JPH11297647A - 化学的機械研磨液の供給方法および装置 - Google Patents
化学的機械研磨液の供給方法および装置Info
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- JPH11297647A JPH11297647A JP10510498A JP10510498A JPH11297647A JP H11297647 A JPH11297647 A JP H11297647A JP 10510498 A JP10510498 A JP 10510498A JP 10510498 A JP10510498 A JP 10510498A JP H11297647 A JPH11297647 A JP H11297647A
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-
- B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
- B24—GRINDING; POLISHING
- B24B—MACHINES, DEVICES, OR PROCESSES FOR GRINDING OR POLISHING; DRESSING OR CONDITIONING OF ABRADING SURFACES; FEEDING OF GRINDING, POLISHING, OR LAPPING AGENTS
- B24B57/00—Devices for feeding, applying, grading or recovering grinding, polishing or lapping agents
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-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
- H01L21/02—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
- H01L21/04—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having potential barriers, e.g. a PN junction, depletion layer or carrier concentration layer
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- H01L21/30—Treatment of semiconductor bodies using processes or apparatus not provided for in groups H01L21/20 - H01L21/26
- H01L21/31—Treatment of semiconductor bodies using processes or apparatus not provided for in groups H01L21/20 - H01L21/26 to form insulating layers thereon, e.g. for masking or by using photolithographic techniques; After treatment of these layers; Selection of materials for these layers
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- H01L21/321—After treatment
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- H01L21/3212—Planarisation by chemical mechanical polishing [CMP]
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Abstract
(57)【要約】
【課題】 金属を添加せずに酸化力を向上させた研磨液
の使用を可能とし、汚染を引き起こすことなく、新たな
洗浄技術も必要としない化学的機械研磨液の供給方法お
よび装置を提供することを目的とする。 【解決手段】 半導体基板表面の化学的機械研磨方法に
おいて、研磨粒子と過酸化水素を含む溶液に波長150
nm〜320nmの紫外線を照射した後直ちに基板表面
に塗布研磨とする化学的機械研磨液の供給方法および研
磨溶液活性化システムを含む化学的機械研磨装置を提供
する。
の使用を可能とし、汚染を引き起こすことなく、新たな
洗浄技術も必要としない化学的機械研磨液の供給方法お
よび装置を提供することを目的とする。 【解決手段】 半導体基板表面の化学的機械研磨方法に
おいて、研磨粒子と過酸化水素を含む溶液に波長150
nm〜320nmの紫外線を照射した後直ちに基板表面
に塗布研磨とする化学的機械研磨液の供給方法および研
磨溶液活性化システムを含む化学的機械研磨装置を提供
する。
Description
【0001】
【発明の属する技術分野】本発明は、半導体基板表面を
溶液状態で迅速に処理する化学的機械研磨液の供給方法
および化学的機械研磨装置に関する。
溶液状態で迅速に処理する化学的機械研磨液の供給方法
および化学的機械研磨装置に関する。
【0002】
【従来の技術】半導体の中でロジック系デバイスは特に
高速動作が要求されている。配線の多層化のため、Wを
はじめとするメタルの化学的機械研磨方法(以下CMP
と略称する)は、酸化剤でメタルを酸化し、研磨粒子で
機械的に除去する作用を利用してメタル膜を研磨除去す
る方法である。CMP速度を高めるためには、メタルを
強力に酸化する酸化剤(溶媒)が必要である。
高速動作が要求されている。配線の多層化のため、Wを
はじめとするメタルの化学的機械研磨方法(以下CMP
と略称する)は、酸化剤でメタルを酸化し、研磨粒子で
機械的に除去する作用を利用してメタル膜を研磨除去す
る方法である。CMP速度を高めるためには、メタルを
強力に酸化する酸化剤(溶媒)が必要である。
【0003】例えば、W−CMPの場合、過酸化水素水
と硝酸鉄(酸化剤)の混合溶液にシリカ粒子を加えた溶
液が研磨剤として使用されたり、酸化剤にKI03を用
いアルミナ粒子と混合した研磨溶液が市販されている。
KI03研磨溶液に比べ、硝酸鉄研磨溶液は研磨速度が
大きく、米国各社では研磨速度の大きい硝酸鉄研磨溶液
が一般に採用されている。
と硝酸鉄(酸化剤)の混合溶液にシリカ粒子を加えた溶
液が研磨剤として使用されたり、酸化剤にKI03を用
いアルミナ粒子と混合した研磨溶液が市販されている。
KI03研磨溶液に比べ、硝酸鉄研磨溶液は研磨速度が
大きく、米国各社では研磨速度の大きい硝酸鉄研磨溶液
が一般に採用されている。
【0004】例えば、図2に示すような、硝酸鉄を用い
た研磨液では、硝酸鉄のFeが過酸化水素水中で触媒と
して働きOHラジカルを効果的に発生するフェントン酸
化の役割を持っていると考えられる。OHラジカルの強
力な酸化力が、Wを酸化してWO4 2-イオンに変えるこ
とで、エッチングを促進(CMP速度を高める)させて
いるものと考えられる。
た研磨液では、硝酸鉄のFeが過酸化水素水中で触媒と
して働きOHラジカルを効果的に発生するフェントン酸
化の役割を持っていると考えられる。OHラジカルの強
力な酸化力が、Wを酸化してWO4 2-イオンに変えるこ
とで、エッチングを促進(CMP速度を高める)させて
いるものと考えられる。
【0005】しかし、この溶媒中に酸化力を向上させる
ために微量に添加されたFe等の重金属は、残留すると
デバイス自身を汚染して信頼性を低下させるだけでな
く、製造ラインのクロス汚染を生じる。特に日本の半導
体メーカーの製造ラインは、CMP工程を多様化してい
るロジック系デバイスのラインと非常に高い清浄度を要
求するDRAMラインが兼用になっているため、クロス
汚染を除去することは極めて重要な課題である。
ために微量に添加されたFe等の重金属は、残留すると
デバイス自身を汚染して信頼性を低下させるだけでな
く、製造ラインのクロス汚染を生じる。特に日本の半導
体メーカーの製造ラインは、CMP工程を多様化してい
るロジック系デバイスのラインと非常に高い清浄度を要
求するDRAMラインが兼用になっているため、クロス
汚染を除去することは極めて重要な課題である。
【0006】
【発明が解決しようとする課題】本発明は、金属汚染を
引き起こすCMPプロセスであれば、CMP後の洗浄で
W等の表面に露出するメタル部分を劣化させることなく
清浄化する新たな洗浄方法が要求されることに鑑み、金
属を添加せずに酸化力を向上させた研磨液でCMPを行
うことを可能とし、汚染を引き起こすことなく、新たな
洗浄技術も必要としない化学的機械研磨液の供給方法お
よび装置を提供することを目的とする。
引き起こすCMPプロセスであれば、CMP後の洗浄で
W等の表面に露出するメタル部分を劣化させることなく
清浄化する新たな洗浄方法が要求されることに鑑み、金
属を添加せずに酸化力を向上させた研磨液でCMPを行
うことを可能とし、汚染を引き起こすことなく、新たな
洗浄技術も必要としない化学的機械研磨液の供給方法お
よび装置を提供することを目的とする。
【0007】
【課題を解決するための手段】すなわち、本発明は、半
導体基板表面の化学的機械研磨方法において、研磨粒子
と過酸化水素水を含む溶液に波長150nm〜320n
mの紫外線を照射した後直ちに基板表面に塗布研磨する
ことを特徴とする化学的機械研磨液の供給方法である。
導体基板表面の化学的機械研磨方法において、研磨粒子
と過酸化水素水を含む溶液に波長150nm〜320n
mの紫外線を照射した後直ちに基板表面に塗布研磨する
ことを特徴とする化学的機械研磨液の供給方法である。
【0008】上記した本発明において、研磨粒子を含む
研磨液と過酸化水素水溶液の混合比率が1:1〜10:
1の範囲であることが好ましい。
研磨液と過酸化水素水溶液の混合比率が1:1〜10:
1の範囲であることが好ましい。
【0009】また、紫外線照射した後大気に接触させる
ことなく基板表面に塗布研磨することが好ましい。
ことなく基板表面に塗布研磨することが好ましい。
【0010】また、大気に接触させることなく1分以内
に基板表面に塗布研磨することが更に好ましい。
に基板表面に塗布研磨することが更に好ましい。
【0011】本発明は更に、研磨粒子含有液と過酸化水
素水溶液との混合水槽と研磨パッドとの間に研磨溶液活
性化システムを配置したことを特徴とする半導体基板表
面の化学的機械研磨装置を提供するものである。
素水溶液との混合水槽と研磨パッドとの間に研磨溶液活
性化システムを配置したことを特徴とする半導体基板表
面の化学的機械研磨装置を提供するものである。
【0012】上記した本発明において、研磨溶液活性化
システムは石英ガラス管の直上に紫外光発生源を配置
し、石英ガラス管内の流動研磨液は紫外線照射により活
性化されることが好ましい。
システムは石英ガラス管の直上に紫外光発生源を配置
し、石英ガラス管内の流動研磨液は紫外線照射により活
性化されることが好ましい。
【0013】
【発明の実施の形態】図1に本発明のW-CMP用スラ
リー供給装置の概略図を示す。
リー供給装置の概略図を示す。
【0014】シリカ粒子を含む研磨液のタンク1と過酸
化水素水溶液の入ったタンク2からそれぞれ適量の液を
送り出し、タンク3にて調合する。調合された混合溶液
はポンプ4にてCMP装置の研磨パッド10の上に送り
出される。この途中に研磨溶液活性化システム5を装備
し、研磨液供給量はバルブ7とバルブ8によって制御さ
れる。研磨溶液活性化システム5から研磨パッド10ま
でのチューブ6の長さは、活性化した研磨液が劣化しな
いように望ましくは5m以内、より望ましくは1m以内
と短いほうが良く、研磨液の溜めおきは避ける。ここ
で、過酸化水素水溶液の濃度は0.1%以上あれば紫外
線照射によって、Wを酸化するための充分なOHラジカ
ルを発生することができる。
化水素水溶液の入ったタンク2からそれぞれ適量の液を
送り出し、タンク3にて調合する。調合された混合溶液
はポンプ4にてCMP装置の研磨パッド10の上に送り
出される。この途中に研磨溶液活性化システム5を装備
し、研磨液供給量はバルブ7とバルブ8によって制御さ
れる。研磨溶液活性化システム5から研磨パッド10ま
でのチューブ6の長さは、活性化した研磨液が劣化しな
いように望ましくは5m以内、より望ましくは1m以内
と短いほうが良く、研磨液の溜めおきは避ける。ここ
で、過酸化水素水溶液の濃度は0.1%以上あれば紫外
線照射によって、Wを酸化するための充分なOHラジカ
ルを発生することができる。
【0015】シリカ粒子を含む研磨液と30%濃度の過
酸化水素水溶液との混合比率は、通常、研磨速度を高め
るために研磨液の方が過酸化水素水溶液よりも多くなっ
ており、1:1〜10:1の範囲で使用されることが多
い。また、該混合液を純水で2倍〜10倍程度に希釈
し、研磨速度を制御している場合もある。また、研磨粒
子は、シリカ粒子に限らず、アルミナ粒子、酸化セリウ
ム等を用いてもよい。
酸化水素水溶液との混合比率は、通常、研磨速度を高め
るために研磨液の方が過酸化水素水溶液よりも多くなっ
ており、1:1〜10:1の範囲で使用されることが多
い。また、該混合液を純水で2倍〜10倍程度に希釈
し、研磨速度を制御している場合もある。また、研磨粒
子は、シリカ粒子に限らず、アルミナ粒子、酸化セリウ
ム等を用いてもよい。
【0016】活性化システム5は、図3に示すように内
部は石英ガラス管13が幾重にも折り返した形になって
おり、石英ガラス管13の直上に装備された水銀ランプ
12の紫外光が、ガラス管13を通して内部に流れる研
磨液を照射する。石英ガラス管13の下に鏡14を設置
し、紫外光の反射により活性化効率を高めている。
部は石英ガラス管13が幾重にも折り返した形になって
おり、石英ガラス管13の直上に装備された水銀ランプ
12の紫外光が、ガラス管13を通して内部に流れる研
磨液を照射する。石英ガラス管13の下に鏡14を設置
し、紫外光の反射により活性化効率を高めている。
【0017】図5に示す過酸化水素水の紫外線に対する
吸収帯は300nm以下の低波長領域で存在するため、
150nm〜320nmの紫外線を用いて照射する。紫
外光照射用ランプには、高圧水銀ランプ、低圧水銀ラン
プもしくは250nm前後に発光のピークを有するキセ
ノンランプなどを使用しても良い。中でも、照射強度が
200W/cm2以上を容易に得られる大容量低圧水銀
ランプを使用するのが望ましい。研磨液の供給量によっ
て研磨液が石英管内を流れる速度が変化するため、研磨
液への紫外光の照射時間が変化し、OHラジカルの発生
量が変化するため、研磨液が活性化される度合いも変わ
る。したがって、研磨液を供給量をバルブ7とバルブ8
にて最適な開度に調整する必要がある。
吸収帯は300nm以下の低波長領域で存在するため、
150nm〜320nmの紫外線を用いて照射する。紫
外光照射用ランプには、高圧水銀ランプ、低圧水銀ラン
プもしくは250nm前後に発光のピークを有するキセ
ノンランプなどを使用しても良い。中でも、照射強度が
200W/cm2以上を容易に得られる大容量低圧水銀
ランプを使用するのが望ましい。研磨液の供給量によっ
て研磨液が石英管内を流れる速度が変化するため、研磨
液への紫外光の照射時間が変化し、OHラジカルの発生
量が変化するため、研磨液が活性化される度合いも変わ
る。したがって、研磨液を供給量をバルブ7とバルブ8
にて最適な開度に調整する必要がある。
【0018】本発明では、硝酸鉄を用いることなく過酸
化水素水のみを酸化剤とし、過酸化水素水に紫外光を照
射することで酸化性を高めた研磨溶液を生成し、速やか
に研磨パッド上に供給することが特徴である。速やかに
供給するのは、紫外光で活性化した研磨溶液の劣化を少
なくするためである。
化水素水のみを酸化剤とし、過酸化水素水に紫外光を照
射することで酸化性を高めた研磨溶液を生成し、速やか
に研磨パッド上に供給することが特徴である。速やかに
供給するのは、紫外光で活性化した研磨溶液の劣化を少
なくするためである。
【0019】因にUV照射で活性化された溶液を大気中
に開放する場合は、図6に示すように5分程度で劣化す
るために、輸送時に大気に接触させることなく、1分以
内で供給することが望ましい。また、活性化システムか
らウエハ供給口までの配管の長さも図7に示すように5
m以内と不必要な長さにしないことが望ましい。
に開放する場合は、図6に示すように5分程度で劣化す
るために、輸送時に大気に接触させることなく、1分以
内で供給することが望ましい。また、活性化システムか
らウエハ供給口までの配管の長さも図7に示すように5
m以内と不必要な長さにしないことが望ましい。
【0020】このような効果が得られる理由は、過酸化
水素水溶液は紫外領域で吸収があり、強力な酸化作用を
有するOHラジカルが多量に発生し、硝酸鉄を混入した
従来の研磨液と同じ程度の酸化力が得られるためであ
る。
水素水溶液は紫外領域で吸収があり、強力な酸化作用を
有するOHラジカルが多量に発生し、硝酸鉄を混入した
従来の研磨液と同じ程度の酸化力が得られるためであ
る。
【0021】図面では、W―CMPについての例を示し
ているが、本発明は、CuーCMP、Al−CMP等の
メタルCMPにも適用できる。
ているが、本発明は、CuーCMP、Al−CMP等の
メタルCMPにも適用できる。
【0022】
【実施例】以下実施例により本発明を具体的に説明す
る。
る。
【0023】実施例1 平均粒径0.05μm〜0.2μmのシリカ粒子の20
wt%濃度の研磨液を120cc/minと過酸化水素
水溶液30cc/minをそれぞれのタンクから送り出
し、タンク3にて調合する。調合された混合溶液はポン
プ4にてCMP装置の研磨パッド10の上に50cc/
min程度の速度で送り出される。この途中に研磨溶液
活性化システム5を装備し、研磨液供給量はバルブ7と
バルブ8によって送り出しの流速を制御されている。活
性化システム5は、図3に示すように内部は直径5mm
の石英ガラス管13が幾重にも折り返した形になってお
り、その大きさは10cm角程度である。石英ガラス管
13の直上1cm程度離れた場所から波長248nmの
水銀ランプ12の紫外光が、ガラス管13を通して内部
に流れる研磨液を活性化する。活性化された研磨溶液
は、活性化システム5から研磨パッド10までの長さ約
1mチューブ6で、パッド10上に供給される。チュー
ブ6はポリビニルアルコール製等の配管材料で構成され
ている。
wt%濃度の研磨液を120cc/minと過酸化水素
水溶液30cc/minをそれぞれのタンクから送り出
し、タンク3にて調合する。調合された混合溶液はポン
プ4にてCMP装置の研磨パッド10の上に50cc/
min程度の速度で送り出される。この途中に研磨溶液
活性化システム5を装備し、研磨液供給量はバルブ7と
バルブ8によって送り出しの流速を制御されている。活
性化システム5は、図3に示すように内部は直径5mm
の石英ガラス管13が幾重にも折り返した形になってお
り、その大きさは10cm角程度である。石英ガラス管
13の直上1cm程度離れた場所から波長248nmの
水銀ランプ12の紫外光が、ガラス管13を通して内部
に流れる研磨液を活性化する。活性化された研磨溶液
は、活性化システム5から研磨パッド10までの長さ約
1mチューブ6で、パッド10上に供給される。チュー
ブ6はポリビニルアルコール製等の配管材料で構成され
ている。
【0024】その結果、化学的機械研磨は良好に実施さ
れた。
れた。
【0025】実施例2 この実施例では、W−CMPで研磨粒子にシリカ粒子を
用いた例を示したが、アルミナ粒子と過酸化水素水を混
合した場合にも適用できる。また、被研磨物はWに限ら
ず、配線材料となるAl,Cuや、バリア材料であるT
iN、Ti,Ta、TiW、WN、TaN、TaSiN
に対しても同様に適用することができた。このような金
属は、いずれも研磨剤によって酸化物となり、溶解研磨
される特徴を有するため、本発明のようにOHラジカル
で酸化が促進されることを確認した。
用いた例を示したが、アルミナ粒子と過酸化水素水を混
合した場合にも適用できる。また、被研磨物はWに限ら
ず、配線材料となるAl,Cuや、バリア材料であるT
iN、Ti,Ta、TiW、WN、TaN、TaSiN
に対しても同様に適用することができた。このような金
属は、いずれも研磨剤によって酸化物となり、溶解研磨
される特徴を有するため、本発明のようにOHラジカル
で酸化が促進されることを確認した。
【0026】比較例1 実施例1と同様に研磨液を活性化し、活性化液を大気中
に放置し放置時間とOHラジカル量との関係を測定した
ところ図6に示す結果が得られた。また同様に活性化液
の移送配管の長さとの関係を調べたところ図7に示す結
果が得られた。これらの実験における5分放置液および
5mを超える移送配管液の化学的機械研磨を実施したと
ころ研磨面の均一性において良好な結果は得られなかっ
た。
に放置し放置時間とOHラジカル量との関係を測定した
ところ図6に示す結果が得られた。また同様に活性化液
の移送配管の長さとの関係を調べたところ図7に示す結
果が得られた。これらの実験における5分放置液および
5mを超える移送配管液の化学的機械研磨を実施したと
ころ研磨面の均一性において良好な結果は得られなかっ
た。
【0027】
【発明の効果】本発明は、硝酸鉄等の金属を研磨液に混
入しない研磨液でCMPを行うことができるため、CM
P後にウエハ上に金属(Fe)汚染を発生させることな
く、従来の研磨液と同等の研磨速度が得られる。従っ
て、CMP後洗浄における負荷を軽減することができ
る。
入しない研磨液でCMPを行うことができるため、CM
P後にウエハ上に金属(Fe)汚染を発生させることな
く、従来の研磨液と同等の研磨速度が得られる。従っ
て、CMP後洗浄における負荷を軽減することができ
る。
【0028】図4に従来CMPを用いた場合と本発明の
CMPを用いた場合、CMP後被研磨ウエハに残留する
Fe汚染濃度を示す。 従来CMPを用いた場合は、ウエ
ハ上に1012atoms/cm2程度のFe汚染が残留
するが、本発明のCMPを用いた場合は1010atom
s/cm2以下である。従って、CMP後にFe汚染を
除去するための洗浄工程が不要となる。洗浄のために
は、Wやバリアメタルであるチタン(Ti)、窒化チタ
ン(TiN)をエッチングすることなく表面に残留する
Fe汚染を有効に除去する新たな洗浄液が必要となるが、
本発明では洗浄工程そのものが不要となる。
CMPを用いた場合、CMP後被研磨ウエハに残留する
Fe汚染濃度を示す。 従来CMPを用いた場合は、ウエ
ハ上に1012atoms/cm2程度のFe汚染が残留
するが、本発明のCMPを用いた場合は1010atom
s/cm2以下である。従って、CMP後にFe汚染を
除去するための洗浄工程が不要となる。洗浄のために
は、Wやバリアメタルであるチタン(Ti)、窒化チタ
ン(TiN)をエッチングすることなく表面に残留する
Fe汚染を有効に除去する新たな洗浄液が必要となるが、
本発明では洗浄工程そのものが不要となる。
【図1】本発明の装置の1例を示す概略図である。
【図2】従来装置の概略図である。
【図3】本発明のラジカル発生装置の1例を示す概略図
である。
である。
【図4】CMP後ウエハ表面に残留するFe汚染濃度の従
来の例と本発明との対比
来の例と本発明との対比
【図5】過酸化水素水の吸収特性を示す図である。
【図6】活性化溶液を大気開放した時間とOHラジカル
量との関係を示す図である。
量との関係を示す図である。
【図7】活性化溶液の移送配管の長さとOHラジカル量
との関係を示す図である。
との関係を示す図である。
1 研磨粒子含有液タンク 1a 液量制御バルブ 2 過酸化水素水タンク 2a 過酸化水素水量制御バルブ 3 混合水槽 4 研磨液供給ポンプ 5 研磨溶液活性化システム 6 研磨液供給チューブ 7 流量制御バルブ(4と5の間) 8 流量制御バルブ(5と6の間) 9 ウエハ 10 研磨パッド 11 研磨タンク 12 低圧水銀ランプ 13 石英ガラス管 14 鏡
Claims (6)
- 【請求項1】 半導体基板表面の化学的機械研磨方法に
おいて、研磨粒子と過酸化水素を含む溶液に波長150
nm〜320nmの紫外線を照射した後直ちに基板表面
に塗布研磨することを特徴とする化学的機械研磨液の供
給方法。 - 【請求項2】 研磨粒子を含む研磨液と過酸化水素水溶
液の混合比率が1:1〜10:1の範囲であることを特
徴とする請求項1に記載の化学的機械研磨液の供給方
法。 - 【請求項3】 紫外線を照射した後大気に接触させるこ
となく基板表面に塗布研磨することを特徴とする請求項
1に記載の化学的機械研磨液の供給方法。 - 【請求項4】 大気に接触させることなく1分以内に基
板表面に塗布研磨することを特徴とする請求項3に記載
の化学的機械研磨液の供給方法。 - 【請求項5】 研磨粒子含有液と過酸化水素水溶液との
混合水槽と研磨パッドとの間に研磨溶液活性化システム
を配置したことを特徴とする半導体基板表面の化学的機
械研磨装置。 - 【請求項6】 研磨溶液活性化システムが石英ガラス管
の直上に紫外光発生源を配置し石英ガラス管内の流動研
磨液を紫外線照射により活性化するようにした請求項5
に記載の半導体基板表面の化学的機械研磨装置。
Priority Applications (3)
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JP10510498A JP3075352B2 (ja) | 1998-04-15 | 1998-04-15 | 化学的機械研磨液の供給方法および装置 |
KR1019990013267A KR100356126B1 (ko) | 1998-04-15 | 1999-04-15 | 화학적 기계 연마액의 공급 방법 및 장치 |
US09/292,685 US6183351B1 (en) | 1998-04-15 | 1999-04-15 | Method of supplying a chemical mechanical polishing liquid and apparatus therefor |
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JP10510498A JP3075352B2 (ja) | 1998-04-15 | 1998-04-15 | 化学的機械研磨液の供給方法および装置 |
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ID=14398568
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CN105563341A (zh) * | 2016-02-25 | 2016-05-11 | 清华大学 | 用于cmp抛光液的紫外催化方法 |
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CN112405355B (zh) * | 2020-11-12 | 2022-03-04 | 上海新昇半导体科技有限公司 | 研磨液供应***、研磨液测试装置及研磨液测试方法 |
KR102520916B1 (ko) * | 2020-12-16 | 2023-04-11 | 동명대학교산학협력단 | 반도체 공정의 화학기계적 연마(cmp)를 위한 히드록시 라디칼과 용존산소량 제어를 통한 고능률 하이브리드 연마 시스템 |
KR102489838B1 (ko) * | 2020-12-16 | 2023-01-17 | 동명대학교산학협력단 | 반도체 공정의 화학기계적 연마(CMP)를 위한 연마 입자 분산성 향상을 통한 시너지 효과 극대화와 SiC 및 GaN 기판 가공 방법 및 시스템 |
CN113334242B (zh) * | 2021-06-24 | 2022-11-04 | 大连理工大学 | 金刚石晶片紫外光辅助化学机械抛光的加工装置及工艺 |
CN114393503B (zh) * | 2021-12-20 | 2023-05-02 | 浙江工业大学 | 一种基于紫外光响应自组装***的射流抛光装置和方法 |
CN115433522B (zh) * | 2022-09-26 | 2023-07-04 | 深圳清华大学研究院 | 化学机械抛光液及其抛光方法 |
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WO1995021800A1 (en) * | 1994-02-15 | 1995-08-17 | Sumitomo Electric Industries, Ltd. | Covered optical fiber and process for producing the same |
JP3311203B2 (ja) * | 1995-06-13 | 2002-08-05 | 株式会社東芝 | 半導体装置の製造方法及び半導体製造装置、半導体ウェーハの化学的機械的ポリッシング方法 |
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-
1998
- 1998-04-15 JP JP10510498A patent/JP3075352B2/ja not_active Expired - Lifetime
-
1999
- 1999-04-15 KR KR1019990013267A patent/KR100356126B1/ko not_active IP Right Cessation
- 1999-04-15 US US09/292,685 patent/US6183351B1/en not_active Expired - Fee Related
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KR100356126B1 (ko) | 2002-10-19 |
US6183351B1 (en) | 2001-02-06 |
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