JPS613471A - 半導体装置 - Google Patents
半導体装置Info
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- JPS613471A JPS613471A JP59124331A JP12433184A JPS613471A JP S613471 A JPS613471 A JP S613471A JP 59124331 A JP59124331 A JP 59124331A JP 12433184 A JP12433184 A JP 12433184A JP S613471 A JPS613471 A JP S613471A
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Classifications
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- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L31/00—Semiconductor devices sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
- H01L31/04—Semiconductor devices sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof adapted as photovoltaic [PV] conversion devices
- H01L31/06—Semiconductor devices sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof adapted as photovoltaic [PV] conversion devices characterised by potential barriers
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-
- H—ELECTRICITY
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- H01L31/00—Semiconductor devices sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
- H01L31/02—Details
- H01L31/0224—Electrodes
- H01L31/022408—Electrodes for devices characterised by at least one potential jump barrier or surface barrier
- H01L31/022425—Electrodes for devices characterised by at least one potential jump barrier or surface barrier for solar cells
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- Y02—TECHNOLOGIES OR APPLICATIONS FOR MITIGATION OR ADAPTATION AGAINST CLIMATE CHANGE
- Y02E—REDUCTION OF GREENHOUSE GAS [GHG] EMISSIONS, RELATED TO ENERGY GENERATION, TRANSMISSION OR DISTRIBUTION
- Y02E10/00—Energy generation through renewable energy sources
- Y02E10/50—Photovoltaic [PV] energy
- Y02E10/548—Amorphous silicon PV cells
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Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
〔産業上の利用分野〕
本発明は半導体装置に関する。
従来、半導体の電気的接続のために、A7. Or。
Agなどの金属や、工To、Cd−8n 、%酸化物な
どの金属酸化物などが用いられ、半導体装置が製造され
ている。
どの金属酸化物などが用いられ、半導体装置が製造され
ている。
しかし、このようにして製造された半導体装置を50°
0程度以上の温度で使用すると、電気的 −接続に用い
た金属や金属酸化物が半導体中に拡散し、半導体特性が
低下する。とくに金属や金属酸化物が接触する半導体が
非晶質のばあいには、半導体特性の低下が著しい。とり
わけ半導体装置が太陽電池のばあいには、屋外に設置さ
れるため約80°Cにもなり、半導体特性の低下が著し
い。
0程度以上の温度で使用すると、電気的 −接続に用い
た金属や金属酸化物が半導体中に拡散し、半導体特性が
低下する。とくに金属や金属酸化物が接触する半導体が
非晶質のばあいには、半導体特性の低下が著しい。とり
わけ半導体装置が太陽電池のばあいには、屋外に設置さ
れるため約80°Cにもなり、半導体特性の低下が著し
い。
本発明は上記のごとき実情に鑑みてなされたものであり
、半導体装置を高温で使用したばあいに生ずる、電気的
接続用の金属や金属酸化物の半導体、とくに非晶質系半
導体中への拡散による半導体特性の低下を少なくするこ
とを目的とするものである。
、半導体装置を高温で使用したばあいに生ずる、電気的
接続用の金属や金属酸化物の半導体、とくに非晶質系半
導体中への拡散による半導体特性の低下を少なくするこ
とを目的とするものである。
本発明は、半導体と電導体との間に、周期表第V族およ
び第■族に属する金属の1種以上からなる厚さ50〜1
000 Aの層を設けたことを特徴とする半導体装置に
関し、該層を設けることにより、半導体装置を高温で使
用したばあいにも、電導体を構成する成分が半導体中に
拡散することを防ぎ、半導体特性の低下を少なくしよう
とするものである。
び第■族に属する金属の1種以上からなる厚さ50〜1
000 Aの層を設けたことを特徴とする半導体装置に
関し、該層を設けることにより、半導体装置を高温で使
用したばあいにも、電導体を構成する成分が半導体中に
拡散することを防ぎ、半導体特性の低下を少なくしよう
とするものである。
本発明に用いる半導体にはとくに限定はないが、Sl、
Ge、 5nSN、 Oを少なくとも1種含み、水素原
子またはハpゲン原子でダングリング・ボンドを補償し
たもので、非晶質または結晶質を含む非晶質半導体であ
るばあいには、高温使用による半導体苛性の低下を少な
くするという効果が著しくなる。
Ge、 5nSN、 Oを少なくとも1種含み、水素原
子またはハpゲン原子でダングリング・ボンドを補償し
たもので、非晶質または結晶質を含む非晶質半導体であ
るばあいには、高温使用による半導体苛性の低下を少な
くするという効果が著しくなる。
前記半導体は、p型、n型、真性のいずれであってもよ
いが、とくにn型半導体と接するばあいには高温使用に
よる性能低下が著しく改善されるため好ましい。
いが、とくにn型半導体と接するばあいには高温使用に
よる性能低下が著しく改善されるため好ましい。
本発明に用いる電導体は、周期表第■族および第■族に
属する金属以外の金属またはそれらの酸化物から形成さ
れた、半導体の電気的接続に用いられる電導体であれば
とくに限定はない。
属する金属以外の金属またはそれらの酸化物から形成さ
れた、半導体の電気的接続に用いられる電導体であれば
とくに限定はない。
このような電導体の具体例としては、AlXCr。
Ags f31JS−Ni、Ou L、んちゆう、鉄、
Znなどの金属や、工To、工n203.5n02 、
工TO/5n02、Cdx5nOy(X=0.5〜2.
7=2〜4)、工”xol、−xCx千0.33〜0.
5)などの金属酸化物からなる電導体があげられる。
Znなどの金属や、工To、工n203.5n02 、
工TO/5n02、Cdx5nOy(X=0.5〜2.
7=2〜4)、工”xol、−xCx千0.33〜0.
5)などの金属酸化物からなる電導体があげられる。
本発明においては、半導体と電導体との間に周期表第V
族または第■族に属する金属の少なくとも1種からなる
厚さ5o〜1oooX 、好ましくは50〜500Aの
層が設けられている。
族または第■族に属する金属の少なくとも1種からなる
厚さ5o〜1oooX 、好ましくは50〜500Aの
層が設けられている。
前記周期表第V族に属する金属としては、Va族の■、
Nb、 Taやyb族のSb、 Eiなど、周期表第■
族に属する金属としては、17a族のT1、Zr、 H
fやyb族のSn、 Pbなどがあげられる。
Nb、 Taやyb族のSb、 Eiなど、周期表第■
族に属する金属としては、17a族のT1、Zr、 H
fやyb族のSn、 Pbなどがあげられる。
半導体と電導体との間に設けられる層の厚さが50A未
満になると、均一で品質のよい層かえられなくなったり
、電導体を形成する成分の半導体への熱による拡散全充
分防止することができなくなったりする。また層の厚さ
が100OAをこえると、該層が存在するために直列電
気抵抗が増したり、光の反射率が低下したり、層□の形
成に時間がかかったりするという問題が生ずる。
満になると、均一で品質のよい層かえられなくなったり
、電導体を形成する成分の半導体への熱による拡散全充
分防止することができなくなったりする。また層の厚さ
が100OAをこえると、該層が存在するために直列電
気抵抗が増したり、光の反射率が低下したり、層□の形
成に時間がかかったりするという問題が生ずる。
つぎに本発明の半導体装置の製法を、光入射側から順に
p型、i型、n型の半導体を設けたアモルファス型太陽
電池を例にとり説明する。
p型、i型、n型の半導体を設けたアモルファス型太陽
電池を例にとり説明する。
まず透明電極を設けた透明基板上に、常法により非晶質
のp層、1層、n層を形成する。そののち周期表第V族
または第■族の1種以上の金属または合金を用いて、通
常の電子ビーム蒸着法により所定の厚さに層を形成する
。もちろ、ん前記金属をスパッター用ターゲットを用い
てスパッター法により層を形成してもよいが、蒸着また
は電子ビーム蒸着法が好ましい。そののち電導体を常法
により堆積させることにより、目的物かえられる。
のp層、1層、n層を形成する。そののち周期表第V族
または第■族の1種以上の金属または合金を用いて、通
常の電子ビーム蒸着法により所定の厚さに層を形成する
。もちろ、ん前記金属をスパッター用ターゲットを用い
てスパッター法により層を形成してもよいが、蒸着また
は電子ビーム蒸着法が好ましい。そののち電導体を常法
により堆積させることにより、目的物かえられる。
このようにして製造される本発明の半導体装置は、たと
えば50°C以上のような高温で使用される、あるいは
使用中に5080以上ぼることがあるような用途に使用
される半導体装置として好適に使用される。このような
半導体装置の具体的用途としては、太陽電池、センサー
、トランジスター、発熱の大きい集積回路などがあげら
れ、とくに屋外に設置され、使用温度が80°Cにもな
る太陽電池に用いたばあいに、本発明の効果が大きく発
揮される。
えば50°C以上のような高温で使用される、あるいは
使用中に5080以上ぼることがあるような用途に使用
される半導体装置として好適に使用される。このような
半導体装置の具体的用途としては、太陽電池、センサー
、トランジスター、発熱の大きい集積回路などがあげら
れ、とくに屋外に設置され、使用温度が80°Cにもな
る太陽電池に用いたばあいに、本発明の効果が大きく発
揮される。
つぎに本発明の半導体装置を実施例にもとづき説明する
。
。
実施例1〜20および比較例1〜4
厚さ850Aの工T O/SnO2透明電極を設けた厚
さ1.1mmの青板ガラス製透明基板上に、基板温度2
00°0、圧力約1Torrにて、SiH,+ OH4
+ B2H6+Hからなる混合ガス、S iH4ガス、
S iH4+ P・H3+H2からなる混合ガスをこの
順に用いて、グロー放電法にてそれぞれp層をf[1(
IAlJを5[1[IA、μCのn層を50OAの厚さ
になるように堆積させた。
さ1.1mmの青板ガラス製透明基板上に、基板温度2
00°0、圧力約1Torrにて、SiH,+ OH4
+ B2H6+Hからなる混合ガス、S iH4ガス、
S iH4+ P・H3+H2からなる混合ガスをこの
順に用いて、グロー放電法にてそれぞれp層をf[1(
IAlJを5[1[IA、μCのn層を50OAの厚さ
になるように堆積させた。
そののち、■、5bSTi、Snの4種の金属をそれぞ
れ単独で用いて、電子ビーム蒸着法にて600X、50
0X、 1000Aになるようにpaのn層上に堆積さ
せたのち、Ajを200OA堆積させた。太@電池を2
4種作製した。
れ単独で用いて、電子ビーム蒸着法にて600X、50
0X、 1000Aになるようにpaのn層上に堆積さ
せたのち、Ajを200OA堆積させた。太@電池を2
4種作製した。
えられた太陽電池の特性および260°0で4時間加熱
ししのちの特性をAM−1,100mW/am2のソー
ラーシミュレーターを用いて測定したところ、半導体と
電導体との間に堆積させた金属層の厚さが50〜100
0 Aの各試料のばあいの変換効率はすべて、加熱前の
値にくらべて85%以上であった。一方、該金属層の厚
さが6OAのものは約60%と低い値であった。
ししのちの特性をAM−1,100mW/am2のソー
ラーシミュレーターを用いて測定したところ、半導体と
電導体との間に堆積させた金属層の厚さが50〜100
0 Aの各試料のばあいの変換効率はすべて、加熱前の
値にくらべて85%以上であった。一方、該金属層の厚
さが6OAのものは約60%と低い値であった。
比較例5
半導体と電導体との間に堆積させた金属層を設けなかっ
た以外は実施例1と同様にして太陽電池を作製し、えら
れた太陽電池の特性およびいた。
た以外は実施例1と同様にして太陽電池を作製し、えら
れた太陽電池の特性およびいた。
以上説明したように、半導体装置を製造するばあいに、
半導体と電導体との間に周期表第V族および第■族に属
する金属の1種以上からなる層を設けることにより、半
導体装置を高温で使用したばあいにも、電導体を構成す
る成分が半導体中に拡散することを防ぎ、半導体特性の
低下を少なくすることができる。
半導体と電導体との間に周期表第V族および第■族に属
する金属の1種以上からなる層を設けることにより、半
導体装置を高温で使用したばあいにも、電導体を構成す
る成分が半導体中に拡散することを防ぎ、半導体特性の
低下を少なくすることができる。
Claims (1)
- 【特許請求の範囲】 1 半導体と電導体との間に、周期表第V族および第I
V族に属する金属の1種以上からなる厚さ50〜100
0Åの層を設けたことを特徴とする半導体装置。 2 前記半導体が、非晶質または結晶質を含む非晶質半
導体である特許請求の範囲第1項記載の半導体装置。 3 前記電導体が、周期表第V族および第IV族に属する
金属以外の金属またはそれらの酸化物からなる特許請求
の範囲第1項記載の半導体装置。 4 前記半導体がn型半導体である特許請求の範囲第1
項または第2項記載の半導体装置。 5 前記周期表第V族および第IV族に属する金属の1種
以上からなる層が、厚さ50〜500Åの層である特許
請求の範囲第1項記載の半導体装置。 6 前記半導体装置が太陽電池に用いられる半導体装置
である特許請求の範囲第1項、第2項、第3項、第4項
または第5項記載の半導体装置。
Priority Applications (8)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP59124331A JPS613471A (ja) | 1984-06-15 | 1984-06-15 | 半導体装置 |
CA483934A CA1270931C (en) | 1984-06-15 | 1985-06-13 | HEAT-INSENSITIVE THIN-FILM PHOTOELECTRIC CONVERTER WITH AN ANTI-DIFFUSION LAYER |
AU43651/85A AU576594B2 (en) | 1984-06-15 | 1985-06-13 | Heat-resistant thin film photoelectric converter |
US06/744,599 US4665278A (en) | 1984-06-15 | 1985-06-14 | Heat-resistant photoelectric converter |
DE8585107371T DE3581561D1 (de) | 1984-06-15 | 1985-06-14 | Waermebestaendiger photoelektrischer duennschicht-konverter. |
EP85107371A EP0165570B1 (en) | 1984-06-15 | 1985-06-14 | Heat-resistant thin film photoelectric converter |
KR1019850004216A KR910005761B1 (ko) | 1984-06-15 | 1985-06-14 | 내열성 박막광전 변환기 및 그의 제조방법 |
US06/942,644 US4765845A (en) | 1984-06-15 | 1986-12-17 | Heat-resistant thin film photoelectric converter |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP59124331A JPS613471A (ja) | 1984-06-15 | 1984-06-15 | 半導体装置 |
Publications (1)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JPS613471A true JPS613471A (ja) | 1986-01-09 |
Family
ID=14882688
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP59124331A Pending JPS613471A (ja) | 1984-06-15 | 1984-06-15 | 半導体装置 |
Country Status (2)
Country | Link |
---|---|
US (1) | US4665278A (ja) |
JP (1) | JPS613471A (ja) |
Cited By (1)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
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JPS63138843U (ja) * | 1987-03-04 | 1988-09-13 | ||
US4833042A (en) * | 1988-01-27 | 1989-05-23 | Rockwell International Corporation | Nonalloyed ohmic contacts for n type gallium arsenide |
JP3869952B2 (ja) * | 1998-09-21 | 2007-01-17 | キヤノン株式会社 | 光電変換装置とそれを用いたx線撮像装置 |
DE10042733A1 (de) * | 2000-08-31 | 2002-03-28 | Inst Physikalische Hochtech Ev | Multikristalline laserkristallisierte Silicium-Dünnschicht-Solarzelle auf transparentem Substrat |
JP4614633B2 (ja) | 2003-04-09 | 2011-01-19 | 株式会社半導体エネルギー研究所 | 電子機器 |
KR100736623B1 (ko) * | 2006-05-08 | 2007-07-09 | 엘지전자 주식회사 | 수직형 발광 소자 및 그 제조방법 |
JP2010225735A (ja) * | 2009-03-23 | 2010-10-07 | Mitsubishi Electric Corp | フォトセンサー及びその製造方法 |
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