JPS5875879A - 光集積化素子 - Google Patents
光集積化素子Info
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- JPS5875879A JPS5875879A JP56174323A JP17432381A JPS5875879A JP S5875879 A JPS5875879 A JP S5875879A JP 56174323 A JP56174323 A JP 56174323A JP 17432381 A JP17432381 A JP 17432381A JP S5875879 A JPS5875879 A JP S5875879A
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- H01S5/20—Structure or shape of the semiconductor body to guide the optical wave ; Confining structures perpendicular to the optical axis, e.g. index or gain guiding, stripe geometry, broad area lasers, gain tailoring, transverse or lateral reflectors, special cladding structures, MQW barrier reflection layers
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- H01S5/227—Buried mesa structure ; Striped active layer
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- H01S5/227—Buried mesa structure ; Striped active layer
- H01S5/2275—Buried mesa structure ; Striped active layer mesa created by etching
- H01S5/2277—Buried mesa structure ; Striped active layer mesa created by etching double channel planar buried heterostructure [DCPBH] laser
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Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
本発明は光集積化素子に関し、とくに埋め込みへテロ構
造半導体レーザとフォトダイオードとが同一半導体基板
上に集積化された埋め込みへテロ構造半導体レーザ・フ
ォトダイオード光集積化率子に関する。
造半導体レーザとフォトダイオードとが同一半導体基板
上に集積化された埋め込みへテロ構造半導体レーザ・フ
ォトダイオード光集積化率子に関する。
近年光ファイバの伝送損失の値域化、光源である半導体
レーザの高性能化、長寿命化がすすみ。
レーザの高性能化、長寿命化がすすみ。
光フアイバ通信方式の実用化が着実に進められている。
光フアイバ通信用光源等の低コスト化、高生産性をねら
って種々の先手導体素子の集積化が関心の的となりつつ
ある。なかでも光源である半導体レーザ、発光ダイオー
ドとその出力光のモニターとして用いる半導体受光素子
との集積化は重要である。
って種々の先手導体素子の集積化が関心の的となりつつ
ある。なかでも光源である半導体レーザ、発光ダイオー
ドとその出力光のモニターとして用いる半導体受光素子
との集積化は重要である。
、−そのひとつとして本出願人は56年8A16日付の
特許出願明細書に示したようなエツチング法を用いた埋
め込みへテロ構造半導体レーザ・フォトダイオード光集
積化素子を提案した。これは埋め込みへテロ構造半導体
レーザ(以下BH−LDと略す)の一方の共振器面をエ
ツチングによって形成し、それに相対する面をフォトダ
イオード(以下PDと略す)の受光面としたものである
。この素子においてはPDのキャリア発生領域のストラ
イプ幅がBH−LDの活性層の幅よりも大きいため受光
効率がよく、またBH−LDの特性が共振器面形成やた
めのエツチングにあまり強く左右されず、したがって製
造歩留りもよいという特徴を有している。
特許出願明細書に示したようなエツチング法を用いた埋
め込みへテロ構造半導体レーザ・フォトダイオード光集
積化素子を提案した。これは埋め込みへテロ構造半導体
レーザ(以下BH−LDと略す)の一方の共振器面をエ
ツチングによって形成し、それに相対する面をフォトダ
イオード(以下PDと略す)の受光面としたものである
。この素子においてはPDのキャリア発生領域のストラ
イプ幅がBH−LDの活性層の幅よりも大きいため受光
効率がよく、またBH−LDの特性が共振器面形成やた
めのエツチングにあまり強く左右されず、したがって製
造歩留りもよいという特徴を有している。
しかしながら上述した光素子においては、BH−LDの
基板に−直な方向の光の拡がりも大きいため、FDのキ
ャリア発壺領域の幅が広いだけでは、受光効率は必ずし
も十分とはいえない。
基板に−直な方向の光の拡がりも大きいため、FDのキ
ャリア発壺領域の幅が広いだけでは、受光効率は必ずし
も十分とはいえない。
本発明の目的は上記の欠点を除去すべ(、PDのキャリ
ア発生領域の厚さ1幅をともに大きくし、受光効率がさ
らに向上した埋め込みへテロ構造半導体レーザ・フォト
ダイオード光集積化素子を提供することにある。
ア発生領域の厚さ1幅をともに大きくし、受光効率がさ
らに向上した埋め込みへテロ構造半導体レーザ・フォト
ダイオード光集積化素子を提供することにある。
本発明によれば、活性層の周囲がよりエネルギーギャッ
プが大きく屈折率が小さな半導体材料でおおわれた埋め
込みへテロ構造半導体レーザと、フォトダイオードとが
、同一半導体基板上に集積化された壌め込みへテロ構造
半導体レーザ・フォトダイオード光集積化素子iとおい
て、フォトダイオードのキャリア発生領域のエネルギー
ギャップが埋め込みへテロ構造半導体レーザの活性層の
エネルギーギャップよりも大きくなく、埋め込みへテロ
構造半導体レーザの少なくとも一方の共振器面がエツチ
ング法によって形成され、フォトダイオードがエツチン
グされたレーザ共振器面に相対して配置され、フォトダ
イオードの受光面がエツチングによりて形成され、エツ
チング面に露出したフォトダイオードのキャリア発生領
域が堀め込みへテロ構造半導体レーザの活性層のエツチ
ング共振器面内の部分よりも幅、厚さともに大きいこと
を特徴とする填め込みへテロ構造半導体レーザ・フォト
ダイオード光集積化素子が得られる。
プが大きく屈折率が小さな半導体材料でおおわれた埋め
込みへテロ構造半導体レーザと、フォトダイオードとが
、同一半導体基板上に集積化された壌め込みへテロ構造
半導体レーザ・フォトダイオード光集積化素子iとおい
て、フォトダイオードのキャリア発生領域のエネルギー
ギャップが埋め込みへテロ構造半導体レーザの活性層の
エネルギーギャップよりも大きくなく、埋め込みへテロ
構造半導体レーザの少なくとも一方の共振器面がエツチ
ング法によって形成され、フォトダイオードがエツチン
グされたレーザ共振器面に相対して配置され、フォトダ
イオードの受光面がエツチングによりて形成され、エツ
チング面に露出したフォトダイオードのキャリア発生領
域が堀め込みへテロ構造半導体レーザの活性層のエツチ
ング共振器面内の部分よりも幅、厚さともに大きいこと
を特徴とする填め込みへテロ構造半導体レーザ・フォト
ダイオード光集積化素子が得られる。
以下図面を用いて本発明の詳細な説明する。
第1図は本発明によるBH−LD−PD光集積化素子の
平間図である。BH−LDIQIの一方の共振器面がエ
ツチング法番こより形成されてあり。
平間図である。BH−LDIQIの一方の共振器面がエ
ツチング法番こより形成されてあり。
そのエツチング共振器面105に相対して、この面から
のレーザ出力光をモニタするPD 10!が配置されて
いる。この素子にBH−LDの電極ストライプ103を
通して正のバイアスをかけて電流を流し、レーザ発振さ
せ、FDの電極ストライプ104に外部抵抗を介して負
のバイアスをかけることにより、レーザ出力光をモニタ
することがで會る。
のレーザ出力光をモニタするPD 10!が配置されて
いる。この素子にBH−LDの電極ストライプ103を
通して正のバイアスをかけて電流を流し、レーザ発振さ
せ、FDの電極ストライプ104に外部抵抗を介して負
のバイアスをかけることにより、レーザ出力光をモニタ
することがで會る。
第2図は素子断面図であり、第2図(a)が第1図中人
−太部に示したBH−LDの断面図、第2図(b)が第
1図中B −B’部に示したFDの断面図である。この
ような素子を得る奢ζは2回のLPIi!成長により、
エネルギーギャップの異なるIEIGIAIP層を形成
するDHウェファの製作、メサエッチング、および全体
の埋め込み成長の3つの工程を行なえばよい、エネルギ
ーギャップの異なるInGaAsP層をもつDHウェフ
ァは(100)n−InP基板201上にn−InPバ
ッファ層202、厚さ2μmでPDのキャリア発生領域
となるノンドープInGaAsP層20B、p−InP
クラッド層204を順次積層させた多層膜半導体ウェフ
ァに、BH−LDを形成する範囲で、(011)方向に
平行に、InGaAsP層203よりも深くエツチング
して溝を形成し、その溝に改ためてn−InPバッファ
層205%BH−LDの活性層となる厚さ0.2μmの
InGaA$P活性層206、p−InPクラッド層2
07を順次積層させることによって得られる。なお、こ
こでFDのキャリア発生領域となるl5Ga人sP層意
03はBH−LD側のInGaAaP活性層206より
もエネルギーギャップの小さな結晶組成をとる。このよ
うにして得たDHウェファをIaGaAsP層203.
206よりも深くエツチングしてBH−LD用メサスト
ライプ201m、PD用メサストライプ2(lを形成し
た後、p−InP 電流ブ07り層210、n−ImP
電流電流ブラック層211−InP埋め込み層212、
m−IIIGmAiF電極層213を順次積層させ、電
極展成、共振器面のエツチングを行なって、目的の光集
積化素子が得られる。この際、本願の発明者らが%原昭
55−123261において示したよ5iC12〜3x
mQ度と幅の狭BH−LD側のメサストライプ20g上
蕃こはp−InP電流ブロック層2101およびn−I
nP 電流ブロック層!11は積層しないが、FDのメ
サストライプ2011は幅が50μm@度と広いために
メサ上面にもこれらの層が積層してしまう、したがって
BH−LDの電極用Zn拡散層214はn−InGaA
sP電極層213をつきぬけてp−InPmめ込み層2
12にまで達している必要があり、FDの電極用Zan
拡散層18はn−InP電流ブロック層311をつきぬ
けている必要がある。
−太部に示したBH−LDの断面図、第2図(b)が第
1図中B −B’部に示したFDの断面図である。この
ような素子を得る奢ζは2回のLPIi!成長により、
エネルギーギャップの異なるIEIGIAIP層を形成
するDHウェファの製作、メサエッチング、および全体
の埋め込み成長の3つの工程を行なえばよい、エネルギ
ーギャップの異なるInGaAsP層をもつDHウェフ
ァは(100)n−InP基板201上にn−InPバ
ッファ層202、厚さ2μmでPDのキャリア発生領域
となるノンドープInGaAsP層20B、p−InP
クラッド層204を順次積層させた多層膜半導体ウェフ
ァに、BH−LDを形成する範囲で、(011)方向に
平行に、InGaAsP層203よりも深くエツチング
して溝を形成し、その溝に改ためてn−InPバッファ
層205%BH−LDの活性層となる厚さ0.2μmの
InGaA$P活性層206、p−InPクラッド層2
07を順次積層させることによって得られる。なお、こ
こでFDのキャリア発生領域となるl5Ga人sP層意
03はBH−LD側のInGaAaP活性層206より
もエネルギーギャップの小さな結晶組成をとる。このよ
うにして得たDHウェファをIaGaAsP層203.
206よりも深くエツチングしてBH−LD用メサスト
ライプ201m、PD用メサストライプ2(lを形成し
た後、p−InP 電流ブ07り層210、n−ImP
電流電流ブラック層211−InP埋め込み層212、
m−IIIGmAiF電極層213を順次積層させ、電
極展成、共振器面のエツチングを行なって、目的の光集
積化素子が得られる。この際、本願の発明者らが%原昭
55−123261において示したよ5iC12〜3x
mQ度と幅の狭BH−LD側のメサストライプ20g上
蕃こはp−InP電流ブロック層2101およびn−I
nP 電流ブロック層!11は積層しないが、FDのメ
サストライプ2011は幅が50μm@度と広いために
メサ上面にもこれらの層が積層してしまう、したがって
BH−LDの電極用Zn拡散層214はn−InGaA
sP電極層213をつきぬけてp−InPmめ込み層2
12にまで達している必要があり、FDの電極用Zan
拡散層18はn−InP電流ブロック層311をつきぬ
けている必要がある。
gg図(b)1こ示したようにFDのキャリア発生領域
はBH−LDの発振波長に対応するよりも小さなエネル
ギーギャップをもつ組成のInGaAsP層からなり、
またこの1−の厚さも2μm程度と厚く、PD 102
はBH−LDIOIの活性層206に対して縦横ともに
広がった受光面をもっており、前述の特許出願明細簀に
示した光集積化素子と比べて1、さらにFDの受光効率
が向上した0本発明による光集積化素子において、BH
−LDに正のバイアス電流を流してレーザ発振させ、F
Dに外部抵抗を介して負のバイアス電圧を加えることに
より、LDの出力光を有効にモニタすることができた。
はBH−LDの発振波長に対応するよりも小さなエネル
ギーギャップをもつ組成のInGaAsP層からなり、
またこの1−の厚さも2μm程度と厚く、PD 102
はBH−LDIOIの活性層206に対して縦横ともに
広がった受光面をもっており、前述の特許出願明細簀に
示した光集積化素子と比べて1、さらにFDの受光効率
が向上した0本発明による光集積化素子において、BH
−LDに正のバイアス電流を流してレーザ発振させ、F
Dに外部抵抗を介して負のバイアス電圧を加えることに
より、LDの出力光を有効にモニタすることができた。
なお、本発明の実施例においてはInPを基板とし、I
nGaAsPをBH−LDの活性層、およびFDのキャ
リア発生領域としたが、用いる材料はInP系に限らず
、GaAIA@−GaAs系等の半導体材料であっても
なんらさしつかえない。
nGaAsPをBH−LDの活性層、およびFDのキャ
リア発生領域としたが、用いる材料はInP系に限らず
、GaAIA@−GaAs系等の半導体材料であっても
なんらさしつかえない。
また半導体層のnとpを逆転したものであっても□
かまわない。
本発明の特徴はBH−LDの活性層に比べ、PDのキャ
リア発生領域を縦横ともに大きくシ、さらにFDのキャ
リア発生領域としてBH−LDの活性層よりもエネルギ
ーギャップの大きくない半導体材料を用いたことであり
、したがってPDの受光効率が従来のものよりもさらに
向上した。
リア発生領域を縦横ともに大きくシ、さらにFDのキャ
リア発生領域としてBH−LDの活性層よりもエネルギ
ーギャップの大きくない半導体材料を用いたことであり
、したがってPDの受光効率が従来のものよりもさらに
向上した。
第1図は本発明の実施例の平面図、第2図はその素子断
面図で、第2図(a)はBH−LDの断面図、第2図(
b)はFDの断面図である。 図中、 101・・・・・・BH−LD、102・・・・・・P
D、108゜104・・・・・・電極ストライプ、10
5・・・・・・BH−LDのエツチング共振器面、20
1・・・・・・(100)n−InP基板、202,2
01・m−n−InPバッファ層、20B・・・・・・
PDのInGaAsPキャリア発生領域、204.20
’r・”−p−1nN’クラッド層、206−−−−−
− B H−L DのInGaAsP活性層、208−
・・・・・BH−LDのメサストライプ、209・・・
・・・FDのメサストライプ、210・・・・・・p−
InP電流ブロック層、211−”−mn−InF電流
プO−7り層、212・・−−−−p−InP埋め込み
層、213・・・・・・n−InGaム@P電極層、−
214,215−−−−Z n拡散層、216・・・・
・・p形オーミック性m憔、217・・・・・・口形オ
ーミック性電極である。 第1図 A to!t 5埠2
図(a)
面図で、第2図(a)はBH−LDの断面図、第2図(
b)はFDの断面図である。 図中、 101・・・・・・BH−LD、102・・・・・・P
D、108゜104・・・・・・電極ストライプ、10
5・・・・・・BH−LDのエツチング共振器面、20
1・・・・・・(100)n−InP基板、202,2
01・m−n−InPバッファ層、20B・・・・・・
PDのInGaAsPキャリア発生領域、204.20
’r・”−p−1nN’クラッド層、206−−−−−
− B H−L DのInGaAsP活性層、208−
・・・・・BH−LDのメサストライプ、209・・・
・・・FDのメサストライプ、210・・・・・・p−
InP電流ブロック層、211−”−mn−InF電流
プO−7り層、212・・−−−−p−InP埋め込み
層、213・・・・・・n−InGaム@P電極層、−
214,215−−−−Z n拡散層、216・・・・
・・p形オーミック性m憔、217・・・・・・口形オ
ーミック性電極である。 第1図 A to!t 5埠2
図(a)
Claims (1)
- 活性層の周囲がよりエネルギーギャップが大会(、屈折
率が小さな半導体材料で怠おわれた埋め込みへテロ構造
半導体レーザと、フォトダイオードとが、同−半導体基
板1暑ζ集積化された埋め込みへテロ構造半導体レーザ
・フォトダイオード光集積化素子において、前記フォト
ダイオードのキャリア発生領域のエネルギーギャップが
前記埋め込みへテロ構造半導体レーザの活性層のエネル
ギーギャップよりも大きくなく、前記埋め込みへテロ構
造半導体レーザの少な(とも一方の共振器面がエツチン
グ法によって形成され、前記フォトダイオードがエツチ
ングされたレーザ共振器面に相対して配置され、前記フ
ォトダイオードの受光面がエツチングによって形成され
、エツチング両番こ露出した前記フォトダイオードのキ
ャリア発生領域が、前記埋め込みへテロ構造半導体レー
ザの活性層の前記エツチング共振器面内の部分よりも幅
、厚さともに大きいことを特徴とする光集積化素子。
Priority Applications (2)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP56174323A JPS5875879A (ja) | 1981-10-29 | 1981-10-29 | 光集積化素子 |
US06/408,302 US4470143A (en) | 1981-08-18 | 1982-08-16 | Semiconductor laser having an etched mirror and a narrow stripe width, with an integrated photodetector |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP56174323A JPS5875879A (ja) | 1981-10-29 | 1981-10-29 | 光集積化素子 |
Publications (1)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JPS5875879A true JPS5875879A (ja) | 1983-05-07 |
Family
ID=15976628
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP56174323A Pending JPS5875879A (ja) | 1981-08-18 | 1981-10-29 | 光集積化素子 |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JPS5875879A (ja) |
Cited By (3)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPS6063978A (ja) * | 1983-09-17 | 1985-04-12 | Mitsubishi Electric Corp | 半導体レ−ザ装置 |
JPS6215878A (ja) * | 1985-07-12 | 1987-01-24 | Sharp Corp | 半導体レ−ザ装置 |
JPS6432694A (en) * | 1987-05-09 | 1989-02-02 | Samsung Semiconductor Tele | Manufacture of semiconductor device in which laser diode and photodiode with expanded light receiving plane are unified |
Citations (1)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPS5214393A (en) * | 1975-07-16 | 1977-02-03 | Post Office | Laser and optical detector |
-
1981
- 1981-10-29 JP JP56174323A patent/JPS5875879A/ja active Pending
Patent Citations (1)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPS5214393A (en) * | 1975-07-16 | 1977-02-03 | Post Office | Laser and optical detector |
Cited By (4)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPS6063978A (ja) * | 1983-09-17 | 1985-04-12 | Mitsubishi Electric Corp | 半導体レ−ザ装置 |
JPS6215878A (ja) * | 1985-07-12 | 1987-01-24 | Sharp Corp | 半導体レ−ザ装置 |
JPH0453116B2 (ja) * | 1985-07-12 | 1992-08-25 | Sharp Kk | |
JPS6432694A (en) * | 1987-05-09 | 1989-02-02 | Samsung Semiconductor Tele | Manufacture of semiconductor device in which laser diode and photodiode with expanded light receiving plane are unified |
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