JPWO2013035415A1 - レチクルチャッククリーナー及びレチクルチャッククリーニング方法 - Google Patents
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- 238000004140 cleaning Methods 0.000 title claims abstract description 38
- 238000000034 method Methods 0.000 title claims description 78
- 239000010410 layer Substances 0.000 claims abstract description 118
- 239000000758 substrate Substances 0.000 claims abstract description 80
- 239000004820 Pressure-sensitive adhesive Substances 0.000 claims abstract description 61
- 239000012790 adhesive layer Substances 0.000 claims abstract description 45
- 239000000853 adhesive Substances 0.000 claims description 43
- 230000001070 adhesive effect Effects 0.000 claims description 43
- 238000010494 dissociation reaction Methods 0.000 claims description 7
- 230000005593 dissociations Effects 0.000 claims description 7
- 239000010453 quartz Substances 0.000 claims description 6
- VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N silicon dioxide Inorganic materials O=[Si]=O VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 6
- 230000015572 biosynthetic process Effects 0.000 claims description 4
- 230000002708 enhancing effect Effects 0.000 claims description 3
- CERQOIWHTDAKMF-UHFFFAOYSA-N Methacrylic acid Chemical compound CC(=C)C(O)=O CERQOIWHTDAKMF-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 2
- 239000011521 glass Substances 0.000 claims description 2
- 229920000642 polymer Polymers 0.000 claims description 2
- 238000007788 roughening Methods 0.000 claims description 2
- 239000012298 atmosphere Substances 0.000 abstract description 3
- 229920005989 resin Polymers 0.000 description 6
- 239000011347 resin Substances 0.000 description 6
- 239000003795 chemical substances by application Substances 0.000 description 5
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 4
- 238000005530 etching Methods 0.000 description 4
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 description 4
- 238000007639 printing Methods 0.000 description 4
- VYZAMTAEIAYCRO-UHFFFAOYSA-N Chromium Chemical compound [Cr] VYZAMTAEIAYCRO-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- XEKOWRVHYACXOJ-UHFFFAOYSA-N Ethyl acetate Chemical compound CCOC(C)=O XEKOWRVHYACXOJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- YXFVVABEGXRONW-UHFFFAOYSA-N Toluene Chemical compound CC1=CC=CC=C1 YXFVVABEGXRONW-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- 229910052804 chromium Inorganic materials 0.000 description 3
- 239000011651 chromium Substances 0.000 description 3
- -1 isocyanate compound Chemical class 0.000 description 3
- 230000002093 peripheral effect Effects 0.000 description 3
- XUMBMVFBXHLACL-UHFFFAOYSA-N Melanin Chemical compound O=C1C(=O)C(C2=CNC3=C(C(C(=O)C4=C32)=O)C)=C2C4=CNC2=C1C XUMBMVFBXHLACL-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 239000004642 Polyimide Substances 0.000 description 2
- 239000006096 absorbing agent Substances 0.000 description 2
- 238000007796 conventional method Methods 0.000 description 2
- 229920001577 copolymer Polymers 0.000 description 2
- 238000001312 dry etching Methods 0.000 description 2
- 238000001900 extreme ultraviolet lithography Methods 0.000 description 2
- 239000000203 mixture Substances 0.000 description 2
- 238000000016 photochemical curing Methods 0.000 description 2
- 229920000728 polyester Polymers 0.000 description 2
- 229920000139 polyethylene terephthalate Polymers 0.000 description 2
- 229920001721 polyimide Polymers 0.000 description 2
- 229920000915 polyvinyl chloride Polymers 0.000 description 2
- 239000004800 polyvinyl chloride Substances 0.000 description 2
- 229920002799 BoPET Polymers 0.000 description 1
- 239000004593 Epoxy Substances 0.000 description 1
- JOYRKODLDBILNP-UHFFFAOYSA-N Ethyl urethane Chemical compound CCOC(N)=O JOYRKODLDBILNP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229920000219 Ethylene vinyl alcohol Polymers 0.000 description 1
- 239000004952 Polyamide Substances 0.000 description 1
- 239000004698 Polyethylene Substances 0.000 description 1
- 239000004743 Polypropylene Substances 0.000 description 1
- 239000000654 additive Substances 0.000 description 1
- 230000003712 anti-aging effect Effects 0.000 description 1
- 230000002238 attenuated effect Effects 0.000 description 1
- 239000011248 coating agent Substances 0.000 description 1
- 238000000576 coating method Methods 0.000 description 1
- 239000003431 cross linking reagent Substances 0.000 description 1
- 238000001723 curing Methods 0.000 description 1
- 238000001035 drying Methods 0.000 description 1
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 1
- 238000010894 electron beam technology Methods 0.000 description 1
- 239000004715 ethylene vinyl alcohol Substances 0.000 description 1
- RZXDTJIXPSCHCI-UHFFFAOYSA-N hexa-1,5-diene-2,5-diol Chemical compound OC(=C)CCC(O)=C RZXDTJIXPSCHCI-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000003112 inhibitor Substances 0.000 description 1
- 229920000554 ionomer Polymers 0.000 description 1
- 239000012948 isocyanate Substances 0.000 description 1
- 238000007644 letterpress printing Methods 0.000 description 1
- 239000000463 material Substances 0.000 description 1
- 238000012986 modification Methods 0.000 description 1
- 230000004048 modification Effects 0.000 description 1
- 238000007645 offset printing Methods 0.000 description 1
- 230000003287 optical effect Effects 0.000 description 1
- 239000004014 plasticizer Substances 0.000 description 1
- 229920002647 polyamide Polymers 0.000 description 1
- 229920000573 polyethylene Polymers 0.000 description 1
- 239000005020 polyethylene terephthalate Substances 0.000 description 1
- 238000006116 polymerization reaction Methods 0.000 description 1
- 229920001155 polypropylene Polymers 0.000 description 1
- 229920001296 polysiloxane Polymers 0.000 description 1
- 229920002635 polyurethane Polymers 0.000 description 1
- 239000004814 polyurethane Substances 0.000 description 1
- 230000005855 radiation Effects 0.000 description 1
- 238000007650 screen-printing Methods 0.000 description 1
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 description 1
- 238000004528 spin coating Methods 0.000 description 1
- 238000005507 spraying Methods 0.000 description 1
- 229910052715 tantalum Inorganic materials 0.000 description 1
- GUVRBAGPIYLISA-UHFFFAOYSA-N tantalum atom Chemical compound [Ta] GUVRBAGPIYLISA-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
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-
- B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
- B08—CLEANING
- B08B—CLEANING IN GENERAL; PREVENTION OF FOULING IN GENERAL
- B08B7/00—Cleaning by methods not provided for in a single other subclass or a single group in this subclass
- B08B7/0028—Cleaning by methods not provided for in a single other subclass or a single group in this subclass by adhesive surfaces
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- B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
- B08—CLEANING
- B08B—CLEANING IN GENERAL; PREVENTION OF FOULING IN GENERAL
- B08B7/00—Cleaning by methods not provided for in a single other subclass or a single group in this subclass
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- G03F—PHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
- G03F7/00—Photomechanical, e.g. photolithographic, production of textured or patterned surfaces, e.g. printing surfaces; Materials therefor, e.g. comprising photoresists; Apparatus specially adapted therefor
- G03F7/70—Microphotolithographic exposure; Apparatus therefor
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- G03F—PHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
- G03F7/00—Photomechanical, e.g. photolithographic, production of textured or patterned surfaces, e.g. printing surfaces; Materials therefor, e.g. comprising photoresists; Apparatus specially adapted therefor
- G03F7/70—Microphotolithographic exposure; Apparatus therefor
- G03F7/708—Construction of apparatus, e.g. environment aspects, hygiene aspects or materials
- G03F7/70908—Hygiene, e.g. preventing apparatus pollution, mitigating effect of pollution or removing pollutants from apparatus
- G03F7/70925—Cleaning, i.e. actively freeing apparatus from pollutants, e.g. using plasma cleaning
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- Physics & Mathematics (AREA)
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- Health & Medical Sciences (AREA)
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- Public Health (AREA)
- Plasma & Fusion (AREA)
- Life Sciences & Earth Sciences (AREA)
- Atmospheric Sciences (AREA)
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- Exposure And Positioning Against Photoresist Photosensitive Materials (AREA)
- Exposure Of Semiconductors, Excluding Electron Or Ion Beam Exposure (AREA)
- Condensed Matter Physics & Semiconductors (AREA)
- Manufacturing & Machinery (AREA)
- Computer Hardware Design (AREA)
- Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
- Power Engineering (AREA)
- Cleaning In General (AREA)
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Abstract
ＥＵＶ露光装置の真空チャンバー内を大気に晒すことなく、該チャンバー内のレチクルチャックのクリーニングを簡易に行うことができ、ＥＵＶ露光装置の稼働率向上に寄与し得るレチクルチャッククリーナーとして、ＥＵＶ露光装置のレチクルチャックをクリーニングするためのレチクルチャッククリーナーＡであって、レチクルチャックのチャック領域に貼り付けられる粘着剤層１と、粘着剤層１に積層された支持層２と、レチクルチャックまで搬送可能な形状を有する基板３と、を具備し、支持層２と基板３とが部分粘着層４の接着領域４１において部分的に接着されているレチクルチャッククリーナーＡを提供する。
Description
本発明は、レチクルチャッククリーナー及びレチクルチャッククリーニング方法に関する。より詳しくは、ＥＵＶ露光装置のレチクルチャックをクリーニングするためのレチクルチャッククリーナー等に関する。
近年、半導体の微細化に伴いＥＵＶリソグラフィが用いられるようになっている。ＥＵＶ光は波長が１３．５ｎｍと短く、大気中ではすぐに減衰してしまうため、ＥＵＶ光を用いたウェハ露光装置（ＥＵＶスキャナー）は真空中に露光光学系を組む必要がある。この場合、レチクルステージ自体が真空中に置かれるため、ＥＵＶマスクのチャック機構には真空チャックは使用できず、静電チャック方式が採用されている。静電チャック方式では、真空チャック方式と比較して、同じ保持力を得るのにより大きな面積のチャック領域が必要となる。このため、ＥＵＶマスクでは、裏面の大半の部分をチャック領域とする必要がある。
このようにＥＵＶリソグラフィにおいては、ＥＵＶマスクの裏面の大半をチャック領域にするため、チャック機構の表面に異物が存在し易い。そして、ＥＵＶマスクとの間に異物が挟まれると、ＥＵＶマスクが変形し、パターン面にも歪みが生じることで、ウェハ上に転写されたパターンが歪んでしまう問題が生じる。また、チャック機構が真空チャンバーの中にあるため、異物を除去するには真空チャンバー内を大気圧に戻してクリーニング作業をする必要がある。この場合、ＥＵＶスキャナーの停止時間が長くなり、ＥＵＶスキャナーの稼働率低下の大きな要因になる。
本発明は、ＥＵＶ露光装置の真空チャンバー内を大気に晒すことなく、該チャンバー内のレチクルチャックのクリーニングを簡易に行うことができ、ＥＵＶ露光装置の稼働率向上に寄与し得るレチクルチャッククリーナーを提供することを主な目的とする。
上記課題解決のため、本発明は、ＥＵＶ露光装置のレチクルチャックをクリーニングするためのレチクルチャッククリーナーであって、レチクルチャックのチャック領域に貼り付けられる粘着剤層と、該粘着剤層に積層された支持層と、レチクルチャックまで搬送可能な形状を有する基板と、を具備し、前記支持層と前記基板とが部分的に接着されているレチクルチャッククリーナーを提供する。前記支持層と前記基板との部分的な接着は、前記支持層と前記基板との間に設けた粘着性がある領域と粘着性がない領域とを有する部分粘着層によって行うことができる。
このレチクルチャッククリーナーにおいて、前記支持層と前記基板との接着部は、該接着部において前記支持層が引っ張られることにより、レチクルチャックに貼り付けられた前記粘着剤層の剥離きっかけが生成されるように設けられている。これにより、このレチクルチャッククリーナーでは、前記基板がその自重により前記接着部を介して前記支持層を引っ張ることで前記剥離きっかけが生成されるようにできる。そして、生成された剥離きっかけが、前記粘着剤層の前記レチクルチャックからの剥離開始位置として作用する。
このレチクルチャッククリーナーにおいて、前記部分粘着層は光硬化型粘着剤層であってよく、該光硬化型粘着剤層のうち、光硬化された領域が前記支持層と前記基板との非接着部を構成し、残余の領域が前記接着部を構成するようにできる。
このレチクルチャッククリーナーにおいて、前記支持層と前記基板との非接着部には、接触する前記支持層と前記基板との解離性、あるいは接触する前記部分粘着層と前記基板との解離性を高めるための処理がなされていることが好ましい。該処理としては、前記基板表面の凹凸形成あるいは粗面化を採用できる。
このレチクルチャッククリーナーにおいて、前記支持層と前記基板との接着部は、該接着部において前記支持層が引っ張られることにより、レチクルチャックに貼り付けられた前記粘着剤層の剥離きっかけが生成されるように設けられている。これにより、このレチクルチャッククリーナーでは、前記基板がその自重により前記接着部を介して前記支持層を引っ張ることで前記剥離きっかけが生成されるようにできる。そして、生成された剥離きっかけが、前記粘着剤層の前記レチクルチャックからの剥離開始位置として作用する。
このレチクルチャッククリーナーにおいて、前記部分粘着層は光硬化型粘着剤層であってよく、該光硬化型粘着剤層のうち、光硬化された領域が前記支持層と前記基板との非接着部を構成し、残余の領域が前記接着部を構成するようにできる。
このレチクルチャッククリーナーにおいて、前記支持層と前記基板との非接着部には、接触する前記支持層と前記基板との解離性、あるいは接触する前記部分粘着層と前記基板との解離性を高めるための処理がなされていることが好ましい。該処理としては、前記基板表面の凹凸形成あるいは粗面化を採用できる。
また、本発明は、ＥＵＶ露光装置のレチクルチャックをクリーニングするための方法であって、
（１）レチクルチャックのチャック領域に貼り付けられる粘着剤層と、該粘着剤層に積層された支持層と、レチクルチャックまで搬送可能な形状を有する基板と、を具備し、前記支持層と前記基板とが部分的に接着されているレチクルチャッククリーナーを、ＥＵＶ露光装置の真空排気されたチャンバー内に収容されたレチクルチャックに対して押し当てて、前記粘着剤層をレチクルチャックに密着させる貼付手順と、
（２）レチクルチャックに対する前記レチクルチャッククリーナーの押圧を解除し、前記基板の自重により前記接着部を介して前記支持層を引っ張ることによってレチクルチャックに貼り付けられた前記粘着剤層を剥離して、レチクルチャッククリーナーをレチクルチャックから取り外す剥離手順と、を含むレチクルチャッククリーニング方法を提供する。
このレチクルチャッククリーニング方法では、前記（１）の手順において、レチクル搬送手段に載置した前記レチクルチャッククリーナーをレチクルチャックに対して下方から押し当てて貼り付ける。その後、前記（２）の手順において、レチクル搬送手段を下方に移動させてレチクルチャックに対する前記レチクルチャッククリーナーの押圧を解除することによって、前記基板の自重によりレチクルチャックから剥離する前記レチクルチャッククリーナーを、下方に移動したレチクル搬送手段上に受けることが可能である。
このレチクルチャッククリーニング方法では、前記（２）の手順においてレチクル搬送手段上に受けたレチクルチャッククリーナーを用いて、再度前記（１）の手順を行ってもよく、前記（１）及び前記（２）の手順からなる操作を繰り返してもよい。
（１）レチクルチャックのチャック領域に貼り付けられる粘着剤層と、該粘着剤層に積層された支持層と、レチクルチャックまで搬送可能な形状を有する基板と、を具備し、前記支持層と前記基板とが部分的に接着されているレチクルチャッククリーナーを、ＥＵＶ露光装置の真空排気されたチャンバー内に収容されたレチクルチャックに対して押し当てて、前記粘着剤層をレチクルチャックに密着させる貼付手順と、
（２）レチクルチャックに対する前記レチクルチャッククリーナーの押圧を解除し、前記基板の自重により前記接着部を介して前記支持層を引っ張ることによってレチクルチャックに貼り付けられた前記粘着剤層を剥離して、レチクルチャッククリーナーをレチクルチャックから取り外す剥離手順と、を含むレチクルチャッククリーニング方法を提供する。
このレチクルチャッククリーニング方法では、前記（１）の手順において、レチクル搬送手段に載置した前記レチクルチャッククリーナーをレチクルチャックに対して下方から押し当てて貼り付ける。その後、前記（２）の手順において、レチクル搬送手段を下方に移動させてレチクルチャックに対する前記レチクルチャッククリーナーの押圧を解除することによって、前記基板の自重によりレチクルチャックから剥離する前記レチクルチャッククリーナーを、下方に移動したレチクル搬送手段上に受けることが可能である。
このレチクルチャッククリーニング方法では、前記（２）の手順においてレチクル搬送手段上に受けたレチクルチャッククリーナーを用いて、再度前記（１）の手順を行ってもよく、前記（１）及び前記（２）の手順からなる操作を繰り返してもよい。
以下、本発明を実施するための好適な形態について図面を参照しながら説明する。なお、以下に説明する実施形態は、本発明の代表的な実施形態の一例を示したものであり、これにより本発明の範囲が狭く解釈されることはない。説明は以下の順序で行う。
１．第一実施形態に係るレチクルチャッククリーナー及びこれを用いたレチクルチャッククリーニング方法
（１）レチクルチャッククリーナー
（２）レチクルチャッククリーニング方法
２．第二実施形態に係るレチクルチャッククリーナー及びこれを用いたレチクルチャッククリーニング方法
（１）レチクルチャッククリーナー
（２）レチクルチャッククリーニング方法
１．第一実施形態に係るレチクルチャッククリーナー及びこれを用いたレチクルチャッククリーニング方法
（１）レチクルチャッククリーナー
（２）レチクルチャッククリーニング方法
２．第二実施形態に係るレチクルチャッククリーナー及びこれを用いたレチクルチャッククリーニング方法
（１）レチクルチャッククリーナー
（２）レチクルチャッククリーニング方法
１．第一実施形態に係るレチクルチャッククリーナー及びこれを用いたレチクルチャッククリーニング方法
（１）レチクルチャッククリーナー
図１は、本発明の第一実施形態に係るレチクルチャッククリーナーの構成を説明する模式図であり、（Ａ）は断面図、（Ｂ）は上面図を示す。符号Ａで示すレチクルチャッククリーナーは、ＥＵＶ露光装置のレチクルチャックのチャック領域に貼り付けられる粘着剤層１と、粘着剤層１に積層された支持層２と、レチクルチャックまで搬送可能な形状を有する基板３と、を具備してなる。
（１）レチクルチャッククリーナー
図１は、本発明の第一実施形態に係るレチクルチャッククリーナーの構成を説明する模式図であり、（Ａ）は断面図、（Ｂ）は上面図を示す。符号Ａで示すレチクルチャッククリーナーは、ＥＵＶ露光装置のレチクルチャックのチャック領域に貼り付けられる粘着剤層１と、粘着剤層１に積層された支持層２と、レチクルチャックまで搬送可能な形状を有する基板３と、を具備してなる。
符号４は、支持層２と基板３とを、粘着性を有する領域４１（以下、「粘着領域４１」とも称する）において接着あるいは粘着する部分粘着層を示す。粘着領域４１は部分粘着層４の周縁部に設けられており、部分粘着層４の中央部（粘着領域４１以外の部分）は粘着性を有さない領域４２（以下、「非粘着領域４２」とも称する）とされている。
［粘着剤層］
粘着剤層１は、（メタ）アクリル酸エステル系重合体を主成分とする粘着剤、あるいはウレタン系、ポリエステル系、エポキシ系、ポリ塩化ビニル系、メラニン系、ポリイミド系、及びシリコーン系などの粘着剤によって形成できる。詳しくは後述するが、粘着剤は、レチクルチャックに付着した異物を粘着させ得る程度の粘着性を有し、レチクルチャッククリーナーＡが自重によってレチクルチャックから剥離し得る程度の粘着性を有する限りにおいて、従来公知の粘着剤を用いることができる。
粘着剤層１は、（メタ）アクリル酸エステル系重合体を主成分とする粘着剤、あるいはウレタン系、ポリエステル系、エポキシ系、ポリ塩化ビニル系、メラニン系、ポリイミド系、及びシリコーン系などの粘着剤によって形成できる。詳しくは後述するが、粘着剤は、レチクルチャックに付着した異物を粘着させ得る程度の粘着性を有し、レチクルチャッククリーナーＡが自重によってレチクルチャックから剥離し得る程度の粘着性を有する限りにおいて、従来公知の粘着剤を用いることができる。
粘着剤中には、必要に応じて、粘着付与剤、硬化剤、可塑剤、重合禁止剤及び老化防止剤などの各種添加剤を添加してもよい。
支持層２への粘着剤層１の積層は、例えば、アクリル酸エステル共重合体を主成分とし、イソシアネート化合物を架橋剤とする粘着剤のトルエン／酢酸エチル溶液を、支持層２にスピンコートすることによって行うことができる。この他、支持層２への粘着剤層１の形成は、グラビアコーター、コンマコーター、バーコーター、ナイフコーター、ロールコーター、凸版印刷、凹版印刷、平版印刷、フレキソ印刷、オフセット印刷、スクリーン印刷、スプレーなどによる従来公知の手法によって行うことができる。また、粘着剤を支持層２上に直接塗工する方法に限られず、予め剥離フィルム上に所望の厚みで塗工した粘着剤を支持層２に転写する方法も採用できる。
粘着剤層１の乾燥後の厚さは、特に限定されないが、例えば０．５〜５．０μｍ、好ましくは１〜２μｍとされる。粘着剤層１は、ＥＵＶ露光装置のレチクルチャックのチャック領域と同等かそれより大きく形成する。
［支持層］
支持層２は、ポリ塩化ビニル、ポリエチレン、ポリプロピレン、ポリエステル、エチレンビニルアルコール、ポリウレタン、アイオノマー、ポリアミド、ポリイミド、及びＰＥＴなどの従来公知の樹脂によって形成できる。これらの樹脂は、複数の樹脂の溶融混合物又は共重合体として用いてもよい。これらの樹脂のうち、ＰＥＴは、硬度が高いため特に好ましい。また、支持層２は、複数の樹脂層からなる多層構造であってもよい。
支持層２は、ポリ塩化ビニル、ポリエチレン、ポリプロピレン、ポリエステル、エチレンビニルアルコール、ポリウレタン、アイオノマー、ポリアミド、ポリイミド、及びＰＥＴなどの従来公知の樹脂によって形成できる。これらの樹脂は、複数の樹脂の溶融混合物又は共重合体として用いてもよい。これらの樹脂のうち、ＰＥＴは、硬度が高いため特に好ましい。また、支持層２は、複数の樹脂層からなる多層構造であってもよい。
［部分粘着層］
部分粘着層４は、例えば、粘着領域４１を粘着剤層１と同様の粘着剤を用いて形成し、非粘着領域４２を支持層２と同様の樹脂を用いて形成したものとできる。また、部分粘着層４として、粘着領域４１を汎用の両面テープにより構成し、非粘着領域４２をＰＥＴフィルムなどにより構成したものを採用してもよい。
部分粘着層４は、例えば、粘着領域４１を粘着剤層１と同様の粘着剤を用いて形成し、非粘着領域４２を支持層２と同様の樹脂を用いて形成したものとできる。また、部分粘着層４として、粘着領域４１を汎用の両面テープにより構成し、非粘着領域４２をＰＥＴフィルムなどにより構成したものを採用してもよい。
レチクルチャッククリーナーＡにおいて、部分粘着層４は、支持層２と基板３とを部分的に接着あるいは粘着することができれば足るため、非粘着領域４２は必須の構成とはならない。すなわち、部分粘着層４を、粘着剤により形成された粘着領域４１のみとしたり、あるいは両面テープにより構成された粘着領域４１のみからなるものとし、非粘着領域４２を設けないようにしてもよい。この場合、支持層２の基板３側の面のうち基板３に接着されていない部分は、基板３に直接接触していてよい。
また、部分粘着層４は、放射線や紫外線などの活性光線によって硬化する光硬化型粘着剤を用いて形成してもよい。光硬化型粘着剤を支持層２あるいは基板３に塗工し、マスクを用いて塗工した光硬化型粘着剤層のうち非粘着領域４２となる部分のみに光を照射し、硬化させる。これにより、光を照射されずに粘接着性を維持した接着領域４１と、光照射により硬化して粘接着性を喪失した非接着領域４２とを有する部分粘着層４を形成できる。
［基板］
基板３は、ＥＵＶ露光装置のレチクルチャックまで搬送可能な形状を有するものであれば、その材質は特に限定されず、ガラス、石英、合成石英などのフォトマスクブランクス材料を用いて形成できる。
基板３は、ＥＵＶ露光装置のレチクルチャックまで搬送可能な形状を有するものであれば、その材質は特に限定されず、ガラス、石英、合成石英などのフォトマスクブランクス材料を用いて形成できる。
基板３の重量は、例えば合成石英の６インチ基板（厚さ０．２５インチ）とする場合、３２５ｇ程度である。基板３がこの程度の重量であれば、後述するように、レチクルチャッククリーナーＡを基板３の自重によってレチクルチャックから剥離させるために十分である。なお、基板３の重量は、本発明の効果が奏される限りにおいて任意に設定できるものとする。
レチクルチャッククリーナーＡは、粘着剤層１、支持層２、部分粘着層４及び基材３に加えて、基材３の粘着剤層１と反対側の面に形成されたアライメントマークを有していてもよい。アライメントマークは、ＥＵＶ露光装置においてレチクルチャッククリーナーＡを搬送又はチャックする際に用いられる。アライメントマークは、通常のＥＵＶマスクの作製と同様に、基材３上に形成されたタンタルを主成分とする吸収体膜にレジストを塗布し、レジストパターンをエッチングマスクにして吸収体膜をエッチングし、レジストを洗浄・除去することにより形成できる。
（２）レチクルチャッククリーニング方法
次に、図２及び図３を参照して、レチクルチャッククリーナーＡを用いたレチクルチャッククリーニング方法について説明する。図２はレチクルチャッククリーニング方法の貼付手順を説明する断面模式図であり、図３は剥離手順を説明する断面模式図である。
次に、図２及び図３を参照して、レチクルチャッククリーナーＡを用いたレチクルチャッククリーニング方法について説明する。図２はレチクルチャッククリーニング方法の貼付手順を説明する断面模式図であり、図３は剥離手順を説明する断面模式図である。
［貼付手順］
貼付手順においては、まず、レチクルチャッククリーナーＡをＥＵＶ露光装置のレチクルポートＰに載置し、通常のレチクル搬送と同様にしてＥＵＶ露光装置の真空排気されたチャンバー内に搬送する（図２（Ａ）参照）。
貼付手順においては、まず、レチクルチャッククリーナーＡをＥＵＶ露光装置のレチクルポートＰに載置し、通常のレチクル搬送と同様にしてＥＵＶ露光装置の真空排気されたチャンバー内に搬送する（図２（Ａ）参照）。
次に、通常のレチクルチャックと同様にしてレチクルポートＰをレチクルチャックＣに近付けて、レチクルチャッククリーナーＡをレチクルチャックＣに対して下方から押し当て、粘着剤層１をレチクルチャックＣに密着させて貼り付ける。このとき、レチクルチャックＣに付着した異物Ｄが粘着剤層１に付着し、粘着剤層１中にめり込むようにして取り込まれる（図２（Ｂ）参照）。ここで、粘着剤層１は、レチクルチャックＣに電圧を印加し、レチクルチャッククリーナーＡをレチクルチャックＣに一時的に静電チャックすることにより、レチクルチャックＣに密着させてもよい。
［剥離手順］
剥離手順においては、まず、レチクルポートＰをレチクルチャックＣから離間させて、レチクルチャックＣに対するレチクルチャッククリーナーＡの押圧を解除する。これにより、レチクルポートＰによる支持を失ったレチクルチャッククリーナーＡの基板３が、その自重によって基板３と支持層２との接着部である接着領域４１を介して支持層２を下方に引っ張る。そして、その結果、支持層２に積層された粘着剤層１のレチクルチャックＣからの剥離きっかけ（図３（Ａ）矢印Ｑ参照）が生成される。
剥離手順においては、まず、レチクルポートＰをレチクルチャックＣから離間させて、レチクルチャックＣに対するレチクルチャッククリーナーＡの押圧を解除する。これにより、レチクルポートＰによる支持を失ったレチクルチャッククリーナーＡの基板３が、その自重によって基板３と支持層２との接着部である接着領域４１を介して支持層２を下方に引っ張る。そして、その結果、支持層２に積層された粘着剤層１のレチクルチャックＣからの剥離きっかけ（図３（Ａ）矢印Ｑ参照）が生成される。
粘着剤層１はレチクルチャックＣのチャック領域と同等かそれより大きく形成されており、粘着領域４１は部分粘着層４の周縁部に設けられているため、接着領域４１を介する基板３の自重は、粘着剤層１とレチクルチャックＣとの接触面の最外側部分（矢印Ｑ参照）に集中して荷重される。このため、粘着剤層１とレチクルチャックＣとの接触面の最外側部分には、レチクルチャックＣから粘着剤層１を剥離するための大きな力が作用し、上述の剥離きっかけが生じる。
剥離きっかけの生成により、粘着剤層１とレチクルチャックＣとの接触面の最外側部分から内側に向かって、レチクルチャックＣからの粘着剤層１の剥離が進行する（図３（Ｂ）参照）。そして、レチクルチャックＣから粘着剤層１が完全に剥離すると、レチクルチャッククリーナーＡが下方に移動されたレチクルポートＰ上に落下し、受け取られる。このとき、図３（Ｃ）に示すように、粘着剤層１中にめり込んだ異物ＤがレチクルチャックＣから除去される。
レチクルチャックＣから剥離したレチクルチャッククリーナーＡが、下方のレチクルポートＰ上に真っ直ぐ落下するようにするため、基板３の表面３１には、接触する部分粘着層４の非粘着領域４２との解離性を高めるための溝３２を形成することが好ましい（図４及び図５参照）。
レチクルチャックＣに対するレチクルチャッククリーナーＡの押圧の解除後、基板３の表面３１に部分粘着層４の非粘着領域４２が張り付いたままであったり、均一に解離しなかったりすると、図４（Ｂ）に示すように、レチクルチャックＣからのレチクルチャッククリーナーＡの剥離が、レチクルチャッククリーナーＡが傾いた状態で進行する場合がある。この場合、レチクルチャックＣから完全に剥離したレチクルチャッククリーナーＡが真っ直ぐ下方に落下せず、レチクルポートＰ上にうまく受け取られない可能性がある。
基板３の表面３１に、同心円状の複数の溝３２（図５（Ａ）参照）あるいは格子状の複数の溝３２（図５（Ｂ）参照）を形成しておくことで、レチクルチャックＣに対するレチクルチャッククリーナーＡの押圧の解除後、基板３と部分粘着層４が均一に解離できるようになる。その結果、レチクルチャッククリーナーＡは、水平を保ったままレチクルチャックＣから剥離して、レチクルポーチＰに真っ直ぐ下方に落下するようになる。
基板３の表面３１への溝３２の形成は、レベンソンマスクの作製と同様の方法により行うことができる。すなわち、基板３上に形成されたクロム膜上にレジストを塗布した後、電子ビーム描画装置により溝３２のパターンを描画し、現像処理することによって、レジストパターンを形成する。次いで、レジストパターンをエッチングマスクにしてクロム膜をドライエッチング法により選択エッチングする。最後に、クロムパターンをエッチングマスクにして石英基板をドライエッチング法により選択エッチングし、レジストを洗浄除去し、溝３２を形成する。なお、溝３２は、図に示した同心円状あるいは格子状に限られず、中心対称であれば任意のパターンで形成できる。
基板３の表面３１と部分粘着層４の非粘着領域４２との解離性を高めるための処理は、上記の溝３２のような凹凸を形成する方法に限定されず、表面３１を粗面化したり、基板３あるいは部分粘着層４の一方又は双方の表面に剥離剤を塗布したりする方法を採用してもよい。
基板３の表面３１の凹凸処理は、例えば、印刷法等の方法により行うことができる。また、剥離剤としては、例えば、フッ素樹脂等を用いることができる。
なお、部分粘着層４を、粘着剤により形成された粘着領域４１のみとしたり、あるいは両面テープにより構成された粘着領域４１のみからなるものとして、非粘着領域４２を設けない場合には、基板３の表面３１には支持層２が直接接触することとなる。この場合においても、支持層２と基板３との解離性を高めるため、上記と同様の処理がなされ得るものである。
このように、レチクルチャッククリーナーＡを用いれば、粘着剤層１をレチクルチャックＣに密着させた後に剥がすという操作を行うだけで、ＥＵＶ露光装置の真空チャンバーの真空を破ることなく、レチクルチャックＣのクリーニングが可能である。このため、真空チャンバーを一度大気圧に戻し、レチクルチャックを真空チャンバー内から取り出した後に清掃する従来方法と異なり、装置を長時間停止させる必要がなくなり、装置の稼働率を大きく改善して、半導体デバイスの製造効率を向上させることができる。
さらに、レチクルチャッククリーナーＡは、基板３の自重によってレチクルチャックＣから剥離するようにされているため、レチクルチャックに貼り付けたレチクルチャッククリーナーが剥がせなくなって取り外しが不能となることがない。
レチクルチャックのクリーニングは、剥離手順においてレチクルポートＰ上に受けたレチクルチャッククリーナーＡを用いて再度剥離手順を行うことにより、繰り返し行ってもよい。貼付手順及び剥離手順からなる操作は、レチクルチャックＣに付着した異物Ｄが十分に取り除かれるまで繰り返し行うことが好ましい。クリーニングの終了後、レチクルチャッククリーナーＡは、レチクルポートＰによってチャンバー外に返送される。
以上に説明した第一実施形態に係るレチクルチャッククリーナーにおいては、粘着領域４１を部分粘着層４の周縁部に設けた例を説明した。しかし、粘着領域４１は、支持層２と基板３とを部分的に接着あるいは粘着し、基板３の自重を粘着剤層１とレチクルチャックＣとの接触面の一部に集中的に荷重させることによって、レチクルチャックＣからの粘着剤層１の剥離きっかけを生成し得る限りにおいて、部分粘着層４の任意の部位に設けることができる。例えば、粘着領域４１は、図６に示すように、部分粘着層４の四隅に設けてもよい。
２．第二実施形態に係るレチクルチャッククリーナー及びこれを用いたレチクルチャッククリーニング方法
（１）レチクルチャッククリーナー
図７は、本発明の第二実施形態に係るレチクルチャッククリーナーの構成を説明する模式図であり、（Ａ）は断面図、（Ｂ）は上面図を示す。符号Ｂで示すレチクルチャッククリーナーは、ＥＵＶ露光装置のレチクルチャックのチャック領域に貼り付けられる粘着剤層１と、粘着剤層１に積層された支持層２と、レチクルチャックまで搬送可能な形状を有する基板３と、を具備してなる。
（１）レチクルチャッククリーナー
図７は、本発明の第二実施形態に係るレチクルチャッククリーナーの構成を説明する模式図であり、（Ａ）は断面図、（Ｂ）は上面図を示す。符号Ｂで示すレチクルチャッククリーナーは、ＥＵＶ露光装置のレチクルチャックのチャック領域に貼り付けられる粘着剤層１と、粘着剤層１に積層された支持層２と、レチクルチャックまで搬送可能な形状を有する基板３と、を具備してなる。
レチクルチャッククリーナーＢは、上述の第一実施形態に係るレチクルチャッククリーナーＡに比して、支持層２と基板３とを部分的に粘着あるいは接着する部分粘着層４（図１参照）を設けず、両面テープ４３によって支持層２と基板３とを接着している点で異なっている。両面テープ４３は、支持層２及び基板３との間に、上面視において両者の中心を通る十字となるように挿入されている。
レチクルチャッククリーナーＢにおいて、粘着剤層１、支持層２及び基板３の構成は、レチクルチャッククリーナーＡと同一の構成であるため説明を割愛し、以下ではレチクルチャッククリーナーＢを用いたレチクルチャッククリーニング方法について説明する。
（２）レチクルチャッククリーニング方法
図８はレチクルチャッククリーニング方法の貼付手順を説明する断面模式図であり、図９は剥離手順を説明する断面模式図である。
図８はレチクルチャッククリーニング方法の貼付手順を説明する断面模式図であり、図９は剥離手順を説明する断面模式図である。
［貼付手順］
貼付手順は、上述の第一実施形態に係るレチクルチャッククリーナーＡを用いたレチクルチャッククリーニング方法と同様であり、まず、レチクルチャッククリーナーＢをＥＵＶ露光装置のレチクルポートＰに載置する。そして、通常のレチクル搬送と同様にしてＥＵＶ露光装置の真空排気されたチャンバー内に搬送する（図８（Ａ）参照）。
貼付手順は、上述の第一実施形態に係るレチクルチャッククリーナーＡを用いたレチクルチャッククリーニング方法と同様であり、まず、レチクルチャッククリーナーＢをＥＵＶ露光装置のレチクルポートＰに載置する。そして、通常のレチクル搬送と同様にしてＥＵＶ露光装置の真空排気されたチャンバー内に搬送する（図８（Ａ）参照）。
次に、通常のレチクルチャックと同様にしてレチクルポートＰをレチクルチャックＣに近付けて、レチクルチャッククリーナーＢをレチクルチャックＣに対して下方から押し当て、粘着剤層１をレチクルチャックＣに密着させて貼り付ける。このとき、レチクルチャックＣに付着した異物Ｄが粘着剤層１に付着し、粘着剤層１中にめり込むようにして取り込まれる（図８（Ｂ）参照）。
［剥離手順］
剥離手順においては、まず、レチクルポートＰをレチクルチャックＣから離間させて、レチクルチャックＣに対するレチクルチャッククリーナーＢの押圧を解除する。これにより、レチクルポートＰによる支持を失ったレチクルチャッククリーナーＢの基板３が、その自重によって基板３と支持層２との接着部である両面テープ４３を介して支持層２を下方に引っ張る。そして、その結果、支持層２に積層された粘着剤層１のレチクルチャックＣからの剥離きっかけ（図９（Ａ）矢印Ｑ参照）が生成される。
剥離手順においては、まず、レチクルポートＰをレチクルチャックＣから離間させて、レチクルチャックＣに対するレチクルチャッククリーナーＢの押圧を解除する。これにより、レチクルポートＰによる支持を失ったレチクルチャッククリーナーＢの基板３が、その自重によって基板３と支持層２との接着部である両面テープ４３を介して支持層２を下方に引っ張る。そして、その結果、支持層２に積層された粘着剤層１のレチクルチャックＣからの剥離きっかけ（図９（Ａ）矢印Ｑ参照）が生成される。
両面テープ４３は、支持層２及び基板３を中央でのみ接着しているため、両面テープ４３を介する基板３の自重は、粘着剤層１とレチクルチャックＣとの接触面の中央部分（矢印Ｑ参照）に集中して荷重される。このため、粘着剤層１とレチクルチャックＣとの接触面の中央部分には、レチクルチャックＣから粘着剤層１を剥離するための大きな力が作用し、上述の剥離きっかけが生じる。
剥離きっかけの生成により、粘着剤層１とレチクルチャックＣとの接触面の中央部分から外側に向かって、レチクルチャックＣからの粘着剤層１の剥離が進行する（図９（Ｂ）参照）。そして、レチクルチャックＣから粘着剤層１が完全に剥離すると、レチクルチャッククリーナーＢが下方に移動されたレチクルポートＰ上に落下し、受け取られる。このとき、図９（Ｃ）に示すように、粘着剤層１中にめり込んだ異物ＤがレチクルチャックＣから除去される。
レチクルチャッククリーナーＢにおいても、レチクルチャックＣから剥離したレチクルチャッククリーナーＢが、下方のレチクルポートＰ上に真っ直ぐ落下するようにするため、基板３の表面３１に、接触する支持層２との解離性を高めるための処理を行うことが好ましい。この処理は、レチクルチャッククリーナーＡと同様の方法により行うことができる。
このように、レチクルチャッククリーナーＢを用いれば、粘着剤層１をレチクルチャックＣに密着させた後に剥がすという操作を行うだけで、ＥＵＶ露光装置の真空チャンバーの真空を破ることなく、レチクルチャックＣのクリーニングが可能である。このため、真空チャンバーを一度大気圧に戻し、レチクルチャックを真空チャンバー内から取り出した後に清掃する従来方法と異なり、装置を長時間停止させる必要がなくなり、装置の稼働率を大きく改善して、半導体デバイスの製造効率を向上させることができる。
さらに、レチクルチャッククリーナーＢは、基板３の自重によってレチクルチャックＣから剥離されるようにされているため、レチクルチャックに貼り付けたレチクルチャッククリーナーが剥がせなくなって取り外しが不能となることがない。
レチクルチャックのクリーニングは、剥離手順においてレチクルポートＰ上に受けたレチクルチャッククリーナーＢを用いて再度剥離手順を行うことにより、繰り返し行ってもよい点は、レチクルチャッククリーナーＡにおいて説明した通りである。
また、両面テープ４３は、支持層２と基板３とを部分的に接着あるいは粘着し、基板３の自重を粘着剤層１とレチクルチャックＣとの接触面の一部に集中的に荷重させることによって、レチクルチャックＣからの粘着剤層１の剥離きっかけを生成し得る限りにおいて、任意の部位に設けることができる点も上述した通りである。
Ａ，Ｂ：レチクルチャッククリーナー、Ｃ：レチクルチャック、Ｄ：異物、１：粘着剤層、２：支持層、３：基板、３１：基板表面、３２：溝、４：部分粘着層、４１：粘着領域、４２：非粘着領域、４３：両面テープ
Claims (14)
- ＥＵＶ露光装置のレチクルチャックをクリーニングするためのレチクルチャッククリーナーであって、
レチクルチャックのチャック領域に貼り付けられる粘着剤層と、該粘着剤層に積層された支持層と、レチクルチャックまで搬送可能な形状を有する基板と、を具備し、
前記支持層と前記基板とが部分的に接着されているレチクルチャッククリーナー。 - 前記支持層と前記基板との接着部は、該接着部において前記支持層が引っ張られることにより、レチクルチャックに貼り付けられた前記粘着剤層の剥離きっかけが生成されるように設けられている請求項１記載のレチクルチャッククリーナー。
- 前記剥離きっかけは、前記基板がその自重により前記接着部を介して前記支持層を引っ張ることにより生成される請求項２記載のレチクルチャッククリーナー。
- 前記剥離きっかけは、前記粘着剤層の前記レチクルチャックからの剥離開始位置として作用する請求項３記載のレチクルチャッククリーナー。
- 前記支持層と前記基板との間に、粘着性がある領域と粘着性がない領域とを有する部分粘着層が設けられた請求項４記載のレチクルチャッククリーナー。
- 前記部分粘着層が光硬化型粘着剤層とされ、
該光硬化型粘着剤層のうち、光硬化された領域が前記支持層と前記基板との非接着部を構成し、残余の領域が前記接着部を構成している請求項５記載のレチクルチャッククリーナー。 - 前記支持層と前記基板との非接着部において、接触する前記支持層と前記基板との解離性、あるいは接触する前記部分粘着層と前記基板との解離性を高めるための処理がなされている請求項５又は６記載のレチクルチャッククリーナー。
- 前記処理が、前記基板表面の凹凸形成あるいは粗面化である請求項７記載のレチクルチャッククリーナー。
- 前記粘着剤層が、（メタ）アクリル酸エステル系重合体を主成分とする粘着剤からなる請求項１〜８記載のレチクルチャッククリーナー。
- 前記基板がフォトマスクブランクスである請求項１〜９記載のいずれか一項に記載のレチクルチャッククリーナー。
- 前記フォトマスクブランクスが、ガラス、石英又は合成石英からなる請求項１０記載のレチクルチャッククリーナー。
- ＥＵＶ露光装置のレチクルチャックをクリーニングするための方法であって、
レチクルチャックのチャック領域に貼り付けられる粘着剤層と、該粘着剤層に積層された支持層と、レチクルチャックまで搬送可能な形状を有する基板と、を具備し、前記支持層と前記基板とが部分的に接着されているレチクルチャッククリーナーを、ＥＵＶ露光装置の真空排気されたチャンバー内に収容されたレチクルチャックに対して押し当てて、前記粘着剤層をレチクルチャックに密着させる貼付手順と、
レチクルチャックに対する前記レチクルチャッククリーナーの押圧を解除し、前記基板の自重により前記接着部を介して前記支持層を引っ張ることによってレチクルチャックに貼り付けられた前記粘着剤層を剥離して、レチクルチャッククリーナーをレチクルチャックから取り外す剥離手順と、を含むレチクルチャッククリーニング方法。 - 前記貼付手順において、レチクル搬送手段に載置した前記レチクルチャッククリーナーをレチクルチャックに対して下方から押し当てて貼り付け、かつ、
前記剥離手順において、レチクル搬送手段を下方に移動させてレチクルチャックに対する前記レチクルチャッククリーナーの押圧を解除することによって前記基板の自重によりレチクルチャックから剥離する前記レチクルチャッククリーナーを、下方に移動したレチクル搬送手段上に受ける請求項１２記載のレチクルチャッククリーニング方法。 - 前記貼付手順及び前記剥離手順からなる操作を繰り返し行う請求項１３記載のレチクルチャッククリーニング方法。
Priority Applications (1)
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| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2011192595 | 2011-09-05 | ||
| JP2011192595 | 2011-09-05 | ||
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| JP2013532482A JP5875197B2 (ja) | 2011-09-05 | 2012-06-22 | レチクルチャッククリーナー及びレチクルチャッククリーニング方法 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPWO2013035415A1 true JPWO2013035415A1 (ja) | 2015-03-23 |
| JP5875197B2 JP5875197B2 (ja) | 2016-03-02 |
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ID=47831869
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| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP2013532482A Active JP5875197B2 (ja) | 2011-09-05 | 2012-06-22 | レチクルチャッククリーナー及びレチクルチャッククリーニング方法 |
Country Status (6)
| Country | Link |
|---|---|
| US (1) | US9808841B2 (ja) |
| JP (1) | JP5875197B2 (ja) |
| KR (1) | KR101583167B1 (ja) |
| CN (1) | CN103782365B (ja) |
| TW (1) | TWI574114B (ja) |
| WO (1) | WO2013035415A1 (ja) |
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- 2012-06-22 CN CN201280043092.0A patent/CN103782365B/zh active Active
- 2012-06-22 JP JP2013532482A patent/JP5875197B2/ja active Active
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| CN103782365B (zh) | 2016-10-05 |
| KR101583167B1 (ko) | 2016-01-07 |
| TWI574114B (zh) | 2017-03-11 |
| KR20140047150A (ko) | 2014-04-21 |
| JP5875197B2 (ja) | 2016-03-02 |
| TW201312284A (zh) | 2013-03-16 |
| WO2013035415A1 (ja) | 2013-03-14 |
| US20140326278A1 (en) | 2014-11-06 |
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Legal Events
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|
| TRDD | Decision of grant or rejection written | ||
| A01 | Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model) |
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| A61 | First payment of annual fees (during grant procedure) |
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|
| R150 | Certificate of patent or registration of utility model |
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