JPH02143466A - 半導体装置の製造方法 - Google Patents

半導体装置の製造方法

Info

Publication number
JPH02143466A
JPH02143466A JP63295996A JP29599688A JPH02143466A JP H02143466 A JPH02143466 A JP H02143466A JP 63295996 A JP63295996 A JP 63295996A JP 29599688 A JP29599688 A JP 29599688A JP H02143466 A JPH02143466 A JP H02143466A
Authority
JP
Japan
Prior art keywords
semiconductor chip
window
light
chip
liquid
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Pending
Application number
JP63295996A
Other languages
English (en)
Inventor
Koji Shinomiya
巧治 篠宮
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Mitsubishi Electric Corp
Original Assignee
Mitsubishi Electric Corp
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Mitsubishi Electric Corp filed Critical Mitsubishi Electric Corp
Priority to JP63295996A priority Critical patent/JPH02143466A/ja
Priority to US07/320,498 priority patent/US4957882A/en
Priority to KR1019890015978A priority patent/KR920010318B1/ko
Priority to DE3937996A priority patent/DE3937996A1/de
Publication of JPH02143466A publication Critical patent/JPH02143466A/ja
Pending legal-status Critical Current

Links

Classifications

    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L24/00Arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies; Methods or apparatus related thereto
    • H01L24/80Methods for connecting semiconductor or other solid state bodies using means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected
    • H01L24/83Methods for connecting semiconductor or other solid state bodies using means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected using a layer connector
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L31/00Semiconductor devices sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L23/00Details of semiconductor or other solid state devices
    • H01L23/48Arrangements for conducting electric current to or from the solid state body in operation, e.g. leads, terminal arrangements ; Selection of materials therefor
    • H01L23/488Arrangements for conducting electric current to or from the solid state body in operation, e.g. leads, terminal arrangements ; Selection of materials therefor consisting of soldered or bonded constructions
    • H01L23/495Lead-frames or other flat leads
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L24/00Arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies; Methods or apparatus related thereto
    • H01L24/01Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
    • H01L24/26Layer connectors, e.g. plate connectors, solder or adhesive layers; Manufacturing methods related thereto
    • H01L24/28Structure, shape, material or disposition of the layer connectors prior to the connecting process
    • H01L24/29Structure, shape, material or disposition of the layer connectors prior to the connecting process of an individual layer connector
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L27/00Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate
    • H01L27/14Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate including semiconductor components sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation
    • H01L27/144Devices controlled by radiation
    • H01L27/1443Devices controlled by radiation with at least one potential jump or surface barrier
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L31/00Semiconductor devices sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
    • H01L31/02Details
    • H01L31/0203Containers; Encapsulations, e.g. encapsulation of photodiodes
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2224/00Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
    • H01L2224/01Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/10Bump connectors; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/15Structure, shape, material or disposition of the bump connectors after the connecting process
    • H01L2224/16Structure, shape, material or disposition of the bump connectors after the connecting process of an individual bump connector
    • H01L2224/161Disposition
    • H01L2224/16135Disposition the bump connector connecting between different semiconductor or solid-state bodies, i.e. chip-to-chip
    • H01L2224/16145Disposition the bump connector connecting between different semiconductor or solid-state bodies, i.e. chip-to-chip the bodies being stacked
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2224/00Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
    • H01L2224/01Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/26Layer connectors, e.g. plate connectors, solder or adhesive layers; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/28Structure, shape, material or disposition of the layer connectors prior to the connecting process
    • H01L2224/29Structure, shape, material or disposition of the layer connectors prior to the connecting process of an individual layer connector
    • H01L2224/29001Core members of the layer connector
    • H01L2224/2901Shape
    • H01L2224/29011Shape comprising apertures or cavities
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2224/00Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
    • H01L2224/01Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/26Layer connectors, e.g. plate connectors, solder or adhesive layers; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/28Structure, shape, material or disposition of the layer connectors prior to the connecting process
    • H01L2224/29Structure, shape, material or disposition of the layer connectors prior to the connecting process of an individual layer connector
    • H01L2224/29001Core members of the layer connector
    • H01L2224/29099Material
    • H01L2224/2919Material with a principal constituent of the material being a polymer, e.g. polyester, phenolic based polymer, epoxy
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2224/00Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
    • H01L2224/01Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/42Wire connectors; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/47Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process
    • H01L2224/48Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process of an individual wire connector
    • H01L2224/4805Shape
    • H01L2224/4809Loop shape
    • H01L2224/48091Arched
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2224/00Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
    • H01L2224/01Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/42Wire connectors; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/47Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process
    • H01L2224/48Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process of an individual wire connector
    • H01L2224/481Disposition
    • H01L2224/48151Connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive
    • H01L2224/48221Connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive the body and the item being stacked
    • H01L2224/48245Connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive the body and the item being stacked the item being metallic
    • H01L2224/48247Connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive the body and the item being stacked the item being metallic connecting the wire to a bond pad of the item
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2224/00Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
    • H01L2224/01Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/42Wire connectors; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/47Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process
    • H01L2224/48Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process of an individual wire connector
    • H01L2224/484Connecting portions
    • H01L2224/48463Connecting portions the connecting portion on the bonding area of the semiconductor or solid-state body being a ball bond
    • H01L2224/48465Connecting portions the connecting portion on the bonding area of the semiconductor or solid-state body being a ball bond the other connecting portion not on the bonding area being a wedge bond, i.e. ball-to-wedge, regular stitch
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2224/00Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
    • H01L2224/80Methods for connecting semiconductor or other solid state bodies using means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected
    • H01L2224/83Methods for connecting semiconductor or other solid state bodies using means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected using a layer connector
    • H01L2224/8319Arrangement of the layer connectors prior to mounting
    • H01L2224/83193Arrangement of the layer connectors prior to mounting wherein the layer connectors are disposed on both the semiconductor or solid-state body and another item or body to be connected to the semiconductor or solid-state body
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2224/00Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
    • H01L2224/80Methods for connecting semiconductor or other solid state bodies using means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected
    • H01L2224/83Methods for connecting semiconductor or other solid state bodies using means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected using a layer connector
    • H01L2224/838Bonding techniques
    • H01L2224/8385Bonding techniques using a polymer adhesive, e.g. an adhesive based on silicone, epoxy, polyimide, polyester
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L24/00Arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies; Methods or apparatus related thereto
    • H01L24/01Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
    • H01L24/42Wire connectors; Manufacturing methods related thereto
    • H01L24/47Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process
    • H01L24/48Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process of an individual wire connector
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2924/00Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
    • H01L2924/0001Technical content checked by a classifier
    • H01L2924/00014Technical content checked by a classifier the subject-matter covered by the group, the symbol of which is combined with the symbol of this group, being disclosed without further technical details
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2924/00Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
    • H01L2924/01Chemical elements
    • H01L2924/01005Boron [B]
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2924/00Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
    • H01L2924/01Chemical elements
    • H01L2924/01082Lead [Pb]
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2924/00Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
    • H01L2924/06Polymers
    • H01L2924/0665Epoxy resin
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2924/00Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
    • H01L2924/06Polymers
    • H01L2924/078Adhesive characteristics other than chemical
    • H01L2924/07802Adhesive characteristics other than chemical not being an ohmic electrical conductor
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2924/00Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
    • H01L2924/10Details of semiconductor or other solid state devices to be connected
    • H01L2924/11Device type
    • H01L2924/14Integrated circuits
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2924/00Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
    • H01L2924/15Details of package parts other than the semiconductor or other solid state devices to be connected
    • H01L2924/161Cap
    • H01L2924/162Disposition
    • H01L2924/16235Connecting to a semiconductor or solid-state bodies, i.e. cap-to-chip
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2924/00Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
    • H01L2924/15Details of package parts other than the semiconductor or other solid state devices to be connected
    • H01L2924/181Encapsulation
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2924/00Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
    • H01L2924/15Details of package parts other than the semiconductor or other solid state devices to be connected
    • H01L2924/181Encapsulation
    • H01L2924/1815Shape
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2924/00Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
    • H01L2924/15Details of package parts other than the semiconductor or other solid state devices to be connected
    • H01L2924/181Encapsulation
    • H01L2924/1815Shape
    • H01L2924/1816Exposing the passive side of the semiconductor or solid-state body
    • H01L2924/18161Exposing the passive side of the semiconductor or solid-state body of a flip chip
    • YGENERAL TAGGING OF NEW TECHNOLOGICAL DEVELOPMENTS; GENERAL TAGGING OF CROSS-SECTIONAL TECHNOLOGIES SPANNING OVER SEVERAL SECTIONS OF THE IPC; TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
    • Y10TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC
    • Y10TTECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER US CLASSIFICATION
    • Y10T29/00Metal working
    • Y10T29/49Method of mechanical manufacture
    • Y10T29/49002Electrical device making
    • Y10T29/49117Conductor or circuit manufacturing
    • Y10T29/49121Beam lead frame or beam lead device

Landscapes

  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
  • Power Engineering (AREA)
  • Computer Hardware Design (AREA)
  • Physics & Mathematics (AREA)
  • Condensed Matter Physics & Semiconductors (AREA)
  • General Physics & Mathematics (AREA)
  • Electromagnetism (AREA)
  • Structures Or Materials For Encapsulating Or Coating Semiconductor Devices Or Solid State Devices (AREA)
  • Light Receiving Elements (AREA)

Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】 〔産業上の利用分野〕 この発明は、半導体装置の製造方法に係り、特に受光素
子内蔵半導体チップに光透過用窓を固定する方法に関す
るものである。
〔従来の技術〕
第6図に受光素子内蔵半導体チップを用いた一般的な半
導体装置の構造を示す。リードフレーム(1)のダイパ
ッド(11)上に集積回路を構成する半導体チップ(2
)の下面(2b)が接合されている。
半導体チップ(2)の上面(2a)の中央部には受光素
子(21)がその表面を露出するようにして埋め込まれ
ている。半導体チップ(2)の上面(2a)には受光素
子(21)の外周部に沿って受光素子(21)を囲むよ
うに周状壁(3)が形成され、この周状壁(3)の上に
受光素子(21)を保護するための光透過用窓(4)が
配置されている。半導体装置の目的によっては光透過用
窓(4)に所定の分光特性を持たせることもある。また
、半導体チップ(2)の上面(2a)には周に沿って複
数のポンディングパッド(5)が形成され、各ポンディ
ングパッド(5)はリードフレーム(1)の対応するリ
ード(12)のインナーリードにボンディングワイヤく
6)を用いて電気的に接続されている。そして、光透過
用窓(4)の上面(4a)が露出するように、半導体チ
ップ(2)、周状壁(3)、光透過用窓(4)の側部、
ボンディングワイヤ(6)、リードフレーム(1)のダ
イパッド(11)及び各リード(12)のインナーリー
ドが樹脂(7)により封止されている。
このような半導体装置は次のようにして製造される。ま
ず、半導体チップく2)の上面(2a)において、中央
部の受光素子(21)と外周部の複数のポンディングパ
ッド(5)との間に受光素子(21)を囲むようにシリ
コーン等からなる周状壁(3)を形成する。この周状壁
(3)の上に光透過用窓(4)を載宜し、光透過用窓(
4)の下面(4b)と半導体チップ(2)の上面(2a
)との間に密閉された空間(8)を形成する。この密閉
空間(8)は、モールド時に樹脂が受光素子(21)と
光透過用窓(4)との間に侵入することを防止すると共
に半導体装置が熱衝撃を受けた時に熱膨張率の違いに起
因する半導体チップ(2)あるいは光透過用窓(4)の
反りの発生を防止するためのものである。
次に、半導体チップ(2)の下面(2b)をリードフレ
ーム(1)のダイパッド(11)上にダイボンディング
した後、半導体チッフ責2)の上面(2a)に形成され
ている各ポンディングパッド(5)とリードフレーム(
1)の対応するリード(12)のインナーリードとの間
をボンディングワイヤ(6)を用いてワイヤボンディン
グし、これらを電気的に接続する。さらに、リードフレ
ーム(1)を半導体チップく2)及び光透過用窓(4)
等と共に金型(図示せず)内にセットし、この金型内に
樹脂(7)を注入することにより、光透過用窓(4)の
上面(4a)及びリードフレーム(1)の各リード(1
2)のアウターリードのみが露出するように、半導体チ
ップ(2)、周状壁(3)、光透過用窓(4)の側部、
ボンディングワイヤ(6)、リードフレーム(1)のダ
イパッド(11)及び各リード(12)のインナーリー
ドを樹脂モールドする。
このようにして製造された半導体装置では、光透過用窓
(4)の露出面(4a)に入射した外部からの光が光透
過用窓(4)を透過した後、受光素子(21)に到達し
ここで光電変換される。
〔発明が解決しようとする課題〕
しかしながら、従来の半導体装置では、上述したように
周状壁(3)の上に光透過用窓(4)を載置した状態で
樹脂モールドを行うため、モールド時に金型内への樹脂
(7)の注入圧力により光透過用窓(4)が位置ずれを
起こしたり、密閉空間(8)内に樹脂(7)が侵入する
恐れがあった。このため、光透過用窓(4)を周状壁(
3)に圧接させた状態で樹脂モールドを行わなければな
らなかった。さらにこの場合でも、樹脂(7)の注入圧
力を光透過用窓(4)の周状壁(3)への圧接力に対応
して調整する必要がある。このように、モールド時の製
造条件が複雑になるので、半導体装置を高精度に且つ安
定して製造することが困難であるという問題点を生じて
いた。
この発明はこのような問題点を解消するためになされた
もので、受光素子内蔵半導体チップを備えた半導体装置
を高精度に且つ安定して製造することのできる半導体装
置の製造方法を得ることを目的とする。
〔課題を解決するための手段〕
この発明に係る半導体装置の製造方法は、受光素子を上
面に備えた半導体チップのその上面に受光素子を囲むよ
うに二液混合型接着剤の一方の液剤を塗布し、光透過用
窓の下面に半導体チップの上面に塗布した一方の液剤に
対応させて二液混合型接着剤の他方の液剤を塗布し、半
導体チップの上面に塗布された一方の液剤と光透過用窓
の下面に塗布された他方の液剤とを接触させることによ
り半導体チップと光透過用窓とを固着し、光透過用窓の
上面が露出するように半導体チップ及び光透過用窓の一
部を樹脂モールドする方法である。
〔作用〕
この発明においては、二液混合型接着剤を用いて光透過
用、窓を半導体チップに固着した後、樹脂モールドを行
う。
〔実施例〕
以下、この発明の実施例を添付図面に基づいて説明する
第1図ないし第3図はそれぞれこの発明の一実施例に係
る半導体装置の製造方法を工程順に示す断面図である。
第1図において、集積回路を構成する半導体チップ(2
)の上面(2a)の中央部には受光素子(21)がその
表面を露出するようにして埋め込まれている。まず、半
導体チップ(2)の上面(2a)に受光素子(21)を
囲むように環状に二液混合型接着剤の一方の液剤(9a
)を塗布する。
同様にして、ガラス等からなる光透過用窓(4)の下面
(4b)上には、半導体チップ(2)の上面〈2a)に
塗布した液剤(9a)に対応させて環状に二液混合型接
着剤の他方の液剤(9b)を塗布する。このとき、双方
の液剤(9a)及び(9b)は互いに接触せずに分離し
ているので、硬化することなく液状を保持している。
このようにして上面(2a)に液剤(9a)が塗布され
た半導体チップ(2)の下面(2b)をリードフレーム
(1)のダイパッド(11)上に接合する。
次に、光透過用窓(4)の下面(4b)に環状に塗布さ
れた他方の液剤(9b)が半導体チップ(2)の上面(
2a)に塗布された一方の液剤(9a)の直上に位置す
るように光透過用窓(4)を位置合わぜした後、第2図
に示すように光透過用窓(4)を半導体チップ(2)の
上面(2a)に押し付け、双方の液剤(9a)及び(9
b)を互いに接触させる。これにより、双方の液剤(9
a)及び(9b)は混合して化学反応を起こし、硬化し
た接着剤(9)となって光透過用窓(4)を半導体チッ
プ(2〉に固着する。尚、この硬化した接着剤(9)に
よって光透過用窓(4)の下面(4b)と半導体チップ
(2)の上面(2a)との間に密閉された空間(8)が
形成されるように、双方の液剤(9a)及び(9b)の
塗布厚は設定される。
その後、第3図に示すように半導体チッフ責2)の上面
(2a)の周に沿って形成されている各ポンディングパ
ッド(5)とリードフレーム(1)の対応するリード(
12)のインナーリードとの間をボンディングワイヤ(
6)を用いてワイヤボンディングし、これらを電気的に
接続する。
さらに、リードフレーム(1)を半導体チップく2)及
び光透過用窓(4)等と共に金型(図示せず)内にセッ
トし、この金型内に樹脂(7)を注入することにより、
光透過用窓(4)の上面(4a)及びリードフレーム(
1)の各リードく12)のアウターリードのみが露出す
るように、半導体デツプ(2)、光透過用窓(4)の側
部、ボンディングワイヤ(6)、リードフレーム(1)
のダイパッド(11)及び各リード(12)のインナー
リードを樹脂モールドする。
このとき、光透過用窓(4)は硬化した接着剤(9)に
より既に半導体チップ(2)に固着されているので、光
透過用窓(4)を半導体チップ(2)に向けて押さえ付
けながら樹脂(7)を注入する必要はない。
また、樹脂(7)の金型内への注入圧の微妙な調整も不
要となる。すなわち、モールド時の製造条件の管理が容
易となる。
尚、上記の実施例では、液剤(9a)が塗布された半導
体チップ(2)をリードフレーム(1)のダイパッド(
11)上にグイボンディングした後に光透過用窓(4)
を半導体チップ(2)に固着したが、これに限るもので
はなく、光透過用窓(4〉を半導体チップ(2)に固着
した後に半導体チップ(2)をダイパッド(11)にダ
イボンディングしてもよい。
また、半導体デツプ(2)をダイパッド(11)にダイ
ボンディングした後に液剤(9a)を半導体チップ(2
)に塗布することもできる。
第4図に示すように、予め半導体チップ(2)の上面(
2a)に受光素子(21)を囲むように環状にシリコー
ン等からなる周状壁(3)を形成しておき、この周状壁
(3)の上端面に二液混合型接着剤の一方の液剤(9a
)を塗布してもよい、同様に、第5図に示すように、予
め光透過用窓(4)の下面(4b)に周状壁(3)を形
成し、この周状壁(3)の下端面に二液混合型接着剤の
他方の液剤(9b〉を塗布してもよい。これら第4図及
び第5図の場合には、予め周状壁(3)が形成されてお
り、二液混合型接着剤によって周状壁を形成するわけで
はないので、双方の液剤(9a)及び(9b)の塗布厚
は任意に設定することができる。
二液混合型接着剤としてはエポキシ系の接着剤を用いる
ことができ、例えばエビクロルセドリン・ビスフェノー
ル等のエポキシ樹脂中間体を一方の液剤(9a)とし、
ポリアミド・アミンあるいはポリチオールを他方の液剤
(9b)として用いる。
これらの液剤(9a)及び(9b)は互いに逆に用いて
もよいことは言うまでもない、すなわち、半導体チップ
(2)側に他方の液剤(9b)を、光透過用窓(4)側
に一方の液剤(9a)をそれぞれ塗布してもよい。
また、これら液剤(9a)及び(9b)は、スクリーン
印刷、スタンプ方式、機械的方式等の種々の方法により
塗布することができる。特に、スクリーン印刷により塗
布する場合には、チクソトロピックタイプ(揺変性を備
えた)の樹脂接着剤を用いると塗布しやすくなる。また
、半導体チップ(2)への液剤の塗布方法として、多数
の半導体チップ(2)が形成されたウェハの段階でスク
リーン印刷により各半導体チップ(2)上に同時に塗布
し、その後ウェハを各半導体チップ(2)に分割するこ
ともできる。
上述したように、この発明では二液混合型接着剤の双方
の液剤をそれぞれ半導体チップ(2)及び光透過用窓(
4)に塗布するので、互いの液剤を混合するまでは接着
剤の硬化はほとんど進行しない。
従って、半導体チップ(2)及び光透過用窓(4)への
液剤の塗布、光透過用窓(4)の半導体チップ(2)へ
の位置合わせを時間をかけて正確に行うことができ、精
度の高い製品すなわち半導体装置が得られる。また、双
方の液剤を分離させておけば接着剤の硬化が進行しない
ので、二液混合型接着剤の管理も容易にできる。
〔発明の効果〕
以上説明したようにこの発明によれば、受光素子を上面
に備えた半導体チップのその上面に受光素子を囲むよう
に二液混合型接着剤の一方の液剤を塗布し、光透過用窓
の下面に半導体チップの上面に塗布した一方の液剤に対
応させて二液混合型接着剤の他方の液剤を塗布し、半導
木チップの上面に塗布された一方の液剤と光透過用窓の
下面に塗布された他方の液剤とを接触させることにより
半導体チップと光透過用窓とを固着し、光透過用窓の上
面が露出するように半導体チップ及び光透過用窓の一部
を樹脂モールドするため、受光素子内蔵半導体チップを
備えた半導体装置を高精度に且つ安定して製造すること
が可能となる。
【図面の簡単な説明】
第1図ないし第3図はそれぞれこの発明の一実施例に係
る半導体装置の製造方法を工程順に示す断面図、第4図
及び第5図はそれぞれ他の実施例を示す断面図、第6図
は受光素子内蔵半導体チップを用いた一般的な半導体装
置の構造を示す断面図である。 図において、(2)は半導体チップ、(4)は光透過用
窓、(7)は樹脂、(9a)及び(9b)はそれぞれH
混合型接着剤の液剤、(21)は受光素子である。 なお、各図中同一符号は同一または相当部分を菖2図 8:空間 示す。 壓4図 扇5図

Claims (1)

  1. 【特許請求の範囲】 受光素子を上面に備えた半導体チップの前記上面に前記
    受光素子を囲むように二液混合型接着剤の一方の液剤を
    塗布し、 光透過用窓の下面に前記半導体チップの上面に塗布した
    前記一方の液剤に対応させて前記二液混合型接着剤の他
    方の液剤を塗布し、 前記半導体チップの上面に塗布された前記一方の液剤と
    前記光透過用窓の下面に塗布された前記他方の液剤とを
    接触させることにより前記半導体チップと前記光透過用
    窓とを固着し、 前記光透過用窓の上面が露出するように前記半導体チッ
    プ及び前記光透過用窓の一部を樹脂モールドする ことを特徴とする半導体装置の製造方法。
JP63295996A 1988-11-25 1988-11-25 半導体装置の製造方法 Pending JPH02143466A (ja)

Priority Applications (4)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP63295996A JPH02143466A (ja) 1988-11-25 1988-11-25 半導体装置の製造方法
US07/320,498 US4957882A (en) 1988-11-25 1989-03-08 Method for manufacturing semiconductor device
KR1019890015978A KR920010318B1 (ko) 1988-11-25 1989-11-04 반도체장치의 제조방법
DE3937996A DE3937996A1 (de) 1988-11-25 1989-11-15 Verfahren zur herstellung von halbleiteranordnungen

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP63295996A JPH02143466A (ja) 1988-11-25 1988-11-25 半導体装置の製造方法

Publications (1)

Publication Number Publication Date
JPH02143466A true JPH02143466A (ja) 1990-06-01

Family

ID=17827785

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
JP63295996A Pending JPH02143466A (ja) 1988-11-25 1988-11-25 半導体装置の製造方法

Country Status (4)

Country Link
US (1) US4957882A (ja)
JP (1) JPH02143466A (ja)
KR (1) KR920010318B1 (ja)
DE (1) DE3937996A1 (ja)

Cited By (4)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US6812579B2 (en) * 2001-10-30 2004-11-02 Fuji Electric Co., Ltd. Semiconductor device
JP2006505126A (ja) * 2002-10-29 2006-02-09 フリースケール セミコンダクター インコーポレイテッド 光センサパッケージ
JP2006229108A (ja) * 2005-02-21 2006-08-31 Matsushita Electric Ind Co Ltd 光電変換装置の製造方法および光電変換装置
JP2008047830A (ja) * 2006-08-21 2008-02-28 Hamamatsu Photonics Kk 半導体装置および半導体装置製造方法

Families Citing this family (30)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US5354695A (en) 1992-04-08 1994-10-11 Leedy Glenn J Membrane dielectric isolation IC fabrication
JPH04503891A (ja) * 1989-10-13 1992-07-09 ザ・フォックスボロ・カンパニー 用途を特定したテープ自動ボンディング
US5260168A (en) * 1989-10-13 1993-11-09 The Foxboro Company Application specific tape automated bonding
JP2828318B2 (ja) * 1990-05-18 1998-11-25 新光電気工業株式会社 多層リードフレームの製造方法
JPH0429338A (ja) * 1990-05-24 1992-01-31 Nippon Mektron Ltd Icの搭載用回路基板及びその搭載方法
US5270260A (en) * 1990-08-23 1993-12-14 Siemens Aktiengesellschaft Method and apparatus for connecting a semiconductor chip to a carrier system
US5413964A (en) * 1991-06-24 1995-05-09 Digital Equipment Corporation Photo-definable template for semiconductor chip alignment
US5616520A (en) * 1992-03-30 1997-04-01 Hitachi, Ltd. Semiconductor integrated circuit device and fabrication method thereof
US6714625B1 (en) 1992-04-08 2004-03-30 Elm Technology Corporation Lithography device for semiconductor circuit pattern generation
KR940001333A (ko) * 1992-06-16 1994-01-11 문정환 수지봉합형 고체촬상소자 패키지 및 그 제조방법
DE4318407A1 (de) * 1993-06-03 1994-12-08 Rossendorf Forschzent Mikrokapillare mit integrierten chemischen Mikrosensoren und Verfahren zu ihrer Herstellung
EP0759231B1 (de) 1994-05-02 1998-12-23 SIEMENS MATSUSHITA COMPONENTS GmbH & CO. KG Verkapselung für elektronische bauelemente
US5672545A (en) * 1994-08-08 1997-09-30 Santa Barbara Research Center Thermally matched flip-chip detector assembly and method
JP3805031B2 (ja) * 1995-10-20 2006-08-02 キヤノン株式会社 光電変換装置
US5915167A (en) 1997-04-04 1999-06-22 Elm Technology Corporation Three dimensional structure memory
US6551857B2 (en) 1997-04-04 2003-04-22 Elm Technology Corporation Three dimensional structure integrated circuits
DE19816309B4 (de) * 1997-04-14 2008-04-03 CiS Institut für Mikrosensorik gGmbH Verfahren zur Direktmontage von Silizium-Sensoren und danach hergestellte Sensoren
US6140141A (en) * 1998-12-23 2000-10-31 Sun Microsystems, Inc. Method for cooling backside optically probed integrated circuits
EP1041628A3 (en) * 1999-03-29 2008-05-28 Interuniversitair Microelektronica Centrum Vzw An image sensor ball grid array package and the fabrication thereof
CN1199547C (zh) * 2000-01-22 2005-04-27 赫尔穆特·卡尔 电磁屏蔽形成方法
DE10016135A1 (de) * 2000-03-31 2001-10-18 Infineon Technologies Ag Gehäusebaugruppe für ein elektronisches Bauteil
US6748994B2 (en) 2001-04-11 2004-06-15 Avery Dennison Corporation Label applicator, method and label therefor
US7127793B2 (en) * 2002-04-24 2006-10-31 Fuji Photo Film Co., Ltd. Method of producing solid state pickup device
US7402897B2 (en) 2002-08-08 2008-07-22 Elm Technology Corporation Vertical system integration
JP2004296453A (ja) * 2003-02-06 2004-10-21 Sharp Corp 固体撮像装置、半導体ウエハ、光学装置用モジュール、固体撮像装置の製造方法及び光学装置用モジュールの製造方法
US20050009239A1 (en) * 2003-07-07 2005-01-13 Wolff Larry Lee Optoelectronic packaging with embedded window
KR100506035B1 (ko) * 2003-08-22 2005-08-03 삼성전자주식회사 반도체 패키지 및 그 제조방법
EP1619726A1 (fr) * 2004-07-22 2006-01-25 St Microelectronics S.A. Boîtier optique pour capteur semiconducteur
GB0504379D0 (en) * 2005-03-03 2005-04-06 Melexis Nv Low profile overmoulded semiconductor package with transparent lid
WO2008082565A1 (en) * 2006-12-29 2008-07-10 Tessera, Inc. Microelectronic devices and methods of manufacturing such devices

Family Cites Families (6)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPS60113934A (ja) * 1983-11-25 1985-06-20 Hitachi Micro Comput Eng Ltd 半導体装置
JPS60154534A (ja) * 1984-01-23 1985-08-14 Mitsubishi Electric Corp 半導体チツプの固着方法及び固着装置
JPS6063941A (ja) * 1984-08-10 1985-04-12 Hitachi Ltd 半導体装置の製法
JPS6211240A (ja) * 1985-07-09 1987-01-20 Sony Corp 半導体装置
JPS6290938A (ja) * 1985-10-17 1987-04-25 Matsushita Electric Ind Co Ltd 半導体装置
JPS6425428A (en) * 1987-07-22 1989-01-27 Toshiba Corp Connection of element

Cited By (5)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US6812579B2 (en) * 2001-10-30 2004-11-02 Fuji Electric Co., Ltd. Semiconductor device
JP2006505126A (ja) * 2002-10-29 2006-02-09 フリースケール セミコンダクター インコーポレイテッド 光センサパッケージ
JP4705784B2 (ja) * 2002-10-29 2011-06-22 タング スング キャピタル エルエルシー イメージセンサデバイスの製造方法
JP2006229108A (ja) * 2005-02-21 2006-08-31 Matsushita Electric Ind Co Ltd 光電変換装置の製造方法および光電変換装置
JP2008047830A (ja) * 2006-08-21 2008-02-28 Hamamatsu Photonics Kk 半導体装置および半導体装置製造方法

Also Published As

Publication number Publication date
US4957882A (en) 1990-09-18
KR920010318B1 (ko) 1992-11-26
KR900008701A (ko) 1990-06-04
DE3937996A1 (de) 1990-05-31

Similar Documents

Publication Publication Date Title
JPH02143466A (ja) 半導体装置の製造方法
KR100341104B1 (ko) 반도체장치의 어셈블리방법 및 이 방법에 의해 제조된 반도체 장치
US5622873A (en) Process for manufacturing a resin molded image pick-up semiconductor chip having a window
JPH11121507A (ja) 半導体装置およびその製造方法
KR20050071637A (ko) 광 센서 패키지
US20050156301A1 (en) Method of packaging an optical sensor
JP2000098188A (ja) 光モジュール
KR100293138B1 (ko) 열저항력이 뛰어난 고체 촬상 장치 및 그 제조 방법
JPH09318849A (ja) 光伝送モジュールおよびその製造方法
US6869832B2 (en) Method for planarizing bumped die
KR970053725A (ko) 반도체 장치
JPH04217375A (ja) 半導体装置とその作製方法
JPS6258655B2 (ja)
JPH03284857A (ja) 半導体装置の製造方法
KR100206944B1 (ko) 반도체 패키지의 다이본딩방법
JP2000304638A (ja) センサチップの接合構造
JPH02203561A (ja) 半導体装置の製造方法
JPS60119759A (ja) 半導体装置
JPH0555302A (ja) 半導体パツケージ
JPH08181270A (ja) 樹脂封止型半導体装置用リードフレームとそれを用いた半導体装置およびその製造方法
JPH0437164A (ja) 固体撮像装置の製造方法
JPH1187563A (ja) ベアチップ実装モジュール、ベアチップ実装モジュールの製造方法および樹脂層形成用枠
JPH02105547A (ja) 半導体装置の製造方法
JPS61228635A (ja) Icチツプの実装方法
KR19980048271A (ko) 액상 접착제를 이용한 리드 온 칩 패키지의 제조 방법