JPH10512309A - キレート形成性イオン交換樹脂によってpgmea中でノボラック樹脂溶液中の金属イオンを低減させる方法 - Google Patents
キレート形成性イオン交換樹脂によってpgmea中でノボラック樹脂溶液中の金属イオンを低減させる方法Info
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Abstract
Description
Claims (1)
- 【特許請求の範囲】 1.金属イオンを非常に低レベルで含む水不溶性でかつ水性アルカリ可溶性のノ ボラックを製造する方法であって、 a)1)カラム中またはバッチ方法において、キレート形成性イオン交換樹脂を 脱イオン水で処理し、これに次いで鉱酸溶液で処理し、次いで再び脱イオン水で 処理することによって、このイオン交換樹脂中のナトリウム及び鉄イオンのレベ ルをそれぞれ200ppb未満にまで低めるか、あるいは: 2)カラム中またはバッチ方法において、キレート形成性イオン交換樹脂を 脱イオン水で処理し、これに次いで鉱酸溶液で処理し、再び脱イオン水で処理し 、次いで水酸化アンモニウム溶液で処理してこのイオン交換樹脂をアンモニウム 塩に変え、これに次いで再び脱イオン水で処理することによって、イオン交換樹 脂中のナトリウム及び鉄イオンのレベルをそれぞれ200ppb未満にまで低め; エレクトロニックグレードのアセトンで処理して水を除去し、次いでアセト ンを除去するためにPGMEAで処理し; b)1)PGMEA中のノボラック樹脂溶液を、30〜150℃の温度下に、10分より長い 滞留時間が得られるような速度で、上記アンモニウムキレート形成性イオン交換 樹脂床に通すことによって、この溶液中のナトリウム及び鉄イオンのレベルをそ れぞれ100ppb未満にまで低めるか; あるいは:2)PGMEA中のノボラック樹脂溶液と、上記キレート化されたイオ ン交換樹脂の処理済みのアンモニウム塩またはキレート化されたイオン交換樹脂 の酸型とを、30〜150℃の温度下に1〜80時間混合し、これに次いで0.01〜0.2μm フィルターを通して濾過することによって、この溶液中のナトリウム及び鉄イオ ンのレベルをそれぞれ100ppb未満にまで減らす、 ことからなる上記方法。 2.上記イオン交換樹脂を洗浄して、そのナトリウム及び鉄イオンレベルをそ れぞれ100ppb未満にまで減らす請求の範囲第1項の方法。 3.ポジ型フォトレジスト組成物を製造する方法であって、 a)1)カラム中またはバッチ方法において、キレート形成性イオン交換樹脂を 脱イオン水で処理し、これに次いで鉱酸溶液で処理し、次いで再び脱イオン水で 処理することによって、このイオン交換樹脂中のナトリウム及び鉄イオンのレベ ルをそれぞれ200ppb未満にまで低めるか、あるいは: 2)カラム中またはバッチ方法においてキレート形成性イオン交換樹脂を脱 イオン水で処理し、これに次いで鉱酸溶液で処理し、再び脱イオン水で処理し、 次いで水酸化アンモニウム溶液で処理してこのイオン交換樹脂をアンモニウム塩 に変え、これに次いで再び脱イオン水で処理することによって、このイオン交換 樹脂中のナトリウム及び鉄イオンのレベルをそれぞれ200ppb未満にまで低め; エレクトロニックグレードのアセトンで処理して水を除去し、次いでアセト ンを除去するためにPGMEAで処理し; b)1)PGMEA中のノボラック樹脂溶液を、30〜150℃の温度下に、10分間より長 い滞留時間が得られるような速度で、上記アンモニウムキレート形成性イオン交 換樹脂床に通すことによって、この溶液中のナトリウム及び鉄イオンのレベルを それぞれ100ppb未満にまで低めるか; あるいは:2)PGMEA中のノボラック樹脂溶液を、上記キレート化されたイオン 交換樹脂の処理済みのアンモニウム塩またはキレート化されたイオン交換樹脂の 酸型とを、30〜150℃の範囲の温度において1〜80時間混合し、これに次いで0.01 〜0.1μmフィルターを通して濾過することによって、この溶液のナトリウム及び 鉄イオンのレベルをそれぞれ200ppb未満にまで低め; c)1)フォトレジスト組成物を感光化させるのに十分な量の感光性成分、2) 上記水不溶性でかつ水性アルカリ可溶性のノボラック樹脂及び3)適当なフォト レジスト溶剤との混合物を調製する、 ことからなる上記方法。 4.上記イオン交換樹脂を洗浄して、そのナトリウム及び鉄レベルをそれぞれ10 0ppb未満にまで低める請求の範囲第3項の方法。 5.上記フォトレジスト溶剤が、プロピレングリコールメチルエーテルアセテー ト、乳酸エチル及びエチル-3-エトキシプロピオネートからなる群から選択され る請求の範囲第3項の方法。 6.適当な基体上にフォトイメージを形成することによって半導体デバイスを製 造する方法であって、 a)1)カラム中またはバッチ方法において、キレート形成性イオン交換樹脂を 脱イオン水で処理し、これに次いで鉱酸溶液で処理し、次いで再び脱イオン水で 処理することによって、このイオン交換樹脂中のナトリウム及び鉄イオンのレベ ルをそれぞれ200ppb未満にまで低めるか、あるいは: 2)カラム中またはバッチ方法において、キレート形成性イオン交換樹脂を 脱イオン水で処理し、これに次いで鉱酸溶液で処理し、再び脱イオン水で処理し 、次いで水酸化アンモニウム溶液で処理してこのイオン交換樹脂をそのアンモニ ウム塩に変え、それに次いで再び脱イオン水で処理することによって、このイオ ン交換樹脂中のナトリウム及び鉄イオンのレベルをそれぞれ100ppb未満にまで低 め; エレクトロニックグレードのアセトンで処理して水を除去し、次いでアセト ンを除去するためにPGMEAで処理し、 b)1)PGMEA中のノボラック樹脂溶液を、30〜150℃の温度下に、10分間より長 い滞留時間が得られるような速度で、上記アンモニウムキレート形成性イオン交 換樹脂床に通すことによって、この溶液中のナトリウム及び鉄イオンのレベルを それぞれ200ppb未満にまで低めるか;あるいは: 2)PGMEA中のノボラック樹脂溶液を、上記キレート化されたイオン交換樹 脂の処理済みのアンモニウム塩またはキレート化されたイオン交換樹脂の酸型と を、30〜150℃の範囲の温度において1〜80時間混合し、これに 次いで0.01〜0.1μmフィルターに通すことによって濾過することによって、この 溶液中のナトリウム及び鉄イオンのレベルをそれぞれ100ppb未満にまで低め; c)1)フォトレジスト組成物を感光化させるのに十分な量の感光性成分、2) 上記水不溶性でかつ水性アルカリ可溶性のノボラック樹脂及び3)適当なフォト レジスト溶剤との混合物を調製し; d)このフォトレジスト組成物で適当な基体を被覆し; e)この被覆された基体を、実質的に全ての溶剤が除去されるまで熱処理し; f)このフォトレジスト組成物を像形成性露光し;そして g)このフォトレジスト組成物の像形成性露光された領域を適当な現像剤で除去 する、 ことからなる上記方法。 7.上記イオン交換樹脂を洗浄して、ナトリウム及び鉄レベルをトータルで100p pb未満にまで低める請求の範囲第6項の方法。 8.上記溶剤が、プロピレングリコールメチルエーテルアセテート、乳酸エチル 及びエチル-3-エトキシプロピオネートからなる群から選択される請求の範囲第 6項の方法。 9.上記現像剤が、水性アルカリ性現像剤からなる請求の範囲第6項の方法。 10.除去段階の直前またはその後に、被覆された基体を作る段階を更に含む請求 の範囲第6項の方法。 11.ノボラック樹脂のナトリウム及び鉄イオンレベルをそれぞれ50ppb未満にま で低める請求の範囲第6項の方法。 12.上記イオン交換樹脂を洗浄して、そのナトリウム及び鉄レベルをトータ ルで100ppb未満にまで低める請求の範囲第6項の方法。 13.製造した上記ノボラック樹脂が、それぞれ20ppb未満のナトリウム及び鉄イ オンレベルを有する請求の範囲第6項の方法。 14.上記溶剤が、プロピレングリコールメチルエーテルアセテート、乳酸エチル 及びエチル-3-エトキシプロピオネートからなる群から選択される請求の範囲第 6項の方法。 15.ノボラック樹脂の溶剤と、上記イオン交換樹脂を洗浄するために使用する溶 剤が同じである請求の範囲第6項の方法。 16.ノボラック樹脂の溶剤と、上記イオン交換樹脂を洗浄するのに使用する溶剤 、及び上記フォトレジスト組成物の溶剤が全て同じである請求の範囲第6項の方 法。
Applications Claiming Priority (3)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
US08/366,614 | 1994-12-30 | ||
US08/366,614 US5614352A (en) | 1994-12-30 | 1994-12-30 | Metal ion reduction in novolak resins solution in PGMEA by chelating ion exchange resin |
PCT/US1995/016685 WO1996020965A1 (en) | 1994-12-30 | 1995-12-21 | Metal ion reduction in novolak resins solution in pgmea |
Publications (1)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JPH10512309A true JPH10512309A (ja) | 1998-11-24 |
Family
ID=23443761
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP8521082A Ceased JPH10512309A (ja) | 1994-12-30 | 1995-12-21 | キレート形成性イオン交換樹脂によってpgmea中でノボラック樹脂溶液中の金属イオンを低減させる方法 |
Country Status (7)
Country | Link |
---|---|
US (1) | US5614352A (ja) |
EP (1) | EP0805828B1 (ja) |
JP (1) | JPH10512309A (ja) |
KR (1) | KR100425427B1 (ja) |
CN (1) | CN1074426C (ja) |
DE (1) | DE69507343T2 (ja) |
WO (1) | WO1996020965A1 (ja) |
Families Citing this family (17)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
SG52770A1 (en) * | 1992-07-10 | 1998-09-28 | Hoechst Celanese Corp | Metal ion reduction in top anti-reflective coatings for photoresists |
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JP7236806B2 (ja) | 2018-01-09 | 2023-03-10 | スリーエム イノベイティブ プロパティズ カンパニー | フィルター、金属イオンの除去方法及び金属イオン除去装置 |
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-
1994
- 1994-12-30 US US08/366,614 patent/US5614352A/en not_active Expired - Fee Related
-
1995
- 1995-12-21 CN CN95197185A patent/CN1074426C/zh not_active Expired - Fee Related
- 1995-12-21 JP JP8521082A patent/JPH10512309A/ja not_active Ceased
- 1995-12-21 DE DE69507343T patent/DE69507343T2/de not_active Expired - Fee Related
- 1995-12-21 EP EP95943931A patent/EP0805828B1/en not_active Expired - Lifetime
- 1995-12-21 KR KR1019970704385A patent/KR100425427B1/ko not_active IP Right Cessation
- 1995-12-21 WO PCT/US1995/016685 patent/WO1996020965A1/en active IP Right Grant
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
KR100425427B1 (ko) | 2004-09-13 |
EP0805828A1 (en) | 1997-11-12 |
CN1171799A (zh) | 1998-01-28 |
DE69507343D1 (de) | 1999-02-25 |
CN1074426C (zh) | 2001-11-07 |
EP0805828B1 (en) | 1999-01-13 |
DE69507343T2 (de) | 1999-09-02 |
US5614352A (en) | 1997-03-25 |
WO1996020965A1 (en) | 1996-07-11 |
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---|---|---|
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A131 | Notification of reasons for refusal |
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A977 | Report on retrieval |
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