JP2010519157A - セリウム酸化物およびコロイド状二酸化ケイ素を含む分散液 - Google Patents

セリウム酸化物およびコロイド状二酸化ケイ素を含む分散液 Download PDF

Info

Publication number
JP2010519157A
JP2010519157A JP2009550662A JP2009550662A JP2010519157A JP 2010519157 A JP2010519157 A JP 2010519157A JP 2009550662 A JP2009550662 A JP 2009550662A JP 2009550662 A JP2009550662 A JP 2009550662A JP 2010519157 A JP2010519157 A JP 2010519157A
Authority
JP
Japan
Prior art keywords
dispersion
cerium oxide
particles
silicon dioxide
oxide particles
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Granted
Application number
JP2009550662A
Other languages
English (en)
Other versions
JP5119272B2 (ja
Inventor
クレル ミヒャエル
ヘーベラー シュテファン
ダウト カタリーナ
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Evonik Operations GmbH
Original Assignee
Evonik Degussa GmbH
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Evonik Degussa GmbH filed Critical Evonik Degussa GmbH
Publication of JP2010519157A publication Critical patent/JP2010519157A/ja
Application granted granted Critical
Publication of JP5119272B2 publication Critical patent/JP5119272B2/ja
Expired - Fee Related legal-status Critical Current
Anticipated expiration legal-status Critical

Links

Classifications

    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/02Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
    • H01L21/04Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having potential barriers, e.g. a PN junction, depletion layer or carrier concentration layer
    • H01L21/18Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having potential barriers, e.g. a PN junction, depletion layer or carrier concentration layer the devices having semiconductor bodies comprising elements of Group IV of the Periodic Table or AIIIBV compounds with or without impurities, e.g. doping materials
    • H01L21/30Treatment of semiconductor bodies using processes or apparatus not provided for in groups H01L21/20 - H01L21/26
    • H01L21/31Treatment of semiconductor bodies using processes or apparatus not provided for in groups H01L21/20 - H01L21/26 to form insulating layers thereon, e.g. for masking or by using photolithographic techniques; After treatment of these layers; Selection of materials for these layers
    • H01L21/3105After-treatment
    • H01L21/31051Planarisation of the insulating layers
    • H01L21/31053Planarisation of the insulating layers involving a dielectric removal step
    • CCHEMISTRY; METALLURGY
    • C09DYES; PAINTS; POLISHES; NATURAL RESINS; ADHESIVES; COMPOSITIONS NOT OTHERWISE PROVIDED FOR; APPLICATIONS OF MATERIALS NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • C09KMATERIALS FOR MISCELLANEOUS APPLICATIONS, NOT PROVIDED FOR ELSEWHERE
    • C09K3/00Materials not provided for elsewhere
    • C09K3/14Anti-slip materials; Abrasives
    • CCHEMISTRY; METALLURGY
    • C09DYES; PAINTS; POLISHES; NATURAL RESINS; ADHESIVES; COMPOSITIONS NOT OTHERWISE PROVIDED FOR; APPLICATIONS OF MATERIALS NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • C09GPOLISHING COMPOSITIONS; SKI WAXES
    • C09G1/00Polishing compositions
    • C09G1/02Polishing compositions containing abrasives or grinding agents
    • CCHEMISTRY; METALLURGY
    • C09DYES; PAINTS; POLISHES; NATURAL RESINS; ADHESIVES; COMPOSITIONS NOT OTHERWISE PROVIDED FOR; APPLICATIONS OF MATERIALS NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • C09KMATERIALS FOR MISCELLANEOUS APPLICATIONS, NOT PROVIDED FOR ELSEWHERE
    • C09K3/00Materials not provided for elsewhere
    • C09K3/14Anti-slip materials; Abrasives
    • C09K3/1409Abrasive particles per se
    • CCHEMISTRY; METALLURGY
    • C09DYES; PAINTS; POLISHES; NATURAL RESINS; ADHESIVES; COMPOSITIONS NOT OTHERWISE PROVIDED FOR; APPLICATIONS OF MATERIALS NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • C09KMATERIALS FOR MISCELLANEOUS APPLICATIONS, NOT PROVIDED FOR ELSEWHERE
    • C09K3/00Materials not provided for elsewhere
    • C09K3/14Anti-slip materials; Abrasives
    • C09K3/1454Abrasive powders, suspensions and pastes for polishing
    • C09K3/1463Aqueous liquid suspensions

Landscapes

  • Chemical & Material Sciences (AREA)
  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • Organic Chemistry (AREA)
  • Materials Engineering (AREA)
  • Computer Hardware Design (AREA)
  • Condensed Matter Physics & Semiconductors (AREA)
  • General Physics & Mathematics (AREA)
  • Manufacturing & Machinery (AREA)
  • Physics & Mathematics (AREA)
  • Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
  • Power Engineering (AREA)
  • Mechanical Treatment Of Semiconductor (AREA)
  • Finish Polishing, Edge Sharpening, And Grinding By Specific Grinding Devices (AREA)
  • Compounds Of Alkaline-Earth Elements, Aluminum Or Rare-Earth Metals (AREA)
  • Silicon Compounds (AREA)
  • Pigments, Carbon Blacks, Or Wood Stains (AREA)

Abstract

セリウム酸化物粒子およびコロイド状二酸化ケイ素粒子を含む分散液において、該二酸化ケイ素粒子のゼータ電位が負であり、且つ該セリウム酸化物粒子のゼータ電位が正またはゼロに等しく、且つ該分散液のゼータ電位が全体的に負であり、且つ該セリウム酸化物粒子の平均粒径が200nm以下であり、且つ該二酸化ケイ素粒子の平均粒径が100nm以下であり、該セリウム酸化物粒子の平均粒径が該二酸化ケイ素粒子の平均粒径よりも大きく、セリウム酸化物/二酸化ケイ素の質量比が1.1:1〜100:1であり、且つ該分散液のpHが7.5〜10.5である分散液。

Description

本発明はセリウム酸化物の粒子および二酸化ケイ素の粒子を含む分散液、およびその製造および使用に関する。
US5891205号は、二酸化ケイ素およびセリウム酸化物を含むアルカリ性分散液を開示する。セリウム酸化物粒子の粒径は、二酸化ケイ素粒子のサイズ以下である。気相法から生じる分散液中に存在するセリウム酸化物粒子は凝集せず、且つ、100nm以下の粒径を有している。US5891205号によれば、セリウム酸化物粒子および二酸化ケイ素粒子の存在の結果として、材料除去率が急激に上昇し得る。これを実現するために、二酸化ケイ素/セリウム酸化物の質量比は7.5:1〜1:1でなければならない。該二酸化ケイ素は好ましくは50nm未満の粒径を有し、且つ該セリウム酸化物は40nm未満の粒径を有している。要約すれば、a) 二酸化ケイ素の割合はセリウム酸化物の割合よりも高く、且つb) 二酸化ケイ素粒子はセリウム酸化物粒子よりも大きい。
US5891205号に開示されている分散液は、セリウム酸化物粒子のみに基づく分散液よりも著しく高い材料除去を可能にする。かかる分散液はセリウム酸化物粒子のみに基づく分散液よりも著しく高い材料除去を可能にする。しかしながら、かかる分散液は高い欠陥率を引き起こす。
望まれているのは、低い欠陥率および高い選択性を有して高い材料除去率をもたらす分散液である。ウェハーの研磨および洗浄の後、もしあるにしても少量の堆積物のみが表面上に存在すべきである。
驚くべきことに、セリウム酸化物粒子およびコロイド状二酸化ケイ素粒子を含む下記の分散液によって該目的が達成されることが判明した:
− 二酸化ケイ素粒子のゼータ電位が負であり、且つセリウム酸化物粒子のゼータ電位が正またはゼロに等しく、且つ該分散液のゼータ電位は全体的に負であり、
− セリウム酸化物粒子の平均粒径が200nm以下であり、且つ二酸化ケイ素粒子の平均粒径が100nm以下であり、二酸化セリウム粒子の平均粒径は二酸化ケイ素粒子の平均粒径よりも大きく、
− セリウム酸化物/二酸化ケイ素の質量比が1.1:1〜100:1であり、且つ
− 該分散液のpHが7.5〜10.5である。
コロイド状二酸化ケイ素粒子は、互いに架橋しておらず、球状あるいは非常に実質的に球状の個別の粒子の形態で存在し、且つ表面がヒドロキシル化されているものを意味すると理解される。
粒子の表面電荷の1つの目安はゼータ電位である。ゼータ電位は、分散液中の粒子/電解質の電気化学的二重層内での滑り面での電位を意味すると理解される。ゼータ電位に関して重要なパラメータは、粒子に対する等電点(IEP)である。IEPはゼータ電位がゼロであるところでのpHと規定する。ゼータ電位がより大きいほど、分散液はより安定である。
表面での電荷密度は、取り囲んでいる電解質中で電位決定イオンの濃度を変えることによって影響され得る。
同一の材料の粒子は、同一の符号の表面電荷を有し、従って互いに反発する。しかしながら、ゼータ電位が小さすぎると、反発力が粒子のファンデルワールス引力を補償できず、粒子の凝集および場合によっては沈降が生じる。
ゼータ電位は例えば、分散液のコロイド振動電流(CVI)を測ることによって、あるいは電気泳動の移動度を測定することによって測定される。
さらには、ゼータ電位は界面動電音響振幅法(ESA)によって測定できる。
本発明の分散液は、好ましくは−20〜−100mVのゼータ電位、およびより好ましくは−25〜−50mVのゼータ電位を有している。
本発明の分散液のpHは、好ましくは9〜10である。
本発明の分散液中のセリウム酸化物の割合は、広範囲にわたって変化し得る。好ましくは、セリウム酸化物の含有率は、分散液に対して0.01〜50質量%であってよい。例えば輸送コストを最小化することを意図しているのであれば、高い含有率が望ましい。研磨剤として使用する場合、セリウム酸化物の含有率は、分散液に対して好ましくは0.1〜5質量%、およびより好ましくは0.2〜1質量%である。
コロイド状二酸化ケイ素の含有率は、分散液に対して好ましくは0.01〜10質量%、およびより好ましくは0.05〜0.5質量%である。
本発明の分散液中でのセリウム酸化物/二酸化ケイ素の質量比は1.1:1〜100:1である。
研磨工程においては、セリウム酸化物/二酸化ケイ素の質量比が1.25:1〜5:1であれば有利であることが判明した。
さらには、セリウム酸化物粒子およびコロイド状二酸化ケイ素粒子以外に、さらなる粒子が存在しない本発明の分散液が好ましい。
本発明の分散液中でのセリウム酸化物粒子の平均粒径は200nm以下である。40〜90nmの範囲が好ましい。この範囲内で、研磨工程において、材料除去、選択性および欠陥率に関して最良の結果が得られる。
該セリウム酸化物粒子は孤立した個々の粒子として、あるいは凝集した一次粒子の形態で存在してよい。本発明の分散液は、好ましくは、凝集したセリウム酸化物粒子を含むか、あるいはセリウム酸化物粒子がほとんど、または完全に凝集した形態で存在する。
特に適したセリウム酸化物粒子は、それらの表面および表面近傍層内に炭酸基を含有するもの、特にDE−A−102005038136号内に開示されているものであると判明した。
それらは、
− 25〜150m2/gのBET比表面積を有し、
− 一次粒子が5〜50nmの平均粒径を有し、
− 表面近傍の一次粒子の層が約5nmの深さを有し、
− 表面近傍層において、炭酸濃度が、該炭酸濃度が最高値である表面から内部に向かって減少し、
− 炭酸基から生じる炭素含有率が表面上で5〜50面積パーセントであり、且つ、表面近傍層において、約5nmの深さで0〜30面積パーセントであり、
− CeO2として計算され、且つ粉末に関するセリウム酸化物の含有率が、少なくとも99.5質量%であり、且つ
− 有機および無機の炭素を含む炭素含有率が、粉末に対する0.01〜0.3質量%である、セリウム酸化物粒子である。
炭酸基は、セリウム酸化物粒子の表面と約5nmまでの深さとの両方で検知できる。該炭酸基は化学的に結合し、且つ、例えば構造a〜cのように配置される。
Figure 2010519157
該炭酸基を、例えばXPS/ESCA分析で検知できる。表面近傍層における炭酸基を検知するために、表面を部分的にアルゴンイオン衝撃によって削磨し、そして生成させた新しい表面をXPS/ESCAによって同様に分析できる(XPS=X線光電子分光法;ESCA=化学分析用電子分光法)。
ナトリウムの含有率は一般に5ppm以下であり、且つ、塩素の含有率は20ppm以下である。述べられた元素は、一般に、化学機械研磨において少量のみが許容される。
好ましく使用されるセリウム酸化物粒子は、30〜100m2/g、およびより好ましくは40〜80m2/gのBET比表面積を有する。
本発明の分散液のコロイド状二酸化ケイ素粒子は100nm未満の平均粒径を有している。好ましいのは3〜50nmの範囲であり、且つ特に好ましいのは10〜35nmの範囲である。
本発明の分散液の液相は、水、有機溶剤、および水と有機溶剤との混合物を含む。一般に、液相の>90質量%の含有率を有する主成分は水である。
さらに、本発明の分散液は酸、塩基、塩も含んでよい。pHを、酸または塩基を用いて調整することができる。使用される酸は無機酸、有機酸、あるいは上記のものの混合物であってよい。使用される無機酸は、特に、リン酸、亜リン酸、硝酸、硫酸、それらの混合物、およびそれらの酸性塩であってよい。使用される有機酸は、好ましくは一般式Cn2n+1CO2H [n=0〜6またはn=8、10、12、14、16]のカルボン酸、または一般式HO2C(CH2nCO2H [n=0〜4]のジカルボン酸、または一般式R12C(OH)CO2H [R1=H、R2=CH3、CH2CO2H、CH(OH)CO2H]のヒドロキシカルボン酸、またはフタル酸またはサリチル酸、あるいは上述の酸の酸性塩、または、上述の酸とそれらの塩との混合物である。pHを、アンモニア、アルカリ金属水酸化物またはアミンを添加することによって増加できる。
特定の用途においては、本発明の分散液が0.3〜20質量%の酸化剤を含有するときに有利であり得る。この目的のために、過酸化水素、過酸化水素付加物、例えばウレア付加物、有機過酸、無機過酸、イミノ過酸、過硫酸塩、過ホウ酸塩、過炭酸塩、酸化金属塩および/または上記の混合物を使用することが可能である。より好ましくは、過酸化水素が使用される。いくつかの酸化剤は本発明の分散液の他の成分に対して安定性が低いので、それらを分散液の使用の直前まで添加しないことが望ましい。
本発明の分散液はさらに酸化活性剤を含んでもよい。適した酸化活性剤は、Ag、Co、Cr、Cu、Fe、Mo、Mn、Ni、Os、Pd、Ru、Sn、Ti、Vの金属塩およびそれらの混合物であってよい。カルボン酸、ニトリル、ウレア、アミドおよびエステルもまた適している。硝酸鉄(II)が、特に好ましい。酸化触媒の濃度は酸化剤および研磨作業に依存し、0.001〜2質量%の間の範囲内で変化してよい。
より好ましくは、該範囲は0.01〜0.05質量%であってよい。
浸食防止剤は、本発明の分散液中に一般に0.001〜2質量%の含有率で存在し、該浸食防止剤は窒素含有複素環式化合物、例えばベンゾトリアゾール、置換ベンズイミダゾール、置換ピラジン、置換ピラゾールおよびそれらの組み合わせであってよい。
本発明はさらに、
a) 粉末形態のセリウム酸化物粒子を、コロイド状二酸化ケイ素粒子を含む予備分散液内に導入して、その後分散させるか、あるいは
b) セリウム酸化物粒子を含む予備分散液と、コロイド状二酸化ケイ素粒子を含む予備分散液とを混合し、そして次に分散させ、且つ
c) 随意に、a)またはb)の変形物の分散工程の後、酸化剤、酸化触媒および/または浸食防止剤を添加する
方法も提供する。
適した分散ユニットは、特に少なくとも約200kJ/m3のエネルギー入力をもたらすものである。これらは、ローター・ステーターの原理によって稼働する系、たとえばultra−turrax機、または攪拌ボールミルを含む。より高いエネルギーの入力は、遊星歯車ニーダ/ミキサを用いて可能である。しかしながら、この系の効率は、粒子を分割するのに必要な高い剪断エネルギーを導入するために、加工される混合物の十分に高い粘度と関わっている。
高圧ホモジナイザーを使用して、2つの予め分散された懸濁液流を、ノズルを通して高圧下で放出する。この2つの分散液ジェットがちょうど互いにぶつかり合い、そして粒子が互いに粉砕する。他の実施態様においては、該予備分散液を同様に高圧下に設置するが、しかし粒子が取り囲んでいる壁の部分に衝突する。この作業を任意の回数繰り返して、より小さい粒径を得ることができる。
さらには、該エネルギー入力を超音波でも実施できる。
該分散装置および粉砕装置を、組み合わせて使用してもよい。酸化剤および添加剤を、異なる時間に分散液に供給してもよい。例えば、酸化剤および酸化活性剤を、もし適切であればより低いエネルギー入力で、分散の最後まで混合させないことも有利であり得る。
使用されるコロイド状二酸化ケイ素粒子のゼータ電位は、好ましくは、pH7.5〜10.5で−20〜−100mVである。
使用されるセリウム酸化物粒子のゼータ電位は、好ましくは、pH7.5〜10.5で0〜40mVである。
本発明はさらに、本発明の分散液を研磨に用いる使用を提供する。
実施例
分析
比表面積をDIN 66131に従って測定する。
表面特性を広範囲(1cm2)のXPS/ESCA分析によって測定する(XPS=X線光電子分光法; ESCA=化学分析用電子分光法)。この評価は、英国、テディントンの国立物理学研究所のDIN Technical Report No.39、DMA(A)97による一般的な推奨規格、および"表面および微細領域分析(Surface and Micro Range)"研究委員会NMP816(DIN)の開発に伴う標準化に関するこれまでの知見に基づいている。さらには、それぞれの場合において、技術文献から入手可能な比較スペクトルを考慮に入れる。それぞれの場合において報告されている電子準位の相対感度係数を考慮して、バックグラウンド除去によって値を計算する。本データは面積パーセントである。精度は相対的に+/−5%と見積もられる。
ゼータ電位を、界面動電音響振幅法(ESA)を用いて、pH3〜12の範囲で測定する。このために、1%のセリウム酸化物を含む懸濁液を調製する。分散を超音波プローブ(400W)で実施する。該懸濁液を磁気攪拌機で攪拌し、且つ蠕動ポンプを用いてMatec ESA−8000装置のPPL−80センサを通してポンピングする。5MのNaOHを用いた電圧滴定を初期のpHから開始し、pH12まで行う。pH4までの逆滴定を、5MのHNO3を用いて行う。その評価を、該装置のソフトウェア version pcava 5.94を用いて実施する。
Figure 2010519157
平均凝集径はHoriba LB−500粒径分析器を用いて測定される。
原料
分散液を調製するために使用された原料は、DE−A−102005038136号、実施例2に記載の熱分解法セリウム酸化物であり、且つ使用されたコロイド状二酸化ケイ素はH.C.Starck製のLevasil(登録商標)の2つのタイプである。
表1:原料
Figure 2010519157
セリウム酸化物はさらに、下記の値を有する:
99.79質量%のCeO2、0.14質量%のC、pH=5でのゼータ電位48mV、pH9.8でのIEP、C1s 合成/スパッタ 19.0/11.2面積%(スパッタ:アルゴンイオン衝撃による表面の削磨後、5keV、約10分;炭酸C:束縛エネルギー約289eV)。
ウェハー/パッド
二酸化ケイ素(200mm、層厚1000nm、熱酸化、SiMat製)および窒化ケイ素(200mm、層厚160nm、LPCVD、SiMat製)。Rodel IC 1000−A3パッド。
分散液の調製
D1:該分散液を、セリウム酸化物粉末を水に添加し、そして超音波フィンガーを用いた超音波処理(Bandelin製 UW2200/DH13G、レベル8、100%;5分)によってそれを分散させることによって得る。その後、アンモニア水を用いてpHを7.5に調節する。
D2〜D5:該分散液を、セリウム酸化物および水からなる予備分散液と、コロイド状二酸化ケイ素および水からなる予備分散液とを混合し、超音波フィンガーを用いた超音波処理(Bandelin製 UW2200/DH13G、レベル8、100%;5分)によってそれを分散させることによって得て、そしてその後、アンモニア水でpHを9.5に調節する。表2は得られる分散液の重要なパラメータを示す。
表2:分散液
Figure 2010519157
*粒子数に対して計量。
表3:研磨結果
Figure 2010519157
表3は、分散液の作製後、14日後、および44日後の研磨による削磨および選択性を示す。本発明の分散液の使用は、二酸化ケイ素粒子を含有しない分散液(D1)と比較して削磨速度の減少をもたらす。しかしながら、これは先行技術からの有機添加剤を含む公知の分散液と比較して充分であるとみなされる。
ウェハーおよびパッド上の研磨残滓の評価
研磨残滓を視覚的に評価する(64倍までの拡大率の範囲の光学顕微鏡も用いる)。
このために、分散液D1(比較)およびD2、D4(本発明)の粒径を研磨直後に分析する:
− D1は不安定であり且つわずか数分後に沈殿する。測定された粒径は1マイクロメートルより著しく大きい。
− それに対して、D2、D4は研磨後でもまだ安定である。これは本発明の分散液の場合、大きな凝集物の形成がないことを意味する。D2、D4で研磨されたウェハーはまた、非常に低い水準の残滓を示す。
負に帯電したコロイド状二酸化ケイ素粒子の添加は、研磨残滓の割合を減少させることによってセリウム酸化物を含む分散液の研磨品質に好影響を与える。
可能性のある1つのメカニズムは、負に帯電したコロイド状二酸化ケイ素粒子によって正に帯電したセリウム酸化物粒子の外側を遮蔽することが、セリウム酸化物粒子の電荷の効率的な反転を確実にすることを含む。この電荷の反転の結果として、本発明の分散液は、とりわけ、セリウム酸化物単独のIEPに近いpH値での研磨の可能性を提供する。その相互作用は静電気力の相互作用であるため、コロイド状二酸化ケイ素粒子は研磨作業の間に剪断され、そのためセリウム酸化物の研磨作用が維持される。全ての粒子が研磨作業全体の間、常に外側が負に帯電している結果として、凝集物の形成が著しく減少する。長時間の分析は安定性および研磨特性が長期にわたって維持されていることを示す。

Claims (18)

  1. セリウム酸化物粒子およびコロイド状二酸化ケイ素粒子を含む分散液において、
    − 二酸化ケイ素粒子のゼータ電位が負であり、且つセリウム酸化物粒子のゼータ電位が正またはゼロに等しく、且つ該分散液のゼータ電位は全体的に負であり、且つ、
    − セリウム酸化物粒子の平均粒径が200nm以下であり、且つ二酸化ケイ素粒子の平均粒径が100nm以下であり、二酸化セリウム粒子の平均粒径は二酸化ケイ素粒子の平均粒径よりも大きく、
    − セリウム酸化物/二酸化ケイ素の質量比が1.1:1〜100:1であり、且つ
    − 該分散液のpHが7.5〜10.5である
    を特徴とする分散液。
  2. 分散液のゼータ電位が−20〜−100mVであることを特徴とする、請求項1に記載の分散液。
  3. pHが9〜10であることを特徴とする、請求項1および2に記載の分散液。
  4. セリウム酸化物の含有率が分散液に対して0.01〜50質量%であることを特徴とする、請求項1から3までのいずれか1項に記載の分散液。
  5. セリウム酸化物の含有率が分散液に対して0.1〜5質量%であることを特徴とする、請求項1から3までのいずれか1項に記載の分散液。
  6. コロイド状二酸化ケイ素の含有率が分散液に対して0.01〜10質量%であることを特徴とする、請求項1から5までのいずれか1項に記載の分散液。
  7. セリウム酸化物/二酸化ケイ素の質量比が1.25:1〜5:1であることを特徴とする、請求項1から6までのいずれか1項に記載の分散液。
  8. セリウム酸化物粒子および二酸化ケイ素粒子が分散液中の唯一の粒子であることを特徴とする、請求項1から7までのいずれか1項に記載の分散液。
  9. セリウム酸化物粒子の平均粒径が40〜90nmであることを特徴とする、請求項1から8までのいずれか1項に記載の分散液。
  10. セリウム酸化物粒子が凝集した一次粒子の形態で存在することを特徴とする、請求項1から9までのいずれか1項に記載の分散液。
  11. セリウム酸化物粒子が、その表面および表面近傍層に炭酸基を含有することを特徴とする、請求項1から10までのいずれか1項に記載の分散液。
  12. コロイド状二酸化ケイ素粒子が3〜50nmの平均粒径を有することを特徴とする、請求項1から11までのいずれか1項に記載の分散液。
  13. 水が分散液の液相の主成分であることを特徴とする、請求項1から12までのいずれか1項に記載の分散液。
  14. 酸、塩基、塩、酸化剤、酸化触媒および/または浸食防止剤を含む、請求項1から13までのいずれか1項に記載の分散液。
  15. 請求項1から14までのいずれか1項に記載の分散液の製造方法において、
    a) 粉末形態のセリウム酸化物粒子を、コロイド状二酸化ケイ素粒子を含む予備分散液内に導入し、そして次に分散させるか、あるいは
    b) セリウム酸化物粒子を含む予備分散液と、コロイド状二酸化ケイ素粒子を含む予備分散液とを混合し、そして次に分散させ、且つ
    c) 随意に、a)またはb)の変形物の分散工程の後、酸化剤、酸化触媒および/または浸食防止剤を添加する
    ことを含む方法。
  16. コロイド状二酸化ケイ素粒子のゼータ電位が、pH7.5〜10.5で−20〜−100mVであることを特徴とする、請求項15に記載の方法。
  17. セリウム酸化物粒子のゼータ電位が、pH7.5〜10.5で0〜40mVであることを特徴とする、請求項15または16に記載の方法。
  18. 請求項1から14までのいずれか1項に記載の分散液を研磨に用いる使用。
JP2009550662A 2007-02-20 2007-11-09 セリウム酸化物およびコロイド状二酸化ケイ素を含む分散液 Expired - Fee Related JP5119272B2 (ja)

Applications Claiming Priority (3)

Application Number Priority Date Filing Date Title
DE102007008232.2 2007-02-20
DE102007008232A DE102007008232A1 (de) 2007-02-20 2007-02-20 Dispersion enthaltend Ceroxid und kolloidales Siliciumdioxid
PCT/EP2007/062102 WO2008101553A1 (en) 2007-02-20 2007-11-09 Dispersion comprising cerium oxide and colloidal silicon dioxide

Publications (2)

Publication Number Publication Date
JP2010519157A true JP2010519157A (ja) 2010-06-03
JP5119272B2 JP5119272B2 (ja) 2013-01-16

Family

ID=39149433

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
JP2009550662A Expired - Fee Related JP5119272B2 (ja) 2007-02-20 2007-11-09 セリウム酸化物およびコロイド状二酸化ケイ素を含む分散液

Country Status (9)

Country Link
US (1) US20100102268A1 (ja)
EP (1) EP2121860B1 (ja)
JP (1) JP5119272B2 (ja)
KR (1) KR101097506B1 (ja)
CN (1) CN101611110A (ja)
AT (1) ATE542867T1 (ja)
DE (1) DE102007008232A1 (ja)
TW (1) TW200848482A (ja)
WO (1) WO2008101553A1 (ja)

Cited By (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2011507785A (ja) * 2007-12-22 2011-03-10 エボニック デグサ ゲーエムベーハー 酸化セリウム及びコロイド状二酸化ケイ素を含有する分散液
WO2013099142A1 (ja) * 2011-12-28 2013-07-04 コニカミノルタ株式会社 基板用研磨剤及び基板の製造方法
WO2015072569A1 (ja) * 2013-11-15 2015-05-21 Hoya株式会社 磁気ディスク用ガラス基板の製造方法及び磁気ディスクの製造方法

Families Citing this family (7)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
DE102008008184A1 (de) * 2008-02-08 2009-08-13 Evonik Degussa Gmbh Verfahren zum Polieren einer Siliciumoberfläche mittels einer ceroxidhaltigen Dispersion
CN102802875A (zh) * 2009-06-25 2012-11-28 赢创德固赛有限公司 包含氧化铈和二氧化硅的分散体
CN103992743B (zh) * 2014-05-09 2018-06-19 杰明纳微电子股份有限公司 含有二氧化铈粉体与胶体二氧化硅混合磨料的抛光液及其制备工艺
SG11201707209RA (en) 2015-03-31 2017-10-30 Jgc Catalysts & Chemicals Ltd Silica-based composite fine-particle dispersion, method for producing same, and polishing slurry including silica-based composite fine-particle dispersion
KR102463863B1 (ko) * 2015-07-20 2022-11-04 삼성전자주식회사 연마용 조성물 및 이를 이용한 반도체 장치의 제조 방법
JP6985116B2 (ja) * 2017-11-17 2021-12-22 信越化学工業株式会社 合成石英ガラス基板用の研磨剤及び合成石英ガラス基板の研磨方法
WO2020044308A1 (en) * 2018-08-30 2020-03-05 Sabic Global Technologies B.V. High yield stabilized colloidal particle assemblies

Citations (6)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPH10106988A (ja) * 1996-09-30 1998-04-24 Hitachi Chem Co Ltd 酸化セリウム研磨剤及び基板の研磨法
JPH11315273A (ja) * 1998-05-07 1999-11-16 Hiroaki Tanaka 研磨組成物及びそれを用いたエッジポリッシング方法
JP2003031529A (ja) * 2001-07-18 2003-01-31 Toshiba Corp Cmp用スラリー、およびこれを用いた半導体装置の製造方法
JP2004079968A (ja) * 2002-08-22 2004-03-11 Toshiba Corp 半導体装置の研磨剤及び研磨剤を用いた半導体装置の製造方法
JP2004200268A (ja) * 2002-12-17 2004-07-15 Hitachi Chem Co Ltd Cmp研磨剤及び基板の研磨方法
JP2005072499A (ja) * 2003-08-27 2005-03-17 Fujimi Inc 研磨用組成物及びそれを用いる研磨方法

Family Cites Families (11)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US5891205A (en) 1997-08-14 1999-04-06 Ekc Technology, Inc. Chemical mechanical polishing composition
US20020019202A1 (en) * 1998-06-10 2002-02-14 Thomas Terence M. Control of removal rates in CMP
US7513920B2 (en) * 2002-02-11 2009-04-07 Dupont Air Products Nanomaterials Llc Free radical-forming activator attached to solid and used to enhance CMP formulations
US20030162398A1 (en) * 2002-02-11 2003-08-28 Small Robert J. Catalytic composition for chemical-mechanical polishing, method of using same, and substrate treated with same
US7112123B2 (en) * 2004-06-14 2006-09-26 Amcol International Corporation Chemical-mechanical polishing (CMP) slurry containing clay and CeO2 abrasive particles and method of planarizing surfaces
TW200613485A (en) * 2004-03-22 2006-05-01 Kao Corp Polishing composition
US7056192B2 (en) * 2004-09-14 2006-06-06 International Business Machines Corporation Ceria-based polish processes, and ceria-based slurries
JP4451347B2 (ja) 2005-04-26 2010-04-14 花王株式会社 研磨液組成物
JP2006318952A (ja) 2005-05-10 2006-11-24 Hitachi Chem Co Ltd Cmp研磨剤及び基板の研磨方法
DE102005038136A1 (de) 2005-08-12 2007-02-15 Degussa Ag Ceroxid-Pulver und Ceroxid-Dispersion
US7553465B2 (en) * 2005-08-12 2009-06-30 Degussa Ag Cerium oxide powder and cerium oxide dispersion

Patent Citations (6)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPH10106988A (ja) * 1996-09-30 1998-04-24 Hitachi Chem Co Ltd 酸化セリウム研磨剤及び基板の研磨法
JPH11315273A (ja) * 1998-05-07 1999-11-16 Hiroaki Tanaka 研磨組成物及びそれを用いたエッジポリッシング方法
JP2003031529A (ja) * 2001-07-18 2003-01-31 Toshiba Corp Cmp用スラリー、およびこれを用いた半導体装置の製造方法
JP2004079968A (ja) * 2002-08-22 2004-03-11 Toshiba Corp 半導体装置の研磨剤及び研磨剤を用いた半導体装置の製造方法
JP2004200268A (ja) * 2002-12-17 2004-07-15 Hitachi Chem Co Ltd Cmp研磨剤及び基板の研磨方法
JP2005072499A (ja) * 2003-08-27 2005-03-17 Fujimi Inc 研磨用組成物及びそれを用いる研磨方法

Cited By (7)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2011507785A (ja) * 2007-12-22 2011-03-10 エボニック デグサ ゲーエムベーハー 酸化セリウム及びコロイド状二酸化ケイ素を含有する分散液
WO2013099142A1 (ja) * 2011-12-28 2013-07-04 コニカミノルタ株式会社 基板用研磨剤及び基板の製造方法
US9868886B2 (en) 2011-12-28 2018-01-16 Konica Minolta, Inc. Abrasive agent for substrates and substrate manufacturing method
WO2015072569A1 (ja) * 2013-11-15 2015-05-21 Hoya株式会社 磁気ディスク用ガラス基板の製造方法及び磁気ディスクの製造方法
CN105745708A (zh) * 2013-11-15 2016-07-06 Hoya株式会社 磁盘用玻璃基板的制造方法和磁盘的制造方法
JPWO2015072569A1 (ja) * 2013-11-15 2017-03-16 Hoya株式会社 磁気ディスク用ガラス基板の製造方法及び磁気ディスクの製造方法
CN105745708B (zh) * 2013-11-15 2019-03-19 Hoya株式会社 磁盘用玻璃基板的制造方法和磁盘的制造方法

Also Published As

Publication number Publication date
WO2008101553A1 (en) 2008-08-28
EP2121860B1 (en) 2012-01-25
KR20090122932A (ko) 2009-12-01
KR101097506B1 (ko) 2011-12-22
TW200848482A (en) 2008-12-16
DE102007008232A1 (de) 2008-08-21
JP5119272B2 (ja) 2013-01-16
CN101611110A (zh) 2009-12-23
ATE542867T1 (de) 2012-02-15
US20100102268A1 (en) 2010-04-29
EP2121860A1 (en) 2009-11-25

Similar Documents

Publication Publication Date Title
JP5119272B2 (ja) セリウム酸化物およびコロイド状二酸化ケイ素を含む分散液
JP5300864B2 (ja) 酸化セリウム及びコロイド状二酸化ケイ素を含有する分散液
JP2010530011A (ja) セリウム酸化物、二酸化ケイ素及びアミノ酸を含む分散液
JP2011507998A (ja) 酸化セリウム及び層状シリケートを含有する分散液
CN109554119B (zh) 一种pH稳定性提高的碳化硅化学机械抛光液及其应用
KR20120024824A (ko) 산화 세륨 및 이산화 규소를 포함하는 분산액
JP2011514665A (ja) 酸化セリウムを含有する分散液を用いてシリコン表面を研磨する方法
JP2010519158A (ja) セリウム酸化物および層状シリケートを含む分散液
DE102008002321A1 (de) Ceroxid und partikuläres Additiv enthaltende Dispersion

Legal Events

Date Code Title Description
RD04 Notification of resignation of power of attorney

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A7424

Effective date: 20101228

A131 Notification of reasons for refusal

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131

Effective date: 20120530

A521 Request for written amendment filed

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523

Effective date: 20120823

TRDD Decision of grant or rejection written
A01 Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model)

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A01

Effective date: 20121005

A01 Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model)

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A01

A61 First payment of annual fees (during grant procedure)

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A61

Effective date: 20121022

R150 Certificate of patent or registration of utility model

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R150

FPAY Renewal fee payment (event date is renewal date of database)

Free format text: PAYMENT UNTIL: 20151026

Year of fee payment: 3

R250 Receipt of annual fees

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250

R250 Receipt of annual fees

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250

LAPS Cancellation because of no payment of annual fees