JPS6257271A - 半導体レ−ザ装置 - Google Patents
半導体レ−ザ装置Info
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- JPS6257271A JPS6257271A JP19711985A JP19711985A JPS6257271A JP S6257271 A JPS6257271 A JP S6257271A JP 19711985 A JP19711985 A JP 19711985A JP 19711985 A JP19711985 A JP 19711985A JP S6257271 A JPS6257271 A JP S6257271A
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- Japan
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- layer
- refractive index
- semiconductor laser
- cladding layer
- low refractive
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Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
〔発明の技術分野〕
本発明は、ｌ ｎＧａＡｇＰをクラッド層として用いた
ダブルヘテロ接合型半導体レーザ装置の改良に関する。
ダブルヘテロ接合型半導体レーザ装置の改良に関する。
〔発明の技術的背量とその問題点］
近年、ＧａＡｓを基板とし、これに格子整合するＩ ｎ
ＧａＡｆｆＰをクラッド層とするダブルヘテロ接合型半
導体レーザが考案されている。このレーザは、クラッド
層としてのＴｎＧａＡＱＰのバンドギャップエネルギー
が１．９〜２．３５［ｅＶ］であり、■＝ｖ族化合物半
導体混晶としては大きな値を持つ。このため、ｌ ｎ
Ｇ ａ Ｐ 。
ＧａＡｆｆＰをクラッド層とするダブルヘテロ接合型半
導体レーザが考案されている。このレーザは、クラッド
層としてのＴｎＧａＡＱＰのバンドギャップエネルギー
が１．９〜２．３５［ｅＶ］であり、■＝ｖ族化合物半
導体混晶としては大きな値を持つ。このため、ｌ ｎ
Ｇ ａ Ｐ 。
Ｉ ｎ Ｇ ａ Ａ Ｑ Ｐ 、 ｒ ｎ Ｇ ａ
Ａ Ｓ Ｐ 、 Ｇ ａ Ａ Ｑ Ａ Ｓ等を活性層材
料とすることにより、短波長、特に可視光での発振が可
能となっている。
Ａ Ｓ Ｐ 、 Ｇ ａ Ａ Ｑ Ａ Ｓ等を活性層材
料とすることにより、短波長、特に可視光での発振が可
能となっている。
しかしながら、この種の半導体レーザにあっては、従来
のＧａＡｓ基板上のＱａＡｇＡＳ系、ＩｎＰ基板上のＩ
ｎ Ｇ ａ Ａ ｓ Ｐ系の半導体レーザに比較して
、次のような問題がある。即ら、Ｔ ｎ Ｇ ａ Ａ
Ｑ Ｐは、キャリアの移動度が小さく、特にＰ型の導電
型において４＝ヤリアであるホールの移動度が２０１ｃ
ｍ２／Ｖｓｅｃ ］程度と小さく、低抵抗の結晶を得難
い。ここで、キャリア濃度を大きくすることにより低抵
抗化をはかると、結晶中での析出や表面荒れ等が生じる
。このため、ダブルヘテロ構造を作成した場合に非発光
再結合中心が生じることになり、良好な発光特性を得る
ことはできない。また、抵抗率の高い結晶をそのまま用
いると、素子の直列抵抗が大きくなり、動作電圧が高く
なる等の問題があった。
のＧａＡｓ基板上のＱａＡｇＡＳ系、ＩｎＰ基板上のＩ
ｎ Ｇ ａ Ａ ｓ Ｐ系の半導体レーザに比較して
、次のような問題がある。即ら、Ｔ ｎ Ｇ ａ Ａ
Ｑ Ｐは、キャリアの移動度が小さく、特にＰ型の導電
型において４＝ヤリアであるホールの移動度が２０１ｃ
ｍ２／Ｖｓｅｃ ］程度と小さく、低抵抗の結晶を得難
い。ここで、キャリア濃度を大きくすることにより低抵
抗化をはかると、結晶中での析出や表面荒れ等が生じる
。このため、ダブルヘテロ構造を作成した場合に非発光
再結合中心が生じることになり、良好な発光特性を得る
ことはできない。また、抵抗率の高い結晶をそのまま用
いると、素子の直列抵抗が大きくなり、動作電圧が高く
なる等の問題があった。
第３図はＩ ｎＧａＡｇＰをクラッド層とするダブルヘ
テロ接合型半導体レーザの従来構造を示す断面図である
。これは、Ｎ ＧａＡＳ基板３１上にＮ−ｒｎＯ１５
（Ｇａｔ−ｘＡｆｆｘ）０，５ ＰクラッドＭ３２、
Ｉ ｎｏ、５ （Ｇ ａ ｔ、−ｘ’Ａ Ｑ ｘ’）
０．５ Ｐ活性層３３、ＰＩ ｎ０１５ （Ｇａ
ｔ−ｘＡＩｌｘ ）０．５Ｐクラッド層３４、ｐａａＡ
ｓ電極コンタクト層３６を積層し、Ｓ ｉ ０２等の絶
縁膜３７により電流狭窄を行ったストライプレーザであ
る。なお、図中３８．３９はそれぞれＰ側、Ｎ側の電極
である。絶縁膜３７の間隔を４［Ｉ１ｍ］、活性層３３
の厚さを０．１［／１ｍ］、クラッド層３２．３４の厚
さを１［μｍ−］、コンタク］・層３６の厚さを０．５
ＥＩ１ｍ］とし、クラッド１３２．３４のＱａとＡ℃と
の組成比×の値を１、活性層３３の組成比Ｘ′をＯとす
るとき、この素子の直列抵抗は５０［Ω］以十となり、
熱特性の良さを表わすしきい値電流の温度係数は４０［
Ｋｌ以下であった。
テロ接合型半導体レーザの従来構造を示す断面図である
。これは、Ｎ ＧａＡＳ基板３１上にＮ−ｒｎＯ１５
（Ｇａｔ−ｘＡｆｆｘ）０，５ ＰクラッドＭ３２、
Ｉ ｎｏ、５ （Ｇ ａ ｔ、−ｘ’Ａ Ｑ ｘ’）
０．５ Ｐ活性層３３、ＰＩ ｎ０１５ （Ｇａ
ｔ−ｘＡＩｌｘ ）０．５Ｐクラッド層３４、ｐａａＡ
ｓ電極コンタクト層３６を積層し、Ｓ ｉ ０２等の絶
縁膜３７により電流狭窄を行ったストライプレーザであ
る。なお、図中３８．３９はそれぞれＰ側、Ｎ側の電極
である。絶縁膜３７の間隔を４［Ｉ１ｍ］、活性層３３
の厚さを０．１［／１ｍ］、クラッド層３２．３４の厚
さを１［μｍ−］、コンタク］・層３６の厚さを０．５
ＥＩ１ｍ］とし、クラッド１３２．３４のＱａとＡ℃と
の組成比×の値を１、活性層３３の組成比Ｘ′をＯとす
るとき、この素子の直列抵抗は５０［Ω］以十となり、
熱特性の良さを表わすしきい値電流の温度係数は４０［
Ｋｌ以下であった。
本発明は上記事情を考慮してなされたもので、その目的
とするところは、ｒ ｎＧａＡｇＰクラッド層のキャリ
ア濃度を高めることなく、素子の直列抵抗を小さくする
ことができ、動作電圧が低く且つ熱特性の也い良好な発
光特性を示す半導体レーザ装置を提供することにある。
とするところは、ｒ ｎＧａＡｇＰクラッド層のキャリ
ア濃度を高めることなく、素子の直列抵抗を小さくする
ことができ、動作電圧が低く且つ熱特性の也い良好な発
光特性を示す半導体レーザ装置を提供することにある。
本発明の骨子は、Ｉ ｎ Ｇ ａ Ａ Ｉ２Ｐクラッド
層に隣接してＧａＡｆｉＡＳ等の活性層に対して低屈折
率であり、且つクラッド層材料よりも抵抗率、熱抵抗率
が低い低屈折率層を設けることにより、クラッド層を薄
くして該クラッド層による直列抵抗の増大や熱抵抗の増
大等を防止することにある。
層に隣接してＧａＡｆｉＡＳ等の活性層に対して低屈折
率であり、且つクラッド層材料よりも抵抗率、熱抵抗率
が低い低屈折率層を設けることにより、クラッド層を薄
くして該クラッド層による直列抵抗の増大や熱抵抗の増
大等を防止することにある。
即ち本発明は、化合物半導体基板上に活性層をクラッド
層で挟んだダブルヘテロ構造部を形成してなり、且つ上
記クラッド層として Ｉ ｎＧａＡβＰを用いたダブルヘテロ接合型半導体レ
ーザ装置において、前記クラッド層の少なくとも一方の
前記活性層と反対側に、レーザ発振波長に対して透明で
該活性層よりも屈折率が低く、且つ前記クラッド層材料
よりも抵抗率及び熱抵抗率が小さい化合物半導体からな
る低屈折率層を設けるようにしたものである。
層で挟んだダブルヘテロ構造部を形成してなり、且つ上
記クラッド層として Ｉ ｎＧａＡβＰを用いたダブルヘテロ接合型半導体レ
ーザ装置において、前記クラッド層の少なくとも一方の
前記活性層と反対側に、レーザ発振波長に対して透明で
該活性層よりも屈折率が低く、且つ前記クラッド層材料
よりも抵抗率及び熱抵抗率が小さい化合物半導体からな
る低屈折率層を設けるようにしたものである。
本発明によれば、低屈折率層が活性層より低屈折率であ
り、■つレーザ発振波長に対して透明であることから、
ＴｎＧａＡｆｆｉＰからなるクラッド層を薄く形成する
ことができる。また、低屈折率層の抵抗率をクラッド層
材料よりも小さくすると、素子の直列抵抗を十分小さく
することができる。
り、■つレーザ発振波長に対して透明であることから、
ＴｎＧａＡｆｆｉＰからなるクラッド層を薄く形成する
ことができる。また、低屈折率層の抵抗率をクラッド層
材料よりも小さくすると、素子の直列抵抗を十分小さく
することができる。
つまり、ＩｎＧａＡｇＰクラッド層のキャリア濃度を高
めることなく、素子の直列抵抗を十分に小さくすること
が可能となる。さらに、低屈折率層の熱抵抗率をクラッ
ド層材料よりも小さくすると、素子の熱抵抗を十分小さ
くすることができる。従って、動作電圧が低く熱特性の
良い良好な発光特性を示す半導体レーザを実現すること
ができる。
めることなく、素子の直列抵抗を十分に小さくすること
が可能となる。さらに、低屈折率層の熱抵抗率をクラッ
ド層材料よりも小さくすると、素子の熱抵抗を十分小さ
くすることができる。従って、動作電圧が低く熱特性の
良い良好な発光特性を示す半導体レーザを実現すること
ができる。
゛以下、本発明の詳細を図示の実施例によって説明する
。
。
第１図は本発明の一実施例に係わる半導体レーザの概略
構造を示す断面図である。図中１１はＮ−ＧａＡＳ基板
であり、この基板１１上にはＮ−Ｉｎｏ、ｓ （Ｇａ
ｔ−ｘＡｎｘ）ｏ、ｓ Ｐクラット層１２、Ｔ ｒ＋
ｏ、５ （Ｇ ａ ｔ−ｘ’Ａ Ｑ、 ｘ’）０．５
Ｐ活性層１３、Ｐ Ｔ ｎｏ、５ （Ｇａｓ−
ｘＡ（ｌｘ ）ｏ、ｓ Ｐクララド層１４、Ｐ−Ｇａ
ｔ−ｙＡｆｆｉｙＡｓ低屈折率層１５及びＰ−ＧａＡＳ
電極コンタクト層１６が順次成長形成されている。コン
タクト層１６上に−〇− は、５ｉ０２等の絶縁膜１７が形成され、この絶縁膜１
７はストライプ状に除去されている。そして、絶縁膜１
７及びコンタクト層１６の上面にＰ側電極１８が形成さ
れ、基板１１の下面にＮ側電極１９が形成されている。
構造を示す断面図である。図中１１はＮ−ＧａＡＳ基板
であり、この基板１１上にはＮ−Ｉｎｏ、ｓ （Ｇａ
ｔ−ｘＡｎｘ）ｏ、ｓ Ｐクラット層１２、Ｔ ｒ＋
ｏ、５ （Ｇ ａ ｔ−ｘ’Ａ Ｑ、 ｘ’）０．５
Ｐ活性層１３、Ｐ Ｔ ｎｏ、５ （Ｇａｓ−
ｘＡ（ｌｘ ）ｏ、ｓ Ｐクララド層１４、Ｐ−Ｇａ
ｔ−ｙＡｆｆｉｙＡｓ低屈折率層１５及びＰ−ＧａＡＳ
電極コンタクト層１６が順次成長形成されている。コン
タクト層１６上に−〇− は、５ｉ０２等の絶縁膜１７が形成され、この絶縁膜１
７はストライプ状に除去されている。そして、絶縁膜１
７及びコンタクト層１６の上面にＰ側電極１８が形成さ
れ、基板１１の下面にＮ側電極１９が形成されている。
上記の構造が従来の構造と異なる点は、Ｐ−クラッド層
１４の膜厚が薄い点と、Ｐ−クラッド層１４とコンタク
１へ層１６との間に低屈折率層１５を設けたことにある
。このとき、クラッド層１２゜１４、活性層１３及び低
屈折率Ｈ１５における屈折率の分布は第２図に示す如く
なっている。
１４の膜厚が薄い点と、Ｐ−クラッド層１４とコンタク
１へ層１６との間に低屈折率層１５を設けたことにある
。このとき、クラッド層１２゜１４、活性層１３及び低
屈折率Ｈ１５における屈折率の分布は第２図に示す如く
なっている。
このような構造であれば、第２図の屈折率分布からも判
るように光を活性層１３に閉込めることができ、レーザ
発振させることができる。そしてこの場合、低屈折率Ｎ
１５を付加することによりＰ−クラッド層１４を解くで
きるので、素子の直列抵抗及び熱抵抗の低減化をはかり
得る。なお、低屈折率層１５の付加によりクラッド層１
４を薄くできる理由については、以下に詳しく説明する
。
るように光を活性層１３に閉込めることができ、レーザ
発振させることができる。そしてこの場合、低屈折率Ｎ
１５を付加することによりＰ−クラッド層１４を解くで
きるので、素子の直列抵抗及び熱抵抗の低減化をはかり
得る。なお、低屈折率層１５の付加によりクラッド層１
４を薄くできる理由については、以下に詳しく説明する
。
ダブルヘテロ接合型の半導体レーザでは、活性層とクラ
ッド層のバンドギャップエネルギー差を０．３ ［ｅＶ
Ｉ稈度より大きくとることにより、キャリアを活性層に
閉込める。このとき、クラッド層の厚さはキャリアの拡
散電流が全注入電流に対して無視できる程度あれば十分
であり、例えばＰ型１ｎＧａＡｆｆｉＰクラッド層の厚
さは０．２Ｅμｍ１以上あれば十分である。一方、活性
層にガイドされる光はクラッド層にしみ出すが、クラッ
ド層が非常に薄い場合、光はクラッド層外にもしみ出す
。このとき、クラッド層外の媒質が発振波長に対して吸
収媒質であると、レーザの損失が大きくなり、しきい値
電流も大きくなる。この理由から、第３図に示す従来構
造ではクラッド層の厚さを余り薄くできなかったのであ
る。
ッド層のバンドギャップエネルギー差を０．３ ［ｅＶ
Ｉ稈度より大きくとることにより、キャリアを活性層に
閉込める。このとき、クラッド層の厚さはキャリアの拡
散電流が全注入電流に対して無視できる程度あれば十分
であり、例えばＰ型１ｎＧａＡｆｆｉＰクラッド層の厚
さは０．２Ｅμｍ１以上あれば十分である。一方、活性
層にガイドされる光はクラッド層にしみ出すが、クラッ
ド層が非常に薄い場合、光はクラッド層外にもしみ出す
。このとき、クラッド層外の媒質が発振波長に対して吸
収媒質であると、レーザの損失が大きくなり、しきい値
電流も大きくなる。この理由から、第３図に示す従来構
造ではクラッド層の厚さを余り薄くできなかったのであ
る。
これに対し、第１図に示した構造では、Ｉ ｎＧａＡｆ
ｆｉＰクラッド層の外部にレーザ発振波長に対して透明
な低屈折率ＧａＡｆｆＡＳ層があるので、吸収による損
失を無視することができる。
ｆｉＰクラッド層の外部にレーザ発振波長に対して透明
な低屈折率ＧａＡｆｆＡＳ層があるので、吸収による損
失を無視することができる。
このため、Ｉ ｎＧａＡｆｆＰクラッド層の厚さを十分
薄く形成できるのである。
薄く形成できるのである。
なお、第１図に示す構造を可能とするＰ−クラッド層１
４の厚さｄ４．低屈折率層１５の厚さく１５．及びＡｌ
１の組成ｙＩ７′）曲型的な値は、ｄ４＝０．４［μｍ
］ 、ｄｓ ＝０．６ ［μｍ］、Ｖ＝０．６である。
４の厚さｄ４．低屈折率層１５の厚さく１５．及びＡｌ
１の組成ｙＩ７′）曲型的な値は、ｄ４＝０．４［μｍ
］ 、ｄｓ ＝０．６ ［μｍ］、Ｖ＝０．６である。
他の部分のディメンジョン及び組成を前記第３図に示し
た従来例と同一とした場合の素子の直列抵抗は２０［Ω
］以下、温度係数は８０ ［Ｋ］以上であった。
た従来例と同一とした場合の素子の直列抵抗は２０［Ω
］以下、温度係数は８０ ［Ｋ］以上であった。
このように本実施例によれば、Ｐ−クラッド層１４とコ
ンタクト層１６との間に低抵抗、低熱抵抗のＧａＡｌＡ
ｓ低屈折率層１５を設けているので、高抵抗、高熱抵抗
のＰ−クラッド層１４を十分薄く形成することができる
。このため、素子の直列抵抗及び熱抵抗の低減をはかり
得る。また、クラッド層におけるキャリア濃度を高める
必要がないので、非発光再結合中心を形成する等の不都
合もなく、良好な発光特性が得られる。つまり、動作電
圧が低く且つ熱特性の良い良好な発光特性を示す可視光
半導体レーザが実現されることになり、その有用性は絶
大である。
ンタクト層１６との間に低抵抗、低熱抵抗のＧａＡｌＡ
ｓ低屈折率層１５を設けているので、高抵抗、高熱抵抗
のＰ−クラッド層１４を十分薄く形成することができる
。このため、素子の直列抵抗及び熱抵抗の低減をはかり
得る。また、クラッド層におけるキャリア濃度を高める
必要がないので、非発光再結合中心を形成する等の不都
合もなく、良好な発光特性が得られる。つまり、動作電
圧が低く且つ熱特性の良い良好な発光特性を示す可視光
半導体レーザが実現されることになり、その有用性は絶
大である。
なお、本発明は上述した実施例に限定されるものではな
い。例えば、前記活性層の構成材料としてはＩ ｎＧａ
ＡｆｆｉＰに限らず、Ｇ ａ Ａ Ｓ基板に格子整合し
、バンドギャップエネルギーがクラッド層のＩ ｎ Ｇ
ａ Ａ Ｑ Ｐよりも小さい材料であればよく、Ｉｎ
ＧａＡｓＰ、ＧａＡｆｉＡｓ等を用イルコとができる。
い。例えば、前記活性層の構成材料としてはＩ ｎＧａ
ＡｆｆｉＰに限らず、Ｇ ａ Ａ Ｓ基板に格子整合し
、バンドギャップエネルギーがクラッド層のＩ ｎ Ｇ
ａ Ａ Ｑ Ｐよりも小さい材料であればよく、Ｉｎ
ＧａＡｓＰ、ＧａＡｆｉＡｓ等を用イルコとができる。
また、低屈折率層は必ずしもＧａＡＱＡＳに限るもので
はなく、レーザ発振波長に対し透明で活性層よりも屈折
率が低く、且つＩ ｎ Ｇ ａ Ａ Ｑ Ｐクラッド層
よりも抵抗率或いは熱抵抗率の小さい材料であれば用い
ることも可能である。但し、Ｇ ａ Ａ ８基板との格
子整合、現在の製造技術、その他の観点から、Ｇ ａ
Ａ Ｑ Ａ Ｓが最も望ましい。さらに、実施例ではＰ
−クラッド層側のみに低屈折率層を形成したが、これに
加えＮ−クラッド層と基板との間に低屈折率層を形成す
るようにしてもよい。また、各層の組成及び厚さ等の条
件は、仕様に応じて適宜変更することができる。その他
、本発明の要旨を逸脱しない範囲で、種々変形して実施
することができる。
はなく、レーザ発振波長に対し透明で活性層よりも屈折
率が低く、且つＩ ｎ Ｇ ａ Ａ Ｑ Ｐクラッド層
よりも抵抗率或いは熱抵抗率の小さい材料であれば用い
ることも可能である。但し、Ｇ ａ Ａ ８基板との格
子整合、現在の製造技術、その他の観点から、Ｇ ａ
Ａ Ｑ Ａ Ｓが最も望ましい。さらに、実施例ではＰ
−クラッド層側のみに低屈折率層を形成したが、これに
加えＮ−クラッド層と基板との間に低屈折率層を形成す
るようにしてもよい。また、各層の組成及び厚さ等の条
件は、仕様に応じて適宜変更することができる。その他
、本発明の要旨を逸脱しない範囲で、種々変形して実施
することができる。
＝１０−
第１図は本発明の一実施例に係わる半導体レーザの概略
構造を示す断面図、第２図は一上記実施例レーザの屈折
率分布を示す特性図、第３図は従来の半導体レーザの概
略構造を示す断面図である。 １１ ・Ｎ −Ｇ ａ Ａ Ｓ 基板、１２・Ｎ−１ｎ
ＧａＡβＰクラッド層、１３・・・Ｉ ｎＧａＡβＰ活
性層、１４−＝・Ｐ−１ｎＧａＡ（ＩＰツク５フ層、１
５ ・Ｐ−ＧａＡＥΔＳ低屈折率層、１６ ・Ｐ −Ｇ
ａ Ａ Ｓ電極コンタクト層、１７・・・絶縁膜、１
８．１９・・・電極層。 出願人代理人 弁理士 鈴江武彦 第１図 第２図
構造を示す断面図、第２図は一上記実施例レーザの屈折
率分布を示す特性図、第３図は従来の半導体レーザの概
略構造を示す断面図である。 １１ ・Ｎ −Ｇ ａ Ａ Ｓ 基板、１２・Ｎ−１ｎ
ＧａＡβＰクラッド層、１３・・・Ｉ ｎＧａＡβＰ活
性層、１４−＝・Ｐ−１ｎＧａＡ（ＩＰツク５フ層、１
５ ・Ｐ−ＧａＡＥΔＳ低屈折率層、１６ ・Ｐ −Ｇ
ａ Ａ Ｓ電極コンタクト層、１７・・・絶縁膜、１
８．１９・・・電極層。 出願人代理人 弁理士 鈴江武彦 第１図 第２図
Claims (3)
- （１）化合物半導体基板上に活性層をクラッド層で挟ん
だダブルヘテロ構造部を形成してなり、且つ上記クラッ
ド層としてＩｎＧａＡｌＰを用いたダブルヘテロ接合型
半導体レーザ装置において、前記クラッド層の少なくと
も一方の前記活性層と反対側に、レーザ発振波長に対し
て透明で該活性層よりも屈折率が低く、且つ前記クラッ
ド層材料よりも抵抗率及び熱抵抗率の少なくとも一方が
小さい化合物半導体からなる低屈折率層を設けたことを
特徴とする半導体レーザ装置。 - （２）前記基板としてＧａＡｓを用い、前記低屈折率層
としてＧａＡｌＡｓを用いたことを特徴とする特許請求
の範囲第１項記載の半導体レーザ装置。 - （３）前記クラッド層のうち、Ｐ型クラッド層側に前記
低屈折率層を設けたことを特徴とする特許請求の範囲第
１項記載の半導体レーザ装置。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP19711985A JPS6257271A (ja) | 1985-09-06 | 1985-09-06 | 半導体レ−ザ装置 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP19711985A JPS6257271A (ja) | 1985-09-06 | 1985-09-06 | 半導体レ−ザ装置 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS6257271A true JPS6257271A (ja) | 1987-03-12 |
Family
ID=16369046
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP19711985A Pending JPS6257271A (ja) | 1985-09-06 | 1985-09-06 | 半導体レ−ザ装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS6257271A (ja) |
Cited By (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH03171679A (ja) * | 1989-11-29 | 1991-07-25 | Toshiba Corp | 半導体発光装置 |
| US5048035A (en) * | 1989-05-31 | 1991-09-10 | Kabushiki Kaisha Toshiba | Semiconductor light emitting device |
| JP2012141395A (ja) * | 2010-12-28 | 2012-07-26 | Mitsubishi Electric Corp | 光半導体装置 |
-
1985
- 1985-09-06 JP JP19711985A patent/JPS6257271A/ja active Pending
Cited By (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US5048035A (en) * | 1989-05-31 | 1991-09-10 | Kabushiki Kaisha Toshiba | Semiconductor light emitting device |
| JPH03171679A (ja) * | 1989-11-29 | 1991-07-25 | Toshiba Corp | 半導体発光装置 |
| JPH06103759B2 (ja) * | 1989-11-29 | 1994-12-14 | 株式会社東芝 | 半導体発光装置 |
| JP2012141395A (ja) * | 2010-12-28 | 2012-07-26 | Mitsubishi Electric Corp | 光半導体装置 |
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