JPH0714965A - 半導体装置用リードフレーム - Google Patents
半導体装置用リードフレームInfo
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- JPH0714965A JPH0714965A JP14920893A JP14920893A JPH0714965A JP H0714965 A JPH0714965 A JP H0714965A JP 14920893 A JP14920893 A JP 14920893A JP 14920893 A JP14920893 A JP 14920893A JP H0714965 A JPH0714965 A JP H0714965A
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- Japan
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- lead frame
- resin
- semiconductor device
- air
- dam
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- Lead Frames For Integrated Circuits (AREA)
- Structures Or Materials For Encapsulating Or Coating Semiconductor Devices Or Solid State Devices (AREA)
- Encapsulation Of And Coatings For Semiconductor Or Solid State Devices (AREA)
Abstract
(57)【要約】
【目的】 モールド金型のエアベンド部のバリ除去作業
を必要とせず、しかもモールド金型のエアベンド部のバ
リ詰まりによる樹脂の充填不良が発生するのを防止可能
な半導体装置用のリードフレームを提供することを目的
とする。 【構成】 半導体装置の樹脂封止部を取り囲むように形
成されたダムと、このダムによって連結される複数のリ
ードを有する半導体装置用のリードフレームにおいて、
上記ダムの表面に当該ダムを横断するように空気抜き用
の溝部を設けるように構成した。
を必要とせず、しかもモールド金型のエアベンド部のバ
リ詰まりによる樹脂の充填不良が発生するのを防止可能
な半導体装置用のリードフレームを提供することを目的
とする。 【構成】 半導体装置の樹脂封止部を取り囲むように形
成されたダムと、このダムによって連結される複数のリ
ードを有する半導体装置用のリードフレームにおいて、
上記ダムの表面に当該ダムを横断するように空気抜き用
の溝部を設けるように構成した。
Description
【0001】
【産業上の利用分野】この発明は、樹脂封止型の半導体
装置に使用されるリードフレームに関するものである。
装置に使用されるリードフレームに関するものである。
【0002】
【従来の技術】従来、この種の樹脂封止型半導体装置
は、一般的に、次のようにして製造される。すなわち、
上記樹脂封止型半導体装置は、リードフレームに半導体
素子を取付け、この半導体素子が取付けられたリードフ
レームを熱硬化樹脂で封止することによって製造され
る。上記樹脂封止型の半導体装置は、図6に示すよう
に、リードフレーム100のタブ101上に半導体素子
102を載置した状態で、この半導体素子102の各電
極とリード103とを図示しないワイヤボンディングに
よって接続する。また、上記リードフレーム100は、
樹脂注入時に樹脂封止部104の外へ樹脂が流れ出ない
ように、樹脂封止部104を取り囲むダム105を有し
ている。そして、樹脂封止時には、半導体素子102が
取付けられたリードフレーム100を、図7に示すよう
に、下モールド金型106の内部に配置した状態で、こ
のリードフレーム100を下モールド金型106と上モ
ールド金型107によって挟持する。
は、一般的に、次のようにして製造される。すなわち、
上記樹脂封止型半導体装置は、リードフレームに半導体
素子を取付け、この半導体素子が取付けられたリードフ
レームを熱硬化樹脂で封止することによって製造され
る。上記樹脂封止型の半導体装置は、図6に示すよう
に、リードフレーム100のタブ101上に半導体素子
102を載置した状態で、この半導体素子102の各電
極とリード103とを図示しないワイヤボンディングに
よって接続する。また、上記リードフレーム100は、
樹脂注入時に樹脂封止部104の外へ樹脂が流れ出ない
ように、樹脂封止部104を取り囲むダム105を有し
ている。そして、樹脂封止時には、半導体素子102が
取付けられたリードフレーム100を、図7に示すよう
に、下モールド金型106の内部に配置した状態で、こ
のリードフレーム100を下モールド金型106と上モ
ールド金型107によって挟持する。
【0003】このように、半導体素子102が取付けら
れたリードフレーム100を、図7に示すように、上下
のモールド金型106、107によって挟持した状態
で、上モールド金型107にリードフレーム100のダ
ム105を越えるように形成されたランナ部108及び
ゲート部109を介して、封止用の熱硬化樹脂110を
上下のモールド金型106、107間に形成されたキャ
ビティ111内に注入充填する。これと同時に、キャビ
ティ111内の空気を上モールド金型107に設けられ
たエアベンド部112から外部に除去し、空気抜きを行
うように構成されている。
れたリードフレーム100を、図7に示すように、上下
のモールド金型106、107によって挟持した状態
で、上モールド金型107にリードフレーム100のダ
ム105を越えるように形成されたランナ部108及び
ゲート部109を介して、封止用の熱硬化樹脂110を
上下のモールド金型106、107間に形成されたキャ
ビティ111内に注入充填する。これと同時に、キャビ
ティ111内の空気を上モールド金型107に設けられ
たエアベンド部112から外部に除去し、空気抜きを行
うように構成されている。
【0004】次に、樹脂が硬化した後、上下のモールド
金型106、107を開いて、リードフレーム100と
一体化したランナ部108、ゲート部109及びキャビ
ティ部111の樹脂110を、モールド金型106、1
07から取り出す。そして、最後に不必要なランナ部1
08やゲート部109で硬化した樹脂110を、リード
フレーム100の表面から機械的に取り除き、図6に示
すように、半導体装置の樹脂封止部104を形成する。
金型106、107を開いて、リードフレーム100と
一体化したランナ部108、ゲート部109及びキャビ
ティ部111の樹脂110を、モールド金型106、1
07から取り出す。そして、最後に不必要なランナ部1
08やゲート部109で硬化した樹脂110を、リード
フレーム100の表面から機械的に取り除き、図6に示
すように、半導体装置の樹脂封止部104を形成する。
【0005】
【発明が解決しようとする課題】しかし、上記従来技術
の場合には、次のような問題点を有している。すなわ
ち、上記従来の樹脂封止型半導体装置は、リードフレー
ム100を上下のモールド金型106、107によって
挟持した状態で樹脂封止が行われるが、上モールド金型
107には、キャビティ111内の空気を抜くためのエ
アベンド部112が設けられている。そのため、上記上
モールド金型107に形成されたランナ部108及びゲ
ート部109を介して、図7に示すように、封止用の熱
硬化樹脂110を上下のモールド金型106、107間
に形成されたキャビティ111内に注入充填する際に、
樹脂110がエアベンド部112まで入り込んで硬化
し、樹脂バリとなって上モールド金型107に残る。し
たがって、従来は、樹脂封止後に毎回上下のモールド金
型106、107の接合面を、ブラッシング及びエアー
ブローすることによって、エアベンド部112内で硬化
した樹脂のバリを除去する必要があり、製造工程が煩雑
となるという問題点があった。
の場合には、次のような問題点を有している。すなわ
ち、上記従来の樹脂封止型半導体装置は、リードフレー
ム100を上下のモールド金型106、107によって
挟持した状態で樹脂封止が行われるが、上モールド金型
107には、キャビティ111内の空気を抜くためのエ
アベンド部112が設けられている。そのため、上記上
モールド金型107に形成されたランナ部108及びゲ
ート部109を介して、図7に示すように、封止用の熱
硬化樹脂110を上下のモールド金型106、107間
に形成されたキャビティ111内に注入充填する際に、
樹脂110がエアベンド部112まで入り込んで硬化
し、樹脂バリとなって上モールド金型107に残る。し
たがって、従来は、樹脂封止後に毎回上下のモールド金
型106、107の接合面を、ブラッシング及びエアー
ブローすることによって、エアベンド部112内で硬化
した樹脂のバリを除去する必要があり、製造工程が煩雑
となるという問題点があった。
【0006】また、上記上モールド金型107のエアベ
ンド部112は、幅及び深さが小さく設定されているの
で、このエアベンド部112で硬化した樹脂バリは、除
去するのが困難であり、エアベンド部112内に硬化樹
脂が残る場合がある。そのため、次に上下モールド金型
106、107のキャビティ111内に樹脂110を注
入する際に、エアベンド部112からの空気抜きが十分
行われず、樹脂110の注入不良が発生するという問題
点があった。
ンド部112は、幅及び深さが小さく設定されているの
で、このエアベンド部112で硬化した樹脂バリは、除
去するのが困難であり、エアベンド部112内に硬化樹
脂が残る場合がある。そのため、次に上下モールド金型
106、107のキャビティ111内に樹脂110を注
入する際に、エアベンド部112からの空気抜きが十分
行われず、樹脂110の注入不良が発生するという問題
点があった。
【0007】そこで、この発明は、上記従来技術の問題
点を解決するためになされたもので、その目的とすると
ころは、モールド金型のエアベンド部のバリ除去作業を
必要とせず、しかもモールド金型のエアベンド部のバリ
詰まりによる樹脂の充填不良が発生するのを防止可能な
半導体装置用のリードフレームを提供することにある。
点を解決するためになされたもので、その目的とすると
ころは、モールド金型のエアベンド部のバリ除去作業を
必要とせず、しかもモールド金型のエアベンド部のバリ
詰まりによる樹脂の充填不良が発生するのを防止可能な
半導体装置用のリードフレームを提供することにある。
【0008】
【課題を解決するための手段】すなわち、この発明は、
半導体装置の樹脂封止部を取り囲むように形成されたダ
ムと、このダムによって連結される複数のリードを有す
る半導体装置用のリードフレームにおいて、上記ダムの
表面に当該ダムを横断するように空気抜き用の溝部を設
けるように構成されている。
半導体装置の樹脂封止部を取り囲むように形成されたダ
ムと、このダムによって連結される複数のリードを有す
る半導体装置用のリードフレームにおいて、上記ダムの
表面に当該ダムを横断するように空気抜き用の溝部を設
けるように構成されている。
【0009】上記空気抜き用の溝部は、例えば、ダムの
表面に設けられるが、この空気抜き用の溝部をダムの表
裏両面に設けるように構成しても良い。
表面に設けられるが、この空気抜き用の溝部をダムの表
裏両面に設けるように構成しても良い。
【0010】また、上記空気抜き用の溝部は、例えば、
ダムの表面に1箇所のみ設けられるが、この空気抜き用
の溝部をダムの4つの角部にそれぞれ設けるように構成
しても良い。
ダムの表面に1箇所のみ設けられるが、この空気抜き用
の溝部をダムの4つの角部にそれぞれ設けるように構成
しても良い。
【0011】
【作用】この発明においては、ダムの表面に当該ダムを
横断するように空気抜き用の溝部を設けるように構成さ
れているので、リードフレームを一対のモールド金型に
よって挟持した状態で、一対のモールド金型間に形成さ
れるキャビティに樹脂を注入充填して樹脂封止部を形成
する際に、キャビティ内の空気をダムの表面に当該ダム
を横断するように設けられた空気抜き用の溝部を介して
除去することができる。そのため、一対のモールド金型
には、エアベンド部を設ける必要がないので、エアベン
ド部のバリ除去作業を必要とせず、しかもモールド金型
のエアベンド部のバリ詰まりによる樹脂の充填不良が発
生するのを防止することができる。
横断するように空気抜き用の溝部を設けるように構成さ
れているので、リードフレームを一対のモールド金型に
よって挟持した状態で、一対のモールド金型間に形成さ
れるキャビティに樹脂を注入充填して樹脂封止部を形成
する際に、キャビティ内の空気をダムの表面に当該ダム
を横断するように設けられた空気抜き用の溝部を介して
除去することができる。そのため、一対のモールド金型
には、エアベンド部を設ける必要がないので、エアベン
ド部のバリ除去作業を必要とせず、しかもモールド金型
のエアベンド部のバリ詰まりによる樹脂の充填不良が発
生するのを防止することができる。
【0012】
【実施例】以下にこの発明を図示の実施例に基づいて説
明する。
明する。
【0013】図1はこの発明に係る半導体装置用リード
フレームの一実施例を示すものである。
フレームの一実施例を示すものである。
【0014】図1において、1は製造される半導体装置
を示すものであり、この半導体装置1は、半導体素子2
が取付けられたリードフレーム3を、熱硬化樹脂で封止
することによって構成されている。上記リードフレーム
3は、複数の半導体装置1を一連の製造工程によって製
造可能なように、半導体装置1に対応する形状をしたフ
レーム3が複数帯状に連設されている。このリードフレ
ーム3は、図1に示すように、その両側にダム4、4を
有しているとともに、これらのダム4、4を互いに連結
するように配置された幅の狭いダム5、5とを有してお
り、これらのダム4、4及びダム5、5によって囲まれ
た領域が半導体装置の樹脂封止部6となっている。ま
た、上記リードフレーム3の中央部には、平面正方形状
のタブ7が配置されており、このタブ7上には、半導体
素子2が載置される。そして、このリードフレーム3の
タブ7上に載置された半導体素子2は、その電極がリー
ドフレーム3のタブ7の周囲にまで延在されたリード8
と図示しないワイヤボンディングによって互いに接続さ
れるようになっている。
を示すものであり、この半導体装置1は、半導体素子2
が取付けられたリードフレーム3を、熱硬化樹脂で封止
することによって構成されている。上記リードフレーム
3は、複数の半導体装置1を一連の製造工程によって製
造可能なように、半導体装置1に対応する形状をしたフ
レーム3が複数帯状に連設されている。このリードフレ
ーム3は、図1に示すように、その両側にダム4、4を
有しているとともに、これらのダム4、4を互いに連結
するように配置された幅の狭いダム5、5とを有してお
り、これらのダム4、4及びダム5、5によって囲まれ
た領域が半導体装置の樹脂封止部6となっている。ま
た、上記リードフレーム3の中央部には、平面正方形状
のタブ7が配置されており、このタブ7上には、半導体
素子2が載置される。そして、このリードフレーム3の
タブ7上に載置された半導体素子2は、その電極がリー
ドフレーム3のタブ7の周囲にまで延在されたリード8
と図示しないワイヤボンディングによって互いに接続さ
れるようになっている。
【0015】このように、半導体素子2が取付けられた
リードフレーム3は、図2に示すように、下モールド金
型9と上モールド金型10によって挟持された状態で、
樹脂封止が行われる。上記下モールド金型9と上モール
ド金型10は、リードフレーム3を挟持した状態で互い
に接合され、両モールド金型9、10間には、半導体装
置1の樹脂封止部6に対応したキャビティ11が形成さ
れるようになっている。また、上記上モールド金型10
には、キャビティ11内に樹脂14を注入するためのラ
ンナ部12及びゲート部13が、リードフレーム3のダ
ム4を越えるように形成されている。
リードフレーム3は、図2に示すように、下モールド金
型9と上モールド金型10によって挟持された状態で、
樹脂封止が行われる。上記下モールド金型9と上モール
ド金型10は、リードフレーム3を挟持した状態で互い
に接合され、両モールド金型9、10間には、半導体装
置1の樹脂封止部6に対応したキャビティ11が形成さ
れるようになっている。また、上記上モールド金型10
には、キャビティ11内に樹脂14を注入するためのラ
ンナ部12及びゲート部13が、リードフレーム3のダ
ム4を越えるように形成されている。
【0016】ところで、この実施例では、上記上下のモ
ールド金型9、10に樹脂注入時の空気抜きを行うため
のエアベンド部が設けられておらず、これに代わってリ
ードフレーム3側に空気抜きを行うための溝部を形成す
るようになっている。
ールド金型9、10に樹脂注入時の空気抜きを行うため
のエアベンド部が設けられておらず、これに代わってリ
ードフレーム3側に空気抜きを行うための溝部を形成す
るようになっている。
【0017】すなわち、上記リードフレーム3のダム4
には、図1に示すように、上モールド金型10のランナ
部12の反対側に対応した位置に、空気抜きを行うため
の溝部15が、当該ダム4を横断するように形成されて
いる。この溝部15は、図3に示すように、リードフレ
ーム3の厚さ方向に所定の深さ(例えば、0.02m
m)で、所定の幅に渡ってハーフエッチング又はプレス
加工等によって形成される。
には、図1に示すように、上モールド金型10のランナ
部12の反対側に対応した位置に、空気抜きを行うため
の溝部15が、当該ダム4を横断するように形成されて
いる。この溝部15は、図3に示すように、リードフレ
ーム3の厚さ方向に所定の深さ(例えば、0.02m
m)で、所定の幅に渡ってハーフエッチング又はプレス
加工等によって形成される。
【0018】以上の構成において、この実施例に係る半
導体装置用のリードフレームでは、このリードフレーム
を用いて半導体装置を製造する際に、モールド金型のエ
アベンド部のバリ除去作業を必要とせず、しかもモール
ド金型のエアベンド部のバリ詰まりによる樹脂の充填不
良が発生するのを防止するようになっている。すなわ
ち、上記半導体装置1は、図2に示すように、樹脂封止
時に半導体素子2を取付けたリードフレーム3が、下モ
ールド金型9の内部に配置された状態で、下モールド金
型9と上モールド金型10によって挟持される。
導体装置用のリードフレームでは、このリードフレーム
を用いて半導体装置を製造する際に、モールド金型のエ
アベンド部のバリ除去作業を必要とせず、しかもモール
ド金型のエアベンド部のバリ詰まりによる樹脂の充填不
良が発生するのを防止するようになっている。すなわ
ち、上記半導体装置1は、図2に示すように、樹脂封止
時に半導体素子2を取付けたリードフレーム3が、下モ
ールド金型9の内部に配置された状態で、下モールド金
型9と上モールド金型10によって挟持される。
【0019】このように、半導体素子2が取付けられた
リードフレーム3は、図2に示すように、上下のモール
ド金型9、10によって挟持された状態で、上モールド
金型10にリードフレーム3のダム4を越えるように形
成されたランナ部12及びゲート部13を介して、図1
及び図2に示すように、封止用の熱硬化樹脂14が上下
のモールド金型9、10間に形成されたキャビティ11
内に注入充填される。
リードフレーム3は、図2に示すように、上下のモール
ド金型9、10によって挟持された状態で、上モールド
金型10にリードフレーム3のダム4を越えるように形
成されたランナ部12及びゲート部13を介して、図1
及び図2に示すように、封止用の熱硬化樹脂14が上下
のモールド金型9、10間に形成されたキャビティ11
内に注入充填される。
【0020】これと同時に、キャビティ11内の空気
は、図1に示すように、リードフレーム3のダム4に形
成された空気抜き用の溝部15から外部に除去され、空
気抜きを行うようになっている。そのため、上記キャビ
ティ11内に充填される樹脂14は、リードフレーム3
の空気抜き用溝部15からの空気抜きに伴って、キャビ
ティ11内の全体に渡って完全に充填された上、その一
部がリードフレーム3の空気抜き用溝部15内に充填さ
れて、樹脂14の注入工程が終了する。
は、図1に示すように、リードフレーム3のダム4に形
成された空気抜き用の溝部15から外部に除去され、空
気抜きを行うようになっている。そのため、上記キャビ
ティ11内に充填される樹脂14は、リードフレーム3
の空気抜き用溝部15からの空気抜きに伴って、キャビ
ティ11内の全体に渡って完全に充填された上、その一
部がリードフレーム3の空気抜き用溝部15内に充填さ
れて、樹脂14の注入工程が終了する。
【0021】次に、樹脂14が硬化した後、上下のモー
ルド金型9、10を開いて、リードフレーム3と一体化
したランナ部12、ゲート部13及びキャビティ部11
の樹脂14が、モールド金型9、10から取り出され
る。そして、最後に不必要なランナ部12やゲート部1
3で硬化した樹脂14は、リードフレーム3の表面から
機械的に取り除かれ、半導体装置の樹脂封止部6が形成
される。
ルド金型9、10を開いて、リードフレーム3と一体化
したランナ部12、ゲート部13及びキャビティ部11
の樹脂14が、モールド金型9、10から取り出され
る。そして、最後に不必要なランナ部12やゲート部1
3で硬化した樹脂14は、リードフレーム3の表面から
機械的に取り除かれ、半導体装置の樹脂封止部6が形成
される。
【0022】その際、上記リードフレーム3の空気抜き
用溝部15内には、硬化した樹脂14が残るが、このリ
ードフレーム3の空気抜き用溝部15が形成されたダム
4は、その後の工程によって半導体装置1から除去され
るため、リードフレーム3の空気抜き用溝部15内に硬
化樹脂14が残っても何ら支障はない。
用溝部15内には、硬化した樹脂14が残るが、このリ
ードフレーム3の空気抜き用溝部15が形成されたダム
4は、その後の工程によって半導体装置1から除去され
るため、リードフレーム3の空気抜き用溝部15内に硬
化樹脂14が残っても何ら支障はない。
【0023】このように、この実施例に係る半導体装置
用のリードフレーム3では、リードフレーム3のダム4
に空気抜きを行うための溝部15を形成するように構成
されているため、上下のモールド金型9、10には、空
気抜き用のエアベンド部を設ける必要がない。そのた
め、リードフレーム3を用いて半導体装置1を製造する
際に、モールド金型9、10のエアベンド部のバリ除去
作業を必要とせず、しかもモールド金型9、10のエア
ベンド部のバリ詰まりによる樹脂の充填不良が発生する
のを防止できるようになっている。また、連続して樹脂
封止する場合には、必ず新しい空気抜き用の溝部15を
有するリードフレーム3がモールド金型9、10に配置
されるため、空気抜き用溝部15のバリ詰まりによる樹
脂14の充填不良は発生しない。
用のリードフレーム3では、リードフレーム3のダム4
に空気抜きを行うための溝部15を形成するように構成
されているため、上下のモールド金型9、10には、空
気抜き用のエアベンド部を設ける必要がない。そのた
め、リードフレーム3を用いて半導体装置1を製造する
際に、モールド金型9、10のエアベンド部のバリ除去
作業を必要とせず、しかもモールド金型9、10のエア
ベンド部のバリ詰まりによる樹脂の充填不良が発生する
のを防止できるようになっている。また、連続して樹脂
封止する場合には、必ず新しい空気抜き用の溝部15を
有するリードフレーム3がモールド金型9、10に配置
されるため、空気抜き用溝部15のバリ詰まりによる樹
脂14の充填不良は発生しない。
【0024】図4はこの発明の他の実施例を示すもので
あり、前記発明の実施例と同一の部分には同一の符号を
付して説明すると、この発明の実施例では、リードフレ
ームのダムに、空気抜き用の溝部を表裏両側に設けるよ
うに構成されている。
あり、前記発明の実施例と同一の部分には同一の符号を
付して説明すると、この発明の実施例では、リードフレ
ームのダムに、空気抜き用の溝部を表裏両側に設けるよ
うに構成されている。
【0025】このように、上記リードフレーム3のダム
4に空気抜き用の溝部15を表裏両側に設けた場合に
は、リードフレーム3によって上下に分離されたキャビ
テイ11の空気を均等に抜くことができるので、キャビ
ティ11上下における樹脂14の流れのバランスが良く
なり、樹脂14の充填不良が発生するのを確実に防止す
ることができるようになっている。かつ、リードフレー
ム3が樹脂14に押されて変形するのを防止することが
できる。
4に空気抜き用の溝部15を表裏両側に設けた場合に
は、リードフレーム3によって上下に分離されたキャビ
テイ11の空気を均等に抜くことができるので、キャビ
ティ11上下における樹脂14の流れのバランスが良く
なり、樹脂14の充填不良が発生するのを確実に防止す
ることができるようになっている。かつ、リードフレー
ム3が樹脂14に押されて変形するのを防止することが
できる。
【0026】その他の構成及び作用は、前記実施例と同
様であるので、その説明を省略する。
様であるので、その説明を省略する。
【0027】図5はこの発明の更に他の実施例を示すも
のであり、前記発明の実施例と同一の部分には同一の符
号を付して説明すると、この発明の実施例では、リード
フレーム3のダム4及びダム5に、空気抜き用の溝部1
5が4つの角部に設けるように構成されている。
のであり、前記発明の実施例と同一の部分には同一の符
号を付して説明すると、この発明の実施例では、リード
フレーム3のダム4及びダム5に、空気抜き用の溝部1
5が4つの角部に設けるように構成されている。
【0028】このように、上記リードフレーム3のダム
4及びダム5に空気抜き用の溝部15を4つの角部に設
けた場合には、リードフレーム3の角部においてキャビ
ティ11内の空気を抜くことができるので、キャビティ
11の隅部に樹脂14のショートや未充填等の充填不良
が発生するのを確実に防止することができる。
4及びダム5に空気抜き用の溝部15を4つの角部に設
けた場合には、リードフレーム3の角部においてキャビ
ティ11内の空気を抜くことができるので、キャビティ
11の隅部に樹脂14のショートや未充填等の充填不良
が発生するのを確実に防止することができる。
【0029】その他の構成及び作用は、前記実施例と同
様であるので、その説明を省略する。
様であるので、その説明を省略する。
【0030】
【発明の効果】この発明は以上の構成及び作用よりなる
もので、モールド金型のエアベンド部のバリ除去作業を
必要とせず、しかもモールド金型のエアベンド部のバリ
詰まりによる樹脂の充填不良が発生するのを防止可能な
半導体装置用のリードフレームを提供することができ
る。
もので、モールド金型のエアベンド部のバリ除去作業を
必要とせず、しかもモールド金型のエアベンド部のバリ
詰まりによる樹脂の充填不良が発生するのを防止可能な
半導体装置用のリードフレームを提供することができ
る。
【図1】 図1はこの発明に係る半導体装置用リードフ
レームの一実施例を示す平面図である。
レームの一実施例を示す平面図である。
【図2】 図2は半導体装置を製造するモールド金型を
示す断面図である。
示す断面図である。
【図3】 図3は空気抜き用の溝部を示す断面図であ
る。
る。
【図4】 図4(a)(b)はこの発明に係る半導体装
置用リードフレームの他の実施例を示す要部断面図、及
び半導体装置を製造するモールド金型を示す断面図であ
る。
置用リードフレームの他の実施例を示す要部断面図、及
び半導体装置を製造するモールド金型を示す断面図であ
る。
【図5】 図5はこの発明に係る半導体装置用リードフ
レームの更に他の実施例を示す平面図である。
レームの更に他の実施例を示す平面図である。
【図6】 図6は従来の半導体装置用リードフレームを
示す平面図である。
示す平面図である。
【図7】 図7は半導体装置を製造するモールド金型を
示す断面図である。
示す断面図である。
3 リードフレーム、4 ダム、15 空気抜き用の溝
部。
部。
Claims (1)
- 【請求項1】 半導体装置の樹脂封止部を取り囲むよう
に形成されたダムと、このダムによって連結される複数
のリードを有する半導体装置用のリードフレームにおい
て、上記ダムの表面に当該ダムを横断するように空気抜
き用の溝部を設けたことを特徴とする半導体装置用リー
ドフレーム。
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP14920893A JPH0714965A (ja) | 1993-06-21 | 1993-06-21 | 半導体装置用リードフレーム |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP14920893A JPH0714965A (ja) | 1993-06-21 | 1993-06-21 | 半導体装置用リードフレーム |
Publications (1)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JPH0714965A true JPH0714965A (ja) | 1995-01-17 |
Family
ID=15470201
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP14920893A Pending JPH0714965A (ja) | 1993-06-21 | 1993-06-21 | 半導体装置用リードフレーム |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JPH0714965A (ja) |
Cited By (3)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US6645792B2 (en) | 2001-06-27 | 2003-11-11 | Matsushita Electric Industrial Co., Ltd. | Lead frame and method for fabricating resin-encapsulated semiconductor device |
US8399302B2 (en) | 2010-06-08 | 2013-03-19 | Renesas Electronics Corporation | Method of manufacturing semiconductor device |
CN108831839A (zh) * | 2018-06-22 | 2018-11-16 | 苏州震坤科技有限公司 | 一种去除半导体塑封制程中所产生毛边的方法 |
-
1993
- 1993-06-21 JP JP14920893A patent/JPH0714965A/ja active Pending
Cited By (3)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US6645792B2 (en) | 2001-06-27 | 2003-11-11 | Matsushita Electric Industrial Co., Ltd. | Lead frame and method for fabricating resin-encapsulated semiconductor device |
US8399302B2 (en) | 2010-06-08 | 2013-03-19 | Renesas Electronics Corporation | Method of manufacturing semiconductor device |
CN108831839A (zh) * | 2018-06-22 | 2018-11-16 | 苏州震坤科技有限公司 | 一种去除半导体塑封制程中所产生毛边的方法 |
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