JP2863773B2 - 面発光型半導体レーザ装置 - Google Patents

面発光型半導体レーザ装置

Info

Publication number
JP2863773B2
JP2863773B2 JP63332067A JP33206788A JP2863773B2 JP 2863773 B2 JP2863773 B2 JP 2863773B2 JP 63332067 A JP63332067 A JP 63332067A JP 33206788 A JP33206788 A JP 33206788A JP 2863773 B2 JP2863773 B2 JP 2863773B2
Authority
JP
Japan
Prior art keywords
buried portion
laser device
semiconductor laser
buried
layer
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Expired - Fee Related
Application number
JP63332067A
Other languages
English (en)
Other versions
JPH02177490A (ja
Inventor
健一 伊賀
晃 茨木
健児 川島
浩太郎 古沢
徹 石川
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Kagaku Gijutsu Shinko Jigyodan
Sanyo Denki Co Ltd
Original Assignee
Kagaku Gijutsu Shinko Jigyodan
Sanyo Denki Co Ltd
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Kagaku Gijutsu Shinko Jigyodan, Sanyo Denki Co Ltd filed Critical Kagaku Gijutsu Shinko Jigyodan
Priority to JP63332067A priority Critical patent/JP2863773B2/ja
Priority to US07/457,256 priority patent/US5020066A/en
Publication of JPH02177490A publication Critical patent/JPH02177490A/ja
Application granted granted Critical
Publication of JP2863773B2 publication Critical patent/JP2863773B2/ja
Anticipated expiration legal-status Critical
Expired - Fee Related legal-status Critical Current

Links

Classifications

    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01S—DEVICES USING THE PROCESS OF LIGHT AMPLIFICATION BY STIMULATED EMISSION OF RADIATION [LASER] TO AMPLIFY OR GENERATE LIGHT; DEVICES USING STIMULATED EMISSION OF ELECTROMAGNETIC RADIATION IN WAVE RANGES OTHER THAN OPTICAL
    • H01S5/00—Semiconductor lasers
    • H01S5/10—Construction or shape of the optical resonator, e.g. extended or external cavity, coupled cavities, bent-guide, varying width, thickness or composition of the active region
    • H01S5/18—Surface-emitting [SE] lasers, e.g. having both horizontal and vertical cavities
    • H01S5/183—Surface-emitting [SE] lasers, e.g. having both horizontal and vertical cavities having only vertical cavities, e.g. vertical cavity surface-emitting lasers [VCSEL]
    • H01S5/18308—Surface-emitting [SE] lasers, e.g. having both horizontal and vertical cavities having only vertical cavities, e.g. vertical cavity surface-emitting lasers [VCSEL] having a special structure for lateral current or light confinement
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01S—DEVICES USING THE PROCESS OF LIGHT AMPLIFICATION BY STIMULATED EMISSION OF RADIATION [LASER] TO AMPLIFY OR GENERATE LIGHT; DEVICES USING STIMULATED EMISSION OF ELECTROMAGNETIC RADIATION IN WAVE RANGES OTHER THAN OPTICAL
    • H01S5/00—Semiconductor lasers
    • H01S5/02—Structural details or components not essential to laser action
    • H01S5/0206—Substrates, e.g. growth, shape, material, removal or bonding
    • H01S5/0207—Substrates having a special shape
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01S—DEVICES USING THE PROCESS OF LIGHT AMPLIFICATION BY STIMULATED EMISSION OF RADIATION [LASER] TO AMPLIFY OR GENERATE LIGHT; DEVICES USING STIMULATED EMISSION OF ELECTROMAGNETIC RADIATION IN WAVE RANGES OTHER THAN OPTICAL
    • H01S5/00—Semiconductor lasers
    • H01S5/02—Structural details or components not essential to laser action
    • H01S5/024—Arrangements for thermal management
    • H01S5/02461—Structure or details of the laser chip to manipulate the heat flow, e.g. passive layers in the chip with a low heat conductivity
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01S—DEVICES USING THE PROCESS OF LIGHT AMPLIFICATION BY STIMULATED EMISSION OF RADIATION [LASER] TO AMPLIFY OR GENERATE LIGHT; DEVICES USING STIMULATED EMISSION OF ELECTROMAGNETIC RADIATION IN WAVE RANGES OTHER THAN OPTICAL
    • H01S5/00—Semiconductor lasers
    • H01S5/10—Construction or shape of the optical resonator, e.g. extended or external cavity, coupled cavities, bent-guide, varying width, thickness or composition of the active region
    • H01S5/18—Surface-emitting [SE] lasers, e.g. having both horizontal and vertical cavities
    • H01S5/183—Surface-emitting [SE] lasers, e.g. having both horizontal and vertical cavities having only vertical cavities, e.g. vertical cavity surface-emitting lasers [VCSEL]
    • H01S5/18305—Surface-emitting [SE] lasers, e.g. having both horizontal and vertical cavities having only vertical cavities, e.g. vertical cavity surface-emitting lasers [VCSEL] with emission through the substrate, i.e. bottom emission
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01S—DEVICES USING THE PROCESS OF LIGHT AMPLIFICATION BY STIMULATED EMISSION OF RADIATION [LASER] TO AMPLIFY OR GENERATE LIGHT; DEVICES USING STIMULATED EMISSION OF ELECTROMAGNETIC RADIATION IN WAVE RANGES OTHER THAN OPTICAL
    • H01S5/00—Semiconductor lasers
    • H01S5/10—Construction or shape of the optical resonator, e.g. extended or external cavity, coupled cavities, bent-guide, varying width, thickness or composition of the active region
    • H01S5/18—Surface-emitting [SE] lasers, e.g. having both horizontal and vertical cavities
    • H01S5/183—Surface-emitting [SE] lasers, e.g. having both horizontal and vertical cavities having only vertical cavities, e.g. vertical cavity surface-emitting lasers [VCSEL]
    • H01S5/18361—Structure of the reflectors, e.g. hybrid mirrors
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01S—DEVICES USING THE PROCESS OF LIGHT AMPLIFICATION BY STIMULATED EMISSION OF RADIATION [LASER] TO AMPLIFY OR GENERATE LIGHT; DEVICES USING STIMULATED EMISSION OF ELECTROMAGNETIC RADIATION IN WAVE RANGES OTHER THAN OPTICAL
    • H01S5/00—Semiconductor lasers
    • H01S5/10—Construction or shape of the optical resonator, e.g. extended or external cavity, coupled cavities, bent-guide, varying width, thickness or composition of the active region
    • H01S5/18—Surface-emitting [SE] lasers, e.g. having both horizontal and vertical cavities
    • H01S5/183—Surface-emitting [SE] lasers, e.g. having both horizontal and vertical cavities having only vertical cavities, e.g. vertical cavity surface-emitting lasers [VCSEL]
    • H01S5/18361—Structure of the reflectors, e.g. hybrid mirrors
    • H01S5/18369—Structure of the reflectors, e.g. hybrid mirrors based on dielectric materials
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01S—DEVICES USING THE PROCESS OF LIGHT AMPLIFICATION BY STIMULATED EMISSION OF RADIATION [LASER] TO AMPLIFY OR GENERATE LIGHT; DEVICES USING STIMULATED EMISSION OF ELECTROMAGNETIC RADIATION IN WAVE RANGES OTHER THAN OPTICAL
    • H01S5/00—Semiconductor lasers
    • H01S5/20—Structure or shape of the semiconductor body to guide the optical wave ; Confining structures perpendicular to the optical axis, e.g. index or gain guiding, stripe geometry, broad area lasers, gain tailoring, transverse or lateral reflectors, special cladding structures, MQW barrier reflection layers
    • H01S5/22—Structure or shape of the semiconductor body to guide the optical wave ; Confining structures perpendicular to the optical axis, e.g. index or gain guiding, stripe geometry, broad area lasers, gain tailoring, transverse or lateral reflectors, special cladding structures, MQW barrier reflection layers having a ridge or stripe structure
    • H01S5/2205—Structure or shape of the semiconductor body to guide the optical wave ; Confining structures perpendicular to the optical axis, e.g. index or gain guiding, stripe geometry, broad area lasers, gain tailoring, transverse or lateral reflectors, special cladding structures, MQW barrier reflection layers having a ridge or stripe structure comprising special burying or current confinement layers
    • H01S5/2222—Structure or shape of the semiconductor body to guide the optical wave ; Confining structures perpendicular to the optical axis, e.g. index or gain guiding, stripe geometry, broad area lasers, gain tailoring, transverse or lateral reflectors, special cladding structures, MQW barrier reflection layers having a ridge or stripe structure comprising special burying or current confinement layers having special electric properties

Landscapes

  • Physics & Mathematics (AREA)
  • Condensed Matter Physics & Semiconductors (AREA)
  • General Physics & Mathematics (AREA)
  • Electromagnetism (AREA)
  • Optics & Photonics (AREA)
  • Semiconductor Lasers (AREA)

Description

【発明の詳細な説明】 〔産業上の利用分野〕 本発明は埋込み構造を有する面発光型半導体レーザ装
置に関する。
〔従来の技術〕
一般にこの種の面発光型半導体レーザ装置にあって
は、半導体基板上にクラッド層，活性層，クラッド層，
キャップ層からなるダブルヘテロ構造の被埋込み部及び
この被埋込み部の周りに位置して電流阻止機能を有する
埋込み部を形成し、被埋込み部の表面に反射鏡として誘
電体多層膜、例えばTiO2／SiO2，SiO2＋Auを備える構造
となっている。
〔発明が解決しようとする課題〕
ところで上述した如き従来装置にあっては、反射鏡が
誘電体の多層膜で形成されているため熱電動性が悪く、
誘電体多層膜に接して設けられるヒートシンクへの被埋
込み部からの放熱性が不十分であり、また反射鏡自体の
大きさも被埋込み部への給電の都合上から制限を受け、
反射面積の縮小を免れ得ず、更に導電性を有しないため
反射鏡とは別の位置に電極を形成しなければならず、製
作プロセスが複雑になり、また電流注入効率が悪い等の
問題があった。
本発明はかかる事情に鑑みなされたものであって、そ
の目的とするところはヒートシンクへの放熱効率が高
く、しかも導電性を有する反射鏡を形成することが出来
て、構造が簡略化され工数の省略が図れるようにした面
発光型半導体レーザ装置を提供するにある。
〔課題を解決するための手段〕
本発明に係る面発光型半導体レーザ装置は、基板上に
設けた活性領域を含む被埋込み部の周りに電流阻止機能
を有する埋込み部を形成した埋込み構造を有する面発光
型レーザ装置において、前記被埋込み部上全域及び埋込
み部上にわたって導電性を有する半導体多層膜からなる
反射鏡を設け、前記反射鏡の表面であって前記被埋込み
部と対応する部分にオーミック接触を保持するためのコ
ンタクト層を設け、前記コンタクト層表面を含む前記反
射鏡の表面に電極を設けたことを特徴とする。
〔作用〕
本発明にあっては、これによって導電性を有する半導
体多層膜は反射鏡としての機能の外に、放熱性を高め、
また被埋込み部に対する良好なキャリア注入部としての
機能も併有することとなる。
〔実施例〕
以下本発明をその実施例を示す図面に基づき具体的に
説明する。
第１図は本発明に係る面発光型半導体レーザ装置（以
下本発明装置という）の縦断面図であり、図中１はｎ型
の半導体基板を示している。この半導体基板１の表面
（第１図で下面）に液相成長法等によって、伝導型がｎ
型のクラッド層２、伝導型がｐ型の活性層３、伝導型が
ｐ型のクラッド層４、伝導型がｐ型のキャップ層５をこ
の順序にエピタキシャル成長させてなるダブルヘテロ構
造の一部をｎ型のクラッド２の表面近くまでウェットエ
ッチング法等により除去して被埋込み部Ａを形成し、そ
の周囲には同じく液相成長法等を用いてクラッド層２上
に伝導型がｐ型のブロック層６、伝導型がｎ型のブロッ
ク層７をこの順序に積層し、p-n逆バイアスによる電流
阻止機能を有する埋込み部Ｂが設けられている。
被埋込み部Ａの高さ、即ちクラッド層２の表面からキ
ャップ層５の表面迄の高さＨと、埋込み部Ｂの高さ、即
ちブロック層6,7の厚さの和ｈとは略同じか又はその差
が0.5μｍ以内であって、ｈ≦Ｈの関係が成立するよう
に設定するのが、その後に形成する半導体多層膜８の結
晶に乱れを生ぜしめないうえで望ましい。
前記被埋込み部Ａ及び埋込み部Ｂの表面にわたり、例
えば気相成長法等によって伝導型がｐ型の半導体多層膜
８を形成し、この半導体多層膜８の表面中央であって被
埋込み部Ａと対応する部分にはオーミック接触を保持す
るためのGaAs製の一辺100μｍの矩形状にコンタクト層
９を形成し、このコンタクト層９表面を含む半導体多層
膜８の表面にわたって電極10を所定厚さに形成せしめて
あり、電流は電極10、コンタクト層９を通して矢符で示
す如くに被埋込み部Ａ内に注入されることことなる。
ｐ型の半導体多層膜８は気相成長法によりエピタキシ
ャル成長させたGa0.4Al0.6As層／Ga0.9Al0.1As層を交互
に25回積層して構成され、両層１ペアの厚さは133.6nm
である。
半導体多層膜８の設計においては、その反射特性を示
すブラッグ波長をパルス動作時の発振縦モードよりも１
モード高い縦モードに合せ、反射率を高めるようにする
のが望ましい。
即ち通常GaAsの発光波長は880nmであるが、発熱した
ときは発振スペクトル波長の長波長側へのシフトを考慮
して半導体多層膜８のブラッグ波長は895nmとしてあ
る。また半導体多層膜８を構成するGa0.4Al0.6As，Ga
0.9Al0.1Asの熱伝導率Ｋ（w/cm/deg）は夫々0.11,0.19
程度であり、熱抵抗は150℃/W程度である。
これは従来のSiO2，TiO2等の誘電体を用いた場合、熱
抵抗は400℃/Wであるから、略２倍以上放熱特性に優れ
ていることが解る。
一方、半導体基板１の他面（第１図の上面）の被埋込
み部Ａを含む部分にはエッチングによってレーザビーム
の半導体基板１を貫通する出射窓1aが開設され、この出
射窓1aの内奥に露出させたクラッド層２の表面には反射
鏡を構成する誘電体を用いて形成された多層膜11が形成
されている。12は電極である。
ヒートシンクは図面には表われていないが電極10に融
着した状態で設けられ、主熱源となる被埋込み部Ａで発
生した熱をキャップ層５、ブロック層6,7を通して半導
体多層膜８内を拡散させながらヒートシンクへ伝達さ
れ、抜熱されることとなる。
また伝導型p,nを逆転した場合も実質的に同様に構成
することが出来る。この場合、反射鏡として用いる伝導
型がｎ型の半導体多層膜としてはGa0.9Al0.1As/AlAsを2
5ペア分を反復形成した構成とする。
第２図は本発明の他の実施例を示す断面構造図であ
り、この実施例にあっては、被埋込み部Ａと埋込み部Ｂ
との表面にわたってGa1-zAlzAs（ｚ≧０）を用いて所要
厚さにバッファ層15を形成し、バッファ層15上に第１図
に示す実施例と同様の半導体多層膜８を形成してある。
これによって表面が均一化され、更に埋込み部Ｂの成長
条件が緩和され、しかも半導体多層膜８の特性の安定
性，均一性を容易に得ることが出来る。
他の構成は第１図に示す実施例と実質的に同じであ
り、対応する部分には同じ番号を付して説明を省略す
る。
このような実施例にあっては被埋込み層Ａ、埋込み層
Ｂにわたってバッファ層15を形成することによって、こ
れらの表面の均一性が確保出来、半導体多層膜８の形成
に際して成長条件の乱れによる結晶の乱れを防止出来、
更に相互の接合性も高まる。
第３図は本発明の更に他の実施例を示す断面構造図で
あり、埋込み部Ｂを、AlAs等の高抵抗層16を用いて構成
してある。なお高抵抗層16に代えて絶縁層を用いてもよ
い。他の構成は第１図に示した実施例と実質的に同じで
あり、対応する部分に同じ番号を付して説明を省略す
る。
また本発明はIII,V系系、或いはII,VI族系、例えばGa
InAs/InP系にも適用できる。
〔効果〕
以上の如く本発明装置にあっては、被埋込み部上の全
域及び埋込み部にわたって反射鏡を導電性を備えた半導
体多層膜を用いて構成したから、放熱性が高く、装置と
しての熱抵抗の低減が図れ、電流注入効率が向上し、ま
た電極を兼ね得るから構造も簡略化され製造も容易とな
る等本発明は優れた効果を奏するものである。
【図面の簡単な説明】
第１図は本発明装置の断面構造図、第２図、第３図は本
発明の夫々他の実施例を示す断面構造図である。 １…ｎ型の基板、２…ｎ型クラッド層 ３…ｐ型の活性層、４…ｐ型のクラッド層 ５…ｐ型のキャップ層、６…ｐ型のブロック層 ７…ｎ型のブロック層、８…ｐ型の半導体多層膜 ９…ｐ型のコンタクト層、10…電極、11…誘電体多層
膜、12…電極、15…バッファ層 16…高抵抗層、Ａ…被埋込み部 Ｂ…埋込み部
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (72)発明者 川島 健児 大阪府守口市京阪本通２丁目18番地 三 洋電機株式会社内 (72)発明者 古沢 浩太郎 大阪府守口市京阪本通２丁目18番地 三 洋電機株式会社内 (72)発明者 石川 徹 大阪府守口市京阪本通２丁目18番地 三 洋電機株式会社内 (56)参考文献 特開 昭62−291192（ＪＰ，Ａ) 特開 昭62−189439（ＪＰ，Ａ) ＩＥＥＥ Ｊｏｕｒｎａｌ ｏｆ Ｑ ｕａｎｔｕｎ Ｅｌｅｃｔｒｏｎｉｃ ｓ，ＱＥ−23［６］ｐ．882−888 （1987) (58)調査した分野(Int.Cl.6，ＤＢ名) H01S 3/18

Claims (6)

    (57)【特許請求の範囲】
  1. 【請求項１】基板上に設けた活性領域を含む被埋込み部
    の周りに電流阻止機能を有する埋込み部を形成した埋込
    み構造を有する面発光型レーザ装置において、 前記被埋込み部上全域及び埋込み部上にわたって導電性
    を有する半導体多層膜からなる反射鏡を設け、前記反射
    鏡の表面であって前記被埋込み部と対応する部分にオー
    ミック接触を保持するためのコンタクト層を設け、該コ
    ンタクト層表面を含む前記反射鏡の表面に電極を設けた
    ことを特徴とする面発光型半導体レーザ装置。
  2. 【請求項２】被埋込み部の高さＨと埋込み部の高さｈと
    の差が0.5μｍ以内であって、且つｈ≦Ｈとした埋込み
    構造を有する請求項１記載の面発光型半導体レーザ装
    置。
  3. 【請求項３】被埋込み部，埋込み部と半導体多層膜との
    間にGa1-zAlzAs（ｚ≧０）からなるバッファ層を介在さ
    せた請求項１記載の面発光型半導体レーザ装置。
  4. 【請求項４】埋込み部は電流阻止のための逆バイアスを
    付与されるｐ型のGa1-xAlxAs（ｘ≧０），及びｎ型のGa
    1-yAlyAs（ｙ≧０）の層を備える請求項1,2又は３記載
    の面発光型半導体レーザ装置。
  5. 【請求項５】埋込み部は、絶縁性又は高抵抗の結晶層で
    ある請求項1,2又は３項記載の面発光型半導体レーザ装
    置。
  6. 【請求項６】半導体多層膜はそのブラッグ波長を、パル
    ス動作時の発振縦モード時の波長よりも１モード長い波
    長にあわせて設定している請求項１〜５記載の面発光型
    半導体レーザ装置。
JP63332067A 1988-12-28 1988-12-28 面発光型半導体レーザ装置 Expired - Fee Related JP2863773B2 (ja)

Priority Applications (2)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP63332067A JP2863773B2 (ja) 1988-12-28 1988-12-28 面発光型半導体レーザ装置
US07/457,256 US5020066A (en) 1988-12-28 1989-12-27 Surface-emitting-type semiconductor laser device

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP63332067A JP2863773B2 (ja) 1988-12-28 1988-12-28 面発光型半導体レーザ装置

Publications (2)

Publication Number Publication Date
JPH02177490A JPH02177490A (ja) 1990-07-10
JP2863773B2 true JP2863773B2 (ja) 1999-03-03

Family

ID=18250775

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
JP63332067A Expired - Fee Related JP2863773B2 (ja) 1988-12-28 1988-12-28 面発光型半導体レーザ装置

Country Status (2)

Country Link
US (1) US5020066A (ja)
JP (1) JP2863773B2 (ja)

Families Citing this family (20)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US5172195A (en) * 1990-04-18 1992-12-15 Kabushiki Kaisha Toshiba Double heterostructure GaAlAs 610-640 nm LED
JP2898347B2 (ja) * 1990-04-23 1999-05-31 イーストマン・コダックジャパン株式会社 発光ダイオードアレイ
JPH04132274A (ja) * 1990-09-21 1992-05-06 Eastman Kodak Japan Kk 発光ダイオード
JPH088217B2 (ja) * 1991-01-31 1996-01-29 日亜化学工業株式会社 窒化ガリウム系化合物半導体の結晶成長方法
US5136603A (en) * 1991-04-29 1992-08-04 At&T Bell Laboratories Self-monitoring semiconductor laser device
US5164949A (en) * 1991-09-09 1992-11-17 Motorola, Inc. Vertical cavity surface emitting laser with lateral injection
US5258990A (en) * 1991-11-07 1993-11-02 The United States Of America As Represented By The Secretary Of The United States Department Of Energy Visible light surface emitting semiconductor laser
US5224113A (en) * 1991-12-20 1993-06-29 At&T Bell Laboratories Semiconductor laser having reduced temperature dependence
JP3014208B2 (ja) * 1992-02-27 2000-02-28 三菱電機株式会社 半導体光素子
US5212701A (en) * 1992-03-25 1993-05-18 At&T Bell Laboratories Semiconductor surface emitting laser having enhanced optical confinement
JPH06196813A (ja) * 1992-10-14 1994-07-15 Sony Corp 半導体レーザとその製法
US5363397A (en) * 1992-10-29 1994-11-08 Internatioal Business Machines Corporation Integrated short cavity laser with bragg mirrors
EP0918384B1 (en) * 1995-01-20 2002-12-11 Matsushita Electric Industrial Co., Ltd. Semiconductor light emitting device and method for fabricating the same
FR2744293B1 (fr) * 1996-01-30 1998-04-30 Nabet Bernard Composant d'emission laser a zone d'injection de largeur limitee
US5903590A (en) * 1996-05-20 1999-05-11 Sandia Corporation Vertical-cavity surface-emitting laser device
US7501303B2 (en) * 2001-11-05 2009-03-10 The Trustees Of Boston University Reflective layer buried in silicon and method of fabrication
JP2006134975A (ja) * 2004-11-04 2006-05-25 Hitachi Displays Ltd 照明装置及びこの照明装置を用いた表示装置
JP2007311632A (ja) * 2006-05-19 2007-11-29 Furukawa Electric Co Ltd:The 面発光レーザ素子
US9865983B2 (en) * 2015-08-31 2018-01-09 Avago Technologies General Ip (Singapore) Pte. Ltd. VCSEL incorporating a substrate having an aperture
CN111342338A (zh) * 2020-05-20 2020-06-26 北京金太光芯科技有限公司 具备倒装结构的vcsel、vcsel阵列及其制备方法

Family Cites Families (4)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US4309670A (en) * 1979-09-13 1982-01-05 Xerox Corporation Transverse light emitting electroluminescent devices
JPS59145588A (ja) * 1983-02-09 1984-08-21 Hitachi Ltd 半導体レ−ザ装置
JPH0711656B2 (ja) * 1986-02-17 1995-02-08 日本電気株式会社 光双安定素子
JPS62291192A (ja) * 1986-06-11 1987-12-17 Matsushita Electric Ind Co Ltd 面発光レ−ザ

Non-Patent Citations (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Title
ＩＥＥＥ Ｊｏｕｒｎａｌ ｏｆ Ｑｕａｎｔｕｎ Ｅｌｅｃｔｒｏｎｉｃｓ，ＱＥ−２３［６］ｐ．８８２−８８８（１９８７）

Also Published As

Publication number Publication date
JPH02177490A (ja) 1990-07-10
US5020066A (en) 1991-05-28

Similar Documents

Publication Publication Date Title
JP2863773B2 (ja) 面発光型半導体レーザ装置
US5212706A (en) Laser diode assembly with tunnel junctions and providing multiple beams
JPH11163458A (ja) 半導体レーザ装置
JP3052552B2 (ja) 面発光型半導体レーザ
JPH0793419B2 (ja) 受光発光集積素子
JPS6412114B2 (ja)
US4280108A (en) Transverse junction array laser
JP3271291B2 (ja) 面発光型半導体レーザ
JPS6286883A (ja) 半導体レ−ザ装置
JP2927908B2 (ja) 発光素子
JPH0828548B2 (ja) 半導体レーザおよびその製造方法
US4313125A (en) Light emitting semiconductor devices
US4759025A (en) Window structure semiconductor laser
JP3123846B2 (ja) 面発光型半導体レーザ素子
JPH05152674A (ja) 外部変調器付き面発光半導体レーザ
JP2901921B2 (ja) 半導体レーザ装置
JPS6258557B2 (ja)
JP3033625B2 (ja) 量子化Ｓｉ光半導体装置
JP2001094210A (ja) 半導体レーザ装置及びその製造方法
JPH07321406A (ja) 半導体レーザ装置
JP3108183B2 (ja) 半導体レーザ素子とその製造方法
JPH0156547B2 (ja)
JP3358197B2 (ja) 半導体レーザ
JP2955250B2 (ja) 半導体発光素子とその製造方法
JP3612900B2 (ja) 面発光半導体レーザ及びその製造方法

Legal Events

Date Code Title Description
S111 Request for change of ownership or part of ownership

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R313117

R360 Written notification for declining of transfer of rights

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R360

R371 Transfer withdrawn

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R371

S111 Request for change of ownership or part of ownership

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R313117

R350 Written notification of registration of transfer

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R350

R250 Receipt of annual fees

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250

S111 Request for change of ownership or part of ownership

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R313115

R350 Written notification of registration of transfer

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R350

LAPS Cancellation because of no payment of annual fees