JPH11315273A - 研磨組成物及びそれを用いたエッジポリッシング方法 - Google Patents
研磨組成物及びそれを用いたエッジポリッシング方法Info
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Abstract
(57)【要約】 （修正有）
【課題】シリコンウェーハや化合物ウェーハ等よりなる
半導体基板の表面を酸化膜／窒化膜等で被覆したエッジ
部分を研磨加工する研磨用組成物、その調整方法、およ
びその組成物を用いたエッジポリッシング加工方法を提
供。 【解決手段】平均一次粒子径８〜５００ｎｍの酸化珪素
粒子１〜１５重量％と、酸化物、窒化物又は炭化物から
なる金属化合物の平均一次粒子径１０〜３０００ｎｍの
微粒子一種以上０．１〜１０重量％を含み、ｐＨ８．３
〜１１．５のコロイド溶液である研磨用組成物、および
該コロイド溶液が２５℃酸解離定数の逆数の対数値が
８．０〜１２．５の弱酸及び／または弱塩基を使用し
て、弱酸と強塩基、強酸と弱塩基又は弱酸と弱塩基の組
み合せを添加してｐＨ８．３〜１１．５で作用する緩衝
溶液として調整された研磨用組成物、好ましくは２５℃
導電率が酸化珪素１重量％あたり２５ｍＳ／ｍ以上の研
磨用組成物。
半導体基板の表面を酸化膜／窒化膜等で被覆したエッジ
部分を研磨加工する研磨用組成物、その調整方法、およ
びその組成物を用いたエッジポリッシング加工方法を提
供。 【解決手段】平均一次粒子径８〜５００ｎｍの酸化珪素
粒子１〜１５重量％と、酸化物、窒化物又は炭化物から
なる金属化合物の平均一次粒子径１０〜３０００ｎｍの
微粒子一種以上０．１〜１０重量％を含み、ｐＨ８．３
〜１１．５のコロイド溶液である研磨用組成物、および
該コロイド溶液が２５℃酸解離定数の逆数の対数値が
８．０〜１２．５の弱酸及び／または弱塩基を使用し
て、弱酸と強塩基、強酸と弱塩基又は弱酸と弱塩基の組
み合せを添加してｐＨ８．３〜１１．５で作用する緩衝
溶液として調整された研磨用組成物、好ましくは２５℃
導電率が酸化珪素１重量％あたり２５ｍＳ／ｍ以上の研
磨用組成物。
Description
【０００１】
【発明が属する技術分野】本発明は、シリコンウェーハ
あるいは化合物ウェーハ等よりなる半導体基板のうち、
その表面を酸化膜あるいは窒化膜等で被覆したもののエ
ッジ部分の研磨加工を行なう研磨用組成物および該研磨
用組成物の調整方法、および該研磨用組成物を用いたエ
ッジポリッシング加工方法に関する。更に詳しくは、緩
衝作用を有し導電率の大きい研磨組成物溶液に係わる。
あるいは化合物ウェーハ等よりなる半導体基板のうち、
その表面を酸化膜あるいは窒化膜等で被覆したもののエ
ッジ部分の研磨加工を行なう研磨用組成物および該研磨
用組成物の調整方法、および該研磨用組成物を用いたエ
ッジポリッシング加工方法に関する。更に詳しくは、緩
衝作用を有し導電率の大きい研磨組成物溶液に係わる。
【０００２】
【従来技術】シリコン単結晶等半導体素材を原材料とし
たＩＣ，ＬＳＩあるいは超ＬＳＩ等の電子部品は、シリ
コンあるいはその他の化合物半導体の単結晶のインゴッ
トを薄い円板状にスライスしたウェーハに多数の微細な
電気回路を書き込み分割した小片状の半導体素子チップ
を基に製造されるものである。インゴットからスライス
されたウェーハは、ラッピング、エッチング、更にはポ
リッシングという工程を経て、少なくともその片面が鏡
面に仕上られた鏡面ウェーハに加工されて行く。ウェー
ハは、その後のデバイス工程にてその鏡面仕上げした表
面に微細な電気回路が書き込まれて行くのであるが、半
導体素子チップに分割されるまではウェーハは最初の円
板状の形状を保ったまま加工されるのであり、各加工工
程の間には洗浄、乾燥、搬送等の操作が入る。その間ウ
ェーハの外周側面エッジの形状が切り立ったままでかつ
未加工の租な状態の面であると、そこが各工程中に装置
や他物体と接触し微小破壊が起こり微細粒子が発生した
り、その租な状態の面の中に汚染粒子を巻き込み、その
後の工程でそれが散逸して精密加工を施した面を汚染
し、製品の歩留まりや品質に大きな影響を与えたりする
ことが多い。これを防止するために、ウェーハ加工の初
期の段階でエッジ部分の面取り（べべリング）を行ない
更にその部分を鏡面仕上げ（エッジポリッシング）する
ことが一般に行なわれている。
たＩＣ，ＬＳＩあるいは超ＬＳＩ等の電子部品は、シリ
コンあるいはその他の化合物半導体の単結晶のインゴッ
トを薄い円板状にスライスしたウェーハに多数の微細な
電気回路を書き込み分割した小片状の半導体素子チップ
を基に製造されるものである。インゴットからスライス
されたウェーハは、ラッピング、エッチング、更にはポ
リッシングという工程を経て、少なくともその片面が鏡
面に仕上られた鏡面ウェーハに加工されて行く。ウェー
ハは、その後のデバイス工程にてその鏡面仕上げした表
面に微細な電気回路が書き込まれて行くのであるが、半
導体素子チップに分割されるまではウェーハは最初の円
板状の形状を保ったまま加工されるのであり、各加工工
程の間には洗浄、乾燥、搬送等の操作が入る。その間ウ
ェーハの外周側面エッジの形状が切り立ったままでかつ
未加工の租な状態の面であると、そこが各工程中に装置
や他物体と接触し微小破壊が起こり微細粒子が発生した
り、その租な状態の面の中に汚染粒子を巻き込み、その
後の工程でそれが散逸して精密加工を施した面を汚染
し、製品の歩留まりや品質に大きな影響を与えたりする
ことが多い。これを防止するために、ウェーハ加工の初
期の段階でエッジ部分の面取り（べべリング）を行ない
更にその部分を鏡面仕上げ（エッジポリッシング）する
ことが一般に行なわれている。
【０００３】上述のエッジポリッシングは、一般的には
回転可能なドラムの表面に、合成樹脂発泡体、合成皮革
あるいは不織布等からなるポリッシャーを貼付した研磨
加工機に、工作物であるべべリングを施したシリコンウ
ェーハ等のエッジ部分を回転させつつ傾斜押圧し、コロ
イダルシリカを主成分とした研磨用組成物溶液を供給し
つつ、エッジ部分の研磨加工を行なう方法で行われる。
しかして、この際用いられる研磨用組成物はウェーハの
表面ポリッシングに用いられるものと同じものが用いら
れる。
回転可能なドラムの表面に、合成樹脂発泡体、合成皮革
あるいは不織布等からなるポリッシャーを貼付した研磨
加工機に、工作物であるべべリングを施したシリコンウ
ェーハ等のエッジ部分を回転させつつ傾斜押圧し、コロ
イダルシリカを主成分とした研磨用組成物溶液を供給し
つつ、エッジ部分の研磨加工を行なう方法で行われる。
しかして、この際用いられる研磨用組成物はウェーハの
表面ポリッシングに用いられるものと同じものが用いら
れる。
【０００４】研磨用組成物としては、アルカリ成分を含
んだ溶液に微細なコロイド状酸化珪素粒子を分散した溶
液が一般的に使用される。この加工は、その前の工程ま
での、例えばダイヤモンド砥石を使用したり、あるいは
硬質なアルミナ系砥粒を用いた所謂機械的な加工とは異
なるものであって、その成分であるアルカリの化学的作
用、具体的にはシリコンウェーハ等工作物に対する浸蝕
性を応用したものである。すなわち、アルカリの腐食性
により、ウェーハ等工作物表面に薄い軟質の浸蝕層が形
成される。その薄層を微細なコロイド状酸化珪素粒子の
機械的作用により除去してゆくことにより加工が進むの
である。研磨用組成物溶液のｐＨは、溶液が持つアルカ
リ成分の化学的作用により加工が進むのであるから、７
以上のアルカリ性領域になければならない。すなわちｐ
Ｈ値が７の中性を示す数値に近くなるにつれその化学作
用の力は弱くなり、研磨加工速度は遅くなるしまた、１
４に近い強アルカリ領域になるに従ってその力は強くな
り研磨加工速度は速くなる。
んだ溶液に微細なコロイド状酸化珪素粒子を分散した溶
液が一般的に使用される。この加工は、その前の工程ま
での、例えばダイヤモンド砥石を使用したり、あるいは
硬質なアルミナ系砥粒を用いた所謂機械的な加工とは異
なるものであって、その成分であるアルカリの化学的作
用、具体的にはシリコンウェーハ等工作物に対する浸蝕
性を応用したものである。すなわち、アルカリの腐食性
により、ウェーハ等工作物表面に薄い軟質の浸蝕層が形
成される。その薄層を微細なコロイド状酸化珪素粒子の
機械的作用により除去してゆくことにより加工が進むの
である。研磨用組成物溶液のｐＨは、溶液が持つアルカ
リ成分の化学的作用により加工が進むのであるから、７
以上のアルカリ性領域になければならない。すなわちｐ
Ｈ値が７の中性を示す数値に近くなるにつれその化学作
用の力は弱くなり、研磨加工速度は遅くなるしまた、１
４に近い強アルカリ領域になるに従ってその力は強くな
り研磨加工速度は速くなる。
【０００５】従って、このような加工においては、研磨
用組成物溶液の性質が極めて重要なファクターとなる。
即ち、工作物表面はアルカリによって浸蝕され薄層が形
成されるのであり、その性状、性質等、具体的にはその
厚さ硬度等は使用する研磨用組成物溶液の性質、特に電
気化学的性質に影響されること極めて大であるため、そ
の電気化学的性質具体的にはｐＨが安定した範囲にある
ことが大変重要である。もしこれが、熱、外気との接
触、あるいは外部からの混入物等の外的条件によって容
易に変化するようであれば、浸蝕層の深さ、浸蝕の速
度、均一性、除去のし易さ等が微妙に変化し精密かつ均
質な加工を期待することはできない。また、前記浸蝕層
は、研磨用組成物中に研磨剤として含有されるコロイド
状酸化珪素粒子の機械的作用によって除去されるのであ
るから、その粒子は適度なサイズを有し、容易に破壊し
たり、あるいは高次に凝集してゲル化するものであって
はならない。すなわち、酸化珪素粒子はアルカリにより
形成された浸蝕層を機械的作用により効果的に除去して
ゆくものである。従って、除去後の新しい鏡面に何らか
の影響を与えるようなものであってはならないのであ
る。
用組成物溶液の性質が極めて重要なファクターとなる。
即ち、工作物表面はアルカリによって浸蝕され薄層が形
成されるのであり、その性状、性質等、具体的にはその
厚さ硬度等は使用する研磨用組成物溶液の性質、特に電
気化学的性質に影響されること極めて大であるため、そ
の電気化学的性質具体的にはｐＨが安定した範囲にある
ことが大変重要である。もしこれが、熱、外気との接
触、あるいは外部からの混入物等の外的条件によって容
易に変化するようであれば、浸蝕層の深さ、浸蝕の速
度、均一性、除去のし易さ等が微妙に変化し精密かつ均
質な加工を期待することはできない。また、前記浸蝕層
は、研磨用組成物中に研磨剤として含有されるコロイド
状酸化珪素粒子の機械的作用によって除去されるのであ
るから、その粒子は適度なサイズを有し、容易に破壊し
たり、あるいは高次に凝集してゲル化するものであって
はならない。すなわち、酸化珪素粒子はアルカリにより
形成された浸蝕層を機械的作用により効果的に除去して
ゆくものである。従って、除去後の新しい鏡面に何らか
の影響を与えるようなものであってはならないのであ
る。
【０００６】従来より様々な研磨組成物がウェーハ等の
研磨剤として提案されている。たとえば、米国特許第３
１７０２７３号公報では、シリカゾル及びシリカゲルが
研磨剤として提案されている。さらに米国特許第３３２
８１４１号公報では、該懸濁液のｐＨを１０．５〜１
２．５の範囲内にすることにより、研磨速度が増大する
事が開示されている。米国特許第４１６９３３７号公報
では、アミン類を研磨用組成物に添加することが開示さ
れている。特開平２−１５８６８４号公報には、水、コ
ロイダルシリカ、分子量１０万以上の水溶性高分子、水
溶性塩類からなる研磨用組成物が開示されている。更に
特開平５−１５４７６０号公報では、水溶性アミンの一
種であるピペラジンを、シリカゾルまたはシリカゲルの
シリカ基準にて、１０〜８０重量％含む研磨用組成物を
使用した研磨方法を開示している。
研磨剤として提案されている。たとえば、米国特許第３
１７０２７３号公報では、シリカゾル及びシリカゲルが
研磨剤として提案されている。さらに米国特許第３３２
８１４１号公報では、該懸濁液のｐＨを１０．５〜１
２．５の範囲内にすることにより、研磨速度が増大する
事が開示されている。米国特許第４１６９３３７号公報
では、アミン類を研磨用組成物に添加することが開示さ
れている。特開平２−１５８６８４号公報には、水、コ
ロイダルシリカ、分子量１０万以上の水溶性高分子、水
溶性塩類からなる研磨用組成物が開示されている。更に
特開平５−１５４７６０号公報では、水溶性アミンの一
種であるピペラジンを、シリカゾルまたはシリカゲルの
シリカ基準にて、１０〜８０重量％含む研磨用組成物を
使用した研磨方法を開示している。
【０００７】一方、近年、半導体デバイス技術の進歩に
より、表面に酸化膜等を付与したウェーハもポピュラー
になって来ている。例えばウェーハ表面にエピタキシャ
ル層を生成させる際の裏面からの汚染防止のため、ある
いは絶縁のため、あるいは拡散防止のため、鏡面仕上げ
をしたウェーハの表面に薄い酸化膜あるいは窒化膜等で
被覆しその状態で加工して行くのが一般的である。この
酸化膜あるいは窒化膜を施したウェーハの面は未処理の
面に比較してはるかに硬度が高いものである。上述の酸
化膜あるいは窒化膜の被覆を行なうのはウェーハ面は鏡
面仕上げをした状態、ウェーハ端面のエッジ部分は１０
００番程度のべべリング用砥石で磨いた状態である。従
ってウェーハ端面の状態はウェーハ表面に比較して凹凸
が多く、その上に２０００Å程度の厚さの酸化膜あるい
は窒化膜を乗せることになる。上述の通り、この酸化膜
あるいは窒化膜を施したウェーハの面は未処理の面に比
較してはるかに硬度が高く、前述のアルカリ性コロイダ
ルシリカよりなる研磨用組成物でもって加工する限り、
その加工速度は１／３以下まで低下してしまい、経済的
にも極めて不利である。特に凹凸の多い端面の加工にお
いては硬度の高い膜の部分とウェーハの部分を同時に加
工を行なうこととなる。この硬度の高い面を加工する方
法として、例えば、金属の酸化物や窒化物あるいは炭化
物等の微細粉末を加工用砥粒として含む加工液を用いる
方法が行われているが、外的条件の変化等に加工力が大
きく影響され易く、その研磨力の維持安定性が不十分で
あり、酸化膜あるいは窒化膜を施した難研削性のウェー
ハの面あるいはエッジ部分の加工速度を画期的に改善す
るようなものではなく、完全なものとはいい難かった。
より、表面に酸化膜等を付与したウェーハもポピュラー
になって来ている。例えばウェーハ表面にエピタキシャ
ル層を生成させる際の裏面からの汚染防止のため、ある
いは絶縁のため、あるいは拡散防止のため、鏡面仕上げ
をしたウェーハの表面に薄い酸化膜あるいは窒化膜等で
被覆しその状態で加工して行くのが一般的である。この
酸化膜あるいは窒化膜を施したウェーハの面は未処理の
面に比較してはるかに硬度が高いものである。上述の酸
化膜あるいは窒化膜の被覆を行なうのはウェーハ面は鏡
面仕上げをした状態、ウェーハ端面のエッジ部分は１０
００番程度のべべリング用砥石で磨いた状態である。従
ってウェーハ端面の状態はウェーハ表面に比較して凹凸
が多く、その上に２０００Å程度の厚さの酸化膜あるい
は窒化膜を乗せることになる。上述の通り、この酸化膜
あるいは窒化膜を施したウェーハの面は未処理の面に比
較してはるかに硬度が高く、前述のアルカリ性コロイダ
ルシリカよりなる研磨用組成物でもって加工する限り、
その加工速度は１／３以下まで低下してしまい、経済的
にも極めて不利である。特に凹凸の多い端面の加工にお
いては硬度の高い膜の部分とウェーハの部分を同時に加
工を行なうこととなる。この硬度の高い面を加工する方
法として、例えば、金属の酸化物や窒化物あるいは炭化
物等の微細粉末を加工用砥粒として含む加工液を用いる
方法が行われているが、外的条件の変化等に加工力が大
きく影響され易く、その研磨力の維持安定性が不十分で
あり、酸化膜あるいは窒化膜を施した難研削性のウェー
ハの面あるいはエッジ部分の加工速度を画期的に改善す
るようなものではなく、完全なものとはいい難かった。
【０００８】
【発明が解決しようとする課題】本発明者等は上述の、
酸化膜あるいは窒化膜を施した難研削性のウェーハに対
する加工性の改良に関し鋭意研究を行ない、研磨用組成
物溶液として、微細な酸化珪素の粒子を含むコロイド、
すなわちコロイダルシリカと、それに金属酸化物、窒化
物あるいは炭化物からなる金属化合物の微粒子のうち少
なくともその一つ加えた分散液を用いることで加工性を
改良することが可能であることを見出し、更にその分散
液をある一定のアルカリ性の領域において緩衝性をもた
せることでその加工力の維持安定が出来ることを見出し
本発明を完成するに至ったものであり、その目的とする
所は酸化膜あるいは窒化膜を施したウェーハのエッジ部
分のポリッシング加工に好適な研磨用加工液およびその
調整方法を提供することにあり、更に本発明の他の目的
はその研磨用加工液を用いたエッジポリッシング方法を
提供することにある。
酸化膜あるいは窒化膜を施した難研削性のウェーハに対
する加工性の改良に関し鋭意研究を行ない、研磨用組成
物溶液として、微細な酸化珪素の粒子を含むコロイド、
すなわちコロイダルシリカと、それに金属酸化物、窒化
物あるいは炭化物からなる金属化合物の微粒子のうち少
なくともその一つ加えた分散液を用いることで加工性を
改良することが可能であることを見出し、更にその分散
液をある一定のアルカリ性の領域において緩衝性をもた
せることでその加工力の維持安定が出来ることを見出し
本発明を完成するに至ったものであり、その目的とする
所は酸化膜あるいは窒化膜を施したウェーハのエッジ部
分のポリッシング加工に好適な研磨用加工液およびその
調整方法を提供することにあり、更に本発明の他の目的
はその研磨用加工液を用いたエッジポリッシング方法を
提供することにある。
【０００９】
【課題を解決するための手段】上述の目的は、平均一次
粒子径が８〜５００ｎｍの酸化珪素粒子と、金属酸化
物、金属窒化物および金属炭化物からなる群から選ばれ
た金属化合物の微粒子で平均一次粒子径が１０〜３００
０ｎｍのもののうち少なくとも一種を含む分散液であっ
て、酸化珪素粒子の濃度が１〜１５重量％、上記金属化
合物の微粒子の濃度が０．１〜１０重量％であり、かつ
該分散液のｐＨが８．３〜１１．５であることを特徴と
する研磨用組成物にて達成することができる。上述の研
磨用組成物は、２５℃における酸解離定数の逆数の対数
値が８．０〜１２．５の弱酸及び／または弱塩基を使用
して、弱酸と強塩基、強酸と弱塩基あるいは弱酸と弱塩
基の何れかの組み合わせのものを添加することによっ
て、ｐＨ８．３〜１１．５の間で緩衝作用を持たせるよ
うにしたものであれば好適である。研磨用組成物が、２
５℃における導電率が、酸化珪素１重量％あたり２５ｍ
Ｓ／ｍ以上であれば更に好適である。
粒子径が８〜５００ｎｍの酸化珪素粒子と、金属酸化
物、金属窒化物および金属炭化物からなる群から選ばれ
た金属化合物の微粒子で平均一次粒子径が１０〜３００
０ｎｍのもののうち少なくとも一種を含む分散液であっ
て、酸化珪素粒子の濃度が１〜１５重量％、上記金属化
合物の微粒子の濃度が０．１〜１０重量％であり、かつ
該分散液のｐＨが８．３〜１１．５であることを特徴と
する研磨用組成物にて達成することができる。上述の研
磨用組成物は、２５℃における酸解離定数の逆数の対数
値が８．０〜１２．５の弱酸及び／または弱塩基を使用
して、弱酸と強塩基、強酸と弱塩基あるいは弱酸と弱塩
基の何れかの組み合わせのものを添加することによっ
て、ｐＨ８．３〜１１．５の間で緩衝作用を持たせるよ
うにしたものであれば好適である。研磨用組成物が、２
５℃における導電率が、酸化珪素１重量％あたり２５ｍ
Ｓ／ｍ以上であれば更に好適である。
【００１０】溶液の濃度を高くするか、あるいは塩類を
添加することにより、２５℃における導電率を、酸化珪
素１重量％あたり２５ｍＳ／ｍ以上に調整してもよい。
さらに、本発明においては、水、有機溶剤、塩を含んだ
溶液、塩基を含んだ溶液、緩衝溶液あるいはその混合物
で希釈することにより、前述の研磨用組成物をもたらす
研磨用組成物の濃縮物を提供するものである。すなわ
ち、平均一次粒子径が８〜５００ｎｍの酸化珪素粒子
と、金属酸化物、金属窒化物および金属炭化物からなる
金属化合物の微粒子で平均一次粒子径が１０〜３０００
ｎｍのものうち少なくとも一つを含み前記酸化珪素粒子
を例えば１５〜６５重量％の高い濃度で含む分散液を、
水、有機溶剤、塩を含んだ溶液、塩基を含んだ溶液、緩
衝溶液あるいはその混合物で希釈することにより、前述
の研磨用組成物を調整することもできる。
添加することにより、２５℃における導電率を、酸化珪
素１重量％あたり２５ｍＳ／ｍ以上に調整してもよい。
さらに、本発明においては、水、有機溶剤、塩を含んだ
溶液、塩基を含んだ溶液、緩衝溶液あるいはその混合物
で希釈することにより、前述の研磨用組成物をもたらす
研磨用組成物の濃縮物を提供するものである。すなわ
ち、平均一次粒子径が８〜５００ｎｍの酸化珪素粒子
と、金属酸化物、金属窒化物および金属炭化物からなる
金属化合物の微粒子で平均一次粒子径が１０〜３０００
ｎｍのものうち少なくとも一つを含み前記酸化珪素粒子
を例えば１５〜６５重量％の高い濃度で含む分散液を、
水、有機溶剤、塩を含んだ溶液、塩基を含んだ溶液、緩
衝溶液あるいはその混合物で希釈することにより、前述
の研磨用組成物を調整することもできる。
【００１１】更に、本発明の他の目的は、回転可能なド
ラムの表面にポリッシャーを貼付した研磨加工機にシリ
コンウェーハ等のエッジ部分を回転させつつ押圧し、前
述のの研磨用組成物を供給しつつ、前記工作物のエッジ
部分の研磨加工を行なう方法にて達成できる。ここで言
うポリッシャーとは、シリコンウェーハ等のポリッシン
グに使用させるもので例えば合成樹脂発泡体、合成皮革
あるいは不織布等を挙げることができる。シリコンウェ
ーハ等のエッジ部分を押圧する方法としては、エッジ部
分を傾斜させて押圧する方法、ドラムの表面に溝を形成
しその溝に垂直にエッジ部分を押圧する方法等がある。
ラムの表面にポリッシャーを貼付した研磨加工機にシリ
コンウェーハ等のエッジ部分を回転させつつ押圧し、前
述のの研磨用組成物を供給しつつ、前記工作物のエッジ
部分の研磨加工を行なう方法にて達成できる。ここで言
うポリッシャーとは、シリコンウェーハ等のポリッシン
グに使用させるもので例えば合成樹脂発泡体、合成皮革
あるいは不織布等を挙げることができる。シリコンウェ
ーハ等のエッジ部分を押圧する方法としては、エッジ部
分を傾斜させて押圧する方法、ドラムの表面に溝を形成
しその溝に垂直にエッジ部分を押圧する方法等がある。
【００１２】
【発明の実施の形態】本発明に用いるコロイダルシリカ
は平均一次粒子径が８〜５００ｎｍのものであり、望ま
しくは、８〜２００ｎｍでものである。これらのコロイ
ダルシリカは二次凝集していても良い。平均一次粒子径
が、８ｎｍより小さいとコロイダルシリカが凝集し易く
研磨用組成物としての安定性が低下する。平均一次粒子
径が、２００〜５００ｎｍの場合、研磨用組成物として
の性能に影響はないが、安定した製品の製造が難しくま
た、価格的にも不利である。平均一次粒子径が、５００
ｎｍを越えると、粒子がコロイド次元を外れ好ましくな
い。酸化珪素の濃度は、研磨加工時において１〜１５重
量％、望ましくは、１〜１０重量％が良い。濃度が、１
重量％以下であると研磨加工速度は低くなり実用的では
ない。研磨時の酸化珪素濃度が高くなれば研磨加工速度
自体は増大するが約１５重量％を越えるあたりでその値
は飽和値に達し、濃度を高くした意味がなくなる。ま
た、高濃度であると、加工屑として発生する珪素微粉が
酸化したものもリサイクル液に加わってゲル化を早める
傾向も見られコロイド溶液としての安定性に欠き、研磨
用組成物溶液のリサイクル性を著しく低下せしめ好まし
くない。さらにコスト的にも不利である。
は平均一次粒子径が８〜５００ｎｍのものであり、望ま
しくは、８〜２００ｎｍでものである。これらのコロイ
ダルシリカは二次凝集していても良い。平均一次粒子径
が、８ｎｍより小さいとコロイダルシリカが凝集し易く
研磨用組成物としての安定性が低下する。平均一次粒子
径が、２００〜５００ｎｍの場合、研磨用組成物として
の性能に影響はないが、安定した製品の製造が難しくま
た、価格的にも不利である。平均一次粒子径が、５００
ｎｍを越えると、粒子がコロイド次元を外れ好ましくな
い。酸化珪素の濃度は、研磨加工時において１〜１５重
量％、望ましくは、１〜１０重量％が良い。濃度が、１
重量％以下であると研磨加工速度は低くなり実用的では
ない。研磨時の酸化珪素濃度が高くなれば研磨加工速度
自体は増大するが約１５重量％を越えるあたりでその値
は飽和値に達し、濃度を高くした意味がなくなる。ま
た、高濃度であると、加工屑として発生する珪素微粉が
酸化したものもリサイクル液に加わってゲル化を早める
傾向も見られコロイド溶液としての安定性に欠き、研磨
用組成物溶液のリサイクル性を著しく低下せしめ好まし
くない。さらにコスト的にも不利である。
【００１３】本発明に使用する金属酸化物、金属窒化物
あるいは金属炭化物からなる金属化合物としては、例え
ば、酸化アルミニウム（アルミナ）、酸化ジルコニウム
（ジルコニア）、酸化セリウム（セリア）、酸化マンガ
ン、窒化ホウ素、窒化珪素、炭化珪素等をあげることが
できるが、特にこれらに限定されるものではない。更に
は、アルミニウムと珪素の複合酸化物、ジルコニウムと
珪素の複合酸化物（ジルコン）、チタンと珪素の複合酸
化物あるいはセリウムとアルミニウムの複合酸化物を使
用することも出来る。これらの金属化合物の微細粒子を
併用することにより、従来のコロイダルシリカのみを含
有する研磨用組成物では不十分であった酸化膜あるいは
窒化膜を施した難研削性のウェーハに対する加工性が著
しく改良され、十分な加工速度が得られるのである。こ
れらの金属化合物は二次凝集していても構わないが、平
均一次粒子径は１０〜３０００ｎｍであることが必要で
あり、粒子径が１０ｎｍ以下であると酸化膜あるいは窒
化膜に対する加工性が不十分であり、３０００ｎｍを越
えると鏡面ウェーハの面粗さに悪影響を与え好ましくな
い。好ましい粒子径の範囲は２０〜１０００ｎｍ、より
好ましい範囲は２０〜４００ｎｍである。更に、これら
の粒子はコロイダルシリカとの相溶性を向上させるため
に表面処理を行ったものであってもよく、また分散剤を
併用することもできる。
あるいは金属炭化物からなる金属化合物としては、例え
ば、酸化アルミニウム（アルミナ）、酸化ジルコニウム
（ジルコニア）、酸化セリウム（セリア）、酸化マンガ
ン、窒化ホウ素、窒化珪素、炭化珪素等をあげることが
できるが、特にこれらに限定されるものではない。更に
は、アルミニウムと珪素の複合酸化物、ジルコニウムと
珪素の複合酸化物（ジルコン）、チタンと珪素の複合酸
化物あるいはセリウムとアルミニウムの複合酸化物を使
用することも出来る。これらの金属化合物の微細粒子を
併用することにより、従来のコロイダルシリカのみを含
有する研磨用組成物では不十分であった酸化膜あるいは
窒化膜を施した難研削性のウェーハに対する加工性が著
しく改良され、十分な加工速度が得られるのである。こ
れらの金属化合物は二次凝集していても構わないが、平
均一次粒子径は１０〜３０００ｎｍであることが必要で
あり、粒子径が１０ｎｍ以下であると酸化膜あるいは窒
化膜に対する加工性が不十分であり、３０００ｎｍを越
えると鏡面ウェーハの面粗さに悪影響を与え好ましくな
い。好ましい粒子径の範囲は２０〜１０００ｎｍ、より
好ましい範囲は２０〜４００ｎｍである。更に、これら
の粒子はコロイダルシリカとの相溶性を向上させるため
に表面処理を行ったものであってもよく、また分散剤を
併用することもできる。
【００１４】本発明においては研磨用組成物のｐＨは
８．３〜１１．５の範囲にあることが肝要である。ｐＨ
が８．３以下であると研磨速度は著しく低下し実用の範
囲からは外れる。また、ｐＨが１１．５以上になると、
コロイダルシリカが凝集をはじめるため研磨用組成物の
安定性が低下しこれも実用の範囲から外れる。特に好ま
しくは１０．６以下で使用することがよい。そしてま
た、このｐＨ値は摩擦、熱、外気との接触あるいは他の
成分との混合等、考えられる外的条件の変化により容易
に変化するようなものであってはならないが、本発明に
おいては研磨用組成物溶液自体を、外的条件の変化に対
してｐＨ値の変化の幅の少ない、所謂緩衝作用の強い液
とすることをその好ましい条件とするものである。緩衝
溶液を形成する弱酸及び／または、弱塩基は、２５℃に
おける酸解離定数（ｋａ）の逆数の対数値（ｐＫａ）が
８．０〜１２．５の範囲にあることが好ましい。２５℃
における酸解離定数の逆数の対数値が８．０以下の場
合、ｐＨを上昇させるために、弱酸及び／または、弱塩
基を大量に添加することが必要となるため好ましくな
い。２５℃における酸解離定数の逆数の対数値が１２．
５より大きいとｐＨ値を８．３〜１１．５の範囲で安定
させる大きな緩衝能を持つ緩衝溶液を形成することがで
きない。
８．３〜１１．５の範囲にあることが肝要である。ｐＨ
が８．３以下であると研磨速度は著しく低下し実用の範
囲からは外れる。また、ｐＨが１１．５以上になると、
コロイダルシリカが凝集をはじめるため研磨用組成物の
安定性が低下しこれも実用の範囲から外れる。特に好ま
しくは１０．６以下で使用することがよい。そしてま
た、このｐＨ値は摩擦、熱、外気との接触あるいは他の
成分との混合等、考えられる外的条件の変化により容易
に変化するようなものであってはならないが、本発明に
おいては研磨用組成物溶液自体を、外的条件の変化に対
してｐＨ値の変化の幅の少ない、所謂緩衝作用の強い液
とすることをその好ましい条件とするものである。緩衝
溶液を形成する弱酸及び／または、弱塩基は、２５℃に
おける酸解離定数（ｋａ）の逆数の対数値（ｐＫａ）が
８．０〜１２．５の範囲にあることが好ましい。２５℃
における酸解離定数の逆数の対数値が８．０以下の場
合、ｐＨを上昇させるために、弱酸及び／または、弱塩
基を大量に添加することが必要となるため好ましくな
い。２５℃における酸解離定数の逆数の対数値が１２．
５より大きいとｐＨ値を８．３〜１１．５の範囲で安定
させる大きな緩衝能を持つ緩衝溶液を形成することがで
きない。
【００１５】本発明の緩衝作用を有する研磨用組成物溶
液の形成に使用する弱酸の一例をあげると、ホウ酸（ｐ
Ｋａ＝９．２４）、炭酸（ｐＫａ＝１０．３３）、燐酸
（ｐＫａ＝１２．３５）類及び水溶性の有機酸等があげ
られ、またその混合物であってもかまわない。弱塩基と
しては、水溶性アミンあるいはその混合物が使用でき
る。具体的には、例えばエチレンジアミン（ｐＫａ＝
９．８９）、モノエタノールアミン（ｐＫａ＝９．５
２）、ジエタノールアミン（ｐＫａ＝８．９０）、トリ
エチルアミン、エチルアミン、ジエチルアミン、４−ア
ミノピリジン、ピペラジン（ｐＫａ＝９．７１）、ピペ
リジン（ｐＫａ＝１１．１）、ブチレンジアミン、プロ
ピレンジアミン、ブチルアミン、アミノエチルピペラジ
ン（ｐＫａ＝９．１１、９．８０）、ヒドロキシエチル
ピペラジンおよびその混合物をあげることができる。複
数のｐＫａを持つ弱酸及び強塩基の場合、複数のｐＫａ
の内少なくとも一つが８．０〜１２．５の範囲に入って
いればよい。また、強塩基としては、アルカリ金属の水
酸化物および水溶性の四級アンモニウムの水酸化物が使
用できる。更に強酸としては塩酸、硝酸、硫酸などが使
用できる。緩衝溶液を形成させるため、（１）弱酸と強
塩基、（２）強酸と弱塩基、（３）弱酸と弱塩基の組み
合わせの塩類、または、塩類と塩基、または、塩類と
酸、で添加しても良い。本発明で述べる緩衝溶液とは、
上述の組み合わせで形成され、溶液の中で弱酸及び／ま
たは、弱塩基がイオンとして解離している状態及び、未
解離の状態が共存している溶液を示し、少量の酸また
は、塩基が混入してもｐＨの変化が少ないことが特徴で
ある。
液の形成に使用する弱酸の一例をあげると、ホウ酸（ｐ
Ｋａ＝９．２４）、炭酸（ｐＫａ＝１０．３３）、燐酸
（ｐＫａ＝１２．３５）類及び水溶性の有機酸等があげ
られ、またその混合物であってもかまわない。弱塩基と
しては、水溶性アミンあるいはその混合物が使用でき
る。具体的には、例えばエチレンジアミン（ｐＫａ＝
９．８９）、モノエタノールアミン（ｐＫａ＝９．５
２）、ジエタノールアミン（ｐＫａ＝８．９０）、トリ
エチルアミン、エチルアミン、ジエチルアミン、４−ア
ミノピリジン、ピペラジン（ｐＫａ＝９．７１）、ピペ
リジン（ｐＫａ＝１１．１）、ブチレンジアミン、プロ
ピレンジアミン、ブチルアミン、アミノエチルピペラジ
ン（ｐＫａ＝９．１１、９．８０）、ヒドロキシエチル
ピペラジンおよびその混合物をあげることができる。複
数のｐＫａを持つ弱酸及び強塩基の場合、複数のｐＫａ
の内少なくとも一つが８．０〜１２．５の範囲に入って
いればよい。また、強塩基としては、アルカリ金属の水
酸化物および水溶性の四級アンモニウムの水酸化物が使
用できる。更に強酸としては塩酸、硝酸、硫酸などが使
用できる。緩衝溶液を形成させるため、（１）弱酸と強
塩基、（２）強酸と弱塩基、（３）弱酸と弱塩基の組み
合わせの塩類、または、塩類と塩基、または、塩類と
酸、で添加しても良い。本発明で述べる緩衝溶液とは、
上述の組み合わせで形成され、溶液の中で弱酸及び／ま
たは、弱塩基がイオンとして解離している状態及び、未
解離の状態が共存している溶液を示し、少量の酸また
は、塩基が混入してもｐＨの変化が少ないことが特徴で
ある。
【００１６】本発明においては、研磨用組成物溶液の導
電率を高くすることにより、研磨加工速度を著しく向上
することができる。導電率を上昇させる方法としては、
次の二方法がある。一つは緩衝溶液の濃度を濃くする方
法、もう一つは塩類を添加する方法である。緩衝溶液の
濃度を濃くする方法においては、（１）弱酸と強塩基、
（２）強酸と弱塩基、（３）弱酸と弱塩基、の何れかの
組み合わせで、酸と塩基のモル比を変えずに濃度のみを
濃くすればよい。塩類を添加する方法に用いる塩類は、
酸と塩基の組み合わせより構成されるが、酸としては、
強酸、弱酸いずれであってもかまわず、鉱酸および、有
機酸が使用できその混合物でも良い。塩基としては、強
塩基、弱塩基いずれであっても良く、アルカリ金属の水
酸化物、水溶性の四級アンモニウムの水酸化物、水溶性
アミンが使用できその混合物であってもかまわない。弱
酸と強塩基、強酸と弱塩基、弱酸と弱塩基の組み合わせ
で添加する場合は、緩衝溶液のｐＨを変化させることが
あるため、大量に添加することは望ましくない。前述の
二方法を併用してもかまわない。
電率を高くすることにより、研磨加工速度を著しく向上
することができる。導電率を上昇させる方法としては、
次の二方法がある。一つは緩衝溶液の濃度を濃くする方
法、もう一つは塩類を添加する方法である。緩衝溶液の
濃度を濃くする方法においては、（１）弱酸と強塩基、
（２）強酸と弱塩基、（３）弱酸と弱塩基、の何れかの
組み合わせで、酸と塩基のモル比を変えずに濃度のみを
濃くすればよい。塩類を添加する方法に用いる塩類は、
酸と塩基の組み合わせより構成されるが、酸としては、
強酸、弱酸いずれであってもかまわず、鉱酸および、有
機酸が使用できその混合物でも良い。塩基としては、強
塩基、弱塩基いずれであっても良く、アルカリ金属の水
酸化物、水溶性の四級アンモニウムの水酸化物、水溶性
アミンが使用できその混合物であってもかまわない。弱
酸と強塩基、強酸と弱塩基、弱酸と弱塩基の組み合わせ
で添加する場合は、緩衝溶液のｐＨを変化させることが
あるため、大量に添加することは望ましくない。前述の
二方法を併用してもかまわない。
【００１７】本発明の研磨組成物の物性を改良するた
め、界面活性剤、分散剤、沈降防止剤などを併用するこ
とができる。界面活性剤、分散剤、沈降防止剤として
は、水溶性の有機物、無機層状化合物などがあげられ
る。また、本発明の研磨組成物は水溶液としているが、
有機溶媒を添加してもかまわない。本発明の研磨組成物
は、研磨時にコロイダルシリカ、金属化合物の分散液及
び、塩基と添加剤と水を混合して調製してもよい。前述
の金属化合物の微粒子はあらかじめ、水等に分散させた
後、添加した方が作業性がよく、またボールミル等で湿
式粉砕した後添加してもよい。分散剤としては、アニオ
ン系界面活性剤、カチオン系界面活性剤またはノニオン
系界面活性剤を使用することができる。使用するコロイ
ダルシリカと金属酸化物、金属窒化物、金属炭化物のス
ラリーは、混合前にｐＨを９．０〜１２．０の間に調整
しておくことができる。一般的にはコロイダルシリカと
して、１５〜６５％の高濃度の組成物を調製しておき、
水あるいは、水と有機溶媒の混合物で希釈して使用する
ことが多い。
め、界面活性剤、分散剤、沈降防止剤などを併用するこ
とができる。界面活性剤、分散剤、沈降防止剤として
は、水溶性の有機物、無機層状化合物などがあげられ
る。また、本発明の研磨組成物は水溶液としているが、
有機溶媒を添加してもかまわない。本発明の研磨組成物
は、研磨時にコロイダルシリカ、金属化合物の分散液及
び、塩基と添加剤と水を混合して調製してもよい。前述
の金属化合物の微粒子はあらかじめ、水等に分散させた
後、添加した方が作業性がよく、またボールミル等で湿
式粉砕した後添加してもよい。分散剤としては、アニオ
ン系界面活性剤、カチオン系界面活性剤またはノニオン
系界面活性剤を使用することができる。使用するコロイ
ダルシリカと金属酸化物、金属窒化物、金属炭化物のス
ラリーは、混合前にｐＨを９．０〜１２．０の間に調整
しておくことができる。一般的にはコロイダルシリカと
して、１５〜６５％の高濃度の組成物を調製しておき、
水あるいは、水と有機溶媒の混合物で希釈して使用する
ことが多い。
【００１８】
【実施例】次に実施例及び比較例をあげて本発明の研磨
用組成物、およびそれを用いた研磨加工方法を具体的に
説明するが、特にこれにより限定を行なうものではな
い。実施例及び比較例において使用する研磨組成物は以
下の方法にて調製した。使用したコロイダルシリカは、
平均一次粒子径１５ｎｍ、濃度３０重量％の市販の製品
である。このコロイダルシリカを所定量分取し、純水１
０００ｇを添加の後、撹拌しながら、金属酸化物、金属
窒化物および金属炭化物からなる金属化合物の微粒子で
平均一次粒子径が２０〜２０００ｎｍのものうち少なく
とも一つ及び、酸及び塩基、塩類を添加し純水で３００
０ｇとしたものを使用液とした。この状態での液中の酸
化珪素の濃度は５重量％である。研磨条件は以下の方法
でエッジ部分の鏡面研磨加工を実施した。 研磨装置：スピードファム株式会社製、ＥＰ−２００−Ｖ型 ドラム回転数：１８００ＲＰＭ ドラム上下速度：１ｍｍ／ｍｉｎ 研磨布：ＳＵＢＡ４００（ロデールニッタ社製） 研磨組成物流量：６００ｍｌ／分 加工時間：５分 工作物：８インチ低温酸化膜付シリコンウェーハ 研磨速度は、研磨前後のシリコンウエハーの重量差より
求めた。研磨用組成物のｐＨはｐＨメーターを用いて測
定した。測定にあたっては、ｐＨ６．８６と９．１８の
ｐＨ標準溶液であらかじめｐＨ電極の校正を行った後測
定した。導電率は導電率計にて測定した。研磨面の評価
は、サーフコムプロファイラーＭ２０００（チャップマ
ン、インスツルメント社製）を使用してエッジ面の表面
粗さを測定した。
用組成物、およびそれを用いた研磨加工方法を具体的に
説明するが、特にこれにより限定を行なうものではな
い。実施例及び比較例において使用する研磨組成物は以
下の方法にて調製した。使用したコロイダルシリカは、
平均一次粒子径１５ｎｍ、濃度３０重量％の市販の製品
である。このコロイダルシリカを所定量分取し、純水１
０００ｇを添加の後、撹拌しながら、金属酸化物、金属
窒化物および金属炭化物からなる金属化合物の微粒子で
平均一次粒子径が２０〜２０００ｎｍのものうち少なく
とも一つ及び、酸及び塩基、塩類を添加し純水で３００
０ｇとしたものを使用液とした。この状態での液中の酸
化珪素の濃度は５重量％である。研磨条件は以下の方法
でエッジ部分の鏡面研磨加工を実施した。 研磨装置：スピードファム株式会社製、ＥＰ−２００−Ｖ型 ドラム回転数：１８００ＲＰＭ ドラム上下速度：１ｍｍ／ｍｉｎ 研磨布：ＳＵＢＡ４００（ロデールニッタ社製） 研磨組成物流量：６００ｍｌ／分 加工時間：５分 工作物：８インチ低温酸化膜付シリコンウェーハ 研磨速度は、研磨前後のシリコンウエハーの重量差より
求めた。研磨用組成物のｐＨはｐＨメーターを用いて測
定した。測定にあたっては、ｐＨ６．８６と９．１８の
ｐＨ標準溶液であらかじめｐＨ電極の校正を行った後測
定した。導電率は導電率計にて測定した。研磨面の評価
は、サーフコムプロファイラーＭ２０００（チャップマ
ン、インスツルメント社製）を使用してエッジ面の表面
粗さを測定した。
【００１９】実施例および比較例 表１−１、表１−２の実験番号１ないし１８は本発明の
実施例を示す。本実施例においては、上述の調整方法に
準拠して酸化珪素の微粒子を含むコロイド状液に金属化
合物の粒子および他の添加物を表中の比率に従って添加
し研磨用組成物を調整した。また、表２の実験番号１９
ないし２３は比較例の研磨用組成物を示す。これらの研
磨用組成物の液を用いて、上述の８インチ低温酸化膜付
シリコンウェーハを工作物として研磨実験を行なった。
結果を表１−１、表１−２および表２の中に併記して示
す。表中の結果から明らかな通り、本発明の研磨用組成
物は酸化物膜で被覆したシリコンウェーハのエッジの研
磨力に優れ、面粗さも良好である。
実施例を示す。本実施例においては、上述の調整方法に
準拠して酸化珪素の微粒子を含むコロイド状液に金属化
合物の粒子および他の添加物を表中の比率に従って添加
し研磨用組成物を調整した。また、表２の実験番号１９
ないし２３は比較例の研磨用組成物を示す。これらの研
磨用組成物の液を用いて、上述の８インチ低温酸化膜付
シリコンウェーハを工作物として研磨実験を行なった。
結果を表１−１、表１−２および表２の中に併記して示
す。表中の結果から明らかな通り、本発明の研磨用組成
物は酸化物膜で被覆したシリコンウェーハのエッジの研
磨力に優れ、面粗さも良好である。
【００２０】
【表１−１】
【００２１】
【表１−２】
【００２２】
【表２】
【００２３】
【発明の効果】以上の説明で示される通り、本発明の研
磨組成物は、平均一次粒子径が８〜５００ｎｍであるコ
ロイダルシリカと、金属酸化物、金属窒化物および金属
炭化物からなる金属化合物の微粒子で平均一次粒子径が
１０〜３０００ｎｍのものうち少なくとも一つを含む分
散液でｐＨが８．３〜１１．５の間で緩衝溶液を形成す
る酸及び塩基が含まれ、研磨時のシリカ濃度を１〜１５
重量％に調製した組成物で、研磨組成物を緩衝溶液とす
ること、導電率を大きくすることで、ｐＨ変化が少なく
研磨速度が速い研磨組成物を形成している。本発明の研
磨組成物を使い酸化膜あるいは窒化膜を施したシリコン
ウエハー、半導体デバイス基板を研磨表面の品質を落と
さず、安定に高速研磨する事が出来る。
磨組成物は、平均一次粒子径が８〜５００ｎｍであるコ
ロイダルシリカと、金属酸化物、金属窒化物および金属
炭化物からなる金属化合物の微粒子で平均一次粒子径が
１０〜３０００ｎｍのものうち少なくとも一つを含む分
散液でｐＨが８．３〜１１．５の間で緩衝溶液を形成す
る酸及び塩基が含まれ、研磨時のシリカ濃度を１〜１５
重量％に調製した組成物で、研磨組成物を緩衝溶液とす
ること、導電率を大きくすることで、ｐＨ変化が少なく
研磨速度が速い研磨組成物を形成している。本発明の研
磨組成物を使い酸化膜あるいは窒化膜を施したシリコン
ウエハー、半導体デバイス基板を研磨表面の品質を落と
さず、安定に高速研磨する事が出来る。
Claims (6)
- 【請求項１】平均一次粒子径が８〜５００ｎｍの酸化珪
素粒子と、金属酸化物、金属窒化物および金属炭化物か
らなる群から選ばれた金属化合物の微粒子で平均一次粒
子径が１０〜３０００ｎｍのもののうち少なくとも一種
を含む分散液であって、酸化珪素粒子の濃度が１〜１５
重量％、上記金属化合物の微粒子の濃度が０．１〜１０
重量％であり、かつ該分散液のｐＨが８．３〜１１．５
であることを特徴とする研磨用組成物。 - 【請求項２】２５℃における酸解離定数の逆数の対数値
が８．０〜１２．５の弱酸及び／または弱塩基を使用し
て、弱酸と強塩基、強酸と弱塩基あるいは弱酸と弱塩基
の何れかの組み合わせのものを添加することによって、
ｐＨ８．３〜１１．５の間で緩衝作用を持たせるように
したことを特徴とする請求項第１項記載の研磨用組成
物。 - 【請求項３】２５℃における導電率が、酸化珪素１重量
％あたり２５ｍＳ／ｍ以上であることを特徴とする請求
項第１項および第２項記載の研磨用組成物。 - 【請求項４】溶液の濃度を高くするか、あるいは塩類を
添加することにより、２５℃における導電率が、酸化珪
素１重量％あたり２５ｍＳ／ｍ以上である請求項第３項
記載の研磨用組成物を調整する方法。 - 【請求項５】水、有機溶剤、塩を含んだ溶液、塩基を含
んだ溶液、緩衝溶液あるいはその混合物で希釈すること
により、請求項１、請求２および請求項３に記載の研磨
組成物をもたらす研磨組成物の濃縮物。 - 【請求項６】回転可能なドラムの表面にポリッシャーを
貼付した研磨加工機に、シリコンウェーハ等のエッジ部
分を回転させつつ押圧し、請求項１、請求項２ないし請
求項３に記載の研磨用組成物を供給しつつ、前記工作物
のエッジ部分のポリッシング加工を行なう方法。
Priority Applications (2)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP12507198A JP4113282B2 (ja) | 1998-05-07 | 1998-05-07 | 研磨組成物及びそれを用いたエッジポリッシング方法 |
| US09/305,482 US6312487B1 (en) | 1998-05-07 | 1999-05-06 | Polishing compound and an edge polishing method thereby |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP12507198A JP4113282B2 (ja) | 1998-05-07 | 1998-05-07 | 研磨組成物及びそれを用いたエッジポリッシング方法 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH11315273A true JPH11315273A (ja) | 1999-11-16 |
| JP4113282B2 JP4113282B2 (ja) | 2008-07-09 |
Family
ID=14901112
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP12507198A Expired - Fee Related JP4113282B2 (ja) | 1998-05-07 | 1998-05-07 | 研磨組成物及びそれを用いたエッジポリッシング方法 |
Country Status (2)
| Country | Link |
|---|---|
| US (1) | US6312487B1 (ja) |
| JP (1) | JP4113282B2 (ja) |
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Families Citing this family (18)
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|---|---|---|---|---|
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