JPH08148461A - 半導体ウエハに付着した異物の除去方法 - Google Patents

Abstract

(57)【要約】 【目的】 粘着テ―プによる異物除去操作の簡略化を図
るとともに、半導体ウエハの表裏両面の異物を高い除去
率で除去する。 【構成】 支持フイルム１１上に半導体ウエハ２とほぼ
同じ形状の粘着剤層１２がテ―プ長手方向に連設された
粘着テ―プの二組１Ａ，１Ｂを用い、この粘着テ―プ１
Ａ，１Ｂを、多数個の半導体ウエハ２の表裏両面に、粘
着剤層１２が各半導体ウエハ２の表裏面に対向するよう
に、半導体ウエハ２の表裏両面側から挟んで貼り付けた
のち、表裏両面側から同時に連続的に剥離操作して、各
半導体ウエハ２の表裏面に付着した異物３を粘着剤層１
２面に吸着させて除去する。

Description

【発明の詳細な説明】

【０００１】

【産業上の利用分野】本発明は、半導体製造プロセスに
おける洗浄工程に適用される、半導体ウエハに付着した
異物の除去方法に関するものである。

【０００２】

【従来の技術】ＬＳＩの高密度化、高集積化、また回路
の多様化が進むにつれて、半導体ウエハに存在する塵
埃、金属不純物などの異物（パ―テイクル）が製品の歩
留り、製品の信頼性に大きく影響するようになつてき
た。たとえば、半導体ウエハの表面（回路パタ―ン形成
面）に存在する異物は、回路形成時に回路の断線やシヨ
―トの原因となる。また、半導体ウエハの裏面（回路パ
タ―ン面の反対面）に存在する異物は、回路形成時の露
光工程で焦点を狂わす原因となり、また隣接するウエハ
の表面に転写して回路の断線やシヨ―トの原因となる。

【０００３】このため、ＬＳＩの製造工程では、製造工
程内の清浄度のレベルアツプ、ウエハ洗浄技術のレベル
アツプに努めており、さまざまな清浄化技術が提案さ
れ、実施されてきた。とくに、洗浄工程は全工程の約３
０％を占めており、歩留りや信頼性アツプのキ―ポイン
トである。しかし、最近のＬＳＩの高密度化、高集積化
に伴い、従来のウエハ洗浄方法の問題が顕在化してき
た。

【０００４】ウエハ洗浄方法には、ウエツト洗浄（超純
水、薬液などによる）と、ドライ洗浄（ＵＶオゾン、Ｏ
₂ プラズマなど）があり、一般にはウエツト洗浄がその
汎用性、経済性のバランスのよさから頻繁に適用され
る。ウエツト洗浄の問題点は、洗浄によりウエハから除
去された異物のウエハへの再付着であり、とくにウエハ
裏面に付着している異物は著しい汚染源となる。また、
ウエツト洗浄は乾燥工程を必要とするため、乾燥工程で
のウエハ汚染の問題が同様に存在する。

【０００５】ウエツト洗浄の短所を補う洗浄方法とし
て、洗浄方法のドライ化（ＵＶオゾン、Ｏ₂ プラズマな
ど）が進んでおり、異物の再付着の低減、乾燥工程の省
略などの利点を活かしているが、ドライ洗浄は異物に対
して十分な除去能力を示さず、多量の汚染物の除去に適
していないことがわかつてきた。

【０００６】別の試みとして、粘着テ―プを用い、半導
体ウエハに付着した異物を上記テ―プの粘着剤層面に吸
着させて除去する方法が知られている。この方法は、一
種のドライ洗浄といえ、ウエツト洗浄における異物の再
付着の問題や乾燥工程での汚染の問題を回避でき、しか
もＵＶオゾン、Ｏ₂ プラズマなどの他のドライ洗浄に比
べ、異物の除去能力をより高められるものと期待されて
いる。中でも、粘着テ―プを半導体ウエハの表面および
裏面に対し、その粘着剤層が十分に馴染むように貼り付
け操作したのちに、剥離操作する方法によると、半導体
ウエハ上の異物が効果的に除去されるという提案がなさ
れている。

【０００７】

【発明が解決しようとする課題】しかるに、上記提案の
除去方法では、粘着テ―プの貼り付け操作および剥離操
作を、多数個の半導体ウエハに対し１個ずつ、しかも各
半導体ウエハの表面および裏面に対しそれぞれ繰り返し
行う必要があることから、操作的に非常に面倒であり、
また各半導体ウエハの一方の面の除去処理時に他方の面
を汚染しやすく、そのぶん異物の除去率が低下するおそ
れがあつた。

【０００８】本発明は、このような事情に鑑み、ウエツ
ト洗浄方式に比べて有用な粘着テ―プを用いたドライ洗
浄方式において、異物除去操作の簡略化を図るととも
に、半導体ウエハ上の異物を高い除去率で除去すること
を目的としている。

【０００９】

【課題を解決するための手段】本発明者らは、上記の目
的に対し、鋭意検討した結果、特定構成の粘着テ―プを
用いてかつ特定の貼り付けおよび剥離手法をとることに
より、前記提案の方法に比べて異物除去操作の大幅な簡
略化を図れ、また一方の面の除去処理時に他方の面を汚
染するという問題もなく、半導体ウエハに付着する異物
を高い除去率で除去できることを見い出し、本発明を完
成するに至つた。

【００１０】本発明は、多数個の半導体ウエハの表裏両
面に、支持フイルム上に半導体ウエハとほぼ同じ形状の
粘着剤層がテ―プ長手方向に連設された粘着テ―プの二
組を、粘着剤層が各半導体ウエハの表裏面に対向するよ
うに、半導体ウエハの表裏両面側から挟んで貼り付けた
のち、表裏両面側から同時に連続的に剥離操作して、各
半導体ウエハの表裏面に付着した異物を粘着剤層面に吸
着させて除去することを特徴とする半導体ウエハに付着
した異物の除去方法に係るものである。

【００１１】なお、本発明の上記特定の粘着テ―プに代
えて、粘着剤層をテ―プ全面にべた塗りしたものを用い
ると、表裏両面側に貼り付けた粘着テ―プがウエハ周縁
部で互いに粘着し、剥離操作が不能となる。本発明で
は、この問題を回避するため、上記特定の粘着テ―プを
用いるようにしたものである。

【００１２】

【発明の構成・作用】図１は、本発明に用いる異物除去
用粘着テ―プの一例を示したもので、（Ａ）は平面図、
（Ｂ）は上記（Ａ）図におけるＢ−Ｂ線断面図である。
図中、１は粘着テ―プであり、支持フイルム１１上に、
半導体ウエハとほぼ同じ形状の粘着剤層１２が、テ―プ
長手方向Ｙに沿つて多数個連設されており、この粘着剤
層１２上にはさらにセパレ―タ１３が重ね合わされた構
成となつている。

【００１３】支持フイルム１１は、ポリエステル、ポリ
カ―ボネ―ト、ポリ塩化ビニル、エチレン−酢酸ビニル
共重合体、エチレン−エチルアクリレ―ト共重合体、ポ
リエチレン、ポリプロピレン、エチレン−プロピレン共
重合体などのプラスチツクからなる厚さが通常１０〜
１，０００μｍのフイルムである。

【００１４】粘着剤層１２は、アクリル樹脂系、シリコ
―ン樹脂系、フツ素樹脂系、ゴム系（天然ゴム、合成ゴ
ム）などのポリマ―を主成分とした、常温下で感圧接着
性を有するものであり、厚さは通常５〜１００μｍであ
る。この粘着剤層は、上記ポリマ―を主成分とした粘着
剤をグラビア塗工機、シルクスクリ―ンなどにより支持
フイルム１１上に前記形状にパタ―ン塗布したのち、加
熱などにより架橋処理するか、離型紙上に上記と同じ方
法でパタ―ン形成した粘着剤層を支持フイルム１１上に
貼着することにより、形成できる。

【００１５】本発明では、半導体ウエハに貼り付け、粘
着剤層面に異物をよく馴染ませたのち、剥離操作して、
上記異物を吸着除去するため、粘着剤層１２は、貼り
付け時、剥離操作時のそれぞれに適した特性を有して
いる必要がある。しかし、とで要求される特性は、
通常相反するものとなる。つまり、の貼り付け時に
は、粘着剤は異物に馴染むように塑性変形しやすく、か
つ高粘着力であることが必要であり、一方、の剥離操
作時には、異物を確実に固定するため、粘着剤は硬く、
強靭であり、かつ低粘着力であることが必要である。

【００１６】このような特性を実現させる第一の手段
は、，の各段階でバランスよく適合する特性を持つ
た粘着剤を選択することである。この目的には、特性が
比較的安定しているアクリル系樹脂を主成分としたもの
が好ましく用いられる。シリコンウエハに対する粘着力
としては、ＪＩＳ Ｚ−０２３７に準じて測定される１
８０度引き剥がし粘着力（常温、剥離速度３００mm／
分）が、通常５０〜５００ｇ／２０mm幅にあるものが適
している。

【００１７】また、第二の手段は、，の各段階で適
合するように、段階ごとに特性を変化させることであ
る。この目的には、活性エネルギ−源の供給により特性
が変化する粘着剤が好ましく用いられる。ここで、活性
エネルギ−源とは、たとえば、紫外線、赤外線（熱）、
電子線、エツクス線などに代表される電磁波、超音波な
どに代表される弾性波のことである。

【００１８】上記特性が変化する粘着剤には、紫外線硬
化性粘着剤、電子線硬化性粘着剤、熱硬化性粘着剤、熱
可塑性粘着剤、熱発泡性粘着剤などがあり、それぞれ単
独で用いてもよいし、複数種を同時に用いてもよい。シ
リコンウエハに対する粘着力としては、ＪＩＳ Ｚ−０
２３７に準じて測定される１８０度引き剥がし粘着力
（常温、剥離速度３００mm／分）が、活性エネルギ−源
供給前（貼り付け時）で通常５００〜２，０００ｇ／２
０mm幅であり、活性エネルギ−源供給後（剥離操作時）
で通常３〜５００ｇ／２０mm幅となるものが適してい
る。

【００１９】セパレ―タ１３は、粘着テ―プ１の保管時
や流通時などでの汚染防止の点から、半導体ウエハに貼
り付けるまでの間、粘着剤層１２の表面を保護するため
のもので、上記貼り付け使用時に剥離除去される。この
セパレ―タ１３は、通常、紙（無塵紙）、プラスチツク
フイルム、金属箔などからなる柔軟な薄葉体で、必要に
より剥離剤で表面処理して離型性を付与したものが用い
られる。

【００２０】本発明においては、上記構成の粘着テ―プ
を用いて、多数個の半導体ウエハに付着した異物を除去
する。この方法は、まず、図２の（Ａ）に示すように、
粘着テ―プの二組１Ａ，１Ｂを、多数個の半導体ウエハ
２に対し、各粘着剤層１２が半導体ウエハ２の表面２ａ
（回路パタ―ン形成面）および裏面２ｂ（回路パタ―ン
面の反対面）にそれぞれ対向するように、各半導体ウエ
ハ２の表裏両面側から挟んで貼り付ける。これは、たと
えば、ゴム製弾性ロ―ラを用いて、各粘着剤層１２をそ
れぞれウエハ表面２ａ，裏面２ｂに対して所定の圧力で
押圧したのち、数分程度放置するといつた方法で行えば
よい。

【００２１】これにより、上記の各粘着剤層１２をウエ
ハ表面２ａ，裏面２ｂ上の異物３に対し十分に馴染ませ
ることができる。その際、各粘着剤層１２は半導体ウエ
ハ２とほぼ同じ形状とされているため、ウエハ周辺部で
互いに粘着することはなく、剥離操作に支障をきたさな
い。その後、図２の（Ｂ）に示すように、粘着テ―プ１
Ａ，１Ｂの端部より引き剥がす、剥離操作を、表裏両面
側から同時に施すと、各半導体ウエハ２の表面２ａ側に
付着した異物３は粘着テ―プ１Ａの粘着剤層１２に、裏
面２ｂ側に付着した異物３は粘着テ―プ１Ｂの粘着剤層
１２に、それぞれ吸着されて、各半導体ウエハ２より連
続的に除去される。

【００２２】図３および図４は、上記の貼り付けおよび
剥離操作からなる除去方法を、自動機により行う例を示
したもので、図３は上記の方法を流れ作業的に示す模型
図、図４は上記の方法を立体的に示す概略斜視図であ
る。

【００２３】この方法では、まず、ウエハケ―ス４Ａに
収納されて、オリエンテ―シヨンフラツトが上部となつ
ている多数個の半導体ウエハ２が、１個ずつ、ロボツト
ア―ム５によつて上方に押し出され、ガイドロ―ラ６を
介して張設された二組の粘着テ―プ１Ａ，１Ｂに表裏両
面側から挟まれると同時に、この両テ―プ１Ａ，１Ｂに
連設された半導体ウエハとほぼ同じ形状の粘着剤層１２
が貼り付け装置７によつて上記ウエハ２の表裏両面に貼
り付けられる。

【００２４】すなわち、貼り付け装置７は、図４に示す
ように、固定治具８Ａ，８Ｂに上下３段に取り付けられ
た左右一対のロ―ラ９（９Ａ，９Ｂ）を有し、各ロ―ラ
９は、回転軸９１に筒状のゴム製弾性体９２を取着させ
た構造となつており、ロボツトア―ム５により上方に押
し出された半導体ウエハ２は、粘着テ―プ１Ａ，１Ｂと
一緒に上記一対のロ―ラ９Ａ，９Ｂに挟み込まれ、この
ロ―ラ９Ａ，９Ｂの回転により上方に引き込まれ、それ
と同時に、上記テ―プ１Ａの粘着剤層１２が半導体ウエ
ハ２の表面２ａ側の全面に、また上記テ―プ１Ｂの粘着
剤層１２が裏面２ｂ側の全面に、自動的に貼り付けられ
る。

【００２５】このように１個ずつ連続的に貼り付け操作
された半導体ウエハ２は、両テ―プ１Ａ，１Ｂに挟まれ
た状態のまま、多数個のガイドロ―ラ６を介して所定時
間、たとえば１〜３分程度搬送され、この間に粘着剤層
１２とウエハ表面２ａ，裏面２ｂ上の異物とが十分に馴
染むようになる。なお、上記の貼り付け操作では、粘着
テ―プ１Ａ，１Ｂにおける各粘着剤層１２を適宜位置決
めしておく必要があるが、これは、粘着テ―プ１Ａ，１
Ｂにあらかじめマ―クを付けておき、このマ―クをセン
サ―で識別するなどの方法により、容易に行える。

【００２６】粘着テ―プ１Ａ，１Ｂが活性エネルギ−源
の供給で粘着特性が変化するものであるときは、上記貼
り付け操作後の搬送過程で、活性エネルギ−源供給装置
１０より、粘着テ―プ１Ａ，１Ｂに対し紫外線などの活
性エネルギ−源を供給して粘着剤層１２の粘着特性を変
化させればよい。

【００２７】上記の搬送にて最終的に剥離装置７０に達
した半導体ウエハ２は、粘着テ―プ１Ａ，１Ｂの剥離操
作に供される。すなわち、この剥離装置７０は、前記し
た貼り付け装置７と全く同じ構造を有しており、固定治
具８Ａ，８Ｂに上下３段に取り付けらた左右一対のロ―
ラ９Ａ，９Ｂを反対回りに回転させると、それと同時に
粘着テ―プ１Ａ，１Ｂが左右に引つ張られ、その際、半
導体ウエハ２が左右に振れないようにウエハ下部をロボ
ツトア―ム５で支えておくことにより、粘着テ―プ１
Ａ，１Ｂは半導体ウエハ２の表面２ａ側および裏面２ｂ
側から同時に剥離される。これにより、各半導体ウエハ
２上の異物は粘着剤層１２に吸着されて、半導体ウエハ
２より連続的に除去される。除去後の半導体ウエハ２
は、ロボツトア―ム５によりウエハケ―ス４Ｂに収納さ
れる。

【００２８】このように、本発明では、粘着テ―プの貼
り付け操作を多数個の半導体ウエハに対し連続的に行う
とともに、その剥離操作をやはり連続的にしかも表裏両
面側から同時に行うものであるため、多数個の半導体ウ
エハに対し１個ずつ、しかも表裏面の一方の面に貼り付
けと剥離操作を行い、その後に他方の面に同じ操作を繰
り返していた方法に比べ、異物除去操作の大幅な簡略化
を図れる。

【００２９】また、上記本発明の貼り付けおよび剥離操
作では、半導体ウエハをウエハ固定台などに設置して行
う必要がなく、粘着テ―プの二組をウエハ両面側から挟
んで貼り付けこれを剥離すればよいので、一方の面の除
去操作時に他方の面を汚染させるといつた問題は生じに
くい。さらに、前記した連続的な貼り付けおよび剥離操
作により、半導体デバイスの生産性が大きく向上する。

【００３０】本発明の方法により、半導体ウエハの表裏
両面に付着した異物は、高い除去率（通常０．２μｍ以
上の大きさの異物が５０％以上、好ましくは７０％以上
となる高い除去率）で洗浄除去され、回路形成時の回路
の断線やシヨ―ト、露光不良発生が低減し、半導体デバ
イスの歩留りや信頼性が向上する。たとえば、上記歩留
りは、従来のウエツト洗浄を適用した場合よりも、１０
％以上確実に向上できる。また、地球環境保全の立場か
らみて、従来のウエツト洗浄やドライ洗浄のような純
水、薬品、空気、電力などを大量に消費する洗浄方式
を、上記本発明の方式に置き換えることで、地球環境保
全に寄与させることもできる。

【００３１】

【発明の効果】本発明の方法によれば、異物除去操作の
簡略化を図れ、しかも半導体ウエハに付着した異物を高
い除去率で除去できるから、半導体デバイスの歩留りや
信頼性さらに生産性などの向上に大きく寄与できる。ま
た、従来の他の洗浄方式などに比べて、地球環境保全の
面での寄与効果も得られる。

【００３２】

【実施例】つぎに、本発明の実施例を記載して、より具
体的に説明する。

【００３３】実施例１ 厚さ５０μｍのポリエステル支持フイルムのコロナ処理
面に、アクリル系粘着剤の溶液を、グラビア塗工機を用
いて、５インチシリコンウエハとほぼ同じ形状に塗布し
たのち、１２０℃で３分間加熱架橋処理して、厚さ２０
μｍのパタ―ン化粘着剤層がテ―プ長手方向に連設され
た粘着テ―プを作製した。この粘着テ―プのシリコンウ
エハ（ミラ―面）に対する粘着力は、ＪＩＳ Ｚ−０２
３７に準じて測定される１８０度引き剥がし粘着力（常
温、剥離速度３００mm／分）で１８０ｇ／２０mm幅であ
つた。

【００３４】つぎに、０．２μｍ以上の大きさの異物が
０個である５インチシリコンウエハ（回路パタ―ンのな
い両面ミラ―ウエハ）の多数個を所定の工程（イオン打
ち込み処理工程）に通して異物を付着させ、レ―ザ―表
面検査装置〔日立電子エンジニアリング（株）製のＬＳ
−５０００〕を用いて、各シリコンウエハの表裏両面に
付着した０．２μｍ以上の大きさの異物の数をカウント
した。

【００３５】このように異物を付着させた多数個のシリ
コンウエハの表裏両面に、前記の方法で作製した粘着テ
―プの二組を、図３および図４に示す要領で、粘着剤層
がシリコンウエハの表裏面に対向するように、ウエハ両
面側から挟んで連続的に貼り付けた。３分間の搬送後、
両面側の粘着テ―プを同時に連続的に剥離操作して、シ
リコンウエハに付着した異物を洗浄除去した。

【００３６】この洗浄後、再びレ―ザ―表面検査装置を
用いて、各シリコンウエハにつき、０．２μｍ以上の大
きさの異物の数をカウントした。この貼り付けおよび剥
離操作による洗浄後の異物数と、洗浄前の異物数とか
ら、異物除去率を算出した。なお、上記の異物数および
異物除去率は、１０個のシリコンウエハの平均値として
示した。また、一連の作業は、クラス１０のクリ―ンル
―ム内（温度２３℃、湿度６０％）で行つた。結果は、
後記の表１に示されるとおりであつた。

【００３７】実施例２ 粘着剤として、アクリル系紫外線硬化型粘着剤を用いた
以外は、実施例１と同様にして、５インチシリコンウエ
ハとほぼ同じ形状を有する厚さ２０μｍのパタ―ン化粘
着剤層がテ―プ長手方向に連設された粘着テ―プを作製
した。この粘着テ―プのシリコンウエハ（ミラ―面）に
対する粘着力は、ＪＩＳ Ｚ−０２３７に準じて測定さ
れる１８０度引き剥がし粘着力（常温、剥離速度３００
mm／分）で１，１２０ｇ／２０mm幅であつた。また、支
持フイルム側から紫外線（波長３６５ｎｍ、１，０００
ｍｊ／ｃｍ² ）を照射したのちの同１８０度引き剥がし
粘着力は、１４ｇ／２０mm幅であつた。

【００３８】この粘着テ―プの二組を用いて、実施例１
に準じて多数個のシリコンウエハの表裏両面から挟んで
連続的に貼り付け、３分間搬送後、両面側から連続的に
剥離操作して、各シリコンウエハに付着した異物を洗浄
除去した。ただし、ここでは、剥離操作の直前に、紫外
線（波長３６５ｎｍ、１，０００ｍｊ／ｃｍ² ）を照射
した。貼り付けおよび剥離操作による洗浄後の異物数
と、洗浄前の異物数とから、異物除去率を算出した。結
果（シリコンウエハ１０個の平均値）は、後記の表１に
示されるとおりであつた。

【００３９】比較例１ 異物洗浄試験として、実施例１と同様の操作により表裏
両面に異物を付着させた多数個のシリコンウエハを、超
純水洗浄装置（現行ウエツト洗浄方法）を用いて、所定
の条件にて洗浄した。乾燥後、レ―ザ―表面検査装置を
用いて、各シリコンウエハの表裏両面に付着している
０．２μｍ以上の大きさの異物の数をカウントした。こ
の洗浄後の異物数と、洗浄前に上記同様の装置によりカ
ウントした０．２μｍ以上の大きさの異物の数とから、
異物除去率を算出した。結果（シリコンウエハ１０個の
平均値）は、後記の表１に示されるとおりであつた。

【００４０】比較例２ 洗浄方法をＵＶオゾン洗浄（現行ドライ洗浄）に代えた
ほかは、比較例１に準じて異物洗浄試験を行い、異物除
去率を算出した。結果（シリコンウエハ１０個の平均
値）は、後記の表１に示されるとおりであつた。

【００４１】

【表１】

【００４２】上記の表１の結果から、本発明の実施例
１，２の方法では、多数個のシリコンウエハの表裏両面
側から挟んで貼り付けこれを両面側から同時に連続的に
剥離操作するという簡単な手法により、ウエハの表裏面
に付着した異物を約７０％以上の高い除去率で除去でき
るものであることが明らかである。

【００４３】また、上記の実施例１，２および比較例１
で示した洗浄方法を、所定の半導体ウエハの製造工程に
適用し、最終的に得られた半導体デバイスの歩留りを集
計してみた結果、実施例１および実施例２の方法では、
比較例１の方法と比較して、歩留りがそれぞれ１２％お
よび１４％高くなることがわかつた。

【図面の簡単な説明】

【図１】本発明に用いる異物除去用粘着テ―プの一例を
示したものであり、（Ａ）は平面図、（Ｂ）は上記Ａ図
のＢ−Ｂ線断面図である。

【図２】本発明の異物の除去方法を示す断面図であり、
（Ａ）は貼り付け工程、（Ｂ）は剥離工程を示したもの
である。

【図３】上記の除去方法を自動機により流れ作業的に行
う例を示す模型図である。

【図４】上記の自動機による除去方法を立体的に示した
概略斜視図である。

【符号の説明】 １（１Ａ，１Ｂ） 粘着テ―プ １１ 支持フイルム １２ 粘着剤層 １３ セパレ―タ Ｙ テ―プ長手方向 ２ 半導体ウエハ ２ａ 半導体ウエハの表面 ２ｂ 半導体ウエハの裏面 ３ 半導体ウエハに付着した異物 ４Ａ，４Ｂ ウエハケ―ス ５ ロボツトア―ム ６ ガイドロ―ラ ７ 貼り付け装置 ７０ 剥離装置 ８Ａ，８Ｂ ロ―ラ固定治具 ９（９Ａ，９Ｂ） 左右一対のロ―ラ １０ 活性エネルギ―源供給装置 ９１ ロ―ラ回転軸 ９２ ゴム製弾性体

Claims (1)

【特許請求の範囲】
1. 【請求項１】 多数個の半導体ウエハの表裏両面に、支
   持フイルム上に半導体ウエハとほぼ同じ形状の粘着剤層
   がテ―プ長手方向に連設された粘着テ―プの二組を、粘
   着剤層が各半導体ウエハの表裏面に対向するように、半
   導体ウエハの表裏両面側から挟んで貼り付けたのち、表
   裏両面側から同時に連続的に剥離操作して、各半導体ウ
   エハの表裏面に付着した異物を粘着剤層面に吸着させて
   除去することを特徴とする半導体ウエハに付着した異物
   の除去方法。