JP2000031100A - 半導体ｃｍｐ工程のスラリ供給システム - Google Patents

半導体ｃｍｐ工程のスラリ供給システム

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JP2000031100A JP15933699A JP15933699A JP2000031100A JP 2000031100 A JP2000031100 A JP 2000031100A JP 15933699 A JP15933699 A JP 15933699A JP 15933699 A JP15933699 A JP 15933699A JP 2000031100 A JP2000031100 A JP 2000031100A
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Abstract

(57)【要約】 【課題】 スラリの二次粒子を単位粒子に分散してＣＭ
Ｐ装備に供給する半導体ＣＭＰ工程のスラリ供給システ
ムを提供する。 【解決手段】 半導体ＣＭＰ工程のスラリ供給システム
は、スラリ貯蔵タンク１１に貯蔵されたスラリ１２を所
定のスラリ供給ラインを通じてＣＭＰ装備に供給する半
導体ＣＭＰ工程のスラリ供給システムにおいて、前記ス
ラリ１２の単位粒子が二次粒子に凝集されないように前
記スラリ供給ラインに設置されて前記スラリ１２に超音
波を伝波する超音波伝波手段を含めてなることを特徴と
する。従って、スラリ１２中の研磨粒子の凝集による二
次粒子の形成を防止し、ウェーハ１４表面の微細スクラ
ッチ現象を防止することで後続工程でのウェーハ収率を
向上させることができる効果を有する。

Description

【発明の詳細な説明】
【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明は半導体ＣＭＰ工程の
スラリ供給システムに関するもので、より詳しくはスラ
リの二次粒子生成を抑制することで単位粒子に分散され
た状態を維持するスラリをＣＭＰ（Ｃｈｅｍｉｃａｌ
Ｍｅｃｈａｎｉｃａｌ Ｐｏｌｉｓｈｉｎｇ）装備に供
給するための半導体ＣＭＰ工程のスラリ供給システムに
関するものである。
【０００２】
【従来の技術】近来の半導体技術は高集積化、高密度化
が要求されることによってより微細なパターン形成技術
が使用されており、配線の多層化構造を要求する使用分
野が次第に広くなっている。
【０００３】即ち、半導体素子の表面構造がさらに複雑
になり、層間膜などの段差度もさらに酷くなる傾向に発
展しているのである。しかし、一方ではこのような前記
層間膜等の酷い段差は半導体素子製造工程で工程不良を
発生させる原因となってきた。
【０００４】特に、ウェーハにフォトレジストのパター
ンを形成させる写真工程は、ウェーハ上にフォトレジス
トを塗布した後、前記フォトレジスト膜に回路が形成さ
れたマスクを整列させて光を利用した露光工程を遂行す
ることで行われるので、従来のように線幅が大きく、低
層構造を有する素子の製造時には、特に問題はなかった
が、微細パターンと多層構造によって段差が増加しなが
ら前記段差の存在によって露光フォーカスを合わせ難く
て好ましい形態の正確なパターンを形成することが難し
かった。
【０００５】従って、このような従来の問題点を解決す
るために段差を除去することができるウェーハの平坦化
技術で、ＳＯＧ膜蒸着、エッチバック（Ｅｔｃｈ Ｂａ
ｃｋ）、リフロー（Ｒｅｆｌｏｗ）及びウェーハ全面に
わたる平坦化作業、即ち、広域平坦化（Ｇｌｏｂａｌ
Ｐｌａｎａｒｉｚａｔｉｏｎ）のためのＣＭＰ技術が開
発されたものである。
【０００６】このようなＣＭＰ（Ｃｈｅｍｉｃａｌ Ｍ
ｅｃｈａｎｉｃａｌ Ｐｏｌｉｓｈｉｎｇ）技術という
文字そのまま化学的／物理的（または機械的）な反応を
通じてウェーハ表面を平坦化する技術である。
【０００７】これに対してもっと詳しく説明すると、Ｃ
ＭＰ技術というのは、ウェーハのパターンが形成されて
いる薄膜表面を研磨パッド表面に接触させ、その間にス
ラリを供給してウェーハの薄膜表面を化学的に反応させ
ると同時に、前記研磨パッドの機械的な回転運動を通じ
てウェーハ薄膜表面の凹凸部分を物理的に研磨して平坦
化する技術である。
【０００８】このようなＣＭＰ技術において、研磨速度
（Ｒｅｍｏｖａｌ Ｒａｔｅ）と平坦度（Ｕｎｉｆｏｒ
ｍｉｔｙ）は非常に重要な意味を有する要素で、これら
はＣＭＰ装備の工程条件、スラリの種類及び研磨パッド
の種類等によって決定される。
【０００９】また、その外にもＣＭＰ作業を行うことに
おいてスラリの構成成分、酸性度及びイオン濃度等の要
素も薄膜の化学的反応に少なくない影響を与えるように
なる。一方、前記スラリは通常的に酸化膜スラリと金属
膜スラリの２種類に分類することができ、前記酸化膜ス
ラリはアルカリ性、前記金属膜スラリは酸性である。
【００１０】このような酸化膜ＣＭＰ作業の一例として
シリコンダイオキサイド（ＳｉＯ2）薄膜の場合には、
まず、シリコンダイオキサイドの表面をアルカリ性であ
るスラリと反応させて水分（Ｈ2Ｏ）が浸透されやすい
水溶性材質に変質させ、前記変質されたシリコンダイオ
キサイド膜に水分を浸透させて前記シリコンダイオキサ
イドの連結リングを切った状態で、その表面を研磨粒子
に摩擦させることで前記シリコンダイオキサイドが除去
されるものである。
【００１１】また、金属膜ＣＭＰ作業の場合には、スラ
リ内の酸化剤によって金属膜表面上で化学反応が起き
て、金属酸化膜を形成するようになると、前記金属膜の
パターンの凹凸部が最上位から研磨粒子によって摩滅さ
れ機械的に除去されるのである。
【００１２】従って、このような前記金属膜スラリの構
成要素は、大体酸化剤、研磨粒子、脱イオン水及び酸で
構成される。また、前記スラリに含まれた研磨粒子は直
径が略１３０乃至１７０ｎｍである単位粒子（Ｐｒｉｍ
ａｒｙ Ｐａｒｔｉｃｌｅ）で構成される。
【００１３】一方、このようなスラリをＣＭＰ装備に供
給することができるように現在使用されている供給シス
テムは、前記スラリが貯蔵タンクの内部で停滞されて変
質される現象を防ぐために前記スラリ貯蔵タンクと連結
される所定の通路を通じて前記スラリが循環され、この
ようなスラリが循環される過程でその一部をポンプに取
出してパッドテーブル上に供給する構成でなっている。
【００１４】図１は、前記のような通常的な半導体ＣＭ
Ｐ工程のスラリ供給システムを示したものである。前記
図面に示すように、従来の半導体ＣＭＰ工程のスラリ供
給システムはスラリ貯蔵タンク１に貯蔵されたスラリ２
をスラリ供給管４を通じてＣＭＰ装備に供給する半導体
ＣＭＰ工程のスラリ供給システムで、スラリ貯蔵タンク
１に設置されたポンプ（図示しない）を利用して内部の
スラリがスラリ送出管３ａ及びスラリ回収管３ｂを通じ
て前記スラリ貯蔵タンク１に循環されるようにし、前記
スラリ送出管３ａ及びスラリ回収管３ｂに通じる管の一
部に前記スラリ供給管４が連結され、前記スラリ供給管
４にポンプ５が設置され、スラリ２の一部を吐き出すこ
とで前記ＣＭＰ装備のパッドテーブル６上に前記スラリ
２を供給することができるように構成されている。
【００１５】従って、前記スラリ貯蔵タンク１内で前記
スラリ２が停滞して変質されることを防止する一方、循
環する前記スラリ２をポンプ５で吐き出し前記スラリ供
給管４及びノズル７を通じてパッドテーブル６上に供給
することでウェーハホルダー３４によって把持されたウ
ェーハ８表面の平坦化作業を円滑に進行することができ
るようにするものである。
【００１６】しかし、従来のスラリ供給システムによっ
て供給される前記スラリに含まれた研磨粒子は図２に示
すような形態に凝集される現象が発生する。即ち、前記
研磨粒子の形態は前述されたことのある単位粒子９で存
在することが好ましいが、前記スラリが循環することに
も関わらず近い単位粒子９の間に化学的または物理的に
容易に固まる現象が発生して１３０乃至１７０ｎｍの大
きさの直径を有する単位粒子９で存在するよりは、前記
単位粒子９の間の結合状態をなして３３０乃至５７０ｎ
ｍの大きさの直径を有する二次粒子１０（Ｓｅｃｏｎｄ
ａｒｙ Ｐａｒｔｉｃｌｅ）またはそれ以上の大きさで
存在する場合がよく見られるし、結局前記スラリの研磨
粒子は図２に示すように単位粒子９と二次粒子１０が溶
液に混合された形態で存在するようになる。
【００１７】さらに、このような二次粒子１０は、ウェ
ーハ表面との摩擦によって微細なスクラッチ現象を誘発
する直接的な原因として作用することがある。前記のよ
うなウェーハ表面の微細なスクラッチ現象は、フォトレ
ジストコーティング工程や、化学気相蒸着工程時、薄膜
が不均一に蒸着される問題点及び金属膜の断線欠陥等を
誘発するようになる。
【００１８】
【発明が解決しようとする課題】従って、最近では研磨
粒子の大きさを最小化する一方、界面活性剤のような化
合物を添加したり、供給中であるスラリの停滞及び乾燥
を防止しようとする趨勢に持続的な研究が行われている
が、スラリを構成する多様な性質の化学的特性上二次粒
子の生成を完全に防止しなくウェーハ表面の微細なスク
ラッチ発生の問題点を効果的に解消することはできなか
った。
【００１９】本発明の目的は、ウェーハ表面の微細スク
ラッチ現象を防止して後続工程でのウェーハの収率を向
上させることができるようにされた半導体ＣＭＰ工程の
スラリ供給システムを提供することにある。
【００２０】
【課題を解決するための手段】前記目的を達成するため
の本発明による半導体ＣＭＰ工程のスラリ供給システム
は、スラリ貯蔵タンクに貯蔵されたスラリを所定のスラ
リ供給ラインを通じてＣＭＰ装備に供給する半導体ＣＭ
Ｐ工程のスラリ供給システムにおいて、前記スラリの単
位粒子が二次粒子に凝集されないように前記スラリ供給
ラインに設置されて前記スラリに超音波を伝波する超音
波伝波手段を含めてなることを特徴とする。
【００２１】前記の構成において、前記超音波伝波手段
は、前記スラリ供給ラインに連結され、前記スラリの一
定量を収容する容器と、前記容器内に収容されたスラリ
に超音波を伝波可能に前記容器の一面に設置される超音
波伝達部材が備えられ前記超音波伝達部材に超音波振動
を発生させる超音波発振子が備えられてなる超音波発生
装置及び前記容器内のスラリを混ぜる攪拌機を含めてな
ることを特徴とする。
【００２２】
【発明の実施の形態】以下、本発明の具体的な第１実施
例及び第２実施例を添付した図面を参照に詳しく説明す
る。
【００２３】まず、図３を参照に説明すると、本発明の
好ましい第１実施例による半導体ＣＭＰ工程のスラリ供
給システムはスラリ貯蔵タンク１１に貯蔵されたスラリ
１２を所定のスラリ供給ラインを通じてＣＭＰ装備に供
給するためのもので、前記スラリ供給ラインに連結され
前記スラリ１２の一定量を収容する容器１３と、前記容
器１３内の前記スラリ１２に超音波を伝波する超音波伝
波手段及び前記容器１３内の前記スラリ１２を混ぜる攪
拌機が備えられている。
【００２４】即ち、本発明の半導体ＣＭＰ工程のスラリ
供給システムはスラリ１２に稠密波の一種である超音波
を伝波して前記スラリ１２の研磨粒子の中で単位粒子１
６が凝集された形態の二次粒子１５を元状態の単位粒子
に分散させることができる構成をなしており、前記容器
１３内に流入されたスラリ１２は前記超音波伝波手段に
よって超音波エネルギーの伝達を受けて図５に図示され
たように二次粒子１５を単位粒子１６に分散させ、この
ような状態のスラリ１２がスラリ排出手段によって前記
ＣＭＰ装備のパッドテーブル１７上に移送されることに
よりウェーハホルダー３４によって把持されたウェーハ
１４の表面の研磨が可能であるように供給される。
【００２５】従って、微細スクラッチ現象を誘発する二
次粒子は源泉的に除去して精密なＣＭＰ作業を遂行する
ことができるのは勿論、ウェーハの収率を大きく向上さ
せることができるのである。
【００２６】ここで、前記スラリ貯蔵タンク１１は貯蔵
している前記スラリ１２をスラリ送出管１８ａ及びスラ
リ回収管１８ｂを通じて循環させ、前記スラリ送出管１
８ａ及びスラリ回収管１８ｂの連結部の一側から前記容
器１３に通じるスラリ供給管１９を連結させることで、
前記スラリ貯蔵タンク１１に循環されるスラリ１２の一
部を前記容器１３の内部に供給する機能を遂行する。
【００２７】また、前記スラリ供給供給管１９には前記
容器１３に供給されるスラリの量を調節するバルブ２０
が設置され、前記容器１３内には前記スラリ１２の水面
を感知するレベルセンサー２１が設置され、前記レベル
センサー２１からスラリ量の信号の伝達を受けてスラリ
１２の水位が一定に維持されるように前記バルブ２０及
びレベルセンサー２１と電気的に連結されて前記バルブ
２０を開閉操作するための制御部２２が備えられている
ので、前記容器１３内に入れられるスラリ１２の水位を
常に一定に維持することができるものである。
【００２８】前記スラリ１２の重い残り物が溶液内で、
下の方に沈む性質に着案して、前記容器１３内の水面と
近接である高さのスラリ１２が常に前記ＣＭＰ装備に供
給されることができるようにし、前記容器１３内のスラ
リの水位と近接した位置に該当する前記容器１３の壁面
に排出口２３を形成し、その外側に設置されたスラリ排
出管２４を通じて前記スラリ１２がＣＭＰ装備のパッド
テーブル１７上に排出されるようにしたものである。
【００２９】また、スラリ１２は前記スラリ排出管２４
を通じてパッドテーブル１７上に自由落下するように構
成することもできるが、強制排出によってスラリ１２の
流れを調節することができるように前記スラリ排出管２
４にポンプ２５を設置することが好ましい。
【００３０】ここで、前記スラリ供給管１９は、前記容
器１３の底面側に近接になるように連結して前記スラリ
１２の残り物が前記スラリ排出管２４に流入されないよ
うにする。一方、本発明の前記超音波伝波手段は、前記
容器１３内のスラリ１２に超音波振動を伝波させる超音
波発生装置２６を含む。
【００３１】前記超音波発生装置２６は前記容器１３及
び前記スラリ１２を媒質にして前記スラリ研磨粒子の中
で、図５の前記二次粒子１５に超音波エネルギーを伝達
させる。前記超音波発生装置２６の構造及び原理は、該
当分野に勤める当業者にすでに公知された技術であり、
常用化されているので自由に選択して設置することがで
きるのはもちろん、多様な形態の変更及び修正が可能で
ある。従って、前記超音波発生装置２６に対する詳しい
説明は省略することにする。
【００３２】但し、前記超音波装置２６は前記容器１３
内にスラリ１２が停滞された場合、超音波振動による空
洞効果が強い部分とそうではない部分によって前記二次
粒子１５の分散が部分的に行われる傾向があるので、こ
のような問題を解決するために前記容器１３内でスラリ
１２が停滞されないように溶液を混ぜる攪拌機を設置す
るか、または波長が異なる音波を同時にあるいは交換発
振させる多重周波数の振動を発生させることが可能であ
る。
【００３３】また、前記超音波発生装置２６は前記容器
１３に収容されたスラリ１２に超音波を伝波することが
できるように前記容器１３の一面に設置される超音波伝
達部材及び前記超音波伝達部材に超音波振動を発生させ
る超音波発振子が備えられた構成である。
【００３４】ここで、前記超音波発振子は、スラリ１２
に約１０乃至１００ｋＨｚの周波数を発生させることの
外にも約７００乃至１０００ｋＨｚの周波数（メガソニ
ック；Ｍｅｇａｓｏｎｉｃ）を発生させるか、その外に
も多様な帯域の周波数を適用することができる。
【００３５】このような本発明の半導体ＣＭＰ工程のス
ラリ供給システムは、貯蔵状態のスラリ１２に超音波を
伝波することと、流動状態のスラリ１２に超音波を伝波
することが全て可能である。
【００３６】ここで、貯蔵状態は前記スラリ１２が一定
の容器１３または管内部に貯蔵された状態を意味し、流
動状態は前記スラリ１２が前記ＣＭＰ装備に供給されて
移送される瞬間、即ち、流動する状態を意味する。
【００３７】前記超音波発生装置は、半導体ウェーハ洗
浄用ですでに常用化されている技術なので、詳しい説明
は省略するようにする。一方、本発明の前記攪拌機は容
器１３内のスラリ１２を混ぜるための回転翼２７と、前
記回転翼２７を駆動させるモータ２８で構成される。
【００３８】その外に多様な形態の攪拌機を設置するこ
とが可能で、前記攪拌機は、前記スラリ１２に超音波エ
ネルギーが伝達される間容器１３内で前記スラリ１２が
停滞されることを防止し、前記容器１３内に収容された
スラリ１２全体に渡って均一に超音波を送ることができ
るように活性化させる機能を遂行する。
【００３９】また、前記容器１３からノズル２９に至る
前記スラリ排出管２４の長さは短いほど良いし、その理
由は前記容器１３で分散された図５の単位粒子１６が一
定の時間の後、再び二次粒子１５に再結合する可能性を
完全に排除することができないからである。
【００４０】一方、本発明の好ましい第２実施例による
半導体ＣＭＰ工程のスラリ供給システムは、図４に示す
ように、スラリ貯蔵タンク１１に貯蔵された前記スラリ
１２をスラリ供給管３０を通じてＣＭＰ装備に供給する
ためのもので、前記スラリ供給管３０の外部を囲んで、
前記スラリ供給管３０内部のスラリ１２に超音波を送る
超音波発生装置３１が設置された構成である。
【００４１】ここで、前記スラリ貯蔵タンク１１は、第
１実施例でのように、スラリ送出管１８ａ及びスラリ回
収管１８ｂを通じで前記スラリ１２を循環させ、循環す
る前記スラリ１２の中の一部を前記スラリ送出管１８ａ
及びスラリ回収管１８ｂの一側から連結された前記スラ
リ供給管３０を通じて前記パッドテーブル１７に前記ポ
ンプ３３によって移送させる構成である。
【００４２】また、前記超音波発生装置３１はノズル３
２の付近の前記スラリ供給管３０を囲む円筒型の超音波
伝達部材及び前記超音波伝達部材に超音波振動を発生さ
せる超音波発振子が備えられているし、前で言及したよ
うに多様な帯域の周波数を適用することができる。
【００４３】従って、前記スラリ１２が流動する状態、
即ち、スラリ１２が前記スラリ供給管３０を通じてパッ
ドテーブル１７に供給される間、移動する前記スラリ１
２に超音波エネルギーを伝達して前記ノズル３２を通じ
てスラリ１２がパッドテーブル１７に供給されるすぐ直
前にスラリ研磨粒子の二次粒子１５を単位粒子１６に分
散させることで前記超音波発生装置３１から分散された
単位粒子１６が再度結合して二次粒子１５に変わる時間
的余裕を剥奪するようになる。
【００４４】即ち、前記単位粒子１６のみを前記パッド
テーブル１７上に供給されるようにすることで、前記ウ
ェーハホルダー３４によって把持されたウェーハ１４の
表面に二次粒子１６による微細なスクラッチ現象を防止
することができるのである。
【００４５】
【発明の効果】以上のように、本発明による半導体ＣＭ
Ｐ工程のスラリ供給システムによるとウェーハ表面の微
細スクラッチ現象を防止して後続工程でのウェーハの収
率を向上させる効果を有する。
【００４６】以上、本発明は記載された具体例に対して
のみ詳しく説明されたが、本発明の技術思想範囲内で多
様な変形及び修正が可能であることは当業者にとって明
白なことであり、このような変形及び修正が添付された
特許請求の範囲に属することは当然なことである。
【図面の簡単な説明】
【図１】従来の技術による半導体ＣＭＰ工程のスラリ供
給システムを示した概略図である。
【図２】従来のスラリ供給システムを通じて供給された
研磨粒子の凝集状態を図示した粒子分布図である。
【図３】本発明の好ましい第１実施例による半導体ＣＭ
Ｐ工程のスラリ供給システムを示した概略図である。
【図４】本発明の好ましい第２実施例による半導体ＣＭ
Ｐ工程のスラリ供給システムを示した概略図である。
【図５】本発明のスラリ供給システムを通じて供給され
たスラリ研磨粒子の分散状態を図示した粒子分布図であ
る。
【符号の説明】
１、１１ スラリ貯蔵タンク ２、１２ スラリ ３ａ、１８a スラリ送出管 ３ｂ、１８ｂ スラリ回収管 ４、１９、３０ スラリ供給管 ５、２５、３３ ポンプ ６、１７ パッドテーブル ７、２９、３２ ノズル ８、１４ ウェーハ ９、１６ 単位粒子 １０、１５ 二次粒子 １３ 容器 ２０ バルブ ２１ レベルセンサー ２２ 制御部 ２３ 排出口 ２４ スラリ排出管 ２６、３１ 超音波発生装置 ２７ 回転翼 ２８ モータ ３４ ウェーハホルダー
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (72)発明者 田 在剛 大韓民国京畿道安養市東安区虎溪洞無窮花 アパート302−104号 (72)発明者 洪 思文 大韓民国京畿道水原市勸善区勸善洞1235番 地新案アパート308−503号

Claims (14)

    【特許請求の範囲】
  1. 【請求項１】 スラリ貯蔵タンクに貯蔵されたスラリを
    所定のスラリ供給ラインを通じてＣＭＰ装備に供給する
    半導体ＣＭＰ工程のスラリ供給システムにおいて、 前記スラリの単位粒子が二次粒子に凝集されないように
    前記スラリ供給ラインに設置されて前記スラリに超音波
    を伝波する超音波伝波手段を含めてなることを特徴とす
    る半導体ＣＭＰ工程のスラリ供給システム。
  2. 【請求項２】 前記スラリ貯蔵タンクは貯蔵しているス
    ラリをポンプに循環させ、循環するスラリの一部を前記
    スラリ供給ラインに供給するようにしたことを特徴とす
    る請求項１に記載の半導体ＣＭＰ工程のスラリ供給シス
    テム。
  3. 【請求項３】 前記スラリ供給ラインには前記ＣＭＰ装
    備に供給される前記スラリの量を調節するバルブが設置
    されることを特徴とする請求項１に記載の半導体ＣＭＰ
    工程のスラリ供給システム。
  4. 【請求項４】 前記スラリ供給ラインに前記スラリを移
    送するポンプが設置されたことを特徴とする請求項１に
    記載の半導体ＣＭＰ工程のスラリ供給システム。
  5. 【請求項５】 前記超音波伝波手段は、 前記スラリ供給ラインに連結され、前記スラリの一定量
    を収容する容器と、 前記容器内に収容されたスラリに超音波を伝波可能に前
    記容器の一面に設置される超音波伝達部材が備えられ、
    前記超音波伝達部材に超音波振動を発生させる超音波発
    振子が備えられる超音波発生装置と、 前記容器内のスラリを混ぜる攪拌機と、 を含めてなることを特徴とする請求項１に記載の半導体
    ＣＭＰ工程のスラリ供給システム。
  6. 【請求項６】 前記超音波発振子は１０乃至１００ｋＨ
    ｚの周波数を発生させるようにしたことを特徴とする請
    求項５に記載の半導体ＣＭＰ工程のスラリ供給システ
    ム。
  7. 【請求項７】 前記超音波発振子は７００乃至１０００
    ｋＨｚの周波数を発生させるようにしたことを特徴とす
    る請求項５に記載の半導体ＣＭＰ工程のスラリ供給シス
    テム。
  8. 【請求項８】 前記攪拌機は、モータによって駆動され
    る回転翼であることを特徴とする請求項５に記載の半導
    体ＣＭＰ工程のスラリ供給システム。
  9. 【請求項９】 前記超音波伝波手段は、 前記容器内に収容されたスラリの水位を感知するレベル
    センサーと、 前記レベルセンサーからスラリ量信号を受けて前記水面
    が一定に維持されるように前記スラリの供給量を調節す
    るための制御部と、 を含めてなることを特徴とする請求項５に記載の半導体
    ＣＭＰ工程のスラリ供給システム。
  10. 【請求項１０】 前記容器はその下段側に投入口が設置
    され、上段側に排出口が形成されることを特徴とする請
    求項５に記載の半導体ＣＭＰ工程のスラリ供給システ
    ム。
  11. 【請求項１１】 前記超音波伝波手段は、前記スラリ供
    給ラインの外部に設置されて、前記スラリ供給ラインを
    通過する前記スラリに超音波を伝波する超音波発生装置
    を含むことを特徴とする請求項１に記載の半導体ＣＭＰ
    工程のスラリ供給システム。
  12. 【請求項１２】 前記超音波発生装置は、 前記スラリ供給ラインを囲む形態の超音波伝達部材と、 前記超音波伝達部材に超音波振動を発生させる超音波発
    振子と、 を含めてなることを特徴とする請求項１１に記載の半導
    体ＣＭＰ工程のスラリ供給システム。
  13. 【請求項１３】 前記超音波発振子は、１０乃至１００
    ｋＨｚの周波数を発生させるようにしたことを特徴とす
    る請求項１２に記載の半導体ＣＭＰ工程のスラリ供給シ
    ステム。
  14. 【請求項１４】 前記超音波発振子は、７００乃至１０
    ００ｋＨｚの周波数を発生させるようにしたことを特徴
    とする請求項１２に記載の半導体ＣＭＰ工程のスラリ供
    給システム。
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