JPH11260993A - 半田耐熱剥離性に優れる半導体装置用銅合金リード材 - Google Patents
半田耐熱剥離性に優れる半導体装置用銅合金リード材Info
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Abstract
(57)【要約】
【課題】 半田耐熱剥離性に優れるＣｕ−Ｂｅ系銅合金
リード材を提供する。 【解決手段】 Ｂｅを０．２〜３．０重量％（以下、％
と略記）含有し、残部がＣｕと不可避不純物からなる銅
合金リード基材の少なくとも半田９が接合される部分に
Ｚｎ層またはＺｎを１０％以上含む銅合金層が０．２〜
５μｍの厚さに形成されている。 【効果】 Ｚｎ層またはＺｎを１０％以上含む銅合金層
（Ｚｎ富化層）は、銅合金リード材の半田接合部に起き
るＣｕとＳｎの相互拡散を抑えてＣｕ−Ｓｎ金属間化合
物層の成長を抑制するので、半田接合部に発生する空孔
が低減し半田耐熱剥離性などが改善される。
リード材を提供する。 【解決手段】 Ｂｅを０．２〜３．０重量％（以下、％
と略記）含有し、残部がＣｕと不可避不純物からなる銅
合金リード基材の少なくとも半田９が接合される部分に
Ｚｎ層またはＺｎを１０％以上含む銅合金層が０．２〜
５μｍの厚さに形成されている。 【効果】 Ｚｎ層またはＺｎを１０％以上含む銅合金層
（Ｚｎ富化層）は、銅合金リード材の半田接合部に起き
るＣｕとＳｎの相互拡散を抑えてＣｕ−Ｓｎ金属間化合
物層の成長を抑制するので、半田接合部に発生する空孔
が低減し半田耐熱剥離性などが改善される。
Description
【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明は、半田耐熱剥離性に
優れる半導体装置用Ｃｕ−Ｂｅ系銅合金リード材に関す
る。
優れる半導体装置用Ｃｕ−Ｂｅ系銅合金リード材に関す
る。
【０００２】
【従来の技術】半導体装置は、例えば、図１に示すよう
な、リードフレーム１のダイパッド２に搭載した半導体
素子３とインナーリード４とがボンディングワイヤ５で
接続され、半導体素子３部分が樹脂６で封止されたもの
で、樹脂６から露出したアウターリード７の先端部分が
プリント配線基板８などに半田９により接合される。し
かし、この半田接合部には、半田接合時の加熱または使
用時の発熱により、アウターリードと半田との間にＣｕ
とＳｎの相互拡散反応が起きてＣｕ−Ｓｎ金属間化合物
層が形成され、これが成長するにつれて前記金属間化合
物層とアウターリードとの界面にカーケンダル効果によ
る空孔が発生し、その結果、半田接合強度が低下し、更
には界面剥離が起きるという問題がある。
な、リードフレーム１のダイパッド２に搭載した半導体
素子３とインナーリード４とがボンディングワイヤ５で
接続され、半導体素子３部分が樹脂６で封止されたもの
で、樹脂６から露出したアウターリード７の先端部分が
プリント配線基板８などに半田９により接合される。し
かし、この半田接合部には、半田接合時の加熱または使
用時の発熱により、アウターリードと半田との間にＣｕ
とＳｎの相互拡散反応が起きてＣｕ−Ｓｎ金属間化合物
層が形成され、これが成長するにつれて前記金属間化合
物層とアウターリードとの界面にカーケンダル効果によ
る空孔が発生し、その結果、半田接合強度が低下し、更
には界面剥離が起きるという問題がある。
【０００３】ところで、近年の電子機器の小型化・高機
能化に伴って半導体装置には小型化、薄型化、耐熱性が
要求され、そのため前記半導体装置を構成するリードフ
レームなどの銅合金リード材には強度と耐熱性の向上が
求められるようになった。そして、前記諸特性を満足す
る材料として、ばね性に優れ端子材などに使用されてい
るＣｕ−Ｂｅ系銅合金（Ｃ１７２００合金など）が挙げ
られる。
能化に伴って半導体装置には小型化、薄型化、耐熱性が
要求され、そのため前記半導体装置を構成するリードフ
レームなどの銅合金リード材には強度と耐熱性の向上が
求められるようになった。そして、前記諸特性を満足す
る材料として、ばね性に優れ端子材などに使用されてい
るＣｕ−Ｂｅ系銅合金（Ｃ１７２００合金など）が挙げ
られる。
【０００４】
【発明が解決しようとする課題】しかし、前記Ｃｕ−Ｂ
ｅ系銅合金は、前述のカーケンダル効果による空孔の発
生が特に多く、このため半田接合強度や半田耐熱剥離性
に著しく劣り、半導体装置用リード材に使用するには接
続信頼性の点で不適当とされている。そこで、本発明者
等は、Ｃｕ−Ｂｅ系銅合金リード材の半田接合強度およ
び半田耐熱剥離性の改善について研究し、Ｃｕ−Ｂｅ系
銅合金リード基材の表面にＺｎ層を形成することにより
半田耐熱剥離性などが改善されることを知見し、さらに
研究を進めて本発明を完成させるに至った。本発明は、
半田耐熱剥離性などに優れるＣｕ−Ｂｅ系銅合金リード
材の提供を目的とする。
ｅ系銅合金は、前述のカーケンダル効果による空孔の発
生が特に多く、このため半田接合強度や半田耐熱剥離性
に著しく劣り、半導体装置用リード材に使用するには接
続信頼性の点で不適当とされている。そこで、本発明者
等は、Ｃｕ−Ｂｅ系銅合金リード材の半田接合強度およ
び半田耐熱剥離性の改善について研究し、Ｃｕ−Ｂｅ系
銅合金リード基材の表面にＺｎ層を形成することにより
半田耐熱剥離性などが改善されることを知見し、さらに
研究を進めて本発明を完成させるに至った。本発明は、
半田耐熱剥離性などに優れるＣｕ−Ｂｅ系銅合金リード
材の提供を目的とする。
【０００５】
【課題を解決するための手段】請求項１記載の発明は、
Ｂｅを０．２〜３．０重量％（以下、％と略記）含有
し、残部がＣｕと不可避不純物からなる銅合金リード基
材の少なくとも半田接合される部分にＺｎ層またはＺｎ
を１０％以上含む銅合金層が０．２〜５μｍの厚さに形
成されていることを特徴とする半田耐熱剥離性に優れる
半導体装置用銅合金リード材である。
Ｂｅを０．２〜３．０重量％（以下、％と略記）含有
し、残部がＣｕと不可避不純物からなる銅合金リード基
材の少なくとも半田接合される部分にＺｎ層またはＺｎ
を１０％以上含む銅合金層が０．２〜５μｍの厚さに形
成されていることを特徴とする半田耐熱剥離性に優れる
半導体装置用銅合金リード材である。
【０００６】請求項２記載の発明は、Ｂｅを０．２〜
３．０重量％（以下、％と略記）含有し、さらに副成分
としてＮｉ、Ｃｏ、Ｆｅ、Ｓｉ、Ｐｂ、Ａｌ、Ｚｒ、Ｍ
ｇ、Ａｇ、Ｔｅのうちの１種または２種以上を合計で
０．００１〜５．０％含有し、残部がＣｕと不可避不純
物からなる銅合金リード基材の少なくとも半田接合され
る部分にＺｎ層またはＺｎを１０％以上含む銅合金層が
０．２〜５μｍの厚さに形成されていることを特徴とす
る半田耐熱剥離性に優れる半導体装置用銅合金リード材
である。
３．０重量％（以下、％と略記）含有し、さらに副成分
としてＮｉ、Ｃｏ、Ｆｅ、Ｓｉ、Ｐｂ、Ａｌ、Ｚｒ、Ｍ
ｇ、Ａｇ、Ｔｅのうちの１種または２種以上を合計で
０．００１〜５．０％含有し、残部がＣｕと不可避不純
物からなる銅合金リード基材の少なくとも半田接合され
る部分にＺｎ層またはＺｎを１０％以上含む銅合金層が
０．２〜５μｍの厚さに形成されていることを特徴とす
る半田耐熱剥離性に優れる半導体装置用銅合金リード材
である。
【０００７】
【発明の実施の形態】請求項１記載の発明の銅合金リー
ド材は、強度、ばね性、耐熱性などに優れるＣｕ−Ｂｅ
合金を基材とし、その表面にＺｎ層またはＺｎを１０％
以上含む銅合金層（以下、前記２層をＺｎ富化層と総称
する）を形成することにより、半田耐熱剥離性などを改
善したものである。前記Ｃｕ−Ｂｅ合金基材のＢｅの含
有量を０．２〜３．０％に規定する理由は０．２％未満
では、前記強度、ばね性、耐熱性などの特性が十分に得
られず、３．０％を超えると加工性が悪化するためであ
る。
ド材は、強度、ばね性、耐熱性などに優れるＣｕ−Ｂｅ
合金を基材とし、その表面にＺｎ層またはＺｎを１０％
以上含む銅合金層（以下、前記２層をＺｎ富化層と総称
する）を形成することにより、半田耐熱剥離性などを改
善したものである。前記Ｃｕ−Ｂｅ合金基材のＢｅの含
有量を０．２〜３．０％に規定する理由は０．２％未満
では、前記強度、ばね性、耐熱性などの特性が十分に得
られず、３．０％を超えると加工性が悪化するためであ
る。
【０００８】請求項２記載の発明の銅合金リード材は、
前記Ｃｕ−Ｂｅ合金に副成分として、Ｎｉ、Ｃｏ、Ｆ
ｅ、Ｓｉ、Ｐｂ、Ａｌ、Ｚｒ、Ｍｇ、Ａｇ、Ｔｅのうち
の１種または２種以上を含有させた合金を基材とするも
ので、前記副成分は強度と耐熱性の向上に寄与する。中
でもＮｉとＣｏはＢｅと化合して析出し前記強度と耐熱
性向上に著しく寄与する。前記副成分の合計含有量を
０．００１〜５．０％に規定する理由は、０．００１％
未満ではその効果が十分に得られず、５．０％を超える
と導電率と加工性が低下するためである。
前記Ｃｕ−Ｂｅ合金に副成分として、Ｎｉ、Ｃｏ、Ｆ
ｅ、Ｓｉ、Ｐｂ、Ａｌ、Ｚｒ、Ｍｇ、Ａｇ、Ｔｅのうち
の１種または２種以上を含有させた合金を基材とするも
ので、前記副成分は強度と耐熱性の向上に寄与する。中
でもＮｉとＣｏはＢｅと化合して析出し前記強度と耐熱
性向上に著しく寄与する。前記副成分の合計含有量を
０．００１〜５．０％に規定する理由は、０．００１％
未満ではその効果が十分に得られず、５．０％を超える
と導電率と加工性が低下するためである。
【０００９】本発明において、銅合金リード材の半田耐
熱剥離性などが前記Ｚｎ富化層により改善される理由
は、前記Ｚｎ富化層は、銅合金リード材の半田接合部に
起きるＣｕとＳｎの相互拡散を抑えてＣｕ−Ｓｎ金属間
化合物層の成長を抑制し、半田接合部に発生する空孔を
低減させるためである。
熱剥離性などが前記Ｚｎ富化層により改善される理由
は、前記Ｚｎ富化層は、銅合金リード材の半田接合部に
起きるＣｕとＳｎの相互拡散を抑えてＣｕ−Ｓｎ金属間
化合物層の成長を抑制し、半田接合部に発生する空孔を
低減させるためである。
【００１０】本発明において、Ｚｎ富化層におけるＺｎ
含有率を１０％以上に規定する理由は、１０％未満では
前記ＣｕとＳｎの相互拡散防止効果が十分に得られない
ためである。Ｚｎ富化層におけるＺｎの含有率は２０％
以上が特に望ましい。また前記Ｚｎ富化層の厚さを０．
２〜５μｍに規定する理由は、０．２μｍ未満ではその
ＣｕとＳｎの相互拡散防止効果が十分に得られず、５μ
ｍを超えると前記効果が飽和し不経済なためである。Ｚ
ｎ富化層の厚さは０．３〜３μｍが特に望ましい。
含有率を１０％以上に規定する理由は、１０％未満では
前記ＣｕとＳｎの相互拡散防止効果が十分に得られない
ためである。Ｚｎ富化層におけるＺｎの含有率は２０％
以上が特に望ましい。また前記Ｚｎ富化層の厚さを０．
２〜５μｍに規定する理由は、０．２μｍ未満ではその
ＣｕとＳｎの相互拡散防止効果が十分に得られず、５μ
ｍを超えると前記効果が飽和し不経済なためである。Ｚ
ｎ富化層の厚さは０．３〜３μｍが特に望ましい。
【００１１】本発明において、Ｚｎ富化層はＣｕ−Ｂｅ
系銅合金リード材の全面に形成しても良いが、プリント
配線基板などと半田接合される部分にのみ形成すると極
めて経済的である。前記銅合金リード材にＺｎ層を形成
する方法はめっきまたは蒸着により行う。Ｃｕ−Ｚｎ合
金層の形成はＣｕ−Ｚｎ合金をめっきするか、またはＺ
ｎをめっきまたは蒸着させたのち加熱してＺｎを基材に
拡散させて行う。本発明で対象とする半田は、Ｐｂ−Ｓ
ｎ系合金、Ｐｂ−Ｓｎ−Ｓｂ系合金などＳｎを含有する
半田である。
系銅合金リード材の全面に形成しても良いが、プリント
配線基板などと半田接合される部分にのみ形成すると極
めて経済的である。前記銅合金リード材にＺｎ層を形成
する方法はめっきまたは蒸着により行う。Ｃｕ−Ｚｎ合
金層の形成はＣｕ−Ｚｎ合金をめっきするか、またはＺ
ｎをめっきまたは蒸着させたのち加熱してＺｎを基材に
拡散させて行う。本発明で対象とする半田は、Ｐｂ−Ｓ
ｎ系合金、Ｐｂ−Ｓｎ−Ｓｂ系合金などＳｎを含有する
半田である。
【００１２】
ＺｎＳＯ4 ・７Ｈ2 Ｏ：２５０ｇ／リットル、Ｎａ2 Ｓ
Ｏ4 ：１００ｇ／リットル。 〔めっき条件〕 浴温度：５０℃、電流密度：８Ａ／ｄｍ2 、ｐＨ：１．
２。
Ｏ4 ：１００ｇ／リットル。 〔めっき条件〕 浴温度：５０℃、電流密度：８Ａ／ｄｍ2 、ｐＨ：１．
２。
【００１３】（実施例２）実施例１のＺｎめっき後の合
金板に下記条件で加熱拡散処理を施して銅合金リード材
を製造した。 〔加熱拡散処理条件〕 雰囲気：Ａｒガス、加熱温度：４５０℃、加熱時間：１
０分。
金板に下記条件で加熱拡散処理を施して銅合金リード材
を製造した。 〔加熱拡散処理条件〕 雰囲気：Ａｒガス、加熱温度：４５０℃、加熱時間：１
０分。
【００１４】（実施例３）厚さ０．２ｍｍのＣｕ−1.9%
Ｂｅ−0.5%Ｎｉ合金板の表面に、Ｚｎを２５〜７５％含
むＣｕ−Ｚｎ合金を、下表に示す組成のめっき浴を用
い、下記めっき条件でめっきして銅合金リード材を製造
した。 〔めっき条件〕 浴温度：３５℃、電流密度：０．８Ａ／ｄｍ2 、ｐＨ：
１１．５。
Ｂｅ−0.5%Ｎｉ合金板の表面に、Ｚｎを２５〜７５％含
むＣｕ−Ｚｎ合金を、下表に示す組成のめっき浴を用
い、下記めっき条件でめっきして銅合金リード材を製造
した。 〔めっき条件〕 浴温度：３５℃、電流密度：０．８Ａ／ｄｍ2 、ｐＨ：
１１．５。
【００１５】（比較例１）Ｚｎのめっき厚さを０．１μ
ｍとした他は、実施例１と同じ方法により銅合金リード
材を製造した。
ｍとした他は、実施例１と同じ方法により銅合金リード
材を製造した。
【００１６】（比較例２）厚さ０．２ｍｍのＣｕ−1.9%
Ｂｅ−0.5%Ｎｉ合金板の表面に、Ｃｕ−５％Ｚｎ合金を
下表に示す組成のめっき浴を用い、下記めっき条件でめ
っきして銅合金リード材を製造した。〔めっき浴組成〕 〔めっき条件〕 浴温度：３５℃、電流密度：０．８Ａ／ｄｍ2 、ｐＨ：
１１．５。
Ｂｅ−0.5%Ｎｉ合金板の表面に、Ｃｕ−５％Ｚｎ合金を
下表に示す組成のめっき浴を用い、下記めっき条件でめ
っきして銅合金リード材を製造した。〔めっき浴組成〕 〔めっき条件〕 浴温度：３５℃、電流密度：０．８Ａ／ｄｍ2 、ｐＨ：
１１．５。
【００１７】実施例１〜３、比較例１、２で得られた各
々の銅合金リード材からサンプル板を切出し、このサン
プル板の表面に、図２に示すように、銅線10を共晶半田
（Ｐｂ−６３％Ｓｎ合金）９で接合して試験片11を作製
し、これを大気中１５０℃で１０００時間保持（劣化処
理）したのち、この試験片11のサンプル板12と銅線10を
把持して引張って半田接合部13の接合強度を測定した。
半田接合部13は直径６ｍｍの円形とした。Ｚｎ富化層を
形成しない厚さ０．２ｍｍのＣｕ−1.9%Ｂｅ−0.5%Ｎｉ
合金板（従来材）についても同様にして半田接合強度を
測定した。結果を表１に示す。半田接合強度は、劣化処
理後の強度ｎと劣化処理前の強度ｍの比（ｎ／ｍ）の百
分率（半田接合強度残存率）で表した。
々の銅合金リード材からサンプル板を切出し、このサン
プル板の表面に、図２に示すように、銅線10を共晶半田
（Ｐｂ−６３％Ｓｎ合金）９で接合して試験片11を作製
し、これを大気中１５０℃で１０００時間保持（劣化処
理）したのち、この試験片11のサンプル板12と銅線10を
把持して引張って半田接合部13の接合強度を測定した。
半田接合部13は直径６ｍｍの円形とした。Ｚｎ富化層を
形成しない厚さ０．２ｍｍのＣｕ−1.9%Ｂｅ−0.5%Ｎｉ
合金板（従来材）についても同様にして半田接合強度を
測定した。結果を表１に示す。半田接合強度は、劣化処
理後の強度ｎと劣化処理前の強度ｍの比（ｎ／ｍ）の百
分率（半田接合強度残存率）で表した。
【００１８】
【表１】 （注）Ｚｎ富化層の厚さ※はＺｎ濃度１０％以上の厚さである。
【００１９】表１より明らかなように、本発明例のNo.1
〜7 は、いずれも、半田接合強度残存率が２７％以上で
従来材に較べて格段に優れており、半導体装置用リード
材として十分使用できるものである。他方、比較例のN
o.8はＺｎ富化層の厚さが薄いため、No.9はＺｎ富化層
のＺｎ含有率が小さいため、いずれも半田接合強度残存
率が低かった。なお、本発明例のリード材については劣
化処理を更に長期間行ったが、半田接合部で剥離が起き
るようなことはなく、半田耐熱剥離性にも優れることが
確認された。
〜7 は、いずれも、半田接合強度残存率が２７％以上で
従来材に較べて格段に優れており、半導体装置用リード
材として十分使用できるものである。他方、比較例のN
o.8はＺｎ富化層の厚さが薄いため、No.9はＺｎ富化層
のＺｎ含有率が小さいため、いずれも半田接合強度残存
率が低かった。なお、本発明例のリード材については劣
化処理を更に長期間行ったが、半田接合部で剥離が起き
るようなことはなく、半田耐熱剥離性にも優れることが
確認された。
【００２０】（実施例４）基板に、厚さ０．２ｍｍのＣ
ｕ−0.2 〜3.0%Ｂｅ合金板を用いた他は、実施例１と同
じ方法により銅合金リード材を製造した。得られた銅合
金リード材について、実施例１と同じ方法により半田接
合強度を測定した。結果を表２に示す。
ｕ−0.2 〜3.0%Ｂｅ合金板を用いた他は、実施例１と同
じ方法により銅合金リード材を製造した。得られた銅合
金リード材について、実施例１と同じ方法により半田接
合強度を測定した。結果を表２に示す。
【００２１】
【表２】
【００２２】表２より明らかなように、本発明例の No.
11〜14は、いずれも、半田接合強度残存率が３３％以上
で従来材 (表１のNo.10)に較べて格段に優れており、半
導体装置用リード材として十分使用できるものである。
11〜14は、いずれも、半田接合強度残存率が３３％以上
で従来材 (表１のNo.10)に較べて格段に優れており、半
導体装置用リード材として十分使用できるものである。
【００２３】
【発明の効果】以上に述べたように、本発明の銅合金リ
ード材は、強度、ばね性、耐熱性などに優れるＣｕ−Ｂ
ｅ系銅合金を基材とし、その表面にＺｎ富化層を形成し
たもので、前記Ｚｎ富化層は、銅合金リード材の半田接
合部に起きるＣｕとＳｎの相互拡散を抑えてＣｕ−Ｓｎ
金属間化合物層の成長を抑制するので、半田接合部に発
生する空孔が低減して半田耐熱剥離性などが改善され
る。依って工業上顕著な効果を奏する。
ード材は、強度、ばね性、耐熱性などに優れるＣｕ−Ｂ
ｅ系銅合金を基材とし、その表面にＺｎ富化層を形成し
たもので、前記Ｚｎ富化層は、銅合金リード材の半田接
合部に起きるＣｕとＳｎの相互拡散を抑えてＣｕ−Ｓｎ
金属間化合物層の成長を抑制するので、半田接合部に発
生する空孔が低減して半田耐熱剥離性などが改善され
る。依って工業上顕著な効果を奏する。
【図１】半導体装置の説明図である。
【図２】半田接合部の接合強度を測定する方法の説明図
である。
である。
１ リードフレーム ２ ダイパッド ３ 半導体素子 ４ インナーリード ５ ボンディングワイヤ ６ 樹脂 ７ アウターリード ８ プリント配線基板 ９ 半田 10 銅線 11 試験片 12 サンプル板 13 半田接合部
Claims (2)
- 【請求項１】 Ｂｅを０．２〜３．０重量％（以下、％
と略記）含有し、残部がＣｕと不可避不純物からなる銅
合金リード基材の少なくとも半田接合される部分にＺｎ
層またはＺｎを１０％以上含む銅合金層が０．２〜５μ
ｍの厚さに形成されていることを特徴とする半田耐熱剥
離性に優れる半導体装置用銅合金リード材。 - 【請求項２】 Ｂｅを０．２〜３．０重量％（以下、％
と略記）含有し、さらに副成分としてＮｉ、Ｃｏ、Ｆ
ｅ、Ｓｉ、Ｐｂ、Ａｌ、Ｚｒ、Ｍｇ、Ａｇ、Ｔｅのうち
の１種または２種以上を合計で０．００１〜５．０％含
有し、残部がＣｕと不可避不純物からなる銅合金リード
基材の少なくとも半田接合される部分にＺｎ層またはＺ
ｎを１０％以上含む銅合金層が０．２〜５μｍの厚さに
形成されていることを特徴とする半田耐熱剥離性に優れ
る半導体装置用銅合金リード材。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP10061126A JPH11260993A (ja) | 1998-03-12 | 1998-03-12 | 半田耐熱剥離性に優れる半導体装置用銅合金リード材 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP10061126A JPH11260993A (ja) | 1998-03-12 | 1998-03-12 | 半田耐熱剥離性に優れる半導体装置用銅合金リード材 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH11260993A true JPH11260993A (ja) | 1999-09-24 |
Family
ID=13162091
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP10061126A Pending JPH11260993A (ja) | 1998-03-12 | 1998-03-12 | 半田耐熱剥離性に優れる半導体装置用銅合金リード材 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH11260993A (ja) |
Cited By (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2011519180A (ja) * | 2008-04-29 | 2011-06-30 | イルジン カッパー ホイル カンパニー リミテッド | 電子部品用金属フレーム |
| WO2018161380A1 (zh) * | 2017-03-09 | 2018-09-13 | 苏州金江铜业有限公司 | 一种碲铍铜合金及其制备方法 |
| CN111057886A (zh) * | 2019-10-29 | 2020-04-24 | 宁夏中色新材料有限公司 | 一种铍铜铸轧辊套的制备方法和铍铜铸轧辊套 |
-
1998
- 1998-03-12 JP JP10061126A patent/JPH11260993A/ja active Pending
Cited By (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2011519180A (ja) * | 2008-04-29 | 2011-06-30 | イルジン カッパー ホイル カンパニー リミテッド | 電子部品用金属フレーム |
| WO2018161380A1 (zh) * | 2017-03-09 | 2018-09-13 | 苏州金江铜业有限公司 | 一种碲铍铜合金及其制备方法 |
| CN111057886A (zh) * | 2019-10-29 | 2020-04-24 | 宁夏中色新材料有限公司 | 一种铍铜铸轧辊套的制备方法和铍铜铸轧辊套 |
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