JPH04313224A - シリコンウェハー研磨剤 - Google Patents
シリコンウェハー研磨剤Info
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- JPH04313224A JPH04313224A JP3079110A JP7911091A JPH04313224A JP H04313224 A JPH04313224 A JP H04313224A JP 3079110 A JP3079110 A JP 3079110A JP 7911091 A JP7911091 A JP 7911091A JP H04313224 A JPH04313224 A JP H04313224A
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Landscapes
- Finish Polishing, Edge Sharpening, And Grinding By Specific Grinding Devices (AREA)
- Mechanical Treatment Of Semiconductor (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【０００１】
【産業上の利用分野】本発明は、半導体の製造工程で使
用されるシリコンウェハーのための研磨剤に関する。
用されるシリコンウェハーのための研磨剤に関する。
【０００２】半導体用シリコンウェハーの鏡面化研磨工
程には、シリコン単結晶インゴットから切断によってウ
ェハー状に切り出した際に生じる切断歪層及びウネリを
除去するラッピング工程と、ラッピング工程を経たシリ
コンウェハーを目的とする表面精度に研磨して仕上げる
ポリッシング工程があるが、ポリッシング工程は、粗研
磨と称される１次ポリッシング工程と精密研磨と称され
るファイナルポリッシングに分別され、場合によっては
１次ポリッシング工程を更に２工程に分け、１次、２次
ポリッシング工程と称されている。
程には、シリコン単結晶インゴットから切断によってウ
ェハー状に切り出した際に生じる切断歪層及びウネリを
除去するラッピング工程と、ラッピング工程を経たシリ
コンウェハーを目的とする表面精度に研磨して仕上げる
ポリッシング工程があるが、ポリッシング工程は、粗研
磨と称される１次ポリッシング工程と精密研磨と称され
るファイナルポリッシングに分別され、場合によっては
１次ポリッシング工程を更に２工程に分け、１次、２次
ポリッシング工程と称されている。
【０００３】本発明は詳しくは、前述の１次ポリッシン
グ工程または１次ポリッシング工程を更に２工程に分け
た１次、２次ポリッシング工程（以下、これらを総称し
て単に１次ポリッシング工程と言う）用の研磨剤に関す
る。
グ工程または１次ポリッシング工程を更に２工程に分け
た１次、２次ポリッシング工程（以下、これらを総称し
て単に１次ポリッシング工程と言う）用の研磨剤に関す
る。
【０００４】
【従来の技術】１次ポリッシング工程は、研磨ブロック
に複数枚のラッピングシリコンウェハーを貼り付け、こ
の研磨ブロックを回転テーブル上に接着した人造皮革（
ポリッシャー）に適切なる圧力を加えて、ｐＨ９〜１２
程度のアルカリ性コロイダルシリカまたは水に分散した
シリカパウダー研磨液を添加することによって研磨液と
シリコンウェハーがメカノケミカル作用を起こすことに
よって進行するが、ここで用いられる研磨剤はコストダ
ウンのため、通常リサイクル使用されることが一般的で
ある。
に複数枚のラッピングシリコンウェハーを貼り付け、こ
の研磨ブロックを回転テーブル上に接着した人造皮革（
ポリッシャー）に適切なる圧力を加えて、ｐＨ９〜１２
程度のアルカリ性コロイダルシリカまたは水に分散した
シリカパウダー研磨液を添加することによって研磨液と
シリコンウェハーがメカノケミカル作用を起こすことに
よって進行するが、ここで用いられる研磨剤はコストダ
ウンのため、通常リサイクル使用されることが一般的で
ある。
【０００５】
【発明が解決しようとする課題】しかし、従来の研磨剤
は、このリサイクルに用いるとリサイクルに際し、シリ
コンウェハーに対する研磨効率が大幅に劣化し、更に、
仕上がったシリコンウェハーの表面の精度が悪くなると
いう欠点を有し、その結果、シリコンウェハー製造上の
工程管理が難しかった。
は、このリサイクルに用いるとリサイクルに際し、シリ
コンウェハーに対する研磨効率が大幅に劣化し、更に、
仕上がったシリコンウェハーの表面の精度が悪くなると
いう欠点を有し、その結果、シリコンウェハー製造上の
工程管理が難しかった。
【０００６】例えば、米国特許第３，１７０，２７３号
明細書には、コロイダルシリカ及びシリカゲルを用いて
シリコンウェハーをポリッシングすることが記載されて
いる。また、米国特許第４，１６９，３３７号明細書に
は、研磨効率を向上させた方法が開示されている。また
、特開昭５８−２２５１７７号公報には、使用する研磨
液に第４級アンモニウム及びその塩を加えることによる
改良法が開示されている。 更に、特開昭６２−３０３３３号公報には、アルカリ性
コロイダルシリカにピペラジンを添加することによって
効率の高いシリコンウェハー研磨方法が開示されている
。
明細書には、コロイダルシリカ及びシリカゲルを用いて
シリコンウェハーをポリッシングすることが記載されて
いる。また、米国特許第４，１６９，３３７号明細書に
は、研磨効率を向上させた方法が開示されている。また
、特開昭５８−２２５１７７号公報には、使用する研磨
液に第４級アンモニウム及びその塩を加えることによる
改良法が開示されている。 更に、特開昭６２−３０３３３号公報には、アルカリ性
コロイダルシリカにピペラジンを添加することによって
効率の高いシリコンウェハー研磨方法が開示されている
。
【０００７】しかし、上記の方法では、研磨液の初期研
磨効率は良好であるが、研磨液をリサイクル使用すると
研磨効率の劣化が激しく、研磨工程上、管理が難しいと
いう共通の問題を有している。従って、本発明の目的は
、リサイクル使用時における研磨効率の低下が少なく、
研磨量も充分な良好なシリコンウェハー研磨剤を提供す
ることにある。
磨効率は良好であるが、研磨液をリサイクル使用すると
研磨効率の劣化が激しく、研磨工程上、管理が難しいと
いう共通の問題を有している。従って、本発明の目的は
、リサイクル使用時における研磨効率の低下が少なく、
研磨量も充分な良好なシリコンウェハー研磨剤を提供す
ることにある。
【０００８】
【課題を解決するための手段】本発明に係るシリコンウ
ェハー研磨剤は、平均粒子径７〜１００ｎｍのシリカを
含有するアルカリ性コロイダルシリカ溶液、シリカ固形
分に対して５〜４００重量％の有機水溶性アミン及びシ
リカ固形分に対して０．１〜５０重量％の弱酸とアルカ
リ金属の塩を必須の成分として含有することを特徴とす
る。
ェハー研磨剤は、平均粒子径７〜１００ｎｍのシリカを
含有するアルカリ性コロイダルシリカ溶液、シリカ固形
分に対して５〜４００重量％の有機水溶性アミン及びシ
リカ固形分に対して０．１〜５０重量％の弱酸とアルカ
リ金属の塩を必須の成分として含有することを特徴とす
る。
【０００９】本発明で用いるアルカリ性コロイダルシリ
カ溶液中のシリカ粒子径は次のように定義される：アル
カリ性コロイダルシリカ溶液を酸でｐＨ２〜３に調節し
、１２０℃で乾固する。乾固したパウダーシリカを蒸留
水で充分に洗浄して塩を除去し、１０５℃で乾燥させ、
窒素吸着法により得られた比表面積を以下の式に代入し
て平均粒子径とする。
カ溶液中のシリカ粒子径は次のように定義される：アル
カリ性コロイダルシリカ溶液を酸でｐＨ２〜３に調節し
、１２０℃で乾固する。乾固したパウダーシリカを蒸留
水で充分に洗浄して塩を除去し、１０５℃で乾燥させ、
窒素吸着法により得られた比表面積を以下の式に代入し
て平均粒子径とする。
【数１】平均粒子径（ｎｍ）＝６×１０３／［比表面積
（ｍ２／ｇ）×無定形シリカの密度（ｇ／ｃｍ３）］
（ｍ２／ｇ）×無定形シリカの密度（ｇ／ｃｍ３）］
【
００１０】本発明に用いるアルカリ性コロイダルシリカ
溶液は、該溶液中のシリカの平均粒子径が、７〜１００
ｎｍであればどのようなものでも使用することができ、
一般に市販されている製品を使用することもできる。
００１０】本発明に用いるアルカリ性コロイダルシリカ
溶液は、該溶液中のシリカの平均粒子径が、７〜１００
ｎｍであればどのようなものでも使用することができ、
一般に市販されている製品を使用することもできる。
【００１１】例えばアデライトＡＴ−３０Ｓ［旭電化工
業（株）平均粒子径８．５±１．５ｎｍ：シリカ固形分
３０重量％］、アデライトＡＴ−３０［旭電化工業（株
）平均粒子径１２．５±２．５ｎｍ：シリカ固形分３０
重量％］、アデライトＡＴ−４０［旭電化工業（株）平
均粒子径１７．５±２．５ｎｍ：シリカ固形分４０重量
％］、アデライトＡＴ−５０［旭電化工業（株）平均粒
子径２５±５ｎｍ：シリカ固形分５０重量％］、アデラ
イトＢＴ−５５［旭電化工業（株）平均粒子径４０±１
０ｎｍ：シリカ固形分５０重量％］、アデライトＢＴ−
５７［旭電化工業（株）平均粒子径６０±１０ｎｍ：シ
リカ固形分５０重量％］、アデライトＢＴ−５９［旭電
化工業（株）平均粒子径８５±１５ｎｍ：シリカ固形分
５０重量％］等が使用できる。
業（株）平均粒子径８．５±１．５ｎｍ：シリカ固形分
３０重量％］、アデライトＡＴ−３０［旭電化工業（株
）平均粒子径１２．５±２．５ｎｍ：シリカ固形分３０
重量％］、アデライトＡＴ−４０［旭電化工業（株）平
均粒子径１７．５±２．５ｎｍ：シリカ固形分４０重量
％］、アデライトＡＴ−５０［旭電化工業（株）平均粒
子径２５±５ｎｍ：シリカ固形分５０重量％］、アデラ
イトＢＴ−５５［旭電化工業（株）平均粒子径４０±１
０ｎｍ：シリカ固形分５０重量％］、アデライトＢＴ−
５７［旭電化工業（株）平均粒子径６０±１０ｎｍ：シ
リカ固形分５０重量％］、アデライトＢＴ−５９［旭電
化工業（株）平均粒子径８５±１５ｎｍ：シリカ固形分
５０重量％］等が使用できる。
【００１２】アルカリ性コロイダルシリカ溶液中のシリ
カの平均粒子径は、好ましくは７〜７０ｎｍ、更に好ま
しくは１０〜５０ｎｍが良い。平均粒子径が７ｎｍ未満
であると、アルカリ性コロイダルシリカの保存安定性が
悪化し、上記範囲を超える平均粒子径であると、放置し
ておくと沈澱し、使用上、再分散処理をする必要が生じ
るので作業性が悪化する。
カの平均粒子径は、好ましくは７〜７０ｎｍ、更に好ま
しくは１０〜５０ｎｍが良い。平均粒子径が７ｎｍ未満
であると、アルカリ性コロイダルシリカの保存安定性が
悪化し、上記範囲を超える平均粒子径であると、放置し
ておくと沈澱し、使用上、再分散処理をする必要が生じ
るので作業性が悪化する。
【００１３】また、上記アルカリ性コロイダルシリカ溶
液中のシリカは平均粒子径が上記範囲内であれば良く、
粒子径分布の形態によって個々のシリカの粒子径が上記
範囲を超えることは差し支えない。
液中のシリカは平均粒子径が上記範囲内であれば良く、
粒子径分布の形態によって個々のシリカの粒子径が上記
範囲を超えることは差し支えない。
【００１４】本発明で用いる有機水溶性アミンは、水に
溶解してアルカリ性を呈する有機アミンであればどのよ
うなものでも使用することができるが、好ましくは窒素
原子数が１〜６の直鎖状、分岐鎖状または環状のアミン
であることが良い。具体的には例えば、Ｎ，Ｎ−ジエチ
ルエタノールアミン、Ｎ，Ｎ−ジメチルエタノールアミ
ン、アミノエチルエタノールアミン、Ｎ−メチル−Ｎ，
Ｎ−ジエタノールアミン、Ｎ，Ｎ−ジブチルエタノール
アミン、Ｎ−メチルエタノールアミン、モノエタノール
アミン、ジエタノールアミン、アルキルアミンとしては
、３，３’−ジアミノジプロピルアミン、イミノビスプ
ロピルアミン、モノエチルアミン、ジエチルアミン、３
−エトキシプロピルアミン、３−ジエチルアミノプロピ
ルアミン、ジブチルアミノプロピルアミン、プロピルア
ミン、モノメチルアミノプロピルアミン、ジメチルアミ
ノプロピルアミン、メチルイミノビスプロピルアミン、
３−メトキシプロピルアミン、ヒドラジン、エチレンジ
アミン、ジエチレントリアミン、トリエチルテトラミン
、テトラエチルペンタミン、ジエチルアミン、フェネチ
ルアミン、ベンジルアミン、３−アミノ−１，２，４−
トリアゾール、１−アミノエチルピペラジン、α−アミ
ノ−ε−カプロラクタム等を例示することができる。
溶解してアルカリ性を呈する有機アミンであればどのよ
うなものでも使用することができるが、好ましくは窒素
原子数が１〜６の直鎖状、分岐鎖状または環状のアミン
であることが良い。具体的には例えば、Ｎ，Ｎ−ジエチ
ルエタノールアミン、Ｎ，Ｎ−ジメチルエタノールアミ
ン、アミノエチルエタノールアミン、Ｎ−メチル−Ｎ，
Ｎ−ジエタノールアミン、Ｎ，Ｎ−ジブチルエタノール
アミン、Ｎ−メチルエタノールアミン、モノエタノール
アミン、ジエタノールアミン、アルキルアミンとしては
、３，３’−ジアミノジプロピルアミン、イミノビスプ
ロピルアミン、モノエチルアミン、ジエチルアミン、３
−エトキシプロピルアミン、３−ジエチルアミノプロピ
ルアミン、ジブチルアミノプロピルアミン、プロピルア
ミン、モノメチルアミノプロピルアミン、ジメチルアミ
ノプロピルアミン、メチルイミノビスプロピルアミン、
３−メトキシプロピルアミン、ヒドラジン、エチレンジ
アミン、ジエチレントリアミン、トリエチルテトラミン
、テトラエチルペンタミン、ジエチルアミン、フェネチ
ルアミン、ベンジルアミン、３−アミノ−１，２，４−
トリアゾール、１−アミノエチルピペラジン、α−アミ
ノ−ε−カプロラクタム等を例示することができる。
【００１５】溶液の安定性の点で、上記有機水溶性アミ
ンとして更に好ましいのはアルカノールアミン及びアル
キルアミンであり、特に好ましいのはアミノエチルエタ
ノールアミン、モノエタノールアミン、モノエチルアミ
ン、ヒドラジン、エチレンジアミン、ジエチレントリア
ミンである。
ンとして更に好ましいのはアルカノールアミン及びアル
キルアミンであり、特に好ましいのはアミノエチルエタ
ノールアミン、モノエタノールアミン、モノエチルアミ
ン、ヒドラジン、エチレンジアミン、ジエチレントリア
ミンである。
【００１６】有機水溶性アミンの添加量はシリカ固形分
に対して５〜４００重量％、好ましくは５０〜３５０重
量％である。有機水溶性アミンの添加量が上記量よりも
少ないと研磨量が少なくなり効率が悪く、上記量を超え
て添加しても研磨効率の向上は期待できず、かえって仕
上げられたシリコンウェハーの表面精度が悪くなり、ア
ルカリ性コロイダルシリカの安定性も急速に悪化する。
に対して５〜４００重量％、好ましくは５０〜３５０重
量％である。有機水溶性アミンの添加量が上記量よりも
少ないと研磨量が少なくなり効率が悪く、上記量を超え
て添加しても研磨効率の向上は期待できず、かえって仕
上げられたシリコンウェハーの表面精度が悪くなり、ア
ルカリ性コロイダルシリカの安定性も急速に悪化する。
【００１７】本発明に用いる弱酸とアルカリ金属の塩は
、アルカリ金属の塩であれば特に限定されるものではな
いが、具体例としては、アルカリ金属成分としてはナト
リウム、カリウム、リチウム等を、弱酸成分としてはＣ
Ｏ３２−、ＰＯ４３−、ＨＣＯ３−、カルボン酸（Ｒ−
ＣＯＯ−、Ｒ＝Ｈ、ＣＨ３、Ｃ２Ｈ５）、ＢＯ３３−、
ＢＯ３−、ＨＰＯ４２−、ＨＰＯ４−等を例示すること
ができるが、特に好ましくはナトリウム、カリウムのい
ずれかと、ＣＯ３２−、ＰＯ４３−、ＨＣＯ３−のいず
れかとの塩が良い。
、アルカリ金属の塩であれば特に限定されるものではな
いが、具体例としては、アルカリ金属成分としてはナト
リウム、カリウム、リチウム等を、弱酸成分としてはＣ
Ｏ３２−、ＰＯ４３−、ＨＣＯ３−、カルボン酸（Ｒ−
ＣＯＯ−、Ｒ＝Ｈ、ＣＨ３、Ｃ２Ｈ５）、ＢＯ３３−、
ＢＯ３−、ＨＰＯ４２−、ＨＰＯ４−等を例示すること
ができるが、特に好ましくはナトリウム、カリウムのい
ずれかと、ＣＯ３２−、ＰＯ４３−、ＨＣＯ３−のいず
れかとの塩が良い。
【００１８】弱酸とアルカリ金属の塩の添加量はシリカ
固形分に対して０．１〜５０重量％、好ましくは１〜４
５重量％である。弱酸とアルカリ金属の塩の添加量がシ
リカ固形分に対して上記量よりも少ないと本発明の目的
とするリサイクル性能が不充分になり、５０重量％より
多く添加するとアルカリ性コロイダルシリカ溶液の安定
性が著しく悪化するので不適当である。
固形分に対して０．１〜５０重量％、好ましくは１〜４
５重量％である。弱酸とアルカリ金属の塩の添加量がシ
リカ固形分に対して上記量よりも少ないと本発明の目的
とするリサイクル性能が不充分になり、５０重量％より
多く添加するとアルカリ性コロイダルシリカ溶液の安定
性が著しく悪化するので不適当である。
【００１９】また、本発明のシリコンウェハー研磨剤は
アルカリ性コロイダルシリカ溶液と、有機水溶性アミン
と、弱酸とアルカリ金属の塩の存在が不可欠であり、い
ずれか一つが欠けても目的とする性能は発揮できなくな
る。
アルカリ性コロイダルシリカ溶液と、有機水溶性アミン
と、弱酸とアルカリ金属の塩の存在が不可欠であり、い
ずれか一つが欠けても目的とする性能は発揮できなくな
る。
【００２０】
【実施例】以下に実施例を挙げて本発明を更に説明する
が、本発明はこれらに限定されるものではない。 実施例１ 平均シリカ粒子径２５ｎｍ、シリカ固形分３０重量％の
アルカリ性コロイダルシリカ溶液［アデライトＡＴ−３
０：旭電化工業（株）製］をシリカ固形分５重量％に希
釈した。この溶液１０００重量部に有機水溶性アミンと
してＮ，Ｎ−ジメチルエタノールアミンを１５０重量部
（シリカ固形分に対して３００重量％）及びＫ２ＣＯ３
を２０重量部（シリカ固形分に対して４０重量％）の割
合で添加し、均一になるまで充分に撹拌して研磨剤とし
た。
が、本発明はこれらに限定されるものではない。 実施例１ 平均シリカ粒子径２５ｎｍ、シリカ固形分３０重量％の
アルカリ性コロイダルシリカ溶液［アデライトＡＴ−３
０：旭電化工業（株）製］をシリカ固形分５重量％に希
釈した。この溶液１０００重量部に有機水溶性アミンと
してＮ，Ｎ−ジメチルエタノールアミンを１５０重量部
（シリカ固形分に対して３００重量％）及びＫ２ＣＯ３
を２０重量部（シリカ固形分に対して４０重量％）の割
合で添加し、均一になるまで充分に撹拌して研磨剤とし
た。
【００２１】この研磨剤を使用して以下の条件でシリコ
ンウェハーを研磨した。 ポリッシングマシン：ラップマスター社製ＬＰＨ−１５
改良型 ポリッシング盤直径：１５インチ ポリッシング盤回転数：７０ｒｐｍ シリコンウェハー：直径４インチ（１００）Ｐ型ＣＺ法
研磨圧力：４００ｇ／ｃｍ２ 研磨温度：４０℃ 研磨剤供給量：１０リットル／時 研磨時間：１時間 研磨枚数：２枚
ンウェハーを研磨した。 ポリッシングマシン：ラップマスター社製ＬＰＨ−１５
改良型 ポリッシング盤直径：１５インチ ポリッシング盤回転数：７０ｒｐｍ シリコンウェハー：直径４インチ（１００）Ｐ型ＣＺ法
研磨圧力：４００ｇ／ｃｍ２ 研磨温度：４０℃ 研磨剤供給量：１０リットル／時 研磨時間：１時間 研磨枚数：２枚
【００２２】使用した研磨剤を細孔径６μｍのペーパー
フィルターで濾過処理し、再使用した。研磨から濾過工
程までを１サイクルとし、合計２０サイクルの研磨剤の
リサイクル使用をした。
フィルターで濾過処理し、再使用した。研磨から濾過工
程までを１サイクルとし、合計２０サイクルの研磨剤の
リサイクル使用をした。
【００２３】１サイクル毎のシリコンウェハーの研磨除
去量（シリコンウェハーの厚みの減少量）を測定し、研
磨効率の変化を調べた。この試験の結果、１サイクル目
の研磨除去量は６５μｍ、２０サイクル目の研磨除去量
は６２μｍで、研磨除去量の減少は約４％程度であり、
リサイクル使用時の耐久性が非常に良好であることがわ
かった。
去量（シリコンウェハーの厚みの減少量）を測定し、研
磨効率の変化を調べた。この試験の結果、１サイクル目
の研磨除去量は６５μｍ、２０サイクル目の研磨除去量
は６２μｍで、研磨除去量の減少は約４％程度であり、
リサイクル使用時の耐久性が非常に良好であることがわ
かった。
【００２４】また、１サイクル目のウェハー表面状態は
ランクテイラーホブソン社製微小領域測定装置（Ｔａｌ
ｙｓｔｅｐ）で測定したところＲｍａｘ＝６．９ｎｍ／
１．５ｍｍであり、良好であった。また、２０サイクル
目の表面状態も殆ど変化がなかった。
ランクテイラーホブソン社製微小領域測定装置（Ｔａｌ
ｙｓｔｅｐ）で測定したところＲｍａｘ＝６．９ｎｍ／
１．５ｍｍであり、良好であった。また、２０サイクル
目の表面状態も殆ど変化がなかった。
【００２５】実施例２
平均シリカ粒子径１２ｎｍ、シリカ固形分３０重量％の
アルカリ性コロイダルシリカ溶液［アデライトＡＴ−３
０：旭電化工業（株）製］をシリカ固形分５重量％に希
釈した。この溶液１０００重量部に有機水溶性アミンと
してアミノエチルエタノールアミン１５０重量部（シリ
カ固形分に対して３００重量％）及びＣＨ３ＣＯＯＮａ
を２０重量部（シリカ固形分に対して４０重量％）の割
合で添加し、均一になるまで充分に撹拌して研磨剤とし
た他は実施例１の方法に準じた。
アルカリ性コロイダルシリカ溶液［アデライトＡＴ−３
０：旭電化工業（株）製］をシリカ固形分５重量％に希
釈した。この溶液１０００重量部に有機水溶性アミンと
してアミノエチルエタノールアミン１５０重量部（シリ
カ固形分に対して３００重量％）及びＣＨ３ＣＯＯＮａ
を２０重量部（シリカ固形分に対して４０重量％）の割
合で添加し、均一になるまで充分に撹拌して研磨剤とし
た他は実施例１の方法に準じた。
【００２６】この試験の結果、１サイクル目の研磨除去
量は７２μｍ、２０サイクル目の研磨除去量は６８μｍ
で、研磨除去量の減少は約６％程度であり、リサイクル
使用時の耐久性が非常に良好であることがわかった。
量は７２μｍ、２０サイクル目の研磨除去量は６８μｍ
で、研磨除去量の減少は約６％程度であり、リサイクル
使用時の耐久性が非常に良好であることがわかった。
【００２７】また、１サイクル目のウェハー表面状態は
Ｒｍａｘ＝４．２ｎｍ／１．５ｍｍであり、良好であっ
た。 また、２０サイクル目の表面状態も殆ど変化がなかった
。
Ｒｍａｘ＝４．２ｎｍ／１．５ｍｍであり、良好であっ
た。 また、２０サイクル目の表面状態も殆ど変化がなかった
。
【００２８】実施例３
平均シリカ粒子径２５ｎｍ、シリカ固形分５０重量％の
アルカリ性コロイダルシリカ溶液［アデライトＡＴ−５
０：旭電化工業（株）製］をシリカ固形分５重量％に希
釈した。この溶液１０００重量部に有機水溶性アミンと
してＮ，Ｎ−ジブチルエタノールアミン１５０重量部（
シリカ固形分に対して３００重量％）及びＫ３ＰＯ４を
２０重量部（シリカ固形分に対して４０重量％）の割合
で添加し、均一になるまで充分に撹拌して研磨剤とした
他は、実施例１の方法に準じた。
アルカリ性コロイダルシリカ溶液［アデライトＡＴ−５
０：旭電化工業（株）製］をシリカ固形分５重量％に希
釈した。この溶液１０００重量部に有機水溶性アミンと
してＮ，Ｎ−ジブチルエタノールアミン１５０重量部（
シリカ固形分に対して３００重量％）及びＫ３ＰＯ４を
２０重量部（シリカ固形分に対して４０重量％）の割合
で添加し、均一になるまで充分に撹拌して研磨剤とした
他は、実施例１の方法に準じた。
【００２９】この試験の結果、１サイクル目の研磨除去
量は６６μｍ、２０サイクル目の研磨除去量は６３μｍ
で、研磨除去量の減少は約５％程度であり、リサイクル
使用時の耐久性が非常に良好であることがわかった。
量は６６μｍ、２０サイクル目の研磨除去量は６３μｍ
で、研磨除去量の減少は約５％程度であり、リサイクル
使用時の耐久性が非常に良好であることがわかった。
【００３０】また、１サイクル目のウェハー表面状態は
Ｒｍａｘ＝５．８ｎｍ／１．５ｍｍであり、良好であっ
た。 また、２０サイクル目の表面状態も殆ど変化がなかった
。
Ｒｍａｘ＝５．８ｎｍ／１．５ｍｍであり、良好であっ
た。 また、２０サイクル目の表面状態も殆ど変化がなかった
。
【００３１】実施例４
平均シリカ粒子径２５ｎｍ、シリカ固形分５０重量％の
アルカリ性コロイダルシリカ溶液［アデライトＡＴ−５
０：旭電化工業（株）製］をシリカ固形分５重量％に希
釈した。この溶液１０００重量部に有機水溶性アミンと
してモノエタノールアミン１５０重量部（シリカ固形分
に対して３００重量％）及びＮａ２ＣＯ３を２０重量部
（シリカ固形分に対して４０重量％）の割合で添加し、
均一になるまで充分に撹拌して研磨剤とした他は、実施
例１の方法に準じた。
アルカリ性コロイダルシリカ溶液［アデライトＡＴ−５
０：旭電化工業（株）製］をシリカ固形分５重量％に希
釈した。この溶液１０００重量部に有機水溶性アミンと
してモノエタノールアミン１５０重量部（シリカ固形分
に対して３００重量％）及びＮａ２ＣＯ３を２０重量部
（シリカ固形分に対して４０重量％）の割合で添加し、
均一になるまで充分に撹拌して研磨剤とした他は、実施
例１の方法に準じた。
【００３２】この試験の結果、１サイクル目の研磨除去
量は７０μｍ、２０サイクル目の研磨除去量は６８μｍ
で、研磨除去量の減少は約３％程度であり、リサイクル
使用時の耐久性は非常に良好であることがわかった。
量は７０μｍ、２０サイクル目の研磨除去量は６８μｍ
で、研磨除去量の減少は約３％程度であり、リサイクル
使用時の耐久性は非常に良好であることがわかった。
【００３３】また、１サイクル目のウェハー表面状態は
Ｒｍａｘ＝７．３ｎｍ／１．５ｍｍであり、良好であっ
た。 また、２０サイクル目の表面状態も殆ど変化がなかった
。
Ｒｍａｘ＝７．３ｎｍ／１．５ｍｍであり、良好であっ
た。 また、２０サイクル目の表面状態も殆ど変化がなかった
。
【００３４】実施例５
平均シリカ粒子径４５ｎｍ、シリカ固形分５０重量％の
アルカリ性コロイダルシリカ溶液［アデライトＢＴ−５
５：旭電化工業（株）製］をシリカ固形分５重量％に希
釈した。この溶液１０００重量部に有機水溶性アミンと
してモノエチルアミン１５０重量部（シリカ固形分に対
して３００重量％）及びＮａＢＯ３を２０重量部（シリ
カ固形分に対して４０重量％）の割合で添加し、均一に
なるまで充分に撹拌して研磨剤とした他は実施例１の方
法に準じた。
アルカリ性コロイダルシリカ溶液［アデライトＢＴ−５
５：旭電化工業（株）製］をシリカ固形分５重量％に希
釈した。この溶液１０００重量部に有機水溶性アミンと
してモノエチルアミン１５０重量部（シリカ固形分に対
して３００重量％）及びＮａＢＯ３を２０重量部（シリ
カ固形分に対して４０重量％）の割合で添加し、均一に
なるまで充分に撹拌して研磨剤とした他は実施例１の方
法に準じた。
【００３５】この試験の結果、１サイクル目の研磨除去
量は７６μｍで、２０サイクル目の研磨除去量は７０μ
ｍで、研磨除去量の減少は約８％程度であり、リサイク
ル使用時の耐久性が非常に良好であることがわかった。
量は７６μｍで、２０サイクル目の研磨除去量は７０μ
ｍで、研磨除去量の減少は約８％程度であり、リサイク
ル使用時の耐久性が非常に良好であることがわかった。
【００３６】また、１サイクル目のウェハー表面状態は
Ｒｍａｘ＝９．５ｎｍ／１．５ｍｍであり、良好であっ
た。 また、２０サイクル目の表面状態も殆ど変化がなかった
。
Ｒｍａｘ＝９．５ｎｍ／１．５ｍｍであり、良好であっ
た。 また、２０サイクル目の表面状態も殆ど変化がなかった
。
【００３７】実施例６
平均シリカ粒子径４５ｎｍ、シリカ固形分５０重量％の
アルカリ性コロイダルシリカ溶液［アデライトＢＴ−５
５：旭電化工業（株）製］をシリカ固形分５重量％に希
釈した。この溶液１０００重量部に有機水溶性アミンと
してモノメチルアミノプロピルアミン１５０重量部（シ
リカ固形分に対して３００重量％）及びＫＨＣＯ３２０
重量部（シリカ固形分に対して４０重量％）の割合で添
加し、均一になるまで充分に撹拌して研磨剤とした他は
実施例１の方法に準じた。
アルカリ性コロイダルシリカ溶液［アデライトＢＴ−５
５：旭電化工業（株）製］をシリカ固形分５重量％に希
釈した。この溶液１０００重量部に有機水溶性アミンと
してモノメチルアミノプロピルアミン１５０重量部（シ
リカ固形分に対して３００重量％）及びＫＨＣＯ３２０
重量部（シリカ固形分に対して４０重量％）の割合で添
加し、均一になるまで充分に撹拌して研磨剤とした他は
実施例１の方法に準じた。
【００３８】この試験の結果、１サイクル目の研磨除去
量は６９μｍ、２０サイクル目の研磨除去量は６６μｍ
で、研磨除去量の減少は約４％程度であり、リサイクル
使用時の耐久性が非常に良好であることがわかった。
量は６９μｍ、２０サイクル目の研磨除去量は６６μｍ
で、研磨除去量の減少は約４％程度であり、リサイクル
使用時の耐久性が非常に良好であることがわかった。
【００３９】また、１サイクル目のウェハー表面状態は
Ｒｍａｘ＝６．１ｎｍ／１．５ｍｍであり、良好であっ
た。 また、２０サイクル目の表面状態も殆ど変化がなかった
。
Ｒｍａｘ＝６．１ｎｍ／１．５ｍｍであり、良好であっ
た。 また、２０サイクル目の表面状態も殆ど変化がなかった
。
【００４０】実施例７
平均シリカ粒子径４５ｎｍ、シリカ固形分５０重量％の
アルカリ性コロイダルシリカ溶液［アデライトＢＴ−５
５：旭電化工業（株）製］をシリカ固形分５重量％に希
釈した。この溶液１０００重量部に有機水溶性アミンと
してジエチレントリアミン１５０重量部（シリカ固形分
に対して３００重量％）及びＣＨＣＯＯＮａ２０重量部
（シリカ固形分に対して４０重量％）の割合で添加し、
均一になるまで充分に撹拌して研磨剤とした他は実施例
１の方法に準じた。
アルカリ性コロイダルシリカ溶液［アデライトＢＴ−５
５：旭電化工業（株）製］をシリカ固形分５重量％に希
釈した。この溶液１０００重量部に有機水溶性アミンと
してジエチレントリアミン１５０重量部（シリカ固形分
に対して３００重量％）及びＣＨＣＯＯＮａ２０重量部
（シリカ固形分に対して４０重量％）の割合で添加し、
均一になるまで充分に撹拌して研磨剤とした他は実施例
１の方法に準じた。
【００４１】この試験の結果、１サイクル目の研磨除去
量は７１μｍ、２０サイクル目の研磨除去量は６７μｍ
で、研磨除去量の減少は約６％程度であり、リサイクル
使用時の耐久性が非常に良好であることがわかった。
量は７１μｍ、２０サイクル目の研磨除去量は６７μｍ
で、研磨除去量の減少は約６％程度であり、リサイクル
使用時の耐久性が非常に良好であることがわかった。
【００４２】また、１サイクル目のウェハー表面状態は
Ｒｍａｘ＝４．１ｎｍ／１．５ｍｍであり、良好であっ
た。 また、２０サイクル目の表面状態も殆ど変化がなかった
。
Ｒｍａｘ＝４．１ｎｍ／１．５ｍｍであり、良好であっ
た。 また、２０サイクル目の表面状態も殆ど変化がなかった
。
【００４３】実施例８
平均シリカ粒子径９ｎｍ、シリカ固形分３０重量％のア
ルカリ性コロイダルシリカ溶液［アデライトＡＴ−３０
Ｓ：旭電化工業（株）製］をシリカ固形分５重量％に希
釈した。この溶液１０００重量部に有機水溶性アミンと
してＮ−メチル−Ｎ，Ｎ−ジエタノールアミン５重量部
（シリカ固形分に対して１０重量％）及びＮａ２ＣＯ３
１重量部（シリカ固形分に対して２重量％）の割合で添
加し、均一になるまで充分に撹拌して研磨剤とした他は
実施例１の方法に準じた。
ルカリ性コロイダルシリカ溶液［アデライトＡＴ−３０
Ｓ：旭電化工業（株）製］をシリカ固形分５重量％に希
釈した。この溶液１０００重量部に有機水溶性アミンと
してＮ−メチル−Ｎ，Ｎ−ジエタノールアミン５重量部
（シリカ固形分に対して１０重量％）及びＮａ２ＣＯ３
１重量部（シリカ固形分に対して２重量％）の割合で添
加し、均一になるまで充分に撹拌して研磨剤とした他は
実施例１の方法に準じた。
【００４４】この試験の結果、１サイクル目の研磨除去
量は４８μｍ、２０サイクル目の研磨除去量は４７μｍ
で、研磨除去量の減少は約２％程度であり、リサイクル
使用時の耐久性が非常に良好であることがわかった。
量は４８μｍ、２０サイクル目の研磨除去量は４７μｍ
で、研磨除去量の減少は約２％程度であり、リサイクル
使用時の耐久性が非常に良好であることがわかった。
【００４５】また、１サイクル目のウェハー表面状態は
Ｒｍａｘ＝４．９ｎｍ／１．５ｍｍであり、良好であっ
た。 また、２０サイクル目の表面状態も殆ど変化がなかった
。
Ｒｍａｘ＝４．９ｎｍ／１．５ｍｍであり、良好であっ
た。 また、２０サイクル目の表面状態も殆ど変化がなかった
。
【００４６】実施例９
平均シリカ粒子径９ｎｍ、シリカ固形分３０重量％のア
ルカリ性コロイダルシリカ溶液［アデライトＡＴ−３０
Ｓ：旭電化工業（株）製］をシリカ固形分５重量％に希
釈した。この溶液１０００重量部に有機水溶性アミンと
してＮ−メチルエタノールアミン５重量部（シリカ固形
分に対して１０重量％）及びＫＨＣＯ３１重量部（シリ
カ固形分に対して２重量％）の割合で添加し、均一にな
るまで充分に撹拌して研磨剤とした他は実施例１の方法
に準じた。
ルカリ性コロイダルシリカ溶液［アデライトＡＴ−３０
Ｓ：旭電化工業（株）製］をシリカ固形分５重量％に希
釈した。この溶液１０００重量部に有機水溶性アミンと
してＮ−メチルエタノールアミン５重量部（シリカ固形
分に対して１０重量％）及びＫＨＣＯ３１重量部（シリ
カ固形分に対して２重量％）の割合で添加し、均一にな
るまで充分に撹拌して研磨剤とした他は実施例１の方法
に準じた。
【００４７】この試験の結果、１サイクル目の研磨除去
量は４３μｍ、２０サイクル目の研磨除去量は４１μｍ
で、研磨除去量の減少は約５％程度であり、リサイクル
使用時の耐久性が非常に良好であることがわかった。
量は４３μｍ、２０サイクル目の研磨除去量は４１μｍ
で、研磨除去量の減少は約５％程度であり、リサイクル
使用時の耐久性が非常に良好であることがわかった。
【００４８】また、１サイクル目のウェハー表面状態は
Ｒｍａｘ＝６．０ｎｍ／１．５ｍｍであり、良好であっ
た。 また、２０サイクル目の表面状態も殆ど変化がなかった
。
Ｒｍａｘ＝６．０ｎｍ／１．５ｍｍであり、良好であっ
た。 また、２０サイクル目の表面状態も殆ど変化がなかった
。
【００４９】実施例１０
平均シリカ粒子径１７ｎｍ、シリカ固形分４０重量％の
アルカリ性コロイダルシリカ溶液［アデライトＡＴ−４
０：旭電化工業（株）製］をシリカ固形分５重量％に希
釈した。この溶液１０００重量部に有機水溶性アミンと
してヒドラジン５重量部（シリカ固形分に対して１０重
量％）及びＫＨ２ＰＯ４１重量部（シリカ固形分に対し
て２重量％）の割合で添加し、均一になるまで撹拌して
研磨剤とした他は実施例１の方法に準じた。
アルカリ性コロイダルシリカ溶液［アデライトＡＴ−４
０：旭電化工業（株）製］をシリカ固形分５重量％に希
釈した。この溶液１０００重量部に有機水溶性アミンと
してヒドラジン５重量部（シリカ固形分に対して１０重
量％）及びＫＨ２ＰＯ４１重量部（シリカ固形分に対し
て２重量％）の割合で添加し、均一になるまで撹拌して
研磨剤とした他は実施例１の方法に準じた。
【００５０】この試験の結果、１サイクル目の研磨除去
量は４８μｍ、２０サイクル目の研磨除去量は４５μｍ
で、研磨除去量の減少は約６％程度であり、リサイクル
使用時の耐久性が非常に良好であることがわかった。
量は４８μｍ、２０サイクル目の研磨除去量は４５μｍ
で、研磨除去量の減少は約６％程度であり、リサイクル
使用時の耐久性が非常に良好であることがわかった。
【００５１】また、１サイクル目のウェハー表面状態は
Ｒｍａｘ＝３．９ｎｍ／１．５ｎｍであり、良好であっ
た。 また、２０サイクル目の表面状態も殆ど変化がなかった
。
Ｒｍａｘ＝３．９ｎｍ／１．５ｎｍであり、良好であっ
た。 また、２０サイクル目の表面状態も殆ど変化がなかった
。
【００５２】実施例１１
平均シリカ粒子径６５ｎｍ、シリカ固形分５０重量％の
アルカリ性コロイダルシリカ溶液［アデライトＢＴ−５
７：旭電化工業（株）製］をシリカ固形分５重量％に希
釈した。この溶液１０００重量部に有機水溶性アミンと
してエチレンジアミン５重量部（シリカ固形分に対して
１０重量％）及びＮａ２ＨＰＯ４１重量部（シリカ固形
分に対して２重量％）の割合で添加し、均一になるまで
充分に撹拌して研磨剤とした他は実施例１の方法に準じ
た。
アルカリ性コロイダルシリカ溶液［アデライトＢＴ−５
７：旭電化工業（株）製］をシリカ固形分５重量％に希
釈した。この溶液１０００重量部に有機水溶性アミンと
してエチレンジアミン５重量部（シリカ固形分に対して
１０重量％）及びＮａ２ＨＰＯ４１重量部（シリカ固形
分に対して２重量％）の割合で添加し、均一になるまで
充分に撹拌して研磨剤とした他は実施例１の方法に準じ
た。
【００５３】この試験の結果、１サイクル目の研磨除去
量は４４μｍ、２０サイクル目の研磨除去量は４１μｍ
で、研磨除去量の減少は約７％程度であり、リサイクル
使用時の耐久性が非常に良好であることがわかった。
量は４４μｍ、２０サイクル目の研磨除去量は４１μｍ
で、研磨除去量の減少は約７％程度であり、リサイクル
使用時の耐久性が非常に良好であることがわかった。
【００５４】また、１サイクル目のウェハー表面状態は
Ｒｍａｘ＝５．５ｎｍ／１．５ｎｍであり、良好であっ
た。 また、２０サイクル目の表面状態も殆ど変化がなかった
。
Ｒｍａｘ＝５．５ｎｍ／１．５ｎｍであり、良好であっ
た。 また、２０サイクル目の表面状態も殆ど変化がなかった
。
【００５５】比較例１
平均シリカ粒子径１２ｎｍ、シリカ固形分３０重量％の
アルカリ性コロイダルシリカ溶液［アデライトＡＴ−３
０：旭電化工業（株）製］をシリカ固形分５重量％に希
釈した。この溶液１０００重量部に有機水溶性アミンと
してアミノエチルエタノールアミン２５０重量部（シリ
カ固形分に対して５００重量％）及びＣＨ３ＣＯＯＮａ
を３０重量部（シリカ固形分に対して６０重量％）の割
合で添加し、均一になるまで充分に撹拌して研磨剤とし
た。この研磨剤を室温中で保存しておいたところ、約１
０日程で増粘状態となり、安定性が悪いことがわかり、
使用に適さないものであった。
アルカリ性コロイダルシリカ溶液［アデライトＡＴ−３
０：旭電化工業（株）製］をシリカ固形分５重量％に希
釈した。この溶液１０００重量部に有機水溶性アミンと
してアミノエチルエタノールアミン２５０重量部（シリ
カ固形分に対して５００重量％）及びＣＨ３ＣＯＯＮａ
を３０重量部（シリカ固形分に対して６０重量％）の割
合で添加し、均一になるまで充分に撹拌して研磨剤とし
た。この研磨剤を室温中で保存しておいたところ、約１
０日程で増粘状態となり、安定性が悪いことがわかり、
使用に適さないものであった。
【００５６】比較例２
平均シリカ粒子径２５ｎｍ、シリカ固形分５０重量％の
アルカリ性コロイダルシリカ溶液［アデライトＡＴ−５
０：旭電化工業（株）製］をシリカ固形分５重量％に希
釈した。この溶液１０００重量部に有機水溶性アミンと
してＮ，Ｎ−ジブチルエタノールアミン１５０重量部（
シリカ固形分に対して２００重量％）の割合で添加し、
弱酸とアルカリ金属の塩を添加せず、均一になるまで充
分に撹拌して研磨剤とした他は実施例１の方法に準じた
。
アルカリ性コロイダルシリカ溶液［アデライトＡＴ−５
０：旭電化工業（株）製］をシリカ固形分５重量％に希
釈した。この溶液１０００重量部に有機水溶性アミンと
してＮ，Ｎ−ジブチルエタノールアミン１５０重量部（
シリカ固形分に対して２００重量％）の割合で添加し、
弱酸とアルカリ金属の塩を添加せず、均一になるまで充
分に撹拌して研磨剤とした他は実施例１の方法に準じた
。
【００５７】この試験の結果、１サイクル目の研磨除去
量は７０μｍと良好であったが、２０サイクル目の研磨
除去量は３０μｍで、研磨除去量の減少は約５７％であ
り、リサイクル使用時の耐久性が非常に悪いことがわか
った。
量は７０μｍと良好であったが、２０サイクル目の研磨
除去量は３０μｍで、研磨除去量の減少は約５７％であ
り、リサイクル使用時の耐久性が非常に悪いことがわか
った。
【００５８】また、１サイクル目のウェハー表面状態は
Ｒｍａｘ＝６．８ｎｍ／１．５ｍｍであり、良好であっ
たが、２０サイクル目の表面状態はＲｍａｘ＝１５．９
ｎｍ／１．５ｍｍとなっていた。また、この研磨剤はリ
サイクル使用に伴って粘着性のゲル化物が大量に発生し
、濾過処理が非常に困難であった。
Ｒｍａｘ＝６．８ｎｍ／１．５ｍｍであり、良好であっ
たが、２０サイクル目の表面状態はＲｍａｘ＝１５．９
ｎｍ／１．５ｍｍとなっていた。また、この研磨剤はリ
サイクル使用に伴って粘着性のゲル化物が大量に発生し
、濾過処理が非常に困難であった。
【００５９】比較例３
平均シリカ粒子径４５ｎｍ、シリカ固形分５０重量％の
アルカリ性コロイダルシリカ溶液［アデライトＢＴ−５
５：旭電化工業（株）製］をシリカ固形分５重量％に希
釈した。この溶液１０００重量部に有機水溶性アミンと
してジエチレントリアミン２重量部（シリカ固形分に対
して４重量％）及びＣＨ３ＣＯＯＮａ２０重量部（シリ
カ固形分に対して４０重量％）の割合で添加し、均一に
なるまで充分に撹拌して研磨剤とした他は実施例１の方
法に準じた。
アルカリ性コロイダルシリカ溶液［アデライトＢＴ−５
５：旭電化工業（株）製］をシリカ固形分５重量％に希
釈した。この溶液１０００重量部に有機水溶性アミンと
してジエチレントリアミン２重量部（シリカ固形分に対
して４重量％）及びＣＨ３ＣＯＯＮａ２０重量部（シリ
カ固形分に対して４０重量％）の割合で添加し、均一に
なるまで充分に撹拌して研磨剤とした他は実施例１の方
法に準じた。
【００６０】この試験の結果、１サイクル目の研磨除去
量は２１μｍ、２０サイクル目の研磨除去量は２０μｍ
で、研磨除去量の減少は約５％程度であり、リサイクル
使用時の耐久性が非常に良好であることがわかった。し
かし、研磨除去量が小さく、使用に適さないことがわか
った。
量は２１μｍ、２０サイクル目の研磨除去量は２０μｍ
で、研磨除去量の減少は約５％程度であり、リサイクル
使用時の耐久性が非常に良好であることがわかった。し
かし、研磨除去量が小さく、使用に適さないことがわか
った。
【００６１】比較例４
平均シリカ粒子径６５ｎｍ、シリカ固形分５０重量％の
アルカリ性コロイダルシリカ溶液［アデライトＢＴ−５
７：旭電化工業（株）製］をシリカ固形分５重量％に希
釈した。この溶液１０００重量部に有機水溶性アミンと
してエチレンジアミン５重量部（シリカ固形分に対して
１０重量％）及びＮａ２ＨＰＯ４０．０３重量部（シリ
カ固形分に対して０．０６重量％）の割合で添加し、均
一になるまで充分に撹拌して研磨剤とした他は実施例１
の方法に準じた。
アルカリ性コロイダルシリカ溶液［アデライトＢＴ−５
７：旭電化工業（株）製］をシリカ固形分５重量％に希
釈した。この溶液１０００重量部に有機水溶性アミンと
してエチレンジアミン５重量部（シリカ固形分に対して
１０重量％）及びＮａ２ＨＰＯ４０．０３重量部（シリ
カ固形分に対して０．０６重量％）の割合で添加し、均
一になるまで充分に撹拌して研磨剤とした他は実施例１
の方法に準じた。
【００６２】この試験の結果、１サイクル目の研磨除去
量は４３μｍと良好であったが、２０サイクル目の研磨
除去量は２４μｍで、研磨除去量の減少は約４７％と非
常に大きく、リサイクル使用時の耐久性が非常に悪いこ
とがわかった。
量は４３μｍと良好であったが、２０サイクル目の研磨
除去量は２４μｍで、研磨除去量の減少は約４７％と非
常に大きく、リサイクル使用時の耐久性が非常に悪いこ
とがわかった。
【００６３】また、１サイクル目のウェハー表面状態は
Ｒｍａｘ＝５．８ｎｍ／１．５ｍｍであり、良好であっ
たが、２０サイクル目の表面状態はＲｍａｘ＝１８．０
ｎｍ／１．５ｍｍとなっていた。
Ｒｍａｘ＝５．８ｎｍ／１．５ｍｍであり、良好であっ
たが、２０サイクル目の表面状態はＲｍａｘ＝１８．０
ｎｍ／１．５ｍｍとなっていた。
【００６４】また、この加工液はリサイクル使用に伴っ
て粘着性のゲル化物が大量に発生し、濾過処理が非常に
困難であった。
て粘着性のゲル化物が大量に発生し、濾過処理が非常に
困難であった。
【００６５】
【発明の効果】本発明の効果は、リサイクル使用時にお
ける研磨効率の低下が少なく、研磨量も充分な良好なシ
リコンウェハー研磨剤を提供したことにある。
ける研磨効率の低下が少なく、研磨量も充分な良好なシ
リコンウェハー研磨剤を提供したことにある。
Claims (1)
- 【請求項１】 平均粒子径７〜１００ｎｍのシリカを
含有するアルカリ性コロイダルシリカ溶液、シリカ固形
分に対して５〜４００重量％の有機水溶性アミン、及び
シリカ固形分に対して０．１〜５０重量％の弱酸とアル
カリ金属の塩を必須の成分として含有することを特徴と
するシリコンウェハー研磨剤。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP07911091A JP3290189B2 (ja) | 1991-04-11 | 1991-04-11 | シリコンウェハーの研磨方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP07911091A JP3290189B2 (ja) | 1991-04-11 | 1991-04-11 | シリコンウェハーの研磨方法 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH04313224A true JPH04313224A (ja) | 1992-11-05 |
| JP3290189B2 JP3290189B2 (ja) | 2002-06-10 |
Family
ID=13680767
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP07911091A Expired - Fee Related JP3290189B2 (ja) | 1991-04-11 | 1991-04-11 | シリコンウェハーの研磨方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP3290189B2 (ja) |
Cited By (21)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH07314324A (ja) * | 1994-05-18 | 1995-12-05 | Memc Electron Materials Inc | 表面粗さを減少させるための半導体ウエハの粗研磨法 |
| JPH0982668A (ja) * | 1995-09-20 | 1997-03-28 | Sony Corp | 研磨用スラリー及びこの研磨用スラリーを用いる研磨方法 |
| JPH09174419A (ja) * | 1995-12-14 | 1997-07-08 | Internatl Business Mach Corp <Ibm> | アルミニウムまたはアルミニウム合金の化学機械研磨法 |
| US5667567A (en) * | 1994-06-02 | 1997-09-16 | Shin-Etsu Handotai Co., Ltd. | Polishing agent used for polishing silicon wafers and polishing method using the same |
| JPH11302635A (ja) * | 1998-04-24 | 1999-11-02 | Hiroaki Tanaka | 研磨用組成物及びそれを使用した研磨方法 |
| JPH11302634A (ja) * | 1998-04-24 | 1999-11-02 | Hiroaki Tanaka | 研磨用組成物及び研磨加工方法 |
| JPH11315273A (ja) * | 1998-05-07 | 1999-11-16 | Hiroaki Tanaka | 研磨組成物及びそれを用いたエッジポリッシング方法 |
| EP0962508A1 (en) * | 1998-06-05 | 1999-12-08 | Fujimi Incorporated | Wafer edge polishing composition |
| JP2000008024A (ja) * | 1998-06-25 | 2000-01-11 | Hiroaki Tanaka | 研磨用組成物及び研磨加工方法 |
| JP2000080350A (ja) * | 1998-09-07 | 2000-03-21 | Speedfam-Ipec Co Ltd | 研磨用組成物及びそれによるポリッシング加工方法 |
| JP2000080349A (ja) * | 1998-09-04 | 2000-03-21 | Speedfam-Ipec Co Ltd | 研磨用組成物およびそれを用いたシリコンウェーハの加工方法 |
| JP2001003036A (ja) * | 1998-06-22 | 2001-01-09 | Fujimi Inc | 研磨用組成物および表面処理用組成物 |
| WO2001006553A1 (en) * | 1999-07-19 | 2001-01-25 | Memc Electronic Materials, Inc. | Polishing mixture and process for reducing the incorporation of copper into silicon wafers |
| JP2001118815A (ja) * | 1999-10-22 | 2001-04-27 | Speedfam Co Ltd | 半導体ウェーハエッジ研磨用研磨組成物及び研磨加工方法 |
| US6338744B1 (en) | 1999-01-11 | 2002-01-15 | Tokuyama Corporation | Polishing slurry and polishing method |
| JP2002201462A (ja) * | 2000-10-23 | 2002-07-19 | Kao Corp | 研磨液組成物 |
| US6447381B1 (en) | 1999-10-21 | 2002-09-10 | Nec Corporation | Polishing apparatus |
| KR20040048561A (ko) * | 2002-12-04 | 2004-06-10 | 나노스피어 주식회사 | 화학기계적 연마제 조성물 |
| JP2004335723A (ja) * | 2003-05-07 | 2004-11-25 | Rodel Nitta Co | 半導体ウェハ研磨用組成物 |
| JP2006080302A (ja) * | 2004-09-09 | 2006-03-23 | Fujimi Inc | 研磨用組成物及びそれを用いた研磨方法 |
| JP2018129397A (ja) * | 2017-02-08 | 2018-08-16 | 株式会社フジミインコーポレーテッド | 研磨用組成物 |
-
1991
- 1991-04-11 JP JP07911091A patent/JP3290189B2/ja not_active Expired - Fee Related
Cited By (26)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH07314324A (ja) * | 1994-05-18 | 1995-12-05 | Memc Electron Materials Inc | 表面粗さを減少させるための半導体ウエハの粗研磨法 |
| US5667567A (en) * | 1994-06-02 | 1997-09-16 | Shin-Etsu Handotai Co., Ltd. | Polishing agent used for polishing silicon wafers and polishing method using the same |
| JPH0982668A (ja) * | 1995-09-20 | 1997-03-28 | Sony Corp | 研磨用スラリー及びこの研磨用スラリーを用いる研磨方法 |
| KR100511843B1 (ko) * | 1995-09-20 | 2005-10-26 | 소니 가부시끼 가이샤 | 연마용슬러리및이연마용슬러리를사용하는연마방법 |
| JPH09174419A (ja) * | 1995-12-14 | 1997-07-08 | Internatl Business Mach Corp <Ibm> | アルミニウムまたはアルミニウム合金の化学機械研磨法 |
| JPH11302635A (ja) * | 1998-04-24 | 1999-11-02 | Hiroaki Tanaka | 研磨用組成物及びそれを使用した研磨方法 |
| JPH11302634A (ja) * | 1998-04-24 | 1999-11-02 | Hiroaki Tanaka | 研磨用組成物及び研磨加工方法 |
| EP0959116A2 (en) * | 1998-04-24 | 1999-11-24 | Speedfam Co., Ltd. | A polishing compound and a method for polishing |
| EP0959116A3 (en) * | 1998-04-24 | 2002-03-06 | Speedfam Co., Ltd. | A polishing compound and a method for polishing |
| JPH11315273A (ja) * | 1998-05-07 | 1999-11-16 | Hiroaki Tanaka | 研磨組成物及びそれを用いたエッジポリッシング方法 |
| EP0962508A1 (en) * | 1998-06-05 | 1999-12-08 | Fujimi Incorporated | Wafer edge polishing composition |
| KR100628019B1 (ko) * | 1998-06-05 | 2006-09-27 | 가부시키가이샤 후지미 인코포레이티드 | 에지 연마 조성물 |
| JP2001003036A (ja) * | 1998-06-22 | 2001-01-09 | Fujimi Inc | 研磨用組成物および表面処理用組成物 |
| JP2000008024A (ja) * | 1998-06-25 | 2000-01-11 | Hiroaki Tanaka | 研磨用組成物及び研磨加工方法 |
| JP2000080349A (ja) * | 1998-09-04 | 2000-03-21 | Speedfam-Ipec Co Ltd | 研磨用組成物およびそれを用いたシリコンウェーハの加工方法 |
| JP2000080350A (ja) * | 1998-09-07 | 2000-03-21 | Speedfam-Ipec Co Ltd | 研磨用組成物及びそれによるポリッシング加工方法 |
| US6338744B1 (en) | 1999-01-11 | 2002-01-15 | Tokuyama Corporation | Polishing slurry and polishing method |
| WO2001006553A1 (en) * | 1999-07-19 | 2001-01-25 | Memc Electronic Materials, Inc. | Polishing mixture and process for reducing the incorporation of copper into silicon wafers |
| US6447381B1 (en) | 1999-10-21 | 2002-09-10 | Nec Corporation | Polishing apparatus |
| JP2001118815A (ja) * | 1999-10-22 | 2001-04-27 | Speedfam Co Ltd | 半導体ウェーハエッジ研磨用研磨組成物及び研磨加工方法 |
| JP2002201462A (ja) * | 2000-10-23 | 2002-07-19 | Kao Corp | 研磨液組成物 |
| KR20040048561A (ko) * | 2002-12-04 | 2004-06-10 | 나노스피어 주식회사 | 화학기계적 연마제 조성물 |
| JP2004335723A (ja) * | 2003-05-07 | 2004-11-25 | Rodel Nitta Co | 半導体ウェハ研磨用組成物 |
| JP4546039B2 (ja) * | 2003-05-07 | 2010-09-15 | ニッタ・ハース株式会社 | 半導体ウェハ研磨用組成物 |
| JP2006080302A (ja) * | 2004-09-09 | 2006-03-23 | Fujimi Inc | 研磨用組成物及びそれを用いた研磨方法 |
| JP2018129397A (ja) * | 2017-02-08 | 2018-08-16 | 株式会社フジミインコーポレーテッド | 研磨用組成物 |
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| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JP3290189B2 (ja) | 2002-06-10 |
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