JPH0885051A - 半導体シリコン基板の面取り部研磨方法 - Google Patents
半導体シリコン基板の面取り部研磨方法Info
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- JPH0885051A JPH0885051A JP24723594A JP24723594A JPH0885051A JP H0885051 A JPH0885051 A JP H0885051A JP 24723594 A JP24723594 A JP 24723594A JP 24723594 A JP24723594 A JP 24723594A JP H0885051 A JPH0885051 A JP H0885051A
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- H01L21/02005—Preparing bulk and homogeneous wafers
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Abstract
(57)【要約】
【目的】 裏面に酸化シリコン層を有する半導体シリコ
ン基板において、前記酸化シリコン層のエッジレリーフ
と面取り部の鏡面研磨とを同時に実施できるようにす
る。 【構成】 研磨装置に取り付けられて回転するバフ２の
軸心に対して半導体シリコン基板１を所定の面取り角θ
だけ傾けて回転させつつバフ２に押しつけ、一側の面取
り部を鏡面研磨した後、前記基板１を反転させて他側の
面取り部を鏡面研磨する。使用する研磨液は、コロイダ
ルシリカの平均粒子径を５０〜１５０ｎｍ、ｐＨを１０
〜１１、２０°Ｃにおける比重を１〜１．５、濃度を３
０〜５０ｗｔ％とし、砥粒の径と数を増すことにより、
化学的研磨よりも機械的研磨を主体とする。これによ
り、従来から困難とされていた酸化シリコン層のエッジ
部分の除去が可能となる。バフの外周に前記基板の面取
り部形状と一致する溝を設け、この溝に前記基板を押し
付けて両面を同時に研磨してもよい。
ン基板において、前記酸化シリコン層のエッジレリーフ
と面取り部の鏡面研磨とを同時に実施できるようにす
る。 【構成】 研磨装置に取り付けられて回転するバフ２の
軸心に対して半導体シリコン基板１を所定の面取り角θ
だけ傾けて回転させつつバフ２に押しつけ、一側の面取
り部を鏡面研磨した後、前記基板１を反転させて他側の
面取り部を鏡面研磨する。使用する研磨液は、コロイダ
ルシリカの平均粒子径を５０〜１５０ｎｍ、ｐＨを１０
〜１１、２０°Ｃにおける比重を１〜１．５、濃度を３
０〜５０ｗｔ％とし、砥粒の径と数を増すことにより、
化学的研磨よりも機械的研磨を主体とする。これによ
り、従来から困難とされていた酸化シリコン層のエッジ
部分の除去が可能となる。バフの外周に前記基板の面取
り部形状と一致する溝を設け、この溝に前記基板を押し
付けて両面を同時に研磨してもよい。
Description
【０００１】
【産業上の利用分野】本発明は、半導体シリコン基板の
面取り部研磨方法に関する。
面取り部研磨方法に関する。
【０００２】
【従来の技術】半導体シリコン基板の表面にエピタキシ
ャル成長による薄膜を形成させる場合、エピタキシャル
成長中に基板内の不純物が前記成長層内で再分布するオ
ートドーピングを防止するため、エピタキシャル成長工
程に先立ち、図６（ａ）に示すように、前記シリコン基
板１の裏面にたとえば常圧ＣＶＤなどにより酸化シリコ
ン（ＳｉＯ2 ）層１ａを形成している。この酸化シリコ
ン層１ａは、半導体シリコン基板１の裏側の平面部のみ
ならず周縁の面取り部も被覆している。前記面取り部に
酸化シリコン層１ａが形成されていると、エピタキシャ
ル成長中にノジュールが発生しやすい。ノジュールと
は、半導体シリコン基板１の周縁部形状、表面アラサな
どによってエピタキシャル成長時に生じる異常成長物で
あり、デバイス工程で欠落してパーティクル要因とな
る。そこで、前記面取り部を被覆している酸化シリコン
層を除去するため、エッジレリーフを行う。エッジレリ
ーフ工程は図６（ｂ）に示すように、半導体シリコン基
板１の酸化シリコン層１ａに前記シリコン基板の裏面形
状よりやや小さめの保護テープ５を貼り付けて酸化シリ
コン層１ａを保護し、周縁部を露出した状態とした上、
図６（ｃ）に示すようにフッ酸などのエッチング液を用
いて半導体シリコン基板１を洗浄し、周縁部の酸化シリ
コン層を除去する工程である。半導体シリコン基板の裏
面にエクストリンシックゲッタリングのためのポリシリ
コン層などと酸化シリコン層とが形成されている場合
は、半導体シリコン基板周縁部のポリシリコン層などと
酸化シリコン層とをともに除去する。次いで前記保護テ
ープを剥がし、面取り部に鏡面研磨を施した上、半導体
シリコン基板を洗浄する。
ャル成長による薄膜を形成させる場合、エピタキシャル
成長中に基板内の不純物が前記成長層内で再分布するオ
ートドーピングを防止するため、エピタキシャル成長工
程に先立ち、図６（ａ）に示すように、前記シリコン基
板１の裏面にたとえば常圧ＣＶＤなどにより酸化シリコ
ン（ＳｉＯ2 ）層１ａを形成している。この酸化シリコ
ン層１ａは、半導体シリコン基板１の裏側の平面部のみ
ならず周縁の面取り部も被覆している。前記面取り部に
酸化シリコン層１ａが形成されていると、エピタキシャ
ル成長中にノジュールが発生しやすい。ノジュールと
は、半導体シリコン基板１の周縁部形状、表面アラサな
どによってエピタキシャル成長時に生じる異常成長物で
あり、デバイス工程で欠落してパーティクル要因とな
る。そこで、前記面取り部を被覆している酸化シリコン
層を除去するため、エッジレリーフを行う。エッジレリ
ーフ工程は図６（ｂ）に示すように、半導体シリコン基
板１の酸化シリコン層１ａに前記シリコン基板の裏面形
状よりやや小さめの保護テープ５を貼り付けて酸化シリ
コン層１ａを保護し、周縁部を露出した状態とした上、
図６（ｃ）に示すようにフッ酸などのエッチング液を用
いて半導体シリコン基板１を洗浄し、周縁部の酸化シリ
コン層を除去する工程である。半導体シリコン基板の裏
面にエクストリンシックゲッタリングのためのポリシリ
コン層などと酸化シリコン層とが形成されている場合
は、半導体シリコン基板周縁部のポリシリコン層などと
酸化シリコン層とをともに除去する。次いで前記保護テ
ープを剥がし、面取り部に鏡面研磨を施した上、半導体
シリコン基板を洗浄する。
【０００３】
【発明が解決しようとする課題】近年、半導体シリコン
基板周縁の面取り部に対しても鏡面研磨加工が要求され
るようになった。しかし、裏面に酸化シリコン層を形成
した上記半導体シリコン基板の場合は、ＣＶＤ後のエッ
ジレリーフと面取り部の鏡面研磨とを別々に行わなけれ
ばならないため、２種類の設備を必要とするとともに、
工程数も増加することになる。また、エッジレリーフ工
程で半導体シリコン基板に貼り付ける保護テープは使い
捨てであり、コストアップの一因となる。更に、エッジ
レリーフと鏡面研磨とで２回の洗浄を必要としている。
基板周縁の面取り部に対しても鏡面研磨加工が要求され
るようになった。しかし、裏面に酸化シリコン層を形成
した上記半導体シリコン基板の場合は、ＣＶＤ後のエッ
ジレリーフと面取り部の鏡面研磨とを別々に行わなけれ
ばならないため、２種類の設備を必要とするとともに、
工程数も増加することになる。また、エッジレリーフ工
程で半導体シリコン基板に貼り付ける保護テープは使い
捨てであり、コストアップの一因となる。更に、エッジ
レリーフと鏡面研磨とで２回の洗浄を必要としている。
【０００４】半導体シリコン基板の面取り部を鏡面研磨
する場合、研磨剤としてコロイダルシリカが使われてい
る。しかし、半導体シリコン基板に形成されている酸化
シリコン層はコロイダルシリカでは除去困難といわれて
いる。図７は、半導体シリコン基板の酸化シリコン層
（ＳｉＯ2 部分）と酸化シリコン層以外の部分（Ｓｉ部
分）とについて、一定時間におけるコロイダルシリカに
よる研磨量の調査結果を示したものである。Ｓｉ部分の
研磨量（図中のＡ）は研磨液のｐＨの変化に対応して変
化し、化学的研磨＋機械的研磨の効果が現れるが、Ｓｉ
Ｏ2 部分の研磨量（図中のＢ）はＳｉ部分の１／２以下
であり、ｐＨの変化にかかわらず一定である。この結果
から、酸化シリコン層に対しては化学的研磨効果は期待
できず、機械的研磨のみに依存せざるを得ないことが分
かる。なお、砥粒としてＳｉＣを用いれば酸化シリコン
層の除去は容易であるが、半導体シリコン基板の表面を
荒らしてしまい、鏡面に仕上げることができない。
する場合、研磨剤としてコロイダルシリカが使われてい
る。しかし、半導体シリコン基板に形成されている酸化
シリコン層はコロイダルシリカでは除去困難といわれて
いる。図７は、半導体シリコン基板の酸化シリコン層
（ＳｉＯ2 部分）と酸化シリコン層以外の部分（Ｓｉ部
分）とについて、一定時間におけるコロイダルシリカに
よる研磨量の調査結果を示したものである。Ｓｉ部分の
研磨量（図中のＡ）は研磨液のｐＨの変化に対応して変
化し、化学的研磨＋機械的研磨の効果が現れるが、Ｓｉ
Ｏ2 部分の研磨量（図中のＢ）はＳｉ部分の１／２以下
であり、ｐＨの変化にかかわらず一定である。この結果
から、酸化シリコン層に対しては化学的研磨効果は期待
できず、機械的研磨のみに依存せざるを得ないことが分
かる。なお、砥粒としてＳｉＣを用いれば酸化シリコン
層の除去は容易であるが、半導体シリコン基板の表面を
荒らしてしまい、鏡面に仕上げることができない。
【０００５】本発明は上記従来の問題点に着目してなさ
れたもので、裏面に酸化シリコン層および／またはエク
ストリンシックゲッタリング層を有する半導体シリコン
基板における前記酸化シリコン層および／またはエクス
トリンシックゲッタリング層のエッジレリーフと、面取
り部の鏡面研磨とを１工程で同時に行うことができるよ
うな半導体シリコン基板の面取り部研磨方法を提供する
ことを目的としている。
れたもので、裏面に酸化シリコン層および／またはエク
ストリンシックゲッタリング層を有する半導体シリコン
基板における前記酸化シリコン層および／またはエクス
トリンシックゲッタリング層のエッジレリーフと、面取
り部の鏡面研磨とを１工程で同時に行うことができるよ
うな半導体シリコン基板の面取り部研磨方法を提供する
ことを目的としている。
【０００６】
【課題を解決するための手段】上記目的を達成するた
め、本発明に係る半導体シリコン基板の面取り部研磨方
法は、酸化シリコン層および／またはエクストリンシッ
クゲッタリング層を有する半導体シリコン基板周縁の面
取り部を鏡面研磨する半導体シリコン基板の面取り部研
磨において、半導体シリコン基板とバフとを回転させつ
つ前記シリコン基板の周縁部をバフに押し付け、研磨部
分にコロイダルシリカを含む研磨液を供給しつつ前記面
取り部を鏡面研磨する構成とし、このような構成におい
て、研磨液を構成するコロイダルシリカの平均粒子径を
５０〜１５０ｎｍ、研磨液のｐＨを１０〜１１、２０°
Ｃにおける比重を１〜１．５、濃度を３０〜５０ｗｔ％
とすることを特徴としている。前記面取り部研磨に当た
り、研磨装置に取り付けられて回転するバフの軸心に対
して半導体シリコン基板を所定の面取り角度θだけ傾け
て一側の面取り部を鏡面研磨し、次に前記半導体シリコ
ン基板を反転させて他側の面取り部を鏡面研磨する方法
でもよく、研磨装置に取り付けられて回転するバフの外
周に断面がＶ字状またはＵ字状の溝を設け、半導体シリ
コン基板の面取り部を前記バフの溝に押し付け、表裏両
面の面取り部を同時に鏡面研磨する方法、あるいは、研
磨装置に取り付けられて回転するバフの外周に、断面が
Ｖ字状またはＵ字状の溝と、前記溝に連なる外側に更に
大きなＶ字状またはＵ字状の開口部とを設け、前記開口
部からＶ字状またはＵ字状の溝内に研磨液を供給しつつ
半導体シリコン基板の面取り部を鏡面研磨する方法でも
よい。
め、本発明に係る半導体シリコン基板の面取り部研磨方
法は、酸化シリコン層および／またはエクストリンシッ
クゲッタリング層を有する半導体シリコン基板周縁の面
取り部を鏡面研磨する半導体シリコン基板の面取り部研
磨において、半導体シリコン基板とバフとを回転させつ
つ前記シリコン基板の周縁部をバフに押し付け、研磨部
分にコロイダルシリカを含む研磨液を供給しつつ前記面
取り部を鏡面研磨する構成とし、このような構成におい
て、研磨液を構成するコロイダルシリカの平均粒子径を
５０〜１５０ｎｍ、研磨液のｐＨを１０〜１１、２０°
Ｃにおける比重を１〜１．５、濃度を３０〜５０ｗｔ％
とすることを特徴としている。前記面取り部研磨に当た
り、研磨装置に取り付けられて回転するバフの軸心に対
して半導体シリコン基板を所定の面取り角度θだけ傾け
て一側の面取り部を鏡面研磨し、次に前記半導体シリコ
ン基板を反転させて他側の面取り部を鏡面研磨する方法
でもよく、研磨装置に取り付けられて回転するバフの外
周に断面がＶ字状またはＵ字状の溝を設け、半導体シリ
コン基板の面取り部を前記バフの溝に押し付け、表裏両
面の面取り部を同時に鏡面研磨する方法、あるいは、研
磨装置に取り付けられて回転するバフの外周に、断面が
Ｖ字状またはＵ字状の溝と、前記溝に連なる外側に更に
大きなＶ字状またはＵ字状の開口部とを設け、前記開口
部からＶ字状またはＵ字状の溝内に研磨液を供給しつつ
半導体シリコン基板の面取り部を鏡面研磨する方法でも
よい。
【０００７】
【作用】上記構成によれば、酸化シリコン層および／ま
たはエクストリンシックゲッタリング層を有する半導体
シリコン基板の面取り部をバフに押しつけて鏡面研磨す
るに当たり、研磨部分に供給する研磨液に含まれるコロ
イダルシリカの平均粒子径を従来より大きくするととも
に、粒子数を増加させたので、前記研磨液は機械的研磨
を主体とするものになる。従って、従来から使用してい
る化学的研磨性に機械的研磨性を加味した研磨液では除
去することが困難であった酸化シリコン層を容易に除去
することができ、前記酸化シリコン層および／またはエ
クストリンシックゲッタリング層のエッジレリーフと面
取り部の鏡面研磨とを同時に行うことができる。
たはエクストリンシックゲッタリング層を有する半導体
シリコン基板の面取り部をバフに押しつけて鏡面研磨す
るに当たり、研磨部分に供給する研磨液に含まれるコロ
イダルシリカの平均粒子径を従来より大きくするととも
に、粒子数を増加させたので、前記研磨液は機械的研磨
を主体とするものになる。従って、従来から使用してい
る化学的研磨性に機械的研磨性を加味した研磨液では除
去することが困難であった酸化シリコン層を容易に除去
することができ、前記酸化シリコン層および／またはエ
クストリンシックゲッタリング層のエッジレリーフと面
取り部の鏡面研磨とを同時に行うことができる。
【０００８】
【実施例】以下に、本発明に係る半導体シリコン基板の
面取り部研磨方法の実施例について、図面を参照して説
明する。図１は、半導体シリコン基板の面取り部研磨方
法の第１実施例を示す説明図である。半導体シリコン基
板１の裏面にはＣＶＤ処理による酸化シリコン層（Ｓｉ
Ｏ2 ）１ａが形成され、図示しない鏡面研磨機に傾斜角
θで取り付けられていて回転駆動する。前記傾斜角θは
半導体シリコン基板１の面取り角として指定された角度
である。同じく鏡面研磨機に取り付けられた円筒状のバ
フ２は、軸心を垂直にして回転駆動する。半導体シリコ
ン基板１とバフ２とは互いに回転しながら前記半導体シ
リコン基板１がバフ２に押し付けられる。３は研磨液を
供給するノズルで、コロイダルシリカを含む研磨液が前
記ノズル３から半導体シリコン基板１とバフ２との接触
部に流し込まれることにより、酸化シリコン層のエッジ
レリーフと面取り部の鏡面研磨とが同時に行われる。エ
ッジレリーフおよび鏡面研磨が完了したら、半導体シリ
コン基板１の上下を反転して他側の面の面取り部の鏡面
研磨を行う。最後に半導体シリコン基板を洗浄してコロ
イダルシリカなどを除去する。
面取り部研磨方法の実施例について、図面を参照して説
明する。図１は、半導体シリコン基板の面取り部研磨方
法の第１実施例を示す説明図である。半導体シリコン基
板１の裏面にはＣＶＤ処理による酸化シリコン層（Ｓｉ
Ｏ2 ）１ａが形成され、図示しない鏡面研磨機に傾斜角
θで取り付けられていて回転駆動する。前記傾斜角θは
半導体シリコン基板１の面取り角として指定された角度
である。同じく鏡面研磨機に取り付けられた円筒状のバ
フ２は、軸心を垂直にして回転駆動する。半導体シリコ
ン基板１とバフ２とは互いに回転しながら前記半導体シ
リコン基板１がバフ２に押し付けられる。３は研磨液を
供給するノズルで、コロイダルシリカを含む研磨液が前
記ノズル３から半導体シリコン基板１とバフ２との接触
部に流し込まれることにより、酸化シリコン層のエッジ
レリーフと面取り部の鏡面研磨とが同時に行われる。エ
ッジレリーフおよび鏡面研磨が完了したら、半導体シリ
コン基板１の上下を反転して他側の面の面取り部の鏡面
研磨を行う。最後に半導体シリコン基板を洗浄してコロ
イダルシリカなどを除去する。
【０００９】従来から、コロイダルシリカで酸化シリコ
ン層を除去することは極めて困難と考えられていたが、
本発明では表１に示すように砥粒の平均粒子径を従来の
３０ｎｍ前後から５０〜１５０ｎｍと大きくするととも
に、砥粒の濃度を３０〜５０ｗｔ％に高め、化学的研磨
よりも機械的研磨に重点を置くことによってこれを解決
した。砥粒径を大きくしてもシリコン層の適切な研磨は
可能であり、本実施例の研磨液を用いて酸化シリコン層
のエッジレリーフと面取り部の鏡面研磨とを同時に行っ
た半導体シリコン基板においては、エピタキシャル成長
時のノジュール発生は見られなかった。また図２に示す
ように、半導体シリコン基板１の裏面にエクストリンシ
ックゲッタリング層１ｂと酸化シリコン層１ａとを有す
る３層構成の半導体シリコン基板であっても、前記両層
のエッジレリーフと面取り部の鏡面研磨とを問題なく実
行することができる。
ン層を除去することは極めて困難と考えられていたが、
本発明では表１に示すように砥粒の平均粒子径を従来の
３０ｎｍ前後から５０〜１５０ｎｍと大きくするととも
に、砥粒の濃度を３０〜５０ｗｔ％に高め、化学的研磨
よりも機械的研磨に重点を置くことによってこれを解決
した。砥粒径を大きくしてもシリコン層の適切な研磨は
可能であり、本実施例の研磨液を用いて酸化シリコン層
のエッジレリーフと面取り部の鏡面研磨とを同時に行っ
た半導体シリコン基板においては、エピタキシャル成長
時のノジュール発生は見られなかった。また図２に示す
ように、半導体シリコン基板１の裏面にエクストリンシ
ックゲッタリング層１ｂと酸化シリコン層１ａとを有す
る３層構成の半導体シリコン基板であっても、前記両層
のエッジレリーフと面取り部の鏡面研磨とを問題なく実
行することができる。
【００１０】
【表１】
【００１１】図３は研磨液を構成する砥粒（コロイダル
シリカ）と水との調合比をそれぞれ１：１０，１：５，
１：１〜２とし、研磨時間を２分としたときの酸化シリ
コン層除去率を示すグラフである。前記調合比を１：１
〜２、すなわち砥粒濃度を３０〜５０ｗｔ％とすること
により、２分間の研磨で酸化シリコン層を完全に除去す
ることができる。
シリカ）と水との調合比をそれぞれ１：１０，１：５，
１：１〜２とし、研磨時間を２分としたときの酸化シリ
コン層除去率を示すグラフである。前記調合比を１：１
〜２、すなわち砥粒濃度を３０〜５０ｗｔ％とすること
により、２分間の研磨で酸化シリコン層を完全に除去す
ることができる。
【００１２】図４は、裏面に酸化シリコン層を有する半
導体シリコン基板の面取り部研磨方法の第２実施例を示
す説明図で、円筒状のバフ４の外周面には半導体シリコ
ン基板１の面取り部形状に合わせたＶ字状の溝４ａが設
けられている。前記バフ４は第１実施例で使用するバフ
より硬いものとする。バフ４と半導体シリコン基板１と
を互いに回転駆動させながら溝４ａに半導体シリコン基
板１の外縁を押し込むことにより、半導体シリコン基板
両面の面取り部の鏡面研磨と酸化シリコン層のエッジレ
リーフとを同時に行う。研磨液は表１に記載したものを
使用し、バフ４の外周近傍に設置されたノズル３から供
給される。
導体シリコン基板の面取り部研磨方法の第２実施例を示
す説明図で、円筒状のバフ４の外周面には半導体シリコ
ン基板１の面取り部形状に合わせたＶ字状の溝４ａが設
けられている。前記バフ４は第１実施例で使用するバフ
より硬いものとする。バフ４と半導体シリコン基板１と
を互いに回転駆動させながら溝４ａに半導体シリコン基
板１の外縁を押し込むことにより、半導体シリコン基板
両面の面取り部の鏡面研磨と酸化シリコン層のエッジレ
リーフとを同時に行う。研磨液は表１に記載したものを
使用し、バフ４の外周近傍に設置されたノズル３から供
給される。
【００１３】図５は、裏面に酸化シリコン層を有する半
導体シリコン基板の面取り部研磨方法の第３実施例を示
す説明図で、円筒状のバフ４の外周には半導体シリコン
基板１の面取り部形状に合わせたＶ字状の溝４ａと、前
記バフ４の外周面に開口し、溝４ａに連続するほぼＶ字
状またはＵ字状の溝４ｂとが設けられている。バフ４の
外周近傍に設置されたノズル３から供給される研磨液は
表１に記載したものを使用し、前記溝４ｂを介して溝４
ａに流入する。なお、前記第２実施例（図４参照）およ
び第３実施例（図５参照）において、半導体シリコン基
板１を回転駆動させつつ水平方向に定期的に往復動させ
ることによって、前記半導体シリコン基板面取り部への
研磨液供給の一層の円滑化を図ってもよい。
導体シリコン基板の面取り部研磨方法の第３実施例を示
す説明図で、円筒状のバフ４の外周には半導体シリコン
基板１の面取り部形状に合わせたＶ字状の溝４ａと、前
記バフ４の外周面に開口し、溝４ａに連続するほぼＶ字
状またはＵ字状の溝４ｂとが設けられている。バフ４の
外周近傍に設置されたノズル３から供給される研磨液は
表１に記載したものを使用し、前記溝４ｂを介して溝４
ａに流入する。なお、前記第２実施例（図４参照）およ
び第３実施例（図５参照）において、半導体シリコン基
板１を回転駆動させつつ水平方向に定期的に往復動させ
ることによって、前記半導体シリコン基板面取り部への
研磨液供給の一層の円滑化を図ってもよい。
【００１４】前記第１〜第３の各実施例による面取り部
鏡面研磨を施した半導体シリコン基板に厚さ６μｍのエ
ピタキシャル成長を行ったが、いずれの基板にもノジュ
ールは発生せず、エッジレリーフ効果は従来方法による
エッジレリーフと同等であることが判明した。また、本
実施例による研磨を行った場合、従来のエッジレリーフ
に比べて酸化シリコン層が半導体シリコン基板周縁部を
十分に被覆しているので、エピタキシャル成長時のオー
トドーピング防止効果が大きい。
鏡面研磨を施した半導体シリコン基板に厚さ６μｍのエ
ピタキシャル成長を行ったが、いずれの基板にもノジュ
ールは発生せず、エッジレリーフ効果は従来方法による
エッジレリーフと同等であることが判明した。また、本
実施例による研磨を行った場合、従来のエッジレリーフ
に比べて酸化シリコン層が半導体シリコン基板周縁部を
十分に被覆しているので、エピタキシャル成長時のオー
トドーピング防止効果が大きい。
【００１５】
【発明の効果】以上説明したように本発明によれば、酸
化シリコン層および／またはエクストリンシックゲッタ
リング層を有する半導体シリコン基板周縁の面取り部を
鏡面研磨するに当たり、前記シリコン基板をバフの外周
に対して指定面取り角だけ傾けて押し付け、あるいは前
記バフに指定面取り形状と一致するＶ字状またはＵ字状
の溝を設けて前記シリコン基板をこの溝に押し付けるこ
とによって、前記酸化シリコン層および／またはエクス
トリンシックゲッタリング層のエッジレリーフと面取り
部の鏡面研磨とを同時に行うことにした。この場合、研
磨部分に供給する研磨液に含まれるコロイダルシリカの
平均粒子径と粒子数とを増大することによって、化学的
研磨性よりも機械的研磨性に重点を置いた研磨方法とし
たので、従来、コロイダルシリカでは極めて困難とされ
ていた酸化シリコン層のエッジレリーフが可能となり、
かつ、前記エッジレリーフと面取り部の鏡面研磨とを１
工程で同時に行うことができる。従って、半導体シリコ
ン基板の面取り部の鏡面研磨加工能率を向上させること
ができるとともに、原価低減が可能となる。
化シリコン層および／またはエクストリンシックゲッタ
リング層を有する半導体シリコン基板周縁の面取り部を
鏡面研磨するに当たり、前記シリコン基板をバフの外周
に対して指定面取り角だけ傾けて押し付け、あるいは前
記バフに指定面取り形状と一致するＶ字状またはＵ字状
の溝を設けて前記シリコン基板をこの溝に押し付けるこ
とによって、前記酸化シリコン層および／またはエクス
トリンシックゲッタリング層のエッジレリーフと面取り
部の鏡面研磨とを同時に行うことにした。この場合、研
磨部分に供給する研磨液に含まれるコロイダルシリカの
平均粒子径と粒子数とを増大することによって、化学的
研磨性よりも機械的研磨性に重点を置いた研磨方法とし
たので、従来、コロイダルシリカでは極めて困難とされ
ていた酸化シリコン層のエッジレリーフが可能となり、
かつ、前記エッジレリーフと面取り部の鏡面研磨とを１
工程で同時に行うことができる。従って、半導体シリコ
ン基板の面取り部の鏡面研磨加工能率を向上させること
ができるとともに、原価低減が可能となる。
【図１】本発明に係る半導体シリコン基板の面取り部研
磨方法の第１実施例を示す説明図である。
磨方法の第１実施例を示す説明図である。
【図２】裏面にエクストリンシックゲッタリング層と酸
化シリコン層とを有する３層構成の半導体シリコン基板
の部分断面模式図である。
化シリコン層とを有する３層構成の半導体シリコン基板
の部分断面模式図である。
【図３】研磨液を構成する砥粒と水との調合比と、酸化
シリコン層除去率との関係を示すグラフである。
シリコン層除去率との関係を示すグラフである。
【図４】本発明に係る半導体シリコン基板の面取り部研
磨方法の第２実施例を示す説明図である。
磨方法の第２実施例を示す説明図である。
【図５】本発明に係る半導体シリコン基板の面取り部研
磨方法の第３実施例を示す説明図である。
磨方法の第３実施例を示す説明図である。
【図６】従来のエッジレリーフの手順を示す説明図で、
（ａ）は裏面に酸化シリコン層を形成させた半導体シリ
コン基板、（ｂ）は前記酸化シリコン層に保護テープを
貼り付けた状態、（ｃ）はフッ酸洗浄後の状態をそれぞ
れ示す。
（ａ）は裏面に酸化シリコン層を形成させた半導体シリ
コン基板、（ｂ）は前記酸化シリコン層に保護テープを
貼り付けた状態、（ｃ）はフッ酸洗浄後の状態をそれぞ
れ示す。
【図７】半導体シリコン基板の酸化シリコン層の部分と
酸化シリコン層のない部分とについて、一定時間におけ
る研磨量の比較結果を示したグラフである。
酸化シリコン層のない部分とについて、一定時間におけ
る研磨量の比較結果を示したグラフである。
１ 半導体シリコン基板 １ａ 酸化シリコン層 １ｂ エクストリンシックゲッタリング層 ２，４ バフ ４ａ，４ｂ 溝
Claims (5)
- 【請求項１】 酸化シリコン層および／またはエクスト
リンシックゲッタリング層を有する半導体シリコン基板
周縁の面取り部を鏡面研磨する半導体シリコン基板の面
取り部研磨において、半導体シリコン基板をバフとを回
転させつつ前記シリコン基板の周縁部をバフに押し付
け、研磨部分にコロイダルシリカを含む研磨液を供給し
つつ前記面取り部を鏡面研磨することを特徴とする半導
体シリコン基板の面取り部研磨方法。 - 【請求項２】 研磨液を構成するコロイダルシリカの平
均粒子径を５０〜１５０ｎｍ、研磨液のｐＨを１０〜１
１、２０°Ｃにおける比重を１〜１．５、濃度を３０〜
５０ｗｔ％とすることを特徴とする請求項１の半導体シ
リコン基板の面取り部研磨方法。 - 【請求項３】 研磨装置に取り付けられて回転するバフ
の軸心に対して半導体シリコン基板を所定の面取り角度
θだけ傾けて一側の面取り部を鏡面研磨し、次に前記半
導体シリコン基板を反転させて他側の面取り部を鏡面研
磨することを特徴とする請求項１の半導体シリコン基板
の面取り部研磨方法。 - 【請求項４】 研磨装置に取り付けられて回転するバフ
の外周に断面がＶ字状またはＵ字状の溝を設け、半導体
シリコン基板の面取り部を前記バフの溝に押し付け、表
裏両面の面取り部を同時に鏡面研磨することを特徴とす
る請求項１の半導体シリコン基板の面取り部研磨方法。 - 【請求項５】 研磨装置に取り付けられて回転するバフ
の外周に、断面がＶ字状またはＵ字状の溝と、前記溝に
連なる外側に更に大きなＶ字状またはＵ字状の開口部と
を設け、前記開口部からＶ字状またはＵ字状の溝内に研
磨液を供給しつつ半導体シリコン基板の面取り部を鏡面
研磨することを特徴とする請求項１の半導体シリコン基
板の面取り部研磨方法。
Priority Applications (3)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP24723594A JPH0885051A (ja) | 1994-09-14 | 1994-09-14 | 半導体シリコン基板の面取り部研磨方法 |
| TW084113262A TW338836B (en) | 1994-09-14 | 1995-12-13 | Polishing method for chamfering portion of a semiconductor silicon substrate |
| US08/627,012 US5866477A (en) | 1994-09-14 | 1996-04-03 | Method of polishing a chamfered portion of a semiconductor silicon substrate |
Applications Claiming Priority (2)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP24723594A JPH0885051A (ja) | 1994-09-14 | 1994-09-14 | 半導体シリコン基板の面取り部研磨方法 |
| US08/627,012 US5866477A (en) | 1994-09-14 | 1996-04-03 | Method of polishing a chamfered portion of a semiconductor silicon substrate |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH0885051A true JPH0885051A (ja) | 1996-04-02 |
Family
ID=26538160
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP24723594A Pending JPH0885051A (ja) | 1994-09-14 | 1994-09-14 | 半導体シリコン基板の面取り部研磨方法 |
Country Status (2)
| Country | Link |
|---|---|
| US (1) | US5866477A (ja) |
| JP (1) | JPH0885051A (ja) |
Cited By (12)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH11315273A (ja) * | 1998-05-07 | 1999-11-16 | Hiroaki Tanaka | 研磨組成物及びそれを用いたエッジポリッシング方法 |
| JP2000080350A (ja) * | 1998-09-07 | 2000-03-21 | Speedfam-Ipec Co Ltd | 研磨用組成物及びそれによるポリッシング加工方法 |
| JP2000190191A (ja) * | 1998-12-25 | 2000-07-11 | Disco Abrasive Syst Ltd | 半導体ウェ―ハの加工方法 |
| JP2001118815A (ja) * | 1999-10-22 | 2001-04-27 | Speedfam Co Ltd | 半導体ウェーハエッジ研磨用研磨組成物及び研磨加工方法 |
| KR20010078289A (ko) * | 2000-02-03 | 2001-08-20 | 게르트 켈러 | 연마에지를 가진 반도체웨이퍼의 제조방법 |
| US6361708B1 (en) * | 1997-05-14 | 2002-03-26 | Nec Corporation | Method and apparatus for polishing a metal film |
| US6422930B2 (en) | 2000-04-25 | 2002-07-23 | Speedfam Co., Ltd. | Apparatus for removing deposited film |
| JP2003146757A (ja) * | 2001-11-08 | 2003-05-21 | Bridgestone Corp | 炭化ケイ素焼結体の洗浄方法及び洗浄液 |
| WO2006070607A1 (ja) * | 2004-12-28 | 2006-07-06 | Shin-Etsu Handotai Co., Ltd. | シリコンウエーハの研磨方法および製造方法および円板状ワークの研磨装置ならびにシリコンウエーハ |
| JP2011091143A (ja) * | 2009-10-21 | 2011-05-06 | Sumco Corp | シリコンエピタキシャルウェーハの製造方法 |
| CN103659468A (zh) * | 2013-12-09 | 2014-03-26 | 天津中环领先材料技术有限公司 | 一种减少单晶硅晶圆抛光片化学灼伤的有蜡抛光方法 |
| JP2019118981A (ja) * | 2017-12-28 | 2019-07-22 | 富士紡ホールディングス株式会社 | 研磨パッド |
Families Citing this family (10)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US6267649B1 (en) | 1999-08-23 | 2001-07-31 | Industrial Technology Research Institute | Edge and bevel CMP of copper wafer |
| JP2001205549A (ja) | 2000-01-25 | 2001-07-31 | Speedfam Co Ltd | 基板エッジ部の片面研磨方法およびその装置 |
| WO2001096065A1 (fr) * | 2000-06-13 | 2001-12-20 | Shin-Etsu Handotai Co., Ltd. | Procede de polissage de pieces |
| JP2005262406A (ja) * | 2004-03-19 | 2005-09-29 | Toshiba Corp | 研磨装置および半導体装置の製造方法 |
| JP4486003B2 (ja) * | 2005-07-07 | 2010-06-23 | 大日本スクリーン製造株式会社 | 基板洗浄ブラシ、ならびにこれを用いた基板処理装置および基板処理方法 |
| US7559825B2 (en) * | 2006-12-21 | 2009-07-14 | Memc Electronic Materials, Inc. | Method of polishing a semiconductor wafer |
| US20090142916A1 (en) * | 2007-11-29 | 2009-06-04 | Qimonda Ag | Apparatus and method of manufacturing an integrated circuit |
| EP2378549A1 (en) | 2010-04-06 | 2011-10-19 | S.O.I.Tec Silicon on Insulator Technologies | Method for manufacturing a semiconductor substrate |
| EP3567138B1 (en) | 2018-05-11 | 2020-03-25 | SiCrystal GmbH | Chamfered silicon carbide substrate and method of chamfering |
| EP3567139B1 (en) | 2018-05-11 | 2021-04-07 | SiCrystal GmbH | Chamfered silicon carbide substrate and method of chamfering |
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|---|---|---|---|---|
| US5226930A (en) * | 1988-06-03 | 1993-07-13 | Monsanto Japan, Ltd. | Method for preventing agglomeration of colloidal silica and silicon wafer polishing composition using the same |
| US5527215A (en) * | 1992-01-10 | 1996-06-18 | Schlegel Corporation | Foam buffing pad having a finishing surface with a splash reducing configuration |
| JP2832138B2 (ja) * | 1993-09-30 | 1998-12-02 | 信越半導体株式会社 | ウェーハ外周部の研磨装置 |
-
1994
- 1994-09-14 JP JP24723594A patent/JPH0885051A/ja active Pending
-
1996
- 1996-04-03 US US08/627,012 patent/US5866477A/en not_active Expired - Fee Related
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Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| US5866477A (en) | 1999-02-02 |
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