JPS60149156U - レ−ザ及び光検波器をもつた半導体光源 - Google Patents

レ−ザ及び光検波器をもつた半導体光源

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JPS60149156U
JPS60149156U JP1985014598U JP1459885U JPS60149156U JP S60149156 U JPS60149156 U JP S60149156U JP 1985014598 U JP1985014598 U JP 1985014598U JP 1459885 U JP1459885 U JP 1459885U JP S60149156 U JPS60149156 U JP S60149156U
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JP
Japan
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semiconductor
light source
layer
utility
model registration
Prior art date
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Pending
Application number
JP1985014598U
Other languages
English (en)
Inventor
デビツド、ヘンリー、ニユーマン
Original Assignee
ザ、ポスト、オフイス
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Filing date
Publication date
Application filed by ザ、ポスト、オフイス filed Critical ザ、ポスト、オフイス
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    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01S—DEVICES USING THE PROCESS OF LIGHT AMPLIFICATION BY STIMULATED EMISSION OF RADIATION [LASER] TO AMPLIFY OR GENERATE LIGHT; DEVICES USING STIMULATED EMISSION OF ELECTROMAGNETIC RADIATION IN WAVE RANGES OTHER THAN OPTICAL
    • H01S5/00—Semiconductor lasers
    • H01S5/10—Construction or shape of the optical resonator, e.g. extended or external cavity, coupled cavities, bent-guide, varying width, thickness or composition of the active region
    • H01S5/12—Construction or shape of the optical resonator, e.g. extended or external cavity, coupled cavities, bent-guide, varying width, thickness or composition of the active region the resonator having a periodic structure, e.g. in distributed feedback [DFB] lasers
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L27/00—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate

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  • Physics & Mathematics (AREA)
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  • Electromagnetism (AREA)
  • Optics & Photonics (AREA)
  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • Power Engineering (AREA)
  • Computer Hardware Design (AREA)
  • Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
  • Semiconductor Lasers (AREA)
  • Lasers (AREA)

Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【図面の簡単な説明】
第１図はＧａＡｓ二重へテロ構造レーザーの断面図を示
す。第２図はストライプ構造ＧａへＳレーザーの、第１
図における線Ａ−Ａに沿った断面図を示す。第３図は埋
め込まれたメサ形ＧａＡｓレーザーの断面図を示す。第
４図複二重へテロ、構造のＧａ努レーザーの能動層を囲
んでいる領域を図式的に示す。第５図は分布帰還型Ｇａ
Ａｓレーザーの能動領域の断面図を示す。第６図は本考
案の第１の実施例によるレーザー検波器を示す。第７図
は　　、第６図に示された実施例の平面図を示す。第８
図は本考案の第二の実施例によるレーザー検波器の断面
図を示す。第９図は第８図に示したレーザー−検波器の
平面図を示す。第１０図はマスクとしてのＧａＡｓの使
用を示す。第１１図は本考案の第三の実施例によるレー
ザー−検波器を示す。 参照符号の説明、１・・・ＧａＡｓの層＝２・・・Ｇａ
ＡｌＡｓの層：　３−ＧａＡＩＡｓ（７）層：　４−Ｇ
ａＡｌ、Ａｓ　（７）層：５・・−ＧａＡｓの層：６・
・・光の放出される領域ニア・・・非能動領域：８・・
・ＧａＡｓの光が発生する領域：　９−ｎＧａＡＩＡｓ
（７）領域：１０・・・ｐＧａＡＩＡＳＧａＡｌＡＳノ
領域ＧａＡｓのチップ＝１３・・・みぞ：１４・・・光
ダイオードとして作用する部分：１５・・・レーザーと
じて作用する部分：１６．１７・・・反射面：１８・・
・２Ａ型ダイアモンド：２２・・・レーザー駆動電極：
２３・・・検波器グイアス電極：２４・・・アース電　
　　−極：２５・・・みぞ：２６−・・金属ブロック：
２７・・・ＧａＡｓの薄い層のレーザ一部分：３０・・
・みそ：３１．３２−・・先出カニ’３４．　３５・・
・ＧａＡｓの棒：３６・・・ＧａＡｓレーザーの端の表
面：３′Ｉ・・・格子構造、８・・・陽子衝撃による絶
縁領域。

Claims (1)

  1. 【実用新案登録請求の範囲】 （１）複数の半導体層をもった半導体材料のチップであ
    って、前記複数の半導体層の各層は相隣る層と化学的に
    異なるように構成され、前記半導体材料は２つの領域を
    有し、各領域は前記複数の半導体層を有するが物理的電
    気的には互いに異なり、一つの領域は分布帰還型半導体
    レーザを、また他の領域は光検波器をそれぞれ構成−し
    、該半導体レーザは第一の光出口、半導体光源の出力部
    を構成する第二の光出口および該第−と第二の光出口か
    ら同時に光出力が放射されるように設けられた共鳴空洞
    を備えているような半導体材料のチップと、前記第一の
    光出口からの光出力を前記光検波器に結合する結合装置
    と、前記光検波器によって検出された光出力に応じて前
    記半導体レーザの駆動電流を制御する装置とを設けたこ
    とを特徴とする半導体光源。 （２）実用新案登録請求の範囲第１項記載において、前
    記半導体材料のチップはＮ型ＧａＡｓ基板上にＮ型Ｇａ
    ＡｌＡｓの層が形成され、さらにその上にＰ型ＧａＡｌ
    Ａｓの第一の層を、またその上にＰ型ＧａＡｌＡｓの第
    二の層を、さらにその上にＰ型ＧａＡｓの層を形成して
    なる半導体光源。 （３）　　実用新案登録請求の範囲第２項において前記
    Ｎ型ＧａＡｓがドーパントとしてＳｉを含み、前記Ｎ型
    ＧａＡｌ’ＡｓがＳｎでドープされたＡＩ。、３Ｇａｏ
    、７Ａｓを含み、前記Ｐ型ＧａＡｌＡｓの第一の層がＳ
    ｉでドープされたＡｌｏ、。５ＧａＯ０，５ＡＳを含み
    、前記Ｐ型ＧａＡｌＡｓの第二の層が（ト）でドープさ
    れたＡｌｏ、３Ｇａｏ、７Ａｓを含み、また前記Ｐ型Ｇ
    ａＡｓ（７）層がドーパントとしてＱを含んでいるとこ
    ろの半導体光源。 （４）実用新案登録請求の範囲第１項から第３項までの
    いずれかにおいて前記光検波器及び前記分　　　′、　
    布帰還型半導体レーザが隔離して互いに平行な光通路を
    持ち、また前記結合装置が実質的に互いに９０°をなす
    反射面の対からなっているとこ、ろの半導体光源。 （５）　　実用新案登録請求の範囲第４項記載において
    　　　−前記分布帰還型半導体レーザがストライプ構造
    である半導体光源。 （６）実用新案登録請求の範囲第４項又は第５項におい
    て、前記分布帰還型半導体レーザ及び前記光検波器が、
    前記光通路に実質的に平行に前記半導体材料のチップに
    設けられたみぞによって電気的に分離されている半導体
    光源。 （７）実用新案登録請求の範囲第４項又は第５項７にお
    いて、前記分布帰還型半導体レーザ及び前記光検波器が
    、実質的に前記光通路に平行に前記半導体材料のチップ
    に形成された電気的絶縁性領域によって電気的に分離さ
    れているところの半導体光源。　　　　　　、　” （８）　　実用新案登録請求の範囲第１項カニら第３項
    のいずれかにおいて、前記光検波器及び前記分布帰還型
    半導体レーザが実質的に一直線上に整列した光通路をも
    つところの半導体光源。 （９）実用新案登録請求の範囲第８項において、前記分
    布帰還型半導体レーザ及び前記光検波器が、前記光通路
    を横切って前記半導体材料のチ゛　ツブに設けられた光
    伝導みぞによって電気的に分離されており、前記みぞが
    前記結合装置を構成しているところの半導体光源。 （１■　実用新案登録請求の範囲第８項又は第９項記載
    において前記分布帰還型半導体レーザが、第−及び第二
    のＰ型ＧａＡｌＡｓの層を有し、格子状の構造はこれら
    の層間の境界の一部で重なっているところの半導体光源
    。 （１１）実用新案登録請求の範囲第８項記載において、
    前記分布帰還型半導体レーザ及び前記光検波器とが、前
    記光通路を横切って前記半導体材料のチップに形成され
    た光学的に透明で電気的に絶縁性の材料の領域によって
    電気的に分離されており、前記光学的に透明で電気的に
    絶縁性・の材料が前記結合装置を構成しているところの
    半導体光源。 （１２）実用新案登録請求の範囲第９項から第１１項ま
    でのいずれかにおいて、前記半導体光源は放熱器の上に
    設けられており、前記分布帰還型半導体レーザの表面と
    、前記みぞ又は前記電気的に絶縁性の材料の領域に隣接
    している前記光検波器の表面とは、前記放熱器と電気的
    に接触し′　　　ているところの半導体光源。
JP1985014598U 1975-07-16 1985-02-04 レ−ザ及び光検波器をもつた半導体光源 Pending JPS60149156U (ja)

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GB29810/75A GB1517537A (en) 1975-07-16 1975-07-16 Lasers and photo-detectors
GB29810/75 1975-07-16

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JPS60149156U true JPS60149156U (ja) 1985-10-03

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JP51084477A Pending JPS5214393A (en) 1975-07-16 1976-07-15 Laser and optical detector
JP1985014598U Pending JPS60149156U (ja) 1975-07-16 1985-02-04 レ−ザ及び光検波器をもつた半導体光源

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DE (1) DE2632222A1 (ja)
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GB (1) GB1517537A (ja)
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DE2632222A1 (de) 1977-03-03
NL185251B (nl) 1989-09-18
CA1076237A (en) 1980-04-22
JPS5214393A (en) 1977-02-03
FR2318505B1 (ja) 1982-10-08
NL7607677A (nl) 1977-01-18
FR2318505A1 (fr) 1977-02-11
NL185251C (nl) 1990-02-16
GB1517537A (en) 1978-07-12

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