JP2003209034A - 半導体基板処理装置のクリーニング方法 - Google Patents

半導体基板処理装置のクリーニング方法

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JP2003209034A
JP2003209034A JP2002296731A JP2002296731A JP2003209034A JP 2003209034 A JP2003209034 A JP 2003209034A JP 2002296731 A JP2002296731 A JP 2002296731A JP 2002296731 A JP2002296731 A JP 2002296731A JP 2003209034 A JP2003209034 A JP 2003209034A
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semiconductor substrate
cleaning
processing apparatus
semiconductor
substrate
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JP2002296731A
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Yoshiyuki Shioyama
善之 塩山
Mikiko Hori
幹子 堀
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Toshiba Corp
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Toshiba Corp
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Abstract

(57)【要約】 【課題】 搬送過程でウェハな接触する部分より広い領
域に粘着性の物質を固着したウェハを、ウェハ処理装置
内に搬送することにより、装置の稼働率を落とさずに異
物の除去効果を向上させるウェハ処理装置のクリーニン
グ方法に用いるのに適した両面粘着テープを提供するこ
とを目的としている。 【解決手段】 本発明の両面粘着テープは、半導体製造
装置内に、粘着性の物質を固着した基板を空搬送するこ
とにより、搬送系および処理ユニットの異物を吸着する
クリーニング方法において用いる両面粘着テープであっ
て、合成樹脂薄膜よりなる支持体の両表面に粘着剤層を
形成した両面粘着テープであって、一方の粘着剤層の剥
離強度が他方の粘着剤層の剥離強度より大きいことを特
徴とする半導体基板処理装置のクリーニング用両面粘着
テープである。

Description

【発明の詳細な説明】
【0001】
【発明の属する技術分野】本発明は、半導体処理装置の
クリーニング方法に関する。
【0002】
【従来の技術】基板処理装置は、各処理部の間が図8の
様な(A)ベルト式,(B)ローラ式,(C)メカニカ
ル式等の搬送系で連結されており、各搬送系は基板を、
物理的に接触することにより搬送する。その際、基板に
異物が付着していると、その異物が搬送系を構成してい
るベルト801や搬送アーム806に付着し、異物が溜
まって発塵の原因になる。そして、後続の基板に対する
逆汚染つまり再付着する事があり、それが高い清浄度を
必要とされる基板であった場合に、歩留り上致命的な欠
陥を生じさせる原因にもなりかねなかった。この悪影響
を避けるために、搬送系や各処理部を定期的にメンテナ
ンスつまり洗浄処理を施すが、その間装置が停止する
為、稼働率を下げる原因となっていた。特に、真空チャ
ンバー内にこの様な搬送系を有している装置において
は、真空系を立ち下げてから分解・洗浄する必要がある
為、メンテナンスが非常に繁雑であり、洗浄処理は稼働
率を大幅に下げる要因となっていた。
【0003】また、このメンテナンスの頻度と労力を減
らす為に、処理基板の合間にダミーの基板を空搬送して
搬送系や各処理部に付着した異物を付着させて除去する
方法があるが、十分に異物の除去効果があるとは言えな
かった。
【0004】
【発明が解決しようとする課題】上記の様に、従来の基
板処理装置のクリーニング方法では、搬送系や各処理部
を定期的にメンテナンスつまり洗浄処理を施す為に、装
置の稼働率を下げる原因となっていた。また、ダミーの
基板を空搬送する方法に於いては、異物の除去効果が十
分とは言えなかった。本発明は、装置の稼働率を落とさ
ずに、且つ異物の除去効果を向上させる基板処理装置の
クリーニングに用いるのに適した両面粘着テープを提供
する事を目的としている。
【0005】
【課題を解決するための手段】本発明は上記の問題を解
決すべくなされたもので、粘着性の物質を固着した基板
を搬送する事により基板処理装置内のクリーニングを行
なうにあたって用いるのに適した両面粘着テープであ
る。すなわち本発明は、合成樹脂薄膜よりなる支持体の
両表面に粘着剤層を形成した両面粘着テープであって、
一方の粘着剤層の剥離強度が他方の粘着剤層の剥離強度
より大きいことを特徴とする半導体基板処理装置のクリ
ーニング用両面粘着テープである。
【0006】
【発明の実施の形態】以下、図1乃至7を参照して本発
明に係る半導体基板処理装置のクリーニング方法の実施
例を、基板がウエハである場合を例に詳細に説明する。
図1及び図2に粘着性の物質を固着したウエハの構造体
の一例を示す。ウエハ上異物の付着は、ウエハと装置内
搬送経路の接触する部分に偏っているがその分布は多少
の広がりがある。従って、半導体ウエハの主面,裏面,
側面の搬送過程で接触する部分を包括する様な広い範囲
に、各々粘着性の物質(ここでは両面粘着テープ)を貼
り付ける。ここでの搬送過程で接触する部分とは、図8
の様なベルト式,ローラ式,メカニカル式等の搬送系に
おけるウエハとの接触部分や、ウエハ保持用のツメまた
はクランプ,ウエハのストッパー,ウエハチャック等が
ある。図1は、本発明に係る半導体基板処理装置のクリ
ーニングに用いる粘着性のテープを固着したウエハの構
造体の一例を示したものであり、(A)は各要素を分離
した状態における斜視図、(B)は断面図である。半導
体ウエハ103の主面,裏面,側面の搬送過程で接触す
る部分を包括する様な広い範囲に、各々粘着性の物質
(ここでは両面粘着テープ)101, 104,105
を貼り付けている。この粘着性のテープを固着したダミ
ーウエハの異物除去能力は、搬送系や処理部の接触部分
の異物付着を行うにつれその清浄度が劣化する為、何等
かの方法で異物除去能力を回復する必要がある。ここで
は、テープを貼り換える事を異物能力の回復手段とす
る。その為、粘着テープ101に非粘着性の突起状薄膜
である両面粘着テープ剥離用非粘着部102を固着す
る。テープの貼り換えは、非粘着性の薄膜102を引っ
張ることにより粘着テープ101をウエハ103から引
き剥がし、新しい粘着テープ101を貼り付けることに
より、再利用が可能となる。上記粘着性の物質の着脱は
手で行なってもよいし、治具か装置で行なっても構わな
い。図2は本発明に係る半導体基板処理装置のクリーニ
ングに用いる粘着性のテープを固着したウエハの第2の
実施例を示したものであり、(A)は各要素を分離した
状態における斜視図、(B)は断面図である。半導体ウ
エハ203の主面,裏面,側面の搬送過程で接触する部
分を包括する様な広い範囲に、各々粘着性の物質(ここ
では両面粘着テープ)201,204,205を貼り付
けている。図1の場合は、搬送過程において例えばツメ
と接触するといった様に、ウエハ裏面のテープによる被
膜がドーナッツ状に必要となる場合を示しているのに対
し、図2の場合は、搬送過程においてウエハチャック等
と接触するといった様に、裏面全体がテープによる被膜
を必要とする場合を示している。この際、上記の様に、
装置の搬送系及び各処理部におけるウエハに接触する部
分の異物を、確実に吸着除去する為に、ウエハがテープ
によって覆われる範囲は、この接触部を包括する様な広
い範囲にする。この範囲は装置により異なり、ウエハ主
面に貼り付ける両面粘着テープの範囲の例を図3に示
す。図3は、本発明に係る半導体基板処理装置のクリー
ニングに用いる粘着性のテープを固着したウエハの第3
の実施例の上面図であり、(A)は周辺全周クランプ等
ウエハ周辺のドーナッツ状の部分に粘着テープを必要と
する場合(B)は周辺のつめ状クランプ等ウエハ周辺の
散在する領域に粘着テープを必要とする場合を示してい
る。また、図4は本発明に係る半導体基板処理装置のク
リーニングに用いる粘着性のテープを固着したウエハの
第4の実施例の断面図を示したものであり、(A)はウ
エハ全体の断面図、(B)は(A)a部の拡大断面図で
ある。図4(B)は、粘着剤402,支持体405,粘
着剤404の3層構造の両面粘着テープをウエハ403
の両面に貼り付けたものである。支持体の材料として
は、アセテートフィルム(マットフィニッシュ;住友ス
リーエム),ポリエチレンテレフタレート(PET;フ
ジカラー),ふっ素樹脂,テフロン(登録商標)樹脂
(テフロンスカイブドテープ)等があり、粘着剤として
は真空プロセスで不活性が必要とされる場合はシリコン
系粘着剤が適当であるが、常温・常圧プロセスでガスの
発生をある程度許容する場合はアクリル系粘着剤を使用
する事も可能である。尚、図4に示す両面体をウエハに
貼り付ける場合、基板側の粘着テープの剥離強度(f
1)が最表面側の剥離強度(f2)と同等か大きい事つ
まりf1≧f2である事が必要となる。その理由は、f
2の方がf1よりも大きい場合、搬送過程で両面テープ
自身が剥離を起こして接触部に付着する危険性が高く、
異物除去という目的に反するばかりか逆に搬送過程を汚
染する事になる為である。以上の例では、両面粘着テー
プを用いたが、粘着性の薄膜であれば、他のものであっ
ても構わない。次に他の実施例として粘着剤をウエハに
塗布により形成する場合の一例を図5に示す。図5は本
発明に係る半導体基板処理装置のクリーニングに用いる
粘着性の物質を塗布により固着したウエハの一例の断面
図を示したものであり、(A)はウエハ全体の断面図、
(B)(C)は(A)a部の拡大断面図で、(B)は塗
布層が一層、(C)は塗布層が2層の場合であり、ウエ
ハの両面に対し、アクリル系またはシリコン系の粘着剤
を形成するものである。図5(C)の様に2層以上の粘
着剤により粘着層を形成する理由は、粘着性の物質によ
る搬送過程の汚染に対する危険性を回避する為には、上
記と同様に剥離強度がf1≧f2(f1:基板側の粘着
剤の剥離強度,f2:最表面側の粘着剤の剥離強度)の
関係を満たす様に各層の材料を選択する必要がある為。
また、異物除去能力の回復の手段としては、例えばO
アッシャーや硫酸過水処理により粘着剤を剥離し、再塗
布する。
【0007】次に、図6を参照して本発明に係る半導体
ウエハ処理装置のクリーニング方法の実施例を詳細に説
明する。半導体基板処理装置は、処理ウエハ603の搬
送の繰り返しにより搬送過程でウエハ603と接触する
部分、つまり搬送経路やウエハ保持用のツメやブレード
のツメ或いはウエハチャック(静電チャック)上にダス
トが溜り発塵の原因になる為、上記粘着性の物質を固着
したウエハ603を処理ウエハの合間にウエハ処理装置
の搬送系に空搬送する。処理を行うウエハ603をウエ
ハカセット601に載せた状態でカセットチャンバー6
02内のカセットホルダー607にセットする。カセッ
トチャンバー602が真空に引かれウエハローディング
チャンバー605との差圧が一定値以下になったところ
でカセットチャンバー602とウエハローディングチャ
ンバー605を隔てているゲートバルブ606が開きウ
エハカセット601はカセットホルダー607とともに
ウエハローディングチャンバー605へ移送される。移
送完了後ゲートバルブ606を閉じる。次にエッチング
チャンバー608とウエハローディングチャンバー60
5を隔てているゲートバルブを開いてウエハカセット6
01にセットされているウエハ603を一枚づつエッチ
ングチャンバー608内に搬送する。以下図7を用いて
ウエハローディングチャンバー605からエッチングチ
ャンバー608へのウエハ603の受け渡し搬送の過程
を説明する。図7(A)のブレード706によりウエハ
カセット701から持ち上げられたウエハ703は、図
7(B)に示した様に、搬送用アーム705のウエハ保
持用のツメ702により保持され、しかるのちブレード
706は元の位置に下がる。次に図7(C)に示した様
に、ウエハ703はゲートバルブ708が開かれた後、
搬送用アーム705によりウエハチャック(静電チャッ
ク)704の直上まで運ばれ、この位置までウエハチャ
ック704が移動することによりウエハはウエハチャッ
ク704にチャッキングされ、ウエハチャック704は
後退する。その後、図7(D)に示した様に、搬送アー
ム705はウエハ703との接触回避の為ウエハローデ
ィングチャンバー605へ移動する。しかるのちにゲー
トバルブ708を閉じ、ウエハのエッチングを開始す
る。処理後の受け渡し搬送は上記の逆の動作により、ウ
エハチャック704からウエハカセット701までウエ
ハ703を搬送する。粘着性物質を固着したダミーウエ
ハ搬送処理の頻度に関しては、処理間隔を時間で管理し
ても良いし、また処理ロット数で管理しても良い。ま
た、クリーニング処理のみの為に搬送しても良い。ま
た、枚数については、他工程から受ける汚染の程度及び
次の空搬送迄の間に処理されるウエハに必要とされる清
浄度のレベルにより決められる。従って、ウエハ数枚毎
に織り込む事も考えられる。この様に、粘着性の物質を
固着したウエハの搬送は、任意の時間に任意の枚数行う
ことが出来る。
【0008】尚、上記は真空チャンバーを有する処理装
置の場合を上げたが、大気下における処理装置にも適用
できることは言うまでもない。また枚葉式かバッチ式ど
ちらの形態にも適用することが出来るし、フォトマスク
或いはレティクル等ウエハ以外の基板を搬送する装置に
も適用できる。また、基板に貼り付ける粘着性物質は、
上記においては粘着性及びガスの発生を考慮して上記の
様な選択をしたが、装置及び処理基板の必要に応じて耐
熱性,耐水性,耐薬品性,帯油性等、様々な条件が考え
られる為、支持体を含め使用目的に適合した素材を選択
すべきことは言うまでもない。
【0009】
【発明の効果】上述した様に本発明のクリーニング用両
面粘着テープを用いれば、ウエハ処理装置の搬送系及び
各処理部における、ウエハに接触する部分の異物を確実
に吸着除去出来る。またその結果、従来行われていたメ
ンテナンスを人が行なう方法に対しては、ウエハの搬送
経路のセミオートクリーニング,インサイチュクリーニ
ングが、高い清浄度レベルで達成される為、オペレータ
ーの負担つまり頻度と労力を大幅に省き、且つ稼働率を
向上する事が可能となる。これは、特に真空系を使った
装置に対して真空系を立ち下げてから分解・洗浄する必
要性等の作業性の差から効果度が高く、将来的には、装
置又はユニットの局所クリーン化を行う際にも、同様の
理由で高い効果度が得られる。また、この方法は任意の
ウエハ枚数間隔でローディングする事が可能であり、ダ
ミーウエハのローディングの頻度を高める事により、搬
送経路のコンタミネーションコントロールのリアルタイ
ム制御が可能となる。また従来のダミーウエハを空搬送
する方法に対しては、使用するダミーウエハの枚数の大
幅な削減が可能となる為、前記ウエハ処理装置の稼働率
を向上する事が出来る。また本発明によれば、装置内清
浄度の信頼性が向上する為、安定した製品歩留りを得る
ことが出来る。
【0010】また、本発明においてはダミーウエハに固
着される粘着性の物質に非粘着性の突起状薄膜を固着す
る事により、粘着性の物質を容易に剥がす事が出来る
為、再度の貼り付けが可能となり、粘着性の物質を固着
したダミーウエハの再生利用が可能となる。
【図面の簡単な説明】
【図1】本発明に係る半導体基板処理装置のクリーニン
グに用いる粘着性のテープを固着したウエハの構造体の
一例を示したものであり、(A)は各要素を分離した状
態における斜視図、(B)は断面図ある。
【図2】本発明に係る半導体基板処理装置のクリーニン
グに用いる粘着性のテープを固着したウエハの第2の実
施例を示したものであり、(A)は各要素を分離した状
態における斜視図、(B)は断面図ある。
【図3】本発明に係る半導体基板処理装置のクリーニン
グに用いる粘着性のテープを固着したウエハの第3の実
施例の上面図であり、(A)はウエハ周辺のドーナッツ
状部分に(B)はウエハ周辺の散在する領域に、各々粘
着テープを必要とする場合を示している。
【図4】本発明に係る半導体基板処理装置のクリーニン
グに用いる粘着性のテープを固着したウエハの第4の実
施例の断面図を示したものであり、(A)はウエハ全体
の断面図、(B)は(A)a部の拡大断面図である。
【図5】本発明に係る半導体基板処理装置のクリーニン
グに用いる粘着性の物質を塗布により固着したウエハの
一例の断面図を示したものであり、(A)はウエハ全体
の断面図、(B)(C)は(A)a部の断面図で、
(B)は塗布層が一層、(C)は塗布層が2層の場合で
ある。
【図6】本発明の一実施例に則した半導体基板処理装置
のクリーニングを行う装置概略構成における断面図であ
る。
【図7】本発明の一実施例に則した半導体基板処理装置
のクリーニングを行う装置のウエハ搬送にかかわる内部
構造図であり、(A)(B)(C)(D)はウエハがロ
ーディングされる過程におけるシーケンス経過毎の状態
を示している。
【図8】従来の一般的なウエハ搬送系の斜視図である。
【符号の説明】
101 201 301 401 501:ウエハ主面
に貼り付ける両面粘着テープ 102 202:両面粘着テープ剥離用非粘着部 103 203 403 503 603 703:半
導体ウエハ 104 204:ウエハ裏面に貼り付ける両面粘着テー
プ 105 205:ウエハ側面に貼り付ける両面粘着テー
プ 301:ウエハ表面のテープ貼り付け範囲 302:ウエハ端部 401:両面テープ 402 502:粘着剤1 404 504:粘着剤2 405 505:支持体 601 701:ウエハカセット 602:カセットチャンバー 604 704:ウエハチャック 605:ウエハローディングチャンバー 606 708:ゲートバルブ 607:カセットホルダー 608:エッチングチャンバー 702:ウエハ保持用ツメ 705:ウエハ搬送アーム 706:ウエハ搬送用ブレード 707:ウエハ搬送用ブレードのツメ 709:チャンバー壁 801:ベルト 802:プーリー 804:駆動モーター 805:ローラー 806:搬送アーム 807:ウエハ接触面 808:バキューム穴 809:スライドボックス 810:スライドステージ
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き Fターム(参考) 5F031 CA11 DA01 DA20 EA01 EA02 FA01 FA03 FA11 FA12 GA12 GA55 HA16 HA45 HA57 MA32 NA05 NA07 PA02 PA07 PA23

Claims (19)

    【特許請求の範囲】
  1. 【請求項1】半導体基板の裏面の少なくとも一部に、支
    持体の両面に粘着剤層が形成された両面粘着テープを固
    着したクリーニング用基板を用い、半導体基板を搬送す
    る機構を備えた半導体基板処理装置の半導体基板通過経
    路に該クリーニング用基板を搬送し、該クリーニング用
    基板の自重を利用して半導体デバイスに欠陥を生じさせ
    る異物を除去することによって半導体基板の製造歩留ま
    りを向上させることを特徴とする半導体基板処理装置の
    クリーニング方法。
  2. 【請求項2】半導体基板の裏面の少なくとも一部に支持
    体の両面に粘着剤層が形成された両面粘着テープを固着
    したクリーニング用基板を用いて、該半導体基板処理装
    置の半導体基板を搬送する機構、該半導体基板に所要の
    処理を施す機構、およびその後該半導体基板を搬送する
    機構の一連の半導体基板通過経路に該クリーニング用基
    板を搬送し、該クリーニング用基板の自重を利用して半
    導体デバイスに欠陥を生じさせる異物を除去することに
    よって半導体基板の製造歩留まりを向上させることを特
    徴とする半導体基板処理装置のクリーニング方法。
  3. 【請求項3】半導体基板の裏面の少なくとも一部に支持
    体の両面に粘着剤層が形成された両面粘着テープを固着
    したクリーニング用基板を、半導体基板処理装置におけ
    る半導体基板を半導体基板搬入部から半導体基板処理部
    まで搬送する搬送系、該半導体基板処理部、および該半
    導体基板を該半導体基板処理部から搬出部まで搬送する
    搬送系の一連の半導体基板通過経路に搬送し、該クリー
    ニング用基板の自重を利用して半導体デバイスに欠陥を
    生じさせる異物を除去することによって半導体基板の製
    造歩留まりを向上させることを特徴とする半導体基リー
    ニング方法。
  4. 【請求項4】半導体基板の裏面の少なくとも一部に、支
    持体の両面に粘着剤層を形成した両面粘着テープを固着
    したクリーニング用基板を、半導体基板処理装置を用い
    て所定の処理を施す処理基板の合間に、該半導体基板処
    理装置の半導体基板通過経路に空搬送し、該クリーニン
    グ用基板の自重を利用して半導体デバイスに欠陥を生じ
    させる異物を除去することによって半導体基板の製造歩
    留まりを向上させることを特徴とする半導体基板処理装
    置のクリーニング方法。
  5. 【請求項5】半導体基板の裏面の少なくとも一部に、支
    持体の両面に粘着剤層が形成され、該半導体基板固着側
    粘着剤層の剥離強度を該半導体基板処理装置部材接触側
    粘着剤層の剥離強度と同等かもしくはこれより大きいこ
    ととした両面粘着テープを固着したクリーニング用基板
    を用いて、半導体基板を搬送する機構を備えた半導体基
    板処理装置の半導体基板通過経路に前記クリーニング用
    基板を搬送し、該クリーニング用基板の自重を利用して
    半導体デバイスに欠陥を生じさせる異物を除去すること
    によって半導体基板の製造歩留まりを向上させることを
    特徴とする半導体基板処理装置のクリーニング方法。
  6. 【請求項6】前記半導体基板処理装置のクリーニング方
    法において、両面粘着テープとして、支持体の両面に粘
    着剤層が形成され、前記基板固着側粘着剤層の剥離強度
    を前記半導体基板処理装置部材接触側粘着剤層の剥離強
    度より大きいこととした両面粘着テープを用いることを
    特徴とする請求項5記載の半導体基板処理装置のクリー
    ニング方法。
  7. 【請求項7】前記半導体基板処理装置が、真空に維持さ
    れる半導体基板処理装置であることを特徴とする請求項
    5または請求項6のいずれかに記載の半導体基板処理装
    置のクリーニング方法。
  8. 【請求項8】半導体基板の裏面の少なくとも一部に、支
    持体の両面にアクリル系粘着剤層が形成された両面粘着
    テープを固着したクリーニング用基板を用いて、半導体
    基板を搬送する機構を備えた半導体基板処理装置の半導
    体基板通過経路に該クリーニング用基板を搬送し、該ク
    リーニング用基板の自重を利用して半導体デバイスに欠
    陥を生じさせる異物を除去することによって半導体基板
    の製造歩留まりを向上させることを特徴とする半導体基
    板処理装置のクリーニング方法。
  9. 【請求項9】前記支持体が、ポリエチレンテレフタレー
    トを主材料とするものであることを特徴とする請求項8
    記載の半導体基板処理装置のクリーニング方法。
  10. 【請求項10】半導体基板の裏面の少なくとも一部に、
    ポリエチレンテレフタレートを主材料とする支持体の両
    面にアクリル系粘着剤層が形成され、該基板固着側粘着
    剤層の剥離強度を該基板処理装置部材接触側粘着剤層の
    剥離強度と同等かもしくはこれより大きいこととした両
    面粘着テープを固着したクリーニング用基板を用いて、
    半導体基板を搬送する機構を備えた半導体基板処理装置
    の半導体基板通過経路に該クリーニング用基板を搬送
    し、該クリーニング用基板の自重を利用して半導体デバ
    イスに欠陥を生じさせる異物を除去することによって半
    導体基板の製造歩留まりを向上させることを特徴とする
    半導体基板処理装置のクリーニング方法。
  11. 【請求項11】前記両面粘着テープが、支持体の両面に
    粘着剤層が形成され、該基板固着側粘着剤層の剥離強度
    を該基板処理装置部材接触側粘着剤層の剥離強度がこれ
    より大きいこととした両面粘着テープであることを特徴
    とする請求項10記載の半導体基板処理装置のクリーニ
    ング方法。
  12. 【請求項12】半導体基板の裏面の少なくとも一部にポ
    リエチレンテレフタレートを主材料とする支持体の両面
    にアクリル系粘着剤層が形成された両面粘着テープを固
    着したクリーニング用基板を用いて、半導体基板処理装
    置の半導体基板を搬送する機構、半導体基板に所要の処
    理を施す機構、およびその後半導体基板を搬送する機構
    の一連の半導体基板通過経路に該クリーニング用基板を
    搬送して、該半導体基板処理装置をクリーニングし、該
    クリーニング用基板の自重を利用して半導体デバイスに
    欠陥を生じさせる異物を除去することによって半導体基
    板の製造歩留まりを向上させることを特徴とする半導体
    基板処理装置のクリーニング方法。
  13. 【請求項13】半導体基板の裏面の少なくとも一部にポ
    リエチレンテレフタレートを主材料とする支持体の両面
    にアクリル系粘着剤層が形成された両面粘着テープを固
    着したクリーニング用基板を、半導体基板処理装置にお
    ける半導体基板を半導体基板搬入部から半導体基板処理
    部まで搬送する搬送系、該半導体基板処理部、および半
    導体基板を該半導体基板処理部から搬出部まで搬送する
    搬送系の一連の半導体基板通過経路に搬送して、該半導
    体基板処理装置をクリーニングし、該クリーニング用基
    板の自重を利用して半導体デバイスに欠陥を生じさせる
    異物を除去することによって半導体基板の製造歩留まり
    を向上させることを特徴とする半導体基板処理装置のク
    リーニング方法。
  14. 【請求項14】半導体基板の裏面の少なくとも一部に、
    ポリエチレンテレフタレートを主材料とする支持体の両
    面にアクリル系粘着剤層を形成した両面粘着テープを固
    着したクリーニング用基板を、半導体基板処理装置を用
    いて所定の処理を施す処理基板の合間に、該半導体基板
    処理装置の半導体基板通過経路に空搬送し、該クリーニ
    ング用基板の自重を利用して半導体デバイスに欠陥を生
    じさせる異物を除去することによって半導体基板の製造
    歩留まりを向上させることを特徴とする半導体基板処理
    装置のクリーニング方法。
  15. 【請求項15】半導体基板の裏面の少なくとも一部に、
    支持体の両面に粘着剤層が形成され、該基板固着側粘着
    剤層の剥離強度を該半導体基板処理装置部材接触側粘着
    剤層の剥離強度と同等かもしくはこれより大きいことと
    した両面粘着テープを固着したクリーニング用基板を用
    いて、半導体基板を搬送する機構を備えた半導体基板処
    理装置の基板通過経路に該クリーニング用基板を搬送し
    て該半導体基板処理装置をクリーニングし、該クリーニ
    ング用基板の自重を利用して半導体デバイスに欠陥を生
    じさせる異物を除去することによって半導体基板の製造
    歩留まりを向上させることを特徴とする半導体基板処理
    装置のクリーニング方法。
  16. 【請求項16】前記両面粘着テープにおいて、該基板固
    着側粘着剤層の剥離強度が該半導体基板処理装置部材接
    触側粘着剤層の剥離強度より大きい両面粘着テープを用
    いたことを特徴とする請求項15記載の半導体基板処理
    装置のクリーニング方法。
  17. 【請求項17】前記半導体基板処理装置が、真空に維持
    される半導体基板処理装置であることを特徴とする請求
    項15または請求項16のいずれかに記載の半導体基板
    処理装置のクリーニング方法。
  18. 【請求項18】前記両面粘着テープを形成する前記半導
    体基板の裏面の範囲が、クリーニング対象となる前記半
    導体処理装置の搬送系または処理部と前記クリーニング
    用基板との接触部を包括する該半導体基板の裏面の範囲
    であることを特徴とする請求項1ないし請求項17に記
    載の半導体処理装置の製造方法。
  19. 【請求項19】半導体基板の裏面の少なくとも一部に、
    支持体の両面に粘着剤層が形成された両面粘着テープを
    固着したクリーニング用基板を用い、半導体基板を搬送
    する機構を備えた半導体基板処理装置の半導体基板通過
    経路に該クリーニング用基板を搬送することを特徴とす
    る半導体処理装置のクリーニング方法。
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