JPS59135764A - 半導体装置の製造方法 - Google Patents
半導体装置の製造方法Info
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- JPS59135764A JPS59135764A JP956483A JP956483A JPS59135764A JP S59135764 A JPS59135764 A JP S59135764A JP 956483 A JP956483 A JP 956483A JP 956483 A JP956483 A JP 956483A JP S59135764 A JPS59135764 A JP S59135764A
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Links
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Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L29/00—Semiconductor devices specially adapted for rectifying, amplifying, oscillating or switching and having potential barriers; Capacitors or resistors having potential barriers, e.g. a PN-junction depletion layer or carrier concentration layer; Details of semiconductor bodies or of electrodes thereof ; Multistep manufacturing processes therefor
- H01L29/66—Types of semiconductor device ; Multistep manufacturing processes therefor
- H01L29/68—Types of semiconductor device ; Multistep manufacturing processes therefor controllable by only the electric current supplied, or only the electric potential applied, to an electrode which does not carry the current to be rectified, amplified or switched
- H01L29/70—Bipolar devices
- H01L29/72—Transistor-type devices, i.e. able to continuously respond to applied control signals
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Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
本発明は半導体装置の製造方法に関する。
従来、ブレーナ形バイポーラトランジスタは基板表面の
酸化膜を選択的にエツチングして不純物を拡散し、形成
していた。しかるにトランジスタの高速化、高集積化の
要求から、窒化膜をマスクにした選択酸化を利用したト
ランジスタの形成が行なわれている。
酸化膜を選択的にエツチングして不純物を拡散し、形成
していた。しかるにトランジスタの高速化、高集積化の
要求から、窒化膜をマスクにした選択酸化を利用したト
ランジスタの形成が行なわれている。
すなわち、第１図に示すように、窒化膜２をマスクに基
板１を酸化し、選択的に酸化膜３を形成する。次に、窒
化膜２を除去した後、ベース領域４を形成し、さらに、
不純物添加ポリシリコン５でエミッタ６を形成している
。
板１を酸化し、選択的に酸化膜３を形成する。次に、窒
化膜２を除去した後、ベース領域４を形成し、さらに、
不純物添加ポリシリコン５でエミッタ６を形成している
。
しかしながら、この方法では、ベース領域４形成後から
エミッタ６形成までに酸化及びエツチングを通るため、
鳥のくちばし状酸化膜３がザイドエッチされる。従って
、エミッタ拡散をした時に第１図（ｅ）のようにトラン
ジスタのコレクタ、エミッタがショートしてしまうとい
う欠点があった。
エミッタ６形成までに酸化及びエツチングを通るため、
鳥のくちばし状酸化膜３がザイドエッチされる。従って
、エミッタ拡散をした時に第１図（ｅ）のようにトラン
ジスタのコレクタ、エミッタがショートしてしまうとい
う欠点があった。
本発明の目的はかかる従来方法の欠点を解決し鳥のくち
ばし状の酸化膜を含む領域がエツチングされてもトラン
ジスタのコレクタエミッタ而１１」三が低下しない製造
方法を提供することにある。
ばし状の酸化膜を含む領域がエツチングされてもトラン
ジスタのコレクタエミッタ而１１」三が低下しない製造
方法を提供することにある。
かかる目的を達成するために、本発明では、窒化膜を７
オトリソグラフイでエツチングした後、前記窒化膜を開
孔部に含むように７オトレジスト膜を開孔し、窒化膜と
レジスト膜をマスクに不純物をイオン注入し、しかる後
、レジスト膜を除去して、′窒化膜をマスクに選択酸化
するものである。
オトリソグラフイでエツチングした後、前記窒化膜を開
孔部に含むように７オトレジスト膜を開孔し、窒化膜と
レジスト膜をマスクに不純物をイオン注入し、しかる後
、レジスト膜を除去して、′窒化膜をマスクに選択酸化
するものである。
以下回向？用いて詳細に説明する。
第２図は本発明の一実施例を示す製造方法である。比抵
抗１〜１０Ωｃｍのシリコン基板２１上に窒化［２２−
ｉＬＰｃＶＤ法テ１ｏ００〜２０００Ａ−形成し、フォ
トリングラフィで一部金残して除去する（第２図（ａ）
）。次にレジスト膜を除去した後、再びレジスト膜全学
布し、窒化膜２２が開孔部に含まれるように開孔する。
抗１〜１０Ωｃｍのシリコン基板２１上に窒化［２２−
ｉＬＰｃＶＤ法テ１ｏ００〜２０００Ａ−形成し、フォ
トリングラフィで一部金残して除去する（第２図（ａ）
）。次にレジスト膜を除去した後、再びレジスト膜全学
布し、窒化膜２２が開孔部に含まれるように開孔する。
さらに、ボロンイオンを加速エネルトランジスタを形成
しだい時忙は、窒化膜２２の一部はレジスト膜でおおわ
れていてもよい。
しだい時忙は、窒化膜２２の一部はレジスト膜でおおわ
れていてもよい。
この後、基板全面を窒化膜２２をマスクに選択的に酸化
し、鳥のくちばし状酸化膜２５を形成する（第２図（Ｃ
））。窒化膜２２を除去して、ボロンイオンを加速エネ
ルギー５０ｋｅｖ、打込量１０１２〜１０１シ瞥で打ち
込み真性ベース領域２６を形成する。次に、ヒ素または
リンを含むポリシリコン２７を形成し、拡散によってエ
ミッタ２８を形成する（第２図（ｅ））。
し、鳥のくちばし状酸化膜２５を形成する（第２図（Ｃ
））。窒化膜２２を除去して、ボロンイオンを加速エネ
ルギー５０ｋｅｖ、打込量１０１２〜１０１シ瞥で打ち
込み真性ベース領域２６を形成する。次に、ヒ素または
リンを含むポリシリコン２７を形成し、拡散によってエ
ミッタ２８を形成する（第２図（ｅ））。
以上説明した方法によれば、エミッター計形成する際外
部ベース領域２４があるため鳥のくちばし状酸化膜２５
の下でベース幅が極めて小さくなってコレクタ・エミッ
タ耐圧不良になることはない。
部ベース領域２４があるため鳥のくちばし状酸化膜２５
の下でベース幅が極めて小さくなってコレクタ・エミッ
タ耐圧不良になることはない。
従って本発明により、トランジスタのコレクタ・ベース
ショート不良をなくすことがでさ、特性や、製造方法上
のバラツギを吸収できる安定で高１１（軸度の半導体装
置を提供することができる。
ショート不良をなくすことがでさ、特性や、製造方法上
のバラツギを吸収できる安定で高１１（軸度の半導体装
置を提供することができる。
第１図（ａ）乃至（ｅ）は従来方法を示す製造二［桿断
図面である。１は半導体基体、２は窒化膜、３は鳥のく
ちばし状酸化膜４はベース領域、５は不純物添加ポリシ
リコンロはエミッタ領域、第２図（ａ）乃至（ｅ）は本
発明の一実施例を示す製造工程断面図である。２１は半
導体基体、２２は窒化膜、２３はレジスト膜２４は外部
ベース領域、２５は鳥のくちばし状酸化膜２６は真性ベ
ース領域、２７はＡ己 ／ し」 〃 ｚグ
図面である。１は半導体基体、２は窒化膜、３は鳥のく
ちばし状酸化膜４はベース領域、５は不純物添加ポリシ
リコンロはエミッタ領域、第２図（ａ）乃至（ｅ）は本
発明の一実施例を示す製造工程断面図である。２１は半
導体基体、２２は窒化膜、２３はレジスト膜２４は外部
ベース領域、２５は鳥のくちばし状酸化膜２６は真性ベ
ース領域、２７はＡ己 ／ し」 〃 ｚグ
Claims (1)
- 半導体表向Ｖ′ｃ迅択的に絶縁膜を形成する工程と、該
絶縁膜の端部と接する半導体部分に不利１物會導 ・入
する工程と、１ｆＪＳ己絶縁膜をマスクに選択酸化する
工程とを有すること′ｆｃ％徴とする半導体装置の製造
方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP956483A JPS59135764A (ja) | 1983-01-24 | 1983-01-24 | 半導体装置の製造方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP956483A JPS59135764A (ja) | 1983-01-24 | 1983-01-24 | 半導体装置の製造方法 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS59135764A true JPS59135764A (ja) | 1984-08-04 |
Family
ID=11723782
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP956483A Pending JPS59135764A (ja) | 1983-01-24 | 1983-01-24 | 半導体装置の製造方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS59135764A (ja) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US4803174A (en) * | 1984-12-20 | 1989-02-07 | Mitsubishi Denki Kabushiki Kaisha | Bipolar transistor integrated circuit and method of manufacturing the same |
-
1983
- 1983-01-24 JP JP956483A patent/JPS59135764A/ja active Pending
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US4803174A (en) * | 1984-12-20 | 1989-02-07 | Mitsubishi Denki Kabushiki Kaisha | Bipolar transistor integrated circuit and method of manufacturing the same |
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