JPH05235009A - 半導体集積回路装置の製造方法 - Google Patents
半導体集積回路装置の製造方法Info
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Abstract
(57)【要約】
【目的】ＮＰＮバイポーラトランジスタのベースコンタ
クト上の酸化膜を除去し、ＮＰＮバイポーラトランジス
タのＶF 特性，Ｓ21e 特性のバラツキを抑える事を目的
とする。 【構成】ＮＰＮバイポーラトランジスタにおいて、Ｐ+
型ベースコンタクト領域１２と、ベース電極１５ａとの
間の酸化膜が熱酸化又は酸素イオン注入により取り除か
れている。
クト上の酸化膜を除去し、ＮＰＮバイポーラトランジス
タのＶF 特性，Ｓ21e 特性のバラツキを抑える事を目的
とする。 【構成】ＮＰＮバイポーラトランジスタにおいて、Ｐ+
型ベースコンタクト領域１２と、ベース電極１５ａとの
間の酸化膜が熱酸化又は酸素イオン注入により取り除か
れている。
Description
【０００１】
【産業上の利用分野】本発明は半導体集積回路装置に関
し、特にＮＰＮ型バイポーラトランジスタを少なくとも
有する半導体集積回路装置に関する。
し、特にＮＰＮ型バイポーラトランジスタを少なくとも
有する半導体集積回路装置に関する。
【０００２】
【従来の技術】従来の技術としてＮＰＮ型バイポーラト
ランジスタの製造方法を一例として示す。まず図５Ａに
示す如く、半導体基板１上にＮ+ 型埋込層２を写真食刻
法を用いた後、熱拡散法やイオン注入法等を用いて形成
する。その後Ｎ型エピタキシャル層３を成長する。
ランジスタの製造方法を一例として示す。まず図５Ａに
示す如く、半導体基板１上にＮ+ 型埋込層２を写真食刻
法を用いた後、熱拡散法やイオン注入法等を用いて形成
する。その後Ｎ型エピタキシャル層３を成長する。
【０００３】次に図５Ｂに示す如く、第１のＰ型半導体
領域を写真食刻法を用いた後、熱拡散法やイオン注入法
等を用いて形成し、トランジスタ領域に窒化膜等の絶縁
膜を写真食刻法とエッチングにより選択的に残した後、
加圧酸化によりフィールド酸化膜５を形成する。その後
イオン注入に対するマスク材、例えばフォトレジストに
写真食刻法を用いてコレクタ領域を開孔した後、イオン
注入法を用いてＮ型となる不純物を注入してＮ+ 型引出
層６を形成する。同様にしてフォトレジストに写真食刻
法を用いてベース領域を開孔した後、浅い接合を形成す
るために低加速のイオン注入法を用いてＰ+ 型ベース層
７を形成する。
領域を写真食刻法を用いた後、熱拡散法やイオン注入法
等を用いて形成し、トランジスタ領域に窒化膜等の絶縁
膜を写真食刻法とエッチングにより選択的に残した後、
加圧酸化によりフィールド酸化膜５を形成する。その後
イオン注入に対するマスク材、例えばフォトレジストに
写真食刻法を用いてコレクタ領域を開孔した後、イオン
注入法を用いてＮ型となる不純物を注入してＮ+ 型引出
層６を形成する。同様にしてフォトレジストに写真食刻
法を用いてベース領域を開孔した後、浅い接合を形成す
るために低加速のイオン注入法を用いてＰ+ 型ベース層
７を形成する。
【０００４】次に図５Ｃに示す如く、フィールド酸化膜
５の表面に窒化膜等の絶縁膜８を成長する。その後、絶
縁膜８をエッチングするに際してマスク材となるフォト
レジスト等に写真食刻法を用いてベース，エミッタ，コ
レクタコンタクト領域を開孔した後、絶縁膜８をエッチ
ングにより除去してベースコンタクト開孔部１０ａ，エ
ミッタコンタクト開孔部１０ｂ，コレクタコンタクト開
孔部１０ｃを形成する。その後、フォトレジスト等のイ
オン注入に対するマスク材９ａに写真食刻法を用いてベ
ースコンタクト領域１０ａのみを開孔し、Ｂ+ ，ＢＦ2
等をイオン注入してＰ+ 型ベースコンタクト領域１２を
形成する。このイオン注入は深さ方向に対してＰ+ 型ベ
ース層７を越えてはならない。かつＰ+ 型ベース層７と
後工程の図５Ｇのベース電極１５は良好なオーミック接
触が必要である。したがってＰ+型ベースコンタクト領
域１２は浅い接合でかつ高濃度層となる必要がある。
５の表面に窒化膜等の絶縁膜８を成長する。その後、絶
縁膜８をエッチングするに際してマスク材となるフォト
レジスト等に写真食刻法を用いてベース，エミッタ，コ
レクタコンタクト領域を開孔した後、絶縁膜８をエッチ
ングにより除去してベースコンタクト開孔部１０ａ，エ
ミッタコンタクト開孔部１０ｂ，コレクタコンタクト開
孔部１０ｃを形成する。その後、フォトレジスト等のイ
オン注入に対するマスク材９ａに写真食刻法を用いてベ
ースコンタクト領域１０ａのみを開孔し、Ｂ+ ，ＢＦ2
等をイオン注入してＰ+ 型ベースコンタクト領域１２を
形成する。このイオン注入は深さ方向に対してＰ+ 型ベ
ース層７を越えてはならない。かつＰ+ 型ベース層７と
後工程の図５Ｇのベース電極１５は良好なオーミック接
触が必要である。したがってＰ+型ベースコンタクト領
域１２は浅い接合でかつ高濃度層となる必要がある。
【０００５】次に図５Ｄに示す如く、エッチングに対す
る第１のマスク材９ｂに写真食刻法とエッチング行い、
エミッタコンタクト開孔部１０ｂ，コレクタコンタクト
開孔部１０ｃに残るフィールド酸化膜５を選択的に除去
する。
る第１のマスク材９ｂに写真食刻法とエッチング行い、
エミッタコンタクト開孔部１０ｂ，コレクタコンタクト
開孔部１０ｃに残るフィールド酸化膜５を選択的に除去
する。
【０００６】次に図５Ｅに示す如く、全面にポリシリコ
ン成長した後にＮ型に形成するために全面にＡｓ等のＮ
型の不純物をイオン注入した後、エミッタドライブイン
拡散を行いＮ+ 型エミッタ領域１３を形成し、しかる後
に写真食刻法及びエッチング法を用いエミッタ，コレク
タ上に選択的にそれぞれエミッタポリシリコン１４ｂ，
コレクタポリシリコン１４ｃを残す。
ン成長した後にＮ型に形成するために全面にＡｓ等のＮ
型の不純物をイオン注入した後、エミッタドライブイン
拡散を行いＮ+ 型エミッタ領域１３を形成し、しかる後
に写真食刻法及びエッチング法を用いエミッタ，コレク
タ上に選択的にそれぞれエミッタポリシリコン１４ｂ，
コレクタポリシリコン１４ｃを残す。
【０００７】次に図５Ｆに示す如く、フィールド酸化膜
５のエッチングに対する第２のマスク材９ｃに写真食刻
法を用い、その後、弗化水素酸等でベースコンタクト開
孔部１０ａに残るフィールド酸化膜５を選択的に除去す
る。
５のエッチングに対する第２のマスク材９ｃに写真食刻
法を用い、その後、弗化水素酸等でベースコンタクト開
孔部１０ａに残るフィールド酸化膜５を選択的に除去す
る。
【０００８】次に図５Ｇに示す如く、ベース電極１５
ａ，エミッタ電極１５ｂ，コレクタ電極１５ｃをＡｕ，
Ａｌ等の金属で形成する。
ａ，エミッタ電極１５ｂ，コレクタ電極１５ｃをＡｕ，
Ａｌ等の金属で形成する。
【０００９】
【発明が解決しようとする課題】上述した従来の半導体
集積回路装置の製造方法は、図５Ｃにおいて、Ｂ+ ，Ｂ
Ｆ2 等を前述の理由で浅い接合でかつ高濃度層となるよ
うにイオン注入する必要がある。しかし、このイオン注
入によりベースコンタクト開孔部１０ａに残るフィール
ド酸化膜５はＢが高濃度となりＳｉＢ層といわれる層を
形成する。このＳｉＢ層は弗化水素酸等で完全には除去
できないという欠点があった。
集積回路装置の製造方法は、図５Ｃにおいて、Ｂ+ ，Ｂ
Ｆ2 等を前述の理由で浅い接合でかつ高濃度層となるよ
うにイオン注入する必要がある。しかし、このイオン注
入によりベースコンタクト開孔部１０ａに残るフィール
ド酸化膜５はＢが高濃度となりＳｉＢ層といわれる層を
形成する。このＳｉＢ層は弗化水素酸等で完全には除去
できないという欠点があった。
【００１０】又、以上の理由により、図５ＧのＰ+ 型ベ
ースコンタクト領域１２とベース電極１５ａの間にＳｉ
Ｂ層が残り、このため、電気的に良好なオーミック接触
がとれず抵抗成分を持った接触となってしまう。従っ
て、ＮＰＮトランジスタの順方向電圧（以下ＶF と記
す）が悪化し、高周波特性の１つである順方向電圧利得
（以下｜Ｓ21e ｜2 と記す）の特性が悪化するという欠
点があった。
ースコンタクト領域１２とベース電極１５ａの間にＳｉ
Ｂ層が残り、このため、電気的に良好なオーミック接触
がとれず抵抗成分を持った接触となってしまう。従っ
て、ＮＰＮトランジスタの順方向電圧（以下ＶF と記
す）が悪化し、高周波特性の１つである順方向電圧利得
（以下｜Ｓ21e ｜2 と記す）の特性が悪化するという欠
点があった。
【００１１】
【課題を解決するための手段】本発明によれば、ＮＰＮ
バイポーラトランジスタにおいて、少なくとも酸化膜を
介してベースと同一導電型の層を形成するイオン注入を
行う工程と、この酸化膜中の酸素濃度を過剰にして高濃
度で生ずるＳｉＢ層をＢＳＧ（Ｂｏｒｏｎ Ｓｉｌｉｃ
ａｔｅ Ｇｌａｓｓ）膜に変える工程と、このＢＳＧを
弗化水素酸で取り除く工程を備えている。
バイポーラトランジスタにおいて、少なくとも酸化膜を
介してベースと同一導電型の層を形成するイオン注入を
行う工程と、この酸化膜中の酸素濃度を過剰にして高濃
度で生ずるＳｉＢ層をＢＳＧ（Ｂｏｒｏｎ Ｓｉｌｉｃ
ａｔｅ Ｇｌａｓｓ）膜に変える工程と、このＢＳＧを
弗化水素酸で取り除く工程を備えている。
【００１２】
【実施例】次に本発明による半導体集積回路装置の製造
方法を図面を参照して説明する。
方法を図面を参照して説明する。
【００１３】本発明の第１の実施例は、前工程は従来技
術の図５Ａから図５Ｃの工程と同一なので省略する。
術の図５Ａから図５Ｃの工程と同一なので省略する。
【００１４】次に図１に示す如く、イオン注入に対する
マスク材９ａを除去した後、熱酸化を行いベースコンタ
クト開孔部１０ａのフィールド酸化膜５内に酸素が過剰
になるようにしてＳｉＢ層をＢＳＧ膜に変換する。この
時の熱酸化条件は、高周波特性を悪化させないように後
工程の図５Ｅに示すＮ+ 型エミッタ領域１３のアニール
条件よりも低い温度，短い時間とし８５０℃，１５分程
度とする。
マスク材９ａを除去した後、熱酸化を行いベースコンタ
クト開孔部１０ａのフィールド酸化膜５内に酸素が過剰
になるようにしてＳｉＢ層をＢＳＧ膜に変換する。この
時の熱酸化条件は、高周波特性を悪化させないように後
工程の図５Ｅに示すＮ+ 型エミッタ領域１３のアニール
条件よりも低い温度，短い時間とし８５０℃，１５分程
度とする。
【００１５】以下の工程は従来技術の図５Ｄ以降と同様
であるため省略する。
であるため省略する。
【００１６】次に、本発明の第２の実施例によれば、こ
の第２の実施例も前工程は従来技術の図５Ａから図５Ｃ
の工程は同一なので省略する。
の第２の実施例も前工程は従来技術の図５Ａから図５Ｃ
の工程は同一なので省略する。
【００１７】次に図５Ｃに示すイオン注入に対するマス
ク材９ａを除去せず図３に示すように酸素をイオン注入
法を用いてベースコンタクト開孔部１０ａのフィールド
酸化膜５中の酸素濃度を過剰にしてＳｉＢ層をＢＳＧ膜
に変換する。
ク材９ａを除去せず図３に示すように酸素をイオン注入
法を用いてベースコンタクト開孔部１０ａのフィールド
酸化膜５中の酸素濃度を過剰にしてＳｉＢ層をＢＳＧ膜
に変換する。
【００１８】以下の工程は従来技術の図５Ｄ以降と同様
であるため省略する。
であるため省略する。
【００１９】
【発明の効果】以上説明したように本発明はＮＰＮバイ
ポーラトランジスタにおいて、ベースコンタクト上の酸
化膜を完全に除去できるという効果がある。従って、酸
化膜が従来技術では１００〜２００オングストローム残
りベース・エミッタ順方向電圧ＶF は１Ｖを越えていた
が本発明により酸化膜の残膜が０オングストロームとな
ったためベース・エミッタ順方向電圧ＶF は１Ｖより小
さくなった。
ポーラトランジスタにおいて、ベースコンタクト上の酸
化膜を完全に除去できるという効果がある。従って、酸
化膜が従来技術では１００〜２００オングストローム残
りベース・エミッタ順方向電圧ＶF は１Ｖを越えていた
が本発明により酸化膜の残膜が０オングストロームとな
ったためベース・エミッタ順方向電圧ＶF は１Ｖより小
さくなった。
【００２０】さらに図４に示すように従来技術では｜Ｓ
21e ｜2 ＝１１〜１３ｄＢであったのが本発明により｜
Ｓ21e ｜2 ＝１６ｄＢと向上させる事ができた。
21e ｜2 ＝１１〜１３ｄＢであったのが本発明により｜
Ｓ21e ｜2 ＝１６ｄＢと向上させる事ができた。
【図１】本発明の第１の実施例を示す構造断面図であ
る。
る。
【図２】本発明の第１の実施例の一工程を示す構造断面
図である。
図である。
【図３】本発明の第２の実施例を示す構造断面図であ
る。
る。
【図４】本発明の効果を表す｜Ｓ21e ｜2 特性を示すグ
ラフである。
ラフである。
【図５】従来の製造方法を工程順に示す構造断面図であ
る。
る。
１ Ｐ型半導体基板 ２ Ｎ+ 型埋込層 ３ Ｎ型エピタキシャル層 ４ 第１のＰ+ 型半導体領域 ５ フィールド酸化膜 ６ Ｎ+ 型引出層 ７ Ｐ+ 型ベース層 ８ 絶縁膜 ９ａ イオン注入に対するマスク材 １０ａ ベースコンタクト開孔部 １０ｂ エミッタコンタクト開孔部 １０ｃ コレクタコンタクト開孔部 １２ Ｐ+ 型ベースコンタクト領域 １３ Ｎ+ 型エミッタ領域 １４ｂ エミッタポリシリコン １４ｃ コレクタポリシリコン １５ａ ベース電極 １５ｂ エミッタ電極 １５ｃ コレクタ電極 ９ｂ エッチングに対する第１のマスク材 ９ｃ エッチングに対する第２のマスク材
Claims (3)
- 【請求項１】 ＮＰＮバイポーラトランジスタにおい
て、少なくとも酸化膜を介してベースと同一導電型の層
を形成するイオン注入を行う工程と、前記酸化膜中の酸
素濃度を過剰にする工程と、該酸化膜を弗化水素酸等で
取除く工程を有することを特徴とする半導体集積回路装
置の製造方法。 - 【請求項２】 前記酸化膜中の酸素濃度を過剰にする工
程において、熱酸化の工程を有することを特徴とする請
求項１記載の半導体集積回路装置の製造方法。 - 【請求項３】 前記酸化膜中の酸素濃度を過剰にする工
程において、酸素のイオン注入の工程を有することを特
徴とする請求項１記載の半導体集積回路装置の製造方
法。
Priority Applications (2)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP4032496A JP2917646B2 (ja) | 1992-02-20 | 1992-02-20 | 半導体集積回路装置の製造方法 |
| US08/020,543 US5372953A (en) | 1992-02-20 | 1993-02-22 | Method of manufacturing a bipolar transistor included in an integrated circuit having no field oxide film between a p-type region and its electrode |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP4032496A JP2917646B2 (ja) | 1992-02-20 | 1992-02-20 | 半導体集積回路装置の製造方法 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH05235009A true JPH05235009A (ja) | 1993-09-10 |
| JP2917646B2 JP2917646B2 (ja) | 1999-07-12 |
Family
ID=12360608
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP4032496A Expired - Fee Related JP2917646B2 (ja) | 1992-02-20 | 1992-02-20 | 半導体集積回路装置の製造方法 |
Country Status (2)
| Country | Link |
|---|---|
| US (1) | US5372953A (ja) |
| JP (1) | JP2917646B2 (ja) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| CN114583013A (zh) * | 2022-03-10 | 2022-06-03 | 常州时创能源股份有限公司 | 一种bsg去除方法 |
Families Citing this family (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP3085283B2 (ja) | 1998-07-13 | 2000-09-04 | 日本電気株式会社 | 電子部品と基板との接続装置及びその接続方法 |
Citations (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS5878457A (ja) * | 1981-11-05 | 1983-05-12 | Hitachi Ltd | 半導体装置の製造方法 |
| JPS63261749A (ja) * | 1987-04-17 | 1988-10-28 | Matsushita Electric Ind Co Ltd | 半導体装置の製造方法 |
Family Cites Families (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US5244821A (en) * | 1991-06-07 | 1993-09-14 | At&T Bell Laboratories | Bipolar fabrication method |
-
1992
- 1992-02-20 JP JP4032496A patent/JP2917646B2/ja not_active Expired - Fee Related
-
1993
- 1993-02-22 US US08/020,543 patent/US5372953A/en not_active Expired - Lifetime
Patent Citations (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS5878457A (ja) * | 1981-11-05 | 1983-05-12 | Hitachi Ltd | 半導体装置の製造方法 |
| JPS63261749A (ja) * | 1987-04-17 | 1988-10-28 | Matsushita Electric Ind Co Ltd | 半導体装置の製造方法 |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| CN114583013A (zh) * | 2022-03-10 | 2022-06-03 | 常州时创能源股份有限公司 | 一种bsg去除方法 |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JP2917646B2 (ja) | 1999-07-12 |
| US5372953A (en) | 1994-12-13 |
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