JPH08227960A - 半導体装置用リードフレーム - Google Patents
半導体装置用リードフレームInfo
- Publication number
- JPH08227960A JPH08227960A JP3216795A JP3216795A JPH08227960A JP H08227960 A JPH08227960 A JP H08227960A JP 3216795 A JP3216795 A JP 3216795A JP 3216795 A JP3216795 A JP 3216795A JP H08227960 A JPH08227960 A JP H08227960A
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- JP
- Japan
- Prior art keywords
- gate
- resin
- lead frame
- slit
- sealing
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- Pending
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- Encapsulation Of And Coatings For Semiconductor Or Solid State Devices (AREA)
- Lead Frames For Integrated Circuits (AREA)
Abstract
(57)【要約】
【目的】切断金型を用いることなく容易に樹脂バリの残
存を無くして成形金型の破損，リード打痕の発生を防止
し、切断金型，切断工数を節減するとともに半導体装置
の精度悪化，コンタクトミス，設備破損を防止する。 【構成】ゲート部１１特に、ゲート部切り欠き穴３の近
傍の外周に沿ってスリット５を設けることで、封止樹脂
１０封止後のゲートブレークの際にゲート部１１および
ランナー９の封止樹脂１０の除去と同時にその近傍のリ
ードフレーム１の一部も容易に除去できるため、ゲート
ブレーク後のゲート部切り欠き穴３の側面に樹脂バリの
残存を防止することが可能となる。
存を無くして成形金型の破損，リード打痕の発生を防止
し、切断金型，切断工数を節減するとともに半導体装置
の精度悪化，コンタクトミス，設備破損を防止する。 【構成】ゲート部１１特に、ゲート部切り欠き穴３の近
傍の外周に沿ってスリット５を設けることで、封止樹脂
１０封止後のゲートブレークの際にゲート部１１および
ランナー９の封止樹脂１０の除去と同時にその近傍のリ
ードフレーム１の一部も容易に除去できるため、ゲート
ブレーク後のゲート部切り欠き穴３の側面に樹脂バリの
残存を防止することが可能となる。
Description
【０００１】
【産業上の利用分野】本発明は半導体装置用リードフレ
ームに関し、特に樹脂封止型の半導体装置用リードフレ
ームに関する。
ームに関し、特に樹脂封止型の半導体装置用リードフレ
ームに関する。
【０００２】
【従来の技術】図５（ａ），（ｂ）は従来の半導体装置
用リードフレーム（以下、リードフレームと記す）の一
例の樹脂封止後の平面図及び封入金型にてクランプされ
た状態でのＥ−Ｅ′線断面図である。図５（ａ），
（ｂ）に示すように、封止樹脂１０は、ランナ９からゲ
ート部１１を通って樹脂モールドパッケージ２へ充填さ
れ半導体素子を封止する。その後、封止樹脂１０は硬化
成形した後、封入金型（上型）７，（下型）８から取り
出され、後工程での加工が容易になるように樹脂モール
ドパッケージ２からゲート部１１及びランナ９の部分の
封止樹脂１０を分離する。
用リードフレーム（以下、リードフレームと記す）の一
例の樹脂封止後の平面図及び封入金型にてクランプされ
た状態でのＥ−Ｅ′線断面図である。図５（ａ），
（ｂ）に示すように、封止樹脂１０は、ランナ９からゲ
ート部１１を通って樹脂モールドパッケージ２へ充填さ
れ半導体素子を封止する。その後、封止樹脂１０は硬化
成形した後、封入金型（上型）７，（下型）８から取り
出され、後工程での加工が容易になるように樹脂モール
ドパッケージ２からゲート部１１及びランナ９の部分の
封止樹脂１０を分離する。
【０００３】図６（ａ），（ｂ）は従来のリードフレー
ムの一例のゲートブレーク後の平面図及びそのＦ−Ｆ′
線断面図である。図６（ａ），（ｂ）に示すように、従
来のリードフレームでは、ゲート部１１及びランナ９の
部分の封止樹脂１０を分離した時にゲート部切り欠き穴
３の内面には必ず樹脂バリ１２が付着残存していた。こ
の樹脂バリ１２は後工程でのアウタリード４の成形工程
あるいは外装めっき工程にて脱落することがあり、この
樹脂バリ１２の脱落により後工程で１回／２００ショッ
トの頻度で金型破損あるいはアウタリード４の加工時に
０．２％の発生率で打痕を生じアウタリード４を変形さ
せるという問題点を有していた。
ムの一例のゲートブレーク後の平面図及びそのＦ−Ｆ′
線断面図である。図６（ａ），（ｂ）に示すように、従
来のリードフレームでは、ゲート部１１及びランナ９の
部分の封止樹脂１０を分離した時にゲート部切り欠き穴
３の内面には必ず樹脂バリ１２が付着残存していた。こ
の樹脂バリ１２は後工程でのアウタリード４の成形工程
あるいは外装めっき工程にて脱落することがあり、この
樹脂バリ１２の脱落により後工程で１回／２００ショッ
トの頻度で金型破損あるいはアウタリード４の加工時に
０．２％の発生率で打痕を生じアウタリード４を変形さ
せるという問題点を有していた。
【０００４】この従来の技術では、樹脂バリ１２を除去
するために金型にて樹脂バリ１２近傍のリードフレーム
１を部分的に切断除去することが必要であるため、工数
増加，必要設備の増設等の問題点を抱えていた。また、
後工程にて樹脂バリ１２をその近傍のリードフレーム１
の部分ごと切断除去する方法もあるが、その際樹脂封止
した半導体素子及びリードフレーム１に不要な外力が加
わりゲート部１１に設けられている吊りピンが８０％以
上の発生率で切断し、搬送による精度悪化，発生率０．
３％のコンタクトミス，１回／２００ショットの設備破
損等多くの不具合が発生するという問題点があった。
するために金型にて樹脂バリ１２近傍のリードフレーム
１を部分的に切断除去することが必要であるため、工数
増加，必要設備の増設等の問題点を抱えていた。また、
後工程にて樹脂バリ１２をその近傍のリードフレーム１
の部分ごと切断除去する方法もあるが、その際樹脂封止
した半導体素子及びリードフレーム１に不要な外力が加
わりゲート部１１に設けられている吊りピンが８０％以
上の発生率で切断し、搬送による精度悪化，発生率０．
３％のコンタクトミス，１回／２００ショットの設備破
損等多くの不具合が発生するという問題点があった。
【０００５】上述の樹脂バリ１２の付着残存を防止する
ため、特開昭５８−２０７６６０号公報では、リードフ
レームのフレーム部のモールド型の樹脂注入口に対向す
る部分に孔または切欠きを設けているが、このリードフ
レームでは孔または切欠きの内側面に樹脂が付着し樹脂
バリが付着残存し十分な対策とはなっていない。
ため、特開昭５８−２０７６６０号公報では、リードフ
レームのフレーム部のモールド型の樹脂注入口に対向す
る部分に孔または切欠きを設けているが、このリードフ
レームでは孔または切欠きの内側面に樹脂が付着し樹脂
バリが付着残存し十分な対策とはなっていない。
【０００６】
【発明が解決しようとする課題】以上説明したように、
この従来のリードフレームでは、ゲート部切り欠き穴の
内側面に樹脂バリが付着残存し脱落するため、下記に列
挙する問題点があった。
この従来のリードフレームでは、ゲート部切り欠き穴の
内側面に樹脂バリが付着残存し脱落するため、下記に列
挙する問題点があった。
【０００７】（１）アウタリード加工金型の破損あるい
はアウタリードの変形等の不具合を誘発する。
はアウタリードの変形等の不具合を誘発する。
【０００８】（２）工数増加，設備の増設が必要とな
る。
る。
【０００９】（３）精度悪化，コンタクトミス，設備破
損等の不具合が発生する。
損等の不具合が発生する。
【００１０】本発明の目的は、金型や設備の破損，工数
増加や設備の増設，精度悪化やコンタクトミスの発生の
ない半導体装置用リードフレームを提供することにあ
る。
増加や設備の増設，精度悪化やコンタクトミスの発生の
ない半導体装置用リードフレームを提供することにあ
る。
【００１１】
【課題を解決するための手段】本願の第１の発明は、溶
解樹脂を流入しモールドして半導体素子を封止する封入
金型に設けられた前記溶解樹脂流入用のゲートと交わる
位置にゲート部切り欠き穴を有する樹脂封止型の半導体
装置用リードフレームにおいて、前記ゲート部切り欠き
穴の外側近傍に周辺に沿ってスリットを設けたことを特
徴とする。
解樹脂を流入しモールドして半導体素子を封止する封入
金型に設けられた前記溶解樹脂流入用のゲートと交わる
位置にゲート部切り欠き穴を有する樹脂封止型の半導体
装置用リードフレームにおいて、前記ゲート部切り欠き
穴の外側近傍に周辺に沿ってスリットを設けたことを特
徴とする。
【００１２】本願の第２の発明は、溶解樹脂を流入しモ
ールドして半導体素子を封止する封入金型に設けられた
前記溶解樹脂流入用のゲートと交わる位置にゲート部切
り欠き穴を有する樹脂封止型の半導体装置用リードフレ
ームにおいて、前記ゲート部切り欠き穴の外側近傍に周
辺に沿ってハーフエッチを設けたことを特徴とする。
ールドして半導体素子を封止する封入金型に設けられた
前記溶解樹脂流入用のゲートと交わる位置にゲート部切
り欠き穴を有する樹脂封止型の半導体装置用リードフレ
ームにおいて、前記ゲート部切り欠き穴の外側近傍に周
辺に沿ってハーフエッチを設けたことを特徴とする。
【００１３】さらに、前記第１の発明または前記第２の
発明において、前記溶解樹脂がゲート部切り欠き穴の外
周とスリットまたはハーフエッチの内周で囲まれる領域
を被覆するように前記スリットまたは前記ハーフエッチ
を形成したことを特徴とする。
発明において、前記溶解樹脂がゲート部切り欠き穴の外
周とスリットまたはハーフエッチの内周で囲まれる領域
を被覆するように前記スリットまたは前記ハーフエッチ
を形成したことを特徴とする。
【００１４】
【実施例】次に、本発明の実施例について図面を参照し
て説明する。
て説明する。
【００１５】図１（ａ），（ｂ）は本発明の第１の実施
例の樹脂封止後の平面図および封入金型にてクランプさ
れた状態でのＡ−Ａ′線断面図である。本発明の第１の
実施例は、図１（ａ），（ｂ）に示すように、溶融樹脂
を流入しモールドして半導体素子を封止する封入金型
７，８に設けられた溶融樹脂流入用のゲート部１１と交
る位置に上下ゲート部切り欠き穴３が設けられており、
その外側の近傍に周辺に沿ってスリット５が設けられて
いる。
例の樹脂封止後の平面図および封入金型にてクランプさ
れた状態でのＡ−Ａ′線断面図である。本発明の第１の
実施例は、図１（ａ），（ｂ）に示すように、溶融樹脂
を流入しモールドして半導体素子を封止する封入金型
７，８に設けられた溶融樹脂流入用のゲート部１１と交
る位置に上下ゲート部切り欠き穴３が設けられており、
その外側の近傍に周辺に沿ってスリット５が設けられて
いる。
【００１６】リードフレーム１をこのような構成にする
ことにより、封止樹脂１０にて樹脂封止後にゲート部１
１およびランナ９の封止樹脂１０をゲートブレーク時に
除去するが、その際、上下ゲート部切り欠き穴３周辺の
リードフレーム１の部分がスリット５に沿って切断除去
され、上下ゲート部切り欠き穴３内壁面に付着残存した
封止樹脂１０も同時に除去される。
ことにより、封止樹脂１０にて樹脂封止後にゲート部１
１およびランナ９の封止樹脂１０をゲートブレーク時に
除去するが、その際、上下ゲート部切り欠き穴３周辺の
リードフレーム１の部分がスリット５に沿って切断除去
され、上下ゲート部切り欠き穴３内壁面に付着残存した
封止樹脂１０も同時に除去される。
【００１７】図２（ａ），（ｂ）は本発明の第１の実施
例のゲートブレーク後の平面図およびそのＢ−Ｂ′線断
面である。図２（ａ），（ｂ）に示すように、ゲートブ
レーク後、第１の実施例では、ゲート部切り欠き穴３内
壁に付着残存した封止樹脂１０は完全に除去され、特
に、樹脂バリ１２を除去する工程が不要であり、また、
ゲート部切り欠き穴３周辺を切断除去する設備も必要が
なくなる。
例のゲートブレーク後の平面図およびそのＢ−Ｂ′線断
面である。図２（ａ），（ｂ）に示すように、ゲートブ
レーク後、第１の実施例では、ゲート部切り欠き穴３内
壁に付着残存した封止樹脂１０は完全に除去され、特
に、樹脂バリ１２を除去する工程が不要であり、また、
ゲート部切り欠き穴３周辺を切断除去する設備も必要が
なくなる。
【００１８】図３（ａ），（ｂ）は本発明の第２の実施
例の樹脂封止後の平面図および封入金型にてクランプさ
れた状態でのＣ−Ｃ′線断面図である。本発明の第２の
実施例は、図３（ａ），（ｂ）に示すように、第１の実
施例のスリット５の代りにゲート部切り欠き３の周辺に
沿ってハーフエッチ６を設けた例でその作用効果は第１
の実施例と同じである。
例の樹脂封止後の平面図および封入金型にてクランプさ
れた状態でのＣ−Ｃ′線断面図である。本発明の第２の
実施例は、図３（ａ），（ｂ）に示すように、第１の実
施例のスリット５の代りにゲート部切り欠き３の周辺に
沿ってハーフエッチ６を設けた例でその作用効果は第１
の実施例と同じである。
【００１９】図４（ａ），（ｂ）は本発明の第３の実施
例の樹脂封止後の平面図および封入金型にてクランプし
た状態でのＤ−Ｄ′線断面図である。本発明の第３の実
施例は、図４（ａ），（ｂ）に示すように、第１の実施
例および第２の実施例において、溶融樹脂がゲート部１
１で硬化した封止樹脂１０がゲート部切り欠き穴３の外
周とスリット５またはハーフエッチ６の内周で囲まれる
領域を被覆するようにリードフレーム１にスリット５ま
たはハーフエッチ６を形成する。
例の樹脂封止後の平面図および封入金型にてクランプし
た状態でのＤ−Ｄ′線断面図である。本発明の第３の実
施例は、図４（ａ），（ｂ）に示すように、第１の実施
例および第２の実施例において、溶融樹脂がゲート部１
１で硬化した封止樹脂１０がゲート部切り欠き穴３の外
周とスリット５またはハーフエッチ６の内周で囲まれる
領域を被覆するようにリードフレーム１にスリット５ま
たはハーフエッチ６を形成する。
【００２０】リードフレーム１をこのように構成するこ
とにより、ゲート部１１の封止樹脂１０がゲート部切り
欠き穴３の外周とスリット５またはハーフエッチ６で囲
まれた領域でリードフレーム１との密着性がより一層向
上し、ゲートブレーク時のゲート部１１およびランナー
９の封止樹脂１０除去の際に、ゲート部切り欠き穴３近
傍のリードフレーム１のスリット５あるいはハーフエッ
チ６の部分からの切断除去が効果的に行うことができる
ようになり、第１，第２の実施例よりも優れた作用効果
が得られる。
とにより、ゲート部１１の封止樹脂１０がゲート部切り
欠き穴３の外周とスリット５またはハーフエッチ６で囲
まれた領域でリードフレーム１との密着性がより一層向
上し、ゲートブレーク時のゲート部１１およびランナー
９の封止樹脂１０除去の際に、ゲート部切り欠き穴３近
傍のリードフレーム１のスリット５あるいはハーフエッ
チ６の部分からの切断除去が効果的に行うことができる
ようになり、第１，第２の実施例よりも優れた作用効果
が得られる。
【００２１】以上、上下ゲートの場合について説明した
が、本発明は下ゲートの場合においても適用できる。
が、本発明は下ゲートの場合においても適用できる。
【００２２】
【発明の効果】以上説明したように本発明は、ゲート部
切り欠き穴の外周に沿ってスリットあるいはハーフエッ
チを設け、更にはゲート部外周とスリットあるいはハー
フエッチの内周の領域のリードフレームと封止樹脂との
密着性を高めることで、樹脂モールドパッケージ成形後
のゲートブレークの際、ゲート部およびランナー部の封
止樹脂の除去と同時にゲート部切り欠き穴近傍のリード
フレームを部分ごと切断除去することが可能となるの
で、樹脂バリがその後のリードフレームに残存すること
なく、後工程での金型の破損が従来の１回／２００ショ
ットから０回へ、アウタリード成形時のリード打痕が従
来の０．２％から０％へ発生率を大幅に低減できる効果
がある。
切り欠き穴の外周に沿ってスリットあるいはハーフエッ
チを設け、更にはゲート部外周とスリットあるいはハー
フエッチの内周の領域のリードフレームと封止樹脂との
密着性を高めることで、樹脂モールドパッケージ成形後
のゲートブレークの際、ゲート部およびランナー部の封
止樹脂の除去と同時にゲート部切り欠き穴近傍のリード
フレームを部分ごと切断除去することが可能となるの
で、樹脂バリがその後のリードフレームに残存すること
なく、後工程での金型の破損が従来の１回／２００ショ
ットから０回へ、アウタリード成形時のリード打痕が従
来の０．２％から０％へ発生率を大幅に低減できる効果
がある。
【００２３】また、後工程にてゲート部切り欠き穴近傍
のリードフレームを樹脂バリとともに切断金型を用いて
除去する必要が全く無くなり工数，必要設備等も節減で
きる効果がある。
のリードフレームを樹脂バリとともに切断金型を用いて
除去する必要が全く無くなり工数，必要設備等も節減で
きる効果がある。
【００２４】更に、切断金型を用いて除去する際に印加
される外力によるゲート部の吊りピンの切断にともなう
後工程での搬送によって生ずる精度悪化が無くなり、従
来０．３％の発生率で発生していたコンタクトミス，１
回／２００ショットで発生していた設備破損等の問題も
完全に解消できるという効果がある。
される外力によるゲート部の吊りピンの切断にともなう
後工程での搬送によって生ずる精度悪化が無くなり、従
来０．３％の発生率で発生していたコンタクトミス，１
回／２００ショットで発生していた設備破損等の問題も
完全に解消できるという効果がある。
【図１】（ａ），（ｂ）は本発明の第１の実施例の樹脂
封止後の平面図および封入金型でクランプされた状態で
のＡ−Ａ′線断面図である。
封止後の平面図および封入金型でクランプされた状態で
のＡ−Ａ′線断面図である。
【図２】（ａ），（ｂ）は本発明の第１の実施例のゲー
トブレーク後の平面図およびそのＢ−Ｂ′線断面図であ
る。
トブレーク後の平面図およびそのＢ−Ｂ′線断面図であ
る。
【図３】（ａ），（ｂ）は本発明の第２の実施例の樹脂
封止後の平面図および封入金型にてクランプされた状態
でのＣ−Ｃ′線断面図である。
封止後の平面図および封入金型にてクランプされた状態
でのＣ−Ｃ′線断面図である。
【図４】（ａ），（ｂ）は本発明の第３の実施例の樹脂
封止後の平面図および封入金型にてクランプされた状態
でのＤ−Ｄ′線断面図である。
封止後の平面図および封入金型にてクランプされた状態
でのＤ−Ｄ′線断面図である。
【図５】（ａ），（ｂ）は従来のリードフレームの一例
の樹脂封止後の平面図および封入金型にてクランプされ
た状態でのＥ−Ｅ′線断面図である。
の樹脂封止後の平面図および封入金型にてクランプされ
た状態でのＥ−Ｅ′線断面図である。
【図６】（ａ），（ｂ）は従来のリードフレームの一例
のゲートブレーク後の平面図およびそのＦ−Ｆ′線断面
図である。
のゲートブレーク後の平面図およびそのＦ−Ｆ′線断面
図である。
１ リードフレーム ２ 樹脂モールドパッケージ ３ ゲート部切り欠き穴 ４ アウタリード ５ スリット ６ ハーフエッチ ７ 封入金型（上型） ８ 封入金型（下型） ９ ランナー １０ 封止樹脂 １１ ゲート部 １２ 樹脂バリ
Claims (3)
- 【請求項１】 溶解樹脂を流入しモールドして半導体素
子を封止する封入金型に設けられた前記溶解樹脂流入用
のゲートと交わる位置にゲート部切り欠き穴を有する樹
脂封止型の半導体装置用リードフレームにおいて、前記
ゲート部切り欠き穴の外側近傍に周辺に沿ってスリット
を設けたことを特徴とする半導体装置用リードフレー
ム。 - 【請求項２】 溶解樹脂を流入しモールドして半導体素
子を封止する封入金型に設けられた前記溶解樹脂流入用
のゲートと交わる位置にゲート部切り欠き穴を有する樹
脂封止型の半導体装置用リードフレームにおいて、前記
ゲート部切り欠き穴の外側近傍に周辺に沿ってハーフエ
ッチを設けたことを特徴とする半導体装置用リードフレ
ーム。 - 【請求項３】 前記溶解樹脂がゲート部切り欠き穴の外
周とスリットまたはハーフエッチの内周で囲まれる領域
を被覆するように前記スリットまたは前記ハーフエッチ
を形成したことを特徴とする請求項１または２記載の半
導体装置用リードフレーム。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP3216795A JPH08227960A (ja) | 1995-02-21 | 1995-02-21 | 半導体装置用リードフレーム |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP3216795A JPH08227960A (ja) | 1995-02-21 | 1995-02-21 | 半導体装置用リードフレーム |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH08227960A true JPH08227960A (ja) | 1996-09-03 |
Family
ID=12351393
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP3216795A Pending JPH08227960A (ja) | 1995-02-21 | 1995-02-21 | 半導体装置用リードフレーム |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH08227960A (ja) |
Cited By (5)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US6242287B1 (en) * | 1997-10-03 | 2001-06-05 | Mitsubishi Denki Kabushiki Kaisha | Semiconductor device manufacturing method, press die and guide rail including forming a crack perpendicular to an extension of the sealing resin |
| KR100298687B1 (ko) * | 1998-08-31 | 2001-10-27 | 마이클 디. 오브라이언 | 반도체패키지의리드프레임구조 |
| JP2008060193A (ja) * | 2006-08-30 | 2008-03-13 | New Japan Radio Co Ltd | リードフレームおよびそれを用いた半導体装置の製造方法 |
| CN103367173A (zh) * | 2012-03-27 | 2013-10-23 | 瑞萨电子株式会社 | 用于制造半导体器件的方法和半导体器件 |
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| JPH0523549B2 (ja) * | 1984-12-27 | 1993-04-05 | Canon Kk | |
| JPH05315512A (ja) * | 1992-05-07 | 1993-11-26 | Nec Corp | 半導体装置用リードフレーム |
| JPH06310642A (ja) * | 1993-04-21 | 1994-11-04 | Fujitsu Miyagi Electron:Kk | リードフレーム |
-
1995
- 1995-02-21 JP JP3216795A patent/JPH08227960A/ja active Pending
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