JP3075352B2 - 化学的機械研磨液の供給方法および装置 - Google Patents
化学的機械研磨液の供給方法および装置Info
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-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
- H01L21/02—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
- H01L21/04—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having potential barriers, e.g. a PN junction, depletion layer or carrier concentration layer
- H01L21/18—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having potential barriers, e.g. a PN junction, depletion layer or carrier concentration layer the devices having semiconductor bodies comprising elements of Group IV of the Periodic Table or AIIIBV compounds with or without impurities, e.g. doping materials
- H01L21/30—Treatment of semiconductor bodies using processes or apparatus not provided for in groups H01L21/20 - H01L21/26
- H01L21/31—Treatment of semiconductor bodies using processes or apparatus not provided for in groups H01L21/20 - H01L21/26 to form insulating layers thereon, e.g. for masking or by using photolithographic techniques; After treatment of these layers; Selection of materials for these layers
- H01L21/3205—Deposition of non-insulating-, e.g. conductive- or resistive-, layers on insulating layers; After-treatment of these layers
- H01L21/321—After treatment
- H01L21/32115—Planarisation
- H01L21/3212—Planarisation by chemical mechanical polishing [CMP]
-
- B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
- B24—GRINDING; POLISHING
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Description
【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明は、半導体基板表面を
溶液状態で迅速に処理する化学的機械研磨液の供給方法
および化学的機械研磨装置に関する。
溶液状態で迅速に処理する化学的機械研磨液の供給方法
および化学的機械研磨装置に関する。
【０００２】
【従来の技術】半導体の中でロジック系デバイスは特に
高速動作が要求されている。配線の多層化のため、Ｗを
はじめとするメタルの化学的機械研磨方法（以下ＣＭＰ
と略称する）は、酸化剤でメタルを酸化し、研磨粒子で
機械的に除去する作用を利用してメタル膜を研磨除去す
る方法である。ＣＭＰ速度を高めるためには、メタルを
強力に酸化する酸化剤（溶媒）が必要である。
高速動作が要求されている。配線の多層化のため、Ｗを
はじめとするメタルの化学的機械研磨方法（以下ＣＭＰ
と略称する）は、酸化剤でメタルを酸化し、研磨粒子で
機械的に除去する作用を利用してメタル膜を研磨除去す
る方法である。ＣＭＰ速度を高めるためには、メタルを
強力に酸化する酸化剤（溶媒）が必要である。
【０００３】例えば、Ｗ−ＣＭＰの場合、過酸化水素水
と硝酸鉄（酸化剤）の混合溶液にシリカ粒子を加えた溶
液が研磨剤として使用されたり、酸化剤にＫＩ０３を用
いアルミナ粒子と混合した研磨溶液が市販されている。
ＫＩ０３研磨溶液に比べ、硝酸鉄研磨溶液は研磨速度が
大きく、米国各社では研磨速度の大きい硝酸鉄研磨溶液
が一般に採用されている。
と硝酸鉄（酸化剤）の混合溶液にシリカ粒子を加えた溶
液が研磨剤として使用されたり、酸化剤にＫＩ０３を用
いアルミナ粒子と混合した研磨溶液が市販されている。
ＫＩ０３研磨溶液に比べ、硝酸鉄研磨溶液は研磨速度が
大きく、米国各社では研磨速度の大きい硝酸鉄研磨溶液
が一般に採用されている。
【０００４】例えば、図２に示すような、硝酸鉄を用い
た研磨液では、硝酸鉄のＦｅが過酸化水素水中で触媒と
して働きＯＨラジカルを効果的に発生するフェントン酸
化の役割を持っていると考えられる。ＯＨラジカルの強
力な酸化力が、Ｗを酸化してＷＯ4 2-イオンに変えるこ
とで、エッチングを促進（ＣＭＰ速度を高める）させて
いるものと考えられる。
た研磨液では、硝酸鉄のＦｅが過酸化水素水中で触媒と
して働きＯＨラジカルを効果的に発生するフェントン酸
化の役割を持っていると考えられる。ＯＨラジカルの強
力な酸化力が、Ｗを酸化してＷＯ4 2-イオンに変えるこ
とで、エッチングを促進（ＣＭＰ速度を高める）させて
いるものと考えられる。
【０００５】しかし、この溶媒中に酸化力を向上させる
ために微量に添加されたＦｅ等の重金属は、残留すると
デバイス自身を汚染して信頼性を低下させるだけでな
く、製造ラインのクロス汚染を生じる。特に日本の半導
体メーカーの製造ラインは、ＣＭＰ工程を多様化してい
るロジック系デバイスのラインと非常に高い清浄度を要
求するＤＲＡＭラインが兼用になっているため、クロス
汚染を除去することは極めて重要な課題である。
ために微量に添加されたＦｅ等の重金属は、残留すると
デバイス自身を汚染して信頼性を低下させるだけでな
く、製造ラインのクロス汚染を生じる。特に日本の半導
体メーカーの製造ラインは、ＣＭＰ工程を多様化してい
るロジック系デバイスのラインと非常に高い清浄度を要
求するＤＲＡＭラインが兼用になっているため、クロス
汚染を除去することは極めて重要な課題である。
【０００６】
【発明が解決しようとする課題】本発明は、金属汚染を
引き起こすＣＭＰプロセスであれば、ＣＭＰ後の洗浄で
Ｗ等の表面に露出するメタル部分を劣化させることなく
清浄化する新たな洗浄方法が要求されることに鑑み、金
属を添加せずに酸化力を向上させた研磨液でＣＭＰを行
うことを可能とし、汚染を引き起こすことなく、新たな
洗浄技術も必要としない化学的機械研磨液の供給方法お
よび装置を提供することを目的とする。
引き起こすＣＭＰプロセスであれば、ＣＭＰ後の洗浄で
Ｗ等の表面に露出するメタル部分を劣化させることなく
清浄化する新たな洗浄方法が要求されることに鑑み、金
属を添加せずに酸化力を向上させた研磨液でＣＭＰを行
うことを可能とし、汚染を引き起こすことなく、新たな
洗浄技術も必要としない化学的機械研磨液の供給方法お
よび装置を提供することを目的とする。
【０００７】
【課題を解決するための手段】すなわち、本発明は、半
導体基板表面の化学的機械研磨方法において、研磨粒子
と過酸化水素水を含む溶液に波長１５０ｎｍ〜３２０ｎ
ｍの紫外線を照射した後直ちに基板表面に塗布研磨する
ことを特徴とする化学的機械研磨液の供給方法である。
導体基板表面の化学的機械研磨方法において、研磨粒子
と過酸化水素水を含む溶液に波長１５０ｎｍ〜３２０ｎ
ｍの紫外線を照射した後直ちに基板表面に塗布研磨する
ことを特徴とする化学的機械研磨液の供給方法である。
【０００８】上記した本発明において、研磨粒子を含む
研磨液と過酸化水素水溶液の混合比率が１：１〜１０：
１の範囲であることが好ましい。
研磨液と過酸化水素水溶液の混合比率が１：１〜１０：
１の範囲であることが好ましい。
【０００９】また、紫外線照射した後大気に接触させる
ことなく基板表面に塗布研磨することが好ましい。
ことなく基板表面に塗布研磨することが好ましい。
【００１０】また、大気に接触させることなく１分以内
に基板表面に塗布研磨することが更に好ましい。
に基板表面に塗布研磨することが更に好ましい。
【００１１】本発明は更に、研磨粒子含有液と過酸化水
素水溶液との混合水槽と研磨パッドとの間に研磨溶液活
性化システムを配置したことを特徴とする半導体基板表
面の化学的機械研磨装置を提供するものである。
素水溶液との混合水槽と研磨パッドとの間に研磨溶液活
性化システムを配置したことを特徴とする半導体基板表
面の化学的機械研磨装置を提供するものである。
【００１２】上記した本発明において、研磨溶液活性化
システムは石英ガラス管の直上に紫外光発生源を配置
し、石英ガラス管内の流動研磨液は紫外線照射により活
性化されることが好ましい。
システムは石英ガラス管の直上に紫外光発生源を配置
し、石英ガラス管内の流動研磨液は紫外線照射により活
性化されることが好ましい。
【００１３】
【発明の実施の形態】図１に本発明のＷ-ＣＭＰ用スラ
リー供給装置の概略図を示す。
リー供給装置の概略図を示す。
【００１４】シリカ粒子を含む研磨液のタンク１と過酸
化水素水溶液の入ったタンク２からそれぞれ適量の液を
送り出し、タンク３にて調合する。調合された混合溶液
はポンプ４にてＣＭＰ装置の研磨パッド１０の上に送り
出される。この途中に研磨溶液活性化システム５を装備
し、研磨液供給量はバルブ７とバルブ８によって制御さ
れる。研磨溶液活性化システム５から研磨パッド１０ま
でのチューブ６の長さは、活性化した研磨液が劣化しな
いように望ましくは５ｍ以内、より望ましくは１ｍ以内
と短いほうが良く、研磨液の溜めおきは避ける。ここ
で、過酸化水素水溶液の濃度は０．１％以上あれば紫外
線照射によって、Ｗを酸化するための充分なＯＨラジカ
ルを発生することができる。
化水素水溶液の入ったタンク２からそれぞれ適量の液を
送り出し、タンク３にて調合する。調合された混合溶液
はポンプ４にてＣＭＰ装置の研磨パッド１０の上に送り
出される。この途中に研磨溶液活性化システム５を装備
し、研磨液供給量はバルブ７とバルブ８によって制御さ
れる。研磨溶液活性化システム５から研磨パッド１０ま
でのチューブ６の長さは、活性化した研磨液が劣化しな
いように望ましくは５ｍ以内、より望ましくは１ｍ以内
と短いほうが良く、研磨液の溜めおきは避ける。ここ
で、過酸化水素水溶液の濃度は０．１％以上あれば紫外
線照射によって、Ｗを酸化するための充分なＯＨラジカ
ルを発生することができる。
【００１５】シリカ粒子を含む研磨液と３０％濃度の過
酸化水素水溶液との混合比率は、通常、研磨速度を高め
るために研磨液の方が過酸化水素水溶液よりも多くなっ
ており、１：１〜１０：１の範囲で使用されることが多
い。また、該混合液を純水で2倍〜１０倍程度に希釈
し、研磨速度を制御している場合もある。また、研磨粒
子は、シリカ粒子に限らず、アルミナ粒子、酸化セリウ
ム等を用いてもよい。
酸化水素水溶液との混合比率は、通常、研磨速度を高め
るために研磨液の方が過酸化水素水溶液よりも多くなっ
ており、１：１〜１０：１の範囲で使用されることが多
い。また、該混合液を純水で2倍〜１０倍程度に希釈
し、研磨速度を制御している場合もある。また、研磨粒
子は、シリカ粒子に限らず、アルミナ粒子、酸化セリウ
ム等を用いてもよい。
【００１６】活性化システム５は、図３に示すように内
部は石英ガラス管１３が幾重にも折り返した形になって
おり、石英ガラス管１３の直上に装備された水銀ランプ
１２の紫外光が、ガラス管１３を通して内部に流れる研
磨液を照射する。石英ガラス管１３の下に鏡１４を設置
し、紫外光の反射により活性化効率を高めている。
部は石英ガラス管１３が幾重にも折り返した形になって
おり、石英ガラス管１３の直上に装備された水銀ランプ
１２の紫外光が、ガラス管１３を通して内部に流れる研
磨液を照射する。石英ガラス管１３の下に鏡１４を設置
し、紫外光の反射により活性化効率を高めている。
【００１７】図５に示す過酸化水素水の紫外線に対する
吸収帯は３００ｎｍ以下の低波長領域で存在するため、
１５０ｎｍ〜３２０ｎｍの紫外線を用いて照射する。紫
外光照射用ランプには、高圧水銀ランプ、低圧水銀ラン
プもしくは２５０ｎｍ前後に発光のピークを有するキセ
ノンランプなどを使用しても良い。中でも、照射強度が
２００Ｗ／ｃｍ2以上を容易に得られる大容量低圧水銀
ランプを使用するのが望ましい。研磨液の供給量によっ
て研磨液が石英管内を流れる速度が変化するため、研磨
液への紫外光の照射時間が変化し、ＯＨラジカルの発生
量が変化するため、研磨液が活性化される度合いも変わ
る。したがって、研磨液を供給量をバルブ７とバルブ８
にて最適な開度に調整する必要がある。
吸収帯は３００ｎｍ以下の低波長領域で存在するため、
１５０ｎｍ〜３２０ｎｍの紫外線を用いて照射する。紫
外光照射用ランプには、高圧水銀ランプ、低圧水銀ラン
プもしくは２５０ｎｍ前後に発光のピークを有するキセ
ノンランプなどを使用しても良い。中でも、照射強度が
２００Ｗ／ｃｍ2以上を容易に得られる大容量低圧水銀
ランプを使用するのが望ましい。研磨液の供給量によっ
て研磨液が石英管内を流れる速度が変化するため、研磨
液への紫外光の照射時間が変化し、ＯＨラジカルの発生
量が変化するため、研磨液が活性化される度合いも変わ
る。したがって、研磨液を供給量をバルブ７とバルブ８
にて最適な開度に調整する必要がある。
【００１８】本発明では、硝酸鉄を用いることなく過酸
化水素水のみを酸化剤とし、過酸化水素水に紫外光を照
射することで酸化性を高めた研磨溶液を生成し、速やか
に研磨パッド上に供給することが特徴である。速やかに
供給するのは、紫外光で活性化した研磨溶液の劣化を少
なくするためである。
化水素水のみを酸化剤とし、過酸化水素水に紫外光を照
射することで酸化性を高めた研磨溶液を生成し、速やか
に研磨パッド上に供給することが特徴である。速やかに
供給するのは、紫外光で活性化した研磨溶液の劣化を少
なくするためである。
【００１９】因にＵＶ照射で活性化された溶液を大気中
に開放する場合は、図６に示すように５分程度で劣化す
るために、輸送時に大気に接触させることなく、１分以
内で供給することが望ましい。また、活性化システムか
らウエハ供給口までの配管の長さも図７に示すように５
ｍ以内と不必要な長さにしないことが望ましい。
に開放する場合は、図６に示すように５分程度で劣化す
るために、輸送時に大気に接触させることなく、１分以
内で供給することが望ましい。また、活性化システムか
らウエハ供給口までの配管の長さも図７に示すように５
ｍ以内と不必要な長さにしないことが望ましい。
【００２０】このような効果が得られる理由は、過酸化
水素水溶液は紫外領域で吸収があり、強力な酸化作用を
有するＯＨラジカルが多量に発生し、硝酸鉄を混入した
従来の研磨液と同じ程度の酸化力が得られるためであ
る。
水素水溶液は紫外領域で吸収があり、強力な酸化作用を
有するＯＨラジカルが多量に発生し、硝酸鉄を混入した
従来の研磨液と同じ程度の酸化力が得られるためであ
る。
【００２１】図面では、Ｗ―ＣＭＰについての例を示し
ているが、本発明は、ＣｕーＣＭＰ、Ａｌ−ＣＭＰ等の
メタルＣＭＰにも適用できる。
ているが、本発明は、ＣｕーＣＭＰ、Ａｌ−ＣＭＰ等の
メタルＣＭＰにも適用できる。
【００２２】
【実施例】以下実施例により本発明を具体的に説明す
る。
る。
【００２３】実施例１ 平均粒径０．０５μｍ〜０．２μｍのシリカ粒子の２０
ｗｔ％濃度の研磨液を１２０ｃｃ／ｍｉｎと過酸化水素
水溶液３０ｃｃ／ｍｉｎをそれぞれのタンクから送り出
し、タンク３にて調合する。調合された混合溶液はポン
プ４にてＣＭＰ装置の研磨パッド１０の上に５０ｃｃ／
ｍｉｎ程度の速度で送り出される。この途中に研磨溶液
活性化システム５を装備し、研磨液供給量はバルブ７と
バルブ８によって送り出しの流速を制御されている。活
性化システム５は、図３に示すように内部は直径５ｍｍ
の石英ガラス管１３が幾重にも折り返した形になってお
り、その大きさは１０ｃｍ角程度である。石英ガラス管
１３の直上１ｃｍ程度離れた場所から波長２４８ｎｍの
水銀ランプ１２の紫外光が、ガラス管１３を通して内部
に流れる研磨液を活性化する。活性化された研磨溶液
は、活性化システム５から研磨パッド１０までの長さ約
１ｍチューブ６で、パッド１０上に供給される。チュー
ブ６はポリビニルアルコール製等の配管材料で構成され
ている。
ｗｔ％濃度の研磨液を１２０ｃｃ／ｍｉｎと過酸化水素
水溶液３０ｃｃ／ｍｉｎをそれぞれのタンクから送り出
し、タンク３にて調合する。調合された混合溶液はポン
プ４にてＣＭＰ装置の研磨パッド１０の上に５０ｃｃ／
ｍｉｎ程度の速度で送り出される。この途中に研磨溶液
活性化システム５を装備し、研磨液供給量はバルブ７と
バルブ８によって送り出しの流速を制御されている。活
性化システム５は、図３に示すように内部は直径５ｍｍ
の石英ガラス管１３が幾重にも折り返した形になってお
り、その大きさは１０ｃｍ角程度である。石英ガラス管
１３の直上１ｃｍ程度離れた場所から波長２４８ｎｍの
水銀ランプ１２の紫外光が、ガラス管１３を通して内部
に流れる研磨液を活性化する。活性化された研磨溶液
は、活性化システム５から研磨パッド１０までの長さ約
１ｍチューブ６で、パッド１０上に供給される。チュー
ブ６はポリビニルアルコール製等の配管材料で構成され
ている。
【００２４】その結果、化学的機械研磨は良好に実施さ
れた。
れた。
【００２５】実施例２ この実施例では、Ｗ−ＣＭＰで研磨粒子にシリカ粒子を
用いた例を示したが、アルミナ粒子と過酸化水素水を混
合した場合にも適用できる。また、被研磨物はＷに限ら
ず、配線材料となるＡｌ，Ｃｕや、バリア材料であるＴ
ｉＮ、Ｔｉ，Ｔａ、ＴｉＷ、ＷＮ、ＴａＮ、ＴａＳｉＮ
に対しても同様に適用することができた。このような金
属は、いずれも研磨剤によって酸化物となり、溶解研磨
される特徴を有するため、本発明のようにＯＨラジカル
で酸化が促進されることを確認した。
用いた例を示したが、アルミナ粒子と過酸化水素水を混
合した場合にも適用できる。また、被研磨物はＷに限ら
ず、配線材料となるＡｌ，Ｃｕや、バリア材料であるＴ
ｉＮ、Ｔｉ，Ｔａ、ＴｉＷ、ＷＮ、ＴａＮ、ＴａＳｉＮ
に対しても同様に適用することができた。このような金
属は、いずれも研磨剤によって酸化物となり、溶解研磨
される特徴を有するため、本発明のようにＯＨラジカル
で酸化が促進されることを確認した。
【００２６】比較例１ 実施例１と同様に研磨液を活性化し、活性化液を大気中
に放置し放置時間とＯＨラジカル量との関係を測定した
ところ図６に示す結果が得られた。また同様に活性化液
の移送配管の長さとの関係を調べたところ図７に示す結
果が得られた。これらの実験における５分放置液および
５ｍを超える移送配管液の化学的機械研磨を実施したと
ころ研磨面の均一性において良好な結果は得られなかっ
た。
に放置し放置時間とＯＨラジカル量との関係を測定した
ところ図６に示す結果が得られた。また同様に活性化液
の移送配管の長さとの関係を調べたところ図７に示す結
果が得られた。これらの実験における５分放置液および
５ｍを超える移送配管液の化学的機械研磨を実施したと
ころ研磨面の均一性において良好な結果は得られなかっ
た。
【００２７】
【発明の効果】本発明は、硝酸鉄等の金属を研磨液に混
入しない研磨液でＣＭＰを行うことができるため、ＣＭ
Ｐ後にウエハ上に金属（Ｆｅ）汚染を発生させることな
く、従来の研磨液と同等の研磨速度が得られる。従っ
て、ＣＭＰ後洗浄における負荷を軽減することができ
る。
入しない研磨液でＣＭＰを行うことができるため、ＣＭ
Ｐ後にウエハ上に金属（Ｆｅ）汚染を発生させることな
く、従来の研磨液と同等の研磨速度が得られる。従っ
て、ＣＭＰ後洗浄における負荷を軽減することができ
る。
【００２８】図４に従来ＣＭＰを用いた場合と本発明の
ＣＭＰを用いた場合、ＣＭＰ後被研磨ウエハに残留する
Fe汚染濃度を示す。 従来ＣＭＰを用いた場合は、ウエ
ハ上に１０12ａｔｏｍｓ／ｃｍ2程度のＦｅ汚染が残留
するが、本発明のＣＭＰを用いた場合は１０10ａｔｏｍ
ｓ／ｃｍ2以下である。従って、ＣＭＰ後にＦｅ汚染を
除去するための洗浄工程が不要となる。洗浄のために
は、Ｗやバリアメタルであるチタン（Ｔｉ）、窒化チタ
ン（ＴｉＮ）をエッチングすることなく表面に残留する
Fe汚染を有効に除去する新たな洗浄液が必要となるが、
本発明では洗浄工程そのものが不要となる。
ＣＭＰを用いた場合、ＣＭＰ後被研磨ウエハに残留する
Fe汚染濃度を示す。 従来ＣＭＰを用いた場合は、ウエ
ハ上に１０12ａｔｏｍｓ／ｃｍ2程度のＦｅ汚染が残留
するが、本発明のＣＭＰを用いた場合は１０10ａｔｏｍ
ｓ／ｃｍ2以下である。従って、ＣＭＰ後にＦｅ汚染を
除去するための洗浄工程が不要となる。洗浄のために
は、Ｗやバリアメタルであるチタン（Ｔｉ）、窒化チタ
ン（ＴｉＮ）をエッチングすることなく表面に残留する
Fe汚染を有効に除去する新たな洗浄液が必要となるが、
本発明では洗浄工程そのものが不要となる。
【図１】本発明の装置の１例を示す概略図である。
【図２】従来装置の概略図である。
【図３】本発明のラジカル発生装置の１例を示す概略図
である。
である。
【図４】ＣＭＰ後ウエハ表面に残留するFe汚染濃度の従
来の例と本発明との対比
来の例と本発明との対比
【図５】過酸化水素水の吸収特性を示す図である。
【図６】活性化溶液を大気開放した時間とＯＨラジカル
量との関係を示す図である。
量との関係を示す図である。
【図７】活性化溶液の移送配管の長さとＯＨラジカル量
との関係を示す図である。
との関係を示す図である。
１ 研磨粒子含有液タンク １ａ 液量制御バルブ ２ 過酸化水素水タンク ２ａ 過酸化水素水量制御バルブ ３ 混合水槽 ４ 研磨液供給ポンプ ５ 研磨溶液活性化システム ６ 研磨液供給チューブ ７ 流量制御バルブ（４と５の間） ８ 流量制御バルブ（５と６の間） ９ ウエハ １０ 研磨パッド １１ 研磨タンク １２ 低圧水銀ランプ １３ 石英ガラス管 １４ 鏡
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (58)調査した分野(Int.Cl.7，ＤＢ名) H01L 21/304 622 H01L 21/304 621 B24B 37/00
Claims (6)
- 【請求項１】 半導体基板表面の化学的機械研磨方法に
おいて、研磨粒子と過酸化水素を含む溶液に波長１５０
ｎｍ〜３２０ｎｍの紫外線を照射した後直ちに基板表面
に塗布研磨することを特徴とする化学的機械研磨液の供
給方法。 - 【請求項２】 研磨粒子を含む研磨液と過酸化水素水溶
液の混合比率が１：１〜１０：１の範囲であることを特
徴とする請求項１に記載の化学的機械研磨液の供給方
法。 - 【請求項３】 紫外線を照射した後大気に接触させるこ
となく基板表面に塗布研磨することを特徴とする請求項
１に記載の化学的機械研磨液の供給方法。 - 【請求項４】 大気に接触させることなく１分以内に基
板表面に塗布研磨することを特徴とする請求項３に記載
の化学的機械研磨液の供給方法。 - 【請求項５】 研磨粒子含有液と過酸化水素水溶液との
混合水槽と研磨パッドとの間に研磨溶液活性化システム
を配置したことを特徴とする半導体基板表面の化学的機
械研磨装置。 - 【請求項６】 研磨溶液活性化システムが石英ガラス管
の直上に紫外光発生源を配置し石英ガラス管内の流動研
磨液を紫外線照射により活性化するようにした請求項５
に記載の半導体基板表面の化学的機械研磨装置。
Priority Applications (3)
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|---|---|---|---|
| JP10510498A JP3075352B2 (ja) | 1998-04-15 | 1998-04-15 | 化学的機械研磨液の供給方法および装置 |
| US09/292,685 US6183351B1 (en) | 1998-04-15 | 1999-04-15 | Method of supplying a chemical mechanical polishing liquid and apparatus therefor |
| KR1019990013267A KR100356126B1 (ko) | 1998-04-15 | 1999-04-15 | 화학적 기계 연마액의 공급 방법 및 장치 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP10510498A JP3075352B2 (ja) | 1998-04-15 | 1998-04-15 | 化学的機械研磨液の供給方法および装置 |
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| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH11297647A JPH11297647A (ja) | 1999-10-29 |
| JP3075352B2 true JP3075352B2 (ja) | 2000-08-14 |
Family
ID=14398568
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP10510498A Expired - Lifetime JP3075352B2 (ja) | 1998-04-15 | 1998-04-15 | 化学的機械研磨液の供給方法および装置 |
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|---|---|
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| JP (1) | JP3075352B2 (ja) |
| KR (1) | KR100356126B1 (ja) |
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| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
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| US7003684B2 (en) * | 2002-03-27 | 2006-02-21 | Via Technologies, Inc. | Memory control chip, control method and control circuit |
| JP4355799B2 (ja) * | 2002-04-22 | 2009-11-04 | 株式会社エム光・エネルギー開発研究所 | シリコンウエハの研磨方法 |
| US6916428B2 (en) * | 2003-10-03 | 2005-07-12 | Amia Corporation | Photo-chemical remediation of Cu-CMP waste |
| US8444861B2 (en) * | 2006-08-11 | 2013-05-21 | The University Of British Columbia | Method and apparatus using hydrogen peroxide and microwave system for slurries treatment |
| JP2008136983A (ja) * | 2006-12-05 | 2008-06-19 | Osaka Univ | 触媒支援型化学加工方法及び加工装置 |
| US9962801B2 (en) | 2014-01-07 | 2018-05-08 | Taiwan Semiconductor Manufacturing Company Limited | Systems and methods for performing chemical mechanical planarization |
| US10490399B2 (en) * | 2016-03-09 | 2019-11-26 | Tokyo Electron Limited | Systems and methodologies for vapor phase hydroxyl radical processing of substrates |
| US10875149B2 (en) * | 2017-03-30 | 2020-12-29 | Taiwan Semiconductor Manufacturing Co., Ltd. | Apparatus and method for timed dispensing various slurry components |
| CN112405355B (zh) * | 2020-11-12 | 2022-03-04 | 上海新昇半导体科技有限公司 | 研磨液供应***、研磨液测试装置及研磨液测试方法 |
| KR102489838B1 (ko) * | 2020-12-16 | 2023-01-17 | 동명대학교산학협력단 | 반도체 공정의 화학기계적 연마(CMP)를 위한 연마 입자 분산성 향상을 통한 시너지 효과 극대화와 SiC 및 GaN 기판 가공 방법 및 시스템 |
| KR102520916B1 (ko) * | 2020-12-16 | 2023-04-11 | 동명대학교산학협력단 | 반도체 공정의 화학기계적 연마(cmp)를 위한 히드록시 라디칼과 용존산소량 제어를 통한 고능률 하이브리드 연마 시스템 |
| CN113334242B (zh) * | 2021-06-24 | 2022-11-04 | 大连理工大学 | 金刚石晶片紫外光辅助化学机械抛光的加工装置及工艺 |
| CN114393503B (zh) * | 2021-12-20 | 2023-05-02 | 浙江工业大学 | 一种基于紫外光响应自组装***的射流抛光装置和方法 |
| CN115433522B (zh) * | 2022-09-26 | 2023-07-04 | 深圳清华大学研究院 | 化学机械抛光液及其抛光方法 |
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| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
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| US5703988A (en) * | 1994-02-15 | 1997-12-30 | Sumitomo Electric Industries, Ltd. | Coated optical fiber and fabrication process therefor |
| JP3311203B2 (ja) * | 1995-06-13 | 2002-08-05 | 株式会社東芝 | 半導体装置の製造方法及び半導体製造装置、半導体ウェーハの化学的機械的ポリッシング方法 |
| JP3672685B2 (ja) * | 1996-11-29 | 2005-07-20 | 松下電器産業株式会社 | 研磨方法及び研磨装置 |
-
1998
- 1998-04-15 JP JP10510498A patent/JP3075352B2/ja not_active Expired - Lifetime
-
1999
- 1999-04-15 US US09/292,685 patent/US6183351B1/en not_active Expired - Fee Related
- 1999-04-15 KR KR1019990013267A patent/KR100356126B1/ko not_active IP Right Cessation
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| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| CN105563341A (zh) * | 2016-02-25 | 2016-05-11 | 清华大学 | 用于cmp抛光液的紫外催化方法 |
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| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPH11297647A (ja) | 1999-10-29 |
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| US6183351B1 (en) | 2001-02-06 |
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