JP3466498B2 - 配線基板及びその製造方法 - Google Patents
配線基板及びその製造方法Info
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Description
ッケージなど、セラミックを主成分としてなる配線基板
に関し、詳しくはIC等の電子部品などの接合面(ダイ
アタッチ面)をなす高融点金属層の表面に、電解ニッケ
ル(Ni)メッキ層が形成されてなる配線基板に関す
る。
チ面がW(タングステン)、Mo(モリブデン)等の高
融点金属からなり、同時焼成されて形成される。このダ
イアタッチ部(面)をなす高融点金属層(メタライズ
層)には、ハンダ濡れ性の確保や酸化防止などのため、
ニッケルメッキ(Ni)及び金(Au)メッキがかけら
れ、各メッキ層が形成される。このメッキ層は、可能な
かぎり工程管理などの容易な電解メッキ(以下、単にメ
ッキともいう)によるのが普通である。そして、このダ
イアタッチ部への半導体素子を含む電子部品(以下、チ
ップともいう)の接合には、通常、Au−Si合金ハン
ダで融点が例えば390℃程度の高融点ハンダ(例えば
Au98%、Si2%)が使用される。
れるAuメッキ層の下地Niメッキ層については、Au
メッキ層へのNiの拡散が防止できるといった理由か
ら、従来コバルト(Co)が2重量%以上が共析された
Ni−Co合金メッキ層が形成されるのが普通である。
すなわち、このようなNiメッキ層については、半導体
素子のハンダ付け(接合)時の熱(390℃程度以上)
によって下地Niメッキ層中のNiがAuメッキ層の表
面に拡散してボンディング性やシール性を低下させない
ように、意図的にCoを2重量%以上含むNiメッキ層
を形成している。
に100℃以上の高温となることがあることから、熱環
境下での接合強度が極めて重要である。また、従来、そ
のような接合強度を保証するため、温度(熱)サイクル
試験や高温エージングなどの熱処理が行われている。
低い半導体素子などの電子部品の接合には、こうした高
融点のAu−Si合金ハンダを用いることができない場
合がある。このように接合にAu−Si合金ハンダを用
いることができない特殊な場合には、低融点のPb−S
n(鉛錫合金)共晶ハンダ、Au−Sn(金錫合金)ハ
ンダ、Sn−Ag(錫銀)ハンダなどのSnを含む合金
又はSnが使用される。しかし、ダイアタッチ部がNi
−Co合金メッキ層(以下、単にNiメッキ層ともい
う)或いは同Niメッキ層及びAuメッキ層で仕上げら
れているものに、Pb−SnハンダなどのSnを含む合
金やSnで半導体素子を接合したものにおいては、その
接合強度が低いという問題があった。
層中のNiとが反応してNiメッキ層とハンダとの間に
硬くて脆いNi−Snの金属間化合物が生成され、その
接合後の前記のような熱処理で、これがさらに生成、成
長し、その際に発生する応力によって接合部にクラック
が発生するためと考えられる。このことから、接合強度
を上げるためには、金属間化合物が生成され難くするの
が有効と考えられる。なお、こうした接合強度の低下や
その原因となる金属間化合物の存在は、例えばチップを
ダイアタッチ部から離間するようにその面(接合面)に
垂直に引張り荷重をかけて、チップを強制的に剥離(引
き剥がし)する試験をすると、Niメッキ層とハンダと
の界面で容易に分離(切断)してしまうことから確認さ
れる。
間化合物の生成され易さは、電解Niメッキ層中に含ま
れているCoに関係していると考えた。すなわち、半導
体素子の接合に例えばPb−Snハンダを用いる場合に
は、Niメッキ層中のCoが、Ni−Snの金属間化合
物の形成を加速ないし促進し、結果として接合強度を低
下させていると考えた。そこで、電解Niメッキ層に、
従来とは逆にCoを意図的ないし積極的に除去してなる
基板試料を作り、これにチップを接合した接合体試料を
作って加熱処理をし、その後、前記のような剥離試験を
繰り返し実施した。
強度が向上する傾向があり、とくにNiメッキ層(被
膜)中のCoの割合、つまりCoを含むNiメッキ層
(全体)に対するそのCoの割合を3重量%以下とする
ことで、良好な接合強度が保持されることを知るに至っ
た。すなわち、半導体素子の接合にPb−Snハンダな
どのようにSnを含む合金又はSnを用いる場合には、
Au−Siハンダを用いる場合のようにCoを意図的な
いし積極的に共析させるのは好ましくないことが判明し
た。
常使用されるワット浴の電解Niメッキ液でも建浴に使
用される硫酸Niや塩化NiにCoが不純物として含ま
れ、その量は不純物を含むNi重量に対して0.1〜
0.8重量%である。そしてこのNiメッキ液でメッキ
を行うとNiメッキ層中のCoの割合は0.5〜3.6
重量%であり、このようなNiメッキ層にSn合金又は
Snで接合しても、所望とする安定した高い接合強度が
得られない。これは、Niメッキ層中のCoの割合は
0.5〜3.6重量%の範囲でばらついており、実質的
に3重量%を超えているためと考えられる。なお、無電
解Ni−Bメッキのように、純ニッケルに近い無電解N
iメッキを用いることも考えられるが、無電解メッキは
電解メッキに比べて工程管理などに難があり、コスト上
からも適切でない。
ものであり、その目的とするところは、タングステンや
モリブデンなどの高融点金属層(メタライズ層)の表面
に、電解Niメッキ層或いは電解Niメッキ層およびA
uメッキ層を形成してダイアタッチ部とし、このダイア
タッチ部へのチップの接合にPb−SnハンダなどのS
nを含む合金又はSnが用いられる場合で、チップが高
温に晒されても、金属間化合物の生成を抑制でき、その
接合強度が低下しないようにすることにある。
め、本発明は、電子部品がハンダ付けされるダイアタッ
チ部をなす高融点金属層の表面に、電解ニッケルメッキ
層又は電解ニッケルメッキ層及び金メッキ層が形成さ
れ、該ダイアタッチ部をなす高融点金属層の表面に形成
された電解ニッケルメッキ層又は電解ニッケルメッキ層
及び金メッキ層の上(表面)に、錫又は錫を含む合金で
電子部品がハンダ付される配線基板において、コバルト
を含む前記電解ニッケルメッキ層(全体)に対するその
コバルトの割合を3重量%以下としたことを特徴とす
る。
キ層中のコバルト(Co)を3重量%以下とした。これ
により、ダイアタッチ部をなす高融点金属層の表面に形
成された電解ニッケルメッキ層の上に、半導体素子を含
む電子部品をPb−SnハンダなどのSnを含む合金又
はSnを用いてハンダ付けしても、高温環境下でも接合
強度の高い配線基板が得られる。本発明において、電解
ニッケルメッキ層の上とは、その表面、及びその上に金
メッキ層を形成した場合には金メッキ層の上(表面)を
意味する。すなわちこのような配線基板を高温環境下に
おいても、従来のCoを積極的に添加した電解ニッケル
メッキ層や通常の電解ニッケルメッキ層(Coが0.5
〜3.6重量%の範囲でばらついて含まれる電解ニッケ
ルメッキ層)のように接合強度が低下することはなく、
加熱前と同様の強度が保持される。
量%以下とするためには、ワット浴の浴組成に用いられ
る、硫酸ニッケルや塩化ニッケルの純度を上げて液中の
コバルトを減量ないし除去したメッキ液を用いて電解N
iメッキをすればよい。すなわち、普通に入手されるニ
ッケルメッキ薬品の硫酸ニッケル、塩化ニッケル中には
不純物としてコバルトが相当量含有されており、その量
は全重量に対し0.1〜0.8重量%ある。そしてこれ
をそのまま用いたNiメッキ液でメッキをすると、Ni
メッキ層中にCoが0.5〜3.6重量%程度の範囲で
ばらついて含まれる。このようなNiメッキ層のうち、
Coの割合が3重量%を超えたものでは接合強度の低下
を招いてしまう。したがって、Niメッキ層中のCoの
割合が3重量%を超えることがないように、このように
脱コバルト処理したメッキ液を用いてメッキをするので
あるが、ニッケルメッキ液中のコバルトの重量をニッケ
ルの重量の148分の1以下として電解ニッケルメッキ
層を形成するとよい。詳しくは後述する。
ケルメッキ層に対するそのコバルトの割合を3重量%以
下となるようにすればよいが、その電解ニッケルメッキ
層にコバルトが含まれていないものとしてもよい。つま
り、Niメッキ層中のCoが0重量%のものである。な
お、ここに、「コバルトが含まれていない(0重量
%)」とは、EDS(ENERGY DISPERSIVE SPECTROMETE
R)分析でのコバルト検出量が0重量%であることをい
う。なお、このようなNiメッキには、スルファミン酸
Niメッキ液を使用すればよい。
て、図1及び図2を参照しながら詳細に説明する。図
中、1は、アルミナセラミック製の多層配線層基板であ
り、その上面2中央のダイアタッチ部3部位を含め詳し
くは図示しない配線層がWやMo等の高融点金属により
同時焼成されて形成されている。そして、ダイアタッチ
部3をなす高融点金属層(メタライズ層)4に、Coが
3重量%以下の電解Niメッキ層(以下、Niメッキ層
という)5が形成され、表面には腐蝕防止のために電解
Auメッキ層(以下、Auメッキ層という)6が形成さ
れている。本例では、このようなNiメッキ層5中のC
oが0重量%、1重量%、2重量%、3重量%の配線基
板(試料)1を各100個作り、次記するようにして接
合体試料を作りチップの引剥がし(引張り)試験をし
た。ただし、Co含有量(率)は、EDS分析による値
である。
しても良いが、本例では、1回目で厚さが1μmとなる
ように形成して約800℃でシンタリングして高融点金
属層(WとMo)4とNi間の相互拡散によってNiメ
ッキ層の密着を確保し、2回目でさらにNiメッキ層を
厚さ2μm形成した。なお、Niメッキ層5の厚さは、
これに限定されず適宜の厚さとすれば良い。またAuメ
ッキ層6は厚さが1.5μmとなるように形成したが、
ハンダ濡れ性に問題ない場合やNiメッキ層の酸化が問
題とならないような場合には形成しなくともよい。
に、図2に示したようにAg/Pdからなるメタライズ
層10をもつチップ試料11を、本例ではSnを含む合
金としてPb−Sn共晶ハンダ(Sn63:Pd37)
7でハンダ付けした接合体試料21を100個ずつ作っ
た。本例ではPb−Sn共晶ハンダペーストを各配線基
板1のダイアタッチ部(例えば□20mm領域)3にス
クリーン印刷し、メタライズ層10を1主面にもつ□1
5mmのチップ試料11を同主面がダイアタッチ部(ハ
ンダペースト印刷面)3に当接するようにして位置決め
して載置(セット)し、大気中、或いは窒素雰囲気中で
180℃〜200℃で1分間保持した。こうしてハンダ
7をリフローしてチップ試料11をハンダ付けし、その
後、フラックスを洗浄して接合体試料21とした。
に分け、それぞれを150℃で150時間、300時
間、600時間、又は1000時間の各時間熱処理(高
温エージング)したものに分類した。そして、加熱処理
していないもの(10個)と共に、図3に示したよう
に、チップ11の表面にアルミニウム製スタッドSをエ
ポキシ系接着剤によって接着する一方、配線基板1の上
面をクランプCで押え、配線基板1とチップ11を離間
するように接合面に垂直に引張り荷重Pをかけ、チップ
11を強制的に引剥がし、引剥がされ不良モード(Ni
メッキ層5の表面とハンダ7との界面で切断されたも
の)の数を測定した。
のはNiメッキ層表面とハンダ7との界面に硬くて脆い
Sn−Ni系金属間化合物の生成、成長が大きく、その
脆さによって同界面で低荷重で容易に剥離する。これに
対し、接合ハンダ7の層自体の間で切断される形で引き
剥されたものは接合強度が高い。なお、前記形態ではダ
イアタッチ部3にAuメッキ層6を形成したが、Auメ
ッキ層中のAuは、ハンダ付け時に溶融したAu−Si
ハンダ中に拡散するため、Niメッキ層5の面とハンダ
7との界面に金属間化合物が生成される。なお、比較例
として、Coを3.5重量%,4重量%,5重量%,6
〜10重量%及び15〜30重量%含むものについても
試験した。結果は表1に示した通りである。
をこえるものでは、熱処理時間が150時間以上で、い
ずれも引剥がされ不良モードのもの(Niメッキ層とハ
ンダとの界面で切断された形で引剥がされていたもの)
があり、しかも熱処理時間の増加につれてその発生比率
が増大していた。また、5重量%のものでは600時間
以上で、3.5重量%、4.5重量%のものでは100
0時間以上で不良モードのものが発生していた。これに
対し、Coが3重量%以下のものでは、いずれの加熱処
理時間後の試料でも、加熱なしの場合と同様に、Niメ
ッキ層とハンダとの接合界面で切断されたものはなく、
接合ハンダ7の層の間で切断されていた。これらのこと
は、Niメッキ層中のCoを3重量%以下とした場合に
は、熱処理によるSn−Ni系金属間化合物の生成等が
抑制されることを実証するものであり、したがって半導
体装置が熱環境下で使用されてもその接合の信頼性を低
下させないことを示している。
0重量%とした試料は、スルファミン酸Niメッキ液を
使用してメッキしたものである。そして、Niメッキ層
中のCoを1〜3重量%とした試料は、そのようなメッ
キ組成が得られるように、ワット浴の浴組成に用いられ
る、硫酸ニッケルおよび塩化ニッケルの純度を上げてコ
バルトを低減、調節したメッキ液を用いてメッキしたも
のである。またCoが3.5重量%以上のものは、ニッ
ケルワット浴液にCoとして硫酸コバルトを適量ずつ添
加して、Niメッキ層中に各重量%のCoが含まれるよ
うに調整してメッキしたものである。
合を3重量%以下にするにはNiメッキ液中のCoの割
合(=Co重量/(Ni重量+Co重量))を0.67
重量%以下とすればよい。これは、実験(メッキ液:ワ
ット浴、電流条件:1A/dm2、メッキ温度:45
℃)によると、Niメッキ液中と、Niメッキ層中にお
けるCoの割合(=Co重量/(Ni重量+Co重
量))の関係から判明した(表2及びこれをグラフ化し
た図4参照)。
Coの割合はNiメッキ液中のCoの割合に略比例して
おり、その結果からすると、Niメッキ液中のCoの割
合(=Co重量/(Ni重量+Co重量))が0.67
重量%以上のときにNiメッキ層中のCoの割合が3重
量%以上となるためである。したがってNiメッキ液中
のCoの割合(=Co重量/(Ni重量+Co重量))
を0.67重量%以下にしてNiメッキ層を形成すれば
よい。すなわち、Niメッキ液中のコバルトの重量をN
iの重量の148分の1以下として、高融点金属層の表
面に電解Niメッキ層を形成すれば、コバルトを含むN
iメッキ層に対するそのCoの割合を3重量%以下にで
きる。
67重量%以下とする手法は適宜のものとすればよい
が、次のような手法が例示される。 (1)ワット浴の建浴改善。すなわち、建浴に使用する
硫酸Ni、塩化Niに1級試薬(Co不純物量0.1重
量%以下)を使用する。 (2)ワット浴にてダミーメッキをしてCoの割合を低
減する。ワット浴には最大0.8重量%のCoが含まれ
る一方、メッキ液中のCo/Ni比に対し、析出するメ
ッキ層中のCo/Ni比の方が大きい。したがって、ダ
ミーメッキにて消費されたNiは陽極からメッキ液中に
溶けだして補充されるが、陽極のNi棒中のCoの割合
は0.1重量%以下と低い。このようにダミーメッキを
行うことでメッキ液中のCoの割合を低減できる。 (3)スルファミン酸Niメッキ液の使用。スルファミ
ン酸Niメッキ液は液中のCoの割合が0.1重量%以
下のため、そのまま使用できる。
合で説明したが、本発明においては、その他の電子部品
を接合する場合でも同様にその接合強度の向上が図られ
る。なお前記においてはICパッケージ用の配線基板に
て本発明を具体化したが、本発明はこれ以外の配線基板
にも広く適用できる。
に係る配線基板によれば、コバルトを含む電解ニッケル
メッキ層に対するそのコバルトの割合を3重量%以下と
したため、その電解ニッケルメッキ層の上に半導体素子
をPb−SnハンダなどのSnを含む合金又はSnを用
いて接合してなる配線基板又は半導体装置を作り、これ
を高温環境下において使用しても、従来の電解ニッケル
メッキによるもののように金属間化合物が生成、成長さ
れることがない。したがって、その接合強度が低下する
ことがなく、高温環境下におかれる前と同様の強度が保
持される。このように本発明によれば、その電解ニッケ
ルメッキ層のなすダイアタッチ部などに電子部品をPb
−SnハンダなどのSnを含む合金又はSnでハンダ付
しても、信頼性の高い接合が得られる。
大図。
合体試料の概念図。
ドを接着して剥離試験する状態の説明図。
Coの割合の関係を表すグラフ。
Claims (4)
- 【請求項1】 電子部品がハンダ付けされるダイアタッ
チ部をなす高融点金属層の表面に、電解ニッケルメッキ
層又は電解ニッケルメッキ層及び金メッキ層が形成さ
れ、該ダイアタッチ部をなす高融点金属層の表面に形成
された電解ニッケルメッキ層又は電解ニッケルメッキ層
及び金メッキ層の上に、錫又は錫を含む合金で電子部品
がハンダ付される配線基板において、コバルトを含む前
記電解ニッケルメッキ層に対するそのコバルトの割合を
3重量%以下としたことを特徴とする配線基板。 - 【請求項2】 電子部品がハンダ付けされるダイアタッ
チ部をなす高融点金属層の表面に、電解ニッケルメッキ
層又は電解ニッケルメッキ層及び金メッキ層が形成さ
れ、該ダイアタッチ部をなす高融点金属層の表面に形成
された電解ニッケルメッキ層又は電解ニッケルメッキ層
及び金メッキ層の上に、錫又は錫を含む合金で電子部品
がハンダ付される配線基板において、前記電解ニッケル
メッキ層にコバルトが含まれていないことを特徴とする
配線基板。 - 【請求項3】 電子部品が錫又は錫を含む合金で前記電
解ニッケルメッキ層の上にハンダ付されてなる請求項1
又は2記載の配線基板。 - 【請求項4】 ニッケルメッキ液中のコバルトの重量を
ニッケルの重量の148分の1以下として電解ニッケル
メッキ層を形成することを特徴とする請求項1記載の配
線基板の製造方法。
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP186299A JP3466498B2 (ja) | 1998-01-28 | 1999-01-07 | 配線基板及びその製造方法 |
Applications Claiming Priority (3)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP10-32182 | 1998-01-28 | ||
JP3218298 | 1998-01-28 | ||
JP186299A JP3466498B2 (ja) | 1998-01-28 | 1999-01-07 | 配線基板及びその製造方法 |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JPH11284000A JPH11284000A (ja) | 1999-10-15 |
JP3466498B2 true JP3466498B2 (ja) | 2003-11-10 |
Family
ID=26335153
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Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
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Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JP3466498B2 (ja) |
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---|---|---|---|---|
JP2007109829A (ja) * | 2005-10-12 | 2007-04-26 | Dowa Holdings Co Ltd | 半田接合形成方法 |
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1999
- 1999-01-07 JP JP186299A patent/JP3466498B2/ja not_active Expired - Fee Related
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---|---|
JPH11284000A (ja) | 1999-10-15 |
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|
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|
FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20120829 Year of fee payment: 9 |
|
FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
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