JPH08293626A - 半導体装置 - Google Patents
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- JPH08293626A JPH08293626A JP7120617A JP12061795A JPH08293626A JP H08293626 A JPH08293626 A JP H08293626A JP 7120617 A JP7120617 A JP 7120617A JP 12061795 A JP12061795 A JP 12061795A JP H08293626 A JPH08293626 A JP H08293626A
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- silicon resin
- semiconductor element
- semiconductor device
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- H01L24/743—Apparatus for manufacturing layer connectors
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- H01L2224/01—Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
- H01L2224/42—Wire connectors; Manufacturing methods related thereto
- H01L2224/47—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process
- H01L2224/48—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process of an individual wire connector
- H01L2224/4805—Shape
- H01L2224/4809—Loop shape
- H01L2224/48091—Arched
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- H01L2224/48151—Connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive
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- H01L2224/741—Apparatus for manufacturing means for bonding, e.g. connectors
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Abstract
(57)【要約】
【目的】 リードフレームのアイランド部の面積が小さ
くても、そこにボンディングされている半導体素子をシ
リコン樹脂の流出のない状態で確実にシリコン樹脂層で
覆わせることができるようにする。 【構成】 リードフレーム１に固着材料２によりボンデ
ィングされている半導体素子３の表面を覆うようにリー
ドフレーム１のアイランド部１ａに塗布形成するシリコ
ン樹脂層５の周縁部に対応するリードフレーム部分にシ
リコン樹脂流出防止用の溝７を形成している。
くても、そこにボンディングされている半導体素子をシ
リコン樹脂の流出のない状態で確実にシリコン樹脂層で
覆わせることができるようにする。 【構成】 リードフレーム１に固着材料２によりボンデ
ィングされている半導体素子３の表面を覆うようにリー
ドフレーム１のアイランド部１ａに塗布形成するシリコ
ン樹脂層５の周縁部に対応するリードフレーム部分にシ
リコン樹脂流出防止用の溝７を形成している。
Description
【０００１】
【産業上の利用分野】この発明は、例えば投・受光素子
のような半導体素子をリードフレームに固着し、その半
導体素子の表面および該半導体素子固着リードフレーム
部分に封止樹脂層を被覆形成してなる半導体装置に関す
るものである。
のような半導体素子をリードフレームに固着し、その半
導体素子の表面および該半導体素子固着リードフレーム
部分に封止樹脂層を被覆形成してなる半導体装置に関す
るものである。
【０００２】
【従来の技術】この種の半導体装置においては、封止樹
脂層の熱収縮にともない半導体素子に作用する応力を緩
和する手段として、図８および図９に示すように、リー
ドフレーム２０に樹脂系接着剤等の固着材料２１により
ボンティングされた半導体素子２２の表面を覆うように
シリコン樹脂層２３を上記リードフレーム２０の素子固
着部に略山状に塗布形成し、このシリコン樹脂層２３を
含めて半導体素子２２および該半導体素子固着リードフ
レーム部分（以下、アイランド部と称する）２０ａに封
止樹脂層２４を被覆形成する手段が従来から採用されて
いた。図８および図９において、２５は接続ワイヤであ
る。
脂層の熱収縮にともない半導体素子に作用する応力を緩
和する手段として、図８および図９に示すように、リー
ドフレーム２０に樹脂系接着剤等の固着材料２１により
ボンティングされた半導体素子２２の表面を覆うように
シリコン樹脂層２３を上記リードフレーム２０の素子固
着部に略山状に塗布形成し、このシリコン樹脂層２３を
含めて半導体素子２２および該半導体素子固着リードフ
レーム部分（以下、アイランド部と称する）２０ａに封
止樹脂層２４を被覆形成する手段が従来から採用されて
いた。図８および図９において、２５は接続ワイヤであ
る。
【０００３】
【発明が解決しようとする課題】上記のような構成の従
来の半導体装置においては、一般にアイランド部２０ａ
の面積が小さく、この小面積のアイランド部２０ａに低
粘度のシリコン樹脂を塗布してシリコン樹脂層２３を形
成する場合、シリコン樹脂の多くがリードフレーム２０
に伝って流出してしまい、半導体素子２２を所定どおり
に覆うようなシリコン樹脂層２３を形成することが非常
に難しい上に、製品個々においてシリコン樹脂槽２３を
安定した形状に保つことができず、半導体装置としての
特性にばらつきが生じやすいという問題がある。特に、
熱硬化性シリコン樹脂を使用する場合は、塗布後すぐに
加熱昇温してシリコン樹脂を硬化させなければならない
といったように、半導体装置の生産方法そのものが制約
を受ける難点がある。また、樹脂の流出を抑制するため
に、シリコン樹脂の粘度を高くして塗布することが考え
られるが、この場合は、シリコン樹脂層２３の塗布形成
作業そのものが困難となり、生産性の低下が避けられな
いという問題がある。
来の半導体装置においては、一般にアイランド部２０ａ
の面積が小さく、この小面積のアイランド部２０ａに低
粘度のシリコン樹脂を塗布してシリコン樹脂層２３を形
成する場合、シリコン樹脂の多くがリードフレーム２０
に伝って流出してしまい、半導体素子２２を所定どおり
に覆うようなシリコン樹脂層２３を形成することが非常
に難しい上に、製品個々においてシリコン樹脂槽２３を
安定した形状に保つことができず、半導体装置としての
特性にばらつきが生じやすいという問題がある。特に、
熱硬化性シリコン樹脂を使用する場合は、塗布後すぐに
加熱昇温してシリコン樹脂を硬化させなければならない
といったように、半導体装置の生産方法そのものが制約
を受ける難点がある。また、樹脂の流出を抑制するため
に、シリコン樹脂の粘度を高くして塗布することが考え
られるが、この場合は、シリコン樹脂層２３の塗布形成
作業そのものが困難となり、生産性の低下が避けられな
いという問題がある。
【０００４】この発明は上記のような実情に鑑みてなさ
れたもので、小面積のアイランド部であっても、半導体
素子を確実に、かつ安定した形状のシリコン樹脂層で覆
わせることができて、特性のばらつきの減少を図り得る
半導体装置を提供することを目的としている。
れたもので、小面積のアイランド部であっても、半導体
素子を確実に、かつ安定した形状のシリコン樹脂層で覆
わせることができて、特性のばらつきの減少を図り得る
半導体装置を提供することを目的としている。
【０００５】
【課題を解決するための手段】上記目的を達成するため
に、この発明に係る半導体装置は、リードフレームに固
着された半導体素子の表面を覆うように上記リードフレ
ームにシリコン樹脂層を塗布形成し、このシリコン樹脂
層を含めて半導体素子および該半導体素子固着リードフ
レーム部分に封止樹脂層を被覆形成してなる半導体装置
において、上記シリコン樹脂層の周縁部に対応するリー
ドフレーム部分にシリコン樹脂流出防止用の溝を形成し
たものである。
に、この発明に係る半導体装置は、リードフレームに固
着された半導体素子の表面を覆うように上記リードフレ
ームにシリコン樹脂層を塗布形成し、このシリコン樹脂
層を含めて半導体素子および該半導体素子固着リードフ
レーム部分に封止樹脂層を被覆形成してなる半導体装置
において、上記シリコン樹脂層の周縁部に対応するリー
ドフレーム部分にシリコン樹脂流出防止用の溝を形成し
たものである。
【０００６】上記半導体装置において、上記シリコン樹
脂層の屈折率と上記封止樹脂層の屈折率とを合致させる
ことが望ましい。
脂層の屈折率と上記封止樹脂層の屈折率とを合致させる
ことが望ましい。
【０００７】
【作用】この発明によれば、リードフレームに固着の半
導体素子の表面を覆うようにシリコン樹脂をリードフレ
ームのアイランド部に塗布したときのシリコン樹脂の拡
散流動を溝の手前で止めて、リードフレームを伝っての
シリコン樹脂の流出を防止することが可能であるから、
アイランド部の面積が小さくても半導体素子をシリコン
樹脂層で確実に覆わせることができるとともに、そのシ
リコン樹脂層の硬化前の形状を安定させて、製品個々の
特性のばらつきを少なくすることができ、また、塗布直
後に積極的強制的に硬化させる手段も不要で、生産方法
の自由度を増大することが可能となる。
導体素子の表面を覆うようにシリコン樹脂をリードフレ
ームのアイランド部に塗布したときのシリコン樹脂の拡
散流動を溝の手前で止めて、リードフレームを伝っての
シリコン樹脂の流出を防止することが可能であるから、
アイランド部の面積が小さくても半導体素子をシリコン
樹脂層で確実に覆わせることができるとともに、そのシ
リコン樹脂層の硬化前の形状を安定させて、製品個々の
特性のばらつきを少なくすることができ、また、塗布直
後に積極的強制的に硬化させる手段も不要で、生産方法
の自由度を増大することが可能となる。
【０００８】また、請求項２のように、シリコン樹脂層
の屈折率と封止樹脂層の屈折率とを合致させることによ
り、例えば投・受光素子に適用した場合、光路の屈折を
無くして、その光学特性を適正、良好なものとすること
ができる。
の屈折率と封止樹脂層の屈折率とを合致させることによ
り、例えば投・受光素子に適用した場合、光路の屈折を
無くして、その光学特性を適正、良好なものとすること
ができる。
【０００９】
【実施例】以下、この発明の実施例を図面にもとづいて
説明する。図１はこの発明の一実施例による半導体装置
としての投受光装置の斜視図、図２は図１の平面図、図
３は図２の III−III 線に沿った縦断面図であり、これ
らの図において、１，１’は端面を互いに間隔を隔てて
対向させて直線状に配置した一対のリードフレームで、
一方のリードフレーム１の先端のアイランド部１ａの上
面には樹脂系接着剤等の固着材料２により半導体素子３
がボンティングされているとともに、この半導体素子３
と他方のリードフレーム１’との間に接続ワイヤ４が張
設されている。
説明する。図１はこの発明の一実施例による半導体装置
としての投受光装置の斜視図、図２は図１の平面図、図
３は図２の III−III 線に沿った縦断面図であり、これ
らの図において、１，１’は端面を互いに間隔を隔てて
対向させて直線状に配置した一対のリードフレームで、
一方のリードフレーム１の先端のアイランド部１ａの上
面には樹脂系接着剤等の固着材料２により半導体素子３
がボンティングされているとともに、この半導体素子３
と他方のリードフレーム１’との間に接続ワイヤ４が張
設されている。
【００１０】５は上記半導体素子３の表面を覆うように
上記リードフレーム１のアイランド部１ａに略山状に塗
布形成されたシリコン樹脂層で、該シリコン樹脂層５は
高粘度のシリコン樹脂を使用し、その塗布量を図示省略
した高精度ディスペンサで制御して形成されている。６
は上記シリコン樹脂層５を含めて上記一対のリードフレ
ーム１，１’の先端部分を被覆するように略半球状にモ
ールド成形された透明封止樹脂層であり、この封止樹脂
層６の屈折率ｎ１と上記シリコン樹脂層５の屈折率ｎ２
とは合致させている。
上記リードフレーム１のアイランド部１ａに略山状に塗
布形成されたシリコン樹脂層で、該シリコン樹脂層５は
高粘度のシリコン樹脂を使用し、その塗布量を図示省略
した高精度ディスペンサで制御して形成されている。６
は上記シリコン樹脂層５を含めて上記一対のリードフレ
ーム１，１’の先端部分を被覆するように略半球状にモ
ールド成形された透明封止樹脂層であり、この封止樹脂
層６の屈折率ｎ１と上記シリコン樹脂層５の屈折率ｎ２
とは合致させている。
【００１１】上記構成の投受光装置において、上記一方
のリードフレーム１の上面で上記シリコン樹脂層５の周
縁部に対応するフレーム部分に該リードフレーム１を幅
方向に横断する状態でシリコン樹脂流出防止用の溝７が
形成されているとともに、上記一対のリードフレーム
１，１’の上記封止樹脂層６の周縁部近くに対応する個
所にはそれぞれ幅方向の両側に突出する状態で抜止め突
片部８，８’が形成されており、上記溝７は、上記リー
ドフレーム１のアイランド部１ａにシリコン樹脂層５を
形成するシリコン樹脂を塗布したときのシリコン樹脂の
拡散流動を溝７の手前で止めて、リードフレーム１を伝
ってシリコン樹脂が流出することを防止する働きを有し
ている。また、上記溝７内に上記封止樹脂層６を形成す
る封止樹脂の一部が入り込むことと、上記封止樹脂層６
内に抜止め突片部８，８’がモールドされることとの相
乗によって、リードフレーム１，１’の封止樹脂層６か
らの強い抜止め機能が発揮される。
のリードフレーム１の上面で上記シリコン樹脂層５の周
縁部に対応するフレーム部分に該リードフレーム１を幅
方向に横断する状態でシリコン樹脂流出防止用の溝７が
形成されているとともに、上記一対のリードフレーム
１，１’の上記封止樹脂層６の周縁部近くに対応する個
所にはそれぞれ幅方向の両側に突出する状態で抜止め突
片部８，８’が形成されており、上記溝７は、上記リー
ドフレーム１のアイランド部１ａにシリコン樹脂層５を
形成するシリコン樹脂を塗布したときのシリコン樹脂の
拡散流動を溝７の手前で止めて、リードフレーム１を伝
ってシリコン樹脂が流出することを防止する働きを有し
ている。また、上記溝７内に上記封止樹脂層６を形成す
る封止樹脂の一部が入り込むことと、上記封止樹脂層６
内に抜止め突片部８，８’がモールドされることとの相
乗によって、リードフレーム１，１’の封止樹脂層６か
らの強い抜止め機能が発揮される。
【００１２】上記のように構成される投受光装置におい
ては、リードフレーム１の溝７の手前でシリコン樹脂の
流出が防止されるので、アイランド部１ａの面積が小さ
くても半導体素子３をシリコン樹脂層５で確実に覆わせ
ることができるとともに、シリコン樹脂の硬化前の形状
を長く安定保持させることが可能で、製品個々の特性の
ばらつきを少なくすることができ、また、塗布直後に積
極的強制的に硬化させる手段も不要であることから、生
産方法の自由度を増大することができる。さらに、完成
した製品（投受光装置）におけるシリコン樹脂層５の屈
折率ｎ２と封止樹脂層６の屈折率ｎ１とが、ｎ２＝ｎ１
の関係にあるので、図４の矢印で示すように、光路が両
層５，６の境界面で屈折することがなく、光学特性のば
らつきもなくなり、適正良好な光学性能をもつ投受光装
置を得ることができる。因みに、シリコン樹脂層５の屈
折率ｎ２と封止樹脂層６の屈折率ｎ１とが、ｎ１＞ｎ２
の関係にあると、光路が図４の点線に示すように屈折す
ることになって、光学性能の低下は避けられない。
ては、リードフレーム１の溝７の手前でシリコン樹脂の
流出が防止されるので、アイランド部１ａの面積が小さ
くても半導体素子３をシリコン樹脂層５で確実に覆わせ
ることができるとともに、シリコン樹脂の硬化前の形状
を長く安定保持させることが可能で、製品個々の特性の
ばらつきを少なくすることができ、また、塗布直後に積
極的強制的に硬化させる手段も不要であることから、生
産方法の自由度を増大することができる。さらに、完成
した製品（投受光装置）におけるシリコン樹脂層５の屈
折率ｎ２と封止樹脂層６の屈折率ｎ１とが、ｎ２＝ｎ１
の関係にあるので、図４の矢印で示すように、光路が両
層５，６の境界面で屈折することがなく、光学特性のば
らつきもなくなり、適正良好な光学性能をもつ投受光装
置を得ることができる。因みに、シリコン樹脂層５の屈
折率ｎ２と封止樹脂層６の屈折率ｎ１とが、ｎ１＞ｎ２
の関係にあると、光路が図４の点線に示すように屈折す
ることになって、光学性能の低下は避けられない。
【００１３】図５はこの発明の他の実施例による半導体
装置としての投受光装置の平面図、図６は図５のVI−VI
線に沿った縦断面図であり、基本的には図１〜図４に示
した実施例と同一であるために、該当部分に同一の符号
を付してそれらの説明を省略する。図１〜図４に示す実
施例と相違する点は、一方のリードフレーム１に形成さ
れたシリコン樹脂流出防止用の溝７に対して、アイラン
ド部１ａとは反対方向に適当間隔を置いてもう一つの溝
９を幅方向に横断する状態に形成して、両溝７，９間に
防壁１０を設けた点である。
装置としての投受光装置の平面図、図６は図５のVI−VI
線に沿った縦断面図であり、基本的には図１〜図４に示
した実施例と同一であるために、該当部分に同一の符号
を付してそれらの説明を省略する。図１〜図４に示す実
施例と相違する点は、一方のリードフレーム１に形成さ
れたシリコン樹脂流出防止用の溝７に対して、アイラン
ド部１ａとは反対方向に適当間隔を置いてもう一つの溝
９を幅方向に横断する状態に形成して、両溝７，９間に
防壁１０を設けた点である。
【００１４】上記図５および図６の実施例の構成による
場合は、シリコン樹脂層５を形成するシリコン樹脂の粘
度が微妙に異なり、そのためにアイランド部１ａに塗布
したシリコン樹脂の一部が溝７を越えて流出することが
あっても、それ以上の流出を溝９の手前で防止させるこ
とを可能としたものであり、半導体素子３を覆う所定の
シリコン樹脂層５を確実に形成することができる。
場合は、シリコン樹脂層５を形成するシリコン樹脂の粘
度が微妙に異なり、そのためにアイランド部１ａに塗布
したシリコン樹脂の一部が溝７を越えて流出することが
あっても、それ以上の流出を溝９の手前で防止させるこ
とを可能としたものであり、半導体素子３を覆う所定の
シリコン樹脂層５を確実に形成することができる。
【００１５】図７はこの発明のもう一つの実施例による
半導体装置としての投受光装置の完成品の縦断面図であ
り、基本的には図１〜図４に示した実施例と同一である
ために、該当部分に同一の符号を付してそれらの説明を
省略する。図１〜図４に示す実施例と相違する点は、封
止樹脂層６の外表面に反射層１１を蒸着形成するととも
に、この反射層１１により矢印のように反射される光を
受光する光ファイバー１２を設けた点であり、この実施
例の構成においても、光路が両層５，６の境界面で屈折
することがなく、光学特性のばらつきもなくなり、適正
良好な光学性能をもつ装置を得ることができる。
半導体装置としての投受光装置の完成品の縦断面図であ
り、基本的には図１〜図４に示した実施例と同一である
ために、該当部分に同一の符号を付してそれらの説明を
省略する。図１〜図４に示す実施例と相違する点は、封
止樹脂層６の外表面に反射層１１を蒸着形成するととも
に、この反射層１１により矢印のように反射される光を
受光する光ファイバー１２を設けた点であり、この実施
例の構成においても、光路が両層５，６の境界面で屈折
することがなく、光学特性のばらつきもなくなり、適正
良好な光学性能をもつ装置を得ることができる。
【００１６】なお、上記各実施例では、投受光装置に適
用したものについて説明したが、これ以外のいかなる半
導体装置に適用してもよい。
用したものについて説明したが、これ以外のいかなる半
導体装置に適用してもよい。
【００１７】
【発明の効果】以上のように、この発明によれば、リー
ドフレーム部分に溝を形成するといった簡単な構造改良
を施すだけで、リードフレームに固着の半導体素子の表
面を覆うようにシリコン樹脂をリードフレームのアイラ
ンド部に塗布したときのシリコン樹脂の拡散流動を溝の
手前で止めて、塗布シリコン樹脂の一部がリードフレー
ムを伝って流出することを防止することができるから、
アイランド部の面積が小さくても半導体素子をシリコン
樹脂層で確実に覆わせることができるとともに、そのシ
リコン樹脂層の硬化前の形状を安定させて、製品個々の
特性のばらつきを少なくすることができる。また、塗布
直後に積極的強制的に硬化させる手段も不要で、生産方
法の自由度を増大することができるという効果を奏す
る。
ドフレーム部分に溝を形成するといった簡単な構造改良
を施すだけで、リードフレームに固着の半導体素子の表
面を覆うようにシリコン樹脂をリードフレームのアイラ
ンド部に塗布したときのシリコン樹脂の拡散流動を溝の
手前で止めて、塗布シリコン樹脂の一部がリードフレー
ムを伝って流出することを防止することができるから、
アイランド部の面積が小さくても半導体素子をシリコン
樹脂層で確実に覆わせることができるとともに、そのシ
リコン樹脂層の硬化前の形状を安定させて、製品個々の
特性のばらつきを少なくすることができる。また、塗布
直後に積極的強制的に硬化させる手段も不要で、生産方
法の自由度を増大することができるという効果を奏す
る。
【００１８】また、請求項２のように、シリコン樹脂層
の屈折率と封止樹脂層の屈折率とを合致させることによ
り、例えば投・受光素子に適用した場合、光路の屈折を
無くして、その光学特性を適正、良好なものとすること
ができる。
の屈折率と封止樹脂層の屈折率とを合致させることによ
り、例えば投・受光素子に適用した場合、光路の屈折を
無くして、その光学特性を適正、良好なものとすること
ができる。
【図１】この発明の一実施例による半導体装置としての
投受光装置の斜視図である。
投受光装置の斜視図である。
【図２】図１の平面図である。
【図３】図２の III−III 線に沿った縦断面図である。
【図４】同上実施例による投受光装置の完成品の縦断面
図である。
図である。
【図５】この発明の他の実施例による半導体装置として
の投受光装置の平面図である。
の投受光装置の平面図である。
【図６】図５のVI−VI線に沿った縦断面図である。
【図７】この発明のもう一つの実施例による半導体装置
としての投受光装置の完成品の縦断面図である。
としての投受光装置の完成品の縦断面図である。
【図８】従来の半導体装置の要部の平面図である。
【図９】図８のIX−IX線に沿った縦断面図である。
１，１’ リードフレーム １ａ アイランド部 ２ 固着材料 ３ 半導体素子 ５ シリコン樹脂層 ６ 封止樹脂層 ７ 溝
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (51)Int.Cl.6 識別記号 庁内整理番号 ＦＩ 技術表示箇所 Ｈ０１Ｌ 31/02 Ｈ０１Ｌ 31/02 Ｂ
Claims (2)
- 【請求項１】 リードフレームに固着された半導体素子
の表面を覆うように上記リードフレームにシリコン樹脂
層を塗布形成し、このシリコン樹脂層を含めて半導体素
子および該半導体素子固着リードフレーム部分に封止樹
脂層を被覆形成してなる半導体装置において、上記シリ
コン樹脂層の周縁部に対応するリードフレーム部分にシ
リコン樹脂流出防止用の溝を形成したことを特徴とする
半導体装置。 - 【請求項２】 上記シリコン樹脂層の屈折率と上記封止
樹脂層の屈折率とを合致させている請求項１の半導体装
置。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP7120617A JPH08293626A (ja) | 1995-04-20 | 1995-04-20 | 半導体装置 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP7120617A JPH08293626A (ja) | 1995-04-20 | 1995-04-20 | 半導体装置 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH08293626A true JPH08293626A (ja) | 1996-11-05 |
Family
ID=14790682
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP7120617A Pending JPH08293626A (ja) | 1995-04-20 | 1995-04-20 | 半導体装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH08293626A (ja) |
Cited By (8)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
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-
1995
- 1995-04-20 JP JP7120617A patent/JPH08293626A/ja active Pending
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