JP2003142370A - レチクルが接する装置のクリーニング方法 - Google Patents

レチクルが接する装置のクリーニング方法

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Akira Namikawa
亮 並河
Yoshio Terada
好夫 寺田
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  • Exposure And Positioning Against Photoresist Photosensitive Materials (AREA)
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Abstract

(57)【要約】 【課題】 本発明は、投影露光装置の露光の際に使用さ
れるレチクルや露光マスクなどのレチクル状物が接する
装置のクリーニング方法を提供する。 【解決手段】 レチクルまたはレチクル状物のこれらが
被洗浄装置と接する部位に、引張弾性率(試験法JIS
K7127に準ずる)が0.98〜4900MPaで
あるクリーニング層が設けられた材料を設け、被洗浄装
置内を搬送することを特徴とするレチクルが接する装置
のクリーニング方法である。

Description

【発明の詳細な説明】
【0001】
【発明の属する技術分野】本発明は、投影露光装置の露
光の際に使用されるレチクルや露光マスクなどのレチク
ル状物が接する装置のクリーニング方法に関する。
【0002】
【従来の技術】半導体などの微細加工処理は、ウェハの
上に形成したレジスト材をマスクとしてエッチングやイ
オン注入が行われる。レジスト材を所望のマスクとする
ためには、一般的には所望のパターニングを施したレチ
クルをマスクとして露光する投影露光装置が用いられ
る。その際、ウェハやレチクルが僅かにでも傾いている
と焦点深度の関係でパターンがぼやけるという問題があ
る。ウェハの傾きに関しては、ウェハやチャックテーブ
ルの平坦度が出ている場合には、ウェハ裏面や搬送系上
にパーティクルが付着していることが主な原因であるた
め、新品のダミーウェハを数十枚連続搬送させたり、装
置を停止させ、搬送系を人が発塵を押さえた専用の拭き
布と薬液とを使用し、クリーニング処理をする必要があ
った。このため、稼働率低下や多大な労力が必要になる
という問題があった。これらの問題を解決するため、ウ
ェハ裏面をブラシなどで物理的にクリーニング除去する
方法が考案されている。
【0003】
【発明が解決しようとする課題】ウェハ裏面をブラシな
どで物理的に擦りクリーニング除去する方法は、前述の
課題を克服する有効な方法である。しかしこの方法では
パーティクルが付着した基板からパーティクルを取り除
くだけであり、レチクルの傾きにはなんら効果がないと
いう問題があった。従って、人手による拭き掃除が必要
となるが、通常、露光装置やレチクルストッカーのレチ
クルをセットする部位は、容易に手が入らない構造にな
っており、掃除の際には分解と再組立てが必要であり、
時間と多大な労力が必要であるという問題もあった。さ
らに対象パーティクルが極めて小さいため、人手による
拭き掃除では完全には取り切れないばかりか、新たにパ
ーティクルを付着させてしまうという恐れもあった。本
発明は、このような事情に照らし、レチクルの接触部位
に付着している異物を簡便かつ確実にクリーニングする
方法を提供することを目的としている。
【0004】
【課題を解決するための手段】本発明者らは、上記の目
的を達成するために、鋭意検討した結果、レチクルまた
はレチクル状物のこれらが被洗浄装置と接する部位に、
引張弾性率(試験法JIS K7127に準ずる)が
0.98〜4900MPaであるクリーニング層が設け
られた材料を設け,被洗浄装置内を搬送することにより
前記問題を生じることなく、さらに異物を簡便かつ確実
にクリーニングできることを見出し、本発明を完成する
に至った。
【0005】即ち、本発明は、レチクルまたはレチクル
状物のこれらが被洗浄装置と接する部位に、引張弾性率
(試験法JIS K7127に準ずる)が0.98〜4
900MPaであるクリーニング層が設けられた材料を
設け、被洗浄装置内を搬送することを特徴とするレチク
ルが接する装置のクリーニング方法(請求項1)、レチ
クルまたはレチクル状物が接する装置が、レチクルスト
ッカーであることを特徴とする請求項1記載のクリーニ
ング方法(請求項2)、レチクルまたはレクチル状物が
接する装置が、露光装置であることを特徴とする請求項
1記載のクリーニング方法(請求項3)、クリーニング
層が設けられた材料が、支持体の片面に、引張弾性率
(試験法JIS K7127に準ずる)が0.98〜4
900MPaの粘着剤層がクリーニング層として設けら
れ、他面に通常の粘着剤層が設けられてなることを特徴
とする請求項1記載のクリーニング方法(請求項4)に
係るものである。
【0006】
【発明の実施の形態】本発明においては、引張弾性率が
0.98〜4900MPa、好ましくは9.8〜300
0MPa、さらに好ましくは100〜2000MPaで
あるクリーニング層を用いることにより、搬送トラブル
を発生することなく、他方,適度な絶縁性を有するクリ
ーニング層により微細な異物を捕集,落下させることな
く確実に除去することができる。また、引張弾性率が
0.98〜4900MPaであると、実質的に粘着性は
有しない。ここで実質的に粘着性を有しないとは、粘着
の本質を滑りに対する抵抗である摩擦としたとき、粘着
性の機能を代表する感圧性タックがないことを意味す
る。この感圧性タックは、例えばDahlquistの
基準に従うと、粘着性物質の引張弾性率が1MPaまで
の範囲で発現する。従って、本発明においては、クリー
ニング層の引張弾性率が約1MPaより大きくなるよう
に、その引張弾性率を特定範囲、すなわち0.98〜4
900MPa、範囲内に設計することにより、搬送トラ
ブルを発生させることなく、異物を除去することができ
る。ここで引張弾性率とは、試験法 JIS K712
7に準じて測定したものである。また、引張弾性率が
0.98〜4900MPaであるクリーニング層の厚み
は特に限定されないが、通常5〜100μm程度であ
る。
【0007】かかるクリーニング層は、その引張弾性率
が前述の範囲内である限り、その材質等は特に限定され
ないが、紫外線や熱などの活性エネルギー源により架橋
反応や硬化が促進されて、その引張弾性率を大きくでき
るものが好ましい。 さらに、かかる架橋や硬化により
分子構造が三次元網状化してその粘着力が低下したもの
が好ましく、例えばシリコンウエハ(ミラー面)に対す
る180°引き剥がし粘着力が0.20N(20g)/
10mm以下、好ましくは0.010〜0.10N(1
〜10g)/10mm程度である。 この粘着力が、
0.20N(20g)/mmを超えると、搬送時に装置
内の被クリーニング部に接着して、搬送トラブルとなる
恐れがある。
【0008】かかるクリーニング層の具体例としては、
例えば感圧接着性ポリマーに分子内に不飽和二重結合を
1個以上有する化合物を含有させてなるものが好まし
い。また、かかる感圧接着性ポリマーとしては、例えば
アクリル酸、アクリル酸エステル、メタクリル酸、メタ
クリル酸エステルから選ばれる(メタ)アクリル酸及び
/又は(メタ)アクリル酸エステルを主モノマーとした
アクリル系ポリマーが挙げられる。このアクリル系ポリ
マーの合成にあたり、共重合モノマーとして分子内に不
飽和二重結合を2個以上有する化合物を用いるか、ある
いは合成後のアクリル系ポリマーに分子内に不飽和二重
結合を有する化合物を官能基間の反応で化学結合させる
などして、アクリル系ポリマーの分子内に不飽和二重結
合を導入しておくことにより、このポリマー自体も活性
エネルギーにより重合硬化反応に関与させるようにする
こともできる。
【0009】ここで、分子内に不飽和二重結合を1個以
上有する化合物(以下、重合性不飽和化合物という)と
しては、不揮発性でかつ重量平均分子量が10000以
下の低分子量体であるのがよく、特に硬化時の粘着剤層
の三次元網状化が効率よくなされるように、5000以
下の分子量を有しているのが好ましい。
【0010】また、粘着剤層に添加される重合開始剤
は、特に限定されず公知のものを使用でき、例えば活性
エネルギー源に熱を用いる場合は、ベンゾイルパーオキ
サイド、アゾビスイソブチロニトリルなどの熱重合開始
剤、また光を用いる場合は、ベンゾイル、ベンゾインエ
チルエーテル、シベンジル、イソプロピルベンゾインエ
ーテル、ベンゾフェノン、ミヒラーズケトンクロロチオ
キサントン、ドデシルチオキサントン、ジメチルチオキ
サントン、アセトフェノンジエチルケタール、ベンジル
ジメチルケタール、α−ヒドルキシシクロヒキシルフェ
ニルケトン、2−ヒドロキシジメチルフェニルプロパ
ン、2,2−ジメトキシ−2−フェニルアセトフェノン
などの光重合開始剤が挙げられる。
【0011】本発明のクリーニング方法におけるレクチ
ルなどに設ける材料としては、支持体の片面に、上記の
特定の粘着剤層がクリーニング層として設けられ、他面
に通常の粘着剤層が設けられたものが好ましい。 この
他面側の粘着剤層は、粘着機能を満たす限りその材質な
どは特に限定されず、通常の粘着剤(例えばアクリル
系、ゴム系など)を用いることができる。かかる構成と
することにより、クリーニング層が設けられた材料を、
通常の粘着剤層によりレクチルなどの特定部位に貼り付
けて、被洗浄装置内に搬送して、被洗浄部位に接触させ
てクリーニングすることができる。
【0012】また上記支持体としては特に限定されない
が、例えばポリエチレン、ポリエチレンテレフタレー
ト、アセチルセルロース、ポリカーボネート、ポリプロ
ピレン、ポリアミドなどのプラスチックフィルムなどが
挙げられる。 その厚みは通常10〜100μm程度で
ある。
【0013】クリーニング層が設けられた材料が貼り付
けられるものはレクチル、その他露光マスクなどのレク
チル状物が挙げられる。
【0014】
【実施例】以下、本発明を実施例に基づいて説明する
が、本発明はこれらに限定されるものではない。 な
お、以下、部とあるのは重量部を意味するものとする。 実施例1 アクリル酸−2−エチルヘキシル75部、アクリル酸メ
チル20部、及びアクリル酸5部からなるモノマ―混合
液から得たアクリル系ポリマー(重量平均分子量70
万)100部に対して、ウレタンアクリレ―ト50部、
及びジフエニルメタンジイソシアネ―ト3部、ベンジル
ジメチルケタール(チバ・スペシャリティケミカルズ
製:商品名:イルガキュア−651)3部を均一に混合
し、紫外線硬化型粘着剤溶液を得た。一方、上記粘着剤
からベンジルジメチルケタールを除いた以外は、上記と
同様にして通常の感圧性粘着剤溶液を得た。
【0015】この紫外線硬化型粘着剤溶液を、幅250
mm、厚み25μmの長尺ポリエステルフィルムAの片
面(コロナ処理面)に、乾燥後の厚みが15μmになる
ように塗布してクリーニング層としての粘着剤層を設
け、その表面に片面がシリコーン系剥離剤にて処理され
たポリエステルフィルムB(厚さ38μm、幅250m
m)からなる剥離フィルムの剥離処理面を貼りあわせて
シートAを得た。
【0016】このシートAの他面に通常の粘着剤溶液を
乾燥後の厚みが10μmとなるように塗布し、その粘着
剤上に片面がシリコーン系剥離剤にて処理されたポリエ
ステルフィルムの剥離処理面を貼りあわせてレチクル接
着層付きテープを得た。
【0017】上記にて作製したレチクル接着層付きテー
プに中心波長365nmの紫外線を積算光量1000m
J/cm2照射して、紫外線硬化したクリーニング層を
有するレチクル接着層付きテープを得た。このクリーニ
ング層の引張弾性率は600MPaであった。このレチ
クル接着層付きテープのクリーニング層側のポリエステ
ルフィルムを剥がし、対角線長150mmの石英板にレ
チクル接着層が接するように貼り合わせクリーニング機
能付き搬送用レチクルを作製した
【0018】次いで,クリーニング機能付き搬送用レチ
クルのクリーニング層のポリエステルフィルムBを剥が
し、クリーニング面を下面(装置に接する面)に向け
て、半導体製造用の露光装置であるステッパー(NSR
−2205EX10B)にセットした後、パターンを形
成してあるレチクルをセットし、シリコンウェハ上に設
けた1μm厚のポジ型レジストを所定の条件で露光し、
現像した後、金属顕微鏡にてレジストパターン形状を観
察したところ、パーティクル起因のパターンの崩れはま
ったくなく、レチクルが装置と接する部位のクリーニン
グ効果が確認できた。
【0019】
【実施例2】上記と同様にして、クリーニング機能付き
搬送用レチクルをレチクルストッカーに搬送ロボットに
て自動格納後直ちに出庫させ、装置に接したクリーニン
グ層表面を金属顕微鏡とSEMにて観察したところ、搬
送前には付着していなかった各種サイズのパーティクル
が見られ、装置と接する部位のクリーニング効果が確認
できた。
【0020】
【発明の効果】以上のように本発明のクリーニング方法
によれば、クリーニング用のレチクルを確実に搬送でき
ると共に、レチクルが接する装置に付着しているパーテ
ィクルを簡便かつ確実に除去することができる。

Claims (4)

    【特許請求の範囲】
  1. 【請求項1】 レチクルまたはレチクル状物のこれらが
    被洗浄装置と接する部位に、引張弾性率(試験法JIS
    K7127に準ずる)が0.98〜4900MPaで
    あるクリーニング層が設けられた材料を設け、被洗浄装
    置内を搬送することを特徴とするレチクルが接する装置
    のクリーニング方法。
  2. 【請求項2】 レチクルまたはレチクル状物が接する装
    置が、レチクルストッカーであることを特徴とする請求
    項1記載のクリーニング方法。
  3. 【請求項3】 レチクルまたはレクチル状物が接する装
    置が、露光装置であることを特徴とする請求項1記載の
    クリーニング方法。
  4. 【請求項4】 クリーニング層が設けられた材料が、支
    持体の片面に、引張弾性率(試験法JIS K7127
    に準ずる)が0.98〜4900MPaの粘着剤層がク
    リーニング層として設けられ、他面に通常の粘着剤層が
    設けられてなることを特徴とする請求項1記載のクリー
    ニング方法。
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Cited By (4)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
WO2006078025A1 (ja) * 2005-01-24 2006-07-27 Nikon Corporation 計測方法、計測システム、検査方法、検査システム、露光方法及び露光システム
US7593100B2 (en) 2005-01-24 2009-09-22 Nikon Corporation Measuring method, measuring system, inspecting method, inspecting system, exposure method and exposure system, in which information as to the degree of the flatness of an object is pre-obtained
US20110159440A1 (en) * 2009-12-25 2011-06-30 Yumi Nakajima Cleaning reticle, method for cleaning reticle stage, and method for manufacturing semiconductor device
WO2013035415A1 (ja) * 2011-09-05 2013-03-14 株式会社 東芝 レチクルチャッククリーナー及びレチクルチャッククリーニング方法

Citations (10)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPS6334929A (ja) * 1986-07-29 1988-02-15 Nec Corp 半導体製造装置
JPH06260464A (ja) * 1993-03-09 1994-09-16 Hitachi Ltd 異物除去方法および除去装置
JPH07130638A (ja) * 1993-10-29 1995-05-19 Canon Inc 半導体製造装置
JPH07142440A (ja) * 1993-11-19 1995-06-02 Fujitsu Ltd パーティクル除去方法及びパーティクル除去手段を有する半導体製造装置
JPH10154686A (ja) * 1996-11-22 1998-06-09 Toshiba Corp 半導体基板処理装置のクリーニング方法
JPH11202473A (ja) * 1998-01-16 1999-07-30 Dainippon Printing Co Ltd マスク準備装置
JP2000312862A (ja) * 1999-04-28 2000-11-14 Nitto Denko Corp クリーニングシ―ト
JP2001198540A (ja) * 1999-11-09 2001-07-24 Nitto Denko Corp クリーニングシ―ト
JP2001298078A (ja) * 2000-04-17 2001-10-26 Dainippon Printing Co Ltd 収納ケース
JP2002327156A (ja) * 2001-05-02 2002-11-15 Nitto Denko Corp クリーニングシートおよびこれを用いた基板処理装置のクリーニング方法

Patent Citations (10)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPS6334929A (ja) * 1986-07-29 1988-02-15 Nec Corp 半導体製造装置
JPH06260464A (ja) * 1993-03-09 1994-09-16 Hitachi Ltd 異物除去方法および除去装置
JPH07130638A (ja) * 1993-10-29 1995-05-19 Canon Inc 半導体製造装置
JPH07142440A (ja) * 1993-11-19 1995-06-02 Fujitsu Ltd パーティクル除去方法及びパーティクル除去手段を有する半導体製造装置
JPH10154686A (ja) * 1996-11-22 1998-06-09 Toshiba Corp 半導体基板処理装置のクリーニング方法
JPH11202473A (ja) * 1998-01-16 1999-07-30 Dainippon Printing Co Ltd マスク準備装置
JP2000312862A (ja) * 1999-04-28 2000-11-14 Nitto Denko Corp クリーニングシ―ト
JP2001198540A (ja) * 1999-11-09 2001-07-24 Nitto Denko Corp クリーニングシ―ト
JP2001298078A (ja) * 2000-04-17 2001-10-26 Dainippon Printing Co Ltd 収納ケース
JP2002327156A (ja) * 2001-05-02 2002-11-15 Nitto Denko Corp クリーニングシートおよびこれを用いた基板処理装置のクリーニング方法

Cited By (11)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
WO2006078025A1 (ja) * 2005-01-24 2006-07-27 Nikon Corporation 計測方法、計測システム、検査方法、検査システム、露光方法及び露光システム
US7593100B2 (en) 2005-01-24 2009-09-22 Nikon Corporation Measuring method, measuring system, inspecting method, inspecting system, exposure method and exposure system, in which information as to the degree of the flatness of an object is pre-obtained
JP5278719B2 (ja) * 2005-01-24 2013-09-04 株式会社ニコン 計測方法及び露光方法
US20110159440A1 (en) * 2009-12-25 2011-06-30 Yumi Nakajima Cleaning reticle, method for cleaning reticle stage, and method for manufacturing semiconductor device
JP2011134929A (ja) * 2009-12-25 2011-07-07 Toshiba Corp 洗浄用レチクル、レチクルステージの洗浄方法及び半導体装置の製造方法
KR20120113205A (ko) * 2009-12-25 2012-10-12 가부시끼가이샤 도시바 세정용 레티클, 레티클 스테이지의 세정 방법 및 반도체 장치의 제조 방법
US8728711B2 (en) * 2009-12-25 2014-05-20 Kabushiki Kaisha Toshiba Cleaning reticle, method for cleaning reticle stage, and method for manufacturing semiconductor device
KR101704846B1 (ko) * 2009-12-25 2017-02-08 가부시끼가이샤 도시바 세정용 레티클, 레티클 스테이지의 세정 방법 및 반도체 장치의 제조 방법
WO2013035415A1 (ja) * 2011-09-05 2013-03-14 株式会社 東芝 レチクルチャッククリーナー及びレチクルチャッククリーニング方法
JPWO2013035415A1 (ja) * 2011-09-05 2015-03-23 株式会社東芝 レチクルチャッククリーナー及びレチクルチャッククリーニング方法
US9808841B2 (en) 2011-09-05 2017-11-07 Toshiba Memory Corporation Reticle chuck cleaner and reticle chuck cleaning method

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