JPS5884486A - 半導体レ−ザ・フオトデイテクタ光集積化素子 - Google Patents
半導体レ−ザ・フオトデイテクタ光集積化素子Info
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- JPS5884486A JPS5884486A JP56181853A JP18185381A JPS5884486A JP S5884486 A JPS5884486 A JP S5884486A JP 56181853 A JP56181853 A JP 56181853A JP 18185381 A JP18185381 A JP 18185381A JP S5884486 A JPS5884486 A JP S5884486A
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- H01S5/20—Structure or shape of the semiconductor body to guide the optical wave ; Confining structures perpendicular to the optical axis, e.g. index or gain guiding, stripe geometry, broad area lasers, gain tailoring, transverse or lateral reflectors, special cladding structures, MQW barrier reflection layers
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- H01S5/026—Monolithically integrated components, e.g. waveguides, monitoring photo-detectors, drivers
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- H01S5/227—Buried mesa structure ; Striped active layer
- H01S5/2275—Buried mesa structure ; Striped active layer mesa created by etching
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- H01S5/227—Buried mesa structure ; Striped active layer
- H01S5/2275—Buried mesa structure ; Striped active layer mesa created by etching
- H01S5/2277—Buried mesa structure ; Striped active layer mesa created by etching double channel planar buried heterostructure [DCPBH] laser
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Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
本発明は埋め込みヘテ四構造半導体レーザと７オトデイ
テクタとが同一半導体基板上に集積化された光集積化素
子に関する。
テクタとが同一半導体基板上に集積化された光集積化素
子に関する。
近年光中導体素子や光７アイパの高品質化が進み、光フ
アイバ通信の実用化が進められている。
アイバ通信の実用化が進められている。
それにつｎて、各種光半導体素子を一体化してり積化紘
光源の西出力をモニタする必要性からシステム構成上重
要である。性能の良い埋め込みヘテ冒構造半導体レーザ
（以下Ｂ）ｉ−Ｌｌ）と略す）とフォトダイオード（以
下ＰＤと略す）とを同一半導体基板上に集積化した′も
のとして本山願人Ｆｉ特願昭５６−１２９０５７号明細
書に示した様なエツチング法を用い九Ｂ）ｉ−ＬＤ、Ｐ
ｉＪ光集積化素子を発明した。これはＢＨ−ＬＬ）の一
方の共振器面をエツチング法によって形成し、そｎに相
対する面をＰＬ）の受光面としたものである。このｘ子
においてはＰＬ）のキャリア発生領域のストライプ幅が
１１３）１−Ｌｌ）の活性層の幅よりも大きいため受光
効率がよく、またに３Ｈ−ＬＤの特性が共振器面形成の
ためのエツチングにあ−１強く左右されず、し７’（が
って製造歩留りがよいという特徴ｌｃ有している。
光源の西出力をモニタする必要性からシステム構成上重
要である。性能の良い埋め込みヘテ冒構造半導体レーザ
（以下Ｂ）ｉ−Ｌｌ）と略す）とフォトダイオード（以
下ＰＤと略す）とを同一半導体基板上に集積化した′も
のとして本山願人Ｆｉ特願昭５６−１２９０５７号明細
書に示した様なエツチング法を用い九Ｂ）ｉ−ＬＤ、Ｐ
ｉＪ光集積化素子を発明した。これはＢＨ−ＬＬ）の一
方の共振器面をエツチング法によって形成し、そｎに相
対する面をＰＬ）の受光面としたものである。このｘ子
においてはＰＬ）のキャリア発生領域のストライプ幅が
１１３）１−Ｌｌ）の活性層の幅よりも大きいため受光
効率がよく、またに３Ｈ−ＬＤの特性が共振器面形成の
ためのエツチングにあ−１強く左右されず、し７’（が
って製造歩留りがよいという特徴ｌｃ有している。
しかしながら、上述の光素子においては、ＢＩ′１−Ｌ
Ｌ）のレーザ共振器面とＰＬ）の受光面とがｔ！ぼ平行
になるように配置されているため、’ＰＬ）受光面から
の反射光がｉ＄Ｈ−ＬＤの活性層に再入射して、そｎが
反射雑音を誘起し７１．モード不安定性の原因になっ７
１２．ｐするという欠点かあ−）た。
Ｌ）のレーザ共振器面とＰＬ）の受光面とがｔ！ぼ平行
になるように配置されているため、’ＰＬ）受光面から
の反射光がｉ＄Ｈ−ＬＤの活性層に再入射して、そｎが
反射雑音を誘起し７１．モード不安定性の原因になっ７
１２．ｐするという欠点かあ−）た。
本＠明の目的は上記の欠点を除去すべく、フォトディテ
クタの受光面からの反射による反射雑音の発生の少ない
ＢＨ−ＬＤ・フォトディテクタ光集積化素子を提供する
ことにある。
クタの受光面からの反射による反射雑音の発生の少ない
ＢＨ−ＬＤ・フォトディテクタ光集積化素子を提供する
ことにある。
本発明によｎば、活性Ｊ＠Ｏ周囲がよりエネルギーギャ
ップの大きな、屈折率の小さな半導体材料でおおわれて
いる埋め込みへテロ構造半導体レーザと、フォトディテ
クタとが、同一半導体基板上に集積化さｎ穴埋め込みへ
テロ構造半導体レーザ・フォトディテクタ光集積化素子
において、埋め込みへテロ構造半導体レーザ０少なくと
も一方の共振器面がエツチング法によって形成され％フ
ォトディテクタがエツチングさｎた共振器向に相対して
配置さｒｔ、その受光面がエツチング法によって形成さ
ｒＬ、受ｆｔ、面とレーザ共振器面との距離がレーザ共
振軸上附近で最も短かく、がつエツチング面に襄出した
フォトディテクタのキャリア発生領域ｏｒｋＪ積が埋め
込みへテロ構造牛導体し−Ｖの活性層の共振器面内の面
積よりも大きいことｔ−特徴とする埋め込みへテロ構造
半導体レーザ・フォトディテクタ光集積化素子が得らｎ
る。
ップの大きな、屈折率の小さな半導体材料でおおわれて
いる埋め込みへテロ構造半導体レーザと、フォトディテ
クタとが、同一半導体基板上に集積化さｎ穴埋め込みへ
テロ構造半導体レーザ・フォトディテクタ光集積化素子
において、埋め込みへテロ構造半導体レーザ０少なくと
も一方の共振器面がエツチング法によって形成され％フ
ォトディテクタがエツチングさｎた共振器向に相対して
配置さｒｔ、その受光面がエツチング法によって形成さ
ｒＬ、受ｆｔ、面とレーザ共振器面との距離がレーザ共
振軸上附近で最も短かく、がつエツチング面に襄出した
フォトディテクタのキャリア発生領域ｏｒｋＪ積が埋め
込みへテロ構造牛導体し−Ｖの活性層の共振器面内の面
積よりも大きいことｔ−特徴とする埋め込みへテロ構造
半導体レーザ・フォトディテクタ光集積化素子が得らｎ
る。
半導体レーザ（ＬＤ）と７オトデイテクタとを集積化し
た光半導体素子は、通常半導体レーザの共振器面をエツ
チング法によって形成し、その際同時に形成さｒした受
光面でレーザ出力光全モニタする方法がとらｎている。
た光半導体素子は、通常半導体レーザの共振器面をエツ
チング法によって形成し、その際同時に形成さｒした受
光面でレーザ出力光全モニタする方法がとらｎている。
ここで重要な問題のひとつに７オトデイテクタの受光面
からの反射光が１、Ｌ）に再入射して、ＬＤの動作、特
に発振モードが不安定になるということがある。従来例
で明らかなように、レーザ共振器面と７オトデイテクタ
の受光面とがほぼ平行に形成されていると、このよ５を
７ｆトデイテクタの受光面からの反射光がＬＤに再入射
する割合が大き（、ＨＨ−ＬＤのモード不安定性の原因
となることがある。そこで。
からの反射光が１、Ｌ）に再入射して、ＬＤの動作、特
に発振モードが不安定になるということがある。従来例
で明らかなように、レーザ共振器面と７オトデイテクタ
の受光面とがほぼ平行に形成されていると、このよ５を
７ｆトデイテクタの受光面からの反射光がＬＤに再入射
する割合が大き（、ＨＨ−ＬＤのモード不安定性の原因
となることがある。そこで。
エツチングのバター／を工夫して、レーザ共振軸上附近
で、ＬＤのエツチングさｎた共振器面と７オトデイテク
タの受光面との距離が漸小となるような形状にすること
により、受光面で反射した反射光の＃にとんど鉱レーザ
共振軸の外に散乱さｎてしまい１反射雑音の発生等のＬ
Ｌ＞の発振モードの年女定性となるｌ、Ｄに再入射する
光拡かなシ減少し、ＬＤ２安定に動作させることが可能
となる。
で、ＬＤのエツチングさｎた共振器面と７オトデイテク
タの受光面との距離が漸小となるような形状にすること
により、受光面で反射した反射光の＃にとんど鉱レーザ
共振軸の外に散乱さｎてしまい１反射雑音の発生等のＬ
Ｌ＞の発振モードの年女定性となるｌ、Ｄに再入射する
光拡かなシ減少し、ＬＤ２安定に動作させることが可能
となる。
以下図面を用いて本発明の詳細な説明する。
第１図は本発明にょるＢ）ｉ−ＬｌＪ・フォトディチク
−光集積化素子の平面図である。１１）１−ＬＤｌｏｌ
の一方の共振器面１０５がエツチング法により形成さし
ており、こｎに相対して、この面がらＯレーザ光１１０
￥ｔモニタするフォトディテクタとしてフォトダイオー
ド（ＰＬ））１０２が配置されている。ここで−中に示
したようにＦＤ（Ｑ受光面１０６は、受光面とレーザ共
蛋器向との距離がレーザ共振軸止附近で最も短かくなる
ような。
−光集積化素子の平面図である。１１）１−ＬＤｌｏｌ
の一方の共振器面１０５がエツチング法により形成さし
ており、こｎに相対して、この面がらＯレーザ光１１０
￥ｔモニタするフォトディテクタとしてフォトダイオー
ド（ＰＬ））１０２が配置されている。ここで−中に示
したようにＦＤ（Ｑ受光面１０６は、受光面とレーザ共
蛋器向との距離がレーザ共振軸止附近で最も短かくなる
ような。
いわゆるＢｈ−Ｌａ１ｇ１に向って凸の形状をもってい
る。このような構造ではｌ’ｌ）受光面１０６で反射し
九反射光ｌｌｌのｌよとんどは、レーザ共振軸の外に散
乱さｎてしまい、 ＢＭ−ＬＬ）Ｉ Ｑ ＩＫ再入射す
るレーザ出力元鉱かなり減少する。この結果、このｋｌ
）１−１７．）’ｌ）の組み合わせは反射雑音の発生が
きわめて少ない構造となっている。
る。このような構造ではｌ’ｌ）受光面１０６で反射し
九反射光ｌｌｌのｌよとんどは、レーザ共振軸の外に散
乱さｎてしまい、 ＢＭ−ＬＬ）Ｉ Ｑ ＩＫ再入射す
るレーザ出力元鉱かなり減少する。この結果、このｋｌ
）１−１７．）’ｌ）の組み合わせは反射雑音の発生が
きわめて少ない構造となっている。
さらにｌ’１１１ｇ２の凸の受光面１０６はそのレンズ
作用により、レーザ光１１０ｔ−集束してＰＬ）１０２
へ結合するため、平向の受光面の場合よｐも受光効率が
向上する。この素子にに３Ｈ−ＬＤｌｏｌの電極ストラ
イプ１０３を通して正のバイアスをかけて電流ｔ＝流し
、レーザ発振させ、 ＰＤ１０２の電極ストライプ１０
４に外部抵抗を介して負のバイアス金かけることによ凱
レーザ出力光をモニタすることができる。
作用により、レーザ光１１０ｔ−集束してＰＬ）１０２
へ結合するため、平向の受光面の場合よｐも受光効率が
向上する。この素子にに３Ｈ−ＬＤｌｏｌの電極ストラ
イプ１０３を通して正のバイアスをかけて電流ｔ＝流し
、レーザ発振させ、 ＰＤ１０２の電極ストライプ１０
４に外部抵抗を介して負のバイアス金かけることによ凱
レーザ出力光をモニタすることができる。
第２図（ａ）は第１図中人−Ａ１部分のＢＨ−１，Ｌ）
１０１の断面図、第２図（ｂ）はＢ−娠？部分のＰｉ）
１０２の断面図である。（１００）ｎ−１ｎｌ’基板２
０１上にｎ−１ｎＰバッファ層２０２９ノンドープ１ｎ
−ＧａＡｓ）’活性Ｈ２０３＊ ｐ−１１Ｐクラッド層
２０４を積層させた通常の多層構造半導体ウェファ２１
ｎＧＢＡｓＰ活性層２０３よりも振くエツチングしてＢ
）ｉ−ＬＤ用メサストライプ２５１およびＰＩｊ用のメ
サストライプ２５２ｔ−形成し、そのウェファに埋め込
み成長を行なってｐ−１ｎｌ’電流プ四ツク層２０５
＋ Ｈ−ＩＨＰ電流ブロック層２０６ｔｐ−１ｎＰ埋め
込み層２０７ ｔ ｎ−ＩｎＧａＡｓＰ電極層２０８ｔ
−順次積層させ、電極形成、共振器のエツチングを行な
って目的の光素子が得られる。この際本願の発明者らが
％願昭５５−１２３２６１において示したように２〜３
μｍＭｊｌと幅の狭いＢ）ｌ−Ｌｉ３用のメサストライ
プ２５１の上面にはｐ−Ｉｎ）’・電流ブロック層２０
５およびｎ−１ｎＰ １１１流プロ、り層２０６は積層
しないように成長させることができる。幅の広いＦＤ用
のメサストライプ２５２の上面にはこれらの層は積層し
てもかまわないが、その場合には電極用のＺｎ拡散領域
２１０はｎ−１ｎｐ電流ブロック層２０６ｔ一つきぬけ
ている必要がある。またレーザ共振器面のエツチングに
ついては例えば５０ｃｃのメチルアルコールに０．３ｃ
ｃＯｋＪｒを混合した混合エツチング液を用い、３°Ｃ
で２分間エツチングすることにより、比較的容易にレー
ザ共振器面１０５が形成でき、ＰＤの受光面１０６も工
、チングマスクのパターンを適当に選んでやることによ
り、容易に第１図に示した形状とすることができる。
１０１の断面図、第２図（ｂ）はＢ−娠？部分のＰｉ）
１０２の断面図である。（１００）ｎ−１ｎｌ’基板２
０１上にｎ−１ｎＰバッファ層２０２９ノンドープ１ｎ
−ＧａＡｓ）’活性Ｈ２０３＊ ｐ−１１Ｐクラッド層
２０４を積層させた通常の多層構造半導体ウェファ２１
ｎＧＢＡｓＰ活性層２０３よりも振くエツチングしてＢ
）ｉ−ＬＤ用メサストライプ２５１およびＰＩｊ用のメ
サストライプ２５２ｔ−形成し、そのウェファに埋め込
み成長を行なってｐ−１ｎｌ’電流プ四ツク層２０５
＋ Ｈ−ＩＨＰ電流ブロック層２０６ｔｐ−１ｎＰ埋め
込み層２０７ ｔ ｎ−ＩｎＧａＡｓＰ電極層２０８ｔ
−順次積層させ、電極形成、共振器のエツチングを行な
って目的の光素子が得られる。この際本願の発明者らが
％願昭５５−１２３２６１において示したように２〜３
μｍＭｊｌと幅の狭いＢ）ｌ−Ｌｉ３用のメサストライ
プ２５１の上面にはｐ−Ｉｎ）’・電流ブロック層２０
５およびｎ−１ｎＰ １１１流プロ、り層２０６は積層
しないように成長させることができる。幅の広いＦＤ用
のメサストライプ２５２の上面にはこれらの層は積層し
てもかまわないが、その場合には電極用のＺｎ拡散領域
２１０はｎ−１ｎｐ電流ブロック層２０６ｔ一つきぬけ
ている必要がある。またレーザ共振器面のエツチングに
ついては例えば５０ｃｃのメチルアルコールに０．３ｃ
ｃＯｋＪｒを混合した混合エツチング液を用い、３°Ｃ
で２分間エツチングすることにより、比較的容易にレー
ザ共振器面１０５が形成でき、ＰＤの受光面１０６も工
、チングマスクのパターンを適当に選んでやることによ
り、容易に第１図に示した形状とすることができる。
本発明の実施例においては、）’１）１０２の受光面１
０６は、ＢＨ−ＬＬ）Ｉ Ｑｌの工、チングされた共振
器面１０５に相対して配置さｌｒＬ、受光面とレーザ共
振器面との距離がレーザ共振軸上附近で最も短かくなる
ような凸形状を有している。したがってＦＤの受光面１
０６で反射したレーザ出力光のｔｌとんどはレーず共振
軸の外に散乱されてし、まい１反射光がＢＨ−ＬＤｌｏ
１へ再入射する割合がきわめて小さく、ＢＨ−ＩＩ）
ｌｏｌｔ安定に動作させることができた。また受光ｗ１
０６の形状ｔ−第１図に示したように適当な曲率をもつ
ようにすることにより、いわゆるレンズの役割ｔａたす
ことになシ、受光面］０６で受ける光を効率良く集光す
ることができるため、受光感度も向上した。
０６は、ＢＨ−ＬＬ）Ｉ Ｑｌの工、チングされた共振
器面１０５に相対して配置さｌｒＬ、受光面とレーザ共
振器面との距離がレーザ共振軸上附近で最も短かくなる
ような凸形状を有している。したがってＦＤの受光面１
０６で反射したレーザ出力光のｔｌとんどはレーず共振
軸の外に散乱されてし、まい１反射光がＢＨ−ＬＤｌｏ
１へ再入射する割合がきわめて小さく、ＢＨ−ＩＩ）
ｌｏｌｔ安定に動作させることができた。また受光ｗ１
０６の形状ｔ−第１図に示したように適当な曲率をもつ
ようにすることにより、いわゆるレンズの役割ｔａたす
ことになシ、受光面］０６で受ける光を効率良く集光す
ることができるため、受光感度も向上した。
なお１本発明の実施例においてａ７ｔ）ディテクタとし
てＰＤｔ用いたが、そのかわ夕に７オトトクンジスタや
アバランシェ・７オトダイオード（ＡＰＩ））等のフォ
トディテクタを用いてもなんら差つかえない。ｉた実施
例で紘ＩｎＰを基板とする１μｍ波長帯の素子を示した
が１本発明に用いる半導体材料としてａＩｎ）’系に限
ることなく、他の半導体材料でおってもなんら差しつか
見ない。
てＰＤｔ用いたが、そのかわ夕に７オトトクンジスタや
アバランシェ・７オトダイオード（ＡＰＩ））等のフォ
トディテクタを用いてもなんら差つかえない。ｉた実施
例で紘ＩｎＰを基板とする１μｍ波長帯の素子を示した
が１本発明に用いる半導体材料としてａＩｎ）’系に限
ることなく、他の半導体材料でおってもなんら差しつか
見ない。
フォトディテクタの受光面に牛円状のパターンを用いた
が、とｎに限られることはなく、レーザ共振軸上附近で
先のとがった。五角形のパターン勢、レーザ共振軸上附
近でレーザ共振器向と受光面との距離が最小となるよう
なものならば、すべて本発明に含まれる。さらに実施例
における半導体層のｎ−ｐｔ）＠＠を全て入れか見たも
のでもかまわない。
が、とｎに限られることはなく、レーザ共振軸上附近で
先のとがった。五角形のパターン勢、レーザ共振軸上附
近でレーザ共振器向と受光面との距離が最小となるよう
なものならば、すべて本発明に含まれる。さらに実施例
における半導体層のｎ−ｐｔ）＠＠を全て入れか見たも
のでもかまわない。
本発明の特徴線フォトディテクタの受光内と。
それに相対したレーザ共振器面との距離がレーザ共振軸
上附近で最も短かくなるようにして、受光面からの反射
光がレーザに再注入するのを実質的に除去することがで
きたこと、および受光面に逼轟な曲率を設ける仁とによ
り、受光感度が従来例よりもさらに向上した仁とである
。
上附近で最も短かくなるようにして、受光面からの反射
光がレーザに再注入するのを実質的に除去することがで
きたこと、および受光面に逼轟な曲率を設ける仁とによ
り、受光感度が従来例よりもさらに向上した仁とである
。
纂１図は本発明によるＬＬ）−）’Ｄ光業積化素子の平
面図％第２図は素子断面図である。 図中１０１−−−−−−ＢＨ−ＬＤ、 １０２−−−−
−−ＰＬ）。 １０３・旧・・Ｂ）ｉ−ＬＤの電極ストライプ％ １０
４ｅａｔ ｈａｍ ＰＤの電極ストライプ、１０５・・
・・・・Ｂ １ｌ−Ｌｌ）のエツチング共振器面、１０
６・・・・・・ＰＬ）の受光面。 １１０・・・・・・レーザ光、１１１・・・・・・反射
光、１１２°°°°゛・ＰＤに集束されるレーザ光、２
０１・・・・・・ｎ’−１、Ｐ基板、２０２ ”” ｎ
−ＩｎＰバッファ層、２０３−・−・・・ＬＨ（ＪＨＡ
＠Ｐ活性層、２０４ ＝ ＝ ｐ−ＩｎＰクラ。 ド層、 ２０５−・−ｐＩｎ）’ ％流プａツク層、
２０６・・・・・・、−ＩｎＰ電流プロ、り層、２０７
・・・・・・ｐ−Ｉｎ）’埋め込み層、２０８・・・・
・・ｎ−ＩｎＧ、ＡｓＰ電極層。 ２０９＊２１０・・・・・・電極用Ｚｎ拡散領域ｓ ２
１１ｔ２１２・・・・・・Ｐ形オーミック性電極、２１
３・°パ°°ｎ形オーミック性電極である。 奉 ｌ 図 第２図
面図％第２図は素子断面図である。 図中１０１−−−−−−ＢＨ−ＬＤ、 １０２−−−−
−−ＰＬ）。 １０３・旧・・Ｂ）ｉ−ＬＤの電極ストライプ％ １０
４ｅａｔ ｈａｍ ＰＤの電極ストライプ、１０５・・
・・・・Ｂ １ｌ−Ｌｌ）のエツチング共振器面、１０
６・・・・・・ＰＬ）の受光面。 １１０・・・・・・レーザ光、１１１・・・・・・反射
光、１１２°°°°゛・ＰＤに集束されるレーザ光、２
０１・・・・・・ｎ’−１、Ｐ基板、２０２ ”” ｎ
−ＩｎＰバッファ層、２０３−・−・・・ＬＨ（ＪＨＡ
＠Ｐ活性層、２０４ ＝ ＝ ｐ−ＩｎＰクラ。 ド層、 ２０５−・−ｐＩｎ）’ ％流プａツク層、
２０６・・・・・・、−ＩｎＰ電流プロ、り層、２０７
・・・・・・ｐ−Ｉｎ）’埋め込み層、２０８・・・・
・・ｎ−ＩｎＧ、ＡｓＰ電極層。 ２０９＊２１０・・・・・・電極用Ｚｎ拡散領域ｓ ２
１１ｔ２１２・・・・・・Ｐ形オーミック性電極、２１
３・°パ°°ｎ形オーミック性電極である。 奉 ｌ 図 第２図
Claims (1)
- 活性層の周囲がよｐエネルギーギャップが大きくかつ屈
折率の小さな半導体材料でおおわｎている埋め込みへチ
ル構造半導体レーザと、フォトディテクタとが、同一半
導体基板上に集積化さｎた埋め込みヘテ冒構造半導体レ
ーザ・フォトディテクタ光集積化素子において、前記埋
め込みへテロ構造半導体レーザの少なくとも一方の共振
器面がエツチング法によって形成さ１１−ｓ前記フォト
ディテクタがエツチングされた共振器面に相対して配置
さｎｈその受光面がエツチング法によりて形成さｎ、受
光面とレーザ共振器面との距離がレーザ共振軸上附近で
最も短かい形状をなし、かつエツチング面に無量した前
記フォトディテクタのキャリア発生領域の面積が前記埋
め込みヘテ四構造半導体レーザの活性層の共振器面内の
面積よりも大きいことを特徴とする埋め込みへテロ構造
半導体レーザ・７オトデイテクタ光集積化素子。
Priority Applications (2)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP56181853A JPS5884486A (ja) | 1981-11-13 | 1981-11-13 | 半導体レ−ザ・フオトデイテクタ光集積化素子 |
| US06/408,302 US4470143A (en) | 1981-08-18 | 1982-08-16 | Semiconductor laser having an etched mirror and a narrow stripe width, with an integrated photodetector |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP56181853A JPS5884486A (ja) | 1981-11-13 | 1981-11-13 | 半導体レ−ザ・フオトデイテクタ光集積化素子 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS5884486A true JPS5884486A (ja) | 1983-05-20 |
Family
ID=16107966
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP56181853A Pending JPS5884486A (ja) | 1981-08-18 | 1981-11-13 | 半導体レ−ザ・フオトデイテクタ光集積化素子 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS5884486A (ja) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS6211288A (ja) * | 1985-07-08 | 1987-01-20 | Matsushita Electric Ind Co Ltd | 半導体レ−ザ装置 |
Citations (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS5214393A (en) * | 1975-07-16 | 1977-02-03 | Post Office | Laser and optical detector |
| JPS54142988A (en) * | 1978-04-28 | 1979-11-07 | Hitachi Ltd | Photo semiconductor device |
| JPS566494A (en) * | 1979-06-26 | 1981-01-23 | Philips Nv | Semiconductor laser device |
-
1981
- 1981-11-13 JP JP56181853A patent/JPS5884486A/ja active Pending
Patent Citations (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS5214393A (en) * | 1975-07-16 | 1977-02-03 | Post Office | Laser and optical detector |
| JPS54142988A (en) * | 1978-04-28 | 1979-11-07 | Hitachi Ltd | Photo semiconductor device |
| JPS566494A (en) * | 1979-06-26 | 1981-01-23 | Philips Nv | Semiconductor laser device |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS6211288A (ja) * | 1985-07-08 | 1987-01-20 | Matsushita Electric Ind Co Ltd | 半導体レ−ザ装置 |
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