JP2004152813A - 半導体素子とその製造方法 - Google Patents
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Abstract
【課題】高速動作性に優れた半導体素子を提供すると共に、その簡便な製造方法を提供する。
【解決手段】半導体素子10は、六方晶系の6H―SiCの基板11と、立方晶系の3C―SiCの薄膜12を備え、薄膜12の膜面に、ゲート酸化膜13とゲート電極14とを有し、薄膜12の左右にソース15とドレイン16とを有する。6H―SiCの基板11と3C―SiCの薄膜12は、その結晶構造(六方晶系と立方晶系)の相違によりバンドギャップのエネルギレベルがずれており、伝導帯は薄膜12より基板11が高く、価電子帯も薄膜12より基板11が高い。また、薄膜12の伝導帯は、基板11の価電子帯より高い。こうしたバンドギャップの特性に基づいて、電子をエネルギレベルの低い側の薄膜12の伝導帯に存在させ、正孔についてはエネルギレベルの高い側の基板11の伝導帯に存在させる。
【選択図】 図2
【解決手段】半導体素子10は、六方晶系の6H―SiCの基板11と、立方晶系の3C―SiCの薄膜12を備え、薄膜12の膜面に、ゲート酸化膜13とゲート電極14とを有し、薄膜12の左右にソース15とドレイン16とを有する。6H―SiCの基板11と3C―SiCの薄膜12は、その結晶構造(六方晶系と立方晶系)の相違によりバンドギャップのエネルギレベルがずれており、伝導帯は薄膜12より基板11が高く、価電子帯も薄膜12より基板11が高い。また、薄膜12の伝導帯は、基板11の価電子帯より高い。こうしたバンドギャップの特性に基づいて、電子をエネルギレベルの低い側の薄膜12の伝導帯に存在させ、正孔についてはエネルギレベルの高い側の基板11の伝導帯に存在させる。
【選択図】 図2
Description
【0001】
【発明の属する技術分野】
本発明は、炭化珪素の基板を用いた半導体素子とその製造方法に関する。
【0002】
【従来の技術】
炭化珪素は、シリコンに比して絶縁破壊電極強度や電子移動速度、熱伝導率等の物性値に優れており、高速・高出力ももたらすデバイス基材として注目されている。こうした優れた性質を利用すべく、炭化珪素を用いた半導体素子が提案されている(例えば、特許文献1)。
【特許文献1】
特開2001−119025号公報
【0003】
【発明が解決しようとする課題】
しかしながら、上記した従来の半導体素子では、次のような問題点が未解決のまま残されている。
上記の特許文献は、ゲート電極によって制御されるチャンネル領域にあってはイオン注入やエッチング等による損傷を回避できるものの、ソース・ドレイン間では、イオン注入を経たp→nへの型変換領域が介在する。こうした型変換領域では、イオン注入に欠陥が起きると、その注入欠陥に基づき結晶格子に欠陥をきたし電子の移動速度の低下を招くことが起き得る。よって、高速動作の改善の余地が残されていた。
【0004】
本発明は、上記問題点を解決するためになされ、高速動作性に優れた半導体素子を提供すると共に、こうした半導体素子の簡便な製造方法を提供することを目的とする。
【0005】
【課題を解決するための手段およびその作用・効果】
かかる課題の少なくとも一部を解決するため、本発明の半導体素子は、
ゲート酸化膜の膜面に設けたゲート電極を備え、ソースとドレインとを配した半導体素子であって、
炭化珪素の基板と、
該基板の表面と前記ゲート酸化膜との間に介在させつつ、前記ソースとドレインとに亘って前記基板表面に薄膜形成された炭化珪素の薄膜とを備え、
前記基板の炭化珪素と前記薄膜の炭化珪素は、それぞれのバンドギャップにおける前記基板の炭化珪素の伝導帯が前記薄膜の炭化珪素より高く、前記基板の炭化珪素の価電子帯が前記薄膜の炭化珪素より高く、前記薄膜の炭化珪素の伝導帯が前記基板の炭化珪素の価電子帯より高くなるようにされている、ことをその要旨とする。
【0006】
上記構成を有する本発明の半導体素子は、炭化珪素薄膜を、ゲート電極を備えるゲート酸化膜と炭化珪素基板との間に介在させ、この炭化珪素薄膜をソースとドレインとの間に亘って備える。よって、ゲート電極に電圧がかかると、炭化珪素薄膜は、少なくともゲート酸化膜側において電子の誘起を起こし、ソース・ドレイン間に亘るチャンネルとなる。この炭化珪素薄膜は、基板表面に薄膜形成されたものであり、その形成に際してイオン注入等を必要としない。よって、炭化珪素薄膜は、イオン注入等に基づく結晶格子欠陥を有することはない。
【0007】
しかも、炭化珪素基板と炭化珪素薄膜とでは、伝導帯が炭化珪素薄膜より炭化珪素基板で高く、価電子帯が炭化珪素薄膜より炭化珪素基板で高い。また、炭化珪素薄膜の伝導帯が炭化珪素基板の価電子帯より高くされていることから、電子はエネルギレベルの低い側の伝導帯(炭化珪素薄膜の伝導帯)に存在し、正孔はエネルギレベルの高い側の伝導帯(炭化珪素基板の価電子帯)に存在する。このため、炭化珪素薄膜の伝導帯では、即ち、チャンネルとなった炭化珪素薄膜の領域では、電子は、炭化珪素基板の価電子帯の正孔による散乱を受けることなく高移動度で動くことができる。
【0008】
これらの結果、本発明の半導体素子によれば、電子の高移動度に基づいて高速動作をもたらすことができるので、性能向上を図ることができる。また、炭化珪素の有する特性と相俟って、高電圧下での高速動作や、高温下での安定した高速動作を実現できる。
【0009】
上記の構成を有する本発明の半導体素子は、種々の態様を採ることもできる。例えば、炭化珪素基板を六方晶系の炭化珪素の基板とし、炭化珪素薄膜を立方晶系の炭化珪素の薄膜とすることができる。こうすれば、炭化珪素基板と炭化珪素薄膜とにおける伝導帯・価電子帯の上記した関係を、基板・薄膜の両炭化珪素の半導体的性質に基づいて容易に構築できる。
【0010】
その上、炭化珪素基板を六方晶系の6H―SiCまたは4H−SiCのいずれかの基板とし、炭化珪素薄膜を立方晶系の3C―SiCの薄膜とすることもできる。こうすれば、基板の入手や薄膜形成が容易であることから、製造コスト低減を図ることができる。6H―SiCや4H−SiCは約1800〜約2600℃程度まで、3C―SiCは約1600℃程度まで安定していることから、高温環境下での使用に適した半導体素子を提供できる。
【0011】
なお、ソースとドレインが炭化珪素薄膜の側に離間して位置するものであれば、基板に対して、同じ側で炭化珪素薄膜形成と、ソース・ドレイン形成を行うことができる。
【0012】
炭化珪素薄膜については、その厚みを約1nm〜約1000nm(好ましくは、約2nm〜約50nm)とすればよい。このように厚みを約1nm以上とすれば、炭化珪素薄膜が電子の誘起を起こしてチャンネルとして機能する場合に、そのチャンネル部分で電子の移動を2次元電子ガス状態とできことから、電子の高い移動度を確実に実現できる。その一方、厚みが約1000nm以下であれば、不用意に薄膜を厚くする必要がない。よって、膜厚が厚すぎない分、薄膜の製膜過程における結晶格子欠陥の発生を抑制できると共に、膜形成に際して用いる原料の少量化、低コスト化を図ることができる。この場合、薄膜厚みを上記した約2nm〜約50nmとすれば、2次元電子ガス状態の確保、欠陥抑制・原料の少量化・低コスト化をより確実なものとできる。
【0013】
また、かかる課題の少なくとも一部を解決するための本発明の製造方法は、
ゲート酸化膜の膜面に設けたゲート電極を備え、ソースとドレインとを配した半導体素子の製造方法であって、
六方晶系の炭化珪素の基板の表面に、立方晶系炭化珪素の薄膜を形成する工程(1)と、
前記薄膜の膜面を酸化させて酸化膜を形成する工程(2)と、
前記酸化膜を前記ゲート酸化膜になる部分とその左右の前記ソースとドレインになる部分にパターン化し、前記ソースとドレインとなるパターン部分の前記酸化膜をエッチングする工程(3)と、
前記ソースとドレインとを、前記エッチングされた領域部分に形成する工程(4)と、
エッチングされずに残存する前記酸化膜の膜面に前記ゲート電極を形成する工程(5)とを備える、ことをその要旨とする。
【0014】
上記構成を有する本発明の製造方法によれば、電子の高移動度に基づいた高速動作が可能な上記の本発明の半導体素子を製造することができる。しかも、薄膜形成、パターン化・エッチング等の既存の工程を取ればいいことから、高性能の半導体素子を容易に製造することができる。
【0015】
この場合、工程(4)を、窒素イオン(N+)をイオン注入する工程と、その後のアニール工程とを有するものとできる。こうすれば、ソース・ドレイン形成も容易となる。
【0016】
【発明の実施の形態】
次に、本発明の実施の形態を実施例に基づき説明する。図1は実施例の半導体素子10を説明する説明図、図2はこの半導体素子10が呈するバンドキャップの様子を説明する説明図である。
【0017】
図示するように、半導体素子10は、六方晶系の炭化珪素(6H―SiC)から形成された基板11と、立方晶系の炭化珪素(3C―SiC)の薄膜12を備え、薄膜12の膜面に、ゲート酸化膜13とゲート電極14とを有する。また、この薄膜12の左右にソース15とドレイン16とを有する。なお、素子製造方法については後述する。
【0018】
薄膜12は、ゲート酸化膜13と基板11との間に介在し、ソース15とドレイン16との間に亘って形成されている。この薄膜12は、その膜素材が3C―SiCであることから半導体的性質を備え、ゲート電極14に電圧がかかると、ゲート酸化膜13の側で反転して電子の誘起を起こし、ソース・ドレイン間に亘るチャンネルとなる。なお、本実施例では、この薄膜12を約20nmの厚みとした。
【0019】
上記した素子構成を有する半導体素子10は、6H―SiCの基板11と3C―SiCの薄膜12とについて、図2に示すように、バンドキャップを呈するようにした。即ち、基板11と薄膜12は、その結晶構造(六方晶系と立方晶系)の相違により電子親和力が異なっている。更に、基板11のバンドギャップの方が高い。そして、伝導帯は薄膜12より基板11が高く、価電子帯も薄膜12より基板11が高い。また、薄膜12の伝導帯は、基板11の価電子帯より高くなる。半導体素子10では、こうしたバンドギャップの特性に基づいて、電子をエネルギレベルの低い側の薄膜12の伝導帯に存在させ、正孔についてはエネルギレベルの高い側の基板11の伝導帯に存在させることができる。よって、3C―SiCの薄膜12の伝導帯、即ち、チャンネルとなった3C―SiCの薄膜12の領域では、電子は、6H―SiCの基板11の価電子帯の正孔による散乱を受けることなく高移動度で動くことができる。
【0020】
次に、上記した半導体素子10の製造方法について説明する。図3は半導体素子10の製造プロセスを示すプロセス図、図4はこの製造プロセスの様子を説明する説明図である。
【0021】
図示するように、半導体素子10の製造に際しては、まず、6H―SiCのウェーハを用意しこれを基板11とすると共に、後述の処理に備えて前処理する(ステップS100)。この前処理では、次のように処理する。つまり、基板11をアセトン、エタノール等の有機溶媒で洗浄後、流純水に浸漬して約5分間、純水洗浄する。次いで、基板11を、5%のフッ化水素溶液に約30分間浸漬した後、純水による洗浄と乾燥を行う。なお、6H―SiCのウェーハは、市販されているので、容易に入手することができる。
【0022】
次に、基板11の表面に3C―SiCの薄膜12を薄膜形成する(ステップS110)。この工程では、純水洗浄を経た基板11を乾燥させた後、CVD(Chemical Vapor Deposition)装置の処理室にセットし、当該処理室内にて、H2を流しながら基板11を約800℃まで加熱し、それ以降は、エチレン(C2H2)を処理室に導入しながら基板11を約1150℃まで引き続き加熱する。更に、処理室に、C2H2とジクロロシラン(SiH2Cl2)を約3.25cm3/minずつ交互に供給して、3C―SiCの薄膜12を徐々に製膜する。本実施例では、約3.25cm3/minずつのC2H2とSiH2Cl2の交互供給を1サイクルとし、これを100サイクル繰り返した。これにより、6H―SiCの基板11の表面に、3C―SiCの薄膜12を約120nmの厚みで膜形成した。この100サイクルの製膜後には、処理室内を水素環境下とし、その中で基板11を室温まで降下させた。
【0023】
次に、降温済みの基板11をCVD装置から取り出し、約1100℃のウェット酸素雰囲気下で3C―SiCの薄膜12の表面を酸化させ、図4(a)に示すように、薄膜12の表面に酸化膜13aを形成する(ステップS120)。この酸化膜13aは、後にゲート酸化膜13となり、酸化膜13a以外の部分が図1における半導体素子10で薄膜12となる。
【0024】
その後、フォトリソグラフィー等の印刷手法を用いて、酸化膜13aにパターン形成を行う。このパターンは、後にゲート酸化膜13になる部分と、ゲート酸化膜13の左右に位置し後にソース15とドレイン16になる部分とをパターン化する。こうしてパターン化した後は、ゲート酸化膜13にレジスト液を塗布し(図4(b))、エッチング液でゲート酸化膜13のエッチングを行う。これにより、ソース15とドレイン16になる部分については、図4(c)に示すように、薄膜12表面から酸化膜13aを除去し、ソース・ドレインの領域を形成する(ステップS130)。
【0025】
次に、酸化膜13a除去済みのソース・ドレインの領域にN+をイオン注入し、その後に約1100℃でアニールを行い、図4(d)に示すように、ソース15とドレイン16を形成する(ステップS140)。このイオン注入に際しては、N+を100keVで5e16cm−2に亘って注入した。これにより、ソース15とドレイン16は、ステップS130でエッチングされた領域部分に形成されn型となる。本実施例では、上記エネルギでのイオン注入により、ソース・ドレインは、薄膜12を越えて基板11に達する。
【0026】
その後は、エッチングされずに薄膜12に残存する酸化膜13aの膜面に、アルミニウム(Al)を100nmの厚さで真空蒸着し、図4(e)に示すように、ゲート電極14を形成する(ステップS150)。これら一連のプロセスにより、半導体素子10が完成する。
【0027】
以上説明したように本実施例の半導体素子10は、3C―SiCの薄膜12を、このような薄膜12をソース・ドレイン間に亘るチャンネルとする。そして、この薄膜12を、イオン注入等を必要としない薄膜形成手法で形成するので、この薄膜12にイオン注入等に基づく結晶格子欠陥をきたすことがない。また、6H―SiCの基板11と3C―SiCの薄膜12とについては、図2を用いて説明したように、両者のバンドギャップの特性に基づいて、電子をエネルギレベルの低い側の薄膜12の伝導帯に存在させ、正孔についてはエネルギレベルの高い側の基板11の伝導帯に存在させる。よって、3C―SiCの薄膜12の伝導帯、即ち、チャンネルとなった3C―SiCの薄膜12の領域では、電子を、6H―SiCの基板11の価電子帯の正孔による散乱を受けることなく高移動度で動くようにすることができる。これらの結果、本実施例の半導体素子10は、電子の高移動度に基づく高速動作が可能で高性能な素子となる。この10について性能評価をしたところ、珪素基板(Si基板)で図1の素子構造とした半導体素子に比べて、動作速度が約20%程度向上していることが判明した。
【0028】
しかも、本実施例の半導体素子10によれば、基板11と薄膜12に用いた6H―SiC或いは3C―SiCの有する特性(高温特性等)と相俟って、高電圧下での高速動作や、高温下での安定した高速動作を実現できることが確認できた。
【0029】
また、半導体素子10を製造するに際し、基板11に6H―SiCを採用し、薄膜12を3C―Siで製膜したので、これら炭化珪素が有する半導体的性質に基づいて、図2に示す伝導帯・価電子帯の上記した関係を容易に構築できる。よって、高性能の半導体素子を容易に製造できる。
【0030】
更に、本実施例による半導体素子製造方法では、ステップS100〜150で説明したように、既存の製造プロセスをほぼそのまま適用した。よって、電子の高移動度に基づいた高速動作が可能で高性能の半導体素子10を容易に製造することができる。この場合、ソース・ドレイン形成についても、薄膜12の側からのイオン注入とすれば良いので、基板11に対して、同じ側で薄膜形成とソース・ドレイン形成を行うことができる。よって、半導体素子10の製造がより簡便である。
【0031】
以上本発明の実施例について説明したが、本発明は上記の実施例や実施形態になんら限定されるものではなく、本発明の要旨を逸脱しない範囲において種々なる態様で実施し得ることは勿論である。
【0032】
例えば、基板11を六方晶系の一つである6H―SiCとしたが、これを4H―SiCとすることもできる。また、本実施例では、半導体素子10における最終的な薄膜12の膜厚を約20nmとしたがこれに限られるわけではない。薄膜12は、ソース・ドレイン間のチャンネルとして機能すれば良く、その膜厚は約1nm〜約1000nmの範囲、好ましくは、約2nm〜約50nmの範囲とすればよい。薄膜12の膜厚が約1nm以上であれば、薄膜12がチャンネルとして機能する場合に、そのチャンネル部分で電子の移動を2次元電子ガス状態とできことから、電子の高い移動度を確実に実現できる。その一方、厚みが約1000nm以下であれば、不用意に薄膜を厚くする必要がない。よって、膜厚が厚すぎない分、薄膜12の製膜過程(CVD)における結晶格子欠陥の発生を抑制できる他、膜形成に際して用いる原料の少量化、低コスト化を図ることができる。なお、膜厚の上限は、用いる製膜装置の製膜能力に応じて上記上限値内で定めるようにすることもできる。また、薄膜12の膜厚が約2nm〜約50nmであれば、2次元電子ガス状態の確保、原料の少量化・低コスト化をより確実なものとでき好ましい。
【0033】
この他、ソース・ドレイン形成に際しては、N+をイオン注入したが、アルミ、ボロン等のイオンを注入することもできる。薄膜12の製膜にあっても、CVDに限られるものではない。
【図面の簡単な説明】
【図1】実施例の半導体素子10を説明する説明図である。
【図2】この半導体素子10が呈するバンドキャップの様子を説明する説明図である。
【図3】半導体素子10の製造プロセスを示すプロセス図である。
【図4】この製造プロセスの様子を説明する説明図である。
【符号の説明】
10…半導体素子
11…基板
12…薄膜
13…ゲート酸化膜
13a…酸化膜
14…ゲート電極
15…ソース
16…ドレイン
【発明の属する技術分野】
本発明は、炭化珪素の基板を用いた半導体素子とその製造方法に関する。
【0002】
【従来の技術】
炭化珪素は、シリコンに比して絶縁破壊電極強度や電子移動速度、熱伝導率等の物性値に優れており、高速・高出力ももたらすデバイス基材として注目されている。こうした優れた性質を利用すべく、炭化珪素を用いた半導体素子が提案されている(例えば、特許文献1)。
【特許文献1】
特開2001−119025号公報
【0003】
【発明が解決しようとする課題】
しかしながら、上記した従来の半導体素子では、次のような問題点が未解決のまま残されている。
上記の特許文献は、ゲート電極によって制御されるチャンネル領域にあってはイオン注入やエッチング等による損傷を回避できるものの、ソース・ドレイン間では、イオン注入を経たp→nへの型変換領域が介在する。こうした型変換領域では、イオン注入に欠陥が起きると、その注入欠陥に基づき結晶格子に欠陥をきたし電子の移動速度の低下を招くことが起き得る。よって、高速動作の改善の余地が残されていた。
【0004】
本発明は、上記問題点を解決するためになされ、高速動作性に優れた半導体素子を提供すると共に、こうした半導体素子の簡便な製造方法を提供することを目的とする。
【0005】
【課題を解決するための手段およびその作用・効果】
かかる課題の少なくとも一部を解決するため、本発明の半導体素子は、
ゲート酸化膜の膜面に設けたゲート電極を備え、ソースとドレインとを配した半導体素子であって、
炭化珪素の基板と、
該基板の表面と前記ゲート酸化膜との間に介在させつつ、前記ソースとドレインとに亘って前記基板表面に薄膜形成された炭化珪素の薄膜とを備え、
前記基板の炭化珪素と前記薄膜の炭化珪素は、それぞれのバンドギャップにおける前記基板の炭化珪素の伝導帯が前記薄膜の炭化珪素より高く、前記基板の炭化珪素の価電子帯が前記薄膜の炭化珪素より高く、前記薄膜の炭化珪素の伝導帯が前記基板の炭化珪素の価電子帯より高くなるようにされている、ことをその要旨とする。
【0006】
上記構成を有する本発明の半導体素子は、炭化珪素薄膜を、ゲート電極を備えるゲート酸化膜と炭化珪素基板との間に介在させ、この炭化珪素薄膜をソースとドレインとの間に亘って備える。よって、ゲート電極に電圧がかかると、炭化珪素薄膜は、少なくともゲート酸化膜側において電子の誘起を起こし、ソース・ドレイン間に亘るチャンネルとなる。この炭化珪素薄膜は、基板表面に薄膜形成されたものであり、その形成に際してイオン注入等を必要としない。よって、炭化珪素薄膜は、イオン注入等に基づく結晶格子欠陥を有することはない。
【0007】
しかも、炭化珪素基板と炭化珪素薄膜とでは、伝導帯が炭化珪素薄膜より炭化珪素基板で高く、価電子帯が炭化珪素薄膜より炭化珪素基板で高い。また、炭化珪素薄膜の伝導帯が炭化珪素基板の価電子帯より高くされていることから、電子はエネルギレベルの低い側の伝導帯(炭化珪素薄膜の伝導帯)に存在し、正孔はエネルギレベルの高い側の伝導帯(炭化珪素基板の価電子帯)に存在する。このため、炭化珪素薄膜の伝導帯では、即ち、チャンネルとなった炭化珪素薄膜の領域では、電子は、炭化珪素基板の価電子帯の正孔による散乱を受けることなく高移動度で動くことができる。
【0008】
これらの結果、本発明の半導体素子によれば、電子の高移動度に基づいて高速動作をもたらすことができるので、性能向上を図ることができる。また、炭化珪素の有する特性と相俟って、高電圧下での高速動作や、高温下での安定した高速動作を実現できる。
【0009】
上記の構成を有する本発明の半導体素子は、種々の態様を採ることもできる。例えば、炭化珪素基板を六方晶系の炭化珪素の基板とし、炭化珪素薄膜を立方晶系の炭化珪素の薄膜とすることができる。こうすれば、炭化珪素基板と炭化珪素薄膜とにおける伝導帯・価電子帯の上記した関係を、基板・薄膜の両炭化珪素の半導体的性質に基づいて容易に構築できる。
【0010】
その上、炭化珪素基板を六方晶系の6H―SiCまたは4H−SiCのいずれかの基板とし、炭化珪素薄膜を立方晶系の3C―SiCの薄膜とすることもできる。こうすれば、基板の入手や薄膜形成が容易であることから、製造コスト低減を図ることができる。6H―SiCや4H−SiCは約1800〜約2600℃程度まで、3C―SiCは約1600℃程度まで安定していることから、高温環境下での使用に適した半導体素子を提供できる。
【0011】
なお、ソースとドレインが炭化珪素薄膜の側に離間して位置するものであれば、基板に対して、同じ側で炭化珪素薄膜形成と、ソース・ドレイン形成を行うことができる。
【0012】
炭化珪素薄膜については、その厚みを約1nm〜約1000nm(好ましくは、約2nm〜約50nm)とすればよい。このように厚みを約1nm以上とすれば、炭化珪素薄膜が電子の誘起を起こしてチャンネルとして機能する場合に、そのチャンネル部分で電子の移動を2次元電子ガス状態とできことから、電子の高い移動度を確実に実現できる。その一方、厚みが約1000nm以下であれば、不用意に薄膜を厚くする必要がない。よって、膜厚が厚すぎない分、薄膜の製膜過程における結晶格子欠陥の発生を抑制できると共に、膜形成に際して用いる原料の少量化、低コスト化を図ることができる。この場合、薄膜厚みを上記した約2nm〜約50nmとすれば、2次元電子ガス状態の確保、欠陥抑制・原料の少量化・低コスト化をより確実なものとできる。
【0013】
また、かかる課題の少なくとも一部を解決するための本発明の製造方法は、
ゲート酸化膜の膜面に設けたゲート電極を備え、ソースとドレインとを配した半導体素子の製造方法であって、
六方晶系の炭化珪素の基板の表面に、立方晶系炭化珪素の薄膜を形成する工程(1)と、
前記薄膜の膜面を酸化させて酸化膜を形成する工程(2)と、
前記酸化膜を前記ゲート酸化膜になる部分とその左右の前記ソースとドレインになる部分にパターン化し、前記ソースとドレインとなるパターン部分の前記酸化膜をエッチングする工程(3)と、
前記ソースとドレインとを、前記エッチングされた領域部分に形成する工程(4)と、
エッチングされずに残存する前記酸化膜の膜面に前記ゲート電極を形成する工程(5)とを備える、ことをその要旨とする。
【0014】
上記構成を有する本発明の製造方法によれば、電子の高移動度に基づいた高速動作が可能な上記の本発明の半導体素子を製造することができる。しかも、薄膜形成、パターン化・エッチング等の既存の工程を取ればいいことから、高性能の半導体素子を容易に製造することができる。
【0015】
この場合、工程(4)を、窒素イオン(N+)をイオン注入する工程と、その後のアニール工程とを有するものとできる。こうすれば、ソース・ドレイン形成も容易となる。
【0016】
【発明の実施の形態】
次に、本発明の実施の形態を実施例に基づき説明する。図1は実施例の半導体素子10を説明する説明図、図2はこの半導体素子10が呈するバンドキャップの様子を説明する説明図である。
【0017】
図示するように、半導体素子10は、六方晶系の炭化珪素(6H―SiC)から形成された基板11と、立方晶系の炭化珪素(3C―SiC)の薄膜12を備え、薄膜12の膜面に、ゲート酸化膜13とゲート電極14とを有する。また、この薄膜12の左右にソース15とドレイン16とを有する。なお、素子製造方法については後述する。
【0018】
薄膜12は、ゲート酸化膜13と基板11との間に介在し、ソース15とドレイン16との間に亘って形成されている。この薄膜12は、その膜素材が3C―SiCであることから半導体的性質を備え、ゲート電極14に電圧がかかると、ゲート酸化膜13の側で反転して電子の誘起を起こし、ソース・ドレイン間に亘るチャンネルとなる。なお、本実施例では、この薄膜12を約20nmの厚みとした。
【0019】
上記した素子構成を有する半導体素子10は、6H―SiCの基板11と3C―SiCの薄膜12とについて、図2に示すように、バンドキャップを呈するようにした。即ち、基板11と薄膜12は、その結晶構造(六方晶系と立方晶系)の相違により電子親和力が異なっている。更に、基板11のバンドギャップの方が高い。そして、伝導帯は薄膜12より基板11が高く、価電子帯も薄膜12より基板11が高い。また、薄膜12の伝導帯は、基板11の価電子帯より高くなる。半導体素子10では、こうしたバンドギャップの特性に基づいて、電子をエネルギレベルの低い側の薄膜12の伝導帯に存在させ、正孔についてはエネルギレベルの高い側の基板11の伝導帯に存在させることができる。よって、3C―SiCの薄膜12の伝導帯、即ち、チャンネルとなった3C―SiCの薄膜12の領域では、電子は、6H―SiCの基板11の価電子帯の正孔による散乱を受けることなく高移動度で動くことができる。
【0020】
次に、上記した半導体素子10の製造方法について説明する。図3は半導体素子10の製造プロセスを示すプロセス図、図4はこの製造プロセスの様子を説明する説明図である。
【0021】
図示するように、半導体素子10の製造に際しては、まず、6H―SiCのウェーハを用意しこれを基板11とすると共に、後述の処理に備えて前処理する(ステップS100)。この前処理では、次のように処理する。つまり、基板11をアセトン、エタノール等の有機溶媒で洗浄後、流純水に浸漬して約5分間、純水洗浄する。次いで、基板11を、5%のフッ化水素溶液に約30分間浸漬した後、純水による洗浄と乾燥を行う。なお、6H―SiCのウェーハは、市販されているので、容易に入手することができる。
【0022】
次に、基板11の表面に3C―SiCの薄膜12を薄膜形成する(ステップS110)。この工程では、純水洗浄を経た基板11を乾燥させた後、CVD(Chemical Vapor Deposition)装置の処理室にセットし、当該処理室内にて、H2を流しながら基板11を約800℃まで加熱し、それ以降は、エチレン(C2H2)を処理室に導入しながら基板11を約1150℃まで引き続き加熱する。更に、処理室に、C2H2とジクロロシラン(SiH2Cl2)を約3.25cm3/minずつ交互に供給して、3C―SiCの薄膜12を徐々に製膜する。本実施例では、約3.25cm3/minずつのC2H2とSiH2Cl2の交互供給を1サイクルとし、これを100サイクル繰り返した。これにより、6H―SiCの基板11の表面に、3C―SiCの薄膜12を約120nmの厚みで膜形成した。この100サイクルの製膜後には、処理室内を水素環境下とし、その中で基板11を室温まで降下させた。
【0023】
次に、降温済みの基板11をCVD装置から取り出し、約1100℃のウェット酸素雰囲気下で3C―SiCの薄膜12の表面を酸化させ、図4(a)に示すように、薄膜12の表面に酸化膜13aを形成する(ステップS120)。この酸化膜13aは、後にゲート酸化膜13となり、酸化膜13a以外の部分が図1における半導体素子10で薄膜12となる。
【0024】
その後、フォトリソグラフィー等の印刷手法を用いて、酸化膜13aにパターン形成を行う。このパターンは、後にゲート酸化膜13になる部分と、ゲート酸化膜13の左右に位置し後にソース15とドレイン16になる部分とをパターン化する。こうしてパターン化した後は、ゲート酸化膜13にレジスト液を塗布し(図4(b))、エッチング液でゲート酸化膜13のエッチングを行う。これにより、ソース15とドレイン16になる部分については、図4(c)に示すように、薄膜12表面から酸化膜13aを除去し、ソース・ドレインの領域を形成する(ステップS130)。
【0025】
次に、酸化膜13a除去済みのソース・ドレインの領域にN+をイオン注入し、その後に約1100℃でアニールを行い、図4(d)に示すように、ソース15とドレイン16を形成する(ステップS140)。このイオン注入に際しては、N+を100keVで5e16cm−2に亘って注入した。これにより、ソース15とドレイン16は、ステップS130でエッチングされた領域部分に形成されn型となる。本実施例では、上記エネルギでのイオン注入により、ソース・ドレインは、薄膜12を越えて基板11に達する。
【0026】
その後は、エッチングされずに薄膜12に残存する酸化膜13aの膜面に、アルミニウム(Al)を100nmの厚さで真空蒸着し、図4(e)に示すように、ゲート電極14を形成する(ステップS150)。これら一連のプロセスにより、半導体素子10が完成する。
【0027】
以上説明したように本実施例の半導体素子10は、3C―SiCの薄膜12を、このような薄膜12をソース・ドレイン間に亘るチャンネルとする。そして、この薄膜12を、イオン注入等を必要としない薄膜形成手法で形成するので、この薄膜12にイオン注入等に基づく結晶格子欠陥をきたすことがない。また、6H―SiCの基板11と3C―SiCの薄膜12とについては、図2を用いて説明したように、両者のバンドギャップの特性に基づいて、電子をエネルギレベルの低い側の薄膜12の伝導帯に存在させ、正孔についてはエネルギレベルの高い側の基板11の伝導帯に存在させる。よって、3C―SiCの薄膜12の伝導帯、即ち、チャンネルとなった3C―SiCの薄膜12の領域では、電子を、6H―SiCの基板11の価電子帯の正孔による散乱を受けることなく高移動度で動くようにすることができる。これらの結果、本実施例の半導体素子10は、電子の高移動度に基づく高速動作が可能で高性能な素子となる。この10について性能評価をしたところ、珪素基板(Si基板)で図1の素子構造とした半導体素子に比べて、動作速度が約20%程度向上していることが判明した。
【0028】
しかも、本実施例の半導体素子10によれば、基板11と薄膜12に用いた6H―SiC或いは3C―SiCの有する特性(高温特性等)と相俟って、高電圧下での高速動作や、高温下での安定した高速動作を実現できることが確認できた。
【0029】
また、半導体素子10を製造するに際し、基板11に6H―SiCを採用し、薄膜12を3C―Siで製膜したので、これら炭化珪素が有する半導体的性質に基づいて、図2に示す伝導帯・価電子帯の上記した関係を容易に構築できる。よって、高性能の半導体素子を容易に製造できる。
【0030】
更に、本実施例による半導体素子製造方法では、ステップS100〜150で説明したように、既存の製造プロセスをほぼそのまま適用した。よって、電子の高移動度に基づいた高速動作が可能で高性能の半導体素子10を容易に製造することができる。この場合、ソース・ドレイン形成についても、薄膜12の側からのイオン注入とすれば良いので、基板11に対して、同じ側で薄膜形成とソース・ドレイン形成を行うことができる。よって、半導体素子10の製造がより簡便である。
【0031】
以上本発明の実施例について説明したが、本発明は上記の実施例や実施形態になんら限定されるものではなく、本発明の要旨を逸脱しない範囲において種々なる態様で実施し得ることは勿論である。
【0032】
例えば、基板11を六方晶系の一つである6H―SiCとしたが、これを4H―SiCとすることもできる。また、本実施例では、半導体素子10における最終的な薄膜12の膜厚を約20nmとしたがこれに限られるわけではない。薄膜12は、ソース・ドレイン間のチャンネルとして機能すれば良く、その膜厚は約1nm〜約1000nmの範囲、好ましくは、約2nm〜約50nmの範囲とすればよい。薄膜12の膜厚が約1nm以上であれば、薄膜12がチャンネルとして機能する場合に、そのチャンネル部分で電子の移動を2次元電子ガス状態とできことから、電子の高い移動度を確実に実現できる。その一方、厚みが約1000nm以下であれば、不用意に薄膜を厚くする必要がない。よって、膜厚が厚すぎない分、薄膜12の製膜過程(CVD)における結晶格子欠陥の発生を抑制できる他、膜形成に際して用いる原料の少量化、低コスト化を図ることができる。なお、膜厚の上限は、用いる製膜装置の製膜能力に応じて上記上限値内で定めるようにすることもできる。また、薄膜12の膜厚が約2nm〜約50nmであれば、2次元電子ガス状態の確保、原料の少量化・低コスト化をより確実なものとでき好ましい。
【0033】
この他、ソース・ドレイン形成に際しては、N+をイオン注入したが、アルミ、ボロン等のイオンを注入することもできる。薄膜12の製膜にあっても、CVDに限られるものではない。
【図面の簡単な説明】
【図1】実施例の半導体素子10を説明する説明図である。
【図2】この半導体素子10が呈するバンドキャップの様子を説明する説明図である。
【図3】半導体素子10の製造プロセスを示すプロセス図である。
【図4】この製造プロセスの様子を説明する説明図である。
【符号の説明】
10…半導体素子
11…基板
12…薄膜
13…ゲート酸化膜
13a…酸化膜
14…ゲート電極
15…ソース
16…ドレイン
Claims (6)
- ゲート酸化膜の膜面に設けたゲート電極を備え、ソースとドレインとを配した半導体素子であって、
炭化珪素の基板と、
該基板の表面と前記ゲート酸化膜との間に介在させつつ、前記ソースとドレインとに亘って前記基板表面に薄膜形成された炭化珪素の薄膜とを備え、
前記基板の炭化珪素と前記薄膜の炭化珪素は、それぞれのバンドギャップにおける伝導帯が前記基板の炭化珪素で前記薄膜の炭化珪素より高く、価電子帯が前記基板の炭化珪素で前記薄膜の炭化珪素より高く、前記薄膜の炭化珪素の伝導帯が前記基板の炭化珪素の価電子帯より高くなるようにされている、半導体素子。 - 請求項1記載の半導体素子であって、
前記基板は、六方晶系の炭化珪素の基板であり、
前記薄膜は、立方晶系の炭化珪素の薄膜である、半導体素子。 - 請求項2記載の半導体素子であって、
前記基板は、6H―SiCまたは4H−SiCのいずれかの基板であり、
前記薄膜は、3C―SiCの薄膜である、半導体素子。 - 請求項1ないし請求項3いずれか記載の半導体素子であって、
前記薄膜は、その厚みが約1nm〜約1000nmである、半導体素子。 - ゲート酸化膜の膜面に設けたゲート電極を備え、ソースとドレインとを配した半導体素子の製造方法であって、
六方晶系の炭化珪素の基板の表面に、立方晶系炭化珪素の薄膜を形成する工程(1)と、
前記薄膜の膜面を酸化させて酸化膜を形成する工程(2)と、
前記酸化膜を前記ゲート酸化膜になる部分とその左右の前記ソースとドレインになる部分にパターン化し、前記ソースとドレインとなるパターン部分の前記酸化膜をエッチングする工程(3)と、
前記ソースとドレインとを、前記エッチングされた領域部分に形成する工程(4)と、
エッチングされずに残存する前記酸化膜の膜面に前記ゲート電極を形成する工程(5)とを備える、半導体素子の製造方法。 - 請求項5記載の半導体素子の製造方法であって、
前記工程(4)は、N+をイオン注入する工程と、その後のアニール工程とを有する、半導体素子の製造方法。
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Cited By (5)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
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WO2008056698A1 (fr) * | 2006-11-10 | 2008-05-15 | Sumitomo Electric Industries, Ltd. | Dispositif semi-conducteur de carbure de silicium et procédé de fabrication de celui-ci |
WO2008062729A1 (fr) * | 2006-11-21 | 2008-05-29 | Sumitomo Electric Industries, Ltd. | Dispositif semiconducteur en carbure de silicium et son procédé de fabrication |
JP2013197167A (ja) * | 2012-03-16 | 2013-09-30 | National Institute Of Advanced Industrial & Technology | SiC半導体装置及びその製造方法 |
US10283594B2 (en) | 2016-09-02 | 2019-05-07 | Sumitomo Electric Industries, Ltd. | SiC structure, semiconductor device having SiC structure, and process of forming the same |
US11862460B2 (en) | 2020-05-15 | 2024-01-02 | Cusic Inc. | SiC multilayer body, production method therefor, and semiconductor device |
-
2002
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Cited By (9)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
WO2008056698A1 (fr) * | 2006-11-10 | 2008-05-15 | Sumitomo Electric Industries, Ltd. | Dispositif semi-conducteur de carbure de silicium et procédé de fabrication de celui-ci |
JPWO2008056698A1 (ja) * | 2006-11-10 | 2010-02-25 | 住友電気工業株式会社 | 炭化珪素半導体装置およびその製造方法 |
US8138504B2 (en) | 2006-11-10 | 2012-03-20 | Sumitomo Electric Industries, Ltd. | Silicon carbide semiconductor device and method of manufacturing the same |
WO2008062729A1 (fr) * | 2006-11-21 | 2008-05-29 | Sumitomo Electric Industries, Ltd. | Dispositif semiconducteur en carbure de silicium et son procédé de fabrication |
JPWO2008062729A1 (ja) * | 2006-11-21 | 2010-03-04 | 住友電気工業株式会社 | 炭化珪素半導体装置およびその製造方法 |
US8198675B2 (en) | 2006-11-21 | 2012-06-12 | Sumitomo Electric Industries, Ltd. | Silicon carbide semiconductor device and method of manufacturing the same |
JP2013197167A (ja) * | 2012-03-16 | 2013-09-30 | National Institute Of Advanced Industrial & Technology | SiC半導体装置及びその製造方法 |
US10283594B2 (en) | 2016-09-02 | 2019-05-07 | Sumitomo Electric Industries, Ltd. | SiC structure, semiconductor device having SiC structure, and process of forming the same |
US11862460B2 (en) | 2020-05-15 | 2024-01-02 | Cusic Inc. | SiC multilayer body, production method therefor, and semiconductor device |
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