KR100736623B1 - 수직형 발광 소자 및 그 제조방법 - Google Patents

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KR100736623B1
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Abstract

본 발명은 수직형 발광 소자에 관한 것으로 특히, 발광 효율을 향상시킬 수 있는 수직형 발광 소자의 제조방법에 관한 것이다. 이러한 본 발명은, 기판상에 복수의 반도체층들을 성장시키는 단계와; 상기 반도체층 상에 제1전극을 형성하는 단계와; 상기 기판을 제거하는 단계와; 상기 기판이 제거되어 드러난 반도체층 위에 유전체층을 형성하는 단계와; 상기 유전체층에 다수의 홀을 형성하는 단계와; 상기 다수의 홀이 형성된 유전체층 면을 식각하여, 상기 반도체층에 다수의 홈을 형성하는 단계와; 상기 유전체층을 제거하는 단계와; 상기 유전체층이 제거된 반도체층 면에 제2전극을 형성하는 단계를 포함하여 구성되는 것이 바람직하다.
광결정, 패턴, 식각, 반도체, 산화물.

Description

수직형 발광 소자 및 그 제조방법{LED having vertical structure and method for making the same}
도 1은 종래의 발광 소자의 일례를 나타내는 단면도이다.
도 2는 본 발명의 기판 위에 LED 구조를 형성한 단계를 나타내는 단면도이다.
도 3은 본 발명의 기판을 제거하고 유전체층을 형성한 단계를 나타내는 단면도이다.
도 4는 본 발명의 유전체층에 홀 패턴을 형성하기 위한 마스크를 위치시킨 단계를 나타내는 단면도이다.
도 5는 본 발명의 유전체층에 다수의 홀을 형성한 단계를 나타내는 단면도이다.
도 6 내지 도 10은 본 발명의 다수의 홀 패턴의 예를 나타내는 평면도이다.
도 11은 본 발명의 건식 식각 과정을 나타내는 개략도이다.
도 12는 본 발명의 n-형 반도체층에 광결정을 형성한 단계를 나타내는 단면도이다.
도 13은 본 발명의 광결정 구조를 나타내는 SEM 이미지이다.
도 14는 본 발명의 발광 소자의 구조를 나타내는 단면도이다.
<도면의 주요 부분에 대한 간단한 설명>
10 : 기판 20 : 반도체층
21 : n-형 반도체층 22 : 활성층
23 : p-형 반도체층 24 : 홈
30 : n-형 전극 40 : 반사전극
50 : 지지층 60 : 유전체층
70 : 마스크 80 : 광결정 구조
100 : LED 구조 200 : 챔버
210 : 코일 220 : RF 공급기
230 : 하부 전극 240 : 바이어스 전압 공급기
본 발명은 수직형 발광 소자에 관한 것으로 특히, 발광 효율을 향상시킬 수 있는 수직형 발광 소자의 제조방법에 관한 것이다.
현재 큰 밴드갭을 가진 질화물계 반도체를 이용하여 질화물계 반도체 성장 구조나 성장된 박막의 제작공정을 개선시켜 광변환 효율이 높은 발광 소자(LED: light emitting diode) 개발이 활발이 이루어지고 있다.
이러한 LED의 광출력에 있어서 내부 양자 효율(Internal quantum efficiency)과 함께 광 추출 효율(extraction efficiency)은 고려해야할 중요한 요 소이다.
대부분의 LED에 있어서, 광 추출 효율은 제한이 되는데, 이는 반도체와 공기 사이의 면과 같은 계면(interface)에서 발생되는 내부의 반사에 기인한다.
이러한 현상은 두 물질간의 굴절율 차이에 의한 스넬의 법칙(Snell's law: n1 * sin q1 = n2 * sin q2)의 관계에 의하여, 계면에서 임계각(critical angle)보다 작게 입사되는 빛은 투과되고, 임계각보다 큰 빛은 반사되는 현상에서 기인하는 것이다.
이와 같은 LED의 광 추출 효율을 개선하는 방법은 다음과 같은 방법들이 있다.
첫째로 LED 칩의 모양을 변형하여 칩 표면에 빛이 수직한 방향으로 입사하는 확률을 높이는 방법이 있으며, 칩을 반구형태의 모양으로 제작하는 것이 이론적으로 가장 최적이라고 알려져 있으나 제작이 어렵고 비용이 많이 든다는 단점이 있다.
둘째로 반구형의 에폭시 돔(epoxy dome)을 이용하여 LED를 봉지(encapsulation)하는 방법이 있으며, 세번째 방법으로 LED 구조 내에서 광을 재흡수하는 기존의 기판(substrate)을 투명 기판으로 변경하는 방법도 있다.
이와 함께 미세 공동(microcavity) 혹은 공명 공동(resonant cavity) 구조를 가지는 LED를 제작하는 방법이 있는데, 이는 매우 정교한 성장 제어(growth control)가 요구되며 반도체로부터 공기중으로 빛이 효율적으로 추출되려면 LED의 발광 파장이 정확하게 공동 모드(cavity mode)와 일치하여야 하는 어려움이 있다. 따라서 온도나 전류가 증가하면 발광 파장이 변화하여 광출력이 급격하게 감소하는 문제점이 있다.
최근에는 이러한 LED 칩의 발광표면에 광결정(photonic crystal) 구조와 같은 구조적인 형상을 형성하는 기술들이 보고되고 있으며, 이러한 기술은 LED 칩 상에서 광 추출 효율을 향상할 수 있는 기술로서, 상술한 칩 모양을 변형하는 기술과 에폭시 봉지(epoxy encapsulation) 방법과 기판 변경 등의 방법과 함께 적용할 수 있어서 광 추출 효율을 더욱 크게 개선할 수 있다.
이와 같은 광결정을 이용하는 방법은 기판으로 사용되는 사파이어를 식각하는 방법과 p-형 GaN층 표면을 거칠게 하는 방법보다 더욱 우수한 광추출 효율을 갖는다.
이러한 광결정을 이용하는 대표적인 방법은 도 1에서 도시하는 바와 같이, 사파이어 기판(1) 위에 n-형 질화갈륨(GaN)층(2)과 활성층(발광층: 3) 및 p-형 질화갈륨(GaN)층(4)을 차례로 형성하고, 상기 n-형 GaN층(2)이 드러나도록 식각된 면에 n-형 전극(5)을, 그리고 상기 p-형 GaN층(4)에는 p-형 전극(6)을 형성한다.
이후, 상술한 기본 구조에서 상단의 p-형 GaN층(4)을 일정한 주기의 패턴으로 식각하여 광결정(7)을 형성하는 것이다.
그러나, 이런 방법은 p-형 GaN층(4)의 본질적으로 낮은 전기적 특성과 얇은 박막 두께 및 식각에 의한 전기적 특성의 퇴화에 의해서 광추출 효율 개선이 제한된다.
다른 방법으로는 기판 위에 p-형 GaN층을 먼저 성장시키고 발광층을 성장시킨 후 상단에 n-형 GaN층을 성장시킨 구조를 사용하여 상단의 n-형 GaN층에 광결정 구조를 형성시키는 방법이다.
그러나, p-형 GaN층의 본질적으로 낮은 전기적 전도성과 낮은 결정성 및 식각에 의한 전기적 특성 퇴화는 p-형 GaN층을 하단에 성장시키는 방법을 불가능하게 한다.
또 다른 방법은 사파이어 기판 위에 n-형 GaN층을 성장하고, 이어 발광층을 성장하고 p-형 GaN층을 성장한 후, 다시 n-형 GaN층을 성장시키는 방법이 있다. 이는 p-GaN층과 n-층 GaN층 사이에서의 전기적 터널접합 특성을 이용하는 방법이다.
그러나, 이 방법 역시 p-형 GaN층의 낮은 전기적 특성으로 말미암아 접합부위에서 저항을 증가시켜서 결국 소자의 작동 전압을 증가시키는 문제점을 갖는다.
그 외의 다른 방법으로는 사파이어 기판 위에 n-형 GaN층, 발광층, p-형 GaN층을 차례로 성장시킨 후 반사층과 열방출 능력이 우수한 금속판을 접합시킨 후 적절한 방법으로 사파이어를 제거하고 노출된 n-형 GaN층에 식각공정을 통해서 광결정을 형성하는 방법이다.
그러나, 이러한 방법도 역시 접합된 박막층의 식각 공정 단계에서 금속판이 충분히 안정하지 못하여 식각공정이 어렵고 생산성이 낮은 문제점이 있었다.
본 발명이 이루고자 하는 기술적 과제는, 수직형 발광 소자에 있어서, 발광 소자의 상측면에 효율적으로 광결정 구조를 형성할 수 있는 수직형 발광 소자 및 그 제조방법을 제공하는 데 있다.
상기 기술적 과제를 이루기 위해, 본 발명은, 기판상에 복수의 반도체층들을 성장시키는 단계와; 상기 반도체층 상에 제1전극을 형성하는 단계와; 상기 기판을 제거하는 단계와; 상기 기판이 제거되어 드러난 반도체층 위에 유전체층을 형성하는 단계와; 상기 유전체층에 다수의 홀을 형성하는 단계와; 상기 다수의 홀이 형성된 유전체층 면을 식각하여, 상기 반도체층에 다수의 홈을 형성하는 단계와; 상기 유전체층을 제거하는 단계와; 상기 유전체층이 제거된 반도체층 면에 제2전극을 형성하는 단계를 포함하여 구성되는 것이 바람직하다.
상기 유전체층은 산화물 또는 질화물이고, 상기 다수의 홀 또는 홈은 규칙적으로 형성되는 것이 바람직하다.
또한, 상기 다수의 홀 또는 다수의 홈을 형성하는 단계는, 건식 식각법을 이용하여 형성되며, 특히, RIE(reactive ion etching) 또는 ICP-RIE(inductively coupled plasm reactive ion etching)를 이용할 수 있다.
이때, 상기 건식 식각법은 Ar, BCl3, Cl2, CF4, CHF3 중 적어도 어느 하나를 이용하는 것이 바람직하다.
한편, 상기 유전체층에 다수의 홀을 형성하는 단계에서, 상기 다수의 홀은 상기 제2전극 형성 영역을 제외한 부분에 형성할 수 있다.
상기 기술적 과제를 이루기 위한 다른 관점으로서, 본 발명은, 지지층과; 상 기 지지층 위에 위치하는 제1전극과; 상기 제1전극 위에 위치하는 제1반도체층과; 상기 제1반도체층 위에 위치하는 발광층과; 상기 발광층 위에 위치하는 제2반도체층과; 상기 제2반도체층의 1/3 이상의 깊이로 형성되는 다수의 홈으로 이루어지는 광결정과; 상기 광결정 위에 위치하는 제2전극을 포함하여 구성되는 것이 바람직하다.
이하, 첨부된 도면을 참고하여 본 발명에 의한 실시예를 상세히 설명하면 다음과 같다.
도 2는 기판(10)에 형성된 LED 구조(100)를 나타내고 있다.
이러한 LED 구조(100)의 형성은, 먼저, 사파이어와 같은 기판(10) 위에 화합물 반도체층(20)을 형성한다. 이와 같은 반도체층(20)은 기판(10) 측으로부터 차례로, n-형 반도체층(21), 활성층(22), p-형 반도체층(23)의 순서로 이루어진다.
이때, 상기 n-형 반도체층(21), 활성층(22), p-형 반도체층(23)의 순서는 반대로 형성될 수도 있다. 즉, 기판(10) 위로부터 p-형 반도체층(23), 활성층(22), n-형 반도체층(21)의 순서로 형성될 수도 있다.
특히, 상기 반도체층(20)은 질화갈륨(GaN) 계열 반도체가 이용될 수 있으며, 이때, 상기 활성층(22)은 InGaN/GaN 양자우물(quantum well: QW) 구조를 이룰 수 있다. 그 외에 AlGaN, AlInGaN 등의 물질도 활성층(22)으로 이용될 수 있음은 물론이다. 이러한 활성층(22)에서는 전계를 인가하였을 때, 전자-정공 쌍의 결합에 의하여 빛이 발생하게 된다.
또한, 이러한 활성층(22)은 휘도 향상을 위하여 상술한 양자우물 구조(QW)가 복수로 형성되어 다중 양자우물(multi quantum well: MQW) 구조를 이룰 수 있다.
상기 반도체층(20) 위에는 p-형 전극(30)이 형성된다. 이때, 이러한 p-형 전극(30)은 오믹 전극이며, 이 p-형 전극(30) 위에는 상기 활성층(22)에서 발생한 빛을 반사하여 외부로 방출시키기 위한 반사전극(40)이 형성될 수 있다.
또한, p-형 전극(30)과 반사전극(40)의 물질의 선택에 따라 하나의 전극이 p-형 전극(30)과 반사전극(40)의 역할을 겸할 수도 있다.
이러한 반사전극(40) 위에는 추후 기판(10) 분리과정에서 LED 구조(100)의 지지를 위하여 지지층(50)이 형성될 수 있다.
이와 같은 지지층(50)은 실리콘(Si), 갈륨비소(GaAs), 게르마늄(Ge) 등의 반도체 기판이나 CuW 등의 금속 기판을 반사전극(40) 위에 본딩하여 형성할 수 있다. 또한, 상기 반사전극(40) 위에 니켈(Ni) 또는 구리(Cu)와 같은 금속을 도금하여 형성할 수도 있다.
이러한 지지층(50)이 금속인 경우에는 반사전극(40)에 부착성을 높이기 위하여 결합금속(seed metal)을 이용하여 형성할 수도 있다.
이상과 같은 단계에 의하여 LED 구조(100)는 도 2와 같은 구조를 이룬다. 이와 같이 형성된 구조는, 이후, 상기 기판(10)을 제거하고, 이 기판(10)이 제거된 면에 유전체층(60)을 형성하여 도 3과 같은 구조가 된다.
상기 기판(10)의 제거는 이른바, 레이저 리프트 오프(laser lift off)법을 이용하여 레이저를 이용하여 제거할 수 있고, 또한 식각법을 이용하여 화학적인 방법으로 제거할 수도 있다.
이러한 기판(10)의 제거하는 과정에서 상기 지지층(50)은 LED 구조(100)를 지지할 수 있도록 한다.
상기 기판(10)이 제거되어 드러나는 n-형 반도체층(21)에는 상술한 바와 같이, 유전체층(60)이 형성되는데, 이러한 유전체층(60)은 산화물 또는 질화물이 이용될 수 있고, 그 일례로, 실리콘 산화물(SiO2)이 이용될 수 있다.
상기 유전체층(60)에는 규칙적으로 이루어지는 다수의 홀(61)이 형성되는데, 이러한 홀(61)의 형성은 RIE(reactive ion etching: 반응성 이온 에칭) 또는 ICP-RIE(inductively coupled plasma reactive ion etching: 유도 결합 플라즈마 반응성 이온 에칭)과 같은 건식 식각법이 이용될 수 있다.
이러한 건식 식각법은 습식 식각법과 달리, 일방성 식각이 가능하여 이러한 홀(61)을 형성하기에 적합하다. 즉, 습식 식각법은 등방성(isotropic) 식각이 이루어져, 모든 방향으로 식각이 이루어지나, 이와 달리 건식 식각법은 홀(61)을 형성하기 위한 깊이 방향으로만의 식각이 가능하여, 홀(61)의 크기 및 간격 등을 원하는 패턴으로 형성할 수 있다.
상기와 같은 다수의 홀(61)을 형성하기 위해서는, 도 4에서와 같이, 홀 패턴(71)이 형성된 패턴 마스크(70)를 이용할 수 있다.
이러한 패턴 마스크(70)는 크롬(Cr)과 같은 금속 마스크를 이용할 수 있고, 경우에 따라서는 포토 레지스트를 이용할 수 있다.
패턴 마스크(70)로 포토 레지스트를 이용하는 경우에 홀 패턴(71)은 포토 리 소그래피(photo-lithography), e-빔 리소그래피(e-beam lithography), 또는 나노 임프린트 리소그래피(nano imprint lithography) 등의 방법을 이용하여 형성할 수 있다. 또한 이와 같은 과정은 건식 식각 또는 습식 식각을 이용할 수 있다.
상기 패턴 마스크(70)로 크롬 마스크를 이용하는 경우에, 크롬에 패턴을 형성하기 위해서는 크롬 위에 폴리머층을 형성하고, 이러한 폴리머에 나노 임프린팅을 이용하여 패턴을 형성한 후에, 크롬 마스크를 식각하여 패턴 마스크(70)를 형성한다. 이러한 크롬 마스크의 식각은 건식 식각법이 사용될 수 있다.
이러한 건식 식각법은 상술한 바와 같은 RIE, ICP-RIE가 사용될 수 있으며, 이때, 사용되는 가스는 Cl2 및 O2 중 적어도 어느 하나가 사용될 수 있다.
이때, 추후 n-형 전극패드(91: 도 14 참고)가 형성될 공간을 위하여, 이러한 일부 영역에서는 홀 패턴(71)을 형성하지 않는 것이 바람직하다.
이러한 과정을 통하여 상기 유전체층(60)에는, 도 5에서 도시하는 바와 같이, 상기 홀 패턴(71)과 동일한 패턴의 다수의 홀(61)이 형성되는데, 이때 상기 다수의 홀(61)은 유전체층(60) 전체를 관통하여 형성된다.
상술한 다수의 홀(61)은 다양한 패턴으로 형성될 수 있는데, 예를 들어, 그 패턴이 정방형을 이루도록 형성할 수 있다. 또한, 도 6 내지 도 10에서 도시하는 바와 같이, 다양한 패턴으로 형성이 가능하다.
즉, 도 6에서와 같이, 상기 다수의 홀(61)들이 발광 소자 패키지의 사선형으로 나열되도록 형성할 수 있고, 도 7에서와 같이, 상기 홀(61)들이 발광 소자 패키 지의 다수로 구획된 면에서 사선을 이루도록 형성할 수 있다. 이때, 이러한 사선의 패턴들은 다른 구획의 사선 패턴들이 서로 만나지 않도록 할 수 있다.
또한, 도 8 및 도 9에서와 같이, 이러한 다수의 홀(61)의 사선형 패턴이 복수의 구역에서 서로 만나도록 형성할 수도 있다. 도 8에서는 발광 소자가 두 개의 영역으로 구획된 상태에서 홀(61)이 각 구획의 경계면에서 서로 만나는 사선형으로 배열된 패턴을 나타내고, 도 9에서는 네 개의 영역으로 구획된 서로 만나는 사선형 패턴을 도시하고 있다.
한편, 도 10에서 도시하는 바와 같이, 상기 다수의 홀(61)이 복수의 동심원형 또는 방사형 패턴을 이루도록 형성할 수도 있다.
그 외에, 6각형, 8각형 등 다양한 다각형의 패턴, 사다리꼴 등으로 형성할 수도 있고, 부정형의 패턴도 가능하다.
이러한 홀(61)이 형성된 유전체층(60)이 n-형 반도체층(21) 위에 위치한 상태에서, 도 6에서 도시하는 바와 같이, 건식 식각법을 이용하여 상기 유전체층(60) 표면을 통하여 n-형 반도체층(21)을 식각하여 다수의 홈(24)을 형성한다.
이와 같이, n-형 반도체층(21) 위에 형성된 유전체층(60)은 상기 n-형 반도체층(21)을 식각하기 위한 마스크 또는 보호막 역할을 수행하게 된다.
이때, 상기 다수의 홈(24)은 유전체층(60)에 형성된 홀(61)의 패턴과 동일한 패턴으로 형성된다.
즉, 홈(24)의 패턴은, 상기 도 6 내지 도 10을 참고하여 상술한 바와 같은, 정방형, 복수의 사선형, 적어도 둘 이상의 구획이 나뉘어진 복수의 사선형, 적어도 둘 이상의 구획이 나뉘어지며 서로 반대방향을 향하는 복수의 사선형, 복수의 동심원형, 다각형, 사다리꼴, 및 방사형의 패턴 등으로 형성될 수 있다.
도 11에서는 ICP-RIE를 이용하여 n-형 반도체층(21)에 홈(24)을 형성하는 과정을 도시하고 있다.
이러한 ICP-RIE 장치는 평면형, 솔레노이드형이 모두 사용될 수 있으며, 도 11에서는 평면형 ICP-RIE 장치를 도시하고 있다. 그 구체적인 방법을 설명하면 다음과 같다.
상기 ICP-RIE 장치는, 접지된 금속 실드(201)와, 이를 덮는 절연창(202)으로 이루어지는 챔버(200) 위에 구리 코일(210)이 위치하고, 전력이 RF 공급기(220)로부터 코일(210)에 가해진다. 이때, 상기 RF 전력에 의해 절연창(202)을 절연하기 위해 적절한 각도에서 자기장이 형성되어야 한다.
이와 같은 챔버(200)의 하부 전극(230) 상에 홀(61) 패턴을 갖는 유전체층(60)이 형성된 LED 구조(100)를 위치시킨다. 상기 하부 전극(230)은 에칭이 이루어지도록 LED 구조(100)를 편향시키는 바이어스 전압 공급기(240)와 연결된다.
이러한 바이어스 전압 공급기(240)는 무선 주파수 전력 및 DC 바이어스 전압을 공급하는 것이 바람직하다.
이때, Ar, BCl3, Cl2 중 적어도 어느 하나의 가스가 적절히 혼합된 가스 혼합물이 반응성 가스 포트(203)를 통해 챔버(200) 내로 유입되고, 이때 전자는 상측 포트(204)를 통해 챔버(200) 내로 주입된다.
이와 같이 주입된 전자는 코일(210)에 의해 생성된 전자기장에 의하여, 주입된 혼합 가스의 중성 입자와 충돌하여 플라즈마를 생성하는 이온과 중성 원자를 형성한다.
이러한 플라즈마 내의 이온은 바이어스 전압 공급기(240)에 의해 전극(230)에 공급된 바이어스 전압에 의해 LED 구조(100)를 향하여 가속되며, 상기 가속된 전자와 함께 유전체층(60)에 형성된 홀(61)의 패턴을 통과하여, 도 12에서와 같이, n-형 반도체층(21)에 홈(24) 패턴을 형성한다.
이때, 챔버(200) 내의 압력은 5 mTorr로 유지시키고, He 흐름을 이용할 수 있으며, 에칭 과정에서 챔버는 10℃로 쿨링하는 것이 바람직하다.
또한, 상기 RF 공급기(220)와 바이어스 전압 공급기(240)는 각각 33W, 230W의 전력을 이용할 수 있다.
이러한 ICP-RIE 장치는 유전체층(61)에 홀(60)을 형성할 때도 동일하게 이용될 수 있으며, 이때, 혼합 가스는 CF4, Ar, CHF3 중 적어도 어느 하나 이상이 이용할 수 있고, RF 공급기(220)와 바이어스 전압 공급기(240)는 각각 50W, 300W의 전력을 이용할 수 있다.
한편, 상술한 과정에 의하여 상기 유전체층(61)에 형성된 다수의 홀(60)을 불규칙적으로 형성함으로써, 상기 n-형 반도체층(21)에 형성된 홈(24)이 불규칙적으로 형성될 수도 있다. 이러한 불규칙적으로 형성된 홈(24)은 광이 추출되는 표면을 거칠게 하여 광 추출 효율을 향상시킬 수 있다.
그러나 바람직하게는 상기 홈(24) 패턴을 규칙적으로 형성하여 주기성을 가지게 함으로써(도 6 내지 도 10 참고), 이른바, n-형 반도체층(21)의 표면에 광결정 구조(80)를 형성하는 것이 바람직하다.
도 13은 상기와 같은 과정에 의하여 n-형 반도체층(21)에 형성된 광결정 구조(80)의 SEM(scaning electron microscopy) 이미지를 나타내고 있다.
이러한 광결정 구조(80)는 GaN의 굴절률(2.6)과 광이 추출되는 LED의 에폭시 렌즈 굴절률(1.5)과, 구동전압과의 관계 등을 고려할 때, 광결정 주기는 0.5 내지 1.5㎛, 그리고 광결정을 이루는 홈(24)의 직경은 대략 상기 주기의 0.3 내지 0.6배로 형성하는 것이 바람직하다.
또한, 홈(24)의 깊이는 상기 n-형 반도체층(21)의 1/3 이상의 깊이로 형성하는 것이 바람직하다.
이와 같은 광결정 구조(80)가 형성되면, 이러한 광결정 구조(80)에서는 굴절률의 배치가 주기적으로 이루어지게 된다. 이때, 광결정 구조(80)의 주기(periodicity)가 방출되는 빛의 파장의 대략 절반 정도가 될 때, 주기적으로 굴절률(refractive index)이 변하는 광결정 격자에 의한 광자의 다중 산란에 의해 광금지대(photonic band gap)가 형성된다.
이러한 광결정 구조(80)에서 빛은 일정한 방향으로 효과적으로 방출되는 속성을 갖는다. 즉, 이와 같은 광금지대가 형성되므로, 발광되는 빛은 광결정 구조(80)를 이루는 홀(24)로 유입되거나 통과되지 못하고, 이 홀(24) 이외의 부분을 통하여 추출되는 현상이 발생될 수 있다.
상기와 같은 현상은 주기성을 갖는 다수의 홀(24)에 의하여 형성되는 광결정 구조(80)에서의 광자(photon)의 거동에 의하여 설명될 수 있다.
즉, 주기성을 갖는 다수의 홀(24)에 의하여 광결정 구조(80)에서는 유전상수(dielectric constant)가 주기적으로 변조되고, 이러한 광결정 구조(80)를 전파하는 빛의 거동에 영향을 주게 된다.
특히, 광결정 구조(80)의 광금지대가 LED에서 방출하는 빛의 파장대역에 속하거나 포함되는 경우에, 이러한 LED의 광자는 LED에서 마치 전반사 현상에 의하여 반사되는 것과 같은 효과가 발생한다.
이러한 광금지대는 마치, 결정구조에서의 전자와 유사성을 가지며, 이러한 광금지대에 속하는 광자는 광결정 구조(80)내에서 자유로이 전파되지 못한다.
따라서, LED에서 방출되는 빛의 광자가 모두 광금지대에 속하게 한다면 모든 광자들은 전반사 현상과 유사하게 LED를 빠져나오게 되며, 결국 발광 효율이 증가하게 되는 것이다.
상술한 바와 같이, 광결정 구조(80)가 형성된 LED 구조(100)의 상하측에는, 도 14에서 도시하는 바와 같이, 각각 n-형 전극패드(91)와 p-형 전극패드(92)가 형성되어 LED 구조(100)가 완성된다.
상기 실시예는 본 발명의 기술적 사상을 구체적으로 설명하기 위한 일례로서, 본 발명은 상기 실시예에 한정되지 않으며, 다양한 형태의 변형이 가능하고, 이러한 기술적 사상의 여러 실시 형태는 모두 본 발명의 보호범위에 속함은 당연하다.
이상과 같은 본 발명은 다음과 같은 효과가 있는 것이다.
첫째, 본 발명은 광결정 구조를 형성함에 있어서, 유전체층을 보호막으로 이용하여 건식 식각 공정을 통하여 형성되므로 보다 정밀한 구조의 광결정 구조를 형성할 수 있다.
둘때, 상기와 같이 형성된 광결정 구조에 의하여 LED의 광 추출 효율을 향상시킬 수 있다.
셋째, 본 발명은 n-형 반도체층 위에 선택적인 식각을 통하여 박막 내의 스트레인(strain)의 완화를 통하여 내부양자효율을 향상시킬 수 있다.

Claims (18)

  1. 기판상에 복수의 반도체층들을 성장시키는 단계와;
    상기 반도체층 상에 제1전극을 형성하는 단계와;
    상기 기판을 제거하는 단계와;
    상기 기판이 제거된 면에 드러난 반도체층 위에 유전체층을 형성하는 단계와;
    상기 유전체층에 다수의 홀을 형성하는 단계와;
    상기 다수의 홀이 형성된 유전체층 면을 식각하여, 상기 기판이 제거된 면에 드러난 반도체층에 다수의 홈을 형성하는 단계와;
    상기 유전체층을 제거하는 단계와;
    상기 유전체층이 제거된 반도체층 면에 제2전극을 형성하는 단계를 포함하여 구성되는 것을 특징으로 하는 수직형 발광 소자의 제조방법.
  2. 제 1항에 있어서, 상기 복수의 반도체층들을 성장시키는 단계는,
    상기 기판 위에 n형 반도체층을 형성하는 단계와;
    상기 n형 반도체층 위에 활성층을 형성하는 단계와;
    상기 활성층 위에 p형 반도체층을 형성하는 단계를 포함하는 것을 특징으로 하는 수직형 발광 소자의 제조방법.
  3. 제 1항에 있어서, 상기 제1전극을 형성하는 단계는,
    오믹전극을 형성하는 단계와;
    상기 오믹전극 위에 반사전극을 포함하는 것을 특징으로 하는 수직형 발광 소자의 제조방법.
  4. 제 1항에 있어서, 상기 반도체층 상에 제1전극을 형성하는 단계 이후에는, 상기 제1전극 위에 반도체 기판 또는 금속으로 이루어지는 지지층을 형성하는 단계를 더 포함하는 것을 특징으로 하는 수직형 발광 소자의 제조방법.
  5. 제 1항에 있어서, 상기 유전체층은 산화물 또는 질화물인 것을 특징으로 하는 수직형 발광 소자의 제조방법.
  6. 제 1항에 있어서, 상기 홈의 깊이는, 상기 기판이 제거된 면에 드러난 반도체층의 1/3 이상 형성하는 것을 특징으로 하는 수직형 발광 소자의 제조방법.
  7. 제 1항에 있어서, 상기 다수의 홀 또는 홈은 규칙성을 가지는 패턴으로 형성되는 것을 특징으로 하는 수직형 발광 소자의 제조방법.
  8. 제 7항에 있어서, 상기 다수의 홀 또는 홈의 패턴은, 정방형, 복수의 사선형, 적어도 둘 이상의 구획이 나뉘어진 복수의 사선형, 적어도 둘 이상의 구획이 나뉘어지며 서로 반대방향을 향하는 복수의 사선형, 복수의 동심원형, 다각형, 사다리꼴, 및 방사형 중 어느 하나인 것을 특징으로 하는 수직형 발광 소자의 제조방법.
  9. 제 1항에 있어서, 상기 다수의 홀 또는 홈을 형성하는 단계는, 건식 식각법을 이용하는 것을 특징으로 하는 수직형 발광 소자의 제조방법.
  10. 제 9항에 있어서, 상기 건식 식각법은, RIE(reactive ion etching) 또는 ICP-RIE(inductively coupled plasma reactive ion etching) 인 것을 특징으로 하는 수직형 발광 소자의 제조방법.
  11. 제 9항에 있어서, 상기 건식 식각은, Ar, BCl3, Cl2, CF4, CHF3 중 적어도 어느 하나를 이용하는 것을 특징으로 하는 수직형 발광 소자의 제조방법.
  12. 제 1항에 있어서, 상기 유전체층에 다수의 홀을 형성하는 단계는, 상기 제2전극 형성 영역을 제외한 부분에 형성하는 것을 특징으로 하는 수직형 발광 소자의 제조방법.
  13. 지지층과;
    상기 지지층 위에 위치하는 제1전극과;
    상기 제1전극 위에 위치하는 제1반도체층과;
    상기 제1반도체층 위에 위치하는 발광층과;
    상기 발광층 위에 위치하는 제2반도체층과;
    상기 제2반도체층의 1/3 이상의 깊이로 형성되는 다수의 홈으로 이루어지는 광결정과;
    상기 광결정 위에 위치하는 제2전극을 포함하여 구성되는 것을 특징으로 하는 수직형 발광 소자.
  14. 제 13항에 있어서, 상기 광결정은 0.5 내지 1.5㎛의 주기를 갖는 것을 특징으로 하는 수직형 발광 소자.
  15. 제 13항에 있어서, 상기 광결정의 홈의 직경은, 상기 주기의 0.3 내지 0.6배에 해당하는 것을 특징으로 하는 수직형 발광 소자.
  16. 제 13항에 있어서, 상기 제1전극은 오믹전극과 반사전극 중 적어도 어느 하나인 것을 특징으로 하는 수직형 발광 소자.
  17. 제 13항에 있어서, 상기 제2반도체층은, n-형 질화물 반도체층인 것을 특징으로 하는 수직형 발광 소자.
  18. 제 13항에 있어서, 상기 광결정의 패턴은, 정방형, 복수의 사선형, 적어도 둘 이상의 구획이 나뉘어진 복수의 사선형, 적어도 둘 이상의 구획이 나뉘어지며 서로 반대방향을 향하는 복수의 사선형, 복수의 동심원형, 다각형, 사다리꼴, 및 방사형 중 어느 하나인 것을 특징으로 하는 수직형 발광 소자.
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