JP2513113B2 - 半導体装置の二重樹脂封止装置 - Google Patents
半導体装置の二重樹脂封止装置Info
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Description
れた半導体チップを樹脂封止する半導体装置の樹脂封止
装置に関し、特に、リードフレームに複数個並べ載置さ
れた個々の半導体チップを樹脂封止し、樹脂封止された
複数のモールド体を一括して樹脂封止する半導体装置の
二重樹脂封止装置に関する。
導体装置は、それぞれの半導体チップを個々に一次樹脂
封止金型で樹脂モールドし、その後、半導体チップが樹
脂封止された複数のモールド体を並べて配置し二次樹脂
封止金型で一括してモールドし、対方向型半導体装置の
外郭体を成形していた。
止装置の一例における一次及び二次樹脂封止金型の下型
を示す部分平面図である。従来、この種の二重樹脂封止
装置は、図4(a)に示す一次樹脂封止金型と、図4
(b)に示す二次樹脂封止金型とで構成されていた。
せず)の窪みとで閉鎖空間を形成するキャビテイ16及
び17と、これらキャビティ16,17にランナ12
a,12bから供給される溶融樹脂を注入するゲート1
4a,14bをもつクロスランナ13a,13bとがそ
れぞれの下型11a,11bに形成されていた。また、
このクロスランナ13,13bは、樹脂封止金型の標準
化のために同じ位置に施されていた。
の搭載状態を示す部分平面図、図6は一次樹脂封止後に
発生するクロスランナ近傍に生ずる樹脂ばりを示す断面
図、図7(a)及び(b)は図4(b)の下型とリード
フレームの搭載状態を示す部分平面図(a)及びBーB
断面図(b)である。次に、この二重樹脂封止装置によ
る半導体装置の樹脂封止方法を説明する。まず、図5に
示すように、帯状のリードフレーム20を一次樹脂封止
金型の下型11aに乗せ、リードフレーム20に搭載さ
れた半導体チップ21を各キャビティ16に挿入する。
次に、図示されていない上型と合せ型閉めを行なう。そ
して、ランナ12aからクロスランナ13aに溶融樹脂
を流し、ゲート14aよりキャビティ16に溶融樹脂を
注入する。注入完了後、所定の硬化時間が経過してか
ら、型開きし、数珠繋ぎのように樹脂封止されたモール
ド体を一次樹脂封止金型より取外す。
ルド体22には、図7に示すように、クロスランナ付近
の樹脂溜めによるリードフレーム20に付着したゲート
樹脂ばり24が取付いた状態なので、このゲート残りで
あるゲート樹脂ばりをはつりモールド体22より除去す
る。そして樹脂封止されたモールド体からリード側には
み出す樹脂ばりを樹脂ばり除去型で除去し一次樹脂封止
後の処理を完了する。
脂封止されたモールド体22の全てがキャビティ17に
収納されるようにリードフレーム20を下型11bに位
置決め載置する。そして、型閉めしてから、ランナ12
bからクロスランナ13bに溶融樹脂を流し、ゲート1
4bより溶融樹脂をキャビティ17に注入し、複数のモ
ールドを一体化して半導体装置の外郭体を成形する。
れた個々の半導体チップを樹脂封止してから、個々のモ
ールド体の位置をリードフレームで維持した状態で一括
モールドすることによって、相互の位置関係を崩すこと
無く一体成形することが出来るものであった。
た従来の二重樹脂封止装置では、一次樹脂封止後に樹脂
ばり除去工程で樹脂ばりを除去するものの、図7(b)
に示すように、クロスランナ13a上に付着した図7の
ゲート残りであるゲート樹脂ばり24が完全に除去され
ずに残部24aとしてしばしば残る。そしてそれぞれの
下型11a,11bのクロスランナ13a,13bの位
置が一致しているので、二次樹脂封止の際に、この残部
24aが二次樹脂封止金型のクロスランナ13bに入り
込み、ゲート14bから注入される溶融樹脂の流れの妨
げとなり、樹脂の流れに伴いその残部に溶融樹脂が披着
し益々肥大して流量抵抗が大きくなる。この結果、注入
される溶融樹脂の流量が不足しキャビティ17の隅々ま
で樹脂が十分充填されずに硬化し、樹脂供給不足による
樹脂外郭体の欠け、凹み等を生じさせ品質上の重大な欠
陥となる。
除去した後、残部の有無を検査し、有ればホーニングに
よりリードフレームの表面を円滑に仕上げてから二次樹
脂封止を行なっていた。しかし、この作業はオフライン
で行なわなければならず、樹脂封止ラインを円滑に運用
させることが困難であるばかりか、多大な工数を浪費す
る欠点がある。また、この対策として、例えば、ゲート
残りを除去し易いように、ゲートに近いクロスランナの
樹脂流入経路を狭くしてゲート残りに切欠きを設け、ゲ
ート残りがその切欠き部から折れ易くした方法がある
が、ゲート残りを完全に除去することが出来ず解決には
至っていない。
に樹脂ばりが多少残っていても、欠損のない樹脂外郭体
に成形できるとともに樹脂封止ラインの運転を円滑に出
来る半導体装置の二重樹脂封止装置を提供することであ
る。
リードフレームに帯の幅方向に並べ載置される複数の単
一半導体チップのそれぞれを独立して包み収納する複数
の第1のキャビティと、これら第1のキャビティのそれ
ぞれに溶融樹脂を注入する第1のゲートをもつとともに
第1のランナより派生する第1のクロスランナを有する
一次樹脂封止金型と、この一次樹脂封止金型で樹脂封止
し形成され前記リードフレームに数珠状に連結された複
数のモールド体列を包み収納する第2のキャビティと、
この第2のキャビティに溶樹脂を注入する第2のゲート
を有するとともに第2のランナより派生する第2のクロ
スランナを有する二次樹脂封止金型とを備える半導体装
置の二重樹脂封止装置において、前記一次樹脂封止金型
と前記二次樹脂封止とを前記第1のキャビティの並ぶ方
向と前記第2のキャビティの長手方向とを平行にして並
べ配置し平行移動して前記第1のキャビティと前記第2
のキャビティとを位置合せしたときに、前記第1のクロ
スランナと前記第2のクロスランナの位置が異なる半導
体装置の二重樹脂封止装置である。
クロスランナの位置に対応する前記二次樹脂封止金型の
下型面に望ぞましくは窪みを形成することである。
る。
封止装置の一実施例における一次及び二次樹脂封止金型
の下型を示す部分平面図である。この二重樹脂封止装置
は、図1(a)に示す一次樹脂封止金型の下型9aにお
けるクロスランナ1aの位置と図1(b)に示す二次樹
脂封止金型の下型9bにおけるクロスランナ1bの位置
とは一致しないように、それそれのキャビティ16,1
7の中心位置から対称に外れた位置にクロスランナ1a
と1bを形成したことである。
ナ1aの位置と二次樹脂封止金型のクロスランナ1bの
位置を違えれば、一次樹脂封止作業で形成されるゲート
残りの樹脂残部は、二次樹脂封止の際に、二次樹脂封止
金型のクロスランナ1bに挿入されることない。また、
代りに挿入されるリードフレームの部分は何も被着され
ていない円滑な金属面であるので、溶融樹脂の流れの抵
抗にならなず、その部分に溶融樹脂が付着することがな
い。この結果、従来、起きていた樹脂供給不足による樹
脂外郭体の欠損が皆無となった。
閉めの際に、リードフレームと型面で挾さまれ、残部の
厚み分だけリードフレームと型面との隙間が大きくな
り、他の場所より樹脂ばりがより大きくなるものの、そ
の樹脂ばりそのものが薄く簡単に除去できるから、樹脂
ばり除去作業の効率を低下させるものではない。
封止装置の他の実施例における一次及び二次樹脂封止金
型の下型を示す部分平面図である。この二重樹脂封止装
置は、図2に示すように、一次樹脂封止金型における下
型10aのランナ4及びクロスランナ6と二次樹脂封止
金型における下型10bのランナ5及びクロスランナ7
とをキャビティ16,17を跨がって互いに反対の位置
に設けたことである。
一次樹脂封止金型のクロスランナ6に対応する位置に樹
脂残部の逃げである窪み8を形成したことである。この
窪み8は、一次樹脂封止の際に除去出来なかったゲート
残りの残部を入れ、二次樹脂封止の際に完全に型閉めで
きるようにし、前述の実施例に比較しこの部分で発生す
る樹脂ばりをより少なくしたことである。特に、半導体
装置の外郭体が大型のものには、大型化に伴ないケート
残り及びその残部がより大きくなることが予想されるの
で、この実施例の二重樹脂封止装置を適用するのが望ま
しい。
装置による半導体装置の二重樹脂封止方法を説明するた
めの工程順に示す部分平面図である。次に、本発明の半
導体装置の二重樹脂封止装置を理解し易いように樹脂封
止工程順に従って二重樹脂封止方法を説明する。
封止金型の下型10aに半導体チップ21を搭載した帯
状のリードフレーム20を乗せ、各キャビティ16内に
半導体チップ21が収納されるように位置決めする。こ
の位置決めは、通常、リードフレーム20の外枠に形成
された穴に下型10aのピンが挿入されることによって
行なわれる。
封止金型よりリードフレーム20を取外し、モールド体
22周囲の樹脂ばりとクロスランナ6付近のゲート樹脂
ばり24が付着した状態で一次樹脂封止済みのリードフ
レーム20を樹脂ばり除去装置(図示せず)に移載す
る。そして、まず、図3(c)に示すように、ゲート樹
脂ばり24がはつり除去され、その残部24aがリード
フレーム20の裏面に残されたままになる。引続き、モ
ールド体22の周囲の樹脂ばりが除去され、図3(d)
に示すように、リードフレーム20は二次樹脂封止金型
の下型10bに移載される。
リードフレーム20に付着した残部24aを窪み8に入
るように位置決めする。そして、型閉めした後、ランナ
5よりクロスランナ7を介して溶融樹脂を流し、ゲート
よりキャビテイ17に溶融樹脂を注入する。このとき、
クロスランナ7の上部にあるリードフレーム20の部分
は、何も付着していない清浄な金属面であるので、溶融
樹脂は何も抵抗なく円滑に注入される。注入完了し所定
の硬化時間経過後、型開きし、二次樹脂封止が完了した
リードフレーム20を下型10bより取外す。そして、
図3(e)に示す樹脂外郭体25の周囲に付着した樹脂
ばり、残部24a及び新たに付着したゲート樹脂ばり2
6を除去して完了する。
えるだけで、ゲート残りの除去に固執することなく運転
できるので、装置を一時停止してオフラインでリードフ
レームの表面仕上げする必要が無くなり、樹脂封止ライ
ンの稼働をスムースにし装置の稼働率も飛躍的に向上す
ることが出来た。
二次樹脂封止金型のキャビティに溶融樹脂を注入するゲ
ートをもつクロスランナの位置を互いに違えて設けるこ
とで、一次樹脂封止時に発生するゲート残りの残部が二
次樹脂封止金型のクロスランナに前記残部が入り込むこ
とが無く、二次樹脂封止時の樹脂注入が抵抗無く円滑に
注入されるので、樹脂外郭態に欠損を生じること無く成
形出来るという効果がある。また、従来オフラインで行
なわれていた前記残部の除去及び表面仕上げが全く必要
が無くなり、これら樹脂封止金型を含めた樹脂封止ライ
ンが極めて円滑に運転出来るという効果がある。
一次及び二次樹脂封止金型の下型を示す部分平面図であ
る。
る一次及び二次樹脂封止金型の下型を示す部分平面図で
ある。
重樹脂封止方法を説明するための工程順に示す部分平面
図である。
び二次樹脂封止金型の下型を示す部分平面図である。
を示す部分平面図である。
生ずる樹脂ばりを示す断面図である。
を示す部分平面図(a)及びBーB断面図(b)であ
る。
Claims (2)
- 【請求項1】 帯状のリードフレームに帯の幅方向に並
べ載置される複数の単一半導体チップのそれぞれを独立
して包み収納する複数の第1のキャビティと、これら第
1のキャビティのそれぞれに溶融樹脂を注入する第1の
ゲートをもつとともに第1のランナより派生する第1の
クロスランナを有する一次樹脂封止金型と、 この一次樹脂封止金型で樹脂封止し形成され前記リード
フレームに数珠状に連結された複数のモールド体列を包
み収納する第2のキャビティと、この第2のキャビティ
に溶樹脂を注入する第2のゲートを有するとともに第2
のランナより派生する第2のクロスランナを有する二次
樹脂封止金型とを備える半導体装置の二重樹脂封止装置
において、 前記一次樹脂封止金型と前記二次樹脂封止とを前記第1
のキャビティの並ぶ方向と前記第2のキャビティの長手
方向とを平行にして並べ配置し平行移動して前記第1の
キャビティと前記第2のキャビティとを位置合せしたと
きに、前記第1のクロスランナと前記第2のクロスラン
ナの位置が異なることを特徴とする半導体装置の二重樹
脂封止装置。 - 【請求項2】 前記一次樹脂封止金型の前記第1のクロ
スランナの位置に対応する前記二次樹脂封止金型の下型
面に窪みが形成されていることを特徴とする請求項1記
載の半導体装置の二重樹脂封止装置。
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP4079893A JP2513113B2 (ja) | 1993-03-02 | 1993-03-02 | 半導体装置の二重樹脂封止装置 |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP4079893A JP2513113B2 (ja) | 1993-03-02 | 1993-03-02 | 半導体装置の二重樹脂封止装置 |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JPH06252191A JPH06252191A (ja) | 1994-09-09 |
JP2513113B2 true JP2513113B2 (ja) | 1996-07-03 |
Family
ID=12590650
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP4079893A Expired - Fee Related JP2513113B2 (ja) | 1993-03-02 | 1993-03-02 | 半導体装置の二重樹脂封止装置 |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JP2513113B2 (ja) |
Families Citing this family (1)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US6602430B1 (en) * | 2000-08-18 | 2003-08-05 | Micron Technology, Inc. | Methods for finishing microelectronic device packages |
-
1993
- 1993-03-02 JP JP4079893A patent/JP2513113B2/ja not_active Expired - Fee Related
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Publication number | Publication date |
---|---|
JPH06252191A (ja) | 1994-09-09 |
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