JP2513113B2 - 半導体装置の二重樹脂封止装置 - Google Patents
半導体装置の二重樹脂封止装置Info
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- JP2513113B2 JP2513113B2 JP4079893A JP4079893A JP2513113B2 JP 2513113 B2 JP2513113 B2 JP 2513113B2 JP 4079893 A JP4079893 A JP 4079893A JP 4079893 A JP4079893 A JP 4079893A JP 2513113 B2 JP2513113 B2 JP 2513113B2
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Description
【０００１】
【産業上の利用分野】本発明はリードフレームに載置さ
れた半導体チップを樹脂封止する半導体装置の樹脂封止
装置に関し、特に、リードフレームに複数個並べ載置さ
れた個々の半導体チップを樹脂封止し、樹脂封止された
複数のモールド体を一括して樹脂封止する半導体装置の
二重樹脂封止装置に関する。
れた半導体チップを樹脂封止する半導体装置の樹脂封止
装置に関し、特に、リードフレームに複数個並べ載置さ
れた個々の半導体チップを樹脂封止し、樹脂封止された
複数のモールド体を一括して樹脂封止する半導体装置の
二重樹脂封止装置に関する。
【０００２】
【従来の技術】通常、フォトカプラのような対方向型半
導体装置は、それぞれの半導体チップを個々に一次樹脂
封止金型で樹脂モールドし、その後、半導体チップが樹
脂封止された複数のモールド体を並べて配置し二次樹脂
封止金型で一括してモールドし、対方向型半導体装置の
外郭体を成形していた。
導体装置は、それぞれの半導体チップを個々に一次樹脂
封止金型で樹脂モールドし、その後、半導体チップが樹
脂封止された複数のモールド体を並べて配置し二次樹脂
封止金型で一括してモールドし、対方向型半導体装置の
外郭体を成形していた。
【０００３】図４（ａ）及び（ｂ）は従来の二重樹脂封
止装置の一例における一次及び二次樹脂封止金型の下型
を示す部分平面図である。従来、この種の二重樹脂封止
装置は、図４（ａ）に示す一次樹脂封止金型と、図４
（ｂ）に示す二次樹脂封止金型とで構成されていた。
止装置の一例における一次及び二次樹脂封止金型の下型
を示す部分平面図である。従来、この種の二重樹脂封止
装置は、図４（ａ）に示す一次樹脂封止金型と、図４
（ｂ）に示す二次樹脂封止金型とで構成されていた。
【０００４】これら樹脂封止金型の構造は、上型（図示
せず）の窪みとで閉鎖空間を形成するキャビテイ１６及
び１７と、これらキャビティ１６，１７にランナ１２
ａ，１２ｂから供給される溶融樹脂を注入するゲート１
４ａ，１４ｂをもつクロスランナ１３ａ，１３ｂとがそ
れぞれの下型１１ａ，１１ｂに形成されていた。また、
このクロスランナ１３，１３ｂは、樹脂封止金型の標準
化のために同じ位置に施されていた。
せず）の窪みとで閉鎖空間を形成するキャビテイ１６及
び１７と、これらキャビティ１６，１７にランナ１２
ａ，１２ｂから供給される溶融樹脂を注入するゲート１
４ａ，１４ｂをもつクロスランナ１３ａ，１３ｂとがそ
れぞれの下型１１ａ，１１ｂに形成されていた。また、
このクロスランナ１３，１３ｂは、樹脂封止金型の標準
化のために同じ位置に施されていた。
【０００５】図５は図４（ａ）の下型とリードフレーム
の搭載状態を示す部分平面図、図６は一次樹脂封止後に
発生するクロスランナ近傍に生ずる樹脂ばりを示す断面
図、図７（ａ）及び（ｂ）は図４（ｂ）の下型とリード
フレームの搭載状態を示す部分平面図（ａ）及びＢーＢ
断面図（ｂ）である。次に、この二重樹脂封止装置によ
る半導体装置の樹脂封止方法を説明する。まず、図５に
示すように、帯状のリードフレーム２０を一次樹脂封止
金型の下型１１ａに乗せ、リードフレーム２０に搭載さ
れた半導体チップ２１を各キャビティ１６に挿入する。
次に、図示されていない上型と合せ型閉めを行なう。そ
して、ランナ１２ａからクロスランナ１３ａに溶融樹脂
を流し、ゲート１４ａよりキャビティ１６に溶融樹脂を
注入する。注入完了後、所定の硬化時間が経過してか
ら、型開きし、数珠繋ぎのように樹脂封止されたモール
ド体を一次樹脂封止金型より取外す。
の搭載状態を示す部分平面図、図６は一次樹脂封止後に
発生するクロスランナ近傍に生ずる樹脂ばりを示す断面
図、図７（ａ）及び（ｂ）は図４（ｂ）の下型とリード
フレームの搭載状態を示す部分平面図（ａ）及びＢーＢ
断面図（ｂ）である。次に、この二重樹脂封止装置によ
る半導体装置の樹脂封止方法を説明する。まず、図５に
示すように、帯状のリードフレーム２０を一次樹脂封止
金型の下型１１ａに乗せ、リードフレーム２０に搭載さ
れた半導体チップ２１を各キャビティ１６に挿入する。
次に、図示されていない上型と合せ型閉めを行なう。そ
して、ランナ１２ａからクロスランナ１３ａに溶融樹脂
を流し、ゲート１４ａよりキャビティ１６に溶融樹脂を
注入する。注入完了後、所定の硬化時間が経過してか
ら、型開きし、数珠繋ぎのように樹脂封止されたモール
ド体を一次樹脂封止金型より取外す。
【０００６】次に、一次樹脂封止金型より取外したモー
ルド体２２には、図７に示すように、クロスランナ付近
の樹脂溜めによるリードフレーム２０に付着したゲート
樹脂ばり２４が取付いた状態なので、このゲート残りで
あるゲート樹脂ばりをはつりモールド体２２より除去す
る。そして樹脂封止されたモールド体からリード側には
み出す樹脂ばりを樹脂ばり除去型で除去し一次樹脂封止
後の処理を完了する。
ルド体２２には、図７に示すように、クロスランナ付近
の樹脂溜めによるリードフレーム２０に付着したゲート
樹脂ばり２４が取付いた状態なので、このゲート残りで
あるゲート樹脂ばりをはつりモールド体２２より除去す
る。そして樹脂封止されたモールド体からリード側には
み出す樹脂ばりを樹脂ばり除去型で除去し一次樹脂封止
後の処理を完了する。
【０００７】次に、図７（ａ）に示すように、並べて樹
脂封止されたモールド体２２の全てがキャビティ１７に
収納されるようにリードフレーム２０を下型１１ｂに位
置決め載置する。そして、型閉めしてから、ランナ１２
ｂからクロスランナ１３ｂに溶融樹脂を流し、ゲート１
４ｂより溶融樹脂をキャビティ１７に注入し、複数のモ
ールドを一体化して半導体装置の外郭体を成形する。
脂封止されたモールド体２２の全てがキャビティ１７に
収納されるようにリードフレーム２０を下型１１ｂに位
置決め載置する。そして、型閉めしてから、ランナ１２
ｂからクロスランナ１３ｂに溶融樹脂を流し、ゲート１
４ｂより溶融樹脂をキャビティ１７に注入し、複数のモ
ールドを一体化して半導体装置の外郭体を成形する。
【０００８】このようにリードフレームに並べて搭載さ
れた個々の半導体チップを樹脂封止してから、個々のモ
ールド体の位置をリードフレームで維持した状態で一括
モールドすることによって、相互の位置関係を崩すこと
無く一体成形することが出来るものであった。
れた個々の半導体チップを樹脂封止してから、個々のモ
ールド体の位置をリードフレームで維持した状態で一括
モールドすることによって、相互の位置関係を崩すこと
無く一体成形することが出来るものであった。
【０００９】
【発明が解決しようとする課題】しかしながら、上述し
た従来の二重樹脂封止装置では、一次樹脂封止後に樹脂
ばり除去工程で樹脂ばりを除去するものの、図７（ｂ）
に示すように、クロスランナ１３ａ上に付着した図７の
ゲート残りであるゲート樹脂ばり２４が完全に除去され
ずに残部２４ａとしてしばしば残る。そしてそれぞれの
下型１１ａ，１１ｂのクロスランナ１３ａ，１３ｂの位
置が一致しているので、二次樹脂封止の際に、この残部
２４ａが二次樹脂封止金型のクロスランナ１３ｂに入り
込み、ゲート１４ｂから注入される溶融樹脂の流れの妨
げとなり、樹脂の流れに伴いその残部に溶融樹脂が披着
し益々肥大して流量抵抗が大きくなる。この結果、注入
される溶融樹脂の流量が不足しキャビティ１７の隅々ま
で樹脂が十分充填されずに硬化し、樹脂供給不足による
樹脂外郭体の欠け、凹み等を生じさせ品質上の重大な欠
陥となる。
た従来の二重樹脂封止装置では、一次樹脂封止後に樹脂
ばり除去工程で樹脂ばりを除去するものの、図７（ｂ）
に示すように、クロスランナ１３ａ上に付着した図７の
ゲート残りであるゲート樹脂ばり２４が完全に除去され
ずに残部２４ａとしてしばしば残る。そしてそれぞれの
下型１１ａ，１１ｂのクロスランナ１３ａ，１３ｂの位
置が一致しているので、二次樹脂封止の際に、この残部
２４ａが二次樹脂封止金型のクロスランナ１３ｂに入り
込み、ゲート１４ｂから注入される溶融樹脂の流れの妨
げとなり、樹脂の流れに伴いその残部に溶融樹脂が披着
し益々肥大して流量抵抗が大きくなる。この結果、注入
される溶融樹脂の流量が不足しキャビティ１７の隅々ま
で樹脂が十分充填されずに硬化し、樹脂供給不足による
樹脂外郭体の欠け、凹み等を生じさせ品質上の重大な欠
陥となる。
【００１０】このため、一次樹脂封止後のゲート残りを
除去した後、残部の有無を検査し、有ればホーニングに
よりリードフレームの表面を円滑に仕上げてから二次樹
脂封止を行なっていた。しかし、この作業はオフライン
で行なわなければならず、樹脂封止ラインを円滑に運用
させることが困難であるばかりか、多大な工数を浪費す
る欠点がある。また、この対策として、例えば、ゲート
残りを除去し易いように、ゲートに近いクロスランナの
樹脂流入経路を狭くしてゲート残りに切欠きを設け、ゲ
ート残りがその切欠き部から折れ易くした方法がある
が、ゲート残りを完全に除去することが出来ず解決には
至っていない。
除去した後、残部の有無を検査し、有ればホーニングに
よりリードフレームの表面を円滑に仕上げてから二次樹
脂封止を行なっていた。しかし、この作業はオフライン
で行なわなければならず、樹脂封止ラインを円滑に運用
させることが困難であるばかりか、多大な工数を浪費す
る欠点がある。また、この対策として、例えば、ゲート
残りを除去し易いように、ゲートに近いクロスランナの
樹脂流入経路を狭くしてゲート残りに切欠きを設け、ゲ
ート残りがその切欠き部から折れ易くした方法がある
が、ゲート残りを完全に除去することが出来ず解決には
至っていない。
【００１１】従って、本発明の目的は、一次樹脂封止後
に樹脂ばりが多少残っていても、欠損のない樹脂外郭体
に成形できるとともに樹脂封止ラインの運転を円滑に出
来る半導体装置の二重樹脂封止装置を提供することであ
る。
に樹脂ばりが多少残っていても、欠損のない樹脂外郭体
に成形できるとともに樹脂封止ラインの運転を円滑に出
来る半導体装置の二重樹脂封止装置を提供することであ
る。
【００１２】
【課題を解決するための手段】本発明の特徴は、帯状の
リードフレームに帯の幅方向に並べ載置される複数の単
一半導体チップのそれぞれを独立して包み収納する複数
の第１のキャビティと、これら第１のキャビティのそれ
ぞれに溶融樹脂を注入する第１のゲートをもつとともに
第１のランナより派生する第１のクロスランナを有する
一次樹脂封止金型と、この一次樹脂封止金型で樹脂封止
し形成され前記リードフレームに数珠状に連結された複
数のモールド体列を包み収納する第２のキャビティと、
この第２のキャビティに溶樹脂を注入する第２のゲート
を有するとともに第２のランナより派生する第２のクロ
スランナを有する二次樹脂封止金型とを備える半導体装
置の二重樹脂封止装置において、前記一次樹脂封止金型
と前記二次樹脂封止とを前記第１のキャビティの並ぶ方
向と前記第２のキャビティの長手方向とを平行にして並
べ配置し平行移動して前記第１のキャビティと前記第２
のキャビティとを位置合せしたときに、前記第１のクロ
スランナと前記第２のクロスランナの位置が異なる半導
体装置の二重樹脂封止装置である。
リードフレームに帯の幅方向に並べ載置される複数の単
一半導体チップのそれぞれを独立して包み収納する複数
の第１のキャビティと、これら第１のキャビティのそれ
ぞれに溶融樹脂を注入する第１のゲートをもつとともに
第１のランナより派生する第１のクロスランナを有する
一次樹脂封止金型と、この一次樹脂封止金型で樹脂封止
し形成され前記リードフレームに数珠状に連結された複
数のモールド体列を包み収納する第２のキャビティと、
この第２のキャビティに溶樹脂を注入する第２のゲート
を有するとともに第２のランナより派生する第２のクロ
スランナを有する二次樹脂封止金型とを備える半導体装
置の二重樹脂封止装置において、前記一次樹脂封止金型
と前記二次樹脂封止とを前記第１のキャビティの並ぶ方
向と前記第２のキャビティの長手方向とを平行にして並
べ配置し平行移動して前記第１のキャビティと前記第２
のキャビティとを位置合せしたときに、前記第１のクロ
スランナと前記第２のクロスランナの位置が異なる半導
体装置の二重樹脂封止装置である。
【００１３】また、前記一次樹脂封止金型の前記第１の
クロスランナの位置に対応する前記二次樹脂封止金型の
下型面に望ぞましくは窪みを形成することである。
クロスランナの位置に対応する前記二次樹脂封止金型の
下型面に望ぞましくは窪みを形成することである。
【００１４】
【実施例】次に、本発明について図面を参照して説明す
る。
る。
【００１５】図１（ａ）及び（ｂ）は本発明の二重樹脂
封止装置の一実施例における一次及び二次樹脂封止金型
の下型を示す部分平面図である。この二重樹脂封止装置
は、図１（ａ）に示す一次樹脂封止金型の下型９ａにお
けるクロスランナ１ａの位置と図１（ｂ）に示す二次樹
脂封止金型の下型９ｂにおけるクロスランナ１ｂの位置
とは一致しないように、それそれのキャビティ１６，１
７の中心位置から対称に外れた位置にクロスランナ１ａ
と１ｂを形成したことである。
封止装置の一実施例における一次及び二次樹脂封止金型
の下型を示す部分平面図である。この二重樹脂封止装置
は、図１（ａ）に示す一次樹脂封止金型の下型９ａにお
けるクロスランナ１ａの位置と図１（ｂ）に示す二次樹
脂封止金型の下型９ｂにおけるクロスランナ１ｂの位置
とは一致しないように、それそれのキャビティ１６，１
７の中心位置から対称に外れた位置にクロスランナ１ａ
と１ｂを形成したことである。
【００１６】このように一次樹脂封止金型のクロスラン
ナ１ａの位置と二次樹脂封止金型のクロスランナ１ｂの
位置を違えれば、一次樹脂封止作業で形成されるゲート
残りの樹脂残部は、二次樹脂封止の際に、二次樹脂封止
金型のクロスランナ１ｂに挿入されることない。また、
代りに挿入されるリードフレームの部分は何も被着され
ていない円滑な金属面であるので、溶融樹脂の流れの抵
抗にならなず、その部分に溶融樹脂が付着することがな
い。この結果、従来、起きていた樹脂供給不足による樹
脂外郭体の欠損が皆無となった。
ナ１ａの位置と二次樹脂封止金型のクロスランナ１ｂの
位置を違えれば、一次樹脂封止作業で形成されるゲート
残りの樹脂残部は、二次樹脂封止の際に、二次樹脂封止
金型のクロスランナ１ｂに挿入されることない。また、
代りに挿入されるリードフレームの部分は何も被着され
ていない円滑な金属面であるので、溶融樹脂の流れの抵
抗にならなず、その部分に溶融樹脂が付着することがな
い。この結果、従来、起きていた樹脂供給不足による樹
脂外郭体の欠損が皆無となった。
【００１７】なお、除去できなかった樹脂の残部は、型
閉めの際に、リードフレームと型面で挾さまれ、残部の
厚み分だけリードフレームと型面との隙間が大きくな
り、他の場所より樹脂ばりがより大きくなるものの、そ
の樹脂ばりそのものが薄く簡単に除去できるから、樹脂
ばり除去作業の効率を低下させるものではない。
閉めの際に、リードフレームと型面で挾さまれ、残部の
厚み分だけリードフレームと型面との隙間が大きくな
り、他の場所より樹脂ばりがより大きくなるものの、そ
の樹脂ばりそのものが薄く簡単に除去できるから、樹脂
ばり除去作業の効率を低下させるものではない。
【００１８】図２（ａ）及び（ｂ）は本発明の二重樹脂
封止装置の他の実施例における一次及び二次樹脂封止金
型の下型を示す部分平面図である。この二重樹脂封止装
置は、図２に示すように、一次樹脂封止金型における下
型１０ａのランナ４及びクロスランナ６と二次樹脂封止
金型における下型１０ｂのランナ５及びクロスランナ７
とをキャビティ１６，１７を跨がって互いに反対の位置
に設けたことである。
封止装置の他の実施例における一次及び二次樹脂封止金
型の下型を示す部分平面図である。この二重樹脂封止装
置は、図２に示すように、一次樹脂封止金型における下
型１０ａのランナ４及びクロスランナ６と二次樹脂封止
金型における下型１０ｂのランナ５及びクロスランナ７
とをキャビティ１６，１７を跨がって互いに反対の位置
に設けたことである。
【００１９】また、二次樹脂封止金型の下型の面には、
一次樹脂封止金型のクロスランナ６に対応する位置に樹
脂残部の逃げである窪み８を形成したことである。この
窪み８は、一次樹脂封止の際に除去出来なかったゲート
残りの残部を入れ、二次樹脂封止の際に完全に型閉めで
きるようにし、前述の実施例に比較しこの部分で発生す
る樹脂ばりをより少なくしたことである。特に、半導体
装置の外郭体が大型のものには、大型化に伴ないケート
残り及びその残部がより大きくなることが予想されるの
で、この実施例の二重樹脂封止装置を適用するのが望ま
しい。
一次樹脂封止金型のクロスランナ６に対応する位置に樹
脂残部の逃げである窪み８を形成したことである。この
窪み８は、一次樹脂封止の際に除去出来なかったゲート
残りの残部を入れ、二次樹脂封止の際に完全に型閉めで
きるようにし、前述の実施例に比較しこの部分で発生す
る樹脂ばりをより少なくしたことである。特に、半導体
装置の外郭体が大型のものには、大型化に伴ないケート
残り及びその残部がより大きくなることが予想されるの
で、この実施例の二重樹脂封止装置を適用するのが望ま
しい。
【００２０】図３（ａ）〜（ｅ）は図２の二重樹脂封止
装置による半導体装置の二重樹脂封止方法を説明するた
めの工程順に示す部分平面図である。次に、本発明の半
導体装置の二重樹脂封止装置を理解し易いように樹脂封
止工程順に従って二重樹脂封止方法を説明する。
装置による半導体装置の二重樹脂封止方法を説明するた
めの工程順に示す部分平面図である。次に、本発明の半
導体装置の二重樹脂封止装置を理解し易いように樹脂封
止工程順に従って二重樹脂封止方法を説明する。
【００２１】まず、図３（ａ）に示すように、一次樹脂
封止金型の下型１０ａに半導体チップ２１を搭載した帯
状のリードフレーム２０を乗せ、各キャビティ１６内に
半導体チップ２１が収納されるように位置決めする。こ
の位置決めは、通常、リードフレーム２０の外枠に形成
された穴に下型１０ａのピンが挿入されることによって
行なわれる。
封止金型の下型１０ａに半導体チップ２１を搭載した帯
状のリードフレーム２０を乗せ、各キャビティ１６内に
半導体チップ２１が収納されるように位置決めする。こ
の位置決めは、通常、リードフレーム２０の外枠に形成
された穴に下型１０ａのピンが挿入されることによって
行なわれる。
【００２２】次に、図３（ｂ）に示すように、一次樹脂
封止金型よりリードフレーム２０を取外し、モールド体
２２周囲の樹脂ばりとクロスランナ６付近のゲート樹脂
ばり２４が付着した状態で一次樹脂封止済みのリードフ
レーム２０を樹脂ばり除去装置（図示せず）に移載す
る。そして、まず、図３（ｃ）に示すように、ゲート樹
脂ばり２４がはつり除去され、その残部２４ａがリード
フレーム２０の裏面に残されたままになる。引続き、モ
ールド体２２の周囲の樹脂ばりが除去され、図３（ｄ）
に示すように、リードフレーム２０は二次樹脂封止金型
の下型１０ｂに移載される。
封止金型よりリードフレーム２０を取外し、モールド体
２２周囲の樹脂ばりとクロスランナ６付近のゲート樹脂
ばり２４が付着した状態で一次樹脂封止済みのリードフ
レーム２０を樹脂ばり除去装置（図示せず）に移載す
る。そして、まず、図３（ｃ）に示すように、ゲート樹
脂ばり２４がはつり除去され、その残部２４ａがリード
フレーム２０の裏面に残されたままになる。引続き、モ
ールド体２２の周囲の樹脂ばりが除去され、図３（ｄ）
に示すように、リードフレーム２０は二次樹脂封止金型
の下型１０ｂに移載される。
【００２３】次に、モールド体をキャビティ１７内に、
リードフレーム２０に付着した残部２４ａを窪み８に入
るように位置決めする。そして、型閉めした後、ランナ
５よりクロスランナ７を介して溶融樹脂を流し、ゲート
よりキャビテイ１７に溶融樹脂を注入する。このとき、
クロスランナ７の上部にあるリードフレーム２０の部分
は、何も付着していない清浄な金属面であるので、溶融
樹脂は何も抵抗なく円滑に注入される。注入完了し所定
の硬化時間経過後、型開きし、二次樹脂封止が完了した
リードフレーム２０を下型１０ｂより取外す。そして、
図３（ｅ）に示す樹脂外郭体２５の周囲に付着した樹脂
ばり、残部２４ａ及び新たに付着したゲート樹脂ばり２
６を除去して完了する。
リードフレーム２０に付着した残部２４ａを窪み８に入
るように位置決めする。そして、型閉めした後、ランナ
５よりクロスランナ７を介して溶融樹脂を流し、ゲート
よりキャビテイ１７に溶融樹脂を注入する。このとき、
クロスランナ７の上部にあるリードフレーム２０の部分
は、何も付着していない清浄な金属面であるので、溶融
樹脂は何も抵抗なく円滑に注入される。注入完了し所定
の硬化時間経過後、型開きし、二次樹脂封止が完了した
リードフレーム２０を下型１０ｂより取外す。そして、
図３（ｅ）に示す樹脂外郭体２５の周囲に付着した樹脂
ばり、残部２４ａ及び新たに付着したゲート樹脂ばり２
６を除去して完了する。
【００２４】このように、単にクロスランナの位置を変
えるだけで、ゲート残りの除去に固執することなく運転
できるので、装置を一時停止してオフラインでリードフ
レームの表面仕上げする必要が無くなり、樹脂封止ライ
ンの稼働をスムースにし装置の稼働率も飛躍的に向上す
ることが出来た。
えるだけで、ゲート残りの除去に固執することなく運転
できるので、装置を一時停止してオフラインでリードフ
レームの表面仕上げする必要が無くなり、樹脂封止ライ
ンの稼働をスムースにし装置の稼働率も飛躍的に向上す
ることが出来た。
【００２５】
【発明の効果】以上説明したように本発明は、一次及び
二次樹脂封止金型のキャビティに溶融樹脂を注入するゲ
ートをもつクロスランナの位置を互いに違えて設けるこ
とで、一次樹脂封止時に発生するゲート残りの残部が二
次樹脂封止金型のクロスランナに前記残部が入り込むこ
とが無く、二次樹脂封止時の樹脂注入が抵抗無く円滑に
注入されるので、樹脂外郭態に欠損を生じること無く成
形出来るという効果がある。また、従来オフラインで行
なわれていた前記残部の除去及び表面仕上げが全く必要
が無くなり、これら樹脂封止金型を含めた樹脂封止ライ
ンが極めて円滑に運転出来るという効果がある。
二次樹脂封止金型のキャビティに溶融樹脂を注入するゲ
ートをもつクロスランナの位置を互いに違えて設けるこ
とで、一次樹脂封止時に発生するゲート残りの残部が二
次樹脂封止金型のクロスランナに前記残部が入り込むこ
とが無く、二次樹脂封止時の樹脂注入が抵抗無く円滑に
注入されるので、樹脂外郭態に欠損を生じること無く成
形出来るという効果がある。また、従来オフラインで行
なわれていた前記残部の除去及び表面仕上げが全く必要
が無くなり、これら樹脂封止金型を含めた樹脂封止ライ
ンが極めて円滑に運転出来るという効果がある。
【図１】本発明の二重樹脂封止装置の一実施例における
一次及び二次樹脂封止金型の下型を示す部分平面図であ
る。
一次及び二次樹脂封止金型の下型を示す部分平面図であ
る。
【図２】本発明の二重樹脂封止装置の他の実施例におけ
る一次及び二次樹脂封止金型の下型を示す部分平面図で
ある。
る一次及び二次樹脂封止金型の下型を示す部分平面図で
ある。
【図３】図２の二重樹脂封止装置による半導体装置の二
重樹脂封止方法を説明するための工程順に示す部分平面
図である。
重樹脂封止方法を説明するための工程順に示す部分平面
図である。
【図４】従来の二重樹脂封止装置の一例における一次及
び二次樹脂封止金型の下型を示す部分平面図である。
び二次樹脂封止金型の下型を示す部分平面図である。
【図５】図４（ａ）の下型とリードフレームの搭載状態
を示す部分平面図である。
を示す部分平面図である。
【図６】一次樹脂封止後に発生するクロスランナ近傍に
生ずる樹脂ばりを示す断面図である。
生ずる樹脂ばりを示す断面図である。
【図７】図４（ｂ）の下型とリードフレームの搭載状態
を示す部分平面図（ａ）及びＢーＢ断面図（ｂ）であ
る。
を示す部分平面図（ａ）及びＢーＢ断面図（ｂ）であ
る。
１ａ，１ｂ，６，７，１３ａ，１３ｂ クロスランナ ２ａ，２ｂ，４，５，１２ａ，１２ｂ ランナ ３ａ，３ｂ，６ａ，７ａ，１４ａ，１４ｂ ゲート ８ 窪み ９ａ，９ｂ，１０ａ，１０ｂ，１１ａ，１１ｂ 下型 １６，１７ キャビティ ２０ リードフレーム ２１ 半導体チップ ２２ モールド体 ２４，２６ ゲート樹脂ばり ２４ａ 残部 ２５ 樹脂外郭部
Claims (2)
- 【請求項１】 帯状のリードフレームに帯の幅方向に並
べ載置される複数の単一半導体チップのそれぞれを独立
して包み収納する複数の第１のキャビティと、これら第
１のキャビティのそれぞれに溶融樹脂を注入する第１の
ゲートをもつとともに第１のランナより派生する第１の
クロスランナを有する一次樹脂封止金型と、 この一次樹脂封止金型で樹脂封止し形成され前記リード
フレームに数珠状に連結された複数のモールド体列を包
み収納する第２のキャビティと、この第２のキャビティ
に溶樹脂を注入する第２のゲートを有するとともに第２
のランナより派生する第２のクロスランナを有する二次
樹脂封止金型とを備える半導体装置の二重樹脂封止装置
において、 前記一次樹脂封止金型と前記二次樹脂封止とを前記第１
のキャビティの並ぶ方向と前記第２のキャビティの長手
方向とを平行にして並べ配置し平行移動して前記第１の
キャビティと前記第２のキャビティとを位置合せしたと
きに、前記第１のクロスランナと前記第２のクロスラン
ナの位置が異なることを特徴とする半導体装置の二重樹
脂封止装置。 - 【請求項２】 前記一次樹脂封止金型の前記第１のクロ
スランナの位置に対応する前記二次樹脂封止金型の下型
面に窪みが形成されていることを特徴とする請求項１記
載の半導体装置の二重樹脂封止装置。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP4079893A JP2513113B2 (ja) | 1993-03-02 | 1993-03-02 | 半導体装置の二重樹脂封止装置 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP4079893A JP2513113B2 (ja) | 1993-03-02 | 1993-03-02 | 半導体装置の二重樹脂封止装置 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH06252191A JPH06252191A (ja) | 1994-09-09 |
| JP2513113B2 true JP2513113B2 (ja) | 1996-07-03 |
Family
ID=12590650
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP4079893A Expired - Fee Related JP2513113B2 (ja) | 1993-03-02 | 1993-03-02 | 半導体装置の二重樹脂封止装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP2513113B2 (ja) |
Families Citing this family (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US6602430B1 (en) * | 2000-08-18 | 2003-08-05 | Micron Technology, Inc. | Methods for finishing microelectronic device packages |
-
1993
- 1993-03-02 JP JP4079893A patent/JP2513113B2/ja not_active Expired - Fee Related
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPH06252191A (ja) | 1994-09-09 |
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