JP4581081B2 - エピタキシャルウエハ作製時に用いる炭化珪素平滑化基板の作製方法、炭化珪素基板表面の平滑化及びSiCエピタキシャル成長に用いる装置 - Google Patents
エピタキシャルウエハ作製時に用いる炭化珪素平滑化基板の作製方法、炭化珪素基板表面の平滑化及びSiCエピタキシャル成長に用いる装置 Download PDFInfo
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Description
そして、本発明により得られたSiC平滑化基板は、従来の方法で得られる平滑化基板と比較して表面粗さが低減しているだけではなく、ステップバンチングによる荒れの無い良好な表面を有するものである。
また、この実施例1ではα型の結晶構造の代表的な一つである4Hの結晶構造を持つ(000−1)C面を〈11−20〉方向へ8°傾けたSiC基板を用いた。水素エッチングはシラン:0.7sccmを添加する条件で30分間行った。
本実施例で得られた平滑化基板においてステップバンチング等の基板表面の荒れは生じておらず、良好であった(図2)。原子間力顕微鏡を用いて平滑化基板の表面粗さの評価を行った結果、水素エッチング前における基板のRa:0.825nmに対し、Ra:0.259nmと大幅に減少していた(図3)。一方、エッチング量は水素のみの条件の約半分まで減少していることが判った。
また、前記基板に代えて(000−1)C面を〈11−20〉方向へ0°、3.5°、4°、8°傾けたSiC基板、(0001)Si面を〈11−20〉方向へ0°、3.5°、4°、8°傾けたSiC基板、そして、同じくα型の結晶構造の一つである6Hの結晶構造を持ち(0001)Si面を〈11−20〉方向へ0°、3.5°傾けたSiC基板、及び(000−1)C面を〈11−20〉方向へ0°、3.5°傾けたSiC基板についても同様の結果を示した。
作製されたエピタキシャルウエハの表面は、平滑化基板と同様に三角形状の欠陥やステップバンチング等の発生は無く良好であった(図6)。
また、前記基板に代えて(000−1)C面を〈11−20〉方向へ0°、3.5°、4°、8°傾けた基板、(0001)Si面を〈11−20〉方向へ0°、3.5°、4°、8°傾けたSiC基板、6Hの結晶構造を持ち(0001)Si面を〈11−20〉方向へ0°、3.5°傾けたSiC基板、及び(000−1)C面を〈11−20〉方向へ0°、3.5°傾けたSiC基板を用いたエピタキシャルウエハの表面も良好であった。さらに、本実施例で得られた平滑化基板を用いて作製したGaNのヘテロエピタキシャルウエハの表面も同様であった。
さらに、水素エッチングを行う際に用いた気相化学成長装置(CVD装置)の原料ガスの配管をエピタキシャル成長用と基板の平滑化用の2系統とすることにより、基板平滑化からエピタキシャル成長の工程へ移る際に原料ガスの流量を変化させずにガス系の切換えのみとなるので、流量調整時における原料ガス流の乱れが発生しなかった(図5)。
Claims (8)
- 水素雰囲気で行う化学気相成長装置において、表面の研磨ダメージを取り除くための炭化珪素基板の平滑化における水素エッチング時にエピタキシャル成長用原料ガスとして用いるシランを添加することを特徴とするエピタキシャルウエハ作製時に用いる炭化珪素平滑化基板の作製方法。
- α型の結晶構造を持つ炭化珪素基板を用いることを特徴とする請求項1に記載のエピタキシャルウエハ作製時に用いる炭化珪素平滑化基板の作製方法。
- 4Hの結晶構造を持つ炭化珪素基板を用いることを特徴とする請求項1に記載のエピタキシャルウエハ作製時に用いる炭化珪素平滑化基板の作製方法。
- 6Hの結晶構造を持つ炭化珪素基板を用いることを特徴とする請求項1に記載のエピタキシャルウエハ作製時に用いる炭化珪素平滑化基板の作製方法。
- (0001)Si面を〈11−20〉方向へ0°以上8°以下傾けた炭化珪素基板を用いることを特徴とする請求項1に記載のエピタキシャルウエハ作製時に用いる炭化珪素平滑化基板の作製方法。
- (000−1)C面を〈11−20〉方向へ0°以上8°以下傾けた炭化珪素基板を用いることを特徴とする請求項1に記載のエピタキシャルウエハ作製時に用いる炭化珪素平滑化基板の作製方法。
- (0001)Si面を〈11−20〉方向へ0°以上3.5°以下傾けた炭化珪素基板を用いることを特徴とする請求項1に記載のエピタキシャルウエハ作製時に用いる炭化珪素平滑化基板の作製方法。
- 請求項1〜7の何れか一項に記載の作製方法により作製された炭化珪素平滑化基板表面の平滑化及びSiCエピタキシャル成長に用いる装置であって、エピタキシャル成長用原料ガスとして用いるシランガス供給ラインを2系統有することを特徴とする炭化珪素基板表面の平滑化及びSiCエピタキシャル成長に用いる装置。
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