JPH07316825A - 部分メッキした芳香族系ポリエステル液晶ポリマー成形品の製造法 - Google Patents
部分メッキした芳香族系ポリエステル液晶ポリマー成形品の製造法Info
- Publication number
- JPH07316825A JPH07316825A JP13386094A JP13386094A JPH07316825A JP H07316825 A JPH07316825 A JP H07316825A JP 13386094 A JP13386094 A JP 13386094A JP 13386094 A JP13386094 A JP 13386094A JP H07316825 A JPH07316825 A JP H07316825A
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- resist
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- crystal polymer
- liquid crystal
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- Printing Elements For Providing Electric Connections Between Printed Circuits (AREA)
- Manufacturing Of Printed Wiring (AREA)
- Chemically Coating (AREA)
- Manufacturing Of Electrical Connectors (AREA)
Abstract
(57)【要約】
【構成】 部分的にメッキした芳香族系ポリエステル液
晶ポリマー成形品の成形工程に関する。メッキすべき部
分を残してレジスト塗布し、レジスト塗布後に表面粗化
し、その後に触媒付与し、次いでメッキし、メッキ後に
上記レジストを除去する工程とからなる。 【効果】 優れた特性を備えた液晶ポリマーの使用によ
り、高品質の成形品が得られる。また、メッキ処理工程
を短縮することができ、かつプリント回路基板，コネク
タ等の電子部品であっても支障なく適用可能である
晶ポリマー成形品の成形工程に関する。メッキすべき部
分を残してレジスト塗布し、レジスト塗布後に表面粗化
し、その後に触媒付与し、次いでメッキし、メッキ後に
上記レジストを除去する工程とからなる。 【効果】 優れた特性を備えた液晶ポリマーの使用によ
り、高品質の成形品が得られる。また、メッキ処理工程
を短縮することができ、かつプリント回路基板，コネク
タ等の電子部品であっても支障なく適用可能である
Description
【０００１】
【産業上の利用分野】 本発明は、部分メッキした芳香
族系ポリエステル液晶ポリマー（以下「液晶ポリマー」
という。）成形品、例えばプリント回路基板，コネクタ
等の製造法に関するものである。
族系ポリエステル液晶ポリマー（以下「液晶ポリマー」
という。）成形品、例えばプリント回路基板，コネクタ
等の製造法に関するものである。
【０００２】
【従来の技術】従来から、合成樹脂成形品を部分メッキ
する方法として、樹脂成形品を表面粗化エッチング処理
および触媒付与をした後、メッキすべき部分を残してレ
ジストを塗布し、次いでメッキし、メッキ後に上記レジ
ストを除去する方法が知られている。例えば、一次成形
品を表面粗化してから、パラジウム，金などによる触媒
付与し、その後この一次成形品を型内にセットして、メ
ッキすべき部分を残してプラスチックや天然ゴム等の電
気絶縁性材で被覆することにより二次成形品を成形し、
成形後この二次成形品をメッキし、メッキ後に被覆材を
除去する方法（特開昭６３−１６６９７３号公報）であ
る。
する方法として、樹脂成形品を表面粗化エッチング処理
および触媒付与をした後、メッキすべき部分を残してレ
ジストを塗布し、次いでメッキし、メッキ後に上記レジ
ストを除去する方法が知られている。例えば、一次成形
品を表面粗化してから、パラジウム，金などによる触媒
付与し、その後この一次成形品を型内にセットして、メ
ッキすべき部分を残してプラスチックや天然ゴム等の電
気絶縁性材で被覆することにより二次成形品を成形し、
成形後この二次成形品をメッキし、メッキ後に被覆材を
除去する方法（特開昭６３−１６６９７３号公報）であ
る。
【０００３】
【発明が解決しようとする課題】しかし、従来の方法で
は、レジストを除去した後の成形品の剥離面は、表面粗
化処理によって生じる微細な凹凸により粗く、外観上好
ましくない。また、触媒付与処理のために、その剥離面
は親水性で水分が吸着され易い状態となっているため、
プリント回路基板，コネクタ等の電子部品にとっては機
能上不都合であった。これらの問題を解決するには、剥
離面にソルダーレジストを塗付しなければならず、余計
な工程が加わり、手間である。
は、レジストを除去した後の成形品の剥離面は、表面粗
化処理によって生じる微細な凹凸により粗く、外観上好
ましくない。また、触媒付与処理のために、その剥離面
は親水性で水分が吸着され易い状態となっているため、
プリント回路基板，コネクタ等の電子部品にとっては機
能上不都合であった。これらの問題を解決するには、剥
離面にソルダーレジストを塗付しなければならず、余計
な工程が加わり、手間である。
【０００４】そこで、本発明の目的は、例えばプリント
回路基板，コネクタ等の電子部品であっても支障なく適
用可能であり、かつ従来よりもメッキ処理工程が短縮で
き、同時に高品質の部分メッキした液晶ポリマー成形品
の製造法を提供することである。
回路基板，コネクタ等の電子部品であっても支障なく適
用可能であり、かつ従来よりもメッキ処理工程が短縮で
き、同時に高品質の部分メッキした液晶ポリマー成形品
の製造法を提供することである。
【０００５】
【課題を解決するための手段】本発明の特徴は、表面粗
化処理前に、液晶ポリマー成形品をメッキすべき部分を
残してレジスト塗布するところにあり、レジスト塗布後
に表面粗化し、その後に触媒付与し、次いでメッキし、
メッキ後に上記レジストを除去する。
化処理前に、液晶ポリマー成形品をメッキすべき部分を
残してレジスト塗布するところにあり、レジスト塗布後
に表面粗化し、その後に触媒付与し、次いでメッキし、
メッキ後に上記レジストを除去する。
【０００６】まず、液晶ポリマーについて説明する。液
晶ポリマーは、耐熱性はもとより、熱線膨脹係数が広い
範囲での温度条件下で金属に近く、金属膜と同等の伸縮
性を有し、サーマルサイクルテストにおいても優れた特
性を示している。そのため、他の合成樹脂成形品よりも
高品質なものが期待できる。
晶ポリマーは、耐熱性はもとより、熱線膨脹係数が広い
範囲での温度条件下で金属に近く、金属膜と同等の伸縮
性を有し、サーマルサイクルテストにおいても優れた特
性を示している。そのため、他の合成樹脂成形品よりも
高品質なものが期待できる。
【０００７】また、液晶ポリマーには、無充填のもの
と、フィラーとしてガラス繊維，ピロリン酸カルシウ
ム，ワラストナイト，炭酸カルシウム，チタン酸バリウ
ム，炭素繊維等を充填したものがある。
と、フィラーとしてガラス繊維，ピロリン酸カルシウ
ム，ワラストナイト，炭酸カルシウム，チタン酸バリウ
ム，炭素繊維等を充填したものがある。
【０００８】次に、メッキ処理工程について順次説明す
る。レジスト塗布する方法として、例えば、塗布部分が
板状である場合は、耐酸性のレジストインクで不要部分
をシルク印刷する方法が、塗布部分が立体的である場合
には、スプレーによる塗装法が採られる。この際、レジ
スト剤として、熱乾燥型レジストインキ（ＭＡ−８３
０，Ｍ−８５Ｋ；太陽インキ製造株式会社製）等を使用
する。
る。レジスト塗布する方法として、例えば、塗布部分が
板状である場合は、耐酸性のレジストインクで不要部分
をシルク印刷する方法が、塗布部分が立体的である場合
には、スプレーによる塗装法が採られる。この際、レジ
スト剤として、熱乾燥型レジストインキ（ＭＡ−８３
０，Ｍ−８５Ｋ；太陽インキ製造株式会社製）等を使用
する。
【０００９】表面粗化処理は、成形品の表面を化学的に
腐食させ成形品とメッキ膜との密着性を高めるために必
要であり、この際用いるエッチング液は、成形品の材質
により異なる。液晶ポリマーの成形品の場合は、公知技
術（特開昭６３−１４８７９号公報）により、エッチン
グ液である苛性ソーダまたは苛性カリを、所定濃度に溶
解したアルカリ性水溶液を所定温度に加熱し、この水溶
液中に液晶ポリマー成形品を所定時間浸漬する。
腐食させ成形品とメッキ膜との密着性を高めるために必
要であり、この際用いるエッチング液は、成形品の材質
により異なる。液晶ポリマーの成形品の場合は、公知技
術（特開昭６３−１４８７９号公報）により、エッチン
グ液である苛性ソーダまたは苛性カリを、所定濃度に溶
解したアルカリ性水溶液を所定温度に加熱し、この水溶
液中に液晶ポリマー成形品を所定時間浸漬する。
【００１０】触媒付与処理は、成形品の表面を活性化す
るために必要であり、センシタイジング・アクチベーテ
ィング方法とキャタリスト・アクセラレーター方法から
適宜選択可能である。
るために必要であり、センシタイジング・アクチベーテ
ィング方法とキャタリスト・アクセラレーター方法から
適宜選択可能である。
【００１１】メッキは、通常化学銅メッキ，化学ニッケ
ルメッキが使用されるが、成形品が例えば配線基板の場
合には銅メッキが望ましい。
ルメッキが使用されるが、成形品が例えば配線基板の場
合には銅メッキが望ましい。
【００１２】レジストを除去するには剥離溶剤を用いる
が、その剥離溶剤はレジスト剤の種類により異なる。例
えば、レジスト剤として熱乾燥型レジストインキ（Ｍ−
８５Ｋ）を使用した場合は、剥離溶剤としてトリクレ
ン，バークレン，塩化メチレンが用いられ、熱乾燥型レ
ジストインキ（ＭＡ−８３０）を使用した場合には、１
〜３％ＮａＯＨが用いられる。
が、その剥離溶剤はレジスト剤の種類により異なる。例
えば、レジスト剤として熱乾燥型レジストインキ（Ｍ−
８５Ｋ）を使用した場合は、剥離溶剤としてトリクレ
ン，バークレン，塩化メチレンが用いられ、熱乾燥型レ
ジストインキ（ＭＡ−８３０）を使用した場合には、１
〜３％ＮａＯＨが用いられる。
【００１３】
【実施例】以下、図１を参照して本発明の実施例を説明
する。
する。
【００１４】基板の成形工程Ａ 液晶ポリマー（ベクトラＣ８１０；商品名 米国セラニ
ーズ社製）からなる基板１を金型によって成形し、５０
℃に加熱した脱脂液（エースクリーンＡ−２２０；商品
名 奥野製薬製）５０ｇ／ｌの水溶液に５分間浸漬した
後水洗いした。
ーズ社製）からなる基板１を金型によって成形し、５０
℃に加熱した脱脂液（エースクリーンＡ−２２０；商品
名 奥野製薬製）５０ｇ／ｌの水溶液に５分間浸漬した
後水洗いした。
【００１５】レジスト塗布工程Ｂ 前記の基板１を乾燥した後、メッキすべき部分を残して
レジスト２を塗布し、１００℃の熱風循環炉で３〜１０
分乾燥した（６０℃の熱風循環炉では１０〜３０分を要
する）。レジストとして、下記熱乾燥型レジストインキ
（Ｍ−８５Ｋ；太陽インキ製造株式会社製）を用いた。
レジスト２を塗布し、１００℃の熱風循環炉で３〜１０
分乾燥した（６０℃の熱風循環炉では１０〜３０分を要
する）。レジストとして、下記熱乾燥型レジストインキ
（Ｍ−８５Ｋ；太陽インキ製造株式会社製）を用いた。
【００１６】
【表１】
【００１７】表面粗化処理工程Ｃ ２００ｇ／ｌの苛性ソーダを溶解したアルカリ性水溶液
をエッチング液として用い、９０℃に加熱する。この中
へ前記のレジスト塗布後の基板１を２０分間浸漬した後
水洗いした。この結果、図１Ｃに示す基板の表面３は、
微細な凹凸が生じ、これにより表面積が増加し密着性を
高める状態となる。
をエッチング液として用い、９０℃に加熱する。この中
へ前記のレジスト塗布後の基板１を２０分間浸漬した後
水洗いした。この結果、図１Ｃに示す基板の表面３は、
微細な凹凸が生じ、これにより表面積が増加し密着性を
高める状態となる。
【００１８】触媒付与処理工程Ｄ キャタリスト・アクセラレーター方法を採用し、１５０
ｍｌ／ｌの濃塩酸中にキャタリストＣ（奥野製薬製）を
３０ｍｌ／ｌの割合で混合し、温度を３０℃に保持す
る。この中へ前記の表面粗化処理後の基板１を３分間浸
漬し水洗いした後、５０℃に保持した８０ｍｌ／ｌの硫
酸からなるアクセラレーター液の中へ４分間浸漬した後
水洗いした。この結果、図１Ｄに示す基板の表面４は、
活性化されメッキ金属の吸着反応が促進しやすい状態と
なる。
ｍｌ／ｌの濃塩酸中にキャタリストＣ（奥野製薬製）を
３０ｍｌ／ｌの割合で混合し、温度を３０℃に保持す
る。この中へ前記の表面粗化処理後の基板１を３分間浸
漬し水洗いした後、５０℃に保持した８０ｍｌ／ｌの硫
酸からなるアクセラレーター液の中へ４分間浸漬した後
水洗いした。この結果、図１Ｄに示す基板の表面４は、
活性化されメッキ金属の吸着反応が促進しやすい状態と
なる。
【００１９】メッキ工程Ｅ 前記の触媒付与処理後の基板１に、無電解銅メッキ５を
２０μｍの厚みで行った。これにより基板は、図１濃斜
線に示すようにレジスト塗布していない部分のみがメッ
キされる。
２０μｍの厚みで行った。これにより基板は、図１濃斜
線に示すようにレジスト塗布していない部分のみがメッ
キされる。
【００２０】レジスト除去工程Ｆ 前記のレジスト２として用いた熱乾燥型レジストインキ
（Ｍ−８５Ｋ；太陽インキ製造株式会社製）を塩化メチ
レン剥離溶剤により除去した。その後、前記のレジスト
除去後の基板１を洗浄し乾燥することによって、部分メ
ッキした液晶ポリマー成形品としての回路基板が得られ
る。
（Ｍ−８５Ｋ；太陽インキ製造株式会社製）を塩化メチ
レン剥離溶剤により除去した。その後、前記のレジスト
除去後の基板１を洗浄し乾燥することによって、部分メ
ッキした液晶ポリマー成形品としての回路基板が得られ
る。
【００２１】
【発明の効果】本発明は、他の合成樹脂よりも優れた特
性を備えた液晶ポリマーを使用しているため、高品質の
成形品が得られる。また、本発明によると、表面粗化処
理で生じる微細な凹凸によるざらつきや触媒付与処理に
よって水分を吸着し易くなるという問題がなく、レジス
ト剥離面にソルダーレジストを塗付するという手間がな
くなる。この結果、メッキ処理工程が短縮でき、かつ剥
離面は疎水性で水分が吸着し難くなりプリント回路基
板，コネクタ等の電子部品であっても支障なく適用可能
である。
性を備えた液晶ポリマーを使用しているため、高品質の
成形品が得られる。また、本発明によると、表面粗化処
理で生じる微細な凹凸によるざらつきや触媒付与処理に
よって水分を吸着し易くなるという問題がなく、レジス
ト剥離面にソルダーレジストを塗付するという手間がな
くなる。この結果、メッキ処理工程が短縮でき、かつ剥
離面は疎水性で水分が吸着し難くなりプリント回路基
板，コネクタ等の電子部品であっても支障なく適用可能
である。
【図１】回路基板成形工程を段階的に示す断面図であ
る。
る。
１ 芳香族系ポリエステル液晶ポリマー成形品（基板） ２ レジスト ５ メッキ（無電解銅メッキ）
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (72)発明者 大村 慎吾 岩手県岩手郡滝沢村鵜飼字狐洞１−375
Claims (1)
- 【請求項１】 芳香族系ポリエステル液晶ポリマー成形
品をメッキすべき部分を残してレジスト塗布し、このレ
ジスト塗布後に表面粗化し、その後に触媒付与し、次い
でメッキし、メッキ後に上記レジストを除去することを
特徴とする部分メッキした芳香族系ポリエステル液晶ポ
リマー成形品の製造法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP13386094A JPH07316825A (ja) | 1994-05-25 | 1994-05-25 | 部分メッキした芳香族系ポリエステル液晶ポリマー成形品の製造法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP13386094A JPH07316825A (ja) | 1994-05-25 | 1994-05-25 | 部分メッキした芳香族系ポリエステル液晶ポリマー成形品の製造法 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH07316825A true JPH07316825A (ja) | 1995-12-05 |
Family
ID=15114745
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP13386094A Pending JPH07316825A (ja) | 1994-05-25 | 1994-05-25 | 部分メッキした芳香族系ポリエステル液晶ポリマー成形品の製造法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH07316825A (ja) |
Cited By (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| SG92768A1 (en) * | 1999-12-21 | 2002-11-19 | Itoh Ryoh | Method for partially plating on a base |
| US6923919B2 (en) * | 2000-07-18 | 2005-08-02 | 3M Innovative Properties Company | Liquid crystal polymers for flexible circuits |
| JP2009062609A (ja) * | 2007-08-15 | 2009-03-26 | Sankyo Kasei Co Ltd | 成形回路部品の製造方法 |
| JP2014234329A (ja) * | 2013-06-04 | 2014-12-15 | 太陽インキ製造株式会社 | 熱乾燥型エッチングレジスト組成物 |
-
1994
- 1994-05-25 JP JP13386094A patent/JPH07316825A/ja active Pending
Cited By (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| SG92768A1 (en) * | 1999-12-21 | 2002-11-19 | Itoh Ryoh | Method for partially plating on a base |
| US6923919B2 (en) * | 2000-07-18 | 2005-08-02 | 3M Innovative Properties Company | Liquid crystal polymers for flexible circuits |
| JP2009062609A (ja) * | 2007-08-15 | 2009-03-26 | Sankyo Kasei Co Ltd | 成形回路部品の製造方法 |
| JP2014234329A (ja) * | 2013-06-04 | 2014-12-15 | 太陽インキ製造株式会社 | 熱乾燥型エッチングレジスト組成物 |
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Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| A02 | Decision of refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A02 Effective date: 20030311 |