JPH07199205A

JPH07199205A - 液晶表示素子

Info

Publication number: JPH07199205A
Application number: JP33546093A
Authority: JP
Inventors: Takeshi Oyama; 毅大山; Yuzo Hisatake; 雄三久武; Makiko Satou; 摩希子佐藤; Masahito Ishikawa; 正仁石川; Hitoshi Hado; 仁羽藤
Original assignee: Toshiba Corp
Current assignee: Toshiba Corp
Priority date: 1993-12-28
Filing date: 1993-12-28
Publication date: 1995-08-04

Abstract

(57)【要約】【目的】ディスクリネーションライン（ウォール）を
発生させ光散乱の効果により表示を得る電極構造を、生
産性よく得ること。【構成】対向して複数の画素を形成する電極をそれぞ
れ有する２枚の基板１１、１２間にネマティック液晶組
成物からなる液晶層２０を狭持してなる液晶表示素子に
おいて、一方の基板の電極１３（または１４）が、画素
ごとに、液晶層２０に電界を印加した際の液晶分子のチ
ルト方向が２方向以上取り得る分子配列になるように、
非導電体部１３ｂを形成した導電体部１３ａからなる。

Description

【発明の詳細な説明】

【０００１】

【産業上の利用分野】本発明は、液晶表示素子に係わ
る。

【０００２】

【従来の技術】液晶表示素子を光制御の観点から分類す
ると、明暗の変化を、液晶分子の偏光効果と偏光子を組
み合わせにより生じさせるもの、液晶の相転移を利用し
光の散乱と透過により生じさせるもの、および染料を添
加し染料の可視光吸収量を制御し、色の濃淡変化により
生じさせるもの等に分けられる。

【０００３】前者の偏光効果と偏光子を組み合わせた液
晶表示素子は、例えば９０°捻れた分子配列をもつツイ
ステッドネマティック（ＴＮ）型液晶であり、原理的に
薄い液晶層厚、低電圧で偏光制御できることから、早い
応答速度、低消費電力にて、高いコントラスト比を示
し、時計や電卓、単純マトリクス駆動や、スイッチング
素子を各画素ごとに具備したアクティブマトリクス駆動
で、また、カラーフィルターと組み合わせて、フルカラ
ーの表示の液晶ＴＶなどに応用されている。

【０００４】しかし、このような効果と偏光子を組み合
わせた液晶表示素子は、原理上偏光板を用いることから
素子の透過率が著しく低く、また分子配列の方位性によ
り見る角度・方位によって表示色やコントラスト比が大
きく変化するといった視角依存性を持ち陰極線管（ＣＲ
Ｔ）の表示性能を完全に越えるまでにはいたらない。

【０００５】一方、後者の液晶の相転移を利用したも
の、及び染料の可視光吸収量を制御した液晶表示素子
は、例えば、ヘリカル構造の分子配列をもつコレステリ
ック相からホメオトロピック分子配列のネマティック相
への相転移を電場印加で生じさせるＰＣ型液晶及びこれ
に染料を添加してなるホワイト・テーラー（Ｗｈｉｔｅ
−Ｔａｙｌｏｒ）型ＧＨ液晶であり、偏光子を用いず、
原理的に偏光効果を用いないことから、明るく、広い視
認角を示し、自動車機器や、投影型表示器などに応用さ
れている。

【０００６】しかし、充分な光の散乱を得るには、液晶
相厚を充分厚くしたり、散乱を生じさせるヘリカル強度
を強めたりする必要があり、高い駆動電圧を要し、応答
速度も極めて遅いといった問題点をもっているため表示
量（画素数）の多い表示素子への応用は困難とされてい
た。また、印加電圧の増加に伴い、透過率が急激に変化
するために階調性をもたらすことも困難とされていた。
さらに、その印加電圧−透過率特性にヒステリシスがあ
り、マルチプレクス駆動することが困難など実用的に問
題があった。

【０００７】また、散乱モードの液晶表示素子として図
１０に示す様に基板１、２で挟んだ有機高分子３中に液
晶４を球状に保持したＮＣＡＰ形液晶表示素子がある。
この素子は偏光板を用いないため、明るく広い視認角を
示し、自動車機器や、投影型表示器などに応用される。
しかしながら、外部から印加した電圧は有機高分子中と
液晶とに分圧され液晶には印加電圧の一部しか印加され
ず、実用的には動作電圧が高くなるという問題があっ
た。また、これにより充分な光の散乱を得るには、液晶
厚を充分厚くする必要があり、応答速度も極めて遅いと
いった問題点を持っているため表示量（画素数）の多い
表示素子への応用は困難とされていた。さらに、その印
加電圧−透過率特性にヒステリシスがあり、マルチプレ
クス駆動することが困難など実用的に問題があった。こ
れと同様の動作原理で動作する網目状有機高分子中に液
晶を保持した高分子分散形液晶表示素子においても、同
様の問題があった。

【０００８】

【発明が解決しようとする課題】上述したように、現
在、液晶表示素子は透過率が低く、視角異存性を持つ
か、高い駆動電圧を要し、応答速度も遅いといった問題
点をもっていた。

【０００９】こうした背景のもとに、発明者等は先願の
特願平５−１８４２７３号において、対向して複数の画
素を形成する電極をそれぞれ有する２枚の基板間にネマ
ティック液晶組成物からなる液晶層を狭持し、前記両基
板の電極が画素ごとに、微細な領域を単位とした導電体
部と非導電体部からなり、両基板間で一方の電極の導電
体部と他方の電極の非導電体部の少なくとも一部が対向
して配置されている液晶表示素子を提案している。

【００１０】この液晶表示素子は各画素において、実効
的に一様な分子配列にて光透過状態、２種以上の電界方
向をもって、その境界部にウォ−ル状の分子配列を形成
し、光散乱状態を得るものであり、前述した問題点を解
決しうるものである。

【００１１】この液晶表示素子の分子配列構造の一例
は、いわゆるスプレイ配列およびそれに捩じれを加えた
分子配列であり、なおかつ上下基板表面における液晶分
子プレチルト角が上下でほぼ等しくなっている。こうし
た、分子配列では電界の印加の仕方によってはその分子
のチルト方向が２方向となる。これは電圧を印加しない
状態での液晶分子配列が液晶層の上半分と下半分で対称
な形をしていることによっている。これは、液晶分子の
チルト方向が２以上の自由度を持っていることによる。

【００１２】したがって、電圧を印加した際にのみ分子
のチルト方向の境界部にディスクリネーションラインが
電極の非導電体部に沿って液晶層内に壁状に発生する。
このディスクリネーションラインを「ウォール」と呼称
する。このウォールが入射光を散乱させる機能を得るこ
とができるわけである。このように液晶分子のチルト方
向が２以上の自由度を持たせるには以上の他例えば、液
晶組成物として負の誘電異方性を持つネマティック液晶
組成物を用い、液晶分子配列を上下基板におけるプレチ
ルト角が９０°である完全な垂直配列としても同様の効
果を得ることができる。この場合、液晶分子のチルトダ
ウン方向の自由度が２以上となる。

【００１３】いずれにせよ、このように液晶分子が電圧
を印加していない状態で実効的に一様な分子配列であ
り、液晶分子のチルトアップ（チルト角が増加する）方
向、もしくはチルトダウン（チルト角が減少する）方向
の自由度が２以上である液晶分子配列に対し、斜め電界
が微細な領域毎に相反する２方向以上に印加されるよう
に考慮した電極であれば、前述した問題を解決した優れ
た表示性能を得ることができる。

【００１４】本発明は上述した先願の特願平５ー１８４
２７３号において提案した電極構造と同様にウォールを
発生させ光散乱の効果を得る新規な電極構造を提案し、
さらにこの液晶表示素子の生産性をより高めることを目
的とする。

【００１５】

【課題を解決するための手段】本発明は前記問題を解決
する手段として、対向して複数の画素を形成する電極を
それぞれ有する２枚の基板間にネマティック液晶組成物
からなる液晶層を狭持してなる液晶表示素子において、
一方の基板の電極が画素ごとに、非導電体部を挟むよう
に有する導電体部からなり、かつ少なくとも各画素ごと
に導電体部が電気的にひとつにつながった電極構造であ
り、前記非導電体部の存在により、前記液晶層に電界を
印加した際の液晶分子のチルト方向（液晶の誘電異方性
が正の場合チルトアップ方向、負の場合チルトダウン方
向）が２方向以上取り得る分子配列になることを特徴と
する液晶表示素子を得るものである。

【００１６】また、各画素ごとの電極構造が導電体部と
非導電体部がストライプ状の形状となっていることを液
晶表示素子を得るものである。

【００１７】さらに、両基板間隙に前記基板の法線方向
の寸法が前記液晶層厚より短い微粒子を混入するか、も
しくは、前記基板の法線方向の寸法が前記液晶層厚より
低い突起を前記両基板の少なくとも一方に設けたてなる
液晶表示素子を得るものである。

【００１８】

【作用】本発明は、上記目的を達成するものであり以下
その達成原理及び手法について説明する。

【００１９】図６に示すように、上基板１１上に共通電
極１３を、下基板１２に複数個の画素電極１４を形成
し、両電極１３、１４状に上下配向膜１５、１６を被着
して、上下配向膜１５、１６の間に液晶層２０を充填し
た素子構造において、画素電極１４に対面する共通電極
１３を複数のストライプ状導電体部１３ａをこれら間を
非導電体部１３ｂで離間させた形状にしている。すなわ
ち１画素に相当する領域内に複数のストライプ状導電体
部１３ａのパターンが形成される。ストライプ状導電体
部１３ａは各端部が共通接続されており、他の画素に対
応する領域の一体になって共通電極１３を形成する。

【００２０】さらに，上配向膜１５の配向処理方向ａ
と、下配向膜１６の配向処理方向ｂを液晶層の分子Ｍに
対してスプレイ配列となるように交差させる（図では簡
略のため、交差角を零としている）。

【００２１】駆動電源２１をスイッチ１７をオンにし
て，電極１３、１４間に電圧を印加すると、電界は液晶
層厚方向に均一にかからずに，共通電極１３の導電体部
１３ａに集中するように発生し、電気力線ｅで示すよう
に斜め電界となる。このため液晶分子Ｍの長軸は電界に
沿って傾く配列となり斜め電界の傾きが逆になる部分で
分子配列が乱れる境界が発生する。この境界をディスク
リネーションライン（図示ＤＬ1 、ＤＬ2 ）と称してい
るが、本発明ではこのディスクリネーションラインが導
電体部１３ａのストライプに沿って延長して壁のように
形成されるため、ディスクリネーションウォール（略し
てウォールと称する）ができる。。このウォールＤＬ1
、ＤＬ2 部分では偏光に対して制御ができず光散乱を
生じる。本発明ではこの光散乱現象を利用してウォール
の発生を電気的に制御することにより表示を行う。上述
した先願の特願平５−１８４２７３号の発明は、両電極
にストライプ状導電体部を設けてウォールを発生するも
のであるが、本発明はいずれか一方の電極にストライプ
状またはこれと同等の作用をもつ形状の導電体部を形成
するもので、製造プロセスの簡素化をはかることができ
る。

【００２２】さらに以下にウォールの発生について説明
する。

【００２３】電圧を印加した場合、液晶層２０には斜め
の電界がかかる。液晶分子はその電界ｅの方向に配向さ
れるので図のようにストライプ状導電体部１３ａとスペ
ースとなる非導電体部１３ｂ上の電極の中央で液晶分子
Ｍの方向は左右対称となる。この電極中央部分では液晶
分子の立上がりチルトが対立する状態になっているの
で、先に説明したようにこの部分でウォールＤＬ1 、Ｄ
Ｌ2 が形成される。本発明の電極構造の場合、一方の電
極が平板構造になっているので、図に示す２つのウォー
ルＤＬ1 、ＤＬ2 はその出現原理が異なる。ウォールＤ
Ｌ1 は電極の非導電体部１３ｂの幅に関係なく、電界方
向が非導電体部１３ｂの中央で割れることにより生ずる
ものである。これに対し、ウォールＤＬ2 は前述した割
れた電界の端部同志が左右でほぼ重なった場合に生ずる
ものである。このため、あまり非導電体部の幅を広くす
ると出現しない。これら２種のウォールにより光散乱を
得ることが本発明の電極構成の特徴である。本発明の電
極構成の場合、２種のウォールにより光散乱を得ること
となるため、その電気光学特性は前述した先願の特願平
５−１８４２７３号に示した電極構成とは異なってく
る。具体的には前述の先願に示した電極構成のものより
なだらかな特性となる。このため、駆動電圧は先願に対
して若干高くなるが、階調表示をする際に駆動がやりや
すくなる。また、一方の電極が実質的に平板であるの
で、製造上、画素内における上下基板のアライメントを
必要としない。

【００２４】ウォールの発生は導電体部のストライプ形
状によって異なる。図７（ａ）に微細なパターンからな
る電極（上電極）の形状がジグザグストライプでなるも
のと、図８（ａ）に平行なストライプ形状からなるもの
を示す。図から明らかなように図８（ａ）の構成とした
場合、ウォールＤＬ1 、ＤＬ2 の平面形状は直線とな
る。これに対し、図７（ａ）のようにジグザグストライ
プ形状とした場合、ウォールＤＬ1 、ＤＬ2 の平面形状
は直線とはならない。これら２種の形状には、それぞれ
利点がある。ウォールの出現は液晶分子のチルト方向が
微細に１８０°異なる方向になるようになっているから
であるが、これを平面的に見ると分子のチルト方位は同
一方位となっている。つまり素子の上から観察すると分
子は一様な方位にチルトしていることとなる。したがっ
て、結果的に光の散乱方向というのは、平面的に見れば
殆どこの液晶分子配列方位のみとなる。図８（ｂ）のよ
うに平行なストライプ形状からなるものは殆ど直線状の
光散乱となる。よって、入射光の内、一方の偏光成分は
強く散乱されるが、他方の偏光成分は弱くなってしま
う。これに対して図７（ａ）のようにジグザグストライ
プ形状の場合、光散乱形状は図７（ｂ）に示すように種
々の方向となり、その分強い散乱が得られる。

【００２５】しかしながら、図８（ａ）のように平行な
ストライプ形状からなるものはウォールの平面形状は直
線であるため、ウォールの密度は図７（ａ）の構成より
高めることができる。これは、液晶の分子配列が平面的
にみて図７の構成より整然としているためである。した
がって、結果的には、図７の構成でも図８の構成でも高
い散乱特性が得られることになる。それぞれの特長はこ
れら液晶表示素子を投影型表示素子として用いる場合の
光学系に応じて使い分けるのが好ましい。

【００２６】さて、これらの本発明の種々の電極構成、
分子配列にて前述したようなウォールを発生させた場
合、前記斜め電界が、微細な領域毎に相反するするよう
に構成されているため、電圧を印加しつづけても液晶分
子は、前記ウォールが発生した状態の分子配列を維持し
にくい。液晶分子配列というものはあまり微細に配列形
状を変化させることが困難であるからである。つまり
は、電界、磁界等の外力のみでは、こうした困難な分子
配列形態を維持する力が不足していることになる。こう
した、問題を解決するのに、発明者等は、両基板間隙に
前記液晶層厚方向の長さが前記液晶層厚ｄより短い微粒
子を混入させるか、液晶層厚方向の高さが液晶層厚ｄよ
り低い突起を両基板の少なくとも一方に設けると解決す
ることを見出だした。

【００２７】図９にこの構成の概略を示す。図示するよ
うに、液晶層厚より小さい微粒子を加えた構造からな
る。このように、液晶層中に微粒子、突起を設けた場
合、ウォールの出現場所にこの微粒子、突起があれば、
これらの存在によって、前述した微細に配列形状を変化
させ分子配列状態、つまりはウォールを多数出現させた
分子配列状態を維持することができる。本発明では、こ
うした微粒子、突起が多数のウォールを維持する機能を
もつことから「ウォール支持体」と称する。このような
機能を得る手段としては、上記図９で説明した方法の
他、液晶層厚に等しい大きさの微粒子を前記液晶層内に
必要以上に混入させる（つまりは基板間隙剤の混入）こ
とによっても得られる。

【００２８】しかしながら、この場合、多数のウォール
を維持するためには、多数の基板間隙剤を混入させる必
要が生じ、光透過状態を得る時に悪影響を及ぼす。具体
的にのべると基板間隙剤による光散乱、および基板間隙
剤表面の液晶分子配向による光散乱の影響があることで
ある。これらの影響を低減させるため、前記ウォール支
持体として、液晶層厚ｄより小さいことを特長とする微
粒子、突起を用いることが望ましい。このように液晶層
厚ｄより小さい微粒子、突起を用いることによってこれ
らに起因した光散乱は問題のないレベルとすることがで
きることを、発明者等は実験により確認している。

【００２９】なお発明者等は、このウォール支持体の機
能を得るものとして、前述した微粒子、突起の他に、Ｔ
ＦＴ、ＭＩＭ基板に必然的に設けられる段差（配線電極
や半導体層の厚みにより生じる段差）自体も、段差近傍
では同様の機能を得ることを確認している。

【００３０】

【実施例】以下本発明の液晶表示素子の実施例を詳細に
説明する。

【００３１】（実施例１）図１および図２は本発明を投
影型ディスプレー用液晶表示素子に適用した実施例を示
すもので、図１（ａ）、（ｂ）において、ガラスの上基
板１１は一方の面にＩＴＯのパターニングにより形成さ
れた上電極すなわち共通電極１３と、その上に被着され
たポリイミドの上配向膜１５を有している。上基板１１
の非画素領域はクロムのブラックマトリクス（図示せ
ず）が形成されている。

【００３２】上基板１１とともに表示素子のセルとなる
ガラスの下基板１２はＩＴＯの多数の下電極すなわち画
素電極１４がモザイク状に配置され。図２に示すように
各画素電極１４はＴＦＴスイッチング素子３０を有し同
基板上に設けたアドレス線３１および信号線３２に接続
されている。

【００３３】共通電極１３は各画素電極１４に対向する
領域に、複数の幅８μｍのジグザグ状ストライプ導電体
部１３ａが形成されるように、これら間にスペースとし
て非導電体部１３ｂを有して各導電体部１３ａを所定の
間隔で配置している。ジグザグ形状の山−山間の幅は１
０μｍである。画素電極１４は正方形の平板状形状をな
し、７０μｍ×７０μｍの面積をもつ。この画素電極を
含む１画素分の領域は１００μｍ×１００μｍであり、
対応する導電体部１３ａと非導電体部１３ｂが形成する
窓格子状部分は７０μｍ×７０μｍである。上下配向膜
１５、１６として測定値がプレチルト角６°のポリイミ
ド（商品名ＳＥ−７１２０、日産化学工業製）を形成
し、図２に示すように、表示素子の表示が面の水平方向
（左方向）に両基板１１、１２をラビング処理を施した
のち、下基板１２側に、液晶層厚が７．５μｍとなるよ
う基板間隙剤（積水ファインケミカル製の微粒子：ミク
ロパールＳＰ、粒径７．５ｕｍ）を分散密度１００個／
ｍｍ²となるよう乾式散布法にて散布した。これら基板
間に誘電異方性Δｎが0.2030（正）の液晶材料（商品名
ＺＬＩ−３９２６、メルクジャパン製）を充填狭持して
液晶層２０とし、基板をセルとして封止して液晶表示素
子を得た。ここで、液晶層厚を７．５μｍと厚くし、液
晶組成物のΔｎを大きくしたのは、光散乱状態における
光散乱性を高めるためである。

【００３４】このようにして得られた液晶表示素子にＴ
ＦＴスイッチング素子３０を介して電源から電圧を印加
すると、図１（ｃ）のようにウォールＤＬ1 、ＤＬ2 が
発生する。この電気光学特性（透過率−印加電圧曲線）
を求めるために、液晶表示素子にHe-Ne レーザー光を入
射させ、透過率を測定した。光のスポット径は２mmで、
透過したレーザー光は液晶表示素子から距離２０cmのと
ころにあるフォトダイオードにより検出した。

【００３５】図５に０Ｖから徐々に印加電圧を３．３Ｖ
まで増加、３．３Ｖから徐々に０Ｖまで減少させていっ
たときの透過率−印加電圧曲線（実施例１）を示す。電
圧を印加していない状態（０Ｖ印加）では透過率約８０
％と、明るい透過率特性を示した。また、印加電圧３．
３Ｖでは最小透過率０．４％と、良好な散乱状態が得ら
れた。また、図からあきらかなように電気光学特性にヒ
ステリシスは全くなかった。また、印加電圧３．３Ｖ及
び０Ｖにて、応答速度を測定したところ立上がり６ｍｓ
ｅｃ、立ち下がり１８ｍｓｅｃと極めて速い値を得た。

【００３６】次に電圧を印加して、ウォールの維持状態
を偏光顕微鏡による分子配列観察及び透過率測定による
光散乱状態測定によって調べた。本実施例においては印
加電圧３．３Ｖを印加しつづけた場合、１時間経過して
も初期のウォール配列を維持していることが確認され
た。

【００３７】また、本実施例は画素電極内が非導電体部
をもたない平板電極となっているので共通電極の微細な
パターンとのアライメントは要さないため、製造プロセ
スが簡素化され生産性に優れている。

【００３８】（実施例２）図３および図４に本実施例の
表示素子の構成を示す。なお、図１，２に示す実施例１
と同じ符号の部分は同様の部分であり説明を略す。図に
おいて上基板１１に形成する共通電極２３は画素電極１
４に対向する領域Ａを画素ごとに複数の直線ストライプ
状導電体部２３ａとこれら導電体部を離す非導電体部２
３ｂとで形成する。導電体部２３ａ、非導電体部２３ｂ
ともに８μｍ間隔であり、領域Ａは７０μｍ×７０μｍ
で、画素電極も同寸法に形成される。

【００３９】これら電極間にＴＦＴスイッチング素子３
０を介して電源２１から電圧を印加すると、図１２に示
すようなウォールＤＬ1 、ＤＬ2 が発生する。

【００４０】実施例１と同じ方法で本実施例素子の電気
光学特性（透過率−印加電圧曲線）を測定した。図５に
０Ｖから徐々に印加電圧を３．２Ｖまで増加し、３．２
Ｖから徐々に０Ｖまで減少させていったときの透過率−
印加電圧曲線（実施例２）を示す。電圧を印加しない状
態（０Ｖ印加）では透過率焼く８０％と明るい透過率特
性を示した。また、印加電圧３．２Ｖにて最小透過率
０．４％と、実施例１以上の良好な散乱状態が得られ
た。また図からあきらかなように電気光学特性にヒステ
リシスは全くなかった。また、印加電圧３．２Ｖおよび
０Ｖにて、応答速度特性を測定したところ立上り６ｍｓ
ｅｃ、立下がり１８ｍｓｅｃと極めて速い値を得た。

【００４１】次に電圧を印加中のウォールノ維持状態
を、偏光顕微鏡による分子配列観察および透過率測定に
よる光散乱状態測定によって調べたところ、本実施例に
おいては印加電圧３．２Ｖを印加しつづけた場合、１時
間経過しても初期のウォール配列を維持していることが
確認された。

【００４２】（実施例３）図９に示すように、実施例１
と同様の基板を用いて、同様の方法により配向膜１５、
１６に配向処理Ｆ、Ｒをほどことした後、上基板１１側
に粒径５μｍの微粒子からなるウォール支持体３３（商
品名ミクロパール、積水ファインケミカル製）を分散密
度１０００個／ｍｍ²となるように乾式散布法により散
布し、以後の工程は実施例１同様の方法および材料を用
いて本実施例の素子を得た。諸特性を測定したところ、
実施例１と同様の特性が得られ、さらに印加電圧３．３
Ｖを印加しつづけた場合、１０時間経過後も初期のウォ
ール配列を維持していることが確認された。

【００４３】

【発明の効果】本発明によれば、偏光素子を用いる必要
がなく、散乱特性がすぐれ駆動電圧の低い、明るくコン
トラスト比の高い素子を得ることができる。また階調表
示でも表示反転視角を生じない非常に視角の広い素子が
得られる。しかもこのような素子を簡単な製造プロセス
で実用的に得ることができる。さらに、ＴＦＴ駆動に
よる大型表示容量のディスプレーに適し、また投影型デ
ィスプレーへの応用に適している。

【図面の簡単な説明】

【図１】本発明の一実施例を説明するもので、（ａ）は
一部斜視図、（ｂ）は（ａ）をＸ−Ｘ´線で切断した断
面図、（ｃ）は動作状態を説明する断面略図。

【図２】本発明の一実施例を説明するもので、（ａ）は
共通電極の平面図、（ｂ）は画素電極の平面図。

【図３】本発明の他の実施例を説明するもので、（ａ）
は一部斜視図、（ｂ）は（ａ）をＸ−Ｘ´線で切断した
断面図。

【図４】本発明の他の実施例を説明するもので、（ａ）
は共通電極の平面図、（ｂ）は画素電極の平面図。

【図５】本発明の実施例の透過率−印加電圧特性を示す
曲線図。

【図６】本発明の作用を説明する断面略図。

【図７】（ａ）、（ｂ）は本発明の作用を説明する平面
図。

【図８】（ａ）、（ｂ）は本発明の作用を説明する平面
図。

【図９】本発明の作用を説明する断面略面

【図１０】（ａ）は従来の構造を示す断面図。

【符号の説明】

１１…上基板１２…下基板１３…共通電極１３ａ…導電体部１３ｂ…非導電体部１４…画素電極ＤＬ1 、ＤＬ2 …ウォール

───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (72)発明者石川正仁神奈川県横浜市磯子区新杉田町８番地株式会社東芝横浜事業所内 (72)発明者羽藤仁神奈川県横浜市磯子区新杉田町８番地株式会社東芝横浜事業所内

Claims

【特許請求の範囲】

【請求項１】対向して複数の画素を形成する電極をそ
れぞれ有する２枚の基板間にネマティック液晶組成物か
らなる液晶層を狭持してなる液晶表示素子において、一方の基板の電極が画素ごとに、非導電体部を挟むよう
に有する導電体部からなり、かつ少なくとも各画素ごと
に導電体部が電気的にひとつにつながった電極構造であ
り、前記非導電体部の存在により、前記液晶層に電界を
印加した際の液晶分子のチルト方向が２方向以上取り得
る分子配列になることを特徴とする液晶表示素子。
【請求項２】各画素ごとの電極構造が前記導電体部と
非導電体部がストライプ状の形状となっていることを特
徴とする請求項１に記載の液晶表示素子。
【請求項３】両基板間隙に前記基板の法線方向の寸法
が前記液晶層厚より短い微粒子を混入するか、もしく
は、前記基板の法線方向の寸法が前記液晶層厚より低い
突起を前記両基板の少なくとも一方に設けたことを特徴
とする請求項１または請求項２に記載の液晶表示素子。