JPH11352489A - 広視野角液晶表示装置及びその製造方法 - Google Patents

広視野角液晶表示装置及びその製造方法

Info

Publication number
JPH11352489A
JPH11352489A JP11134981A JP13498199A JPH11352489A JP H11352489 A JPH11352489 A JP H11352489A JP 11134981 A JP11134981 A JP 11134981A JP 13498199 A JP13498199 A JP 13498199A JP H11352489 A JPH11352489 A JP H11352489A
Authority
JP
Japan
Prior art keywords
liquid crystal
crystal display
display device
substrate
pattern
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Granted
Application number
JP11134981A
Other languages
English (en)
Other versions
JP4130274B2 (ja
Inventor
Jang-Kun Song
長 根 宋
Seung Beom Park
乗 範 朴
Heizen Ra
炳 善 羅
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Samsung Electronics Co Ltd
Original Assignee
Samsung Electronics Co Ltd
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Family has litigation
First worldwide family litigation filed litigation Critical https://patents.darts-ip.com/?family=19537419&utm_source=***_patent&utm_medium=platform_link&utm_campaign=public_patent_search&patent=JPH11352489(A) "Global patent litigation dataset” by Darts-ip is licensed under a Creative Commons Attribution 4.0 International License.
Application filed by Samsung Electronics Co Ltd filed Critical Samsung Electronics Co Ltd
Publication of JPH11352489A publication Critical patent/JPH11352489A/ja
Application granted granted Critical
Publication of JP4130274B2 publication Critical patent/JP4130274B2/ja
Anticipated expiration legal-status Critical
Expired - Fee Related legal-status Critical Current

Links

Classifications

    • G—PHYSICS
    • G02—OPTICS
    • G02F—OPTICAL DEVICES OR ARRANGEMENTS FOR THE CONTROL OF LIGHT BY MODIFICATION OF THE OPTICAL PROPERTIES OF THE MEDIA OF THE ELEMENTS INVOLVED THEREIN; NON-LINEAR OPTICS; FREQUENCY-CHANGING OF LIGHT; OPTICAL LOGIC ELEMENTS; OPTICAL ANALOGUE/DIGITAL CONVERTERS
    • G02F1/00—Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics
    • G02F1/01—Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics for the control of the intensity, phase, polarisation or colour 
    • G02F1/13—Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics for the control of the intensity, phase, polarisation or colour  based on liquid crystals, e.g. single liquid crystal display cells
    • G02F1/133—Constructional arrangements; Operation of liquid crystal cells; Circuit arrangements
    • G02F1/1333—Constructional arrangements; Manufacturing methods
    • G02F1/1347—Arrangement of liquid crystal layers or cells in which the final condition of one light beam is achieved by the addition of the effects of two or more layers or cells
    • G—PHYSICS
    • G02—OPTICS
    • G02F—OPTICAL DEVICES OR ARRANGEMENTS FOR THE CONTROL OF LIGHT BY MODIFICATION OF THE OPTICAL PROPERTIES OF THE MEDIA OF THE ELEMENTS INVOLVED THEREIN; NON-LINEAR OPTICS; FREQUENCY-CHANGING OF LIGHT; OPTICAL LOGIC ELEMENTS; OPTICAL ANALOGUE/DIGITAL CONVERTERS
    • G02F1/00—Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics
    • G02F1/01—Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics for the control of the intensity, phase, polarisation or colour 
    • G02F1/13—Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics for the control of the intensity, phase, polarisation or colour  based on liquid crystals, e.g. single liquid crystal display cells
    • G02F1/133—Constructional arrangements; Operation of liquid crystal cells; Circuit arrangements
    • G02F1/1333—Constructional arrangements; Manufacturing methods
    • G02F1/1337—Surface-induced orientation of the liquid crystal molecules, e.g. by alignment layers
    • G02F1/133707—Structures for producing distorted electric fields, e.g. bumps, protrusions, recesses, slits in pixel electrodes
    • G—PHYSICS
    • G02—OPTICS
    • G02F—OPTICAL DEVICES OR ARRANGEMENTS FOR THE CONTROL OF LIGHT BY MODIFICATION OF THE OPTICAL PROPERTIES OF THE MEDIA OF THE ELEMENTS INVOLVED THEREIN; NON-LINEAR OPTICS; FREQUENCY-CHANGING OF LIGHT; OPTICAL LOGIC ELEMENTS; OPTICAL ANALOGUE/DIGITAL CONVERTERS
    • G02F1/00—Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics
    • G02F1/01—Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics for the control of the intensity, phase, polarisation or colour 
    • G02F1/13—Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics for the control of the intensity, phase, polarisation or colour  based on liquid crystals, e.g. single liquid crystal display cells
    • G02F1/133—Constructional arrangements; Operation of liquid crystal cells; Circuit arrangements
    • G02F1/1333—Constructional arrangements; Manufacturing methods
    • G02F1/1343—Electrodes
    • G02F1/134309—Electrodes characterised by their geometrical arrangement
    • G02F1/134336—Matrix
    • G—PHYSICS
    • G02—OPTICS
    • G02F—OPTICAL DEVICES OR ARRANGEMENTS FOR THE CONTROL OF LIGHT BY MODIFICATION OF THE OPTICAL PROPERTIES OF THE MEDIA OF THE ELEMENTS INVOLVED THEREIN; NON-LINEAR OPTICS; FREQUENCY-CHANGING OF LIGHT; OPTICAL LOGIC ELEMENTS; OPTICAL ANALOGUE/DIGITAL CONVERTERS
    • G02F1/00—Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics
    • G02F1/01—Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics for the control of the intensity, phase, polarisation or colour 
    • G02F1/13—Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics for the control of the intensity, phase, polarisation or colour  based on liquid crystals, e.g. single liquid crystal display cells
    • G02F1/137—Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics for the control of the intensity, phase, polarisation or colour  based on liquid crystals, e.g. single liquid crystal display cells characterised by the electro-optical or magneto-optical effect, e.g. field-induced phase transition, orientation effect, guest-host interaction or dynamic scattering
    • G02F1/139—Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics for the control of the intensity, phase, polarisation or colour  based on liquid crystals, e.g. single liquid crystal display cells characterised by the electro-optical or magneto-optical effect, e.g. field-induced phase transition, orientation effect, guest-host interaction or dynamic scattering based on orientation effects in which the liquid crystal remains transparent
    • G02F1/1393—Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics for the control of the intensity, phase, polarisation or colour  based on liquid crystals, e.g. single liquid crystal display cells characterised by the electro-optical or magneto-optical effect, e.g. field-induced phase transition, orientation effect, guest-host interaction or dynamic scattering based on orientation effects in which the liquid crystal remains transparent the birefringence of the liquid crystal being electrically controlled, e.g. ECB-, DAP-, HAN-, PI-LC cells

Landscapes

  • Physics & Mathematics (AREA)
  • Nonlinear Science (AREA)
  • Mathematical Physics (AREA)
  • Chemical & Material Sciences (AREA)
  • Crystallography & Structural Chemistry (AREA)
  • General Physics & Mathematics (AREA)
  • Optics & Photonics (AREA)
  • Geometry (AREA)
  • Spectroscopy & Molecular Physics (AREA)
  • Liquid Crystal (AREA)
  • Devices For Indicating Variable Information By Combining Individual Elements (AREA)

Abstract

(57)【要約】 【課題】 多重分割のためのパターン構造を形成して視
野角を拡大し、分割配向のためのパターンを形成する工
程を単純化する。また、多重分割領域の境界付近におい
ての光漏れ現象を減少させて対比度を向上させる電極及
びブラックマトリックス構造を具現する。 【解決手段】 第１基板、第１基板の上に形成されてい
る共通電極、共通電極の上に領域を分割するために形成
されている突起パターン、第１基板と対向するように対
応している第２基板、第２基板の上に形成されており、
領域を分割するための開口パターンを有している画素電
極を含んでなる液晶表示装置。

Description

【発明の詳細な説明】
【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明は垂直配向液晶表示装
置及びその製造方法に関し、特に一つの画素領域内で液
晶分子の配向方向が分割されて広視野角を具現する液晶
表示装置及びその製造方法に関する。
【０００２】
【従来の技術】一般に、液晶表示装置は二枚の基板の間
に液晶を注入して、ここに印加する電場の強さを調節し
て光透過量を調節する構造からなる。
【０００３】垂直配向ねじれネマチック方式の液晶表示
装置は内側に透明電極が形成されている一組の透明基
板、二つの透明基板の間の液晶物質、それぞれの透明基
板の外側に付着されて光を偏向させる二枚の偏光板から
なる。電場を印加しない状態において液晶分子は二つの
基板に対して垂直に配向しており、電場を印加すると二
つの基板の間に詰められた液晶分子が基板に平行して一
定のピッチを有して螺旋状にねじれるようになる。
【０００４】
【発明が解決しようとする課題】ＶＡＴＮ液晶表示装置
の場合、電界が印加されない状態において液晶分子が基
板に対して垂直に配向しているため、直交する偏光板を
用いる場合電界が印加されない状態において完全に光が
遮断できる。すなわち、ノーマリブラックモード（ｎｏ
ｒｍａｌｌｙｂｌａｃｋｍｏｄｅ）においてオフ状態の
輝度が非常に低いので、従来のねじれネマチック液晶表
示装置に比べて高い対比度を得ることができる。しか
し、電界が印加された状態、特に階調電圧が印加された
状態においては通常のねじれネマッチクモードと同様に
液晶表示装置を見る方向によって光の遅延に大きい差異
が生じて視野角が狭いという問題点がある。
【０００５】本発明の目的は多重分割のためのパターン
構造を形成して視野角を拡大し、分割配向のためのパタ
ーンを形成する工程を単純化することにある。
【０００６】本発明の他の目的は多重分割領域の境界付
近においての光漏れ現象を減少させて対比度を向上させ
る電極及びブラックマトリックス構造を具現することに
ある。
【０００７】
【課題を解決するための手段】前記目的を達成するため
に本発明による液晶表示装置においては、下部基板の画
素電極に開口パターンを形成して、前記基板に突起パタ
ーンを形成して液晶分子を分割配向する。
【０００８】二つの基板の間に負の誘電率異方性を有す
る液晶物質が注入されており、該液晶物質の分子軸を垂
直に配向する配向膜をさらに含むことができる。
【０００９】二つの基板の外側に透過軸が互いに直交す
る偏光板が付着されていることもある。
【００１０】ａプレート一軸性補償フィルム及びｃプレ
ート一軸性補償フィルムが偏光板と薄膜トランジスタ基
板及びカラーフィルター基板の間にそれぞれ付着される
こともあり、この時、補償フィルムの屈折率が一番大き
い方向が偏光板の透過軸と一致するか直交するように付
着するのが好ましい。
【００１１】開口パターン及び突起パターンは偏向軸を
基準に４５度の角度を有する山型形状に形成されている
こともある。
【００１２】一方、開口パターンは偏向軸と９０度の角
度を有する十字状またはＸ状に形成されており、突起パ
ターンは十字状またはＸ状を取り囲む四角形に形成して
いることがあるが、十字状の場合、中央から外側へ行く
ほどその幅が狭くなるのが好ましい。
【００１３】開口パターンの幅、突起パターンの幅と高
さはそれぞれ３〜２０μm、３〜２０μm、０．３〜３μ
mであるのが適当である。
【００１４】突起パターンと重なるように上部基板の上
にブラックマトリックスが形成されていることもあり、
下部基板の上に開口パターンと重なる配線を含むことも
できる。
【００１５】本発明による他の液晶表示装置において下
部基板の上に山型形状の開口パターンを有する画素電極
を形成しており、対応するほかの上部基板の上には開口
パターンと平行するように交互に配列されている山型形
状の突起パターンが形成されている。
【００１６】上部基板には突起パターンと重なる第１部
分及び山型形状に形成されている開口パターンと突起パ
ターンとの折曲部分を横切る形態に形成されている第２
部分及び開口パターンと突起パターンとが画素電極の境
界と会う部分を遮る第３部分を有するブラックマトリッ
クスが上部基板の上に形成されていることがある。
【００１７】この時、ブラックマトリックスの第２部分
は三角形に形成されていることがあり、ブラックマトリ
ックスは開口パターンと重なる第４部分をさらに有する
ことがある。
【００１８】一方、開口パターンと突起パターンとの間
の画素電極の端部が開口パターンと９０度の角度を成す
ことも可能である。
【００１９】前記のような本発明の実施例による液晶表
示装置の製造方法においては薄膜トランジスタ基板の開
口パターンを画素電極パターニング段階において同時に
形成し、カラーフィルター基板には領域を分割するため
の突起パターンを開口パターンと平行するように交互に
配列されるように形成する。
【００２０】突起は感光性膜で塗布、露光、現像または
焼き付けて形成できる。
【００２１】前記のように薄膜トランジスタ基板の場合
にはＩＴＯ画素電極のパターニング段階において開口部
が同時に形成されて、カラーフィルター基板の場合はカ
ラーフィルターの上に保護膜を塗布する必要がないので
工程が単純化する。
【００２２】
【発明の実施の形態】以下、本発明の実施例による垂直
配向液晶表示装置及びその製造方法について添付図面を
参照しながら詳細に説明する。
【００２３】図１(Ａ)及び(Ｂ)は垂直配向液晶表示装置
において液晶分子の配列を電界が印加されない状態と電
界が十分に印加された状態とに分けて図示した図面であ
る。
【００２４】図１(Ａ)及び(Ｂ)に図示されたように、ガ
ラスや石英などで作られた二つの基盤１、２が互いに対
向しており、二つの基板１、２の内側面にはＩＴＯ（ｉ
ｎｄ−ｉｕｍｔｉｎｏｘｉｄｅ）などの透明導電物質か
らなる透明電極１２、２２及び配向膜１４、２４が順次
に形成されている。二つの基板１、２の間には負の誘電
率異方性を有する液晶物質からなる液晶層１００があ
る。それぞれの基板１、２の外側面には液晶層１００に
入射する光及び液晶層１００を透過して出る光を偏向さ
せる偏光板１３、２３がそれぞれ付着されており、下部
基板１に付着された偏光板１３の偏向軸Ｂは上部基板２
に付着された偏光板２３の偏向軸Ａに対して９０度の角
度を成している。配向膜１４はラビング処理することも
あり、処理しないこともある。
【００２５】図１(Ａ)は電界を印加しない場合を示した
ものであって、液晶層１００の液晶分子３は配向膜１４
の配向力によって二つの基板１、２の表面に対して垂直
方向に配列されている。この時、下部基板１に付着され
ている偏光板１３を通過した光は偏光方向が変わらず液
晶層１００を通過する。次に、前記光は上部基板２に付
着されている偏光板２３によって遮断されてブラック状
態を示す。
【００２６】図１(Ｂ)は電界を十分に印加する場合を示
すものであって、液晶分子３は下部基板１から上部基板
２に至るまで９０度の角度を成すように螺旋状にねじら
れているため、液晶分子３の長軸方向が連続的に変化す
るねじられた構造を有する。ここで、二つの基板１、２
に隣接した部分においては印加された電場による力より
は配向膜１４の配向力が強いので、液晶分子３は垂直に
配向された元来の状態を維持する。この時、下部基板１
が付着された偏光板１３を通過して偏向された光が液晶
層１００を通過しながらその偏向軸が液晶分子３の長軸
方向のねじれに沿って９０度回転するようになり、した
がって、反対側の基板２に付着されている偏光板２３を
通過するようになってホワイト状態になる。
【００２７】一方、電圧が印加された状態においては角
度による視野角の依存性が大きく現われる。したがっ
て、垂直配向方式自体では広視野角の効果があるといえ
ないので、単位画素内で領域を分割するか補償フィルム
を用いることで視野角を補償することがある。
【００２８】図２と図３(Ａ)及び(Ｂ)は本発明の第１実
施例による垂直配向液晶表示装置において視野角を補償
するために提案された構造及び原理を図示したものであ
る。
【００２９】図２に示したように、下部基板の透明画素
電極１５に一方向に長く開口部４が空いており、このよ
うな下部基板は透明共通電極２５が前面に形成されてい
る上部基板と対向するように対応される。二つの電極１
５、２５に電圧が印加されると液晶分子３は開口部４に
よって生成されるフリンジフィールドによって開口部４
を境界にして左右対称的に配列される。開口部４の代わ
りに、突起が形成されていても同一な効果を得ることが
できる。
【００３０】図３(Ａ)及び(Ｂ)は前記のパターンによっ
て分割配向を具現した場合の液晶分子の配列をそれぞれ
図示した断面図である。
【００３１】先ず、図３(Ａ)を見ると、下部基板１に形
成されているＩＴＯ電極１５の一部が除去されて開口パ
ターン４が形成されている。電界を印加しない状態にお
いては図１(Ａ)に示したように液晶分子３は二つの基板
１、２に垂直に配列された状態を維持するので、電極が
オープンされない時と同一なブラック状態を現す。電界
を印加すると、ほとんどの領域においては基板１、２に
垂直である電場が形成されるがＩＴＯ電極１５が除去さ
れた開口パターン４の付近の電場は二つの基板１、２に
対して完全に垂直には形成されない。このようにオープ
ンされた部分の付近に形成される曲がった電場をフリン
ジフィールド（ｆｒｉｎｇｅｆｉｅｌｄ）という。
【００３２】液晶が負の誘電率異方性を有するため、液
晶分子３の配列方向は電場の方向と垂直になろうとす
る。したがって、このようなフリンジフィールドによっ
てオープンされた開口パターン４付近の液晶分子３の長
軸は二つの基板１、２の表面に対して傾いたままねじれ
るようになる。すると、ＩＴＯ電極がオープンされた部
分の中心線を基準に両側で液晶分子の傾く方向が反対に
なる二つの領域が生じるようになり、二つの領域の光学
的特性が互いに補償されて視野角が広がる。
【００３３】次に、図３(Ｂ)を見ると、下側基板１に山
型形状の突起５が形成されており、その上に垂直配向膜
１４が形成されている。液晶分子３は垂直配向膜１４の
配向力によって表面に対して垂直に配列しようとするの
で、電界が印加されない状態において突起５の周辺の液
晶分子３は突起５の表面に垂直である方向に傾くように
なる。
【００３４】十分な電界が二つの基板１、２の間に印加
されると、液晶分子３は電界の方向に対して垂直に配列
しようとするので、ねじれて基板１、２に対して平行に
配列される。図２と同様に突起５の中心線を基準に両側
で液晶分子３の傾く方向が反対になる二つの領域が生じ
るので、二つの領域の光学的特性が互いに補償されて視
野角が広がる。
【００３５】しかし、上部基板２の端部の表面に位置す
る液晶分子３´と下部基板１の開口パターン４または突
起５の付近に位置する液晶分子３の傾く程度が異なって
駆動の際、液晶配列の変動が大きく現われることがあ
る。
【００３６】液晶配列の変動を小さくして駆動を安定的
にするためのパターン構造及び配向原理が図４(Ａ)及び
(Ｂ)に図示されている。
【００３７】図３(Ａ)と同様に、下部基板１に形成され
ているＩＴＯ画素電極１５の一部が除去された開口パタ
ーン４が形成されている。また、上部基板２のＩＴＯ共
通電極２５の一部が除去されているが、下部基板１のオ
ープンされた部分とは一定距離をはずれて形成されてい
る。ＩＴＯ画素電極１５と共通電極２５とに電界を印加
すると、画素電極１５と共通電極２５とのオープンされ
た部分の付近ではフリンジフィールドが形成される。
【００３８】したがって、画素電極１５及び共通電極２
５がオープンされた部分の中心線を基準に両側で液晶分
子の傾く方向が反対になる二つの領域が生じるようにな
り、二つの領域の光学的特性が互いに補償されて視野角
が広がる。のみならず、上部基板２のオープンされた部
分と下部基板２のオープンされた部分との液晶分子３が
互いに平行に傾いている。したがって、液晶配列が安定
的になり、応答速度においても有利である。
【００３９】次に、図４(Ｂ)では下側基板１に山型形状
の突起５が形成されており、その上に垂直配向膜１４が
形成されている。また、上側基板２にも突起５及び垂直
配向膜２４が形成されている。前記図４(Ａ)のように、
それぞれの突起５を基準に両側で視野角の補償が成され
て、液晶分子３が分割された領域内で平行に配列される
ので、安定的な配列が成される。
【００４０】しかし、一つの画素領域が二分割配向され
た構造であるため、四分割方向に比べて視野角が不完全
に補償される問題点を依然として有している。
【００４１】また、突起パターンを上部及び下部基板に
形成した場合、電圧が印加されない時にも突起パターン
５の周囲で液晶分子３が完全に垂直配向されず一定の傾
斜を有して配列されるので、複屈折現象によって光が漏
れる現象が深刻に発生する。したがって、ブラック状態
の輝度が増加して対比度が減少する問題点がある。
【００４２】さらに、図４(Ａ)及び(Ｂ)の構造の液晶表
示装置を形成する工程が増加する短所がある。
【００４３】すなわち、図４(Ａ)でのカラーフィルター
基板の場合、ＩＴＯ共通電極２５内に開口パターンを形
成するためにはＩＴＯエッチ液を用いた湿式エッチング
を実施せねばならず、エッチング工程の間、エッチ液が
カラーフィルターに染み入ることがある。カラーフィル
ター内に染み入るエッチ液はカラーフィルターを汚染す
るか損傷するため、ＩＴＯ工程以前に有機物質または無
機物質の保護膜を追加して覆うべきである。したがっ
て、工程が増加する。
【００４４】図４(Ｂ)では画素電極及び共通電極を上部
及び下部基板にそれぞれ形成した後、その上に突起を形
成する工程が追加されるべきである。
【００４５】前記のように、画素領域の多重分割、対比
度、工程の単純化を同時に具現するのは難しい。
【００４６】図５は本発明の第５乃至１２の実施例によ
る垂直配向液晶表示装置の分割配向を図示した断面図で
ある。
【００４７】図５に示したように、下部基板１０の上の
ＩＴＯ画素電極２００には一部が除去された開口部２７
０が形成されており、その上には液晶分子３０を基板１
０面に垂直に配列するための垂直配向膜２４０が形成さ
れている。上部基板２０には突起パターンが形成されて
おり、突起パターン１７０が下部基板１０の開口部２７
０と交互に繰返されて配列されるように二つの基板１
０、２０が対応している。二つの基板１０、２０の間に
は負の誘電率異方性液晶物質３０が注入されている。
【００４８】また、上部及び下部基板１０、２０の外側
面には偏光板１３、２３が付着されている。偏光板１
３、２３の透過軸は互いに直角に置かれ、透過軸は突起
１７０及び開口部２７０の方向と４５度または９０度に
なるように置かれる。
【００４９】また、偏光板１３、２３と基板１０、２０
面の間には補償フィルム１３３、２３３がそれぞれ付着
されている。この時、二つの基板の中の一つにはａプレ
ート一軸性補償フィルムを、反対側にはｃプレート一軸
性補償フィルムを付着するか、ｃプレート一軸性補償フ
ィルムを両側に付着することができる。一軸性補償フィ
ルムの代わりに二軸性補償フィルムを用いることもでき
るが、この場合は二つの基板の中の一方にだけ二軸性補
償フィルムを付着することもできる。補償フィルムの付
着方向はａプレートまたは二軸性補償フィルムで屈折率
が一番大きい方向、つまり遅い軸が偏光板の透過軸と一
致するか直交するように付着する。
【００５０】前記のような液晶表示装置に電圧が印加さ
れると、画素電極２００の開口部２７０の付近でフリン
ジフィールドが形成されて開口部２７０を基準に両側で
液晶分子３０が対称的に配列され、上部基板の突起パタ
ーン１７０を中心に液晶分子３０が両側で対称的に配列
されて画素領域が開口部２７０と突起パターンとを中心
に分割配向される。
【００５１】前記のような構造のパターンは従来より単
純な工程から形成されるが、製造方法については後に説
明する。
【００５２】前記のように、分割配向をするようになる
と、配向の形態によって輝度や応答速度、残像などパネ
ルの特性が異なるようになる。したがって、ＩＴＯ電極
に形成される開口部や突起などのような分割配向のため
のパターンをどのような形態に作るかが重要な問題とな
る。
【００５３】本発明の実施例による液晶表示装置は四分
割配向領域を一つの画素領域に形成して広視野角を得る
ことができる液晶表示装置である。
【００５４】本発明の第５実施例による分割配向のため
のパターンが図６に示されている。
【００５５】カラーフィルター基板に形成された突起パ
ターン１７０と薄膜トラジスタ基板１０との画素電極２
００にオープンされた開口パターン２７０は全て画素の
縦方向の中央の部分で山型形状に折れた形態で形成され
ており、二つの基板に形成された突起パターン１７０と
開口パターン２７０とは交互に形成されている。このよ
うなパターン１７０、２７０を有する液晶表示装置の場
合、画素の中央の折れた位置を中心に下側半分または上
側半分に当たる領域の液晶分子は二つの基板に形成され
た互いに平行したパターンの間で互いに反対する方向に
倒れて二分割を得ることができる。そして、画素の中央
の折れた位置を中心に下側半分と上側半分とのパターン
が中央で折れていてパターンの傾斜方向が反対になって
いるため、画素全体として見ると、配向が異なる四つの
領域が存在するようになって、視野角を広げることがで
きる。
【００５６】図６に示したような液晶表示装置の一つの
画素内のほとんどの領域で液晶分子の方向子は互いに対
向するか反対方向に配列されるので、配向が非常に安定
的に現われる。
【００５７】偏光板の一つの透過軸１１１を基準にパタ
ーンを見ると、一透過軸１１１に対して上部及び下部両
側に４５度角度に開口パターン２７０及び突起パターン
１７０が形成されていて液晶分子の方向子が偏光板の透
過軸１１１、２２２方向と４５度角度を有するので視野
角の特性が向上する。
【００５８】前記に説明したように、補償フィルムが用
いられる場合ａプレートまたは二軸性補償フィルムで屈
折率が一番大きい方向が偏光板の透過軸１１１、２２２
と一致するか直交するように補償フィルムが付着され
る。
【００５９】パターンの中央の部分が折れず直線を形成
する場合さらに速い応答速度を得ることができるが、視
野角の側面で見ると四分割配向が有利であるため、この
二つの要件をできるだけ同時に満足するための方法とし
て提示されたのが本発明の第５実施例による分割配向の
ためのパターンである。
【００６０】しかし、この場合山型形状に折れた部分で
液晶分子の配列が乱れるようになり、下側基板の画素電
極開口パターン２７０と画素電極２００との境界が会う
部分が鋭角を成してこの部分でもディスクリネーション
が発生する。
【００６１】図７は図６のａ部分を拡大して示した平面
図であって、画素電極開口パターン２７０と画素電極２
００との境界が会う部分の液晶分子の配列を示してい
る。
【００６２】図７に示したようにＡ部分で液晶分子の配
列が乱れているため、輝度が低下する現象が現われるこ
ともある。また、このような乱れた配列は液晶表示装置
に画像を表示するために互いに異なる画素電圧を印加す
る過程において動くことがあるため、残像の原因になる
こともある。
【００６３】図８(Ａ)と(Ｂ)に示された本発明の第６実
施例による液晶表示装置は第１実施例で生じるディスク
リネーションを無くすことができる構造を有している。
【００６４】基本的なパターンの形態は第５実施例と類
似している。すなわち、カラーフィルター基板に形成さ
れた突起パターン１７０と薄膜トランジスタ基板に形成
された開口パターン２７０とはすべて画素の横方向の中
央の部分で山型形状に折れた形態で形成されており、二
つの基板に形成されたパターン１７０、２７０は交互に
形成されている。
【００６５】そして、山型形態に折れた部分の中央を横
切るように延長開口パターン２７２と第１枝突起パター
ン１７２とが形成されており、画素電極２００の境界と
突起パターン１７０とが会う地点から開口パターン２７
０側へ画素電極２００の端部に沿って第２枝突起パター
ン１７１が延長されている。このようにすると、上下板
のパターンの端部が互いに近くなり、パターンが鈍角に
形成されてディスクリネーションを無くすことができ
る。
【００６６】第１及び２枝突起パターン１７１、１７２
及び延長開口パターン２７２は山型形状に連結される部
分からその端部に行くほど厚さが薄くなるように形成す
るのが好ましく、山型形状のパターン１７、２７の幅は
３〜２０μm程度に形成するのが好ましい。また、パタ
ーンの間の間隔は５〜１５μmが好ましい。
【００６７】図９は図８(Ａ)のｂ部分の拡大図であっ
て、第６実施例に追加された枝パターンによって液晶分
子が整然と配列されていることが分かる。
【００６８】本発明の第７実施例では第５実施例の構造
で現われるディスクリネーションによる問題を解決する
ためにディスクリネーションを生じる領域をゲート配線
またはブラックマトリックスを用いて遮る。
【００６９】図１０と１１とはそれぞれ本発明の第７実
施例による液晶表示装置の薄膜トランジスタ基板とカラ
ーフィルター基板の平面図である。
【００７０】図１０に示されたように、走射信号を伝達
するゲート線２１０が下辺がない梯形に形成されてお
り、分割配向を形成するためのパターン２７０が梯形の
斜辺に位置するゲート線２１０と重なる。すると、金属
からなるゲート線２１０が後面光源から入る光を遮断し
て薄膜トランジスタ基板の画素電極の開口パターン２７
０による光漏れや輝度の低下を防止することができる。
【００７１】次に、図１１に示したように、カラーフィ
ルター基板にはディスクリネーションが発生する領域と
カラーフィルター基板側の突起パターン１７０、１７
１、１７２が形成された部分を遮るようにブラックマト
リックス１１０が形成されている。ディスクリネーショ
ンが発生する領域は薄膜トランジスタ基板の開口パター
ン２７０と画素電極２００の境界領域との間の領域と山
型形状のパターン１７０、２７０が折れた部分である。
【００７２】前記のようなディスクリネーションを遮る
ためのブラックマトリックスパターンは図１１に示され
たように下側基板に画素電極２００が形成されている領
域を取り囲む形態で形成されて画素領域を定義している
端部と分割配向を形成するためのパターン１７０が形成
された部分を遮るために山型形状に形成された部分、山
型形状の突起パターン１７０の間で生じるディスクリネ
ーションを遮るために三角形に形成された部分、山型形
状のパターン１７０、２７０が折れる部分で生じるディ
スクリネーションを遮るために画素領域の中央を横切る
部分から構成される。
【００７３】これによって、ディスクリネーションが発
生する部分やパターンによって生じる光漏れをブラック
マトリックス１１０を用いて遮断することができ、明る
い色を表示する時、周辺より暗く現われることから生じ
る輝度の低下を防止することができるなど対比度が向上
する。また、このようにブラックマトリックス１１０を
比較的広い面積で形成してもパターンが形成されている
部分やディスクリネーションが発生する部分は元来表示
に寄与する部分と見ることができないので、開口率が減
少する問題は発生しない。
【００７４】図１２は図１０と１１とに示されたように
二つの基板を結合して形成した液晶表示装置の平面図で
あり、図１３は図１２のXIII−XIII′線に沿って図示し
た断面図である。
【００７５】図１２と１３に示されたように、下側基板
である薄膜トランジスタ基板１０にはゲート線２１０が
下辺のない梯形状に形成されており、その上を絶縁膜２
２０が覆っている。絶縁膜の上には画素電極２００が形
成されているが、下辺のない梯形状に形成されたゲート
線２１０の斜辺と一致する位置に画素電極２００の一部
が除去された開口パターンが形成されている。画素電極
２００の上には液晶分子を垂直に配向するための垂直配
向膜２４０が形成されている。
【００７６】一方、上側基板であるカラーフィルター基
板２０にはブラックマトリックス１１０が画素の外側の
みならず、分割配向のための突起パターン１７０が形成
される部分とディスクリネーションが発生する部分とを
同時に遮るように形成されている。ブラックマトリック
ス１１０の間の画素領域にはカラーフィルター１２０が
形成されており、その上にはＩＴＯなどの透明導電物質
からなる共通電極１３０が形成されている。ブラックマ
トリックス１１０の上の共通電極１３０の上には有機膜
または無機膜で突起パターンが形成されている。上側基
板に形成された突起パターン１７０はブラックマトリッ
クス１１０と重なるように形成されており、下側基板の
開口パターン２７０と平行するように交代に形成されて
いる。突起パターン１７０が形成されている共通電極の
上にも垂直配向膜１４０が形成されている。
【００７７】二つの基板１０、２０の外側面には透過軸
が互いに直交するように偏光板１３、２３がそれぞれ付
着されている。補償フィルム２３３、１３３がさらに付
着されていることもある。
【００７８】二つの基板の間には負の誘電率異方性を有
する液晶物質３０が注入されており、二つの基板１０、
２０に形成されている垂直配向膜１４０、２４０の配向
力によって二つの基板１０、２０に対して垂直に配向さ
れており、突起パターン１７０の周辺の液晶分子は突起
パターン１７０の表面に対して垂直の状態で配列されて
いる。
【００７９】ゲート線は通常の方法と同様に直線に形成
され、下板に分割配向のための開口パターンが形成され
ている部分もブラックマトリックスを用いて遮ることが
できる。図１４は本発明の第８実施例による液晶表示装
置の平面図である。
【００８０】ブラックマトリックス１１０が図１２に示
された本発明の第７実施例のように画素の外側、上板の
突起パターン１７０が形成される部分、ディスクリネー
ションが発生する部分を遮っており、下板の開口パター
ン２７０が形成される部分まで遮ることができるように
形成されている。
【００８１】本発明の第８実施例のように、ブラックマ
トリックスを用いてパターンが形成される部分とディス
クリネーションが発生する部分とを遮る場合、ゲート線
パターンの変形による影響を考慮しなくてもいいし、追
加の工程無しに単純な工程で垂直配向液晶表示装置の視
野角を広げながら対比度を向上させることができる。
【００８２】図１５で図示した本発明の第９実施例にお
いては、画素電極開口パターン２７０と画素電極２００
との境界が会う部分で液晶分子の配列が乱れて現われる
輝度の低下を防止するために画素電極の模様を変形す
る。
【００８３】前記のように、ディスクリネーションが発
生する部分は薄膜トランジスタ基板の画素電極２００の
開口パターン２７０と画素電極２００との境界が会う部
分である。
【００８４】したがって、本発明の第１０実施例におい
ては画素電極の開口パターン２７０とカラーフィルター
の突起パターン１７０との間の画素電極２００の境界が
開口パターン２７０と９０度の角度を成すようにする。
この時、開口パターン及び突起パターン１７０、２７０
の幅は３〜２０μm、パターンの間の間隔は５〜１５μm
であるのが好ましい。
【００８５】一つの画素領域を四分割配向するためのパ
ターンを有する本発明による第１０実施例が図１６に示
されている。
【００８６】図１６に示したように、薄膜トランジスタ
基板１０の画素電極には交差部分が９０度であるＸ型開
口パターン２８０が形成されており、カラーフィルター
基板には突起パターン１７０が形成されている。突起パ
ターン１７０は画素電極の端部領域とＸ型開口パターン
２８０と開口パターンとを横切る領域とで分れる。
【００８７】このような開口パターン２８０と突起パタ
ーン１７０とによって液晶の四分割配向がなされ、この
時、隣接した領域の液晶分子の方向子は互いに９０度を
成す。
【００８８】二つの偏光板の透過軸５５５、６６６の方
向がそれぞれ直角になるように付着する。この時、液晶
方向子の方向と透過軸５５５、６６６とは４５度を成す
ようにするのが好ましい。
【００８９】図１７及び１８は本発明の第１１及び１２
実施例による分割配向パターンを図示した平面図であっ
て、図１７は突起パターンが画素電極の端部と重なるか
端部内側に形成されている構造であり、図１８は突起パ
ターンが画素電極の外側に形成されている構造である。
【００９０】図１７及び１８に図示したように、薄膜ト
ランジスタ基板１０の画素電極２００には十字状の開口
パターン２５０が繰返し凹んでおり、カラーフィルター
基板には突起パターン１７０が十字状の開口パターン２
５０の外側を取り囲む形態で形成されている。
【００９１】このような開口パターン２５０と突起パタ
ーン１７０とによって液晶の四分割配向がなされ、この
時、連接した領域の液晶分子の方向子は互いに９０度を
成す。
【００９２】この時、十字状の開口パターン２５０は十
字パターンが分れる内側のダイヤモンド型の部分２５１
とダイヤモンド型部分の四つの角部から延長した枝パタ
ーン２５２からなり、枝パターン２５２は内側から外側
へ行くほど幅が狭くなる。
【００９３】突起パターン１７０は開口パターン２５０
と斜めに形成されているだけで同一な形態を有するの
で、開口パターン２５０のダイヤモンド型部分２５１の
斜辺と対向する突起パターン１７０の斜辺は互いに平行
する。
【００９４】したがって、二つの基板に形成されたパタ
ーンの間で液晶分子は殆ど一定の方向に倒れるようにな
り、このような方向は既に相当安定的であるため、再配
列される過程を経る必要がなくて応答速度は向上する。
【００９５】この時、二つの基板の偏光板の偏光方向は
それぞれ横方向と縦方向に互いに交差するように付着し
て偏向方向が液晶方向子の方向と４５度を成すようにす
るのが好ましい。
【００９６】また、この時、パターン１７０、２５０の
間の幅は３〜２０μm程度に形成し、突起パターン１７
０の高さは０．３〜３．０μm程度に形成されるのが好
ましい。
【００９７】パターン１７０、２５０の幅が狭すぎると
フリンジフィールドや突起によって液晶分子が傾く領域
が狭くて分割配向の効果を得るのが難しく、反対に広す
ぎるとパターンによって光が透過されない部分が広くて
開口率の減少をもたらす。
【００９８】また、突起パターン１７０と開口パターン
２５０との間の間隔は１０〜５０μmに形成されるのが
好ましい。
【００９９】開口率をさらに向上させるためには突起パ
ターン１７０が画素電極２００の端部と一部重なるか端
部の内側に形成されている図１７の実施例よりは画素電
極２００の端部の外側に突起パターン１７０が形成され
ている図１８の実施例を選択するのが好ましい。
【０１００】では、次に本発明の多重分割パターンを形
成するための液晶表示装置の製造方法について説明す
る。
【０１０１】図１９(Ａ)乃至(Ｅ)はカラーフィフィルタ
ー基板の製造方法を工程順に従って図示した断面図であ
る。
【０１０２】先ず、透明な絶縁基板の上にブラックマト
リックス１１０を形成して（図１９(Ａ)参照）、カラー
フィルターパターン１２０を形成する（図１９(Ｂ)参
照）。
【０１０３】その上にＩＴＯ物質で共通電極１３０を全
面に形成する（図１９(Ｃ)参照）。
【０１０４】フォトレジストまたはポリイミドなどのよ
うな感光性膜を３〜２０μm程度の厚さで共通電極１３
０の上に塗布（図１９(Ｄ)参照）、露光、現像した後、
焼き付け工程を実施して０．３〜３μm幅の突起パター
ン１７０を形成する（図１９(Ｅ)参照）。この時、突起
パターン１７０がブラックマトリックス１１０と重なる
ように形成することもできる。
【０１０５】終りに、垂直配向膜１４０を塗布してカラ
ーフィルター基板を完成する。
【０１０６】前記のように、共通電極を一部除去した開
口パターンを形成する場合、追加するべきカラーフィル
ター保護用保護膜形成工程を実施する必要がなく、突起
パターン１７０を無機または有機絶縁膜から形成する場
合に必要なフォトレジスト除去工程を経る必要がないの
で工程が単純になる。
【０１０７】図２０(Ａ)乃至(Ｄ)は薄膜トランジスタ基
板の製造方法を工程順に図示した断面図である。
【０１０８】透明絶縁基板１０の上にゲート線２１０な
どのゲート配線を形成し（図２０(Ａ)参照）、その上に
ゲート絶縁膜２２０を覆った後、半導体層（図示せず）
及びデータ配線を形成する工程を実施して薄膜トラジス
タを形成する（図２０(Ｂ)参照）。
【０１０９】保護膜（図示せず）を形成し、ＩＴＯのよ
うな透明導電物質を積層かつパターニングして画素電極
２００を形成する。この段階において、画素電極２００
の内部に３〜２０μm幅の開口パターン２７０を形成す
る（図２０(Ｃ)参照）。
【０１１０】次に、垂直配向膜２４０を塗布して薄膜ト
ランジスタ基板を完成する。
【０１１１】前記のように、薄膜トランジスタ基板の開
口パターンは画素電極をパターニングする段階において
同時に形成されるので別途の工程が要らない。
【０１１２】図１９(Ａ)乃至(Ｃ)と図２０(Ａ)乃至(Ｄ)
との過程を通じて製作された薄膜トランジスタ基板とカ
ラーフィルター基板を突起パターン１７０と開口パター
ン２７０とがはずれて位置するように組み立て、二つの
基板の間に陰の誘電率異方性を有する液晶を注入した
後、透過軸が互いに直交するように偏光板を基板の外側
面に付ける。
【０１１３】この時、偏光板の透過軸は突起パターン１
７０及び開口パターン２７０と４５度または９０度の角
度を有するように付着する。
【０１１４】偏光板２３、１３と基板２０、１０との面
の間に補償フィルム２３３、１３３を付着する。
【０１１５】この時、二つの基板の中で一方にはａプレ
ート一軸性補償フィルム２３３を、反対側基板にはｃプ
レート一軸性補償フィルムを付着するか、ｃプレート一
軸性フィルムを両側に付着することができる。一軸性補
償フィルムの代わりに一軸性補償フィルムを一方にだけ
付着することもできる。補償フィルム２３３、１３３の
付着方向はａプレートまたは二軸性補償フィルムで屈折
率が一番大きい方向が偏光板の透過軸と一致するか直交
するように付着する。
【０１１６】前記のように、薄膜トランジスタ基板の開
口パターン２７０は画素電極２００をパターニングする
段階で同時に形成し、カラーフィルター基板の突起パタ
ーン１７０を形成する以前に保護膜工程を追加する必要
がない。
【０１１７】
【発明の効果】以上のように、本発明による液晶表示装
置及びその製造方法においては開口パターンを画素電極
をパターニングする段階で形成し、突起パターンを形成
する以前に保護膜を形成する必要がないので、工程を追
加せず四分割垂直配向液晶表示装置を具現することがで
きる。したがって、広視野角が実現される。
【０１１８】また、突起パターンと開口パターンとが形
成されるところにブラックマトリックスまたはゲート線
を対応するか画素電極の構造を変形することによって輝
度を高めて対比度を向上させる。
【図面の簡単な説明】
【図１】垂直配向液晶表示装置において液晶分子の配向
をブラックモード及びホワイトモードによって図示した
概念図である。
【図２】本発明の第１実施例による液晶表示装置の分割
配向のためのパターンの平面図である。
【図３】本発明の第１及び２実施例による垂直配向液晶
表示装置の分割配向を図示した断面図である。
【図４】本発明の第３及び４実施例による垂直配向液晶
表示装置の分割配向を図示した他の断面図である。
【図５】本発明の第５及び１２実施例による垂直配向液
晶表示装置の分割配向を図示した断面図である。
【図６】本発明の第５実施例による垂直配向液晶表示装
置の分割配向のためのパターンを図示した平面図であ
る。
【図７】図６のａ部分の拡大図である。
【図８】本発明の第６実施例による垂直配向液晶表示装
置の分割配向のためのパターンを図示した断面図であ
る。
【図９】図８(Ａ)のｂ部分の拡大図である。
【図１０】ゲート線の変形された形態を示す平面図であ
る。
【図１１】本発明の第７実施例によるカラーフィルター
基板のブラックマトリックス及び突起パターンを示す平
面図である。
【図１２】図１０と図１１とを対応させた平面図であ
る。
【図１３】図１２のXIII−XIII′線に対する断面図であ
る。
【図１４】本発明の第８実施例によるカラー基板のブラ
ックマトリックスを示す平面図である。
【図１５】本発明の第９実施例による画素電極の変形さ
れた形態を示す平面図である。
【図１６】本発明の第１０実施例による垂直配向液晶表
示装置の分割配向のためのパターンを図示した平面図で
ある。
【図１７】本発明の第１１実施例による垂直配向液晶表
示装置の分割配向のためのパターンを図示した平面図で
ある。
【図１８】本発明の第１２実施例による垂直配向液晶表
示装置の分割配向のためのパターンを図示した平面図で
ある。
【図１９】本発明の実施例によるカラーフィルター基板
の製造方法を示す断面図である。
【図２０】本発明の実施例による薄膜トランジスタ基板
の製造方法を示す断面図である。
【符号の説明】
１、２ 基板 ３、３０ 液晶分子 ４、２７０ 開口部 ５ 突起 １２、２２ 透明電極 １３、２３ 偏光板 １４、２４、２４０ 配向膜 １５、２５ 電極 １００ 液晶層 １１０ ブラックマ
トリックス １１１、２２２、３３３、４４４ 透過軸 １２０ カラーフィ
ルタ １３３、２３３ 補償フィル
ム １４０、２４０ 垂直配向膜 １７０、１７１、１７２ 突起パター
ン ２００ 画素電極 ２１０ ゲート線 ２２０ ゲート絶縁
膜 ２５１ ダイヤモン
ド型部分

Claims (79)

    【特許請求の範囲】
  1. 【請求項１】第１基板、前記第１基板の上に形成されて
    いる共通電極、前記共通電極の上に領域を分割するため
    に形成されている突起パターン、前記第１基板と対向す
    るように対応している第２基板、前記第２基板の上に形
    成されており、領域を分割するための開口パターンを有
    している画素電極を含んでなる液晶表示装置。
  2. 【請求項２】前記第１基板と前記第２基板との間に注入
    されており、負の誘電率異方性（anisotropy）を有する
    液晶物質をさらに含んでなる請求項１に記載の液晶表示
    装置。
  3. 【請求項３】前記第１基板及び第２基板は前記液晶物質
    の分子軸を垂直に配向する配向膜をさらに含んでなる請
    求項２に記載の液晶表示装置。
  4. 【請求項４】前記第１及び第２基板の外側に付着されて
    いる第１及び第２偏光板をさらに含み、前記第１及び第
    ２偏光板の透過軸は互いに直交する請求項１に記載の液
    晶表示装置。
  5. 【請求項５】前記第１及び第２偏光板の中の一つの内側
    に付着されている第１補償フィルムをさらに含んでなる
    請求項４に記載の液晶表示装置。
  6. 【請求項６】前記第１補償フィルムは二軸性補償フィル
    ムである請求項５に記載の液晶表示装置。
  7. 【請求項７】前記第１補償フィルムにおいて一番大きい
    屈折率を有する方向が前記第１及び第２偏光板の透過軸
    と一致するか直交する請求項６に記載の液晶表示装置。
  8. 【請求項８】前記第１及び２偏光板の中の一つの内側に
    付着されている第２補償フィルムをさらに含んでなる請
    求項５に記載の液晶表示装置。
  9. 【請求項９】前記第１及び第２補償フィルムはそれぞれ
    aプレート及びｃプレート（plate）一軸性補償フィルム
    である請求項８に記載の液晶表示装置。
  10. 【請求項１０】前記aプレート一軸性補償フィルムにお
    いて一番大きい屈折率を有する方向が前記第１及び第２
    偏光板の透過軸と一致するか直交する請求項９に記載の
    液晶表示装置。
  11. 【請求項１１】前記開口パターンは山型形状に形成され
    ている請求項４に記載の液晶表示装置。
  12. 【請求項１２】前記突起パターンは前記開口パターンと
    平行するように交互に配列されており、山型形状に形成
    されている請求項１１に記載の液晶表示装置。
  13. 【請求項１３】前記突起パターンは前記開口パターンと
    前記画素電極との境界が成す角度が鋭角である部分の前
    記画素電極の境界に沿って延長された第１枝突起をさら
    に含む請求項１２に記載の液晶表示装置。
  14. 【請求項１４】前記第１枝突起は前記開口パターンの方
    へ行くほどその幅が狭くなる請求項１３に記載の液晶表
    示装置。
  15. 【請求項１５】前記共通電極には前記山型形状の突出部
    分から前記開口パターンの方に伸びている第２枝突起が
    形成されており、前記画素電極には前記開口パターンの
    前記山型形状の突出部分から前記突起パターンの方へ伸
    びている延長開口部が形成されている請求項１４に記載
    の液晶表示装置。
  16. 【請求項１６】前記延長開口部は前記突起パターンの方
    へ行くほどその幅が狭くなり、前記第２枝突起は前記画
    素電極の端部側に行くほどその幅が狭くなる請求項１５
    に記載の液晶表示装置。
  17. 【請求項１７】前記開口パターン及び前記突起パターン
    は前記第１及び第２偏光板の透過軸に対してそれぞれ４
    ５度の方向に形成されている請求項１２に記載の液晶表
    示装置。
  18. 【請求項１８】前記開口パターンの幅は３〜２０μmで
    ある請求項１２に記載の液晶表示装置。
  19. 【請求項１９】前記突起パターンの幅は３〜２０μmで
    ある請求項１８に記載の液晶表示装置。
  20. 【請求項２０】前記開口パターンと前記突起パターンと
    の間の間隔は５〜１５μmである請求項１９に記載の液
    晶表示装置。
  21. 【請求項２１】前記突起パターンの高さは０．３〜３μ
    mである請求項２０に記載の液晶表示装置。
  22. 【請求項２２】前記開口パターンは垂直に交差した第１
    部分と第２部分とからなる十字状である請求項４に記載
    の液晶表示装置。
  23. 【請求項２３】前記突起パターンは前記開口パターンの
    十字状を取り囲む四角形状に形成されている請求項２２
    記載の液晶表示装置。
  24. 【請求項２４】前記開口パターンは前記十字状の中央か
    ら外側へ行くほどその幅が狭くなる請求項２３に記載の
    液晶表示装置。
  25. 【請求項２５】前記開口部は前記十字状の中央の部分が
    ダイヤモンド型に形成されている請求項２４に記載の液
    晶表示装置。
  26. 【請求項２６】前記開口パターンの間隔は１０〜５０μ
    mに形成されている請求項２５に記載の液晶表示装置。
  27. 【請求項２７】前記第１部分と第２部分とは前記第１及
    び第２偏光板の透過軸と一致するように形成されている
    請求項２２に記載の液晶表示装置。
  28. 【請求項２８】前記突起パターンは前記画素電極の端側
    の外側に位置するように形成されている請求項２３に記
    載の液晶表示装置。
  29. 【請求項２９】前記突起パターンは前記画素電極の端側
    と重なるように形成されている請求項２３に記載の液晶
    表示装置。
  30. 【請求項３０】前記開口パターンは交差する第１部分と
    第２部分とが互いに直角であるＸ状に形成されている請
    求項４に記載の液晶表示装置。
  31. 【請求項３１】前記突起パターンは前記開口パターンの
    Ｘ状を取り囲む四角形状に形成されている請求項３０に
    記載の液晶表示装置。
  32. 【請求項３２】前記第１部分と前記第２部分とは前記第
    １及び第２偏光板の透過軸と一致する請求項３１に記載
    の液晶表示装置。
  33. 【請求項３３】前記突起パターンは前記画素電極の端部
    の外側に位置するように形成されている請求項３０に記
    載の液晶表示装置。
  34. 【請求項３４】前記突起パターンは前記画素電極の端部
    と重なるように形成されている請求項３０に記載の液晶
    表示装置。
  35. 【請求項３５】前記突起パターンはポリイミドから形成
    されている請求項１に記載の液晶表示装置。
  36. 【請求項３６】前記突起パターンはフォトレジストから
    形成されている請求項１に記載の液晶表示装置。
  37. 【請求項３７】前記突起パターンと重なるように前記第
    ２基板の上に形成されているブラックマトリックスをさ
    らに含んでなる請求項１に記載の液晶表示装置。
  38. 【請求項３８】前記第１基板の上に形成されており、前
    記開口パターンと重なる配線をさらに含んでなる請求項
    ３７に記載の液晶表示装置。
  39. 【請求項３９】前記配線はゲート配線である請求項３８
    に記載の液晶表示装置。
  40. 【請求項４０】山型形状の開口パターンが形成されてい
    る画素電極を有する第１基板、共通電極、前記共通電極
    の上に形成されており、前記開口パターンと互いに平行
    するように交互に配列されている山型形状の突起パター
    ンを有する第２基板を含んでなる液晶表示装置。
  41. 【請求項４１】前記第１基板の上にブラックマトリック
    スが形成されており、前記ブラックマトリックスは前記
    突起パターンと重なる第１部分と、前記山型形状に形成
    されている開口パターンと突起パターンとの折曲部分を
    横切る形態で形成されている第２部分と、前記開口パタ
    ーンと突起パターンとが前記画素電極の境界と会う部分
    を遮る第３部分を有している請求項４０に記載の液晶表
    示装置。
  42. 【請求項４２】前記ブラックマトリックスは前記開口パ
    ターンと重なる第４部分をさらに含む請求項４１に記載
    の液晶表示装置。
  43. 【請求項４３】前記ブラックマトリックスの前記第３部
    分は三角形に形成されている請求項４０に記載の液晶表
    示装置。
  44. 【請求項４４】前記第１基板には前記開口パターンと重
    なる配線がさらに形成されている請求項４０に記載の液
    晶表示装置。
  45. 【請求項４５】前記配線はゲート配線である請求項４４
    に記載の液晶表示装置。
  46. 【請求項４６】前記開口パターンと前記突起パターンと
    の間の画素電極の端部が前記開口パターンと９０度の角
    度を成している請求項４０に記載の液晶表示装置。
  47. 【請求項４７】第１基板、前記第１基板の上に形成され
    ている共通電極、前記共通電極の上に領域を分割するた
    めに形成されている突起パターン、前記第１基板と対向
    するように対応している第２基板、前記第２基板の上に
    形成されており、領域を分割するための開口パターンを
    有している画素電極、前記第１基板と前記第２基板との
    間に注入されており、負の誘電率異方性を有する液晶物
    質を含み、前記液晶物質は前記突起パターンと前記開口
    パターンとによって多数の領域に分割されて、隣接した
    前記領域の液晶の方向子が９０度を成す液晶表示装置。
  48. 【請求項４８】第１基板の上に領域を分割するための突
    起を形成する段階、第２基板の上部に薄膜トランジスタ
    を形成する段階、前記第２基板の上に開口部を有する画
    素電極を形成する段階、前記突起が前記開口部と交互に
    配列するように前記第１基板と前記第２基板とを組み立
    てる段階を含んでなる液晶表示装置の製造方法。
  49. 【請求項４９】前記突起は感光性膜から形成される請求
    項４８に記載の液晶表示装置の製造方法。
  50. 【請求項５０】前記突起を形成する段階は、前記感光性
    膜を塗布する段階、前記感光性膜を露光する段階、前記
    感光性膜を現像する段階、前記感光性膜を焼き付ける段
    階を含んでなる請求項４９に記載の液晶表示装置の製造
    方法。
  51. 【請求項５１】前記突起及び前記開口部の上に垂直配向
    膜をそれぞれ形成する段階をさらに含んでなる請求項４
    ８に記載の液晶表示装置の製造方法。
  52. 【請求項５２】前記突起は０．３〜３μmの高さで形成
    される請求項４８に記載の液晶表示装置の製造方法。
  53. 【請求項５３】前記突起は３〜２０μmの幅を有するよ
    うに形成される請求項５２に記載の液晶表示装置の製造
    方法。
  54. 【請求項５４】前記開口部は３〜２０μmの幅を有する
    ように形成される請求項５３に記載の液晶表示装置の製
    造方法。
  55. 【請求項５５】前記開口部は山型形状に形成される請求
    項４８に記載の液晶表示装置の製造方法。
  56. 【請求項５６】前記突起は山型形状に形成される請求項
    ５５に記載の液晶表示装置の製造方法。
  57. 【請求項５７】前記第１基板の上にブラックマトリック
    スを形成する段階をさらに含んでなる請求項５６に記載
    の液晶表示装置の製造方法。
  58. 【請求項５８】前記ブラックマトリックスは、前記突起
    と重なる第１部分と、前記山型形状に形成されている開
    口部と突起との折曲部分を横切る形態に形成されている
    第２部分と、前記開口部と突起とが前記画素電極の境界
    と会う部分を遮る第３部分を有するように形成する請求
    項５７に記載の液晶表示装置の製造方法。
  59. 【請求項５９】前記ブラックマトリックスは前記開口部
    と重なる第４部分をさらに有している請求項５８に記載
    の液晶表示装置の製造方法。
  60. 【請求項６０】前記ブラックマトリックスの前記第３部
    分は三角形に形成される請求項５８に記載の液晶表示装
    置の製造方法。
  61. 【請求項６１】前記第１基板に前記開口部と重なる配線
    を形成する段階をさらに含んでなる請求項５６に記載の
    液晶表示装置の製造方法。
  62. 【請求項６２】前記配線はゲート配線である請求項６１
    に記載の液晶表示装置の製造方法。
  63. 【請求項６３】前記開口部と前記突起との間の画素電極
    の端部が前記開口部と９０度の角度を成すように形成す
    る請求項５６に記載の液晶表示装置の製造方法。
  64. 【請求項６４】前記第１基板と前記第２基板との間に負
    の誘電率異方性を有する液晶物質を注入する段階をさら
    に含んでなる請求項４８に記載の液晶表示装置の製造方
    法。
  65. 【請求項６５】前記第１基板及び第２基板は前記液晶物
    質の分子軸を垂直に配向する配向膜をさらに含んでなる
    請求項６４に記載の液晶表示装置の製造方法。
  66. 【請求項６６】前記第１及び第２基板の外側に第１及び
    第２偏光板を付着する段階をさらに含んでなる請求項４
    ８に記載の液晶表示装置の製造方法。
  67. 【請求項６７】前記第１及び第２偏光板の透過軸は互い
    に直交する請求項６６に記載の液晶表示装置の製造方
    法。
  68. 【請求項６８】前記第１及び第２偏光板の中の一つの内
    側に第１補償フィルムを付着する段階をさらに含んでな
    る請求項６７に記載の液晶表示装置の製造方法。
  69. 【請求項６９】前記第１補償フィルムは二軸性補償フィ
    ルムである請求項６８に記載の液晶表示装置の製造方
    法。
  70. 【請求項７０】前記第１補償フィルムにおいて一番大き
    い屈折率を有する方向が前記第１及び第２偏光板の透過
    軸と一致するか直交するようにする請求項６９に記載の
    液晶表示装置の製造方法。
  71. 【請求項７１】前記第１及び第２偏光板の中の一つの内
    側に第２補償フィルムを付着する段階をさらに含んでな
    る請求項６８に記載の液晶表示装置の製造方法。
  72. 【請求項７２】前記第１及び第２補償フィルムはそれぞ
    れaプレート及びｃプレート一軸性補償フィルムである
    請求項７１に記載の液晶表示装置の製造方法。
  73. 【請求項７３】前記aプレート一軸性補償フィルムにお
    いて一番大きい屈折率を有する方向が前記第１及び第２
    偏光板の透過軸と一致するか直交するようにする請求項
    ７２に記載の液晶表示装置の製造方法。
  74. 【請求項７４】前記開口部は十字状に形成する請求項４
    ８に記載の液晶表示装置の製造方法。
  75. 【請求項７５】前記開口部は前記十字状の中央から外側
    へ行くほど、その幅が狭くなるように形成する請求項７
    ４に記載の液晶表示装置の製造方法。
  76. 【請求項７６】前記開口部は前記十字状の中央の部分が
    ダイヤモンド型になるように形成する請求項７５に記載
    の液晶表示装置の製造方法。
  77. 【請求項７７】前記突起は前記開口部の十字状を取り囲
    む四角形に形成する請求項７６に記載の液晶表示装置の
    製造方法。
  78. 【請求項７８】前記開口部は交差部分が互いに直交する
    Ｘ状に形成する請求項４８に記載の液晶表示装置の製造
    方法。
  79. 【請求項７９】前記突起は前記開口部のＸ状を取り囲む
    四角形に形成する請求項７８に記載の液晶表示装置の製
    造方法。
JP13498199A 1998-05-16 1999-05-14 広視野角液晶表示装置及びその製造方法 Expired - Fee Related JP4130274B2 (ja)

Applications Claiming Priority (2)

Application Number Priority Date Filing Date Title
KR1019980017734A KR100309918B1 (ko) 1998-05-16 1998-05-16 광시야각액정표시장치및그제조방법
KR1998P17734 1998-05-16

Related Child Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
JP2008072075A Division JP4336730B2 (ja) 1998-05-16 2008-03-19 広視野角液晶表示装置及びその製造方法

Publications (2)

Publication Number Publication Date
JPH11352489A true JPH11352489A (ja) 1999-12-24
JP4130274B2 JP4130274B2 (ja) 2008-08-06

Family

ID=19537419

Family Applications (5)

Application Number Title Priority Date Filing Date
JP13498199A Expired - Fee Related JP4130274B2 (ja) 1998-05-16 1999-05-14 広視野角液晶表示装置及びその製造方法
JP2008072075A Expired - Lifetime JP4336730B2 (ja) 1998-05-16 2008-03-19 広視野角液晶表示装置及びその製造方法
JP2008302370A Expired - Lifetime JP5527962B2 (ja) 1998-05-16 2008-11-27 広視野角液晶表示装置及びその製造方法
JP2012110543A Expired - Lifetime JP5520337B2 (ja) 1998-05-16 2012-05-14 広視野角液晶表示装置及びその製造方法
JP2012110544A Expired - Fee Related JP5326074B2 (ja) 1998-05-16 2012-05-14 広視野角液晶表示装置及びその製造方法

Family Applications After (4)

Application Number Title Priority Date Filing Date
JP2008072075A Expired - Lifetime JP4336730B2 (ja) 1998-05-16 2008-03-19 広視野角液晶表示装置及びその製造方法
JP2008302370A Expired - Lifetime JP5527962B2 (ja) 1998-05-16 2008-11-27 広視野角液晶表示装置及びその製造方法
JP2012110543A Expired - Lifetime JP5520337B2 (ja) 1998-05-16 2012-05-14 広視野角液晶表示装置及びその製造方法
JP2012110544A Expired - Fee Related JP5326074B2 (ja) 1998-05-16 2012-05-14 広視野角液晶表示装置及びその製造方法

Country Status (4)

Country Link
US (4) US6710837B1 (ja)
JP (5) JP4130274B2 (ja)
KR (1) KR100309918B1 (ja)
TW (1) TW584779B (ja)

Cited By (33)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
WO2000055682A1 (fr) * 1999-03-16 2000-09-21 Fujitsu Limited Afficheur a cristaux liquides
WO2000057242A1 (fr) * 1999-03-19 2000-09-28 Fujitsu Limited Dispositif d'affichage a cristaux liquides et procede de fabrication
JP2001142073A (ja) * 1999-11-05 2001-05-25 Koninkl Philips Electronics Nv 液晶表示装置
FR2803680A1 (fr) * 2000-01-12 2001-07-13 Lg Philips Lcd Co Ltd Ecran a cristaux liquides multi-domaines
JP2001264785A (ja) * 2000-03-13 2001-09-26 Samsung Electronics Co Ltd 液晶表示装置及びそれに用いられる薄膜トランジスタ基板
KR100448045B1 (ko) * 2000-12-05 2004-09-10 비오이 하이디스 테크놀로지 주식회사 프린지 필드 구동 모드 액정 표시 장치
KR100466395B1 (ko) * 2001-05-31 2005-01-13 비오이 하이디스 테크놀로지 주식회사 박막 트랜지스터 액정표시장치
KR100471397B1 (ko) * 2001-05-31 2005-02-21 비오이 하이디스 테크놀로지 주식회사 프린지 필드 스위칭 액정표시장치 및 그 제조방법
JP2005055880A (ja) * 2003-07-24 2005-03-03 Sharp Corp 液晶表示装置およびその駆動方法
KR100482468B1 (ko) * 2000-10-10 2005-04-14 비오이 하이디스 테크놀로지 주식회사 프린지 필드 구동 액정 표시 장치
US6888602B2 (en) 1999-09-16 2005-05-03 Fujitsu Display Technologies Corporation Liquid crystal display device and thin film transistor substrate
US7030941B2 (en) 2002-05-15 2006-04-18 Hitachi Displays, Ltd. Liquid crystal display device
JP2006106101A (ja) * 2004-09-30 2006-04-20 Sanyo Electric Co Ltd 液晶表示パネル
US7081935B2 (en) 2001-08-01 2006-07-25 Sharp Kabushiki Kaisha Liquid crystal display device with alignment layer including a diamine component and treated by UV irradiation
US7130012B2 (en) 2000-09-27 2006-10-31 Sharp Kabushiki Kaisha Liquid crystal display device and method for fabricating the same
US7151582B2 (en) 2001-04-04 2006-12-19 Sharp Kabushiki Kaisha Liquid crystal display device with negative retardation of retardation plates being approximately zero.
KR100674237B1 (ko) * 2000-12-29 2007-01-25 비오이 하이디스 테크놀로지 주식회사 광시야각의 수직배향 액정표시장치
KR100685915B1 (ko) * 2000-12-13 2007-02-23 엘지.필립스 엘시디 주식회사 액정셀의 두께 공차가 큰 액정 프로젝터
JP2007052269A (ja) * 2005-08-18 2007-03-01 Toshiba Matsushita Display Technology Co Ltd 液晶表示装置及びその製造方法
US7247411B2 (en) * 2000-10-04 2007-07-24 Samsung Electronics Co., Ltd. Liquid crystal display
CN100359396C (zh) * 2003-08-26 2008-01-02 京东方显示器科技公司 Ffs模式液晶显示装置
US7336331B2 (en) 2000-11-27 2008-02-26 Unipac Optoelectronics Corp. Pixel structure in liquid crystal display
JP2008129039A (ja) * 2006-11-16 2008-06-05 Toppan Printing Co Ltd カラーフィルタの製造方法及びカラーフィルタ
JP2008225436A (ja) * 2007-03-13 2008-09-25 Samsung Electronics Co Ltd 液晶表示装置
US7486364B2 (en) 2000-08-14 2009-02-03 Samsung Electronics Co., Ltd. Liquid crystal display and a method for fabricating the same
US7564526B2 (en) 2000-11-22 2009-07-21 Samsung Electronics Co., Ltd. Liquid crystal display having wide viewing angle
US7612838B2 (en) 2003-10-10 2009-11-03 Lg Display Co., Ltd. Thin film transistor array substrate, liquid crystal display panel having the same, and method of manufacturing thin film transistor array substrate and liquid crystal display panel
JP2011081427A (ja) * 2000-05-12 2011-04-21 Samsung Electronics Co Ltd 液晶表示装置及びそれに用いられる基板
CN102520552A (zh) * 2001-03-30 2012-06-27 夏普株式会社 液晶显示器
US8243241B2 (en) 2004-09-13 2012-08-14 Sharp Kabushiki Kaisha Liquid crystal display device and manufacturing method therefor
US8310643B2 (en) 2002-06-28 2012-11-13 Samsung Display Co., Ltd. Liquid crystal display and thin film transistor array panel therefor
JPWO2011045951A1 (ja) * 2009-10-16 2013-03-04 シャープ株式会社 液晶表示装置
JP2013231794A (ja) * 2012-04-27 2013-11-14 Sony Corp 液晶表示装置

Families Citing this family (420)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP3966614B2 (ja) 1997-05-29 2007-08-29 三星電子株式会社 広視野角液晶表示装置
DE69841083D1 (de) * 1997-06-12 2009-10-01 Sharp Kk Anzeigevorrichtung mit vertikal ausgerichtetem Flüssigkristall
KR100309918B1 (ko) * 1998-05-16 2001-12-17 윤종용 광시야각액정표시장치및그제조방법
KR100354904B1 (ko) * 1998-05-19 2002-12-26 삼성전자 주식회사 광시야각액정표시장치
KR100283511B1 (ko) * 1998-05-20 2001-03-02 윤종용 광시야각 액정 표시장치
US6879364B1 (en) * 1998-09-18 2005-04-12 Fujitsu Display Technologies Corporation Liquid crystal display apparatus having alignment control for brightness and response
JP3957430B2 (ja) * 1998-09-18 2007-08-15 シャープ株式会社 液晶表示装置
US6657695B1 (en) * 1999-06-30 2003-12-02 Samsung Electronics Co., Ltd. Liquid crystal display wherein pixel electrode having openings and protrusions in the same substrate
JP4468529B2 (ja) 1999-07-09 2010-05-26 シャープ株式会社 液晶表示装置
JP4401538B2 (ja) * 1999-07-30 2010-01-20 シャープ株式会社 液晶表示装置及びその製造方法
KR100354906B1 (ko) 1999-10-01 2002-09-30 삼성전자 주식회사 광시야각 액정 표시 장치
KR100606958B1 (ko) * 2000-01-14 2006-07-31 엘지.필립스 엘시디 주식회사 멀티도메인 액정표시소자
KR100512071B1 (ko) 1999-12-09 2005-09-02 엘지.필립스 엘시디 주식회사 광시야각을 갖는 액정표시장치
KR100504532B1 (ko) * 1999-12-28 2005-08-03 엘지.필립스 엘시디 주식회사 멀티도메인 액정표시소자
US6803979B2 (en) * 2000-04-19 2004-10-12 Lg.Philips Lcd Co., Ltd. In-plane switching LCD panel with transverse dielectric protrusions
KR100656911B1 (ko) * 2000-09-19 2006-12-12 삼성전자주식회사 액정 표시 장치용 기판
US7408605B2 (en) 2000-09-19 2008-08-05 Samsung Electronics Co., Ltd. Liquid crystal display panel
TW535966U (en) * 2001-02-02 2003-06-01 Koninkl Philips Electronics Nv Display device
JP4511058B2 (ja) * 2001-02-06 2010-07-28 シャープ株式会社 液晶表示装置及び液晶配向方法
KR100507275B1 (ko) * 2001-03-28 2005-08-09 비오이 하이디스 테크놀로지 주식회사 Han모드를 적용한 프린지 필드 구동 모드 액정표시장치
KR100717179B1 (ko) * 2001-03-31 2007-05-11 비오이 하이디스 테크놀로지 주식회사 프린지 필드 구동 액정표시장치 제조방법
KR100764591B1 (ko) * 2001-09-28 2007-10-08 엘지.필립스 엘시디 주식회사 필름 전사법에 의한 액정표시장치용 컬러필터 기판 및그의 제조방법
US7079210B2 (en) * 2001-11-22 2006-07-18 Samsung Electronics Co., Ltd. Liquid crystal display and thin film transistor array panel
KR100628262B1 (ko) * 2001-12-13 2006-09-27 엘지.필립스 엘시디 주식회사 멀티도메인 액정표시소자
KR100853778B1 (ko) * 2002-06-21 2008-08-25 엘지디스플레이 주식회사 멀티도메인 액정표시소자
KR100880216B1 (ko) * 2002-06-28 2009-01-28 엘지디스플레이 주식회사 멀티도메인 액정표시소자
KR20040008920A (ko) * 2002-07-19 2004-01-31 삼성전자주식회사 수직 배향형 액정 표시 장치
JP4056326B2 (ja) * 2002-08-30 2008-03-05 シャープ株式会社 液晶表示装置
US20040075791A1 (en) * 2002-10-16 2004-04-22 Hong-Da Liu Wide view angle ultra minimal transflective-type vertically aligned liquid crystal display
JP4156342B2 (ja) * 2002-10-31 2008-09-24 シャープ株式会社 液晶表示装置
TW594234B (en) * 2002-12-02 2004-06-21 Ind Tech Res Inst Wide viewing angle LCD device with laterally driven electric field and its manufacturing method
KR100720450B1 (ko) * 2002-12-23 2007-05-22 엘지.필립스 엘시디 주식회사 멀티도메인 액정표시장치 및 그 제조방법
KR100945372B1 (ko) * 2002-12-31 2010-03-08 엘지디스플레이 주식회사 멀티도메인 액정표시소자
JP3900141B2 (ja) 2003-03-13 2007-04-04 セイコーエプソン株式会社 液晶表示装置および電子機器
KR101023974B1 (ko) * 2003-05-13 2011-03-28 삼성전자주식회사 액정표시장치 및 이의 제조 방법
KR100569718B1 (ko) 2003-05-20 2006-04-10 삼성전자주식회사 다중 도메인 액정 표시 장치
JP3642489B2 (ja) * 2003-06-11 2005-04-27 シャープ株式会社 液晶表示装置
KR100983577B1 (ko) * 2003-09-05 2010-09-27 엘지디스플레이 주식회사 액정표시소자
JP3879727B2 (ja) * 2003-10-02 2007-02-14 セイコーエプソン株式会社 液晶表示装置および電子機器
US7697096B2 (en) 2003-12-03 2010-04-13 Samsung Electronics Co., Ltd. Liquid crystal display and panel therefor
US7646459B2 (en) * 2003-12-26 2010-01-12 Sharp Kabushiki Kaisha Liquid crystal display device
KR101022560B1 (ko) * 2003-12-30 2011-03-16 엘지디스플레이 주식회사 광효율 향상 필름 및 이를 이용한 액정표시장치
JP2005250361A (ja) * 2004-03-08 2005-09-15 Sharp Corp 液晶表示装置
TWI317451B (en) * 2004-03-11 2009-11-21 Au Optronics Corp Multi-domain vertical alignment liquid crystal display
JP2005265891A (ja) * 2004-03-16 2005-09-29 Sharp Corp 液晶表示装置およびその駆動方法
JP4155227B2 (ja) * 2004-05-07 2008-09-24 セイコーエプソン株式会社 液晶表示装置および電子機器
JP4844027B2 (ja) * 2004-07-16 2011-12-21 カシオ計算機株式会社 垂直配向型の液晶表示素子
CN100476554C (zh) * 2004-08-31 2009-04-08 卡西欧计算机株式会社 垂直取向型有源矩阵液晶显示元件
US20060066791A1 (en) * 2004-09-30 2006-03-30 Casio Computer Co., Ltd. Vertical alignment active matrix liquid crystal display device
CN101604087A (zh) * 2004-09-30 2009-12-16 卡西欧计算机株式会社 垂直取向型有源矩阵液晶显示元件
TWI282002B (en) * 2004-10-26 2007-06-01 Au Optronics Corp A multi-domain vertical alignment liquid crystal display device
KR100719920B1 (ko) * 2004-11-17 2007-05-18 비오이 하이디스 테크놀로지 주식회사 브이브이에이 모드 액정표시장치
JP4639797B2 (ja) * 2004-12-24 2011-02-23 カシオ計算機株式会社 液晶表示素子
US8068200B2 (en) * 2004-12-24 2011-11-29 Casio Computer Co., Ltd. Vertical alignment liquid crystal display device in which a pixel electrode has slits which divide the pixel electrode into electrode portions
JP4658622B2 (ja) * 2005-01-19 2011-03-23 シャープ株式会社 液晶表示装置用基板及び液晶表示装置
CN100434987C (zh) * 2005-01-19 2008-11-19 友达光电股份有限公司 多区域垂直排列液晶显示装置
KR20060104707A (ko) 2005-03-31 2006-10-09 엘지.필립스 엘시디 주식회사 액정표시장치 및 그 제조방법
US8189151B2 (en) * 2005-05-13 2012-05-29 Sharp Kabushiki Kaisha Liquid crystal display device
DE102006023993A1 (de) * 2005-05-23 2007-03-08 Wang, Ran-Hong, Tustin Polarisationssteuerung für Flüssigkristallanzeigen
US7995177B2 (en) * 2005-06-09 2011-08-09 Sharp Kabushiki Kaisha Liquid crystal display device
US7630033B2 (en) * 2005-09-15 2009-12-08 Hiap L. Ong Large pixel multi-domain vertical alignment liquid crystal display using fringe fields
US20070145700A1 (en) * 2005-10-17 2007-06-28 Richard Ambrose Method and apparatus for portable container with integrated seat and stabilization mechanism
KR101264682B1 (ko) * 2005-12-13 2013-05-16 엘지디스플레이 주식회사 액정 표시 장치 및 이의 제조 방법
TWI357517B (en) * 2006-01-27 2012-02-01 Au Optronics Corp Optical compensated bend type lcd
US20070195251A1 (en) * 2006-02-22 2007-08-23 Toppoly Optoelectronics Corp. Systems for displaying images involving alignment liquid crystal displays
TW200732793A (en) * 2006-02-23 2007-09-01 Chunghwa Picture Tubes Ltd Protrusions dispositon of an MVA LCD
TWI335456B (en) * 2006-03-24 2011-01-01 Au Optronics Corp Liquid crystal display
US20070229744A1 (en) * 2006-03-29 2007-10-04 Casio Computer Co., Ltd. Vertically aligned liquid crystal display device
TWI274212B (en) * 2006-06-14 2007-02-21 Au Optronics Corp Liquid crystal display panel and driving method thereof
WO2008035471A1 (fr) 2006-09-22 2008-03-27 Sharp Kabushiki Kaisha Dispositif d'affichage à cristaux liquides
US7940359B2 (en) * 2007-04-25 2011-05-10 Au Optronics Corporation Liquid crystal display comprising a dielectric layer having a first opening surrounding a patterned structure and exposing a portion of a first pixel electrode and a second pixel electrode formed on the dielectric layer
US7948596B2 (en) * 2007-04-25 2011-05-24 Au Optronics Corporation Multi-domain vertical alignment liquid crystal display
TWI372279B (en) * 2007-08-28 2012-09-11 Au Optronics Corp Liquid crystal display panel and pixel structure
CN101571654A (zh) * 2008-04-28 2009-11-04 上海天马微电子有限公司 液晶显示装置
KR101460652B1 (ko) * 2008-05-14 2014-11-13 삼성디스플레이 주식회사 액정표시장치 및 이의 제조 방법
US10378106B2 (en) 2008-11-14 2019-08-13 Asm Ip Holding B.V. Method of forming insulation film by modified PEALD
TWI381215B (zh) * 2009-02-26 2013-01-01 Au Optronics Corp 垂直配向液晶顯示面板
US9394608B2 (en) 2009-04-06 2016-07-19 Asm America, Inc. Semiconductor processing reactor and components thereof
TWI390287B (zh) * 2009-04-21 2013-03-21 Chimei Innolux Corp 液晶顯示裝置
WO2011004841A1 (ja) * 2009-07-10 2011-01-13 シャープ株式会社 タッチセンサ機能付き表示装置、及び集光遮光フィルム
US8802201B2 (en) 2009-08-14 2014-08-12 Asm America, Inc. Systems and methods for thin-film deposition of metal oxides using excited nitrogen-oxygen species
KR20120027710A (ko) * 2010-09-13 2012-03-22 삼성모바일디스플레이주식회사 액정 표시 패널
US8466411B2 (en) 2011-03-03 2013-06-18 Asm Japan K.K. Calibration method of UV sensor for UV curing
US9312155B2 (en) 2011-06-06 2016-04-12 Asm Japan K.K. High-throughput semiconductor-processing apparatus equipped with multiple dual-chamber modules
US9793148B2 (en) 2011-06-22 2017-10-17 Asm Japan K.K. Method for positioning wafers in multiple wafer transport
US10364496B2 (en) 2011-06-27 2019-07-30 Asm Ip Holding B.V. Dual section module having shared and unshared mass flow controllers
US10854498B2 (en) 2011-07-15 2020-12-01 Asm Ip Holding B.V. Wafer-supporting device and method for producing same
JP2014523914A (ja) 2011-07-18 2014-09-18 プレジデント・アンド・フェロウズ・オブ・ハーバード・カレッジ 操作された微生物標的化分子およびその使用
US20130023129A1 (en) 2011-07-20 2013-01-24 Asm America, Inc. Pressure transmitter for a semiconductor processing environment
US9017481B1 (en) 2011-10-28 2015-04-28 Asm America, Inc. Process feed management for semiconductor substrate processing
US8946830B2 (en) 2012-04-04 2015-02-03 Asm Ip Holdings B.V. Metal oxide protective layer for a semiconductor device
US9558931B2 (en) 2012-07-27 2017-01-31 Asm Ip Holding B.V. System and method for gas-phase sulfur passivation of a semiconductor surface
US9659799B2 (en) 2012-08-28 2017-05-23 Asm Ip Holding B.V. Systems and methods for dynamic semiconductor process scheduling
KR101944701B1 (ko) * 2012-09-05 2019-02-11 삼성디스플레이 주식회사 표시 패널 및 이의 제조 방법
US9021985B2 (en) 2012-09-12 2015-05-05 Asm Ip Holdings B.V. Process gas management for an inductively-coupled plasma deposition reactor
US9324811B2 (en) 2012-09-26 2016-04-26 Asm Ip Holding B.V. Structures and devices including a tensile-stressed silicon arsenic layer and methods of forming same
US10714315B2 (en) 2012-10-12 2020-07-14 Asm Ip Holdings B.V. Semiconductor reaction chamber showerhead
US9640416B2 (en) 2012-12-26 2017-05-02 Asm Ip Holding B.V. Single-and dual-chamber module-attachable wafer-handling chamber
US20160376700A1 (en) 2013-02-01 2016-12-29 Asm Ip Holding B.V. System for treatment of deposition reactor
US9484191B2 (en) 2013-03-08 2016-11-01 Asm Ip Holding B.V. Pulsed remote plasma method and system
US9589770B2 (en) 2013-03-08 2017-03-07 Asm Ip Holding B.V. Method and systems for in-situ formation of intermediate reactive species
US8993054B2 (en) 2013-07-12 2015-03-31 Asm Ip Holding B.V. Method and system to reduce outgassing in a reaction chamber
US9018111B2 (en) 2013-07-22 2015-04-28 Asm Ip Holding B.V. Semiconductor reaction chamber with plasma capabilities
US9793115B2 (en) 2013-08-14 2017-10-17 Asm Ip Holding B.V. Structures and devices including germanium-tin films and methods of forming same
US9240412B2 (en) 2013-09-27 2016-01-19 Asm Ip Holding B.V. Semiconductor structure and device and methods of forming same using selective epitaxial process
US9556516B2 (en) 2013-10-09 2017-01-31 ASM IP Holding B.V Method for forming Ti-containing film by PEALD using TDMAT or TDEAT
US10179947B2 (en) 2013-11-26 2019-01-15 Asm Ip Holding B.V. Method for forming conformal nitrided, oxidized, or carbonized dielectric film by atomic layer deposition
CN103744216B (zh) * 2014-01-02 2018-01-05 北京京东方光电科技有限公司 一种液晶显示面板及其制作方法
US10683571B2 (en) 2014-02-25 2020-06-16 Asm Ip Holding B.V. Gas supply manifold and method of supplying gases to chamber using same
US9447498B2 (en) 2014-03-18 2016-09-20 Asm Ip Holding B.V. Method for performing uniform processing in gas system-sharing multiple reaction chambers
US10167557B2 (en) 2014-03-18 2019-01-01 Asm Ip Holding B.V. Gas distribution system, reactor including the system, and methods of using the same
US11015245B2 (en) 2014-03-19 2021-05-25 Asm Ip Holding B.V. Gas-phase reactor and system having exhaust plenum and components thereof
US9404587B2 (en) 2014-04-24 2016-08-02 ASM IP Holding B.V Lockout tagout for semiconductor vacuum valve
US10858737B2 (en) 2014-07-28 2020-12-08 Asm Ip Holding B.V. Showerhead assembly and components thereof
US9543180B2 (en) 2014-08-01 2017-01-10 Asm Ip Holding B.V. Apparatus and method for transporting wafers between wafer carrier and process tool under vacuum
US9890456B2 (en) 2014-08-21 2018-02-13 Asm Ip Holding B.V. Method and system for in situ formation of gas-phase compounds
US10941490B2 (en) 2014-10-07 2021-03-09 Asm Ip Holding B.V. Multiple temperature range susceptor, assembly, reactor and system including the susceptor, and methods of using the same
US9657845B2 (en) 2014-10-07 2017-05-23 Asm Ip Holding B.V. Variable conductance gas distribution apparatus and method
KR102300403B1 (ko) 2014-11-19 2021-09-09 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 박막 증착 방법
KR102263121B1 (ko) 2014-12-22 2021-06-09 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 반도체 소자 및 그 제조 방법
US9478415B2 (en) 2015-02-13 2016-10-25 Asm Ip Holding B.V. Method for forming film having low resistance and shallow junction depth
US10529542B2 (en) 2015-03-11 2020-01-07 Asm Ip Holdings B.V. Cross-flow reactor and method
US10276355B2 (en) 2015-03-12 2019-04-30 Asm Ip Holding B.V. Multi-zone reactor, system including the reactor, and method of using the same
US10458018B2 (en) 2015-06-26 2019-10-29 Asm Ip Holding B.V. Structures including metal carbide material, devices including the structures, and methods of forming same
US10600673B2 (en) 2015-07-07 2020-03-24 Asm Ip Holding B.V. Magnetic susceptor to baseplate seal
US10043661B2 (en) 2015-07-13 2018-08-07 Asm Ip Holding B.V. Method for protecting layer by forming hydrocarbon-based extremely thin film
US9899291B2 (en) 2015-07-13 2018-02-20 Asm Ip Holding B.V. Method for protecting layer by forming hydrocarbon-based extremely thin film
US10083836B2 (en) 2015-07-24 2018-09-25 Asm Ip Holding B.V. Formation of boron-doped titanium metal films with high work function
US10087525B2 (en) 2015-08-04 2018-10-02 Asm Ip Holding B.V. Variable gap hard stop design
US9647114B2 (en) 2015-08-14 2017-05-09 Asm Ip Holding B.V. Methods of forming highly p-type doped germanium tin films and structures and devices including the films
US9711345B2 (en) 2015-08-25 2017-07-18 Asm Ip Holding B.V. Method for forming aluminum nitride-based film by PEALD
US9960072B2 (en) 2015-09-29 2018-05-01 Asm Ip Holding B.V. Variable adjustment for precise matching of multiple chamber cavity housings
US9909214B2 (en) 2015-10-15 2018-03-06 Asm Ip Holding B.V. Method for depositing dielectric film in trenches by PEALD
US10211308B2 (en) 2015-10-21 2019-02-19 Asm Ip Holding B.V. NbMC layers
US10322384B2 (en) 2015-11-09 2019-06-18 Asm Ip Holding B.V. Counter flow mixer for process chamber
US9455138B1 (en) 2015-11-10 2016-09-27 Asm Ip Holding B.V. Method for forming dielectric film in trenches by PEALD using H-containing gas
US9905420B2 (en) 2015-12-01 2018-02-27 Asm Ip Holding B.V. Methods of forming silicon germanium tin films and structures and devices including the films
US9607837B1 (en) 2015-12-21 2017-03-28 Asm Ip Holding B.V. Method for forming silicon oxide cap layer for solid state diffusion process
US9735024B2 (en) 2015-12-28 2017-08-15 Asm Ip Holding B.V. Method of atomic layer etching using functional group-containing fluorocarbon
US9627221B1 (en) 2015-12-28 2017-04-18 Asm Ip Holding B.V. Continuous process incorporating atomic layer etching
US11139308B2 (en) 2015-12-29 2021-10-05 Asm Ip Holding B.V. Atomic layer deposition of III-V compounds to form V-NAND devices
US10529554B2 (en) 2016-02-19 2020-01-07 Asm Ip Holding B.V. Method for forming silicon nitride film selectively on sidewalls or flat surfaces of trenches
US10468251B2 (en) 2016-02-19 2019-11-05 Asm Ip Holding B.V. Method for forming spacers using silicon nitride film for spacer-defined multiple patterning
US9754779B1 (en) 2016-02-19 2017-09-05 Asm Ip Holding B.V. Method for forming silicon nitride film selectively on sidewalls or flat surfaces of trenches
US10501866B2 (en) 2016-03-09 2019-12-10 Asm Ip Holding B.V. Gas distribution apparatus for improved film uniformity in an epitaxial system
US10343920B2 (en) 2016-03-18 2019-07-09 Asm Ip Holding B.V. Aligned carbon nanotubes
US9892913B2 (en) 2016-03-24 2018-02-13 Asm Ip Holding B.V. Radial and thickness control via biased multi-port injection settings
US10087522B2 (en) 2016-04-21 2018-10-02 Asm Ip Holding B.V. Deposition of metal borides
US10190213B2 (en) 2016-04-21 2019-01-29 Asm Ip Holding B.V. Deposition of metal borides
US10865475B2 (en) 2016-04-21 2020-12-15 Asm Ip Holding B.V. Deposition of metal borides and silicides
US10032628B2 (en) 2016-05-02 2018-07-24 Asm Ip Holding B.V. Source/drain performance through conformal solid state doping
US10367080B2 (en) 2016-05-02 2019-07-30 Asm Ip Holding B.V. Method of forming a germanium oxynitride film
KR102592471B1 (ko) 2016-05-17 2023-10-20 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 금속 배선 형성 방법 및 이를 이용한 반도체 장치의 제조 방법
US11453943B2 (en) 2016-05-25 2022-09-27 Asm Ip Holding B.V. Method for forming carbon-containing silicon/metal oxide or nitride film by ALD using silicon precursor and hydrocarbon precursor
US10388509B2 (en) 2016-06-28 2019-08-20 Asm Ip Holding B.V. Formation of epitaxial layers via dislocation filtering
US9859151B1 (en) 2016-07-08 2018-01-02 Asm Ip Holding B.V. Selective film deposition method to form air gaps
US10612137B2 (en) 2016-07-08 2020-04-07 Asm Ip Holdings B.V. Organic reactants for atomic layer deposition
US9793135B1 (en) 2016-07-14 2017-10-17 ASM IP Holding B.V Method of cyclic dry etching using etchant film
US10714385B2 (en) 2016-07-19 2020-07-14 Asm Ip Holding B.V. Selective deposition of tungsten
US10381226B2 (en) 2016-07-27 2019-08-13 Asm Ip Holding B.V. Method of processing substrate
US10177025B2 (en) 2016-07-28 2019-01-08 Asm Ip Holding B.V. Method and apparatus for filling a gap
US10395919B2 (en) 2016-07-28 2019-08-27 Asm Ip Holding B.V. Method and apparatus for filling a gap
US9812320B1 (en) 2016-07-28 2017-11-07 Asm Ip Holding B.V. Method and apparatus for filling a gap
US9887082B1 (en) 2016-07-28 2018-02-06 Asm Ip Holding B.V. Method and apparatus for filling a gap
KR102532607B1 (ko) 2016-07-28 2023-05-15 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 기판 가공 장치 및 그 동작 방법
US10090316B2 (en) 2016-09-01 2018-10-02 Asm Ip Holding B.V. 3D stacked multilayer semiconductor memory using doped select transistor channel
US10410943B2 (en) 2016-10-13 2019-09-10 Asm Ip Holding B.V. Method for passivating a surface of a semiconductor and related systems
US10643826B2 (en) 2016-10-26 2020-05-05 Asm Ip Holdings B.V. Methods for thermally calibrating reaction chambers
US11532757B2 (en) 2016-10-27 2022-12-20 Asm Ip Holding B.V. Deposition of charge trapping layers
US10643904B2 (en) 2016-11-01 2020-05-05 Asm Ip Holdings B.V. Methods for forming a semiconductor device and related semiconductor device structures
US10714350B2 (en) 2016-11-01 2020-07-14 ASM IP Holdings, B.V. Methods for forming a transition metal niobium nitride film on a substrate by atomic layer deposition and related semiconductor device structures
US10435790B2 (en) 2016-11-01 2019-10-08 Asm Ip Holding B.V. Method of subatmospheric plasma-enhanced ALD using capacitively coupled electrodes with narrow gap
US10229833B2 (en) 2016-11-01 2019-03-12 Asm Ip Holding B.V. Methods for forming a transition metal nitride film on a substrate by atomic layer deposition and related semiconductor device structures
US10134757B2 (en) 2016-11-07 2018-11-20 Asm Ip Holding B.V. Method of processing a substrate and a device manufactured by using the method
KR102546317B1 (ko) 2016-11-15 2023-06-21 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 기체 공급 유닛 및 이를 포함하는 기판 처리 장치
US10340135B2 (en) 2016-11-28 2019-07-02 Asm Ip Holding B.V. Method of topologically restricted plasma-enhanced cyclic deposition of silicon or metal nitride
KR20180068582A (ko) 2016-12-14 2018-06-22 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 기판 처리 장치
US11447861B2 (en) 2016-12-15 2022-09-20 Asm Ip Holding B.V. Sequential infiltration synthesis apparatus and a method of forming a patterned structure
US11581186B2 (en) 2016-12-15 2023-02-14 Asm Ip Holding B.V. Sequential infiltration synthesis apparatus
US9916980B1 (en) 2016-12-15 2018-03-13 Asm Ip Holding B.V. Method of forming a structure on a substrate
KR20180070971A (ko) 2016-12-19 2018-06-27 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 기판 처리 장치
US10269558B2 (en) 2016-12-22 2019-04-23 Asm Ip Holding B.V. Method of forming a structure on a substrate
US10867788B2 (en) 2016-12-28 2020-12-15 Asm Ip Holding B.V. Method of forming a structure on a substrate
US11390950B2 (en) 2017-01-10 2022-07-19 Asm Ip Holding B.V. Reactor system and method to reduce residue buildup during a film deposition process
US10655221B2 (en) 2017-02-09 2020-05-19 Asm Ip Holding B.V. Method for depositing oxide film by thermal ALD and PEALD
US10468261B2 (en) 2017-02-15 2019-11-05 Asm Ip Holding B.V. Methods for forming a metallic film on a substrate by cyclical deposition and related semiconductor device structures
US10529563B2 (en) 2017-03-29 2020-01-07 Asm Ip Holdings B.V. Method for forming doped metal oxide films on a substrate by cyclical deposition and related semiconductor device structures
US10283353B2 (en) 2017-03-29 2019-05-07 Asm Ip Holding B.V. Method of reforming insulating film deposited on substrate with recess pattern
US10103040B1 (en) 2017-03-31 2018-10-16 Asm Ip Holding B.V. Apparatus and method for manufacturing a semiconductor device
USD830981S1 (en) 2017-04-07 2018-10-16 Asm Ip Holding B.V. Susceptor for semiconductor substrate processing apparatus
KR102457289B1 (ko) 2017-04-25 2022-10-21 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 박막 증착 방법 및 반도체 장치의 제조 방법
US10892156B2 (en) 2017-05-08 2021-01-12 Asm Ip Holding B.V. Methods for forming a silicon nitride film on a substrate and related semiconductor device structures
US10446393B2 (en) 2017-05-08 2019-10-15 Asm Ip Holding B.V. Methods for forming silicon-containing epitaxial layers and related semiconductor device structures
US10770286B2 (en) 2017-05-08 2020-09-08 Asm Ip Holdings B.V. Methods for selectively forming a silicon nitride film on a substrate and related semiconductor device structures
US10504742B2 (en) 2017-05-31 2019-12-10 Asm Ip Holding B.V. Method of atomic layer etching using hydrogen plasma
US10886123B2 (en) 2017-06-02 2021-01-05 Asm Ip Holding B.V. Methods for forming low temperature semiconductor layers and related semiconductor device structures
US11306395B2 (en) 2017-06-28 2022-04-19 Asm Ip Holding B.V. Methods for depositing a transition metal nitride film on a substrate by atomic layer deposition and related deposition apparatus
US10685834B2 (en) 2017-07-05 2020-06-16 Asm Ip Holdings B.V. Methods for forming a silicon germanium tin layer and related semiconductor device structures
KR20190009245A (ko) 2017-07-18 2019-01-28 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 반도체 소자 구조물 형성 방법 및 관련된 반도체 소자 구조물
US11018002B2 (en) 2017-07-19 2021-05-25 Asm Ip Holding B.V. Method for selectively depositing a Group IV semiconductor and related semiconductor device structures
US11374112B2 (en) 2017-07-19 2022-06-28 Asm Ip Holding B.V. Method for depositing a group IV semiconductor and related semiconductor device structures
US10541333B2 (en) 2017-07-19 2020-01-21 Asm Ip Holding B.V. Method for depositing a group IV semiconductor and related semiconductor device structures
US10312055B2 (en) 2017-07-26 2019-06-04 Asm Ip Holding B.V. Method of depositing film by PEALD using negative bias
US10590535B2 (en) 2017-07-26 2020-03-17 Asm Ip Holdings B.V. Chemical treatment, deposition and/or infiltration apparatus and method for using the same
US10605530B2 (en) 2017-07-26 2020-03-31 Asm Ip Holding B.V. Assembly of a liner and a flange for a vertical furnace as well as the liner and the vertical furnace
US10692741B2 (en) 2017-08-08 2020-06-23 Asm Ip Holdings B.V. Radiation shield
US10770336B2 (en) 2017-08-08 2020-09-08 Asm Ip Holding B.V. Substrate lift mechanism and reactor including same
US11139191B2 (en) 2017-08-09 2021-10-05 Asm Ip Holding B.V. Storage apparatus for storing cassettes for substrates and processing apparatus equipped therewith
US11769682B2 (en) 2017-08-09 2023-09-26 Asm Ip Holding B.V. Storage apparatus for storing cassettes for substrates and processing apparatus equipped therewith
US10249524B2 (en) 2017-08-09 2019-04-02 Asm Ip Holding B.V. Cassette holder assembly for a substrate cassette and holding member for use in such assembly
US10236177B1 (en) 2017-08-22 2019-03-19 ASM IP Holding B.V.. Methods for depositing a doped germanium tin semiconductor and related semiconductor device structures
USD900036S1 (en) 2017-08-24 2020-10-27 Asm Ip Holding B.V. Heater electrical connector and adapter
US11830730B2 (en) 2017-08-29 2023-11-28 Asm Ip Holding B.V. Layer forming method and apparatus
KR102491945B1 (ko) 2017-08-30 2023-01-26 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 기판 처리 장치
US11295980B2 (en) 2017-08-30 2022-04-05 Asm Ip Holding B.V. Methods for depositing a molybdenum metal film over a dielectric surface of a substrate by a cyclical deposition process and related semiconductor device structures
US11056344B2 (en) 2017-08-30 2021-07-06 Asm Ip Holding B.V. Layer forming method
KR102401446B1 (ko) 2017-08-31 2022-05-24 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 기판 처리 장치
US10607895B2 (en) 2017-09-18 2020-03-31 Asm Ip Holdings B.V. Method for forming a semiconductor device structure comprising a gate fill metal
KR102630301B1 (ko) 2017-09-21 2024-01-29 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 침투성 재료의 순차 침투 합성 방법 처리 및 이를 이용하여 형성된 구조물 및 장치
US10844484B2 (en) 2017-09-22 2020-11-24 Asm Ip Holding B.V. Apparatus for dispensing a vapor phase reactant to a reaction chamber and related methods
US10658205B2 (en) 2017-09-28 2020-05-19 Asm Ip Holdings B.V. Chemical dispensing apparatus and methods for dispensing a chemical to a reaction chamber
US10403504B2 (en) 2017-10-05 2019-09-03 Asm Ip Holding B.V. Method for selectively depositing a metallic film on a substrate
US10319588B2 (en) 2017-10-10 2019-06-11 Asm Ip Holding B.V. Method for depositing a metal chalcogenide on a substrate by cyclical deposition
US10923344B2 (en) 2017-10-30 2021-02-16 Asm Ip Holding B.V. Methods for forming a semiconductor structure and related semiconductor structures
US10910262B2 (en) 2017-11-16 2021-02-02 Asm Ip Holding B.V. Method of selectively depositing a capping layer structure on a semiconductor device structure
KR102443047B1 (ko) 2017-11-16 2022-09-14 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 기판 처리 장치 방법 및 그에 의해 제조된 장치
US11022879B2 (en) 2017-11-24 2021-06-01 Asm Ip Holding B.V. Method of forming an enhanced unexposed photoresist layer
KR102633318B1 (ko) 2017-11-27 2024-02-05 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 청정 소형 구역을 포함한 장치
WO2019103613A1 (en) 2017-11-27 2019-05-31 Asm Ip Holding B.V. A storage device for storing wafer cassettes for use with a batch furnace
US10290508B1 (en) 2017-12-05 2019-05-14 Asm Ip Holding B.V. Method for forming vertical spacers for spacer-defined patterning
US10872771B2 (en) 2018-01-16 2020-12-22 Asm Ip Holding B. V. Method for depositing a material film on a substrate within a reaction chamber by a cyclical deposition process and related device structures
US11482412B2 (en) 2018-01-19 2022-10-25 Asm Ip Holding B.V. Method for depositing a gap-fill layer by plasma-assisted deposition
TW202325889A (zh) 2018-01-19 2023-07-01 荷蘭商Ａｓｍ 智慧財產控股公司 沈積方法
USD903477S1 (en) 2018-01-24 2020-12-01 Asm Ip Holdings B.V. Metal clamp
US11018047B2 (en) 2018-01-25 2021-05-25 Asm Ip Holding B.V. Hybrid lift pin
USD880437S1 (en) 2018-02-01 2020-04-07 Asm Ip Holding B.V. Gas supply plate for semiconductor manufacturing apparatus
US10535516B2 (en) 2018-02-01 2020-01-14 Asm Ip Holdings B.V. Method for depositing a semiconductor structure on a surface of a substrate and related semiconductor structures
US11081345B2 (en) 2018-02-06 2021-08-03 Asm Ip Holding B.V. Method of post-deposition treatment for silicon oxide film
US10896820B2 (en) 2018-02-14 2021-01-19 Asm Ip Holding B.V. Method for depositing a ruthenium-containing film on a substrate by a cyclical deposition process
EP3737779A1 (en) 2018-02-14 2020-11-18 ASM IP Holding B.V. A method for depositing a ruthenium-containing film on a substrate by a cyclical deposition process
US10731249B2 (en) 2018-02-15 2020-08-04 Asm Ip Holding B.V. Method of forming a transition metal containing film on a substrate by a cyclical deposition process, a method for supplying a transition metal halide compound to a reaction chamber, and related vapor deposition apparatus
KR102636427B1 (ko) 2018-02-20 2024-02-13 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 기판 처리 방법 및 장치
US10658181B2 (en) 2018-02-20 2020-05-19 Asm Ip Holding B.V. Method of spacer-defined direct patterning in semiconductor fabrication
US10975470B2 (en) 2018-02-23 2021-04-13 Asm Ip Holding B.V. Apparatus for detecting or monitoring for a chemical precursor in a high temperature environment
US11473195B2 (en) 2018-03-01 2022-10-18 Asm Ip Holding B.V. Semiconductor processing apparatus and a method for processing a substrate
US11629406B2 (en) 2018-03-09 2023-04-18 Asm Ip Holding B.V. Semiconductor processing apparatus comprising one or more pyrometers for measuring a temperature of a substrate during transfer of the substrate
US11114283B2 (en) 2018-03-16 2021-09-07 Asm Ip Holding B.V. Reactor, system including the reactor, and methods of manufacturing and using same
KR102646467B1 (ko) 2018-03-27 2024-03-11 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 기판 상에 전극을 형성하는 방법 및 전극을 포함하는 반도체 소자 구조
US11088002B2 (en) 2018-03-29 2021-08-10 Asm Ip Holding B.V. Substrate rack and a substrate processing system and method
US10510536B2 (en) 2018-03-29 2019-12-17 Asm Ip Holding B.V. Method of depositing a co-doped polysilicon film on a surface of a substrate within a reaction chamber
US11230766B2 (en) 2018-03-29 2022-01-25 Asm Ip Holding B.V. Substrate processing apparatus and method
KR102501472B1 (ko) 2018-03-30 2023-02-20 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 기판 처리 방법
TWI811348B (zh) 2018-05-08 2023-08-11 荷蘭商Ａｓｍ 智慧財產控股公司 藉由循環沉積製程於基板上沉積氧化物膜之方法及相關裝置結構
TWI816783B (zh) 2018-05-11 2023-10-01 荷蘭商Ａｓｍ 智慧財產控股公司 用於基板上形成摻雜金屬碳化物薄膜之方法及相關半導體元件結構
KR102596988B1 (ko) 2018-05-28 2023-10-31 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 기판 처리 방법 및 그에 의해 제조된 장치
US11270899B2 (en) 2018-06-04 2022-03-08 Asm Ip Holding B.V. Wafer handling chamber with moisture reduction
US11718913B2 (en) 2018-06-04 2023-08-08 Asm Ip Holding B.V. Gas distribution system and reactor system including same
US11286562B2 (en) 2018-06-08 2022-03-29 Asm Ip Holding B.V. Gas-phase chemical reactor and method of using same
KR102568797B1 (ko) 2018-06-21 2023-08-21 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 기판 처리 시스템
US10797133B2 (en) 2018-06-21 2020-10-06 Asm Ip Holding B.V. Method for depositing a phosphorus doped silicon arsenide film and related semiconductor device structures
KR20210027265A (ko) 2018-06-27 2021-03-10 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 금속 함유 재료를 형성하기 위한 주기적 증착 방법 및 금속 함유 재료를 포함하는 막 및 구조체
US11492703B2 (en) 2018-06-27 2022-11-08 Asm Ip Holding B.V. Cyclic deposition methods for forming metal-containing material and films and structures including the metal-containing material
US10612136B2 (en) 2018-06-29 2020-04-07 ASM IP Holding, B.V. Temperature-controlled flange and reactor system including same
KR20200002519A (ko) 2018-06-29 2020-01-08 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 박막 증착 방법 및 반도체 장치의 제조 방법
US10388513B1 (en) 2018-07-03 2019-08-20 Asm Ip Holding B.V. Method for depositing silicon-free carbon-containing film as gap-fill layer by pulse plasma-assisted deposition
US10755922B2 (en) 2018-07-03 2020-08-25 Asm Ip Holding B.V. Method for depositing silicon-free carbon-containing film as gap-fill layer by pulse plasma-assisted deposition
US10767789B2 (en) 2018-07-16 2020-09-08 Asm Ip Holding B.V. Diaphragm valves, valve components, and methods for forming valve components
US10483099B1 (en) 2018-07-26 2019-11-19 Asm Ip Holding B.V. Method for forming thermally stable organosilicon polymer film
US11053591B2 (en) 2018-08-06 2021-07-06 Asm Ip Holding B.V. Multi-port gas injection system and reactor system including same
US10883175B2 (en) 2018-08-09 2021-01-05 Asm Ip Holding B.V. Vertical furnace for processing substrates and a liner for use therein
US10829852B2 (en) 2018-08-16 2020-11-10 Asm Ip Holding B.V. Gas distribution device for a wafer processing apparatus
US11430674B2 (en) 2018-08-22 2022-08-30 Asm Ip Holding B.V. Sensor array, apparatus for dispensing a vapor phase reactant to a reaction chamber and related methods
US11024523B2 (en) 2018-09-11 2021-06-01 Asm Ip Holding B.V. Substrate processing apparatus and method
KR20200030162A (ko) 2018-09-11 2020-03-20 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 박막 증착 방법
US11049751B2 (en) 2018-09-14 2021-06-29 Asm Ip Holding B.V. Cassette supply system to store and handle cassettes and processing apparatus equipped therewith
CN110970344A (zh) 2018-10-01 2020-04-07 Asm Ip控股有限公司 衬底保持设备、包含所述设备的***及其使用方法
US11232963B2 (en) 2018-10-03 2022-01-25 Asm Ip Holding B.V. Substrate processing apparatus and method
KR102592699B1 (ko) 2018-10-08 2023-10-23 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 기판 지지 유닛 및 이를 포함하는 박막 증착 장치와 기판 처리 장치
US10847365B2 (en) 2018-10-11 2020-11-24 Asm Ip Holding B.V. Method of forming conformal silicon carbide film by cyclic CVD
US10811256B2 (en) 2018-10-16 2020-10-20 Asm Ip Holding B.V. Method for etching a carbon-containing feature
KR102546322B1 (ko) 2018-10-19 2023-06-21 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 기판 처리 장치 및 기판 처리 방법
KR102605121B1 (ko) 2018-10-19 2023-11-23 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 기판 처리 장치 및 기판 처리 방법
USD948463S1 (en) 2018-10-24 2022-04-12 Asm Ip Holding B.V. Susceptor for semiconductor substrate supporting apparatus
US10381219B1 (en) 2018-10-25 2019-08-13 Asm Ip Holding B.V. Methods for forming a silicon nitride film
US11087997B2 (en) 2018-10-31 2021-08-10 Asm Ip Holding B.V. Substrate processing apparatus for processing substrates
KR20200051105A (ko) 2018-11-02 2020-05-13 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 기판 지지 유닛 및 이를 포함하는 기판 처리 장치
US11572620B2 (en) 2018-11-06 2023-02-07 Asm Ip Holding B.V. Methods for selectively depositing an amorphous silicon film on a substrate
US11031242B2 (en) 2018-11-07 2021-06-08 Asm Ip Holding B.V. Methods for depositing a boron doped silicon germanium film
US10847366B2 (en) 2018-11-16 2020-11-24 Asm Ip Holding B.V. Methods for depositing a transition metal chalcogenide film on a substrate by a cyclical deposition process
US10818758B2 (en) 2018-11-16 2020-10-27 Asm Ip Holding B.V. Methods for forming a metal silicate film on a substrate in a reaction chamber and related semiconductor device structures
US10559458B1 (en) 2018-11-26 2020-02-11 Asm Ip Holding B.V. Method of forming oxynitride film
US11217444B2 (en) 2018-11-30 2022-01-04 Asm Ip Holding B.V. Method for forming an ultraviolet radiation responsive metal oxide-containing film
KR102636428B1 (ko) 2018-12-04 2024-02-13 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 기판 처리 장치를 세정하는 방법
US11158513B2 (en) 2018-12-13 2021-10-26 Asm Ip Holding B.V. Methods for forming a rhenium-containing film on a substrate by a cyclical deposition process and related semiconductor device structures
TW202037745A (zh) 2018-12-14 2020-10-16 荷蘭商Ａｓｍ Ｉｐ私人控股有限公司 形成裝置結構之方法、其所形成之結構及施行其之系統
TW202405220A (zh) 2019-01-17 2024-02-01 荷蘭商Ａｓｍ Ｉｐ 私人控股有限公司 藉由循環沈積製程於基板上形成含過渡金屬膜之方法
KR20200091543A (ko) 2019-01-22 2020-07-31 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 기판 처리 장치
CN111524788B (zh) 2019-02-01 2023-11-24 Asm Ip私人控股有限公司 氧化硅的拓扑选择性膜形成的方法
TW202044325A (zh) 2019-02-20 2020-12-01 荷蘭商Ａｓｍ Ｉｐ私人控股有限公司 填充一基板之一表面內所形成的一凹槽的方法、根據其所形成之半導體結構、及半導體處理設備
KR102626263B1 (ko) 2019-02-20 2024-01-16 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 처리 단계를 포함하는 주기적 증착 방법 및 이를 위한 장치
KR20200102357A (ko) 2019-02-20 2020-08-31 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 3-d nand 응용의 플러그 충진체 증착용 장치 및 방법
CN111593319B (zh) 2019-02-20 2023-05-30 Asm Ip私人控股有限公司 用于填充在衬底表面内形成的凹部的循环沉积方法和设备
JP2020133004A (ja) 2019-02-22 2020-08-31 エーエスエム・アイピー・ホールディング・ベー・フェー 基材を処理するための基材処理装置および方法
KR20200108243A (ko) 2019-03-08 2020-09-17 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. SiOC 층을 포함한 구조체 및 이의 형성 방법
KR20200108242A (ko) 2019-03-08 2020-09-17 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 실리콘 질화물 층을 선택적으로 증착하는 방법, 및 선택적으로 증착된 실리콘 질화물 층을 포함하는 구조체
KR20200108248A (ko) 2019-03-08 2020-09-17 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. SiOCN 층을 포함한 구조체 및 이의 형성 방법
KR20200116033A (ko) 2019-03-28 2020-10-08 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 도어 개방기 및 이를 구비한 기판 처리 장치
KR20200116855A (ko) 2019-04-01 2020-10-13 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 반도체 소자를 제조하는 방법
US11447864B2 (en) 2019-04-19 2022-09-20 Asm Ip Holding B.V. Layer forming method and apparatus
KR20200125453A (ko) 2019-04-24 2020-11-04 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 기상 반응기 시스템 및 이를 사용하는 방법
KR20200130121A (ko) 2019-05-07 2020-11-18 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 딥 튜브가 있는 화학물질 공급원 용기
KR20200130118A (ko) 2019-05-07 2020-11-18 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 비정질 탄소 중합체 막을 개질하는 방법
KR20200130652A (ko) 2019-05-10 2020-11-19 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 표면 상에 재료를 증착하는 방법 및 본 방법에 따라 형성된 구조
JP2020188254A (ja) 2019-05-16 2020-11-19 エーエスエム アイピー ホールディング ビー．ブイ． ウェハボートハンドリング装置、縦型バッチ炉および方法
JP2020188255A (ja) 2019-05-16 2020-11-19 エーエスエム アイピー ホールディング ビー．ブイ． ウェハボートハンドリング装置、縦型バッチ炉および方法
USD975665S1 (en) 2019-05-17 2023-01-17 Asm Ip Holding B.V. Susceptor shaft
USD947913S1 (en) 2019-05-17 2022-04-05 Asm Ip Holding B.V. Susceptor shaft
USD935572S1 (en) 2019-05-24 2021-11-09 Asm Ip Holding B.V. Gas channel plate
USD922229S1 (en) 2019-06-05 2021-06-15 Asm Ip Holding B.V. Device for controlling a temperature of a gas supply unit
KR20200141002A (ko) 2019-06-06 2020-12-17 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 배기 가스 분석을 포함한 기상 반응기 시스템을 사용하는 방법
KR20200143254A (ko) 2019-06-11 2020-12-23 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 개질 가스를 사용하여 전자 구조를 형성하는 방법, 상기 방법을 수행하기 위한 시스템, 및 상기 방법을 사용하여 형성되는 구조
USD944946S1 (en) 2019-06-14 2022-03-01 Asm Ip Holding B.V. Shower plate
USD931978S1 (en) 2019-06-27 2021-09-28 Asm Ip Holding B.V. Showerhead vacuum transport
KR20210005515A (ko) 2019-07-03 2021-01-14 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 기판 처리 장치용 온도 제어 조립체 및 이를 사용하는 방법
JP7499079B2 (ja) 2019-07-09 2024-06-13 エーエスエム・アイピー・ホールディング・ベー・フェー 同軸導波管を用いたプラズマ装置、基板処理方法
CN112216646A (zh) 2019-07-10 2021-01-12 Asm Ip私人控股有限公司 基板支撑组件及包括其的基板处理装置
KR20210010307A (ko) 2019-07-16 2021-01-27 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 기판 처리 장치
KR20210010820A (ko) 2019-07-17 2021-01-28 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 실리콘 게르마늄 구조를 형성하는 방법
KR20210010816A (ko) 2019-07-17 2021-01-28 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 라디칼 보조 점화 플라즈마 시스템 및 방법
US11643724B2 (en) 2019-07-18 2023-05-09 Asm Ip Holding B.V. Method of forming structures using a neutral beam
CN112242296A (zh) 2019-07-19 2021-01-19 Asm Ip私人控股有限公司 形成拓扑受控的无定形碳聚合物膜的方法
TW202113936A (zh) 2019-07-29 2021-04-01 荷蘭商Ａｓｍ Ｉｐ私人控股有限公司 用於利用n型摻雜物及/或替代摻雜物選擇性沉積以達成高摻雜物併入之方法
CN112309900A (zh) 2019-07-30 2021-02-02 Asm Ip私人控股有限公司 基板处理设备
CN112309899A (zh) 2019-07-30 2021-02-02 Asm Ip私人控股有限公司 基板处理设备
US11227782B2 (en) 2019-07-31 2022-01-18 Asm Ip Holding B.V. Vertical batch furnace assembly
US11587815B2 (en) 2019-07-31 2023-02-21 Asm Ip Holding B.V. Vertical batch furnace assembly
US11587814B2 (en) 2019-07-31 2023-02-21 Asm Ip Holding B.V. Vertical batch furnace assembly
CN112323048B (zh) 2019-08-05 2024-02-09 Asm Ip私人控股有限公司 用于化学源容器的液位传感器
USD965044S1 (en) 2019-08-19 2022-09-27 Asm Ip Holding B.V. Susceptor shaft
USD965524S1 (en) 2019-08-19 2022-10-04 Asm Ip Holding B.V. Susceptor support
JP2021031769A (ja) 2019-08-21 2021-03-01 エーエスエム アイピー ホールディング ビー．ブイ． 成膜原料混合ガス生成装置及び成膜装置
USD940837S1 (en) 2019-08-22 2022-01-11 Asm Ip Holding B.V. Electrode
USD949319S1 (en) 2019-08-22 2022-04-19 Asm Ip Holding B.V. Exhaust duct
USD979506S1 (en) 2019-08-22 2023-02-28 Asm Ip Holding B.V. Insulator
KR20210024423A (ko) 2019-08-22 2021-03-05 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 홀을 구비한 구조체를 형성하기 위한 방법
USD930782S1 (en) 2019-08-22 2021-09-14 Asm Ip Holding B.V. Gas distributor
US11286558B2 (en) 2019-08-23 2022-03-29 Asm Ip Holding B.V. Methods for depositing a molybdenum nitride film on a surface of a substrate by a cyclical deposition process and related semiconductor device structures including a molybdenum nitride film
KR20210024420A (ko) 2019-08-23 2021-03-05 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 비스(디에틸아미노)실란을 사용하여 peald에 의해 개선된 품질을 갖는 실리콘 산화물 막을 증착하기 위한 방법
KR20210029090A (ko) 2019-09-04 2021-03-15 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 희생 캡핑 층을 이용한 선택적 증착 방법
KR20210029663A (ko) 2019-09-05 2021-03-16 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 기판 처리 장치
US11562901B2 (en) 2019-09-25 2023-01-24 Asm Ip Holding B.V. Substrate processing method
CN112593212B (zh) 2019-10-02 2023-12-22 Asm Ip私人控股有限公司 通过循环等离子体增强沉积工艺形成拓扑选择性氧化硅膜的方法
KR20210042810A (ko) 2019-10-08 2021-04-20 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 활성 종을 이용하기 위한 가스 분배 어셈블리를 포함한 반응기 시스템 및 이를 사용하는 방법
CN112635282A (zh) 2019-10-08 2021-04-09 Asm Ip私人控股有限公司 具有连接板的基板处理装置、基板处理方法
KR20210043460A (ko) 2019-10-10 2021-04-21 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 포토레지스트 하부층을 형성하기 위한 방법 및 이를 포함한 구조체
US12009241B2 (en) 2019-10-14 2024-06-11 Asm Ip Holding B.V. Vertical batch furnace assembly with detector to detect cassette
TWI834919B (zh) 2019-10-16 2024-03-11 荷蘭商Ａｓｍ Ｉｐ私人控股有限公司 氧化矽之拓撲選擇性膜形成之方法
US11637014B2 (en) 2019-10-17 2023-04-25 Asm Ip Holding B.V. Methods for selective deposition of doped semiconductor material
KR20210047808A (ko) 2019-10-21 2021-04-30 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 막을 선택적으로 에칭하기 위한 장치 및 방법
KR20210050453A (ko) 2019-10-25 2021-05-07 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 기판 표면 상의 갭 피처를 충진하는 방법 및 이와 관련된 반도체 소자 구조
US11646205B2 (en) 2019-10-29 2023-05-09 Asm Ip Holding B.V. Methods of selectively forming n-type doped material on a surface, systems for selectively forming n-type doped material, and structures formed using same
KR20210054983A (ko) 2019-11-05 2021-05-14 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 도핑된 반도체 층을 갖는 구조체 및 이를 형성하기 위한 방법 및 시스템
US11501968B2 (en) 2019-11-15 2022-11-15 Asm Ip Holding B.V. Method for providing a semiconductor device with silicon filled gaps
KR20210062561A (ko) 2019-11-20 2021-05-31 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 기판의 표면 상에 탄소 함유 물질을 증착하는 방법, 상기 방법을 사용하여 형성된 구조물, 및 상기 구조물을 형성하기 위한 시스템
CN112951697A (zh) 2019-11-26 2021-06-11 Asm Ip私人控股有限公司 基板处理设备
KR20210065848A (ko) 2019-11-26 2021-06-04 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 제1 유전체 표면과 제2 금속성 표면을 포함한 기판 상에 타겟 막을 선택적으로 형성하기 위한 방법
CN112885693A (zh) 2019-11-29 2021-06-01 Asm Ip私人控股有限公司 基板处理设备
CN112885692A (zh) 2019-11-29 2021-06-01 Asm Ip私人控股有限公司 基板处理设备
JP2021090042A (ja) 2019-12-02 2021-06-10 エーエスエム アイピー ホールディング ビー．ブイ． 基板処理装置、基板処理方法
KR20210070898A (ko) 2019-12-04 2021-06-15 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 기판 처리 장치
TW202125596A (zh) 2019-12-17 2021-07-01 荷蘭商Ａｓｍ Ｉｐ私人控股有限公司 形成氮化釩層之方法以及包括該氮化釩層之結構
US11527403B2 (en) 2019-12-19 2022-12-13 Asm Ip Holding B.V. Methods for filling a gap feature on a substrate surface and related semiconductor structures
TW202140135A (zh) 2020-01-06 2021-11-01 荷蘭商Ａｓｍ Ｉｐ私人控股有限公司 氣體供應總成以及閥板總成
US11993847B2 (en) 2020-01-08 2024-05-28 Asm Ip Holding B.V. Injector
US11551912B2 (en) 2020-01-20 2023-01-10 Asm Ip Holding B.V. Method of forming thin film and method of modifying surface of thin film
TW202130846A (zh) 2020-02-03 2021-08-16 荷蘭商Ａｓｍ Ｉｐ私人控股有限公司 形成包括釩或銦層的結構之方法
TW202146882A (zh) 2020-02-04 2021-12-16 荷蘭商Ａｓｍ Ｉｐ私人控股有限公司 驗證一物品之方法、用於驗證一物品之設備、及用於驗證一反應室之系統
US11776846B2 (en) 2020-02-07 2023-10-03 Asm Ip Holding B.V. Methods for depositing gap filling fluids and related systems and devices
TW202146715A (zh) 2020-02-17 2021-12-16 荷蘭商Ａｓｍ Ｉｐ私人控股有限公司 用於生長磷摻雜矽層之方法及其系統
TW202203344A (zh) 2020-02-28 2022-01-16 荷蘭商Ａｓｍ Ｉｐ控股公司 專用於零件清潔的系統
US11876356B2 (en) 2020-03-11 2024-01-16 Asm Ip Holding B.V. Lockout tagout assembly and system and method of using same
KR20210116240A (ko) 2020-03-11 2021-09-27 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 조절성 접합부를 갖는 기판 핸들링 장치
CN113394086A (zh) 2020-03-12 2021-09-14 Asm Ip私人控股有限公司 用于制造具有目标拓扑轮廓的层结构的方法
KR20210124042A (ko) 2020-04-02 2021-10-14 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 박막 형성 방법
TW202146689A (zh) 2020-04-03 2021-12-16 荷蘭商Ａｓｍ Ｉｐ控股公司 阻障層形成方法及半導體裝置的製造方法
TW202145344A (zh) 2020-04-08 2021-12-01 荷蘭商Ａｓｍ Ｉｐ私人控股有限公司 用於選擇性蝕刻氧化矽膜之設備及方法
US11821078B2 (en) 2020-04-15 2023-11-21 Asm Ip Holding B.V. Method for forming precoat film and method for forming silicon-containing film
US11996289B2 (en) 2020-04-16 2024-05-28 Asm Ip Holding B.V. Methods of forming structures including silicon germanium and silicon layers, devices formed using the methods, and systems for performing the methods
US11898243B2 (en) 2020-04-24 2024-02-13 Asm Ip Holding B.V. Method of forming vanadium nitride-containing layer
KR20210132600A (ko) 2020-04-24 2021-11-04 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 바나듐, 질소 및 추가 원소를 포함한 층을 증착하기 위한 방법 및 시스템
KR20210132605A (ko) 2020-04-24 2021-11-04 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 냉각 가스 공급부를 포함한 수직형 배치 퍼니스 어셈블리
KR20210134226A (ko) 2020-04-29 2021-11-09 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 고체 소스 전구체 용기
KR20210134869A (ko) 2020-05-01 2021-11-11 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. Foup 핸들러를 이용한 foup의 빠른 교환
KR20210141379A (ko) 2020-05-13 2021-11-23 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 반응기 시스템용 레이저 정렬 고정구
TW202147383A (zh) 2020-05-19 2021-12-16 荷蘭商Ａｓｍ Ｉｐ私人控股有限公司 基材處理設備
KR20210145078A (ko) 2020-05-21 2021-12-01 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 다수의 탄소 층을 포함한 구조체 및 이를 형성하고 사용하는 방법
TW202200837A (zh) 2020-05-22 2022-01-01 荷蘭商Ａｓｍ Ｉｐ私人控股有限公司 用於在基材上形成薄膜之反應系統
TW202201602A (zh) 2020-05-29 2022-01-01 荷蘭商Ａｓｍ Ｉｐ私人控股有限公司 基板處理方法
TW202218133A (zh) 2020-06-24 2022-05-01 荷蘭商Ａｓｍ Ｉｐ私人控股有限公司 形成含矽層之方法
TW202217953A (zh) 2020-06-30 2022-05-01 荷蘭商Ａｓｍ Ｉｐ私人控股有限公司 基板處理方法
TW202202649A (zh) 2020-07-08 2022-01-16 荷蘭商Ａｓｍ Ｉｐ私人控股有限公司 基板處理方法
TW202219628A (zh) 2020-07-17 2022-05-16 荷蘭商Ａｓｍ Ｉｐ私人控股有限公司 用於光微影之結構與方法
TW202204662A (zh) 2020-07-20 2022-02-01 荷蘭商Ａｓｍ Ｉｐ私人控股有限公司 用於沉積鉬層之方法及系統
TW202212623A (zh) 2020-08-26 2022-04-01 荷蘭商Ａｓｍ Ｉｐ私人控股有限公司 形成金屬氧化矽層及金屬氮氧化矽層的方法、半導體結構、及系統
USD990534S1 (en) 2020-09-11 2023-06-27 Asm Ip Holding B.V. Weighted lift pin
USD1012873S1 (en) 2020-09-24 2024-01-30 Asm Ip Holding B.V. Electrode for semiconductor processing apparatus
US12009224B2 (en) 2020-09-29 2024-06-11 Asm Ip Holding B.V. Apparatus and method for etching metal nitrides
TW202229613A (zh) 2020-10-14 2022-08-01 荷蘭商Ａｓｍ Ｉｐ私人控股有限公司 於階梯式結構上沉積材料的方法
KR20220053482A (ko) 2020-10-22 2022-04-29 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 바나듐 금속을 증착하는 방법, 구조체, 소자 및 증착 어셈블리
TW202223136A (zh) 2020-10-28 2022-06-16 荷蘭商Ａｓｍ Ｉｐ私人控股有限公司 用於在基板上形成層之方法、及半導體處理系統
KR20220076343A (ko) 2020-11-30 2022-06-08 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 기판 처리 장치의 반응 챔버 내에 배열되도록 구성된 인젝터
CN114639631A (zh) 2020-12-16 2022-06-17 Asm Ip私人控股有限公司 跳动和摆动测量固定装置
TW202231903A (zh) 2020-12-22 2022-08-16 荷蘭商Ａｓｍ Ｉｐ私人控股有限公司 過渡金屬沉積方法、過渡金屬層、用於沉積過渡金屬於基板上的沉積總成
CN112666759A (zh) * 2020-12-30 2021-04-16 Tcl华星光电技术有限公司 液晶显示面板及曲面显示装置
USD980813S1 (en) 2021-05-11 2023-03-14 Asm Ip Holding B.V. Gas flow control plate for substrate processing apparatus
USD1023959S1 (en) 2021-05-11 2024-04-23 Asm Ip Holding B.V. Electrode for substrate processing apparatus
USD981973S1 (en) 2021-05-11 2023-03-28 Asm Ip Holding B.V. Reactor wall for substrate processing apparatus
USD980814S1 (en) 2021-05-11 2023-03-14 Asm Ip Holding B.V. Gas distributor for substrate processing apparatus
CN113703231B (zh) * 2021-08-30 2022-12-23 Tcl华星光电技术有限公司 阵列基板及液晶显示面板
USD990441S1 (en) 2021-09-07 2023-06-27 Asm Ip Holding B.V. Gas flow control plate

Family Cites Families (97)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
GB1462978A (en) 1974-04-17 1977-01-26 Rank Organisation Ltd Optical apparatus
US4385806A (en) * 1978-06-08 1983-05-31 Fergason James L Liquid crystal display with improved angle of view and response times
FR2564605B1 (fr) * 1984-05-18 1987-12-24 Commissariat Energie Atomique Cellule a cristal liquide susceptible de presenter une structure homeotrope, a birefringence compensee pour cette structure
FR2568393B1 (fr) * 1984-07-26 1986-11-14 Commissariat Energie Atomique Cellule a cristal liquide nematique faiblement dope par un solute chiral, et du type a birefringence controlee electriquement
JPS61170778A (ja) * 1985-01-25 1986-08-01 日本電気株式会社 アクテイブマトリツクスカラ−液晶表示パネル
FR2595156B1 (fr) * 1986-02-28 1988-04-29 Commissariat Energie Atomique Cellule a cristal liquide utilisant l'effet de birefringence controlee electriquement et procedes de fabrication de la cellule et d'un milieu uniaxe d'anisotropie optique negative, utilisable dans celle-ci
US4878742A (en) * 1986-08-04 1989-11-07 Canon Kabushiki Kaisha Liquid crystal optical modulator
JPH01189629A (ja) 1988-01-26 1989-07-28 Seiko Instr & Electron Ltd 液晶表示装置およびその製造方法
JPH01196020A (ja) 1988-02-01 1989-08-07 Bio Toron:Kk プラスチックフィルム基板を有する液晶セル並びに該液晶セルに用いるプラスチックフィルム基板の表面洗浄方法及びその表面処理方法
JPH0235416A (ja) 1988-07-26 1990-02-06 Toshiba Corp 液晶表示素子
JPH02151830A (ja) 1988-12-05 1990-06-11 Seiko Epson Corp 液晶電気光学素子
JPH02190825A (ja) 1989-01-20 1990-07-26 Seiko Epson Corp 液晶電気光学素子
JPH0754363B2 (ja) 1989-07-11 1995-06-07 凸版印刷株式会社 カラーフィルタの剥離方法
JPH03209220A (ja) 1990-01-11 1991-09-12 Matsushita Electric Ind Co Ltd 光学変調素子の製造法
JP2507122B2 (ja) 1990-03-08 1996-06-12 スタンレー電気株式会社 液晶表示装置
JPH03261914A (ja) 1990-03-13 1991-11-21 Asahi Glass Co Ltd 液晶表示素子
EP0462571B1 (en) 1990-06-21 1996-10-30 Matsushita Electric Industrial Co., Ltd. Loudspeaker arrangement in television receiver cabinet
JPH07104450B2 (ja) * 1990-10-17 1995-11-13 スタンレー電気株式会社 二軸性光学素子とその製造方法
JPH0786622B2 (ja) * 1990-11-02 1995-09-20 スタンレー電気株式会社 液晶表示装置
JP3047477B2 (ja) 1991-01-09 2000-05-29 松下電器産業株式会社 液晶表示装置およびそれを用いた投写型表示装置
JPH05203933A (ja) 1992-01-24 1993-08-13 Canon Inc 強誘電性液晶素子
JP3087193B2 (ja) 1991-12-20 2000-09-11 富士通株式会社 液晶表示装置
EP0549283B1 (en) * 1991-12-20 1997-07-23 Fujitsu Limited Liquid crystal display device with differing alignment domains
US5473450A (en) 1992-04-28 1995-12-05 Sharp Kabushiki Kaisha Liquid crystal display device with a polymer between liquid crystal regions
US5309264A (en) * 1992-04-30 1994-05-03 International Business Machines Corporation Liquid crystal displays having multi-domain cells
JP3206133B2 (ja) 1992-09-07 2001-09-04 住友化学工業株式会社 液晶表示装置
JP3108768B2 (ja) 1992-12-24 2000-11-13 スタンレー電気株式会社 Ｔｎ液晶表示素子
JP2921813B2 (ja) 1993-03-04 1999-07-19 シャープ株式会社 液晶表示装置の電極構造
JPH06301036A (ja) 1993-04-12 1994-10-28 Sanyo Electric Co Ltd 液晶表示装置
US5579140A (en) * 1993-04-22 1996-11-26 Sharp Kabushiki Kaisha Multiple domain liquid crystal display element and a manufacturing method of the same
JP2975844B2 (ja) * 1993-06-24 1999-11-10 三洋電機株式会社 液晶表示装置
JP2859093B2 (ja) 1993-06-28 1999-02-17 三洋電機株式会社 液晶表示装置
JPH0720469A (ja) 1993-06-29 1995-01-24 Tokuo Koma 液晶表示装置
JP3234357B2 (ja) 1993-07-08 2001-12-04 三洋電機株式会社 液晶表示装置
JP3164702B2 (ja) 1993-07-27 2001-05-08 シャープ株式会社 液晶表示装置
JP3529434B2 (ja) 1993-07-27 2004-05-24 株式会社東芝 液晶表示素子
DE69413624T2 (de) * 1993-07-27 1999-05-06 Sharp Kk Flüssigkristall-Anzeigevorrichtung
US5434690A (en) * 1993-07-27 1995-07-18 Kabushiki Kaisha Toshiba Liquid crystal device with pixel electrodes in an opposed striped form
JPH0764089A (ja) 1993-08-31 1995-03-10 Sanyo Electric Co Ltd 液晶表示装置
JP3220827B2 (ja) 1993-10-07 2001-10-22 コニカ株式会社 ハロゲン化銀写真感光材料の処理方法
JP3071076B2 (ja) 1993-10-28 2000-07-31 三洋電機株式会社 液晶表示セルの製造方法
JPH07147426A (ja) 1993-11-24 1995-06-06 Nec Corp 半導体装置
JP2972514B2 (ja) 1993-12-28 1999-11-08 日本電気株式会社 液晶表示装置
JPH07199205A (ja) 1993-12-28 1995-08-04 Toshiba Corp 液晶表示素子
JPH07225389A (ja) 1994-02-16 1995-08-22 Matsushita Electric Ind Co Ltd 液晶表示素子とその製造方法
JPH07230097A (ja) 1994-02-18 1995-08-29 Sanyo Electric Co Ltd 液晶表示装置
JP3732242B2 (ja) * 1994-02-18 2006-01-05 シャープ株式会社 液晶表示装置
JP2547523B2 (ja) 1994-04-04 1996-10-23 インターナショナル・ビジネス・マシーンズ・コーポレイション 液晶表示装置及びその製造方法
JP3005418B2 (ja) * 1994-05-18 2000-01-31 三洋電機株式会社 液晶表示装置
JPH07318950A (ja) 1994-05-27 1995-12-08 Sony Corp 電気光学表示セルのスペーサ形成方法
US5583679A (en) * 1994-05-31 1996-12-10 Fuji Photo Film Co., Ltd. Liquid crystal display with optical compensatory sheet having discotic molecules varyingly inclined
JP3292591B2 (ja) 1994-06-03 2002-06-17 株式会社東芝 液晶表示素子
JPH086052A (ja) 1994-06-24 1996-01-12 Dainippon Printing Co Ltd 液晶光学素子
JPH0815714A (ja) 1994-06-28 1996-01-19 Casio Comput Co Ltd 液晶表示素子
JPH0822023A (ja) 1994-07-05 1996-01-23 Matsushita Electric Ind Co Ltd 液晶表示素子とその製造方法
JPH0829790A (ja) 1994-07-18 1996-02-02 Sharp Corp 液晶表示装置
JPH0829812A (ja) 1994-07-19 1996-02-02 Toshiba Corp 液晶表示装置
JPH0843825A (ja) 1994-07-27 1996-02-16 Fujitsu Ltd 液晶表示パネル
JP3066255B2 (ja) 1994-08-31 2000-07-17 三洋電機株式会社 液晶表示装置
JP3077962B2 (ja) 1994-09-22 2000-08-21 シャープ株式会社 液晶表示素子およびその製造方法
JP3081468B2 (ja) 1994-09-30 2000-08-28 三洋電機株式会社 液晶表示装置
JP2951853B2 (ja) 1994-09-30 1999-09-20 松下電器産業株式会社 液晶表示装置
JP3193267B2 (ja) 1994-10-14 2001-07-30 シャープ株式会社 液晶素子およびその製造方法
US5673092A (en) * 1994-10-14 1997-09-30 Sharp Kabushiki Kaisha Liquid crystal device and method for fabricating the same
DE69622942T2 (de) * 1995-01-23 2003-05-28 Asahi Glass Co Ltd Flussigkristall-anzeigvorrichtung
JP3448384B2 (ja) 1995-02-20 2003-09-22 三洋電機株式会社 液晶表示装置
JPH08220524A (ja) 1995-02-20 1996-08-30 Sanyo Electric Co Ltd 液晶表示装置
US5831700A (en) * 1995-05-19 1998-11-03 Kent State University Polymer stabilized four domain twisted nematic liquid crystal display
JPH0933882A (ja) 1995-07-14 1997-02-07 Hitachi Ltd 液晶表示装置
JP3358400B2 (ja) 1995-08-02 2002-12-16 東レ株式会社 カラー液晶表示素子
JP3999824B2 (ja) 1995-08-21 2007-10-31 東芝電子エンジニアリング株式会社 液晶表示素子
JPH09120075A (ja) 1995-08-21 1997-05-06 Toshiba Electron Eng Corp 液晶表示素子
JPH0980447A (ja) * 1995-09-08 1997-03-28 Toshiba Electron Eng Corp 液晶表示素子
WO1997012275A1 (fr) * 1995-09-26 1997-04-03 Chisso Corporation Dispositif d'affichage a cristaux liquides nematiques vaporises homeotropes
JPH09105908A (ja) 1995-10-09 1997-04-22 Hitachi Ltd アクティブマトリクス型液晶表示装置
TW454101B (en) * 1995-10-04 2001-09-11 Hitachi Ltd In-plane field type liquid crystal display device comprising liquid crystal molecules with more than two different kinds of reorientation directions and its manufacturing method
JPH09160061A (ja) 1995-12-08 1997-06-20 Toshiba Corp 液晶表示素子
JPH09304757A (ja) * 1996-03-11 1997-11-28 Sharp Corp 液晶表示素子及びその製造方法
JP3468986B2 (ja) * 1996-04-16 2003-11-25 株式会社半導体エネルギー研究所 アクティブマトリクス回路および表示装置
JPH1048634A (ja) 1996-07-30 1998-02-20 Stanley Electric Co Ltd 液晶表示セル及びその製造方法
JP3949759B2 (ja) * 1996-10-29 2007-07-25 東芝電子エンジニアリング株式会社 カラーフィルタ基板および液晶表示素子
US6191836B1 (en) * 1996-11-07 2001-02-20 Lg Philips Lcd, Co., Ltd. Method for fabricating a liquid crystal cell
US6344883B2 (en) 1996-12-20 2002-02-05 Sharp Kabushiki Kaisha Liquid crystal display device and method for producing the same
JP4009344B2 (ja) * 1997-04-28 2007-11-14 シャープ株式会社 液晶表示装置およびその製造方法
JP3966614B2 (ja) * 1997-05-29 2007-08-29 三星電子株式会社 広視野角液晶表示装置
US6704083B1 (en) * 1997-05-30 2004-03-09 Samsung Electronics, Co., Ltd. Liquid crystal display including polarizing plate having polarizing directions neither parallel nor perpendicular to average alignment direction of molecules
DE69841083D1 (de) * 1997-06-12 2009-10-01 Sharp Kk Anzeigevorrichtung mit vertikal ausgerichtetem Flüssigkristall
KR19990001949A (ko) 1997-06-18 1999-01-15 윤종용 반도체 웨이퍼 고정장치
JP3208363B2 (ja) * 1997-10-01 2001-09-10 三洋電機株式会社 液晶表示装置
JP3398025B2 (ja) 1997-10-01 2003-04-21 三洋電機株式会社 液晶表示装置
US5907380A (en) * 1997-10-30 1999-05-25 International Business Machines Corporation Liquid crystal cell employing thin wall for pre-tilt control
KR100309918B1 (ko) * 1998-05-16 2001-12-17 윤종용 광시야각액정표시장치및그제조방법
KR100354904B1 (ko) * 1998-05-19 2002-12-26 삼성전자 주식회사 광시야각액정표시장치
KR100283511B1 (ko) * 1998-05-20 2001-03-02 윤종용 광시야각 액정 표시장치
US6266166B1 (en) * 1999-03-08 2001-07-24 Dai Nippon Printing Co., Ltd. Self-adhesive film for hologram formation, dry plate for photographing hologram, and method for image formation using the same
US6256080B1 (en) * 1999-06-23 2001-07-03 International Business Machines Corporation Self-aligned structures for improved wide viewing angle for liquid crystal displays
KR100354906B1 (ko) * 1999-10-01 2002-09-30 삼성전자 주식회사 광시야각 액정 표시 장치

Cited By (72)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US6424398B1 (en) 1999-03-16 2002-07-23 Fujitsu Limited Liquid-crystal display
WO2000055682A1 (fr) * 1999-03-16 2000-09-21 Fujitsu Limited Afficheur a cristaux liquides
WO2000057242A1 (fr) * 1999-03-19 2000-09-28 Fujitsu Limited Dispositif d'affichage a cristaux liquides et procede de fabrication
US6525797B2 (en) 1999-03-19 2003-02-25 Fujitsu Display Technologies Corporation Liquid crystal display device and its manufacture method in which the alignment films having different characteristics
US7110074B2 (en) 1999-09-16 2006-09-19 Sharp Kabushiki Kaisha Liquid crystal display device
US7505103B2 (en) 1999-09-16 2009-03-17 Sharp Kabushiki Kaisha Liquid crystal display device
US6927824B1 (en) 1999-09-16 2005-08-09 Fujitsu Display Technologies Corporation Liquid crystal display device and thin film transistor substrate
US7193672B2 (en) 1999-09-16 2007-03-20 Sharp Kabushiki Kaisha Liquid crystal display device and thin film transistor substrate
US6888602B2 (en) 1999-09-16 2005-05-03 Fujitsu Display Technologies Corporation Liquid crystal display device and thin film transistor substrate
US6897929B2 (en) 1999-09-16 2005-05-24 Fujitsu Display Technologies Corporation Liquid crystal display device and thin flim transistor substrate
JP2001142073A (ja) * 1999-11-05 2001-05-25 Koninkl Philips Electronics Nv 液晶表示装置
FR2803680A1 (fr) * 2000-01-12 2001-07-13 Lg Philips Lcd Co Ltd Ecran a cristaux liquides multi-domaines
JP2001264785A (ja) * 2000-03-13 2001-09-26 Samsung Electronics Co Ltd 液晶表示装置及びそれに用いられる薄膜トランジスタ基板
JP2011081427A (ja) * 2000-05-12 2011-04-21 Samsung Electronics Co Ltd 液晶表示装置及びそれに用いられる基板
US8009257B2 (en) 2000-08-14 2011-08-30 Samsung Electronics Co., Ltd. Liquid crystal display including a spacer and passivation formed of the same material
US7843542B2 (en) 2000-08-14 2010-11-30 Samsung Electronics Co., Ltd. Liquid crystal display including a spacer element and method for fabricating the same
US7830492B2 (en) 2000-08-14 2010-11-09 Samsung Electronics Co., Ltd. Liquid crystal display and method for fabricating the same
US7639337B2 (en) 2000-08-14 2009-12-29 Samsung Electronics Co., Ltd. Liquid crystal display and method for fabricating the same
US8319929B2 (en) 2000-08-14 2012-11-27 Samsung Display Co., Ltd. Liquid crystal display including a variable width spacer element and method for fabricating the same
US8599354B2 (en) 2000-08-14 2013-12-03 Samsung Display Co., Ltd. Liquid crystal display including a variable width spacer element
US7525621B2 (en) 2000-08-14 2009-04-28 Samsung Electronics, Co., Ltd. Liquid crystal display and a method for fabricating the same
US9577103B2 (en) 2000-08-14 2017-02-21 Samsung Display Co., Ltd. Liquid crystal display including a variable width spacer element and method for fabricating the same
US7486364B2 (en) 2000-08-14 2009-02-03 Samsung Electronics Co., Ltd. Liquid crystal display and a method for fabricating the same
US7130012B2 (en) 2000-09-27 2006-10-31 Sharp Kabushiki Kaisha Liquid crystal display device and method for fabricating the same
US7486366B2 (en) 2000-09-27 2009-02-03 Sharp Kabushiki Kaisha Liquid crystal display device and method for fabricating the same
US9201275B2 (en) 2000-09-27 2015-12-01 Sharp Kabushiki Kaisha Liquid crystal display device and method for fabricating the same
US8570477B2 (en) 2000-09-27 2013-10-29 Sharp Kabushiki Kaisha Liquid crystal display device and substrate for liquid crystal display device
US8471994B2 (en) 2000-09-27 2013-06-25 Sharp Kabushiki Kaisha Liquid crystal display device and method for fabricating the same
US7952675B2 (en) 2000-09-27 2011-05-31 Sharp Kabushiki Kaisha Liquid crystal display device and method for fabricating the same
US9081239B2 (en) 2000-09-27 2015-07-14 Sharp Kabushiki Kaisha Liquid crystal display device and method for fabricating the same
US8797490B2 (en) 2000-09-27 2014-08-05 Sharp Kabushiki Kaisha Liquid crystal display device and method for fabricating the same
US7145622B2 (en) 2000-09-27 2006-12-05 Sharp Kabushiki Kaisha Liquid crystal display device and method for fabricating the same
US7247411B2 (en) * 2000-10-04 2007-07-24 Samsung Electronics Co., Ltd. Liquid crystal display
KR100482468B1 (ko) * 2000-10-10 2005-04-14 비오이 하이디스 테크놀로지 주식회사 프린지 필드 구동 액정 표시 장치
US7564526B2 (en) 2000-11-22 2009-07-21 Samsung Electronics Co., Ltd. Liquid crystal display having wide viewing angle
US7336331B2 (en) 2000-11-27 2008-02-26 Unipac Optoelectronics Corp. Pixel structure in liquid crystal display
KR100448045B1 (ko) * 2000-12-05 2004-09-10 비오이 하이디스 테크놀로지 주식회사 프린지 필드 구동 모드 액정 표시 장치
KR100685915B1 (ko) * 2000-12-13 2007-02-23 엘지.필립스 엘시디 주식회사 액정셀의 두께 공차가 큰 액정 프로젝터
KR100674237B1 (ko) * 2000-12-29 2007-01-25 비오이 하이디스 테크놀로지 주식회사 광시야각의 수직배향 액정표시장치
CN102520552A (zh) * 2001-03-30 2012-06-27 夏普株式会社 液晶显示器
US7151582B2 (en) 2001-04-04 2006-12-19 Sharp Kabushiki Kaisha Liquid crystal display device with negative retardation of retardation plates being approximately zero.
US7450205B2 (en) 2001-04-04 2008-11-11 Sharp Kabushiki Kaisha Liquid crystal display device with retardation plates
KR100471397B1 (ko) * 2001-05-31 2005-02-21 비오이 하이디스 테크놀로지 주식회사 프린지 필드 스위칭 액정표시장치 및 그 제조방법
KR100466395B1 (ko) * 2001-05-31 2005-01-13 비오이 하이디스 테크놀로지 주식회사 박막 트랜지스터 액정표시장치
US7782430B2 (en) 2001-08-01 2010-08-24 Sharp Kabushiki Kaisha Liquid crystal display device treated by UV irradiation
US8400595B2 (en) 2001-08-01 2013-03-19 Sharp Kabushiki Kaisha Liquid crystal display device treated by UV irradiation
US7944532B2 (en) 2001-08-01 2011-05-17 Sharp Kabushiki Kaisha Liquid crystal display device treated by UV irradiation
US7081935B2 (en) 2001-08-01 2006-07-25 Sharp Kabushiki Kaisha Liquid crystal display device with alignment layer including a diamine component and treated by UV irradiation
US8085373B2 (en) 2001-08-01 2011-12-27 Sharp Kabushiki Kaisha Liquid crystal display device treated by UV irradiation
US7430033B2 (en) 2001-08-01 2008-09-30 Sharp Kabushiki Kaisha Liquid crystal display device treated by UV irradiation
US7251001B2 (en) 2001-08-01 2007-07-31 Sharp Kabushiki Kaisha Liquid crystal display device treated by UV irradiation
US8681300B2 (en) 2001-08-01 2014-03-25 Sharp Kabushiki Kaisha Liquid crystal display device treated by UV irradiation
US7030941B2 (en) 2002-05-15 2006-04-18 Hitachi Displays, Ltd. Liquid crystal display device
US7446824B2 (en) 2002-05-15 2008-11-04 Hitachi Displays, Ltd. Liquid crystal display device having control circuit for inserting an elimination signal of 20% or less of the appied maximum voltage in a video signal
US9477121B2 (en) 2002-06-28 2016-10-25 Samsung Display Co., Ltd. Liquid crystal display and thin film transistor array panel therefor
US8743331B2 (en) 2002-06-28 2014-06-03 Samsung Display Co., Ltd. Liquid crystal display and thin film transistor array panel therefor
US10969635B2 (en) 2002-06-28 2021-04-06 Samsung Display Co., Ltd. Liquid crystal display and thin film transistor array panel therefor
US8698990B2 (en) 2002-06-28 2014-04-15 Samsung Display Co., Ltd. Liquid crystal display and thin film transistor array panel therefor
US10620488B2 (en) 2002-06-28 2020-04-14 Samsung Display Co., Ltd. Liquid crystal display and thin film transistor array panel therefor
US8310643B2 (en) 2002-06-28 2012-11-13 Samsung Display Co., Ltd. Liquid crystal display and thin film transistor array panel therefor
JP2005055880A (ja) * 2003-07-24 2005-03-03 Sharp Corp 液晶表示装置およびその駆動方法
CN100359396C (zh) * 2003-08-26 2008-01-02 京东方显示器科技公司 Ffs模式液晶显示装置
US7612838B2 (en) 2003-10-10 2009-11-03 Lg Display Co., Ltd. Thin film transistor array substrate, liquid crystal display panel having the same, and method of manufacturing thin film transistor array substrate and liquid crystal display panel
US8525956B2 (en) 2004-09-13 2013-09-03 Sharp Kabushiki Kaisha Liquid crystal display device and manufacturing method thereof
US8514358B2 (en) 2004-09-13 2013-08-20 Sharp Kabushiki Kaisha Liquid crystal display device and manufacturing method thereof
US8243241B2 (en) 2004-09-13 2012-08-14 Sharp Kabushiki Kaisha Liquid crystal display device and manufacturing method therefor
JP2006106101A (ja) * 2004-09-30 2006-04-20 Sanyo Electric Co Ltd 液晶表示パネル
JP2007052269A (ja) * 2005-08-18 2007-03-01 Toshiba Matsushita Display Technology Co Ltd 液晶表示装置及びその製造方法
JP2008129039A (ja) * 2006-11-16 2008-06-05 Toppan Printing Co Ltd カラーフィルタの製造方法及びカラーフィルタ
JP2008225436A (ja) * 2007-03-13 2008-09-25 Samsung Electronics Co Ltd 液晶表示装置
JPWO2011045951A1 (ja) * 2009-10-16 2013-03-04 シャープ株式会社 液晶表示装置
JP2013231794A (ja) * 2012-04-27 2013-11-14 Sony Corp 液晶表示装置

Also Published As

Publication number Publication date
JP2012177932A (ja) 2012-09-13
JP4130274B2 (ja) 2008-08-06
KR19990085360A (ko) 1999-12-06
US20050140887A1 (en) 2005-06-30
JP4336730B2 (ja) 2009-09-30
US7570332B2 (en) 2009-08-04
JP2009075607A (ja) 2009-04-09
US6954248B2 (en) 2005-10-11
JP5520337B2 (ja) 2014-06-11
JP5326074B2 (ja) 2013-10-30
US7573554B2 (en) 2009-08-11
US6710837B1 (en) 2004-03-23
JP2008158550A (ja) 2008-07-10
US20080079886A1 (en) 2008-04-03
US20040080697A1 (en) 2004-04-29
KR100309918B1 (ko) 2001-12-17
JP5527962B2 (ja) 2014-06-25
JP2012177933A (ja) 2012-09-13
TW584779B (en) 2004-04-21

Similar Documents

Publication Publication Date Title
JP5520337B2 (ja) 広視野角液晶表示装置及びその製造方法
JP4689779B2 (ja) 広視野角液晶表示装置
KR100354904B1 (ko) 광시야각액정표시장치
JP4248835B2 (ja) 液晶表示装置用基板及びそれを備えた液晶表示装置
KR100590744B1 (ko) 컬러 필터 기판 및 그 제조 방법, 상기 컬러 필터 기판을 포함하는 액정 표시 장치
US7110078B2 (en) Liquid crystal display having particular pixel electrode and particular pixel area
JP2001235748A (ja) マルチドメイン型液晶表示装置
KR100601173B1 (ko) 액정 표시 장치
US6856367B2 (en) Liquid crystal display device and method of fabricating the same
KR101192630B1 (ko) 횡전계형 액정표시장치용 어레이 기판
KR100552291B1 (ko) 광시야각 액정 표시 장치
KR100315923B1 (ko) 액정표시장치
KR20040061981A (ko) 횡전계방식 액정표시장치용 어레이기판

Legal Events

Date Code Title Description
A621 Written request for application examination

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A621

Effective date: 20060202

RD03 Notification of appointment of power of attorney

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A7423

Effective date: 20060406

RD04 Notification of resignation of power of attorney

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A7424

Effective date: 20060406

A131 Notification of reasons for refusal

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131

Effective date: 20061017

A601 Written request for extension of time

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A601

Effective date: 20070117

A602 Written permission of extension of time

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A602

Effective date: 20070122

A521 Request for written amendment filed

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523

Effective date: 20070411

A131 Notification of reasons for refusal

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131

Effective date: 20070605

A521 Request for written amendment filed

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523

Effective date: 20070905

A02 Decision of refusal

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A02

Effective date: 20071120

A521 Request for written amendment filed

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523

Effective date: 20080319

A911 Transfer to examiner for re-examination before appeal (zenchi)

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A911

Effective date: 20080328

TRDD Decision of grant or rejection written
A01 Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model)

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A01

Effective date: 20080422

A01 Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model)

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A01

A61 First payment of annual fees (during grant procedure)

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A61

Effective date: 20080521

R150 Certificate of patent or registration of utility model

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R150

FPAY Renewal fee payment (event date is renewal date of database)

Free format text: PAYMENT UNTIL: 20110530

Year of fee payment: 3

FPAY Renewal fee payment (event date is renewal date of database)

Free format text: PAYMENT UNTIL: 20110530

Year of fee payment: 3

FPAY Renewal fee payment (event date is renewal date of database)

Free format text: PAYMENT UNTIL: 20120530

Year of fee payment: 4

FPAY Renewal fee payment (event date is renewal date of database)

Free format text: PAYMENT UNTIL: 20130530

Year of fee payment: 5

FPAY Renewal fee payment (event date is renewal date of database)

Free format text: PAYMENT UNTIL: 20130530

Year of fee payment: 5

S111 Request for change of ownership or part of ownership

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R313111

FPAY Renewal fee payment (event date is renewal date of database)

Free format text: PAYMENT UNTIL: 20130530

Year of fee payment: 5

R371 Transfer withdrawn

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R371

R250 Receipt of annual fees

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250

S111 Request for change of ownership or part of ownership

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R313111

R371 Transfer withdrawn

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R371

S111 Request for change of ownership or part of ownership

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R313111

R350 Written notification of registration of transfer

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R350

R250 Receipt of annual fees

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250

R250 Receipt of annual fees

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250

R250 Receipt of annual fees

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250

R250 Receipt of annual fees

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250

LAPS Cancellation because of no payment of annual fees