JPS5966168A - 半導体装置の製法 - Google Patents
半導体装置の製法Info
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- JPS5966168A JPS5966168A JP17706382A JP17706382A JPS5966168A JP S5966168 A JPS5966168 A JP S5966168A JP 17706382 A JP17706382 A JP 17706382A JP 17706382 A JP17706382 A JP 17706382A JP S5966168 A JPS5966168 A JP S5966168A
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Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L29/00—Semiconductor devices specially adapted for rectifying, amplifying, oscillating or switching and having potential barriers; Capacitors or resistors having potential barriers, e.g. a PN-junction depletion layer or carrier concentration layer; Details of semiconductor bodies or of electrodes thereof ; Multistep manufacturing processes therefor
- H01L29/66—Types of semiconductor device ; Multistep manufacturing processes therefor
- H01L29/68—Types of semiconductor device ; Multistep manufacturing processes therefor controllable by only the electric current supplied, or only the electric potential applied, to an electrode which does not carry the current to be rectified, amplified or switched
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- H01L29/72—Transistor-type devices, i.e. able to continuously respond to applied control signals
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Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
本発明は半導体装置、特に高周波低雑音トランジスタの
製造方法に関するものである。
製造方法に関するものである。
高周波低雑音トランジスタを得るｔめには、ベース抵抗
による熱雑音を可能な限り低減しなければならない。従
って、第１図に示す様にコレクタ領域１内にベース領域
及びエミッタ領域４を有し。
による熱雑音を可能な限り低減しなければならない。従
って、第１図に示す様にコレクタ領域１内にベース領域
及びエミッタ領域４を有し。
このベース領域として活性部２と高濃度のコンタクト部
３とを有する構造のトランジスタにおいては、エミッタ
４と高濃度のコンタクト部３とをできる限り接近させて
活性部２の占める領ｂｌｌ！ｔ−せまくしてベース抵抗
を下げていた。ベース引出し電極６およびエミッタ引出
し電極７は夫々絶縁膜５にコンタクト孔を開けてアルミ
ニウム等を被着することにより形成していた。しかしエ
ミッタ４とベースの高濃度コンタクト部３とは別々の工
程で窓あけを行ない１不純物を導入して形成してい友た
め１これらを接近させることはマスク合せ上非常に困難
であった。そのためベース抵抗の低減に自ずと限界が生
じ、熱雑音の低下が困難であった。
３とを有する構造のトランジスタにおいては、エミッタ
４と高濃度のコンタクト部３とをできる限り接近させて
活性部２の占める領ｂｌｌ！ｔ−せまくしてベース抵抗
を下げていた。ベース引出し電極６およびエミッタ引出
し電極７は夫々絶縁膜５にコンタクト孔を開けてアルミ
ニウム等を被着することにより形成していた。しかしエ
ミッタ４とベースの高濃度コンタクト部３とは別々の工
程で窓あけを行ない１不純物を導入して形成してい友た
め１これらを接近させることはマスク合せ上非常に困難
であった。そのためベース抵抗の低減に自ずと限界が生
じ、熱雑音の低下が困難であった。
本発明の目的は１従来以上にベース抵抗全低下させるこ
とができる半導体装置の製法を提供することにある。
とができる半導体装置の製法を提供することにある。
本発明による半導体装置の製造方法は、ベース上に形成
された絶縁膜に対してエミッタ及びべ−スコツタクト窓
を同時に設け、写真食刻法を用いてエミツタ窓近傍に不
純物がドープされた多結晶シリコン膜を形成し、その時
に用いたフオトレジスＩｆマスクとして前記絶縁膜を通
して不純物全導入して高濃度ベースコンタクト部全形成
し、その後熱処理により多結晶シリコン膜から不純物全
拡散させてエミッタを形成するようにしたものである。
された絶縁膜に対してエミッタ及びべ−スコツタクト窓
を同時に設け、写真食刻法を用いてエミツタ窓近傍に不
純物がドープされた多結晶シリコン膜を形成し、その時
に用いたフオトレジスＩｆマスクとして前記絶縁膜を通
して不純物全導入して高濃度ベースコンタクト部全形成
し、その後熱処理により多結晶シリコン膜から不純物全
拡散させてエミッタを形成するようにしたものである。
Ｃの結果、ベースコンタクト部とエミッタと全近接させ
ることができ、ベース抵抗金犬幅に低下せしめて低雑音
比を計ることができる。
ることができ、ベース抵抗金犬幅に低下せしめて低雑音
比を計ることができる。
以下本発明の一実施例を図面を用いて説明するっなお、
ＮＰＮトランジスタを例とする。
ＮＰＮトランジスタを例とする。
まず第２図ａに示す様に１基板内もしくはエピタキシャ
ル成長層内に形成さｎたＮ型コレクタ領域１上に、写真
食刻法でベース形成用窓を設け、イオン注入法もしくは
熱拡散法等でＰ型ベース層２全形ＦＭ、Ｔる。その後薄
い絶縁膜を形成する。この場合、熱酸１ヒで５００Ａ程
度の酸ｆヒ膜５をペースＲ２の上に一面に形成する。な
おここでこの酸比膜５を形成した後、こｔ′Ｌを通して
イオン注入等によりベース層２を形成してもよい。次に
第２図すのごとく気相成長法等によ！Ｉｌｌ １０００
〜ｚｏｏｏＸ程度のシリコン窒化膜８を全面に形成する
。その後、第２図Ｃに示す様に、フォトレジストヲマス
クとしてドライエツチング等によ、！７、エミツタ窓９
及びベースコンタクト窓１０を同時に形成する。
ル成長層内に形成さｎたＮ型コレクタ領域１上に、写真
食刻法でベース形成用窓を設け、イオン注入法もしくは
熱拡散法等でＰ型ベース層２全形ＦＭ、Ｔる。その後薄
い絶縁膜を形成する。この場合、熱酸１ヒで５００Ａ程
度の酸ｆヒ膜５をペースＲ２の上に一面に形成する。な
おここでこの酸比膜５を形成した後、こｔ′Ｌを通して
イオン注入等によりベース層２を形成してもよい。次に
第２図すのごとく気相成長法等によ！Ｉｌｌ １０００
〜ｚｏｏｏＸ程度のシリコン窒化膜８を全面に形成する
。その後、第２図Ｃに示す様に、フォトレジストヲマス
クとしてドライエツチング等によ、！７、エミツタ窓９
及びベースコンタクト窓１０を同時に形成する。
次に第２図ｄのごとくヒ素もしくはリン等のＮ型不純物
金含んだ多結晶シリコン１１を全面に形成する。次に写
真食刻法により第２図ｅの様にエミツタ窓およびその近
傍のみを残して前記多結晶シリコン１１を取り除く。こ
の時フォトレジスト１２はそのまま残しておく。次に第
２図ｆの様に。
金含んだ多結晶シリコン１１を全面に形成する。次に写
真食刻法により第２図ｅの様にエミツタ窓およびその近
傍のみを残して前記多結晶シリコン１１を取り除く。こ
の時フォトレジスト１２はそのまま残しておく。次に第
２図ｆの様に。
残しておいたフォトレジスト１２をマスクトシて。
イオン注入法によりホウ素等のＰ型不純物をシリコン窒
〔ヒ膜８及び酸（ヒ膜５全通して導入して高濃度ベース
コンタクト領域３を形成する。これはフォトレジスト１
２の膜厚を適当な厚さ１例えば１μｍ以上に選び、イオ
ン注入エネルギーを例えば１００ＫｅＶ程度に選ぶこと
により可能である。その後フォトレジスト１２を取り除
”！、９５０℃〜１１００“０８度の熱処理により不純
物ドープ多結晶シリコン層１１から不純物を拡散して、
第２図ｇのごとくエミツタ層４を形成する。この時同時
に前記イオン注入により形成した高濃度ベースコンタク
ト領域３の活性化が行なわれる。最後に第２図ｇの様に
アルミニウム等を用いてエミッタ引出し電極７及びベー
ス引出し電極６を形成する。
〔ヒ膜８及び酸（ヒ膜５全通して導入して高濃度ベース
コンタクト領域３を形成する。これはフォトレジスト１
２の膜厚を適当な厚さ１例えば１μｍ以上に選び、イオ
ン注入エネルギーを例えば１００ＫｅＶ程度に選ぶこと
により可能である。その後フォトレジスト１２を取り除
”！、９５０℃〜１１００“０８度の熱処理により不純
物ドープ多結晶シリコン層１１から不純物を拡散して、
第２図ｇのごとくエミツタ層４を形成する。この時同時
に前記イオン注入により形成した高濃度ベースコンタク
ト領域３の活性化が行なわれる。最後に第２図ｇの様に
アルミニウム等を用いてエミッタ引出し電極７及びベー
ス引出し電極６を形成する。
本発明により製造されたトランジスタはベースおよびエ
ミッタの窓あけ？同時に行なっているので、第２図ｇに
示す様にエミッタ４と亮＠度べ一スコンメクト領域３と
の距離を非常に短く形成することができる。さらに、エ
ミツタ層形成時の熱処理によって菌濃度ベースコンタク
ト窓切１が更に活性部側へ延びるので１両者の距離はよ
り短縮される。
ミッタの窓あけ？同時に行なっているので、第２図ｇに
示す様にエミッタ４と亮＠度べ一スコンメクト領域３と
の距離を非常に短く形成することができる。さらに、エ
ミツタ層形成時の熱処理によって菌濃度ベースコンタク
ト窓切１が更に活性部側へ延びるので１両者の距離はよ
り短縮される。
また、高濃度ベースコンタクト領域３が不純物ドープ多
結晶シリコン１１に対してセルフアラインメントで形成
できるため、従来法に比べて製造工程も短縮できる。
結晶シリコン１１に対してセルフアラインメントで形成
できるため、従来法に比べて製造工程も短縮できる。
なお、第２図ｅで多結晶シリコン１１のエツチングを７
オトレジスト１２をマスクとして行なったが、多結晶シ
リコン上に酸化膜を形成してお＠。
オトレジスト１２をマスクとして行なったが、多結晶シ
リコン上に酸化膜を形成してお＠。
この酸［ヒ膜を前記フォトレジスト１２でエツチングし
、一方前記多結晶シリコンは酸化膜及びフォトレジスト
をマスクとしてエツチングしてもよい。
、一方前記多結晶シリコンは酸化膜及びフォトレジスト
をマスクとしてエツチングしてもよい。
またここでは、ＮＰＮ型トランジスタについて説明ｃｊ
ｊが、ＰＮＰ型トランジスタについても同様に本発明は
適用可能である。
ｊが、ＰＮＰ型トランジスタについても同様に本発明は
適用可能である。
更に、従来の構造のトランジスタは１工ミツターベース
接合金酸化膜のみによっておおっているため、プラスチ
ックパッケージ等に実装した場合多ｉ昆の環境下におい
てナトリウムイオン等がトランジスタ異面にはＣばれ、
その遮ヘイ効果のほとんどない酸化膜中に容易に侵入す
るため、これがエミッメーベース接合付近に影響して再
結合電流の増加等によるトランジスタのｈＦｇの低下等
悪影響全米していた。しかしながら２本実施例ではエミ
ッターベース接合ｉＮａイオン等に対して阻止能力の大
きいシリコン窒化膜及び多結晶シリコンでおおうことで
、プラスチックパッケージ等に実装して多湿下で使用さ
れた場合でも、ｈＦＥの低下’に’！ｌ：ｉＬにくいト
ランジスタとなる。即ち、第２図ｇに示す様に、エミッ
ターベース接合は薄い酸比膜５を介してシリコン窒１ヒ
膜８及び不純物ドープ多結晶シリコン層１１により完全
におおわれているため、トランジスタ表面にナトリウム
イオン等が付着しても上記膜で阻止されて接置付近には
悪影響を及ぼさない。またシリコン窒［ヒ膜を用いたこ
とにより、熱膨張等機械的なひずみによるベース表面へ
の影響は、窒ｆヒ膜−ベース表面の間に薄い酸比膜を介
することにより緩オロされている。
接合金酸化膜のみによっておおっているため、プラスチ
ックパッケージ等に実装した場合多ｉ昆の環境下におい
てナトリウムイオン等がトランジスタ異面にはＣばれ、
その遮ヘイ効果のほとんどない酸化膜中に容易に侵入す
るため、これがエミッメーベース接合付近に影響して再
結合電流の増加等によるトランジスタのｈＦｇの低下等
悪影響全米していた。しかしながら２本実施例ではエミ
ッターベース接合ｉＮａイオン等に対して阻止能力の大
きいシリコン窒化膜及び多結晶シリコンでおおうことで
、プラスチックパッケージ等に実装して多湿下で使用さ
れた場合でも、ｈＦＥの低下’に’！ｌ：ｉＬにくいト
ランジスタとなる。即ち、第２図ｇに示す様に、エミッ
ターベース接合は薄い酸比膜５を介してシリコン窒１ヒ
膜８及び不純物ドープ多結晶シリコン層１１により完全
におおわれているため、トランジスタ表面にナトリウム
イオン等が付着しても上記膜で阻止されて接置付近には
悪影響を及ぼさない。またシリコン窒［ヒ膜を用いたこ
とにより、熱膨張等機械的なひずみによるベース表面へ
の影響は、窒ｆヒ膜−ベース表面の間に薄い酸比膜を介
することにより緩オロされている。
第１図は低雑音トランジスタの断面図、第２図ａ乃至ｇ
は本発明の一実施例によるトランジスタ製造方法の各工
程に於ける断面図である。 １・・・・・・コレクタ領域、２・・・・・・ベース層
、３・・・・・・高濃Ｗベースコンタクト領域、４・・
・・・・エミッタ。 ５・・・・・・酸比膜、６・・・・・・ベース引出し電
極、７・・印・エミッタ引出し電極、８・・・・・・シ
リコン窒ｒヒ膜、９・・・・・・エミッタ窓、１０・・
・・・・ベースコンタクト窓、１１・・・・・・不純物
ドープ多結晶シリコン、１２・・・・・・フォトレジス
ト。 第２図 、ζ ／ ／ ２ と ３ ２ ３
は本発明の一実施例によるトランジスタ製造方法の各工
程に於ける断面図である。 １・・・・・・コレクタ領域、２・・・・・・ベース層
、３・・・・・・高濃Ｗベースコンタクト領域、４・・
・・・・エミッタ。 ５・・・・・・酸比膜、６・・・・・・ベース引出し電
極、７・・印・エミッタ引出し電極、８・・・・・・シ
リコン窒ｒヒ膜、９・・・・・・エミッタ窓、１０・・
・・・・ベースコンタクト窓、１１・・・・・・不純物
ドープ多結晶シリコン、１２・・・・・・フォトレジス
ト。 第２図 、ζ ／ ／ ２ と ３ ２ ３
Claims (1)
- ベース領域上に設けた絶縁膜に対してそのベースコンタ
クトおよびエミッタに相当する部分全同時に開孔し、エ
ミツタ窓及びその付近に不純物を含む多結晶シリコン層
を形成した後、前記ベースコンタクト部に高濃度不純物
を導入し、その後熱処理によって前記多結晶シリコンか
ら不純物を拡散してエミッタ領域を形５３４７″ること
を特徴とする半導体装置の製法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP17706382A JPS5966168A (ja) | 1982-10-08 | 1982-10-08 | 半導体装置の製法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP17706382A JPS5966168A (ja) | 1982-10-08 | 1982-10-08 | 半導体装置の製法 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS5966168A true JPS5966168A (ja) | 1984-04-14 |
Family
ID=16024465
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP17706382A Pending JPS5966168A (ja) | 1982-10-08 | 1982-10-08 | 半導体装置の製法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS5966168A (ja) |
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH02110936A (ja) * | 1988-10-19 | 1990-04-24 | Sanyo Electric Co Ltd | 高周波半導体装置とその製造方法 |
| JPH02126644A (ja) * | 1988-11-07 | 1990-05-15 | Sanyo Electric Co Ltd | 高周波半導体装置の製造方法 |
-
1982
- 1982-10-08 JP JP17706382A patent/JPS5966168A/ja active Pending
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH02110936A (ja) * | 1988-10-19 | 1990-04-24 | Sanyo Electric Co Ltd | 高周波半導体装置とその製造方法 |
| JPH02126644A (ja) * | 1988-11-07 | 1990-05-15 | Sanyo Electric Co Ltd | 高周波半導体装置の製造方法 |
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