JPS5875879A - 光集積化素子 - Google Patents
光集積化素子Info
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- JPS5875879A JPS5875879A JP56174323A JP17432381A JPS5875879A JP S5875879 A JPS5875879 A JP S5875879A JP 56174323 A JP56174323 A JP 56174323A JP 17432381 A JP17432381 A JP 17432381A JP S5875879 A JPS5875879 A JP S5875879A
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- H01S5/20—Structure or shape of the semiconductor body to guide the optical wave ; Confining structures perpendicular to the optical axis, e.g. index or gain guiding, stripe geometry, broad area lasers, gain tailoring, transverse or lateral reflectors, special cladding structures, MQW barrier reflection layers
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- H01S5/0264—Photo-diodes, e.g. transceiver devices, bidirectional devices for monitoring the laser-output
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- H01S5/2275—Buried mesa structure ; Striped active layer mesa created by etching
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- H01S5/2275—Buried mesa structure ; Striped active layer mesa created by etching
- H01S5/2277—Buried mesa structure ; Striped active layer mesa created by etching double channel planar buried heterostructure [DCPBH] laser
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Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
本発明は光集積化素子に関し、とくに埋め込みへテロ構
造半導体レーザとフォトダイオードとが同一半導体基板
上に集積化された埋め込みへテロ構造半導体レーザ・フ
ォトダイオード光集積化率子に関する。
造半導体レーザとフォトダイオードとが同一半導体基板
上に集積化された埋め込みへテロ構造半導体レーザ・フ
ォトダイオード光集積化率子に関する。
近年光ファイバの伝送損失の値域化、光源である半導体
レーザの高性能化、長寿命化がすすみ。
レーザの高性能化、長寿命化がすすみ。
光フアイバ通信方式の実用化が着実に進められている。
光フアイバ通信用光源等の低コスト化、高生産性をねら
って種々の先手導体素子の集積化が関心の的となりつつ
ある。なかでも光源である半導体レーザ、発光ダイオー
ドとその出力光のモニターとして用いる半導体受光素子
との集積化は重要である。
って種々の先手導体素子の集積化が関心の的となりつつ
ある。なかでも光源である半導体レーザ、発光ダイオー
ドとその出力光のモニターとして用いる半導体受光素子
との集積化は重要である。
、−そのひとつとして本出願人は５６年８Ａ１６日付の
特許出願明細書に示したようなエツチング法を用いた埋
め込みへテロ構造半導体レーザ・フォトダイオード光集
積化素子を提案した。これは埋め込みへテロ構造半導体
レーザ（以下ＢＨ−ＬＤと略す）の一方の共振器面をエ
ツチングによって形成し、それに相対する面をフォトダ
イオード（以下ＰＤと略す）の受光面としたものである
。この素子においてはＰＤのキャリア発生領域のストラ
イプ幅がＢＨ−ＬＤの活性層の幅よりも大きいため受光
効率がよく、またＢＨ−ＬＤの特性が共振器面形成やた
めのエツチングにあまり強く左右されず、したがって製
造歩留りもよいという特徴を有している。
特許出願明細書に示したようなエツチング法を用いた埋
め込みへテロ構造半導体レーザ・フォトダイオード光集
積化素子を提案した。これは埋め込みへテロ構造半導体
レーザ（以下ＢＨ−ＬＤと略す）の一方の共振器面をエ
ツチングによって形成し、それに相対する面をフォトダ
イオード（以下ＰＤと略す）の受光面としたものである
。この素子においてはＰＤのキャリア発生領域のストラ
イプ幅がＢＨ−ＬＤの活性層の幅よりも大きいため受光
効率がよく、またＢＨ−ＬＤの特性が共振器面形成やた
めのエツチングにあまり強く左右されず、したがって製
造歩留りもよいという特徴を有している。
しかしながら上述した光素子においては、ＢＨ−ＬＤの
基板に−直な方向の光の拡がりも大きいため、ＦＤのキ
ャリア発壺領域の幅が広いだけでは、受光効率は必ずし
も十分とはいえない。
基板に−直な方向の光の拡がりも大きいため、ＦＤのキ
ャリア発壺領域の幅が広いだけでは、受光効率は必ずし
も十分とはいえない。
本発明の目的は上記の欠点を除去すべ（、ＰＤのキャリ
ア発生領域の厚さ１幅をともに大きくし、受光効率がさ
らに向上した埋め込みへテロ構造半導体レーザ・フォト
ダイオード光集積化素子を提供することにある。
ア発生領域の厚さ１幅をともに大きくし、受光効率がさ
らに向上した埋め込みへテロ構造半導体レーザ・フォト
ダイオード光集積化素子を提供することにある。
本発明によれば、活性層の周囲がよりエネルギーギャッ
プが大きく屈折率が小さな半導体材料でおおわれた埋め
込みへテロ構造半導体レーザと、フォトダイオードとが
、同一半導体基板上に集積化された壌め込みへテロ構造
半導体レーザ・フォトダイオード光集積化素子ｉとおい
て、フォトダイオードのキャリア発生領域のエネルギー
ギャップが埋め込みへテロ構造半導体レーザの活性層の
エネルギーギャップよりも大きくなく、埋め込みへテロ
構造半導体レーザの少なくとも一方の共振器面がエツチ
ング法によって形成され、フォトダイオードがエツチン
グされたレーザ共振器面に相対して配置され、フォトダ
イオードの受光面がエツチングによりて形成され、エツ
チング面に露出したフォトダイオードのキャリア発生領
域が堀め込みへテロ構造半導体レーザの活性層のエツチ
ング共振器面内の部分よりも幅、厚さともに大きいこと
を特徴とする填め込みへテロ構造半導体レーザ・フォト
ダイオード光集積化素子が得られる。
プが大きく屈折率が小さな半導体材料でおおわれた埋め
込みへテロ構造半導体レーザと、フォトダイオードとが
、同一半導体基板上に集積化された壌め込みへテロ構造
半導体レーザ・フォトダイオード光集積化素子ｉとおい
て、フォトダイオードのキャリア発生領域のエネルギー
ギャップが埋め込みへテロ構造半導体レーザの活性層の
エネルギーギャップよりも大きくなく、埋め込みへテロ
構造半導体レーザの少なくとも一方の共振器面がエツチ
ング法によって形成され、フォトダイオードがエツチン
グされたレーザ共振器面に相対して配置され、フォトダ
イオードの受光面がエツチングによりて形成され、エツ
チング面に露出したフォトダイオードのキャリア発生領
域が堀め込みへテロ構造半導体レーザの活性層のエツチ
ング共振器面内の部分よりも幅、厚さともに大きいこと
を特徴とする填め込みへテロ構造半導体レーザ・フォト
ダイオード光集積化素子が得られる。
以下図面を用いて本発明の詳細な説明する。
第１図は本発明によるＢＨ−ＬＤ−ＰＤ光集積化素子の
平間図である。ＢＨ−ＬＤＩＱＩの一方の共振器面がエ
ツチング法番こより形成されてあり。
平間図である。ＢＨ−ＬＤＩＱＩの一方の共振器面がエ
ツチング法番こより形成されてあり。
そのエツチング共振器面１０５に相対して、この面から
のレーザ出力光をモニタするＰＤ １０！が配置されて
いる。この素子にＢＨ−ＬＤの電極ストライプ１０３を
通して正のバイアスをかけて電流を流し、レーザ発振さ
せ、ＦＤの電極ストライプ１０４に外部抵抗を介して負
のバイアスをかけることにより、レーザ出力光をモニタ
することがで會る。
のレーザ出力光をモニタするＰＤ １０！が配置されて
いる。この素子にＢＨ−ＬＤの電極ストライプ１０３を
通して正のバイアスをかけて電流を流し、レーザ発振さ
せ、ＦＤの電極ストライプ１０４に外部抵抗を介して負
のバイアスをかけることにより、レーザ出力光をモニタ
することがで會る。
第２図は素子断面図であり、第２図（ａ）が第１図中人
−太部に示したＢＨ−ＬＤの断面図、第２図（ｂ）が第
１図中Ｂ −Ｂ’部に示したＦＤの断面図である。この
ような素子を得る奢ζは２回のＬＰＩｉ！成長により、
エネルギーギャップの異なるＩＥＩＧＩＡＩＰ層を形成
するＤＨウェファの製作、メサエッチング、および全体
の埋め込み成長の３つの工程を行なえばよい、エネルギ
ーギャップの異なるＩｎＧａＡｓＰ層をもつＤＨウェフ
ァは（１００）ｎ−ＩｎＰ基板２０１上にｎ−ＩｎＰバ
ッファ層２０２、厚さ２μｍでＰＤのキャリア発生領域
となるノンドープＩｎＧａＡｓＰ層２０Ｂ、ｐ−ＩｎＰ
クラッド層２０４を順次積層させた多層膜半導体ウェフ
ァに、ＢＨ−ＬＤを形成する範囲で、（０１１）方向に
平行に、ＩｎＧａＡｓＰ層２０３よりも深くエツチング
して溝を形成し、その溝に改ためてｎ−ＩｎＰバッファ
層２０５％ＢＨ−ＬＤの活性層となる厚さ０．２μｍの
ＩｎＧａＡ＄Ｐ活性層２０６、ｐ−ＩｎＰクラッド層２
０７を順次積層させることによって得られる。なお、こ
こでＦＤのキャリア発生領域となるｌ５Ｇａ人ｓＰ層意
０３はＢＨ−ＬＤ側のＩｎＧａＡａＰ活性層２０６より
もエネルギーギャップの小さな結晶組成をとる。このよ
うにして得たＤＨウェファをＩａＧａＡｓＰ層２０３．
２０６よりも深くエツチングしてＢＨ−ＬＤ用メサスト
ライプ２０１ｍ、ＰＤ用メサストライプ２（ｌを形成し
た後、ｐ−ＩｎＰ 電流ブ０７り層２１０、ｎ−ＩｍＰ
電流電流ブラック層２１１−ＩｎＰ埋め込み層２１２、
ｍ−ＩＩＩＧｍＡｉＦ電極層２１３を順次積層させ、電
極展成、共振器面のエツチングを行なって、目的の光集
積化素子が得られる。この際、本願の発明者らが％原昭
５５−１２３２６１において示したよ５ｉＣ１２〜３ｘ
ｍＱ度と幅の狭ＢＨ−ＬＤ側のメサストライプ２０ｇ上
蕃こはｐ−ＩｎＰ電流ブロック層２１０１およびｎ−Ｉ
ｎＰ 電流ブロック層！１１は積層しないが、ＦＤのメ
サストライプ２０１１は幅が５０μｍ＠度と広いために
メサ上面にもこれらの層が積層してしまう、したがって
ＢＨ−ＬＤの電極用Ｚｎ拡散層２１４はｎ−ＩｎＧａＡ
ｓＰ電極層２１３をつきぬけてｐ−ＩｎＰｍめ込み層２
１２にまで達している必要があり、ＦＤの電極用Ｚａｎ
拡散層１８はｎ−ＩｎＰ電流ブロック層３１１をつきぬ
けている必要がある。
−太部に示したＢＨ−ＬＤの断面図、第２図（ｂ）が第
１図中Ｂ −Ｂ’部に示したＦＤの断面図である。この
ような素子を得る奢ζは２回のＬＰＩｉ！成長により、
エネルギーギャップの異なるＩＥＩＧＩＡＩＰ層を形成
するＤＨウェファの製作、メサエッチング、および全体
の埋め込み成長の３つの工程を行なえばよい、エネルギ
ーギャップの異なるＩｎＧａＡｓＰ層をもつＤＨウェフ
ァは（１００）ｎ−ＩｎＰ基板２０１上にｎ−ＩｎＰバ
ッファ層２０２、厚さ２μｍでＰＤのキャリア発生領域
となるノンドープＩｎＧａＡｓＰ層２０Ｂ、ｐ−ＩｎＰ
クラッド層２０４を順次積層させた多層膜半導体ウェフ
ァに、ＢＨ−ＬＤを形成する範囲で、（０１１）方向に
平行に、ＩｎＧａＡｓＰ層２０３よりも深くエツチング
して溝を形成し、その溝に改ためてｎ−ＩｎＰバッファ
層２０５％ＢＨ−ＬＤの活性層となる厚さ０．２μｍの
ＩｎＧａＡ＄Ｐ活性層２０６、ｐ−ＩｎＰクラッド層２
０７を順次積層させることによって得られる。なお、こ
こでＦＤのキャリア発生領域となるｌ５Ｇａ人ｓＰ層意
０３はＢＨ−ＬＤ側のＩｎＧａＡａＰ活性層２０６より
もエネルギーギャップの小さな結晶組成をとる。このよ
うにして得たＤＨウェファをＩａＧａＡｓＰ層２０３．
２０６よりも深くエツチングしてＢＨ−ＬＤ用メサスト
ライプ２０１ｍ、ＰＤ用メサストライプ２（ｌを形成し
た後、ｐ−ＩｎＰ 電流ブ０７り層２１０、ｎ−ＩｍＰ
電流電流ブラック層２１１−ＩｎＰ埋め込み層２１２、
ｍ−ＩＩＩＧｍＡｉＦ電極層２１３を順次積層させ、電
極展成、共振器面のエツチングを行なって、目的の光集
積化素子が得られる。この際、本願の発明者らが％原昭
５５−１２３２６１において示したよ５ｉＣ１２〜３ｘ
ｍＱ度と幅の狭ＢＨ−ＬＤ側のメサストライプ２０ｇ上
蕃こはｐ−ＩｎＰ電流ブロック層２１０１およびｎ−Ｉ
ｎＰ 電流ブロック層！１１は積層しないが、ＦＤのメ
サストライプ２０１１は幅が５０μｍ＠度と広いために
メサ上面にもこれらの層が積層してしまう、したがって
ＢＨ−ＬＤの電極用Ｚｎ拡散層２１４はｎ−ＩｎＧａＡ
ｓＰ電極層２１３をつきぬけてｐ−ＩｎＰｍめ込み層２
１２にまで達している必要があり、ＦＤの電極用Ｚａｎ
拡散層１８はｎ−ＩｎＰ電流ブロック層３１１をつきぬ
けている必要がある。
ｇｇ図（ｂ）１こ示したようにＦＤのキャリア発生領域
はＢＨ−ＬＤの発振波長に対応するよりも小さなエネル
ギーギャップをもつ組成のＩｎＧａＡｓＰ層からなり、
またこの１−の厚さも２μｍ程度と厚く、ＰＤ １０２
はＢＨ−ＬＤＩＯＩの活性層２０６に対して縦横ともに
広がった受光面をもっており、前述の特許出願明細簀に
示した光集積化素子と比べて１、さらにＦＤの受光効率
が向上した０本発明による光集積化素子において、ＢＨ
−ＬＤに正のバイアス電流を流してレーザ発振させ、Ｆ
Ｄに外部抵抗を介して負のバイアス電圧を加えることに
より、ＬＤの出力光を有効にモニタすることができた。
はＢＨ−ＬＤの発振波長に対応するよりも小さなエネル
ギーギャップをもつ組成のＩｎＧａＡｓＰ層からなり、
またこの１−の厚さも２μｍ程度と厚く、ＰＤ １０２
はＢＨ−ＬＤＩＯＩの活性層２０６に対して縦横ともに
広がった受光面をもっており、前述の特許出願明細簀に
示した光集積化素子と比べて１、さらにＦＤの受光効率
が向上した０本発明による光集積化素子において、ＢＨ
−ＬＤに正のバイアス電流を流してレーザ発振させ、Ｆ
Ｄに外部抵抗を介して負のバイアス電圧を加えることに
より、ＬＤの出力光を有効にモニタすることができた。
なお、本発明の実施例においてはＩｎＰを基板とし、Ｉ
ｎＧａＡｓＰをＢＨ−ＬＤの活性層、およびＦＤのキャ
リア発生領域としたが、用いる材料はＩｎＰ系に限らず
、ＧａＡＩＡ＠−ＧａＡｓ系等の半導体材料であっても
なんらさしつかえない。
ｎＧａＡｓＰをＢＨ−ＬＤの活性層、およびＦＤのキャ
リア発生領域としたが、用いる材料はＩｎＰ系に限らず
、ＧａＡＩＡ＠−ＧａＡｓ系等の半導体材料であっても
なんらさしつかえない。
また半導体層のｎとｐを逆転したものであっても□
かまわない。
本発明の特徴はＢＨ−ＬＤの活性層に比べ、ＰＤのキャ
リア発生領域を縦横ともに大きくシ、さらにＦＤのキャ
リア発生領域としてＢＨ−ＬＤの活性層よりもエネルギ
ーギャップの大きくない半導体材料を用いたことであり
、したがってＰＤの受光効率が従来のものよりもさらに
向上した。
リア発生領域を縦横ともに大きくシ、さらにＦＤのキャ
リア発生領域としてＢＨ−ＬＤの活性層よりもエネルギ
ーギャップの大きくない半導体材料を用いたことであり
、したがってＰＤの受光効率が従来のものよりもさらに
向上した。
第１図は本発明の実施例の平面図、第２図はその素子断
面図で、第２図（ａ）はＢＨ−ＬＤの断面図、第２図（
ｂ）はＦＤの断面図である。 図中、 １０１・・・・・・ＢＨ−ＬＤ、１０２・・・・・・Ｐ
Ｄ、１０８゜１０４・・・・・・電極ストライプ、１０
５・・・・・・ＢＨ−ＬＤのエツチング共振器面、２０
１・・・・・・（１００）ｎ−ＩｎＰ基板、２０２，２
０１・ｍ−ｎ−ＩｎＰバッファ層、２０Ｂ・・・・・・
ＰＤのＩｎＧａＡｓＰキャリア発生領域、２０４．２０
’ｒ・”−ｐ−１ｎＮ’クラッド層、２０６−−−−−
− Ｂ Ｈ−Ｌ ＤのＩｎＧａＡｓＰ活性層、２０８−
・・・・・ＢＨ−ＬＤのメサストライプ、２０９・・・
・・・ＦＤのメサストライプ、２１０・・・・・・ｐ−
ＩｎＰ電流ブロック層、２１１−”−ｍｎ−ＩｎＦ電流
プＯ−７り層、２１２・・−−−−ｐ−ＩｎＰ埋め込み
層、２１３・・・・・・ｎ−ＩｎＧａム＠Ｐ電極層、−
２１４，２１５−−−−Ｚ ｎ拡散層、２１６・・・・
・・ｐ形オーミック性ｍ憔、２１７・・・・・・口形オ
ーミック性電極である。 第１図 Ａ ｔｏ！ｔ ５埠２
図（ａ）
面図で、第２図（ａ）はＢＨ−ＬＤの断面図、第２図（
ｂ）はＦＤの断面図である。 図中、 １０１・・・・・・ＢＨ−ＬＤ、１０２・・・・・・Ｐ
Ｄ、１０８゜１０４・・・・・・電極ストライプ、１０
５・・・・・・ＢＨ−ＬＤのエツチング共振器面、２０
１・・・・・・（１００）ｎ−ＩｎＰ基板、２０２，２
０１・ｍ−ｎ−ＩｎＰバッファ層、２０Ｂ・・・・・・
ＰＤのＩｎＧａＡｓＰキャリア発生領域、２０４．２０
’ｒ・”−ｐ−１ｎＮ’クラッド層、２０６−−−−−
− Ｂ Ｈ−Ｌ ＤのＩｎＧａＡｓＰ活性層、２０８−
・・・・・ＢＨ−ＬＤのメサストライプ、２０９・・・
・・・ＦＤのメサストライプ、２１０・・・・・・ｐ−
ＩｎＰ電流ブロック層、２１１−”−ｍｎ−ＩｎＦ電流
プＯ−７り層、２１２・・−−−−ｐ−ＩｎＰ埋め込み
層、２１３・・・・・・ｎ−ＩｎＧａム＠Ｐ電極層、−
２１４，２１５−−−−Ｚ ｎ拡散層、２１６・・・・
・・ｐ形オーミック性ｍ憔、２１７・・・・・・口形オ
ーミック性電極である。 第１図 Ａ ｔｏ！ｔ ５埠２
図（ａ）
Claims (1)
- 活性層の周囲がよりエネルギーギャップが大会（、屈折
率が小さな半導体材料で怠おわれた埋め込みへテロ構造
半導体レーザと、フォトダイオードとが、同−半導体基
板１暑ζ集積化された埋め込みへテロ構造半導体レーザ
・フォトダイオード光集積化素子において、前記フォト
ダイオードのキャリア発生領域のエネルギーギャップが
前記埋め込みへテロ構造半導体レーザの活性層のエネル
ギーギャップよりも大きくなく、前記埋め込みへテロ構
造半導体レーザの少な（とも一方の共振器面がエツチン
グ法によって形成され、前記フォトダイオードがエツチ
ングされたレーザ共振器面に相対して配置され、前記フ
ォトダイオードの受光面がエツチングによって形成され
、エツチング両番こ露出した前記フォトダイオードのキ
ャリア発生領域が、前記埋め込みへテロ構造半導体レー
ザの活性層の前記エツチング共振器面内の部分よりも幅
、厚さともに大きいことを特徴とする光集積化素子。
Priority Applications (2)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP56174323A JPS5875879A (ja) | 1981-10-29 | 1981-10-29 | 光集積化素子 |
| US06/408,302 US4470143A (en) | 1981-08-18 | 1982-08-16 | Semiconductor laser having an etched mirror and a narrow stripe width, with an integrated photodetector |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP56174323A JPS5875879A (ja) | 1981-10-29 | 1981-10-29 | 光集積化素子 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS5875879A true JPS5875879A (ja) | 1983-05-07 |
Family
ID=15976628
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP56174323A Pending JPS5875879A (ja) | 1981-08-18 | 1981-10-29 | 光集積化素子 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS5875879A (ja) |
Cited By (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS6063978A (ja) * | 1983-09-17 | 1985-04-12 | Mitsubishi Electric Corp | 半導体レ−ザ装置 |
| JPS6215878A (ja) * | 1985-07-12 | 1987-01-24 | Sharp Corp | 半導体レ−ザ装置 |
| JPS6432694A (en) * | 1987-05-09 | 1989-02-02 | Samsung Semiconductor Tele | Manufacture of semiconductor device in which laser diode and photodiode with expanded light receiving plane are unified |
Citations (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS5214393A (en) * | 1975-07-16 | 1977-02-03 | Post Office | Laser and optical detector |
-
1981
- 1981-10-29 JP JP56174323A patent/JPS5875879A/ja active Pending
Patent Citations (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS5214393A (en) * | 1975-07-16 | 1977-02-03 | Post Office | Laser and optical detector |
Cited By (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS6063978A (ja) * | 1983-09-17 | 1985-04-12 | Mitsubishi Electric Corp | 半導体レ−ザ装置 |
| JPS6215878A (ja) * | 1985-07-12 | 1987-01-24 | Sharp Corp | 半導体レ−ザ装置 |
| JPH0453116B2 (ja) * | 1985-07-12 | 1992-08-25 | Sharp Kk | |
| JPS6432694A (en) * | 1987-05-09 | 1989-02-02 | Samsung Semiconductor Tele | Manufacture of semiconductor device in which laser diode and photodiode with expanded light receiving plane are unified |
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