JPWO2008062729A1 - 炭化珪素半導体装置およびその製造方法 - Google Patents
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Abstract
動作特性の優れた炭化珪素半導体装置およびその製造方法が得られる。4H−SiC基板(10)上の初期成長層(11)の表面に、Si膜被覆アニールにより拡大テラス面を形成した後、初期成長層(11)の上に、新成長層(21)をエピタキシャル成長させる。拡大テラス面の上には、低温安定なポリタイプである3C−SiC部(21a)が成長し、他の領域上には、4H−SiC部(21b)が成長する。4H−SiC部(21b)を残して、3C−SiC部(21a)を選択的に除去してトレンチ(Tr)を形成し、トレンチ(Tr)内に、UMOSFETのゲート電極(27)を形成する。UMOSFETのチャネル領域を低次数面に制御することができ、チャネル移動度の高い、動作特性の優れた炭化珪素半導体装置が得られる。
Description
本発明は、拡大されたテラス部を利用した炭化珪素半導体装置およびその製造方法に関する。
SiとCとが1:1の成分比で結合してなる炭化珪素基板(SiC基板)を用いて形成されるトランジスタ,ダイオードなどの半導体装置は、パワーデバイスとしての実用化が期待されている。炭化珪素はワイドバンドギャップ半導体であることから、絶縁破壊電界がシリコンよりも1桁高いので、pn接合部やショットキー接合部における空乏層を薄くしても高い逆耐圧を維持することができる。そこで、炭化珪素基板を用いると、デバイスの厚さを薄く、ドーピング濃度を高めることができるため、オン抵抗が低く、高耐圧,低損失のパワーデバイスの実現が期待されている。一般に、炭化珪素基板として、ポリタイプが4Hまたは6Hタイプのものが用いられるが、エピタキシャル成長を円滑に行うためには、{0001}面から8°程度オフセットさせた主面を有する基板が用いられる。
炭化珪素基板を用いたMOSFET(Metal Oxide Semiconductor Field Effect Transistor)としては、炭化珪素層の表面を有効に利用するために、電流を縦方向に流す縦型MOSFETが主流である。そして、縦型MOSFETの1つとして、炭化珪素層の一部にトレンチを形成し、トレンチ内にゲート電極を形成した,いわゆるUMOSFET(トレンチ型MOSFETともいう)が知られている。これは、チャネル領域を縦方向に設けたものである。UMOSFETの例は、例えば特開平10−125904号公報(特許文献1)、特開2005−56868号公報(特許文献2)および特開2005−340685号公報(特許文献3)に開示されている。
特開平10−125904号公報
特開2005−56868号公報
特開2005−340685号公報
ところで、炭化珪素半導体装置の主流となっているパワーデバイスにおいては、ポリタイプが4Hまたは6Hの六方晶構造を有する炭化珪素基板が用いられる。その場合、主面が{0001}面であると、基板上に立方晶構造の炭化珪素層がエピタキシャル成長しやすいなどの理由により、{0001}面から8°程度オフセットさせた炭化珪素基板が用いられている。一方、異方性ドライエッチングであるRIEによってトレンチを形成すると、トレンチの側面は主面にほぼ垂直になるので、各側面は、オフセット方向に平行な面を除き、{0001}面に垂直な低次数面から傾いた面となる。つまり、トレンチの側面の方位をチャネル移動度の高い方位に制御することが困難であるという不具合があった。上記特許文献2には、主面のオフセット角を5°以内に収めて、側面の{03−38}面または{1100}面との成す角を10°以内に収めることにより、できるだけ高いチャネル移動度を得ることが開示されている。しかし、この技術は、側面を{03−38}面、{1−100}面などの低次数面に一致させるものではない。
また、特許文献1の図1(b)に開示されるように、RIEによって形成されたトレンチの底部において、サブトレンチと呼ばれる突起状の堀込みが生じる現象がある。その結果、UMOSFETの動作時において、このサブトレンチ部に電界が集中し、耐圧性が劣化するという不具合があった。特許文献3では、トレンチの底部にサブトレンチが生じる現象を解析し、トレンチ形成のためのエッチングの最終仕上げでは、RIEに代えて、等方性エッチングであるガスエッチングを行うことにより、サブトレンチの先端角を緩和するようにしている。しかし、この技術によってサブトレンチを完全に消失させることは、実用上困難であり、かつ、複雑な処理を必要とする。
また、RIEによるトレンチ形成の際に、炭化珪素層におけるトレンチの壁部にエッチングダメージが導入され、UMOSFETのチャネル移動度を劣化させるという不具合もあった。
本発明の目的は、ある条件下では、広い平坦なテラス部が成長する点、および、六方晶炭化珪素層の平坦な表面の上には、立方晶の炭化珪素層がエピタキシャル成長しやすいという点に着目し、チャネル領域を六方晶部分の低次数面に一致させる手段を講ずることにより、動作特性の優れた炭化珪素半導体装置およびその製造方法を提供することにある。
本発明の炭化珪素半導体装置の製造方法は、六方晶の下地半導体層に珪素を供給しつつ熱処理して拡大テラス面を形成した後、下地半導体層の上に、炭化珪素からなる新成長層をエピタキシャル成長させてから、新成長層のうち拡大テラス面の上方に成長した部分を除去してトレンチを形成し、トレンチ内にゲート電極を形成する方法である。
この方法により、新成長層のうち拡大テラス面の上方には、立方晶構造を有する炭化珪素結晶がエピタキシャル成長されるので、この部分を除去して形成されるトレンチの側面は、拡大テラス面にほぼ垂直である。したがって、トレンチの側面を炭化珪素結晶の低次数面とすることが可能になり、炭化珪素半導体装置のチャネル移動度の向上を図ることができる。
トレンチを形成する工程では、新成長層のうち拡大テラス面の上方に成長した部分を選択的に除去することにより、サブトレンチを発生させることなく、トレンチを形成することが容易となる。
例えば、1500°C〜1900°Cの温度でアニールを行うことにより、サブトレンチやエッチングダメージを発生させることなく、拡大テラス面の上方に成長した部分を選択的に除去してトレンチを形成することができる。
拡大テラス面を形成する工程では、下地半導体層の上に、Siを含む被覆膜を形成してから、被覆膜の融点以上の温度で熱処理することにより、幅の大きい拡大テラス面を容易に形成することができる。
特に、下地半導体層が、{0001}面から、<1−100>方向または<11−20>方向に、2°以上傾いた主面を有している場合には、少なくとも1つの辺が前記傾き方向に直交している多角形の被覆膜を形成することにより、立方晶を除去して形成されるトレンチの側面を{11−20}面または{1−100}面に平行な面とすることが容易となる。したがって、炭化珪素半導体装置のチャネル領域も{11−20}面または{1−100}面に沿って形成されるので、キャリアが低次数面に沿って走行する,チャネル移動度の高い半導体装置が確実に得られる。
本発明の炭化珪素半導体装置は、表面に拡大テラス面を有する六方晶の下地半導体層の上に、エピタキシャル成長により新成長層を設け、新成長層のうち拡大テラス面の上方に位置する部分を除去して形成されたトレンチ内に、ゲート電極を形成したものである。
これにより、新成長層のうち拡大テラス面の上方に位置していた部分は、立方晶構造を有する炭化珪素結晶であり、この部分を除去して形成されたトレンチの側面は、拡大テラス面にほぼ垂直である。したがって、トレンチの側面を炭化珪素結晶の低次数面とすることが可能になり、炭化珪素半導体装置のチャネル移動度の向上を図ることができる。
特に、下地半導体層が、{0001}面から、<1−100>方向または<11−20>方向に、2°以上傾いた主面を有していて、トレンチの平面形状が、少なくとも1つの辺が傾き方向に直交している多角形であることにより、チャネル領域を{11−20}面または{1−100}面に沿って形成することが容易となる。したがって、キャリアが低次数面である{11−20}面または{1−100}面に沿って走行することになり、チャネル移動度の向上効果を確実に発揮することができる。
本発明の炭化珪素半導体装置およびその製造方法により、チャネル移動度の高い、動作特性が優れた炭化珪素半導体装置を得ることができる。
10 4H−SiC基板、11 初期成長層(下地半導体層)、14A 拡大キンク面、14B キンク面、15A 拡大テラス面、15B テラス面、16 シリコン酸化膜、21 新成長層、21a 3C−SiC部、21a1 n型3C−SiC部、21a2 p型3C−SiC部、21b 4H−SiC部、21b1 n型4H−SiC部、21b2 p型4H−SiC部(pウェル領域)、23 ソース領域、24 p+コンタクト領域、26 ゲート絶縁膜、27 ゲート電極、29 ソース電極、30 ドレイン電極、M1 被覆膜、M2 カーボンキャップ。
−拡大テラス面の形成−
図1(a)〜(c)は、実施の形態における拡大テラス面の形成工程および新成長層形成工程を示す断面図である。
図1(a)〜(c)は、実施の形態における拡大テラス面の形成工程および新成長層形成工程を示す断面図である。
図1(a)に示す工程で、抵抗率が0.02Ωcm、厚みが400μmで、<11−20>方向に約8°オフさせた{0001}面を主面とするn型の4H−SiC基板10を準備する。そして、in-situドープを伴うCVDエピタキシャル成長法を用いて、4H−SiC基板10の上に、濃度約1×1016cm−3のn型ドーパントを含み、厚みが約10μmの初期成長層(下地半導体層)11をエピタキシャル成長させる。このとき、初期成長層11の表面部には、比較的規則的な形状の多数のステップが存在しており、各ステップの表面には、キンク面と、テラス面とが存在する。テラス面は、{0001}面であり幅は10nm程度である。キンク面は、{11−2n}面(nは任意の整数)や{03−38}面である。ただし、6H−SiC基板を用いたときには、テラス面は、{0001}面であり、キンク面は、{01−14}面である。初期成長層11の表面には、形状がある程度規則的で多数のステップが形成されている。このステップの集合は、バンチングステップと呼ばれる。なお、4H−SiC基板に代えて、6H−SiC基板を用いてもよい。また、下地半導体層として、炭化珪素基板自体の表面に、熱処理等によりバンチングステップを形成されたものを用いてもよい。
次に、図1(b)に示す工程で、初期成長層11を覆うSi膜を堆積した後、Si膜をパターニングして、デバイス形成領域を覆う被覆膜M1を形成する。なお、被覆膜M1で覆われていない領域は、レジスト膜によって覆っておいてもよい。そして、Ar雰囲気中で、約1500°Cの条件で、約2時間のアニールを行う。このとき、被覆膜M1で覆われている領域Rt1では、バンチングステップのテラス面およびキンク面が拡大されてなる拡大テラス面15Aと拡大キンク面14Aとが形成される(領域Rt1の部分拡大図参照)。このような拡大テラス面が形成される機構は、まだ十分解明されていないが、Siを供給しながらアニールを行うことにより、極度に拡大したテラス面とキンク面とを有するステップが形成されるのは、経験的事実である。一方、被覆膜で覆われていない領域Rt2では、ほとんど拡大されていないテラス面15Bおよびキンク面14Bが存在している(領域Rt2の部分拡大図参照)。拡大テラス面15Aの幅は、0.1μm〜50μm程度に拡大する。なお、拡大テラス面15Aの幅は、拡大していないテラス面15Bの10倍あるいはそれ以上に拡大しているが、図示の都合上、図1(b)の部分拡大図には、正確でない縮尺で描かれている。
なお、本実施の形態においては、1500°Cで初期成長層11をアニールすることにより、拡大テラス面15Aを形成したが、このときのアニール温度は以下の範囲であることが好ましい。SiCが昇華して完全に分解することを抑止するためには、2545°C以下の範囲であることが好ましい。また、SiC2,Si,またはSi2Cの状態でSiCが昇華することをある程度抑止するためには、2000°Cかであることが好ましい。また、SiC2,Si,またはSi2Cの状態でSiCが昇華することを十分抑止し、初期成長層11の表面モフォロジの制御を容易にするためには、1800°C以下であることが好ましい。さらに初期成長層11の表面モフォロジを良好にするためには、1600°C以下であることが好ましい。
なお、本実施の形態では、アニールの際、Siからなる被覆膜M1によって初期成長層11を覆うことにより、初期成長層11の表面にSiを供給したが、この方法に代えて、他の方法を採ることもできる。たとえば、アニールの際、Si系のガスを初期成長層11の表面に流すことにより、初期成長層11の表面にSiを供給する方法、Siを含む液体を初期成長層11の表面に供給する方法、初期成長層11をSiO2からなる被覆膜によって覆う方法、などである。
次に、図1(c)に示す工程で、フッ硝酸を用いて被覆膜M1を除去してから、in-situドープを伴うCVDエピタキシャル成長法を用いて、初期成長層11の上に、厚みが1μm程度の新成長層21をエピタキシャル成長させる。この新成長層21は、被覆膜で覆われていた領域の上に成長した3C−SiC部21aと、被覆膜M1で覆われていなかった領域の上に成長した4H−SiC部21bとからなる。図1(c)において、3C−SiC部21aは拡大テラス面15Aに垂直な方向に成長するので、3C−SiC部21aと4H−SiC部21bとは、基板面から傾いた境界面を有しているが、便宜上、傾きは無視して描かれている。ここで、拡大テラス面15Aを有する領域の上に、4H−SiCとはポリタイプが異なる3C−SiCが成長する機構について、以下に説明する。
図2(a),(b)は、初期成長層11の成長後、Si膜被覆アニールを行わずに、さらにエピタキシャル成長を行う場合の成長機構を示す図である。つまり、図1(c)に示す4H−SiC部21bにおける成長機構を示している。図2(a)に示すように、バンチングステップの狭いテラス面15Bの上に到達した活性種(エピタキシャル成長に寄与するSiやCを含む化合物)は、テラス面15B上を移動すると、すぐにキンク面14Bに到達する。そして、図3(b)に示すように、キンク面14Bから下地層(初期成長層11)の結晶構造に関する情報を引き継ぎつつ、4H−SiCからなる新成長部が成長を開始する(ステップフロー成長)。SiC結晶の場合、多数のポリタイプが存在するために、キンク面のほとんどない{0001}面上には、良質なホモエピタキシャル成長が難しいので、一般に、主面を{0001}面からオフセットさせたオフセット基板が用いられているのである。
図3(a),(b)は、初期成長層11の成長後、Si膜被覆アニールを行なってからエピタキシャル成長を行う場合の成長機構を示す図である。つまり、図1(c)に示す3C−SiC部21aにおける成長機構を示している。図4(a)に示すように、拡大テラス面15Aに到達した活性種は、拡大テラス面15A上を移動しても、キンク面14Aに到達する確率が小さい。バンチングステップのテラス面15の幅P1が10nm程度であるのに対し、拡大テラス面15Aの幅は、サブμmオーダー以上(0.1μm以上50μm以下)であるからである。そのため、図4(b)に示すように、活性種が拡大キンク面14Aに到達する前に、拡大テラス面15A上から結晶成長が開始される(二次元核生成)。この場合、下地層(初期成長層)の結晶構造に関する情報は引き継がれないので、ホモエピタキシャル成長は生じにくく、低温安定なポリタイプである3C−SiCからなる新成長層が成長を開始する。
−UMOSFETの製造工程−
図4(a)〜(f)は、実施の形態におけるUMOSFETの製造工程を示す図である。図4(a)に示す工程は、図1(c)に示す工程における新成長層21の構造を詳しく説明したものである。図4(a)〜(c)において、3C−SiC部21aは拡大テラス面15Aに垂直な方向に成長するので、3C−SiC部21aと4H−SiC部21bとは、基板面から傾いた境界面を有しているが、便宜上、傾きは無視して描かれている。
図4(a)〜(f)は、実施の形態におけるUMOSFETの製造工程を示す図である。図4(a)に示す工程は、図1(c)に示す工程における新成長層21の構造を詳しく説明したものである。図4(a)〜(c)において、3C−SiC部21aは拡大テラス面15Aに垂直な方向に成長するので、3C−SiC部21aと4H−SiC部21bとは、基板面から傾いた境界面を有しているが、便宜上、傾きは無視して描かれている。
図4(a)に示すように、新成長層21のエピタキシャル成長の際、まず、in-situドープを伴うCVDエピタキシャル成長法を用いて、初期成長層11の上に、濃度約1×1016cm−3のn型ドーパントを含み、厚みが約0.2μmのn型3C−SiC部21a1およびn型4H−SiC部21b1をエピタキシャル成長させる。次に、n型3C−SiC部21a1およびn型4H−SiC部21b1の上に、濃度約1×1017cm−3のp型ドーパントを含み、厚み(深さ)が約0.8μmのp型3C−SiC部21a2およびp型4H−SiC部21b2(pウェル領域)をエピタキシャル成長させる。
次に、図4(b)に示す工程で、イオン注入法を用いて、新成長層21中のp型3C−SiC部21a2およびその両側のp型4H−SiC部21b(pウェル領域)の表面部に亘る領域に、濃度1×1019cm−3のn型ドーパントを含み、厚み(深さ)が約0.3μmのソース領域23を形成する。さらに、p型4H−SiC部21b2の一部に、濃度5×1019cm−3のp型ドーパントを含み、厚み(深さ)が約0.3μmのp+コンタクト領域24を形成する。なお、イオン注入時の基板温度は、すべて500°Cである。
次に、図4(c)に示す工程で、基板全体の上に、厚み2.5μm〜3μmのポジ型レジストを塗布し、アルゴン雰囲気中,750°C,15分間の条件で熱処理を行なって、基板を覆う厚み0.8μm〜1μmのカーボン膜を形成した後、カーボン膜をパターニングして、3C−SiC部21aの上方に位置する領域を開口したカーボンキャップM2を形成する。
次に、図4(d)に示す工程で、カーボンキャップM2により4H−SiC部21bを覆った状態で、アルゴン雰囲気中,1700°C,30〜40分間の条件で熱アニールを行う。これにより、3C−SiC部21aは昇華する一方、3C−SiC部21aに比べて昇華温度が高い4H−SiC部21bは昇華せずにほぼ残存する。つまり、この工程では、3C−SiC部21aを選択的に除去して、壁部が4H−SiC部21bで構成されるトレンチTrを形成する。なお、4H−SiC部21aの一部が除去されても、トレンチTrの側面に相当する部分の結晶学的方位が、後述する図5(a)または(b)に示す通りになっていればよいものとする。このアニール工程における適正なアニール温度は、4H−SiC部21bが昇華して分解するのを抑止するためには、2545°C以下であることが好ましい。一方、4H−SiC部21bの表面モフォロジを良好に維持するためには、1600°C以下であることが好ましい。ただし、適正な温度はAr雰囲気の圧力や時間によっても調整することができるので、現実的な製造工程では、アニール温度が1500°C〜1900°Cの範囲であることが好ましいことがわかっている。
なお、3C−SiC部21aを昇華させるためには、カーボンキャップM2は必ずしも必要でなく、アニール時に、基板上がすべて開放されていてもよい。ただし、4H−SiC部21bをマスクで覆っておくことにより、より確実に4H−SiC部21bの昇華を防ぐことができる。カーボンキャップM2に代えて、TaCなど、SiCの昇華温度よりも昇華温度または融点が高い材料からなるマスクを用いてもよい。特に、カーボン膜で被覆したアニールにより、ソース領域23やp+コンタクト領域24の表面が、表面粗さRaが1nm〜2nm程度まで平滑化される利点がある。
ここで、六方晶の4H−SiC部21bを残して、立方晶の3C−SiC部21aを選択的に除去する処理は、上記アニールによる昇華処理には限定されない。たとえば、ウェットエッチング,ガスエッチング,RIEなどによって立方晶部分だけを選択的に除去することは可能である。ただし、本実施形態の場合、アニール(加熱処理)という比較的単純な処理だけで、3C−SiC部21aを選択的に除去することができ、サブトレンチやエッチングダメージを生じさせることもないという利点がある。
次に、図4(e)に示す工程で、酸素雰囲気中,900°C,30分間の条件で熱処理を行なって、カーボンキャップM2を除去する。その後、基板温度を約1200°Cに維持したドライ酸化法により、基板上に、厚み約50nmのシリコン酸化膜と、厚さ約1.2μmのポリシリコン膜とを形成した後、CMPなどによって平坦化することにより、トレンチTr内にゲート絶縁膜26およびゲート電極27を形成する。
次に、図4(f)に示す工程で、蒸着法,スパッタ法などにより、4H−SiC基板10の裏面上に、厚み約0.1μmのNi膜からなるドレイン電極30を形成する。また、4H−SiC部21bの上に、厚み約0.1μmのNi膜からなるソース電極29を形成する。
その後、アルゴン雰囲気中,975°C,2分間の条件で熱処理を行うことにより、ソース電極29及びドレイン電極30を構成するNiと下地層(ソース領域23,p+コンタクト領域24及びp型4H−SiC部21b2(pウェル領域))を構成する炭化珪素との接触状態を、ショットキー接触からオーミック接触へと変化させる。
以上の製造工程により、パワーデバイスとして機能するnチャネル型の縦型トランジスタであるUMOSFETが形成される。図4(a)〜(f)には表示されていないが、多数のトランジスタセルUが集合して1つのUMOSFETが構成されている。このUMOSFETの各トランジスタセルUにおいて、オン時には、ドレイン電極30から供給される電流が、4H−SiC基板10から初期成長層11およびn型4H−SiC部21b1を経て、p型4H−SiC部21b2(pウェル領域)を通ってソース領域23まで、縦方向に流れる。そして、p型4H−SiC部21b2(pウェル領域)のゲート絶縁膜26に隣接する領域が、キャリア(本実施の形態では、電子)が走行するチャネル領域である。このチャネル領域における電子の移動度が、チャネル移動度である。
図5(a),(b)は、実施の形態およびその変形例におけるトレンチ側面の方位を示す斜視図である。拡大テラス面15Aの上方には、立方晶の3C−SiC部21aが拡大テラス面15Aにほぼ垂直にエピタキシャル成長される。したがって、3C−SiC部21aを選択的に除去して形成されるトレンチTrの側面は、拡大テラス面15Aが{0001}面であるので、{0001}面に垂直な面となる。つまり、図1(b)に示すマスクM1の平面形状(方位)によって、トレンチTrの側面(4H−SiC部21b)を低次数面に制御することが可能になる。
そこで、本実施の形態においては、図1(b)に示す被覆膜M1の平面形状を矩形状とし、この矩形の各辺の方向を、初期成長層11(下地半導体層)の<1−100>方向または<11−20>方向に平行な方向とする。これにより、図5(a)に示すように、4H−SiC部21bのトレンチTrの側面に対応する部分は、{11−20}面または{1−100}面となる。つまり、UMOSFETのチャネル領域は、{11−20}面または{1−100}面に沿って形成され、キャリア(本実施の形態では、電子)が、低次数面に沿って走行するので、チャネル移動度の高いUMOSFETが得られる。
また、変形例においては、図1(b)に示す被覆膜M1の平面形状を六角形とし、この六角形の各辺の方向を、初期成長層11(下地半導体層)の<1−100>方向に平行な方向とする。これにより、図5(b)に示すように、4H−SiC部21bのトレンチTrの側面に対応する部分は、{1−100}面となる。つまり、UMOSFETのチャネル領域は、{1−100}面に沿って形成され、キャリア(本実施の形態では、電子)が、低次数面に沿って走行するので、変形例によっても、チャネル移動度の高いUMOSFETが得られる。
上記実施の形態および変形例により、{0001}面から<1−100>方向または<11−20>方向に2°以上傾いた主面を有する下地半導体層(初期成長層11)を用いた場合、被覆膜M1の平面形状が、少なくとも1つの辺が傾き方向に直交する多角形であれば、キャリアが低次数面である{11−20}面または{1−100}面に沿って走行することになる。
なお、図示は省略するが、本実施の形態において、新成長層21の4H−SiC部21bには、ショットキーダイオード、pnダイオードなどのダイオードが形成されている。ただし、ダイオードは必ずしもトランジスタと同じ基板に設ける必要はない。
(他の実施の形態)
本発明の炭化珪素半導体装置は、実施形態1や実施形態2に挙げたものに限定されるものではなく、発明の効果を発揮するものであれば、各部の構造,寸法,ドーパント濃度などは、いかなるバリエーションも採ることができる。
本発明の炭化珪素半導体装置は、実施形態1や実施形態2に挙げたものに限定されるものではなく、発明の効果を発揮するものであれば、各部の構造,寸法,ドーパント濃度などは、いかなるバリエーションも採ることができる。
本発明における炭化珪素半導体基板の1つである炭化珪素基板は、4H−SiC基板に限定されるものではなく、6H−SiC基板等、4Hポリタイプとは異なるポリタイプの六方晶のSiC基板であってもよい。
実施の形態では、本発明の炭化珪素半導体装置をUMOSFETに適用した例について説明したが、本発明の炭化珪素半導体装置は、ゲート絶縁膜がシリコン酸化膜とは異なる絶縁膜、たとえば、シリコン窒化膜,シリコン酸窒化膜,その他の各種誘電体膜などである場合にも適用することができる。また、IGBTなどにも適用することができる。
本発明の炭化珪素半導体装置は、パワーデバイスや高周波デバイスとして用いられるUMOSFET,IGBTなどに利用することができる。
なお、本実施の形態においては、1500°Cで初期成長層11をアニールすることにより、拡大テラス面15Aを形成したが、このときのアニール温度は以下の範囲であることが好ましい。SiCが昇華して完全に分解することを抑止するためには、2545°C以下の範囲であることが好ましい。また、SiC2,Si,またはSi2Cの状態でSiCが昇華することをある程度抑止するためには、2000°C以下であることが好ましい。また、SiC2,Si,またはSi2Cの状態でSiCが昇華することを十分抑止し、初期成長層11の表面モフォロジの制御を容易にするためには、1800°C以下であることが好ましい。さらに初期成長層11の表面モフォロジを良好にするためには、1600°C以下であることが好ましい。
図3(a),(b)は、初期成長層11の成長後、Si膜被覆アニールを行なってからエピタキシャル成長を行う場合の成長機構を示す図である。つまり、図1(c)に示す3C−SiC部21aにおける成長機構を示している。図3(a)に示すように、拡大テラス面15Aに到達した活性種は、拡大テラス面15A上を移動しても、キンク面14Aに到達する確率が小さい。バンチングステップのテラス面15の幅P1が10nm程度であるのに対し、拡大テラス面15Aの幅は、サブμmオーダー以上(0.1μm以上50μm以下)であるからである。そのため、図3(b)に示すように、活性種が拡大キンク面14Aに到達する前に、拡大テラス面15A上から結晶成長が開始される(二次元核生成)。この場合、下地層(初期成長層)の結晶構造に関する情報は引き継がれないので、ホモエピタキシャル成長は生じにくく、低温安定なポリタイプである3C−SiCからなる新成長層が成長を開始する。
Claims (7)
- 六方晶の炭化珪素からなる下地半導体層(11)に珪素を供給しつつ熱処理して、前記下地半導体層(11)の表面の一部に拡大テラス面(15A)を形成する工程(a)と、
前記下地半導体層(11)の上に、炭化珪素からなる新成長層(21)をエピタキシャル成長させる工程(b)と、
前記新成長層(21)のうち少なくとも前記拡大テラス面(15A)の上方に成長した部分(21a)を除去してトレンチ(Tr)を形成する工程(c)と、
前記工程(c)の後に、前記トレンチ(Tr)内にゲート電極(27)を形成する工程(d)と、
を含む炭化珪素半導体装置の製造方法。 - 請求の範囲第1項記載の炭化珪素半導体装置の製造方法において、
前記工程(c)では、新成長層(21)のうち前記拡大テラス面(15A)の上方に成長した部分を選択的に除去する、炭化珪素半導体装置の製造方法。 - 請求の範囲第2項記載の炭化珪素半導体装置の製造方法において、
前記工程(c)では、温度が1500°C〜1900°Cの範囲でアニールを行うことにより、前記拡大テラス面(15A)の上方に成長した部分を選択的に除去する、炭化珪素半導体装置の製造方法。 - 請求の範囲第1項に記載の炭化珪素半導体装置の製造方法において、
前記工程(a)は、
前記下地半導体層(11)の少なくとも一部を覆う,Siを含む被覆膜(M1)を形成する副工程(a1)と、
前記被覆膜(M1)を付けた状態で、前記下地半導体層(11)を前記被覆膜(M1)の融点以上の温度で熱処理する副工程(a2)と、
を含む、炭化珪素半導体装置の製造方法。 - 請求の範囲第4項記載の炭化珪素半導体装置の製造方法において、
前記工程(a)では、
{0001}面から、<1−100>方向または<11−20>方向に、2°以上傾いた主面を有する下地半導体層(11)を用い、
前記被覆膜(M1)として、平面形状が少なくとも1つの辺が前記傾き方向に直交する多角形である被覆膜を形成する、
炭化珪素半導体装置の製造方法。 - 六方晶の炭化珪素からなり、表面に拡大テラス面を有する下地半導体層(11)と、
前記下地半導体層(11)の上にエピタキシャル成長された新成長層(21)と、
前記新成長層(21)のうち少なくとも前記拡大テラス面の上方に位置する部分(21a)を除去して形成されたトレンチ(Tr)と、
前記トレンチ(Tr)内に形成されたゲート電極(27)と、
を備えている、炭化珪素半導体装置。 - 請求の範囲第6項記載の炭化珪素半導体装置において、
前記下地半導体層(11)の主面は、{0001}面から、<1−120>方向または<11−20>方向に、2°以上傾いており、
前記トレンチ(Tr)の平面形状は、少なくとも1つの前記傾き方向に直交する辺を有する多角形である、炭化珪素半導体装置。
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