JPH10303453A - 光半導体装置およびその製造方法 - Google Patents

光半導体装置およびその製造方法

Info

Publication number
JPH10303453A
JPH10303453A JP10798897A JP10798897A JPH10303453A JP H10303453 A JPH10303453 A JP H10303453A JP 10798897 A JP10798897 A JP 10798897A JP 10798897 A JP10798897 A JP 10798897A JP H10303453 A JPH10303453 A JP H10303453A
Authority
JP
Japan
Prior art keywords
lead frame
light
island
light emitting
resin
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Granted
Application number
JP10798897A
Other languages
English (en)
Other versions
JP3970377B2 (ja
Inventor
Kenji Mizuuchi
賢二 水内
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Oki Electric Industry Co Ltd
Original Assignee
Oki Electric Industry Co Ltd
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Oki Electric Industry Co Ltd filed Critical Oki Electric Industry Co Ltd
Priority to JP10798897A priority Critical patent/JP3970377B2/ja
Priority to US09/064,039 priority patent/US6080999A/en
Priority to DE19818276A priority patent/DE19818276C2/de
Publication of JPH10303453A publication Critical patent/JPH10303453A/ja
Priority to US09/296,380 priority patent/US6037187A/en
Priority to US09/489,013 priority patent/US6194238B1/en
Application granted granted Critical
Publication of JP3970377B2 publication Critical patent/JP3970377B2/ja
Anticipated expiration legal-status Critical
Expired - Fee Related legal-status Critical Current

Links

Classifications

    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L31/00Semiconductor devices sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
    • H01L31/12Semiconductor devices sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof structurally associated with, e.g. formed in or on a common substrate with, one or more electric light sources, e.g. electroluminescent light sources, and electrically or optically coupled thereto
    • H01L31/16Semiconductor devices sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof structurally associated with, e.g. formed in or on a common substrate with, one or more electric light sources, e.g. electroluminescent light sources, and electrically or optically coupled thereto the semiconductor device sensitive to radiation being controlled by the light source or sources
    • H01L31/167Semiconductor devices sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof structurally associated with, e.g. formed in or on a common substrate with, one or more electric light sources, e.g. electroluminescent light sources, and electrically or optically coupled thereto the semiconductor device sensitive to radiation being controlled by the light source or sources the light sources and the devices sensitive to radiation all being semiconductor devices characterised by potential barriers
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2224/00Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
    • H01L2224/01Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/42Wire connectors; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/47Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process
    • H01L2224/48Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process of an individual wire connector
    • H01L2224/4805Shape
    • H01L2224/4809Loop shape
    • H01L2224/48091Arched
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2224/00Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
    • H01L2224/01Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/42Wire connectors; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/47Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process
    • H01L2224/48Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process of an individual wire connector
    • H01L2224/481Disposition
    • H01L2224/48151Connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive
    • H01L2224/48221Connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive the body and the item being stacked
    • H01L2224/48245Connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive the body and the item being stacked the item being metallic
    • H01L2224/48247Connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive the body and the item being stacked the item being metallic connecting the wire to a bond pad of the item
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2924/00Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
    • H01L2924/15Details of package parts other than the semiconductor or other solid state devices to be connected
    • H01L2924/181Encapsulation

Landscapes

  • Physics & Mathematics (AREA)
  • Condensed Matter Physics & Semiconductors (AREA)
  • Electromagnetism (AREA)
  • General Physics & Mathematics (AREA)
  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • Computer Hardware Design (AREA)
  • Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
  • Power Engineering (AREA)
  • Photo Coupler, Interrupter, Optical-To-Optical Conversion Devices (AREA)

Abstract

(57)【要約】 【課題】 フォトカプラにおいて透光性樹脂を充填する
際に透光性樹脂がリードフレームの上面に付着してしま
い、モールド樹脂との密着性、光伝達特性が悪化する。 【解決手段】 光半導体素子が固着されるリードフレー
ム10のアイランド部102に凹部110を設ける。

Description

【発明の詳細な説明】
【0001】
【発明の属する技術分野】本発明は光半導体装置に関わ
るものであり、特に発光素子および受光素子を一体に形
成するフォトカプラに関するものである。
【0002】
【従来の技術】図4は従来用いられているフォトカプラ
の断面構造を示す図であり、以下図4を用いて従来のフ
ォトカプラについて説明する。
【0003】図4において1は発光側のリードフレーム、
2は受光側のリードフレームであり、それぞれリードフ
レームのアイランド部に発光素子3、受光素子4が固着さ
れている。図4に示す5は透光性樹脂で上記発光素子3お
よび受光素子4を対向させた状態で連結している。さら
にこれらは外乱光を防ぐためエポキシ系のモールド樹脂
6により樹脂封止されている。
【0004】図5(A)、5(B)はそれぞれ従来の発光側のリ
ードフレーム1、受光側のリードフレーム2の形状を示す
図であり、図6は透光性樹脂5を充填する様子を示す図で
ある。以下図5、図6を用いて図4に示すようなフォトカ
プラを製造する方法について説明する。
【0005】まず図5(A)、5(B)に示すリードフレームの
アイランド部分のそれぞれ斜線で示す領域に発光素子3
および受光素子4が固着される。
【0006】その後図6に示すように発光素子3が搭載さ
れた発光側リードフレーム1および受光素子4が搭載され
た受光側リードフレーム2を対向させ、この状態で発光
側リードフレーム1の斜め上方よりディスペンサ7を用い
て透光性樹脂5を充填することによって発光素子3および
受光素子4を連結する。
【0007】その後モールド封止材6によって全体を樹
脂封止して図4に示すようなフォトカプラが作成され
る。
【0008】
【発明が解決しようとする課題】しかしながら従来のフ
ォトカプラでは、フォトカプラを製造する際、透光性樹
脂5を充填するディスペンサ7の微妙な位置のずれによ
り、充填される透光性樹脂5がリードフレーム1の上面
(受光側リードフレーム2と対向しない面)へと付着し
てしまう場合があった。(図6において丸印で示す。)
その結果、透光性樹脂5の形状がディスペンサ7の位置に
よって変化してしまう。このようなフォトカプラでは、
透光性樹脂5とモールド樹脂6の界面における反射光も受
光素子4で検知するので、透光性樹脂5の形状が変化する
とフォトカプラの光伝達効率が変化してしまう場合があ
った。
【0009】またリードフレーム上面に透光性樹脂5が
付着することによりリードフレーム1とモールド樹脂6と
の密着性が低下してしまうという問題もあった。
【0010】
【課題を解決するための手段】本発明は上記のような課
題を鑑みてなされたものであり、発光半導体素子が固着
された第1のアイランド部を有する第1のリードフレーム
と、受光半導体素子が固着された第2のアイランド部を
有する第2のリードフレームと、前記発光半導体素子お
よび受光半導体素子を対向させた状態で連結する透光性
樹脂と、前記透光性樹脂を包囲する封止用部材とを有す
る光半導体装置において、前記第1のアイランド部およ
び第2のアイランド部のいずれか一方の端部に凹部を設
けたことを特徴とする。
【0011】
【発明の実施の形態】図1は本発明第1の実施の形態にお
けるフォトカプラの発光側リードフレームを示す図であ
る。また図2は本発明のフォトカプラにおいて、発光素
子と受光素子を対向させた状態で透光性樹脂を充填する
様子を示す図である。これらの図において図4、5および
6と共通する部分については同一の符号を付して表す。
以下図1および図2を用いて本発明について説明する。
【0012】発光側のリードフレーム10は発光素子が搭
載されるアイランド部102、外部と接続されるリード部1
03、104とを有している。図1に示すように発光素子が搭
載されるアイランド部102は、その端部の中央付近にそ
の幅Xが0.3mm程度の凹部110が設けられ、その両端に
は角部(凸部)111が存在する。この凹部の幅Xは透光
性樹脂5を充填するディスペンサ7の直径よりやや大きい
程度であることが望ましい。また受光側のリードフレー
ムに関しては従来の図5(B)と同様のものである。
【0013】以下本発明のフォトカプラを製造する方法
について説明する。まず発光側のリードフレーム10では
図1において斜線で示される領域に発光素子3が固着され
る。受光素子に関しては従来技術と同様である。
【0014】その後図2に示すように発光素子3が固着さ
れた発光側リードフレーム10および受光素子4が固着さ
れた受光側リードフレーム2を対向させ、この状態で発
光側リードフレーム10の斜め上方よりディスペンサ7を
用いて透光性樹脂5を充填することによって発光素子3お
よび受光素子4を連結する。
【0015】その後モールド封止材6によって全体を樹
脂封止し、リードフレームを最終的な形状に加工して本
発明のフォトカプラが作成される。
【0016】本発明によればフォトカプラを製造する工
程において、発光側のリードフレーム10のアイランド部
102に凹部110が設けられていることにより透光性樹脂5
を充填するディスペンサの位置が微妙にずれた場合で
も、透光性樹脂5は凹部110よりリードフレームの下面側
へと流れるため、リードフレームの上面に対して透光性
樹脂5が付着してしまうことはない。したがってリード
フレーム10とモールド樹脂6との密着性が向上する。
【0017】またリードフレーム10のアイランド部には
角部(凸部)111が存在するため、透光性樹脂5の持つ表
面張力の働きにより、透光性樹脂5を、この角部(凸
部)111の先端部分まで形成することが可能である。つ
まり角部(凸部)が存在することにより透光性樹脂5の
形状を偏りのない安定した形状で形成することが可能と
なり、光伝達特性も安定させることが可能となる。
【0018】図3は本発明第2の実施の形態における発光
側のリードフレーム20を示す図である第2の実施の形態
ではリードフレームのアイランド部202に設けられる凹
部210の形状を円弧状としている。その他に関しては第1
の実施の形態と同様である。
【0019】第2の実施の形態によれば凹部210の形状を
円弧状としているため第1の実施の形態と同様の効果に
加え、透光性樹脂5を充填する際、凹部210に直角な部分
が存在しなくなるため透光性樹脂5の表面張力が増し、
より安定した形状の透光性樹脂5が形成される。つまり
より安定した光伝達効率が得られる。
【0020】本発明は第1、第2の実施の形態に示された
形状の凹部に限定されるものではなく、同様の効果を有
する凹部形状であれば他の凹部形状でも可能である。
【0021】また第1、第2の実施の形態では発光側から
透光性樹脂を充填する例を示したが透光性樹脂は受光素
子側から充填することも可能である。
【0022】
【発明の効果】本発明によれば光半導体装置が固着され
るアイランド部に凹部を設けたことにより、リードフレ
ームとモールド樹脂との密着性が向上する。また安定し
た光伝達特性を得ることが出来る。
【図面の簡単な説明】
【図1】本発明の発光側リードフレームを示す図。
【図2】本発明のフォトカプラにおける透光性樹脂を充
填する様子を示す図。
【図3】本発明第2の実施の形態の発光側リードフレー
ムを示す図。
【図4】従来のフォトカプラの断面構造を示す図。
【図5】従来のフォトカプラのリードフレームを示す
図。
【図6】従来のフォトカプラにおける透光性樹脂を充填
する様子を示す図。
【符号の説明】
1…従来の発光側リードフレーム 2…受光側リードフレーム 3…発光素子、4…受光素子、5…透光性樹脂、6…モール
ド樹脂 10、20…本発明の発光側リードフレーム

Claims (4)

    【特許請求の範囲】
  1. 【請求項1】 発光半導体素子が固着された第1のアイ
    ランド部を有する第1のリードフレームと、 受光半導体素子が固着された第2のアイランド部を有す
    る第2のリードフレームと、 前記発光半導体素子および受光半導体素子を対向させた
    状態で連結する透光性樹脂と、 前記透光性樹脂を包囲する封止用部材とを有する光半導
    体装置において、 前記第1のアイランド部および第2のアイランド部のいず
    れか一方の端部に凹部を設けたことを特徴とする光半導
    体装置。
  2. 【請求項2】 前記凹部の形状は円弧状であることを特
    徴とする請求項1記載の光半導体装置。
  3. 【請求項3】 端部に凹部を持つ第1のアイランド部を
    有する第1のリードフレームを準備する工程と、 第2のアイランド部を有する第2のリードフレームを準備
    する工程と、 前記第1のアイランド部および第2のアイランド部の一方
    に発光半導体素子を固着する工程と、 前記第1のアイランド部および第2のアイランド部の他方
    に受光半導体素子を固着する工程と、 前記発光半導体素子および受光半導体素子を対向させた
    状態で透光性樹脂を充填し前記発光半導体素子および受
    光半導体素子を連結する工程と、 前記透光性樹脂を包囲する封止用部材を形成する工程と
    を有することを特徴とする光半導体装置の製造方法。
  4. 【請求項4】 第1のリードフレームを準備する工程
    は、円弧状の凹部を持つ第1のアイランド部を有する第1
    のリードフレームを準備する工程であることを特徴とす
    る請求項3記載の光半導体装置の製造方法。
JP10798897A 1997-04-25 1997-04-25 光半導体装置およびその製造方法 Expired - Fee Related JP3970377B2 (ja)

Priority Applications (5)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP10798897A JP3970377B2 (ja) 1997-04-25 1997-04-25 光半導体装置およびその製造方法
US09/064,039 US6080999A (en) 1997-04-25 1998-04-22 Photosensitive semiconductor device
DE19818276A DE19818276C2 (de) 1997-04-25 1998-04-23 Photoempfindlicher Halbleiterbaustein und Herstellungsverfahren dafür
US09/296,380 US6037187A (en) 1997-04-25 1999-04-23 Method of manufacturing photosensitive semiconductor device
US09/489,013 US6194238B1 (en) 1997-04-25 2000-01-21 Method of manufacturing photosensitive semiconductor device

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP10798897A JP3970377B2 (ja) 1997-04-25 1997-04-25 光半導体装置およびその製造方法

Publications (2)

Publication Number Publication Date
JPH10303453A true JPH10303453A (ja) 1998-11-13
JP3970377B2 JP3970377B2 (ja) 2007-09-05

Family

ID=14473147

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
JP10798897A Expired - Fee Related JP3970377B2 (ja) 1997-04-25 1997-04-25 光半導体装置およびその製造方法

Country Status (3)

Country Link
US (3) US6080999A (ja)
JP (1) JP3970377B2 (ja)
DE (1) DE19818276C2 (ja)

Families Citing this family (7)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
MY122101A (en) * 1997-03-28 2006-03-31 Rohm Co Ltd Lead frame and semiconductor device made by using it
JP3970377B2 (ja) * 1997-04-25 2007-09-05 沖電気工業株式会社 光半導体装置およびその製造方法
JP4801243B2 (ja) * 2000-08-08 2011-10-26 ルネサスエレクトロニクス株式会社 リードフレームおよびそれを用いて製造した半導体装置並びにその製造方法
FI111033B (fi) * 2001-06-15 2003-05-15 Metso Paper Inc Menetelmä rullan tiheyden määrittämiseksi
US7736293B2 (en) * 2005-07-22 2010-06-15 Biocompatibles Uk Limited Implants for use in brachytherapy and other radiation therapy that resist migration and rotation
JP5278166B2 (ja) * 2009-05-28 2013-09-04 セイコーエプソン株式会社 電子デバイスの製造方法及び電子デバイス
US8471373B2 (en) * 2010-06-11 2013-06-25 Panasonic Corporation Resin-sealed semiconductor device and method for fabricating the same

Family Cites Families (12)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPS6195581A (ja) * 1984-10-16 1986-05-14 Toshiba Corp 光結合素子
JPS61228681A (ja) * 1985-04-01 1986-10-11 Sharp Corp 光結合半導体装置
US5148243A (en) * 1985-06-25 1992-09-15 Hewlett-Packard Company Optical isolator with encapsulation
EP0276749A1 (de) * 1987-01-26 1988-08-03 Siemens Aktiengesellschaft Optoelektronisches Koppelelement
JP2656356B2 (ja) * 1989-09-13 1997-09-24 株式会社東芝 多重モールド型半導体装置及びその製造方法
JP3242476B2 (ja) * 1992-06-29 2001-12-25 沖電気工業株式会社 光半導体装置
DE4311530A1 (de) * 1992-10-02 1994-04-07 Telefunken Microelectron Optoelektronisches Bauelement mit engem Öffnungswinkel
US5389578A (en) * 1994-01-04 1995-02-14 Texas Instruments Incorporated Optical coupler
JP2600616B2 (ja) * 1994-09-08 1997-04-16 日本電気株式会社 光結合装置
US5647034A (en) * 1994-10-03 1997-07-08 Matsushita Electric Works, Ltd. Operation displaying semiconductor switch
JPH08222757A (ja) * 1995-02-14 1996-08-30 Sharp Corp 光結合素子
JP3970377B2 (ja) * 1997-04-25 2007-09-05 沖電気工業株式会社 光半導体装置およびその製造方法

Also Published As

Publication number Publication date
JP3970377B2 (ja) 2007-09-05
US6194238B1 (en) 2001-02-27
US6080999A (en) 2000-06-27
US6037187A (en) 2000-03-14
DE19818276C2 (de) 2002-04-11
DE19818276A1 (de) 1998-10-29

Similar Documents

Publication Publication Date Title
KR20010108208A (ko) 케이스가 구비된 칩형 발광장치
JPH0638514B2 (ja) フオトインタラプタ
JPH10303453A (ja) 光半導体装置およびその製造方法
JPS61228681A (ja) 光結合半導体装置
JP4117868B2 (ja) 光結合素子
JP2002076426A (ja) 光結合半導体装置及びその製造方法
US20130221379A1 (en) Photo coupler
KR100604602B1 (ko) 발광 다이오드 렌즈 및 그것을 갖는 발광 다이오드
JP3601931B2 (ja) 光結合半導体装置
KR100298880B1 (ko) 광결합소자및그제조방법
JP3143351B2 (ja) 反射型光結合装置
JP2000196111A (ja) 光半導体装置
JPH0422355B2 (ja)
JPH0546710B2 (ja)
CN216121196U (zh) 封装结构
JP2000187137A (ja) 光モジュ―ル
JPH118404A (ja) 光結合素子及びその製造方法
JP2618003B2 (ja) 光半導体装置の製造方法
JPH07111342A (ja) 光送信モジュ−ル
JPH07321370A (ja) 光結合素子
JPH06163950A (ja) 半導体装置
JPS6381987A (ja) 光結合型半導体装置
JPH04111765U (ja) 光結合装置用リードフレーム
JPH03286576A (ja) 発光素子
JPH0349403Y2 (ja)

Legal Events

Date Code Title Description
A621 Written request for application examination

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A621

Effective date: 20040413

RD01 Notification of change of attorney

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A7421

Effective date: 20060923

RD02 Notification of acceptance of power of attorney

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A7422

Effective date: 20060929

RD04 Notification of resignation of power of attorney

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A7424

Effective date: 20061013

A977 Report on retrieval

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A971007

Effective date: 20070402

TRDD Decision of grant or rejection written
A01 Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model)

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A01

Effective date: 20070522

A61 First payment of annual fees (during grant procedure)

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A61

Effective date: 20070606

R150 Certificate of patent or registration of utility model

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R150

S111 Request for change of ownership or part of ownership

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R313111

S531 Written request for registration of change of domicile

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R313531

FPAY Renewal fee payment (event date is renewal date of database)

Free format text: PAYMENT UNTIL: 20100615

Year of fee payment: 3

R350 Written notification of registration of transfer

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R350

FPAY Renewal fee payment (event date is renewal date of database)

Free format text: PAYMENT UNTIL: 20110615

Year of fee payment: 4

FPAY Renewal fee payment (event date is renewal date of database)

Free format text: PAYMENT UNTIL: 20110615

Year of fee payment: 4

FPAY Renewal fee payment (event date is renewal date of database)

Free format text: PAYMENT UNTIL: 20120615

Year of fee payment: 5

S533 Written request for registration of change of name

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R313533

FPAY Renewal fee payment (event date is renewal date of database)

Free format text: PAYMENT UNTIL: 20120615

Year of fee payment: 5

R350 Written notification of registration of transfer

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R350

LAPS Cancellation because of no payment of annual fees