JPS5952557B2 - 印刷配線板の製造法 - Google Patents
印刷配線板の製造法Info
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- JPS5952557B2 JPS5952557B2 JP15593281A JP15593281A JPS5952557B2 JP S5952557 B2 JPS5952557 B2 JP S5952557B2 JP 15593281 A JP15593281 A JP 15593281A JP 15593281 A JP15593281 A JP 15593281A JP S5952557 B2 JPS5952557 B2 JP S5952557B2
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- Japan
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- electroless plating
- circuit
- etching
- synthetic resin
- insulating substrate
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Description
【発明の詳細な説明】
本発明は、印刷配線板の製造法、詳しくは、少なくとも
無電解メッキを含む回路形成工程で回路を形成させる印
刷配線板の製造法に関し、その目的は、無電解メッキ触
媒を含有する絶縁基板を化学蝕刻し、析出した無電解メ
ッキ層と強固な接着が得られる印刷配線板の製造法を提
供するものである。
無電解メッキを含む回路形成工程で回路を形成させる印
刷配線板の製造法に関し、その目的は、無電解メッキ触
媒を含有する絶縁基板を化学蝕刻し、析出した無電解メ
ッキ層と強固な接着が得られる印刷配線板の製造法を提
供するものである。
近年、印刷配線板の製造法として、少なくとも無電解メ
ッキを含む回路形成工程で回路を形成させる方法（アデ
ィティブ法）が広く行なわれるようになつてきた。
ッキを含む回路形成工程で回路を形成させる方法（アデ
ィティブ法）が広く行なわれるようになつてきた。
このアディティブ法には、絶縁基板を化学蝕刻した後回
路が形成される部分以外に無電解メッキレジストを被覆
するか、又は、絶縁基板の回路が形成される部分以外に
無電解メッキレジストを被覆した後化学蝕刻を行い、無
電解メッキ液に浸漬して回路を形成する方法（フルアデ
ィティブ法）と、絶縁基板を化学蝕刻し無電解メッキ液
に浸漬して基板全面に無電解メッキ層を形成した後、回
路が形成される部分以外に電気メッキレジストを被覆し
電気メッキにより回路部に厚づけメッキを施し、レジス
トを剥離し、更にクイックエッチングにより回路部以外
の無電解メッキ層を除去する方法（セミアディティブ法
）が行なわれている。
路が形成される部分以外に無電解メッキレジストを被覆
するか、又は、絶縁基板の回路が形成される部分以外に
無電解メッキレジストを被覆した後化学蝕刻を行い、無
電解メッキ液に浸漬して回路を形成する方法（フルアデ
ィティブ法）と、絶縁基板を化学蝕刻し無電解メッキ液
に浸漬して基板全面に無電解メッキ層を形成した後、回
路が形成される部分以外に電気メッキレジストを被覆し
電気メッキにより回路部に厚づけメッキを施し、レジス
トを剥離し、更にクイックエッチングにより回路部以外
の無電解メッキ層を除去する方法（セミアディティブ法
）が行なわれている。
これらの方法はいずれも絶縁基板を化学蝕刻後、無電解
メッキを施すものであり、この場合、絶縁基板の、少な
くとも回路が形成される部分の合成樹脂層に予じめ、無
電解メッキ触媒を含有させておくことが有効かつ合理的
である。すなわち、絶縁基板全体にわたり、又、絶縁基
板の表面層のみに、更には、絶縁基板の回路が形成され
る部分のみに無電解メッキ触媒を予じめ含有させておく
のである。
メッキを施すものであり、この場合、絶縁基板の、少な
くとも回路が形成される部分の合成樹脂層に予じめ、無
電解メッキ触媒を含有させておくことが有効かつ合理的
である。すなわち、絶縁基板全体にわたり、又、絶縁基
板の表面層のみに、更には、絶縁基板の回路が形成され
る部分のみに無電解メッキ触媒を予じめ含有させておく
のである。
無電解メッキを析出させるためにはか・るメッキ触媒が
合成樹脂表面に活性状態で露頭していなければならない
が、合成樹脂層に含有させた状態では、触媒粒子は通常
合成樹脂に包み囲まれており活性状態にはない。
合成樹脂表面に活性状態で露頭していなければならない
が、合成樹脂層に含有させた状態では、触媒粒子は通常
合成樹脂に包み囲まれており活性状態にはない。
メッキ触媒を露頭させる方法として、合成樹脂表面を化
学蝕刻液により蝕刻する方法が有効であり、この工程は
、また析出メッキが合成樹脂層と強固に接着するための
表面凹凸粗化形状を作るためにも重要である。
学蝕刻液により蝕刻する方法が有効であり、この工程は
、また析出メッキが合成樹脂層と強固に接着するための
表面凹凸粗化形状を作るためにも重要である。
無電解メッキの前処理として表面粗化を行う化学蝕刻液
は一般に酸化性酸溶液が使用され、ク口ム酸一硫酸系蝕
刻液は合成樹脂層を蝕刻して表面に凹凸粗化形状を作る
ことが知られている。
は一般に酸化性酸溶液が使用され、ク口ム酸一硫酸系蝕
刻液は合成樹脂層を蝕刻して表面に凹凸粗化形状を作る
ことが知られている。
ところがこの系は良好な粗化形状を作るにもか・わらず
合成樹脂中のメツキ触媒を露頭するだけではなく、溶解
あるいは不活性化してしまうためか無電解メツキの析出
を著しく妨げるか、あるいは全くメツキ析出を行わない
欠点があり実用化出来ない一方導電回路を形成させる合
成樹脂層の表面が酸化されやすく、粗化凹凸を作りやす
い組成例えばジエン系合成ゴムが合成樹脂中に５０重量
％以上含有しているジエン系合成ゴムーフエノール樹脂
接着剤などである場合には、クロム酸一硫酸系蝕刻液を
使用することなく、タロムトホウフツ化水素酸系を使用
することも可能である。
合成樹脂中のメツキ触媒を露頭するだけではなく、溶解
あるいは不活性化してしまうためか無電解メツキの析出
を著しく妨げるか、あるいは全くメツキ析出を行わない
欠点があり実用化出来ない一方導電回路を形成させる合
成樹脂層の表面が酸化されやすく、粗化凹凸を作りやす
い組成例えばジエン系合成ゴムが合成樹脂中に５０重量
％以上含有しているジエン系合成ゴムーフエノール樹脂
接着剤などである場合には、クロム酸一硫酸系蝕刻液を
使用することなく、タロムトホウフツ化水素酸系を使用
することも可能である。
しかしながらジエン系合成ゴムを多量に含有した合成樹
脂層を有する基板は印刷配線板の電気特性、耐熱性ある
いは表面硬度を低下させるため実用上の制限を伴い好ま
しくない。クロム酸一ホウフツ化水素酸系蝕刻液は合成
樹脂中の露頭したメツキ触媒を損うことはないが、印刷
配線板の要求性能が高度化するにつれて基板合成樹脂中
のジエン系合成ゴム含量を少なくすることや含まないこ
とが望まれている。
脂層を有する基板は印刷配線板の電気特性、耐熱性ある
いは表面硬度を低下させるため実用上の制限を伴い好ま
しくない。クロム酸一ホウフツ化水素酸系蝕刻液は合成
樹脂中の露頭したメツキ触媒を損うことはないが、印刷
配線板の要求性能が高度化するにつれて基板合成樹脂中
のジエン系合成ゴム含量を少なくすることや含まないこ
とが望まれている。
本発明はこのような点に鑑みてなされたもの：で、少な
くとも回路が形成される部分に無電解メツキ触媒を含有
する絶縁基板を化学蝕刻し、少なくとも無電解メツキを
含む回路形成工程で回路を形成させる印刷配線板の製造
法に於て、絶縁基板をクロム酸、硫酸系の蝕刻液で化学
蝕刻した後、．クロム酸−ホウフツ化水素酸系の蝕刻液
で化学蝕刻することを特徴とするものである。
くとも回路が形成される部分に無電解メツキ触媒を含有
する絶縁基板を化学蝕刻し、少なくとも無電解メツキを
含む回路形成工程で回路を形成させる印刷配線板の製造
法に於て、絶縁基板をクロム酸、硫酸系の蝕刻液で化学
蝕刻した後、．クロム酸−ホウフツ化水素酸系の蝕刻液
で化学蝕刻することを特徴とするものである。
すなわち本発明は無電解メツキ触媒を含有している絶縁
基板合成樹脂層をメツキに適した表面凹凸形状を作る化
学蝕刻工程においてクロムト硫；酸系蝕刻液で化学蝕刻
したのち、クロム酸−ホウフツ化水素酸系の蝕刻液で化
学蝕刻することによリメツキ触媒の触媒作用を損うこと
なく無電解メツキに適した粗化凹凸形状を形成するもの
で、メツキ導電回路の接着強さにすぐれた印刷配線板を
ｚ製造しうるものである。
基板合成樹脂層をメツキに適した表面凹凸形状を作る化
学蝕刻工程においてクロムト硫；酸系蝕刻液で化学蝕刻
したのち、クロム酸−ホウフツ化水素酸系の蝕刻液で化
学蝕刻することによリメツキ触媒の触媒作用を損うこと
なく無電解メツキに適した粗化凹凸形状を形成するもの
で、メツキ導電回路の接着強さにすぐれた印刷配線板を
ｚ製造しうるものである。
特に合成樹脂層がジエン系合成ゴムの少ない、あるいは
熱硬化性樹脂含量が多い場合、すなわち、基板の電気特
性や耐熱性および表面硬度の高い印刷配線板が要求され
る場合に極めて有効な方法である。絶縁基板の合成樹脂
中に含有させるメツキ触媒はパラジウムあるいはパラジ
ウム化合物、または、スズあるいはスズ化合物を前記パ
ラジウムあるいはパラジウム化合物と併用した混合物が
使用できる。
熱硬化性樹脂含量が多い場合、すなわち、基板の電気特
性や耐熱性および表面硬度の高い印刷配線板が要求され
る場合に極めて有効な方法である。絶縁基板の合成樹脂
中に含有させるメツキ触媒はパラジウムあるいはパラジ
ウム化合物、または、スズあるいはスズ化合物を前記パ
ラジウムあるいはパラジウム化合物と併用した混合物が
使用できる。
この場合、必要とする触媒含量は合成樹脂中に０．００
６重量％以上１０重量％以下、好ましくは０．０２〜２
重量％の範囲で使用できるが、使用量が微量であるため
、予め有機溶媒を使用して合成樹脂中に混練り分散させ
た状態、あるいは無機充填材に吸着させた状態で使用す
ることが出来る。クロム酸一硫酸系蝕刻液は、重クロム
酸カリウム、重クロム酸ナトリウム、無水クロム酸など
のクロム化合物と硫酸との水溶液が使用できるが、塩酸
やりん酸を併用して使用することも出来る。クロム酸−
ホウフツ化水素系蝕刻液は、前記クロム化合物と、ホウ
フツ化水素酸との水溶液が使用でき、いずれも８０℃以
下に加温して使用することが出来る。合成樹脂層の化学
蝕刻は導電回路を形成する部分以外を無電解メツキレジ
ストで被覆する場合は、その工程の前、すなわち、絶縁
基板の合成樹脂層全体を蝕刻してから必要部分にメツキ
レジストを施しても、あるいは、メツキレジストを被覆
してから導電回路形成部分の合成樹脂層を蝕刻してもよ
い。
６重量％以上１０重量％以下、好ましくは０．０２〜２
重量％の範囲で使用できるが、使用量が微量であるため
、予め有機溶媒を使用して合成樹脂中に混練り分散させ
た状態、あるいは無機充填材に吸着させた状態で使用す
ることが出来る。クロム酸一硫酸系蝕刻液は、重クロム
酸カリウム、重クロム酸ナトリウム、無水クロム酸など
のクロム化合物と硫酸との水溶液が使用できるが、塩酸
やりん酸を併用して使用することも出来る。クロム酸−
ホウフツ化水素系蝕刻液は、前記クロム化合物と、ホウ
フツ化水素酸との水溶液が使用でき、いずれも８０℃以
下に加温して使用することが出来る。合成樹脂層の化学
蝕刻は導電回路を形成する部分以外を無電解メツキレジ
ストで被覆する場合は、その工程の前、すなわち、絶縁
基板の合成樹脂層全体を蝕刻してから必要部分にメツキ
レジストを施しても、あるいは、メツキレジストを被覆
してから導電回路形成部分の合成樹脂層を蝕刻してもよ
い。
後者の場合は、メツキレジストが蝕刻液に浸蝕されない
疎水性のレジストを使用することが好ましい。実施例
１ 絶縁基板のコアに所定の部品搭載用スルホール穴あけを
行つた鉄板を使用し、鉄板の絶縁化のための合成樹脂層
として、エポキシ樹脂および炭酸カルシウムを主成分と
し、ジエン系合成ゴム１５重量％以下、無電解メツキの
触媒として、塩化パラジウムをエポキシ樹脂溶液に混練
りして分散させた混合物を含有させた粉体塗料（日立化
成工業（株）製ＰＣ−１０５４９）を用いて前記鉄板に
静電塗装し加熱硬化して絶縁基板を作成した。
疎水性のレジストを使用することが好ましい。実施例
１ 絶縁基板のコアに所定の部品搭載用スルホール穴あけを
行つた鉄板を使用し、鉄板の絶縁化のための合成樹脂層
として、エポキシ樹脂および炭酸カルシウムを主成分と
し、ジエン系合成ゴム１５重量％以下、無電解メツキの
触媒として、塩化パラジウムをエポキシ樹脂溶液に混練
りして分散させた混合物を含有させた粉体塗料（日立化
成工業（株）製ＰＣ−１０５４９）を用いて前記鉄板に
静電塗装し加熱硬化して絶縁基板を作成した。
この基板表面の鉛筆硬度（ＪＩＳＫ５４ＯＯ）は４Ｈ以
上であつた。この基板の回路形成部以外の部分をエポキ
シ樹脂を主成分とする熱硬化型メツキレジスト （４）
立化成工業（株）製ＨＧＭ−０２ＢＫ）をスクリーン印
刷し加熱硬化した。次いで重クロム酸カリウム５０ｇハ
、無水クロム酸５０ｇ／１および濃硫酸３６０ｍ１／ｌ
の水溶液からなる蝕刻液を用いて４０゜±２℃で１３分
間浸漬したのち、重クロム酸ナトリウム２０ｇを４８％
ホウフツ化水素酸１１に溶解して作成した蝕刻液中に４
０℃７分間浸漬して蝕刻し、水洗中和を行つたのち無電
解メツキ浴（４）立化成工業（株）製ＣＣ４バス）に約
３０時間浸漬した。凡そ３５μｍ厚さの導電回路が形成
された。水洗乾燥後ＪＩＳＣ６４８ｌにもとずいて導電
回路の引き剥し強さを測定した結果、１．９〜２．０ｋ
ｇ／Ｃｍの値を有していた。蝕刻後の基板合成樹脂表面
および断面を走査型，電子顕微鏡で観察すると、凡そ１
０〜２０μｍ深さの均一な凹凸形状を形成していた。比
較例 １ 実施例１に使用した絶縁基板を、実施例１に使用した重
クロム酸カリウム、無水クロム酸、濃硫酸から成る蝕刻
液のみで４０℃５分処理したもの４０℃２０分処理した
もの、５０℃５分処理したもの５０℃２０分処理したも
のについて無電解メツキ浴ＣＣ一４バスに浸漬したが３
０時間、および５０時間経過後もメツキが析出しなかつ
た．１，蝕刻後の合成樹脂表面および断面は実施例１に
較べると凹凸形状がや・大きい他は特別な差異はみられ
ず均一な粗化形状を示していた。
上であつた。この基板の回路形成部以外の部分をエポキ
シ樹脂を主成分とする熱硬化型メツキレジスト （４）
立化成工業（株）製ＨＧＭ−０２ＢＫ）をスクリーン印
刷し加熱硬化した。次いで重クロム酸カリウム５０ｇハ
、無水クロム酸５０ｇ／１および濃硫酸３６０ｍ１／ｌ
の水溶液からなる蝕刻液を用いて４０゜±２℃で１３分
間浸漬したのち、重クロム酸ナトリウム２０ｇを４８％
ホウフツ化水素酸１１に溶解して作成した蝕刻液中に４
０℃７分間浸漬して蝕刻し、水洗中和を行つたのち無電
解メツキ浴（４）立化成工業（株）製ＣＣ４バス）に約
３０時間浸漬した。凡そ３５μｍ厚さの導電回路が形成
された。水洗乾燥後ＪＩＳＣ６４８ｌにもとずいて導電
回路の引き剥し強さを測定した結果、１．９〜２．０ｋ
ｇ／Ｃｍの値を有していた。蝕刻後の基板合成樹脂表面
および断面を走査型，電子顕微鏡で観察すると、凡そ１
０〜２０μｍ深さの均一な凹凸形状を形成していた。比
較例 １ 実施例１に使用した絶縁基板を、実施例１に使用した重
クロム酸カリウム、無水クロム酸、濃硫酸から成る蝕刻
液のみで４０℃５分処理したもの４０℃２０分処理した
もの、５０℃５分処理したもの５０℃２０分処理したも
のについて無電解メツキ浴ＣＣ一４バスに浸漬したが３
０時間、および５０時間経過後もメツキが析出しなかつ
た．１，蝕刻後の合成樹脂表面および断面は実施例１に
較べると凹凸形状がや・大きい他は特別な差異はみられ
ず均一な粗化形状を示していた。
実施例 ２
絶縁基板として、メツキ触媒を含有している積，層板（
４）立化成工業（株）ＬＰ−１４７Ｆ）にメツキ触媒を
含み、ジエン系合成ゴムーフエノール樹脂を主成分とす
る接着剤（４）立化成工業（株）ＨＡ−０４）を塗布し
、乾燥硬化したのち所定のスルホール穴あけを行つて基
板を作成した。
４）立化成工業（株）ＬＰ−１４７Ｆ）にメツキ触媒を
含み、ジエン系合成ゴムーフエノール樹脂を主成分とす
る接着剤（４）立化成工業（株）ＨＡ−０４）を塗布し
、乾燥硬化したのち所定のスルホール穴あけを行つて基
板を作成した。
この接着剤面の鉛筆．硬度はＨＢ程度であつた。次いで
、重クロム酸カリウム１５ｇ／１、濃硫酸５００ｍ１ハ
、濃塩酸１５ｍ１ハの水溶液からなる蝕刻液を用いて４
０±２℃で１０分間浸漬して蝕刻したのち重クロム酸ナ
トリウム１５ｇ、無水クロム酸５ｇを４８％ホウフツ化
水素酸１１に溶解して作成した蝕刻液に４０±２℃で５
分間浸漬蝕刻し、水洗中和後乾燥して水分除去した。
、重クロム酸カリウム１５ｇ／１、濃硫酸５００ｍ１ハ
、濃塩酸１５ｍ１ハの水溶液からなる蝕刻液を用いて４
０±２℃で１０分間浸漬して蝕刻したのち重クロム酸ナ
トリウム１５ｇ、無水クロム酸５ｇを４８％ホウフツ化
水素酸１１に溶解して作成した蝕刻液に４０±２℃で５
分間浸漬蝕刻し、水洗中和後乾燥して水分除去した。
次いで導電回路部以外の部分を疎水性紫外線硬化型レジ
ストをスクリーン印刷により被覆硬化したのち無電解メ
ツキ浴ＣＣ−４バスに約３０時間浸漬した。
ストをスクリーン印刷により被覆硬化したのち無電解メ
ツキ浴ＣＣ−４バスに約３０時間浸漬した。
凡そ３５μｍ厚さの導電回路が形成された。導電回路の
引き剥し強さは２．０〜２．１ｋｇ／Ｃｍの値を有して
いた。蝕刻後の接着剤面を走査型電子顕微鏡で観察する
と凡そ１０μｍ深さの均一な凹凸形状を呈していた。
引き剥し強さは２．０〜２．１ｋｇ／Ｃｍの値を有して
いた。蝕刻後の接着剤面を走査型電子顕微鏡で観察する
と凡そ１０μｍ深さの均一な凹凸形状を呈していた。
参考例 ２
実施例２に使用した絶縁基板を実施例２で使用した重ク
ロム酸カリウム、濃硫酸、濃塩酸から成る蝕刻液のみで
４０℃１０分間、４０℃２０分間蝕刻処理品を無電解メ
ツキ浴ＣＣ−４バスに浸漬したが３０時間経過後もメツ
キが析出しなかつた。
ロム酸カリウム、濃硫酸、濃塩酸から成る蝕刻液のみで
４０℃１０分間、４０℃２０分間蝕刻処理品を無電解メ
ツキ浴ＣＣ−４バスに浸漬したが３０時間経過後もメツ
キが析出しなかつた。
なお蝕刻後の粗化凹凸形状はほ・゛実施例１にみられた
と同様な均一な凹凸形状が観察された。以上説明したよ
うに、従来無電解メツキ触媒を含有した絶縁基板を使用
して少なくとも無電解メツキを含む回路形成工程で導電
回路を形成させる場合に、クロム酸一硫酸系の蝕刻液で
は基板の合成樹脂層が十分に蝕刻されるにもか・わらず
メツキ触媒作用がなくなりメツキが析出しない欠点があ
つたが、本発明のようにクロム酸一硫酸系蝕刻を行つた
のちクロム酸−ホウフツ化水素酸系の蝕刻を行うことに
より必要十分な蝕刻作用と、メツキの析出が可能となつ
た。
と同様な均一な凹凸形状が観察された。以上説明したよ
うに、従来無電解メツキ触媒を含有した絶縁基板を使用
して少なくとも無電解メツキを含む回路形成工程で導電
回路を形成させる場合に、クロム酸一硫酸系の蝕刻液で
は基板の合成樹脂層が十分に蝕刻されるにもか・わらず
メツキ触媒作用がなくなりメツキが析出しない欠点があ
つたが、本発明のようにクロム酸一硫酸系蝕刻を行つた
のちクロム酸−ホウフツ化水素酸系の蝕刻を行うことに
より必要十分な蝕刻作用と、メツキの析出が可能となつ
た。
Claims (1)
- １ 少なくとも回路が形成される部分に無電解メッキ触
媒を含有する絶縁基板を化学蝕刻し、少なくとも無電解
メッキを含む回路形成工程で回路を形成させる印刷配線
板の製造法に於て、絶縁基板をクロム酸、一硫酸系の蝕
刻液で化学蝕刻した後、クロム酸−ホウフッ化水素酸系
の蝕刻液で化学蝕刻することを特徴とする印刷配線板の
製造法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP15593281A JPS5952557B2 (ja) | 1981-09-29 | 1981-09-29 | 印刷配線板の製造法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP15593281A JPS5952557B2 (ja) | 1981-09-29 | 1981-09-29 | 印刷配線板の製造法 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS5856383A JPS5856383A (ja) | 1983-04-04 |
| JPS5952557B2 true JPS5952557B2 (ja) | 1984-12-20 |
Family
ID=15616658
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP15593281A Expired JPS5952557B2 (ja) | 1981-09-29 | 1981-09-29 | 印刷配線板の製造法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS5952557B2 (ja) |
Families Citing this family (6)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS59132191A (ja) * | 1983-01-18 | 1984-07-30 | 日立コンデンサ株式会社 | 印刷配線板の製造方法 |
| JPS61163938A (ja) * | 1985-01-15 | 1986-07-24 | Matsushita Electric Works Ltd | 付加型イミド樹脂プリプレグ |
| JPS61271327A (ja) * | 1985-05-25 | 1986-12-01 | Matsushita Electric Works Ltd | 付加型イミド樹脂プリプレグ |
| JPS6225126A (ja) * | 1985-07-25 | 1987-02-03 | Matsushita Electric Works Ltd | 付加型イミド樹脂積層板 |
| JPS6241262A (ja) * | 1985-08-15 | 1987-02-23 | Matsushita Electric Works Ltd | 付加型イミド樹脂プレポリマ−組成物 |
| JPS62172025A (ja) * | 1986-01-27 | 1987-07-29 | Matsushita Electric Works Ltd | 付加型イミド樹脂プレポリマ−の製造法 |
-
1981
- 1981-09-29 JP JP15593281A patent/JPS5952557B2/ja not_active Expired
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPS5856383A (ja) | 1983-04-04 |
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