 판금으로 형성하기 때문에, 좁은 오목부(12) 안에 설치하기기 어렵다. 또한, 반사 부재(18a, 18b)를 벽(14)의 내면에 결합하기 위해서는 도 6의 화살표(B) 방향으로 반사 부재(18a, 18b)를 이동시켜 접착 및/또는 압착을 수행해야 하는 데 이러한 작업은 벽(14) 뿐만 아니라 LED 칩(30), 와이어(W) 및 심지어 반사 부재(18a, 18b) 자체에도 손상을 줄 수 있다.
아울러, 반사 부재(18a, 18b)는 리드 프레임(20, 22)과 직접 접촉하므로 하나로 형성할 수 없다. 즉 반사 부재(18a, 18b)를 미리 정해진 간격(G)으로 서로 떨어뜨려야 한다. 이는 부품수를 증가시키고 작업을 복잡하게 만든다. 또한, 간격(G)에서 빛의 흡수가 일어나므로 반사 효율이 저하될 수 있다.
따라서 본 발명은 전술한 종래 기술의 문제를 해결하기 위해 안출된 것으로, 본 발명의 목적은 측방으로 빛을 방출하도록 측면에 LED 창이 형성된 측면형 LED로서, 광 효율과 방열 효율을 향상시킬 수 있도록 개선된 측벽 반사 구조를 갖는 측면형 LED를 제공하는 것이다.
본 발명의 다른 목적은 측벽 내면에 우수한 반사율을 갖는 금속을 증착하여 형성한 반사 구조를 구비함으로써 우수한 반사 성능과 함께 뛰어난 방열 효과를 갖는 측면형 LED를 제공하는 것이다.
본 발명의 다른 목적은 측벽 내면에 우수한 반사율을 갖는 금속을 증착하여 형성한 반사 구조를 구비함으로써 종래 기술의 물리적인 반사 구조 압입에 따른 측벽, LED 칩 등의 손상을 방지할 수 있는 측면형 LED를 제공하는 것이다.
전술한 본 발명의 목적을 달성하기 위해 본 발명은 측방으로 빛을 방출하도록 측면에 LED 창이 형성된 측면형 LED를 제공하며, 본 발명의 측면형 LED는 단자가 되는 한 쌍의 리드 프레임; 상기 리드 프레임의 일면에 부착되어 상기 리드 프레임과 전기적으로 연결된 LED 칩; 상기 리드 프레임을 봉지하면서 상기 LED 칩 둘레에 상기 LED 창이 되는 오목부가 형성된 패키지 본체; 상기 오목부의 측벽 내면에 일체로 형성된 고반사율 금속층; 상기 LED 칩을 봉지하도록 상기 오목부에 채워져 상기 LED 창을 형성하는 투명 봉지부; 및 상기 금속층의 하측면과 접촉하며 상기 오목부의 측벽 안으로 일부가 삽입된 상태로 상기 리드 프레임 상에 형성되어, 상기 리드 프레임을 상기 금속층으로부터 절연시키기는 절연층을 포함하는 것을 특징으로 한다.
본 발명의 측면형 LED에 있어서, 상기 절연층은 상기 리드 프레임과 상기 금속층 사이의 연결 영역에 형성되면 바람직하다.
삭제
본 발명의 측면형 LED에 있어서, 상기 절연층은 SiO2, SiN 및 Al2O3 중의 적어도 하나로 이루어지면 바람직하다. 이때, 상기 절연층은 증착물이면 바람직하다.
본 발명의 측면형 LED에 있어서, 상기 고반사율 금속층은 Ag, Al, Au, Cu, Pd, Pt, Rd 및 이들의 합금 중의 적어도 하나로 이루어지면 바람직하다. 이때, 상기 고반사율 금속층은 증착물이면 바람직하다.
또, 본 발명의 측면형 LED는 상기 고반사율 금속층과 상기 벽면 사이에 개지된 중간층을 더 포함할 수 있다. 이때, 상기 중간층은 SiO2, SiN 및 Al2O3 중의 적어도 하나로 이루어지면 바람직하며, 상기 중간층은 증착물이면 더 바람직하다.
한편, 본 발명의 측면형 LED는 상기 고반사율 금속층 위에 형성된 보호막을 더 포함할 수 있다. 이때, 상기 보호막은 투명한 절연체이면 바람직하며, SiO2, SiN 및 Al2O3 중의 적어도 하나로 이루어지면 더욱 바람직하며, 증착물이면 더더욱 바람직하다.
또한, 본 발명의 측면형 LED에 있어서, 상기 패키지 본체는 투명 수지 및/또는 불투명 수지로 이루어지면 바람직하다.
이하 본 발명의 바람직한 실시예를 첨부도면을 참조하여 보다 상세히 설명한다.
먼저, 도 7과 8을 참조하여 본 발명의 제1 실시예에 따른 측벽 반사 구조를 갖는 측면형 LED를 설명한다. 이들 도면에서, 도 7은 본 발명의 제1 실시예에 따른 측면형 LED의 정면도이고, 도 8은 도 7의 VIII-VIII 선을 따라 절단한 단면도이다.
도 7과 8에 도시한 바와 같이, 본 발명의 제1 실시예에 따른 측면형 LED(100)는 측방으로 빛을 방출하도록 측면으로 LED 창이 형성되어 있으며, 도 1에서 전술한 바와 같이 백라이트 장치에 장착된다.
상기 측면형 LED(100)는 단자가 되는 한 쌍의 리드 프레임(120, 122), 리드 프레임(120)의 일면에 부착되어 리드 프레임(120, 122)과 전기적으로 연결된 LED 칩(102), 리드 프레임(120, 122)을 봉지하면서 LED 칩(102) 둘레에 전술한 LED 창이 되는 오목부(112)가 형성된 패키지 본체(110), 오목부(112) 둘레의 측벽(114)의 내면에 일체로 형성된 고반사율 금속층(126), LED 칩(102)을 봉지하도록 오목부(112)에 채워져 전술한 LED 창을 형성하는 투명 봉지부(140) 및 상기 금속층(126)의 하측면과 접촉하며 리드 프레임(120, 122)을 고반사율 금속층(126)으로부터 절연시키도록 리드 프레임(120, 122) 일면의 미리 정해진 영역에 형성된 절연층(124)을 포함한다.
리드 프레임(120)에 부착된 LED 칩(102)은 와이어(106)에 의해 리드 프레임(120, 122)과 전기적으로 연결되며, 와이어(106)는 솔더(104)에 의해 LED 칩(102) 및 리드 프레임(120, 122)에 결합된다.
한편, 절연층(124)은 상기 금속층(126)의 하측면과 접촉하며 상기 오목부(112)의 측벽 안으로 일부가 삽입된 상태로 상기 리드 프레임(120, 122) 상에 형성되는데, LED 칩(102)의 안착과 솔더(104)의 조성을 허용하도록 리드 프레임(120, 122)의 일면에 미리 정해진 영역에 형성된다. 즉 LED 칩(102)이 안착될 영역에는 절연층(124)이 형성하지 않으며, 도 7과 같이, 솔더(104)의 조성을 위한 둥근 개방 영역(H)에도 역시 형성하지 않는다.
절연층(124)은 SiO2, SiN, Al2O3 등으로 형성하며, 바람직하게는 스퍼터링 및 전자 빔 공법과 같은 증착 작업에 의해 형성한다. 이와 같은 작업에 의해, 절연층(124)을 수Å~수㎛의 두께로도 형성할 수 있다. 하지만, 절연층(124)의 두께를 특별히 한정할 필요는 없으며, 리드 프레임(120, 122)과 반사층(126) 사이의 전기적 절연을 확보할 정도의 값이면 된다.
반사층(126)은 고반사율 금속, 예컨대 Ag, Al, Au, Cu, Pd, Pt, Rd 및 이들의 합금 중의 적어도 하나로 이루어진다. 이러한 금속을 스퍼터링 및 전자 빔 공법을 통해 측벽(114)의 내면에 수Å 내지 수㎛의 두께로 증착하여 반사층(126)을 형성하게 된다.
이렇게 하면, 반사층(126)은 대략 90% 이상의 반사율을 갖게 되므로, LED 칩(102)에서 측벽(114)으로 투사된 빛을 효율적으로 화살표(A) 방향 즉 전방으로 반사한다. 반사층(126)은 패키지 본체(110)를 구성하는 수지보다 반사율이 우수하므로, 본 발명의 LED(100)는 종래기술에 비해 훨씬 우수한 내벽 반사 효율을 갖게 되며, 이에 따라 광 효율도 역시 향상된다. 또한, 증착에 의해 반사층(126)을 형성하므로 정밀한 두께 제어가 가능할 뿐만 아니라 극히 얇은 두께를 구현하는 것도 역시 가능하다.
또한, 반사층(126)이 리드 프레임(120, 122)과 함께 LED 칩(102)에서 발생한 빛을 전방으로 반사하게 되므로, LED 칩(102)에 발생한 빛이 패키지 본체(110)에 직접 도달하는 것은 거의 없다. 따라서, 패키지 본체(110)를 투명 봉지부(140)와 마찬가지로 투명한 수지로 형성할 수도 있다. 이러한 투명한 수지로 된 패키지 본체(110)는 미려한 외관을 제공하는 장점이 있다.
한편, 투명 봉지부(140)는 LED 칩(102)이 단파장 LED 칩인 경우 발생한 단파장광을 다파장광 즉 다색광으로 변환하는 형광체를 함유할 수 있다. 또한, 자외선 흡수제/변환제 및 산란제 등도 역시 함유할 수 있다.
이하 도 9를 참조하여 본 발명의 제1 실시예에 따른 측면형 LED에서 반사층에 의한 반사 및 방열을 설명한다.
LED 칩(102)이 작동하면, 발생한 빛(L)은 전방(A)으로 방출되어 LED 창 즉 투명 봉치부(140)를 통해 외부로 나간다. 또한, 측방 또는 후방으로 방출된 빛은 리드 프레임(120, 122) 또는 반사층(126)에 의해 반사되어 전방(A)으로 외부로 나간다. 이때, 반사층(126)의 반사율이 높으므로 앞서 설명한 바와 같이 LED(100)의 광 효율이 향상된다.
이와 함께, 반사층(126)에서 일부 흡수된 빛은 열로 전환되는데, 이 열은 H로 표시한 바와 같이 반사층(126)을 타고 흘러 리드 프레임(120, 122)으로 전달된다. 물론, 반사층(126)과 리드 프레임(120, 122) 사이에는 절연층(124)이 있으나, 절연층(124)의 두께는 극히 작기 때문에 절연층(124)에 의한 열 흐름 차단 효과는 거의 무시할 수 있다. 이와 같이, 반사층(126)은 LED(100)의 광 효율을 증대시킬 뿐만 아니라 방열 효율 역시 개선하는 것을 알 수 있다.
이어, 도 10과 11을 참조하여 본 발명에 따른 측면형 LED의 방열 효과를 종래기술의 것과 비교한다. 이들 도면에서, 도 10은 본 발명의 제1 실시예에 따른 측면형 LED의 동작 중의 열 분포를 보여주는 사진이며, 도 11은 종래기술에 따른 측면형 LED의 동작 중의 열 분포를 보여주는 사진이다.
도 10에서 알 수 있는 바와 같이, 본 발명에 따른 측면형 LED에서는, LED 칩에서 발생한 빛이 측벽(114)에 부딪힐 때 발생하는 열이 적고 또 이 열은 반사층을 통해 리드 프레임(120, 122)으로 원활히 빠져나가기 때문에 측벽(114)과 투명 봉지부(140) 내의 온도는 일정하고 전반적으로 종래기술의 측면형 LED의 것에 비해 낮은 것을 알 수 있다.
아울러, 도 11의 종래기술의 측면형 LED의 경우, 투명 봉지부(40) 내의 온도 가 상당히 높을 뿐만 아니라 LED 칩(30)이 장착된 리드 프레임(20)과 다른 리드 프레임(22)과의 온도 차이가 큰 것도 역시 알 수 있다.
이와 같이, 본 발명에 따른 측면형 LED는 우수한 광 효율뿐만 아니라 향상된 방열 효과를 갖는다.
이하 선행하는 도 8에 대응하는 단면도인 도 12를 참조하여 본 발명의 제2 실시예에 따른 측면형 LED에 대해 설명한다.
도 12에 도시한 바와 같이, 본 발명의 제2 실시예에 따른 측면형 LED(200)는 측벽(214)과 반사층(226) 사이에 형성된 중간막(228)을 제외하고는 도 8의 제1 실시예에 따른 측면형 LED(100)와 동일하다. 따라서, 동일한 구성요소에는 100씩 증가한 도면부호를 부여하였으며 그 설명은 생략한다.
중간막(228)은 SiO2, SiN, Al2O3 등의 절연체로 반사층(226)을 형성하기 전에 형성하며, 바람직하게는 스퍼터링 및 전자 빔 공법과 같은 증착 작업에 의해 형성한다. 이와 같은 작업에 의해, 중간막(228)을 수Å~수㎛의 두께로도 형성할 수 있다.
이와 같이 형성된 중간막(228)은 반사층(226)의 성막을 촉진할 수 있다. 즉, 금속을 수지로 된 측벽(214)의 내면에 직접 증착하면, 금속에 따라 측벽(214)과의 결합력이 빈약할 수 있다. 하지만, 절연체로 된 중간막(228)을 먼저 형성한 다음 그 위에 금속을 증착하면, 금속 증착물과 중간막(228) 사이의 결합력이 높아서 우수한 반사층(226)을 얻을 수 있다.
한편, LCP 등과 같은 일부 수지의 경우에는 금속이 원활하게 증착될 수 있어서 중간막(228)을 형성하지 않고도 Ag, Al, Au, Cu, Pd, Pt, Rd 및 이들의 합금 중의 적어도 하나로 된 우수한 반사층(226)을 얻을 수 있다.
이어, 선행하는 도 8에 대응하는 단면도인 도 13을 참조하여 본 발명의 제3 실시예에 따른 측면형 LED를 설명한다.
도 13에 도시한 바와 같이, 본 발명의 제3 실시예에 따른 측면형 LED(200A)는 반사층(226) 위에 보호막(passivation film, 230)을 형성한 것을 제외하고는 도 12의 제2 실시예에 따른 측면형 LED(200)와 동일하다. 따라서, 동일한 구성요소에는 100씩 증가한 도면부호를 부여하였으며 그 설명은 생략한다.
반사층(226) 위에 형성된 보호막(230)은 전술한 중간막(228)과 마찬가지로 SiO2, SiN, Al2O3 등의 절연체로 형성한다. 보호막(230)은 바람직하게는 스퍼터링 및 전자 빔 공법과 같은 증착 작업에 의해 형성하며, 두께는 수Å~수㎛가 바람직하다.
보호막(230)은 반사층(226)의 박리를 방지할 목적으로 적용된다. LED(200)를 제조할 때, 반사층(226)을 형성하고 LED 칩(202)을 장착한 후에, 투명 수지를 오목부(212)에 부어 투명 봉지부(240)를 형성한다. 하지만, 일부 금속 증착물의 경우에는 수지와 직접 접촉하게 되면 수지 안으로 박리될 가능성이 있다. 금속 증착물이 수지 안으로 박리되면 반사층(226)의 질을 저하시킬 뿐만 아니라 수지로 된 봉지부(240)의 투명도 또한 하락시킬 수 있다. 따라서, 금속 반사층(226) 위에 보 호막(230)을 형성하여, 금속이 수지 안으로 박리되는 것을 방지할 수 있다. 이렇게 하면, 금속 반사층(226)의 질과 안정성을 향상시킬 수 있다.
이하 선행하는 도 8에 대응하는 단면도인 도 14를 참조하여 본 발명의 제4 실시예에 따른 측면형 LED를 설명한다.
도 14에 도시한 바와 같이, 본 발명의 제4 실시예에 따른 LED(200B)는 반사층(226)과 리드 프레임(220, 222)의 연결 부위에만 절연층(224)을 형성한 점에서 도 13의 제3 실시예에 따른 LED(200A)와 구별된다. 따라서, 동일한 구성요소에는 100씩 증가한 도면부호를 부여하였으며 그 설명은 생략한다.
이와 같이, 반사층(226)과 리드 프레임(220, 222)의 연결 부위에만 절연층(224)을 형성하면, 전술한 제1 내지 제3 실시예에 비해 솔더(206) 조성 작업이 원활하다.
한편, 전술한 바와 같이 LCP 등과 같은 일부 수지의 경우에는 금속이 원활하게 증착될 수 있어서 중간막(228)을 형성하지 않고도 Ag, Al, Au, Cu, Pd, Pt, Rd 및 이들의 합금 중의 적어도 하나로 된 우수한 반사층(226)을 얻을 수 있다. 따라서, 중간막(228)을 형성하지 않고 측벽(214)에 반사층(226)과 보호막(230)을 형성한 구조를 도 13과 14의 LED에 적용할 수도 있다.
이하, 도 15a 내지 15f의 단면도를 참조하여 본 발명에 따른 측면형 LED의 제작 과정을 단계별로 설명한다.
먼저 도 15a에 도시한 바와 같이 리드 프레임(220, 222)을 준비하고 그 위에 절연층(224)을 미리 정해진 패턴으로 형성한다. 절연층(224)은 리드 프레임(220, 222)의 일면에 미리 정해진 영역을 노출시키도록 형성하거나 일정 영역에만 형성할 수 있다. 즉, 적어도 후속 작업에서 LED 칩(202)을 장착하고 솔더(206)를 조성할 영역을 남겨두고 절연층(224)을 형성한다.
절연층(224)은 SiO2, SiN, Al2O3 등으로 형성하며, 바람직하게는 스퍼터링 및 전자 빔 공법과 같은 증착 작업에 의해 형성한다. 이와 같은 작업에 의해, 절연층(224)을 수Å~수㎛의 두께로도 형성할 수 있다.
절연층(224)을 형성하는 방법으로는 에칭과 리프트오프(lift-off)가 있다.
에칭은 대상물의 전체 표면 즉 리드 프레임(220, 222)의 일면 전체에 절연물을 증착하고, PR 패턴을 마스크로 이용하여 절연물을 일정 패턴으로 에칭한 다음, PR 패턴을 제거하여 원하는 패턴의 절연층을 얻는 방법이다.
한편, 리프트오프는 PR 패턴을 먼저 대상물의 표면에 부착하고, PR 패턴을 마스크로 사용하여 절연물을 PR 패턴의 개방 영역에만 증착한 다음, PR 패턴을 제거하여 원하는 패턴의 절연층을 얻는 방법이다.
이와 같이 절연층(224)이 형성되면, 몰드를 이용해 수지를 사출하여 도 15b에 도시한 것과 같은 패키지 본체(210)를 형성한다. 패키지 본체(210)의 수지로는 종래의 불투명 수지 이외에도 투명한 수지를 사용할 수 있다.
이어, 도 15c에 도시한 바와 같이, 오목부(212)의 바닥에 스크린(250)을 내 려놓은 다음, SiO2, SiN, Al2O3 등의 절연체를 화살표(A)로 나타낸 바와 같이 측벽(214)의 내면(216)에 증착하여 중간막(228, 도 15d 참조)을 형성한다. 이때, 스크린(250)은 내면(216)으로부터 미리 정해진 간격을 유지하면 좋다. 바람직하게는, 중간막(228)의 두께에 해당하는 수Å~수㎛의 간격을 가질 수 있다.
중간막(228)이 형성되면, 도 15d에 도시한 바와 같이, 스크린(250)을 화살표(B) 방향으로 떼어낸다.
그런 다음, 도 15c와 15d와 유사한 단계를 반복하여 반사층(226) 및 보호막(230)을 순차적으로 형성한다(도 15e).
이러, 도 15f에 도시한 바와 같이, LED 칩(202)을 리드 프레임(220) 일면의 개방 영역에 장착하고 와이어(204)와 솔더(206)를 이용하여 리드 프레임(220)과 전기적으로 연결한다.
이 상태에서 오목부(212)에 투명 수지를 부어 경화시키면 도 14에 도시한 것과 같은 본 발명에 따른 LED(200B)를 얻게 된다.
이상 설명한 LED 제조 방법은 제1 내지 제3 실시예의 LED(100, 200, 200A) 뿐만 아니라 여러 변형례에도 적용할 수 있다. 예컨대, 측벽(114, 214)에 직접 반사층(126, 226)을 형성한 다음 그 위에 보호막을 형성하는 변형례에도 동일하게 적용할 수 있다.
전술한 바와 같이 본 발명에 따르면, 측벽의 내면에 증착한 반사층은 우수한 반사 성능을 가지므로 LED의 광 효율을 향상시킬 수 있다. 또, 반사층은 우수한 방열 효과도 갖기 때문에, LED의 방열 능력 역시 개선될 수 있다. 아울러, 증착에 의해 반사층을 형성하므로, 판금을 좁은 오목부에 밀어 넣는 것에 따른 측벽, LED 칩 등의 손상을 방지할 수 있다.
상기에서는 본 발명의 바람직한 실시예들을 참조하여 설명하였지만, 해당 기술분야에서 통상의 지식을 가진 자라면 하기의 특허 청구의 범위에 기재된 본 발명의 사상 및 영역으로부터 벗어나지 않는 범위 내에서 본 발명을 다양하게 수정 및 변경할 수 있음을 이해할 것이다.

Claims (15)

  1. 측방으로 빛을 방출하도록 측면에 LED 창이 형성된 측면형 LED에 있어서,
    단자가 되는 한 쌍의 리드 프레임;
    상기 리드 프레임의 일면에 부착되어 상기 리드 프레임과 전기적으로 연결된 LED 칩;
    상기 리드 프레임을 봉지하면서 상기 LED 칩 둘레에 상기 LED 창이 되는 오목부가 형성된 패키지 본체;
    상기 오목부의 측벽 내면에 일체로 형성된 고반사율 금속층;
    상기 LED 칩을 봉지하도록 상기 오목부에 채워져 상기 LED 창을 형성하는 투명 봉지부; 및
    상기 금속층의 하측면과 접촉하며 상기 오목부의 측벽 안으로 일부가 삽입된 상태로 상기 리드 프레임 상에 형성되어, 상기 리드 프레임을 상기 금속층으로부터 절연시키기는 절연층을 포함하는 것을 특징으로 하는 측면형 LED.
  2. 제1항에 있어서,
    상기 절연층은 상기 리드 프레임과 상기 금속층 사이의 연결 영역에 형성되는 것을 특징으로 하는 측면형 LED.
  3. 제1항에 있어서, 상기 절연층은 SiO2, SiN 및 Al2O3 중의 적어도 하나로 이루어진 것을 특징으로 하는 측면형 LED.
  4. 제3항에 있어서, 상기 절연층은 증착물인 것을 특징으로 하는 측면형 LED.
  5. 제1항에 있어서, 상기 고반사율 금속층은 Ag, Al, Au, Cu, Pd, Pt, Rd 및 이들의 합금 중의 적어도 하나로 이루어진 것을 특징으로 하는 측면형 LED.
  6. 제5항에 있어서, 상기 고반사율 금속층은 증착물인 것을 특징으로 하는 측면형 LED.
  7. 제1항에 있어서, 상기 고반사율 금속층과 상기 오목부의 측벽 내면 사이에 개지된 중간층을 더 포함하는 것을 특징으로 하는 측면형 LED.
  8. 제7항에 있어서, 상기 중간층은 SiO2, SiN 및 Al2O3 중의 적어도 하나로 이루어진 것을 특징으로 하는 측면형 LED.
  9. 제8항에 있어서, 상기 중간층은 증착물인 것을 특징으로 하는 측면형 LED.
  10. 제7항에 있어서, 상기 고반사율 금속층 위에 형성된 보호막을 더 포함하는 것을 특징으로 하는 측면형 LED.
  11. 제1항에 있어서, 상기 고반사율 금속층 위에 형성된 보호막을 더 포함하는 것을 특징으로 하는 측면형 LED.
  12. 제11항에 있어서, 상기 보호막은 투명한 절연체인 것을 특징으로 하는 측면형 LED.
  13. 제12항에 있어서, 상기 보호막은 SiO2, SiN 및 Al2O3 중의 적어도 하나로 이루어진 것을 특징으로 하는 측면형 LED.
  14. 제12항에 있어서, 상기 보호막은 증착물인 것을 특징으로 하는 측면형 LED.
  15. 제1항에 있어서, 상기 패키지 본체는 투명 수지로 이루어진 것을 특징으로 하는 측면형 LED.
KR1020050059590A 2005-07-04 2005-07-04 개선된 측벽 반사 구조를 갖는 측면형 발광다이오드 KR100665216B1 (ko)

Priority Applications (5)

Application Number Priority Date Filing Date Title
KR1020050059590A KR100665216B1 (ko) 2005-07-04 2005-07-04 개선된 측벽 반사 구조를 갖는 측면형 발광다이오드
US11/478,621 US7687815B2 (en) 2005-07-04 2006-07-03 Side-view light emitting diode having improved side-wall reflection structure
JP2006184094A JP4592650B2 (ja) 2005-07-04 2006-07-04 改善した側壁反射構造を有する側面型発光ダイオード
CNB2006100957598A CN100433390C (zh) 2005-07-04 2006-07-04 具有改进的侧壁反射结构的侧光发光二极管
US12/618,445 US8268651B2 (en) 2005-07-04 2009-11-13 Manufacturing method of light emitting diode package

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
KR1020050059590A KR100665216B1 (ko) 2005-07-04 2005-07-04 개선된 측벽 반사 구조를 갖는 측면형 발광다이오드

Publications (1)

Publication Number Publication Date
KR100665216B1 true KR100665216B1 (ko) 2007-01-09

Family

ID=37588397

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
KR1020050059590A KR100665216B1 (ko) 2005-07-04 2005-07-04 개선된 측벽 반사 구조를 갖는 측면형 발광다이오드

Country Status (4)

Country Link
US (2) US7687815B2 (ko)
JP (1) JP4592650B2 (ko)
KR (1) KR100665216B1 (ko)
CN (1) CN100433390C (ko)

Cited By (5)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR100961231B1 (ko) 2007-07-23 2010-06-03 노밸리트 옵트로닉스 코포레이션 초미세 사이드뷰 발광다이오드 패키지 및 그 제조방법
KR20130118552A (ko) * 2012-04-20 2013-10-30 엘지이노텍 주식회사 발광 소자 패키지 및 이를 구비한 발광 장치
US9793249B2 (en) 2015-03-11 2017-10-17 Lg Innotek Co., Ltd. Light emitting device and light unit having the same
KR101911984B1 (ko) * 2011-07-22 2019-01-03 가디언 인더스트리즈 코퍼레이션. 개선된 ｌｅｄ 조명 시스템 및/또는 그 제조 방법
US10340433B2 (en) 2015-01-19 2019-07-02 Lg Innotek Co., Ltd. Light emitting device

Families Citing this family (68)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2006108333A (ja) * 2004-10-04 2006-04-20 Toyoda Gosei Co Ltd ランプ
US7777244B2 (en) * 2006-03-17 2010-08-17 Seoul Semiconductor Co., Ltd. Side-view light emitting diode package having a reflector
JP2008016565A (ja) * 2006-07-04 2008-01-24 Shinko Electric Ind Co Ltd 発光素子収容体及びその製造方法、及び発光装置
US7910938B2 (en) * 2006-09-01 2011-03-22 Cree, Inc. Encapsulant profile for light emitting diodes
JP4846498B2 (ja) * 2006-09-22 2011-12-28 株式会社東芝 光半導体装置及び光半導体装置の製造方法
JP2010512662A (ja) 2006-12-11 2010-04-22 ザ リージェンツ オブ ザ ユニバーシティ オブ カリフォルニア 透明発光ダイオード
TWI329934B (en) * 2007-01-17 2010-09-01 Chi Mei Lighting Tech Corp Lead frame structure of light emitting diode
KR101352921B1 (ko) * 2007-05-25 2014-01-24 삼성디스플레이 주식회사 광원모듈, 이를 갖는 백라이트 어셈블리 및 이를 갖는표시장치
JP5773646B2 (ja) 2007-06-25 2015-09-02 キユーデイー・ビジヨン・インコーポレーテツド ナノ材料を被着させることを含む組成物および方法
JP5022795B2 (ja) * 2007-07-09 2012-09-12 株式会社東芝 半導体受光素子およびその製造方法
KR100928635B1 (ko) * 2007-08-30 2009-11-27 주식회사 루멘스 측면 발광 다이오드 패키지
RU2481672C2 (ru) 2007-12-11 2013-05-10 Конинклейке Филипс Электроникс Н.В. Устройство для бокового излучения с гибридным верхним отражателем
US8471281B2 (en) 2007-12-11 2013-06-25 Koninklijke Philips Electronics N.V. Side emitting device with hybrid top reflector
JP5426091B2 (ja) * 2007-12-27 2014-02-26 豊田合成株式会社 発光装置
KR100969144B1 (ko) * 2008-01-28 2010-07-08 알티전자 주식회사 발광 다이오드 패키지
JP2011512006A (ja) 2008-01-30 2011-04-14 デジタル オプティクス インターナショナル，リミティド ライアビリティ カンパニー 薄型照明システム
US8721149B2 (en) 2008-01-30 2014-05-13 Qualcomm Mems Technologies, Inc. Illumination device having a tapered light guide
CN101499506B (zh) * 2008-01-30 2012-06-13 旭丽电子(广州)有限公司 发光二极管元件
KR20090100117A (ko) * 2008-03-19 2009-09-23 삼성전자주식회사 백라이트 유닛과 이를 포함하는 액정 표시 장치
US8358266B2 (en) 2008-09-02 2013-01-22 Qualcomm Mems Technologies, Inc. Light turning device with prismatic light turning features
US20100051089A1 (en) * 2008-09-02 2010-03-04 Qualcomm Mems Technologies, Inc. Light collection device with prismatic light turning features
KR20110081270A (ko) * 2008-10-10 2011-07-13 퀄컴 엠이엠스 테크놀로지스, 인크. 분산 조명 제어 시스템
CN102177398B (zh) * 2008-10-10 2015-01-28 高通Mems科技公司 分布式照明***
TW201020643A (en) * 2008-11-25 2010-06-01 Chi Mei Lighting Tech Corp Side view type light-emitting diode package structure, and manufacturing method and application thereof
JPWO2010067701A1 (ja) * 2008-12-12 2012-05-17 三洋電機株式会社 発光装置、発光装置モジュールおよび発光装置の製造方法
JP2010153861A (ja) * 2008-12-15 2010-07-08 Yiguang Electronic Ind Co Ltd 発光ダイオードパッケージ構造
WO2010082952A1 (en) 2009-01-13 2010-07-22 Qualcomm Mems Technologies, Inc. Large area light panel and screen
CN101800275B (zh) * 2009-02-11 2012-09-05 奇力光电科技股份有限公司 侧视型发光二极管封装结构及其制造方法与应用
US20100302218A1 (en) * 2009-05-29 2010-12-02 Qualcomm Mems Technologies, Inc. Illumination devices and methods of fabrication thereof
KR100986571B1 (ko) * 2010-02-04 2010-10-07 엘지이노텍 주식회사 발광소자 패키지 및 그 제조방법
DE102010023955A1 (de) * 2010-06-16 2011-12-22 Osram Opto Semiconductors Gmbh Optoelektronisches Bauteil
US8402647B2 (en) 2010-08-25 2013-03-26 Qualcomm Mems Technologies Inc. Methods of manufacturing illumination systems
CN102479909B (zh) * 2010-11-24 2014-12-10 展晶科技(深圳)有限公司 发光二极管
CN102479906A (zh) * 2010-11-24 2012-05-30 展晶科技(深圳)有限公司 发光二极管封装结构
EP2655961A4 (en) * 2010-12-23 2014-09-03 Qd Vision Inc OPTICAL ELEMENT CONTAINING QUANTUM POINTS
JP2012142410A (ja) * 2010-12-28 2012-07-26 Rohm Co Ltd 発光素子ユニットおよびその製造方法、発光素子パッケージならびに照明装置
CN102593307A (zh) * 2011-01-07 2012-07-18 钰桥半导体股份有限公司 发光二极管光学反射结构
TWI462348B (zh) * 2011-01-27 2014-11-21 矽品精密工業股份有限公司 發光裝置及其製法
JP4904604B1 (ja) * 2011-02-17 2012-03-28 国立大学法人九州工業大学 Ｌｅｄモジュール装置及びその製造方法
TWI517452B (zh) * 2011-03-02 2016-01-11 建準電機工業股份有限公司 發光晶體之多晶封裝結構
TWI451605B (zh) 2011-03-08 2014-09-01 Lextar Electronics Corp 具有金屬反射面與散熱塊之發光二極體結構
KR20120108437A (ko) * 2011-03-24 2012-10-05 삼성전자주식회사 발광소자 패키지
CN202094168U (zh) * 2011-05-03 2011-12-28 深圳市华星光电技术有限公司 Led封装结构
KR101830717B1 (ko) * 2011-06-30 2018-02-21 엘지이노텍 주식회사 발광 소자 패키지
KR101824011B1 (ko) * 2011-07-29 2018-01-31 엘지이노텍 주식회사 발광소자 패키지
KR20130022052A (ko) * 2011-08-24 2013-03-06 엘지이노텍 주식회사 발광소자 패키지 및 조명 장치
CN102544318B (zh) * 2012-01-04 2015-06-03 歌尔声学股份有限公司 发光二极管装置
CN103682059B (zh) * 2012-09-05 2016-08-17 长华电材股份有限公司 发光二极管封装的前制程方法及其结构
CN103794698B (zh) * 2012-10-31 2016-12-21 展晶科技(深圳)有限公司 发光二极管
JP2013030812A (ja) * 2012-11-06 2013-02-07 Mitsubishi Chemicals Corp Ｌｅｄチップ固定用基板およびその製造方法
EP2948709B1 (en) * 2013-01-25 2016-10-05 Koninklijke Philips N.V. Lighting assembly and method for manufacturing a lighting assembly
US20140208689A1 (en) 2013-01-25 2014-07-31 Renee Joyal Hypodermic syringe assist apparatus and method
JP6175952B2 (ja) * 2013-07-19 2017-08-09 日亜化学工業株式会社 発光装置
KR102123039B1 (ko) 2013-07-19 2020-06-15 니치아 카가쿠 고교 가부시키가이샤 발광 장치 및 그 제조 방법
US9673364B2 (en) 2013-07-19 2017-06-06 Nichia Corporation Light emitting device and method of manufacturing the same
DE102013219063A1 (de) 2013-09-23 2015-03-26 Osram Opto Semiconductors Gmbh Optoelektronisches Bauelement und Verfahren zu seiner Herstellung
US10260684B2 (en) 2013-12-17 2019-04-16 Lumileds Llc Low and high beam LED lamp
US9630333B2 (en) * 2014-03-31 2017-04-25 Sphynx Collection, Llc Travel razor
JP6671117B2 (ja) * 2014-07-08 2020-03-25 エルジー イノテック カンパニー リミテッド 発光素子パッケージ
DE102014112818A1 (de) * 2014-09-05 2016-03-10 Osram Opto Semiconductors Gmbh Verfahren zum Herstellen eines optoelektronischen Bauelements und optoelektronisches Bauelement
DE102015102785A1 (de) * 2015-02-26 2016-09-01 Osram Opto Semiconductors Gmbh Optoelektronische Leuchtvorrichtung
JP6638282B2 (ja) * 2015-09-25 2020-01-29 三菱マテリアル株式会社 冷却器付き発光モジュールおよび冷却器付き発光モジュールの製造方法
EP3166146B1 (en) * 2015-11-06 2019-04-17 ams AG Optical package and method of producing an optical package
JP6361645B2 (ja) 2015-12-22 2018-07-25 日亜化学工業株式会社 発光装置
CN106129226A (zh) * 2016-08-31 2016-11-16 苏州市悠文电子有限公司 侧发发光二极管
JP7140956B2 (ja) * 2017-10-25 2022-09-22 日亜化学工業株式会社 発光装置、パッケージ及びそれらの製造方法
US11333320B2 (en) 2018-10-22 2022-05-17 American Sterilizer Company Retroreflector LED spectrum enhancement method and apparatus
CN109952660B (zh) * 2018-12-14 2022-07-19 泉州三安半导体科技有限公司 发光二极管封装体

Citations (4)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2000277813A (ja) 1999-03-26 2000-10-06 Matsushita Electric Works Ltd 光源装置
JP2003046137A (ja) 2001-07-27 2003-02-14 Matsushita Electric Ind Co Ltd 半導体発光装置
JP2003273405A (ja) 2002-03-19 2003-09-26 Kyocera Corp 発光素子収納用パッケージ
JP2005019919A (ja) 2003-06-30 2005-01-20 Toyoda Gosei Co Ltd 発光装置

Family Cites Families (9)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
DE19638667C2 (de) 1996-09-20 2001-05-17 Osram Opto Semiconductors Gmbh Mischfarbiges Licht abstrahlendes Halbleiterbauelement mit Lumineszenzkonversionselement
JP3316838B2 (ja) 1997-01-31 2002-08-19 日亜化学工業株式会社 発光装置
JP2002043632A (ja) * 2000-07-21 2002-02-08 Citizen Electronics Co Ltd 発光ダイオード
US6614103B1 (en) * 2000-09-01 2003-09-02 General Electric Company Plastic packaging of LED arrays
JP2002190619A (ja) 2000-12-22 2002-07-05 Toshiba Corp 半導体発光素子及びその製造方法
AU2002250235A1 (en) * 2001-03-02 2002-09-19 Innovative Solutions And Support, Inc. Image display generator for a head-up display
KR20040092512A (ko) * 2003-04-24 2004-11-04 (주)그래픽테크노재팬 방열 기능을 갖는 반사판이 구비된 반도체 발광장치
JP2005109289A (ja) 2003-10-01 2005-04-21 Nichia Chem Ind Ltd 発光装置
JP4792726B2 (ja) * 2003-10-30 2011-10-12 日亜化学工業株式会社 半導体素子用支持体の製造方法

Patent Citations (4)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2000277813A (ja) 1999-03-26 2000-10-06 Matsushita Electric Works Ltd 光源装置
JP2003046137A (ja) 2001-07-27 2003-02-14 Matsushita Electric Ind Co Ltd 半導体発光装置
JP2003273405A (ja) 2002-03-19 2003-09-26 Kyocera Corp 発光素子収納用パッケージ
JP2005019919A (ja) 2003-06-30 2005-01-20 Toyoda Gosei Co Ltd 発光装置

Cited By (5)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR100961231B1 (ko) 2007-07-23 2010-06-03 노밸리트 옵트로닉스 코포레이션 초미세 사이드뷰 발광다이오드 패키지 및 그 제조방법
KR101911984B1 (ko) * 2011-07-22 2019-01-03 가디언 인더스트리즈 코퍼레이션. 개선된 ｌｅｄ 조명 시스템 및/또는 그 제조 방법
KR20130118552A (ko) * 2012-04-20 2013-10-30 엘지이노텍 주식회사 발광 소자 패키지 및 이를 구비한 발광 장치
US10340433B2 (en) 2015-01-19 2019-07-02 Lg Innotek Co., Ltd. Light emitting device
US9793249B2 (en) 2015-03-11 2017-10-17 Lg Innotek Co., Ltd. Light emitting device and light unit having the same

Also Published As

Publication number Publication date
US20070001187A1 (en) 2007-01-04
CN1893130A (zh) 2007-01-10
JP4592650B2 (ja) 2010-12-01
US7687815B2 (en) 2010-03-30
US8268651B2 (en) 2012-09-18
CN100433390C (zh) 2008-11-12
JP2007019505A (ja) 2007-01-25
US20100120182A1 (en) 2010-05-13

Similar Documents

Publication Publication Date Title
KR100665216B1 (ko) 개선된 측벽 반사 구조를 갖는 측면형 발광다이오드
KR101314414B1 (ko) 광 장치
JP4791951B2 (ja) 照明モジュールおよび該照明モジュールの製造方法
US8610145B2 (en) Light emitting device
US9397271B2 (en) UV- and heat-resistant optoelectronic semiconductor component
JP2004040099A (ja) オプトエレクトロニクス素子およびオプトエレクトロニクス素子の製造方法
KR20070081864A (ko) 측면 발광형 엘이디 및 그 제조방법
US9385258B2 (en) Optoelectronic semiconductor device with protective and reflective sheaths
KR20060048617A (ko) 발광장치 및 조명장치
US11335837B2 (en) Light emitting diode package
JP2007067116A (ja) 発光装置
KR20160046198A (ko) 발광 소자 패키지
WO2013121708A1 (ja) 発光装置およびその製造方法
KR101813495B1 (ko) 발광소자 패키지
KR20130032202A (ko) 발광 소자 패키지 및 이를 구비한 라이트 유닛
JP2006351611A (ja) 発光素子搭載用基板及びそれを用いた光半導体装置
KR20160032429A (ko) 발광 소자 패키지
KR20090103292A (ko) Ｌｅｄ 패키지
KR100969141B1 (ko) 발광 다이오드 패키지
US10943892B2 (en) Light-emitting semiconductor chip, light-emitting component and method for producing a light-emitting component
JPH11177130A (ja) Ｌｅｄランプ
KR20130084859A (ko) 발광소자 패키지 및 그 제조 방법
KR20130080976A (ko) 발광소자 패키지

Legal Events

Date Code Title Description
A201 Request for examination
E902 Notification of reason for refusal
E701 Decision to grant or registration of patent right
GRNT Written decision to grant
FPAY Annual fee payment

Payment date: 20121130

Year of fee payment: 7

FPAY Annual fee payment

Payment date: 20131129

Year of fee payment: 8